JP2001316827A

JP2001316827A - 高周波プラズマｃｖｄ法および高周波プラズマｃｖｄ装置

Info

Publication number: JP2001316827A
Application number: JP2000134921A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Takagi; 智高木; Koji Teranishi; 康治寺西
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-05-08
Filing date: 2000-05-08
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】任意形状の大面積の基体上に、膜厚が極めて均
一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で安定
に形成し、効率よく堆積膜を形成することができる高周
波プラズマＣＶＤ法および高周波プラズマＣＶＤ装置を
提供する。【解決手段】被成膜処理基体上に堆積膜を形成する高周
波プラズマＣＶＤ法であって、反応容器の一部を高周波
電磁界を透過する誘電体部材で形成する一方、前記高周
波電極を複数の長板状の導電性部材で形成して該誘電体
部材を介して大気側に配し、該高周波電極の配された近
傍領域の前記誘電体部材の誘電率を、他の領域よりも高
くして堆積膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波プラズマＣ
ＶＤ法および高周波プラズマＣＶＤ装置に関し、特に、
半導体デバイスとしての電子写真用感光体デバイス、画
像入力用ラインセンサー、フラットパネルディスプレ
イ、撮像デバイス、光起電力デバイス等に有用な結晶質
または非単結晶質の機能性堆積膜を好適に形成し得る高
周波プラズマＣＶＤ法および高周波プラズマＣＶＤ装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイス等の製造プロセス
においては、プラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ法
が工業的に実用化されている。特に１３．５６ＭＨｚの
高周波を用いたプラズマＣＶＤ装置は基板材料、堆積膜
材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理できるので広く
用いられている。従来のプラズマ発生用高周波電極及び
該高周波電極を用いたプラズマＣＶＤ装置及びプラズマ
ＣＶＤ法の一例として、平行平板型の装置について図８
を参照しながら説明する。反応容器（７０１）に絶縁性
の高周波電極支持台（７０２）を介して高周波電極（７
０３）が配置されている。高周波電極（７０３）は、対
向電極（７０５）と平行に配された平板であり、この電
極間の静電容量で決まる電界によりプラズマを発生させ
る。プラズマが発生すると、実質的に導電体であるプラ
ズマと、プラズマと両電極や反応容器壁との間の等価的
に主にコンデンサとして働くシースが電極間に発生して
プラズマ発生前とは大きくインピーダンスが異なる場合
が多い。高周波電極（７０３）の回りには、高周波電極
（７０３）の側部と反応容器（７０１）との間で放電が
発生しないようにアースシールド（７０４）が配置され
ている。高周波電極（７０３）には整合回路（７０９）
と高周波電力供給線（７１０）を介して高周波電源（７
１１）が接続されている。高周波電極と平行に配された
対向電極（７０５）にはプラズマＣＶＤを行うための平
板状の被成膜基体（７０６）が配置され、被処理基体
（７０６）は、基体温度制御手段（図示せず）により所
望する温度に保たれる。この装置を使用した場合のプラ
ズマＣＶＤは以下のように行われる。反応容器（７０
１）を真空排気手段（７０７）によって高真空まで排気
した後、ガス供給手段（７０８）によって反応ガスを反
応容器（７０１）内に導入し、所定の圧力に維持する。
高周波電源（７１１）より高周波電力を高周波電極（７
０３）に供給して高周波電極と対向電極との間にプラズ
マを発生させる。こうすることにより、反応ガスがプラ
ズマにより分解、励起され被成膜基体（７０６）上に堆
積膜を形成する。高周波電力としては、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を用いるのが一般的であるが、放電周波
数が１３．５６ＭＨｚの場合、放電条件の制御が比較的
容易であり、得られる膜の膜質が優れているといった利
点を有するが、ガスの利用効率が低く、堆積膜の形成速
度が比較的小さいといった問題がある。

【０００３】こうした問題に鑑みて、周波数が２５〜１
５０ＭＨｚ程度の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法につ
いての検討がなされている。例えばＰｌａｓｍａＣｈ
ｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＰｌａｓｍａＰｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ，Ｖｏｌ７，Ｎｏ３，（１９８７）ｐ２６７
−２７３（以下、「文献１」という。）には、平行平板
型のグロー放電分解装置を使用して原料ガス（シランガ
ス）を周波数２５〜１５０ＭＨｚの高周波電力で分解し
てアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成すること
が記載されている。具体的には、文献１には、周波数を
２５ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚの範囲で変化させてａ−Ｓｉ
膜の形成を行い、７０ＭＨｚを使用した場合、膜堆積速
度が、２．１ｎｍ／ｓｅｃと最も大きくなり、これは上
述の１３．５６ＭＨｚを用いたプラズマＣＶＤ法の場合
の５〜８倍程度の形成速度であること、及び得られるａ
−Ｓｉ膜の欠陥密度、光バンドギャップ及び導電率は、
励起周波数によってはあまり影響を受けないことが記載
されている。上記従来例は実験室規模の平板状の基体を
処理するのに適したプラズマＣＶＤ装置の例であるが、
大型の生産規模の円筒状の被成膜基体の表面上に堆積膜
を形成するのに適したプラズマＣＶＤ装置の一例が、特
開平６−３４２７６４号公報（以下、「文献２」とい
う。）に記載されている。文献２には、周波数６０ＭＨ
ｚ〜３００ＭＨｚの所謂ＶＨＦ帯の高周波を用いたプラ
ズマＣＶＤ法及びプラズマＣＶＤ装置が開示されてい
る。

【０００４】文献２のＶＨＦプラズマＣＶＤ装置を図面
を参照しながら説明する。図７に示すプラズマＣＶＤ装
置は、文献２に記載されているＶＨＦプラズマＣＶＤ装
置である。図７において、１００は反応容器を示す。反
応容器（１００）は、ベースプレート（１０１）と、絶
縁部材（１０２Ａ）、カソード電極（１０３Ｃ）、絶縁
部材（１２１Ｂ）、カソード電極（１０３Ｂ）、絶縁部
材（１２１Ａ）、カソード電極（１０３Ａ）、絶縁部材
（１０２Ｂ）、及び上蓋（１１５）から構成されてい
る。１０５Ａは基体ホルダーであり、該基体ホルダーは
内部にヒーター支柱（１０５Ａ’）を有している。１０
５Ａ”は、ヒーター支柱（１０５Ａ’）に取り付けられ
た基体加熱用ヒーターである。１０６は基体ホルダー
（１０５Ａ）上に配設された円筒状の被成膜基体であ
る。１０５Ｂは円筒状の被成膜基体（１０６）の補助保
持部材である。基体ホルダー（１０５Ａ）は、その底部
にモーターに連結した回転機構（図示せず）を備えてい
て、必要により回転できるようにされている。１０７
は、排気バルブを備えた排気パイプであり、該排気パイ
プは、真空ポンプを備えた排気機構（１０７’）に連通
している。１０８は、ガスボンベ、マスフローコントロ
ーラー、バルブ等で構成された原料ガス供給系である。
原料ガス供給系（１０８）は、ガス供給パイプ（１１
７）を介して複数のガス放出孔を備えたガス放出パイプ
（１１６）と接続している。原料ガスはガス放出パイプ
（１１６）の複数のガス放出孔を介して反応容器内に供
給される。１１１は高周波電源であり、ここで発生した
高周波電力は高周波電力供給線及び整合回路（１０９）
を介してカソード電極（１０３）に供給される。図７に
示したプラズマＣＶＤ装置においては、カソード電極が
円筒状の被成膜基体の軸方向に１０３Ａ，１０３Ｂ、１
０３Ｃの３つに電気的に分割されて構成されている。高
周波電源（１１１）で発生した高周波電力は、高周波電
力分割手段（１２０）により３分割され、整合回路１０
９Ａ，１０９Ｂ，１０９Ｃを介して、カソード電極１０
３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃに供給される。

【０００５】文献２には、図７のプラズマＣＶＤ装置を
用いたプラズマＣＶＤ法についても記述されている。即
ち、図７において、円筒状の被成膜基体（１０６）を基
体ホルダー（１０５Ａ）にセットした後、反応容器（１
００）内を排気機構（１０７’）を作動させて排気し、
反応容器内を所定の圧力に減圧する。ついで、ヒーター
（１０５Ａ”）に通電して基体（１０６）を所望の温度
に加熱保持する。次に、原料ガス供給系（１０８）から
ガス供給パイプ（１１７）及びガス放出パイプ（１１
６）を介して、原料ガスを反応容器（１００）内に導入
し、該反応容器内を所望の圧力に調整する。こうしたと
ころで、高周波電源（１１１）により周波数６０ＭＨｚ
乃至３００ＭＨｚの高周波を発生させ、高周波電力を高
周波電力分配器（１２０）で分割し、整合回路１０９
Ａ、１０９Ｂ、１０９Ｃを介して、それぞれカソード電
極１０３Ａ、１０３Ｂ、１０３Ｃに供給する。かくして
円筒状の被成膜基体（１０６）とカソード電極に囲まれ
た空間において、原料ガスは高周波エネルギーにより分
解され活性種を生起し、円筒状の被成膜基体（１０６）
上に堆積膜の形成をもたらす。

【０００６】文献２においては、上述のような６０ＭＨ
ｚ乃至３００ＭＨｚの高周波電力を用いたプラズマＣＶ
Ｄ装置において、円筒状カソード電極を分割することに
より、ＶＨＦ領域の高周波プラズマＣＶＤでの利点であ
る高い膜堆積速度で、問題点であった大面積円筒状の被
成膜基体での均一性の高い堆積膜の形成を達成できると
されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の文献１に記載の平行平板型装置での周波数２５〜１５
０ＭＨｚの高周波電力による成膜は実験室規模のもので
あり、大面積の膜の形成においてこうした効果が期待で
きるか否かについて全く触れるところはない。一般に、
励起周波数が高くなるにしたがって、高周波電極上の定
在波の影響が顕著になり、特に平板電極では２次元の複
雑な定在波が生じてくる。この為、大面積の膜を均一に
形成することが困難になることが予想される。また、従
来例の文献２に記載のプラズマＣＶＤ法及びプラズマＣ
ＶＤ装置においては、円筒状の大面積の堆積膜の形成に
おいて、高堆積速度且つ高均一性での堆積膜の形成が期
待できるが、円筒状の被成膜基体の径が大きくなると、
ひとつのカソード電極に複数の給電点が必要になり煩雑
になってくること、及び平板状基体への対応が困難であ
るといったことが予想される。

【０００８】そこで、本発明は、上記従来技術における
課題を解決し、任意形状の大面積の基体上に、膜厚が極
めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度
で安定に形成し、効率よく堆積膜を形成することができ
る高周波プラズマＣＶＤ法および高周波プラズマＣＶＤ
装置を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、高周波プラズマＣＶＤ法および高周波プラ
ズマＣＶＤ装置を、つぎの（１）〜（２２）のように構
成したことを特徴とするものであるものである。（１）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、プラズマ発
生用高周波電極に、高周波電力を印加して、減圧可能な
反応容器内に配された被成膜処理基体との間でプラズマ
を生起させ、前記反応容器内に導入された原料ガスを分
解して、前記被成膜処理基体上に堆積膜を形成する高周
波プラズマＣＶＤ法であって、前記反応容器の一部を高
周波電磁界を透過する誘電体部材で形成する一方、前記
高周波電極を複数の長板状の導電性部材で形成して該誘
電体部材を介して大気側に配し、該高周波電極の配され
た近傍領域の前記誘電体部材の誘電率を、他の領域より
も高くして堆積膜を形成することを特徴としている。（２）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記誘電体
部材の誘電率を他の領域よりも高くすることが、前記高
周波電極が配された近傍領域の誘電体部材の厚みを厚く
することによって行われることを特徴としている。（３）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記高周波
電極に印加する高周波電力は、周波数が３０〜６００Ｍ
Ｈｚの範囲にあることを特徴としている。（４）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記複数の
高周波電極の給電側には、補助整合回路が各々設けら
れ、該補助整合回路によって前記高周波電極の数よりも
少ない数の高周波電源から分岐して、これらの高周波電
極に供給される高周波電力を制御することを特徴として
いる。（５）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記反応容
器内に配された前記被成膜処理基体を円筒状基体で形成
する一方、前記複数の高周波電極を前記反応容器の外側
における同一円周上に配列することを特徴としている。（６）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記円筒状
基体が、前記反応容器内において同一円周上に複数配さ
れていることを特徴としている。（７）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記円筒状
基体を回転させながら円筒状基体の表面上に堆積膜を形
成することを特徴としている。（８）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記被成膜
処理基体が平板状基体であり、該平板状基体に対して平
行に複数の高周波電極を配列し、前記高周波電極と該平
板状基体との間にプラズマを発生させて、該平板状基体
の表面上に堆積膜を形成することを特徴としている。（９）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記被成膜
処理基体が成膜時に保持ロールより送り出され、巻き取
りロールにより巻き取られるシート状基体であり、該シ
ート状基体に対して平行に複数の高周波電極を配列し、
前記高周波電極と該シート状基体との間にプラズマを発
生させて、該シート状基体の表面上に堆積膜を形成する
ことを特徴としている。（１０）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記堆積
膜が、シリコン、ゲルマニウム、カーボン、またはその
いずれかの合金であることを特徴としている。（１１）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記堆積
膜が、電子写真感光体用のものであることを特徴として
いる。（１２）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記堆積
膜が、太陽電池用のものであることを特徴としている（１３）本発明の高周波プラズマＣＶＤ法が、前記堆積
膜は、薄膜トランジスタ用のものであることを特徴とし
ている（１４）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、減圧可
能な反応容器、該反応容器内にプラズマＣＶＤの原料ガ
スを供給する原料ガス供給手段、該反応容器内に高周波
電力を供給する高周波電極及び高周波電源、前記反応容
器内に配された基体保持手段、該反応容器内の反応後の
ガスを排気する排気手段とを有し、前記高周波電源で発
生させた高周波電力を前記高周波電極に供給し、前記基
体保持手段により保持される基体と前記高周波電極との
間にプラズマを発生させて基体に堆積膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極が前記反応容
器外に配された複数の長板状の導電体部材からなる構成
を備えるとともに、前記反応容器の一部が高周波電磁界
を透過する誘電体部材からなる構成を備え、前記高周波
電極の配された近傍領域における前記誘電体部材が他の
領域よりも高い誘電率を有する構成を備えていることを
特徴としている。（１５）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記高
い誘電率を有する構成が、前記複数の高周波電極が配さ
れた近傍領域の誘電体部材に段差形状を設け、誘電体部
材の厚みを厚くすることによって構成されていることを
特徴としている。（１６）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記高
周波電源による前記高周波電力は、周波数が３０ＭＨｚ
〜６００ＭＨｚであることを特徴としている。（１７）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記複
数の高周波電極の給電側には、補助整合回路が各々設け
られ、該補助整合回路によって前記高周波電極の数より
も少ない数の高周波電源から分岐して、これらの高周波
電極に供給される高周波電力を制御する構成を有するこ
とを特徴としている。（１８）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記反
応容器内に配された前記被成膜処理基体が円筒状基体で
構成されるとともに、前記複数の高周波電極が前記反応
容器の外側における実質的に同一円周上に立設するよう
に配列して構成されていることを特徴としている。（１９）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記円
筒状基体が、前記反応容器内において同一円周上に複数
配されていることを特徴としている。（２０）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記円
筒状基体を回転可能とする回転機構を有することを特徴
としている。（２１）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記被
成膜処理基体が平板状基体であり、該平板状基体に対し
て平行に複数の高周波電極を配列し、前記高周波電極と
該平板状基体との間にプラズマを発生させて、該平板状
基体の表面上に堆積膜を形成することを特徴としてい
る。（２２）本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、前記被
成膜処理基体が成膜時に保持ロールより送り出され、巻
き取りロールにより巻き取られるシート状基体であり、
該シート状基体に対して平行に複数の高周波電極を配列
し、前記高周波電極と該シート状基体との間にプラズマ
を発生させて、該シート状基体の表面上に堆積膜を形成
することを特徴としている。

【００１０】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて説明する。本発明者らは鋭意検討を行った結果、高
周波電力の周波数を３０ＭＨｚ以上にすると、気相での
重合反応が起こりにくい高真空領域での放電が可能とな
り、非常に優れた膜特性を得ることができ、堆積速度も
１３．５６ＭＨｚの場合に比べて向上するが、まだ高真
空領域での放電の安定性に問題があったり膜質と堆積速
度の分布は悪化する知見を得た。本発明者らは、高周波
電力の周波数を３０ＭＨｚ以上にすると偏在的に膜質の
悪化や堆積速度の低下が発生する原因を解明すべく鋭意
検討を行った。その結果、プラズマ電位と偏在的な膜質
悪化に強い相関があり、プラズマ中の電子密度と堆積速
度にも強い相関があることが判明した。即ち、円筒状の
被成膜基体の軸方向に亘つてラングミュアプローブ法に
よりプラズマ電位を測定したところ、偏在的に膜質が悪
化する位置に対応する箇所においてプラズマ電位の低下
が見られた。

【００１１】これらの検討結果から膜質分布及び堆積速
度分布の悪化は、高周波電極上に発生する定在波に起因
するものと推察された。一般に高周波電極と対向電極間
に高周波電力を印加することによってプラズマを生成す
る場合、電極に印加した高周波電力の周波数と電極の大
きさとの関係から電極上に無視できない定在波が発生す
る場合がある。即ち、高周波電力の周波数が高くなる場
合や高周波電極の面積が大きくなる場合に定在波が発生
し易くなり、この定在波が大きいと、高周波電極内での
電界分布が悪くなり、電極間のプラズマ密度、プラズマ
電位、電子温度などのプラズマ分布が乱れ、プラズマＣ
ＶＤの成膜品質に悪影響を及ぼす。上述した実験におい
ては、高周波電極の先端で高周波電極上に反射波が発生
し、入射波との干渉により３０ＭＨｚ以上の周波数にお
いて膜質、堆積速度に影響を与える定在波が発生したも
のと考えられる。特に、定在波の節の位置では電界が弱
くなり、偏在的なプラズマ電位の低下を引き起こして偏
在的に膜質が悪化したものと考えられる。

【００１２】本発明の上記した（１）〜（２２）の構成
は、以上の検討結果を基礎として、つぎのような知見に
基づいて完成するに至ったものである。この点につい
て、図３に示す高周波プラズマＣＶＤ装置におけるプラ
ズマ発生用高周波電極に関する図に基づき、さらに詳し
く説明する。まず、定在波の影響を少しでも和らげる為
にプラズマ発生用高周波電極（３）は、誘電体部材
（４）を介してプラズマと直接接しないようにする。そ
のうえで、２次元的な定在波はその分布が非常に複雑に
なり制御することが困難になるため、定在波を１次元化
できるように、プラズマ発生用高周波電極（３）は、そ
の幅を波長と比較して十分に小さくした板状のものを用
いる。この場合、電極幅が十分に大きくできない為、大
面積で均一なプラズマを発生させるためには必然的に複
数のプラズマ発生用高周波電極（３）を並べて使用する
ことが求められる。しかし、複数のプラズマ発生用高周
波電極（３）を並べて使用すると、隣り合う電極同士の
高周波電磁界が干渉し合い、結果的に２次元的な定在波
を発生させる可能性がある。この干渉を起こさないため
には電極同士の距離をある程度広げることが必要になっ
てくるが、広げすぎると電極正面と電極間の部分とに正
対する部分とでプラズマの強度に差が生じ結果的に満足
できるプラズマの均一性が得られない。

【００１３】このようなことから、本発明らは、電極間
の距離を広げずに電極間の相互干渉を極力減らすために
は、電極を伝送する電磁波の電界をプラズマの方に集中
させ、隣の電極のほうに影響しないようにするために
は、プラズマのほうにだけ誘電率の高い部材を設置すれ
ば良いという知見を得た。つまり、電極間には、空気の
ように誘電率の小さいものを媒体にすれば電極−電極間
の相互作用は電極−プラズマ間の相互作用に比べて十分
に小さくできる。このため、図３に示すように誘電体部
材（４）の形状を電極部分だけを厚くする段差形状にす
ることで、上記の条件を満足でき、電極間の干渉による
悪影響をなくし十分にプラズマにパワーを投入できるこ
とが、これらの検討の過程で解明された。

【００１４】本発明の実施の形態のプラズマ発生用高周
波電極は、使用する高周波電力の周波数が３０〜６００
ＭＨｚの範囲にあることが好ましい。本発明の実施の形
態における上記構成のプラズマ発生用高周波電極を用い
たプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ法において
は、以上に述べたように均一なプラズマを形成できるプ
ラズマ発生用高周波電極を用いている為、極めて均一性
の良い膜質及び膜厚の堆積膜を形成できる。以下に、本
発明の実施の形態について、図１及び図２に示したプラ
ズマＣＶＤ装置に基づいて説明する。尚、図２は図１の
Ｘ−Ｘ’断面図である。図１及び図２において、１２は
反応容器を示す。反応容器（１２）内には、１個の基体
ホルダー（６Ａ）が反応容器中心に置かれている。５は
基体ホルダー（６Ａ）上に配された成膜用の円筒状の被
成膜基体である。それぞれの基体ホルダー（６Ａ）の内
部にはヒーター（７）が設けられていて円筒状の被成膜
基体（５）を内側より加熱できるようにされている。ま
た、それぞれの基体ホルダー（６Ａ）は、モーター（図
示せず）に連結したシャフト（図示せず）に接続してお
り、回転できるようにされている。３はプラズマ生起領
域の中心に位置した高周波電力投入用の高周波電極であ
る。高周波電力は、高周波電源（１１）で発生し、整合
回路（１０）を介して分割され、高周波電極（３）の一
端に供給される。高周波電極（３）は、反応容器（１
２）の一部を構成している誘電体部材（４）を介して放
電空間と隔離されており、該誘電体部材（４）は電極に
接する部分だけ厚くなった段差形状をしている。ガスの
排気は、排気バルブを備えた排気パイプを介して、真空
ポンプを備えた真空排気手段（９）によって行われる。
８は、ガスボンベ、マスフローコントローラ、バルブ等
で構成された原料ガス供給系であり、ガス供給パイプを
介して複数のガス放出孔を備えたガス放出パイプに接続
される。この装置を使用した場合のプラズマＣＶＤは以
下のように行われる。反応容器（１２）を排気機構
（９）によって高真空まで排気した後、ガス供給手段
（８）からガス供給パイプ及びガス放出パイプを介して
原料ガスを反応容器（１２）内に導入し、所定の圧力に
維持する。こうしたところで、高周波電源（１１）より
高周波電力を整合回路（１０）を介して分割した後補助
整合回路（２）を介して、高周波電極（３）に供給して
高周波電極と円筒状の被成膜基体（５）との間にプラズ
マを発生させる。こうすることにより、原料ガスがプラ
ズマにより分解、励起され円筒状の被成膜基体（５）上
に堆積膜が形成される。

【００１５】本発明の実施の形態において、誘電体部材
（４）に使用する誘電体材料は任意の公知のものを選択
できるが、誘電損の小さい材料が好ましく、誘電正接が
０．０１以下であるものが好ましく、より好ましくは
０．００１以下がよい。高分子誘電体材料ではポリ四フ
ッ化エチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリフッ化
エチレンプロピレン、ポリイミドなどが好ましく、ガラ
ス材料では、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスなどが好ま
しく、磁器材料では窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化ア
ルミニウム、などや酸化アルミニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化ケイ素などの元素酸化物の中の単数または複数
の元素酸化物を主成分とする磁器が好ましい。

【００１６】また、本発明の実施の形態において、高周
波電極（３）の形状は長板状のものが好ましい。また、
本発明の実施の形態において、高周波電源（１１）の周
波数は好ましくは３０〜６００ＭＨｚ、更に好適には６
０〜３００ＭＨｚの範囲とするのが望ましい。また、本
発明の実施の形態において、装置構成は、図４に示すよ
うに、複数の円筒状の被成膜基体を、同一円周上に配列
したものでも良い。また、本発明の実施の形態におい
て、装置構成は図５に示すように平板状の被成膜基体
（５）に対して平行に複数の高周波電極（３）を配置し
たものでもよい。こうすることにより、大面積平板状の
被成膜基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である
高品質な堆積膜を高速度で形成することができる。ま
た、本発明の実施の形態において、装置構成は図６に示
すように成膜時に保持ロール（１５）より送り出され、
巻き取りロール（１６）に巻き取られるシート状の被成
膜基体（５）に対して平行に複数の高周波電極（３）を
配置したものでもよい。こうすることにより、大面積の
シート状基体上に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質であ
る高品質な堆積膜を高速度で形成することができる。

【００１７】本発明の実施の形態において、プラズマＣ
ＶＤ装置を使用するに際して、使用するガスについて
は、形成する堆積膜の種類に応じて公知の成膜に寄与す
る原料ガスを適宜選択使用される。例えば、ａ−Ｓｉ系
の堆積膜を形成する場合であれば、シラン、ジシラン、
高ジシラン等あるいはそれらの混合ガスが好ましい原料
ガスとして挙げらる。他の堆積膜を形成する場合であれ
ば、例えば、ゲルマン、メタン、エチレン等の原料ガス
またはそれらの混合ガスが挙げられる。いずれの場合に
あっても、成膜用の原料ガスはキャリアーガスと共に反
応容器内に導入することができる。キャリアーガスとし
ては、水素ガス、及びアルゴンガス、ヘリウムガス等の
不活性ガスを挙げることができる。

【００１８】また、その際、堆積膜のバンドギヤップを
調整する等の特性改善用ガスを使用することもできる。
そうしたガスとしては、例えば、窒素、アンモニア等の
窒素原子を含むガス、酸素、酸化窒素、酸化二窒素等の
酸素原子を含むガス、メタン、エタン、エチレン、アセ
チレン、プロパン等の炭化水素ガス、四フッ化珪素、六
フッ化二珪素、四フッ化ゲルマニウム等のガス状フッ素
化合物またはこれらの混合ガス等が挙げられる。そし
て、形成される堆積膜をドーピングするについてドーパ
ントガスを使用することもできる。そうしたドーピング
ガスとしては、例えば、ガス状のジボラン、フッ化ホウ
素、ホスフィン、フッ化リン等が挙げられる。堆積膜形
成時の基体温度は、適宜設定できるが、アモルファスシ
リコン系の堆積膜を形成する場合には、好ましくは６０
℃〜４００℃、より好ましくは１００℃〜３５０℃とす
るのが望ましい。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもので
はない。［実施例１］本発明の実施例１に使用したプラズマＣＶ
Ｄ装置の模式図を図１に示す。図２は、図１のＸ−Ｘ’
で示した位置での断面図である。高周波電源（１１）と
して周波数１３．５６ＭＨｚ〜６５０ＭＨｚの電源を使
用した。高周波電極（３）は、４つの板状のものを用
い、反応容器（１２）外に配置しており、アルミナセラ
ミックス製の誘電体部材（４）を介して放電空間と隔離
されている。誘電体部材（４）は、高周波電極（３）に
接する近傍だけを厚くしたものを用いた。

【００２０】本実験では、直径１０８ｍｍ、長さ３５８
ｍｍ、厚さ５ｍｍのＡｌ製円筒状の被成膜基体を反応容
器（１２）内に設置して基体は回転させながら成膜実験
を行った。アルミナセラミックス製の誘電体部材（４）
は内径約１８０ｍｍ、長さ５００ｍｍの円筒形のもの
で、薄いところの厚さ５ｍｍ、電極と接する部分の肉厚
１０ｍｍのものを用いた。高周波電極（３）は、Ａｌ製
の幅１００ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さ４５０ｍｍ、の長板
状のものを４枚用いた。

【００２１】膜質の評価用として、電気特性評を価用す
るためのＣｒ製の２５０μｍギャップの櫛形電極を蒸着
したコーニング＃７０５９ガラス基板を電気特性評価基
板として円筒状被成膜基体表面上の軸方向の長さ３５８
ｍｍに亘って設置し、以下の手順で実験を行った。ま
ず、反応容器（１２）内を排気機構（９）を作動して排
気し、反応容器（１２）内を１×１０^-6Ｔｏｒｒの圧力
に調整した。ついで、基板加熱ヒーター（７）に通電し
て円筒状の被成膜基体（５）を２５０℃の温度に加熱保
持した。ついで、以下の手順で成膜を行った。即ち、原
料ガス供給手段（８）からガス放出パイプ（１４）を介
して、ＳｉＨ₄ガスを５００ｓｃｃｍの流量で反応容器
（１２）内に導入し、該反応容器内を１０ｍＴｏｒｒの
圧力に調整した。こうしたところで、高周波電源（１
１）により周波数１３．５６ＭＨｚ乃至６５０ＭＨｚの
高周波を１ＫＷ発生させ、該高周波を整合回路（１０）
を介して４つに分割し、補助整合回路（２）を介して均
等に高周波電極（３）に供給した。ここで高周波電源
（１１）としては上述した範囲の周波数が与えられるよ
う、所定の高周波電源を用いた。整合回路（１０）は、
当該高周波電源の周波数に応じて適宜調整した。かくし
て円筒状の被成膜基体（５）上及び前記の電気特性評価
基板上にアモルファスシリコン膜が形成された。

【００２２】以上のようにして形成したアモルファスシ
リコン膜の膜質および膜質分布、並びに堆積速度および
堆積速度分布を以下の方法で評価した。膜質及び膜質分
布は電気特性評価基板の上端から下端までに亘って約２
０ｍｍおきの１８箇所の位置で明／暗導電率比（（光導
電率σｐ）／（暗導電率σｄ））を測定することにより
評価した。ここでは、光導電率σｐは、１ｍＷ／ｃｍ²
の強度のＨｅ−Ｎｅレーザー（波長６３２．８ｎｍ）の
照射時の導電率により評価している。本発明者らのこれ
までの電子写真感光体作製からの知見によると、上記の
方法による明／暗導電率比が１０³以上の品質の堆積膜
を得られる条件を基に最適化して作製した電子写真感光
体において実用に値する画像が得られる。しかし、近年
の画像の高コントラスト化により、上述の明／暗導電率
比が１０⁴以上のものが必須になってきており、更に近
い将来１０⁵以上の明／暗導電率比が求められることが
予想される。

【００２３】このような観点から、今回の実験では明／
暗導電率比の値を、下記の基準で評価した。 ◎：明／暗導電率比が１０⁵以上であり、非常に優れた
膜特性である。 ○：明／暗導電率比が１０⁴以上であり、良好な膜特性
である。 △：明／暗導電率比が１０³以上であり、実用上問題な
し。 ×：明／暗導電率比が１０³未満であり、実用に適さな
い。堆積速度及び堆積速度分布の評価は、ａ−Ｓｉ膜を形成
した円筒状の被成膜基体の軸方向に亘って上述した明／
暗導電率比の測定位置と同様に約２０ｍｍおきの１８箇
所について渦電流式膜厚計（Ｋｅｔｔ科学研究所製）を
使用して膜厚を測定することにより評価した。堆積速度
は１８箇所における膜厚に基づいて算出し、得られた値
の平均値を平均堆積速度とした。堆積速度分布の評価は
次のようにして行った。即ち、軸方向の堆積速度分布に
ついては、軸方向１８箇所における堆積速度の最大値と
最小値との差を求め、該差を１８箇所の平均堆積速度で
割り、堆積速度分布｛（最大値−最小値）／平均値｝を
求め、これを軸方向の堆積速度分布として百分率で表し
た。

【００２４】成膜した試料の明／暗導電率比、平均堆積
速度及び堆積速度分布の評価結果を表１に示す。１３．
５６ＭＨｚの場合、１０ｍＴｏｒｒで放電が生起しなか
った為評価できなかった。３０ＭＨｚの周波数を持つ高
周波電力により成膜したものは、全ての試料において明
／暗導電率比が１×１０⁴〜３×１０⁴の範囲にあり良好
な膜特性（○）であった。平均堆積速度は２．０ｎｍ／
ｓであり堆積速度分布は３％であった。６０ＭＨｚ〜３
００ＭＨｚの周波数を持つ高周波電力により成膜したも
のは全ての試料において明／暗導電率比が１×１０⁵〜
５×１０⁵であり非常に優れた膜特性（◎）であった。

【００２５】

【表１】平均堆積速度は４．０〜７．１ｎｍ／ｓであり、堆積速
度分布は４〜５％であった。４００ＭＨｚ〜６００ＭＨ
ｚの周波数を持つ高周波電力による試料においては、明
／暗導電率比が５×１０⁴〜８×１０⁴であり良好な膜特
性（○）であった（表１）。平均堆積速度は２．０〜
２．８ｎｍ／ｓであり、堆積速度分布は６〜７％であっ
た。６５０ＭＨｚの場合は、放電が不安定になり堆積膜
の形成はできなかった。以上のように本実施例において
は、３０ＭＨｚ乃至６００ＭＨｚの放電周波数条件で、
明／暗導電率比、平均堆積速度分布共に良好なアモルフ
ァスシリコン膜が得られており、６０ＭＨｚ乃至３００
ＭＨｚにおいては特に優れたアモルファスシリコン膜が
得られた。

【００２６】（比較例１）比較例１においては、実施例
１と同様の条件で、誘電体部材（４）に段差をつけずに
検討を行い、実施例１と同様の評価を行った。評価結果
を表２に示す。この表２から、表１の実施例１の結果に
比べて、全ての放電周波数で、明／暗導電率比の落ち込
みや堆積速度分布の不均一性が大きいことが明らかであ
る。

【００２７】

【表２】［実施例２］実施例２においては、図１及び図２に示す
装置を用い、実施例１で明／暗導電率比１０⁵以上の値
が得られた条件、即ち、電源周波数６０ＭＨｚ、１００
ＭＨｚ、２００ＭＨｚ、３００ＭＨｚの各々の条件で、
電子写真感光体を作製した。電子写真感光体は、表３に
示す成膜条件でＡｌ製の円筒状の被成膜基体上に、電荷
注入阻止層、光導電層及び表面保護層をこの順序で形成
した。各々の電源周波数の条件で得られた試料につい
て、帯電能、画像濃度、画像欠陥について評価した。そ
の結果、いずれの電子写真感光体もこれらの評価項目に
ついて電子写真感光体全面に亘って非常に優れた結果を
示した。このことからいずれの電子写真感光体も電子写
真特性に優れたものであることが判った。

【００２８】

【表３】［実施例３］実施例３においては、図４に示した装置を
用い、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、厚さ５ｍｍの６
本のＡｌ製円筒状の被成膜基体（５）を反応容器（１
２）内に配置して成膜を行った。高周波電極（３）の構
成は実施例１と同様のものを、図５に示すように６本の
高周波電極（３）を反応容器（１２）外に配置した。反
応容器（１２）の一部は誘電体部材（４）により構成さ
れており、反応容器外の高周波電極からの高周波電力を
反応容器内に供給できるようになっている。高周波電源
の周波数は１００ＭＨｚのものを用いた。成膜条件は、
高周波電力４（ｋＷ）、ＳｉＨ₄流量１０００（ｃ
ｃ）、成膜圧力１０（ｍＴｏｒｒ）、基体温度２５０
（℃）として、６本の円筒状の被成膜基体上にアモルフ
ァスシリコン膜を形成し、実施例１と同様の手順で明／
暗導電率比、堆積速度及び堆積速度分布の評価を行っ
た。その結果、明／暗導電率は全ての位置で１×１０⁵
〜３×１０⁵であり、平均堆積速度は６．２ｎｍ／ｓ、
堆積速度分布は５％となり、均一で優れた特性のアモル
ファスシリコン膜が得られた。

【００２９】［実施例４］実施例４においては、実施例
３で用いた同一の装置構成で、電子写真感光体を作製し
た。電子写真感光体は、表４に示す成膜条件で６本のＡ
ｌ製の円筒状の被成膜基体上に、電荷注入阻止層、光導
電層及び表面保護層をこの順序で形成した。得られた試
料について、帯電能、画像濃度、画像欠陥について評価
した。その結果、いずれの電子写真感光体もこれらの評
価項目について電子写真感光体全面に亘って非常に優れ
た結果を示した。このことからいずれの電子写真感光体
も電子写真特性に優れたものであることが判った。

【００３０】

【表４】［実施例５］実施例５においては、図５に示した装置を
用い、縦５００ｍｍ、横５００ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラ
ス製の平板状の被成膜基体（５）を反応容器に配置して
成膜を行った。図５に示すように３枚の高周波電極
（３）を配置した。高周波電極の一端は補助整合回路
（２）を介してまとめられた後、整合回路（１０）を介
して２００ＭＨｚの発信周波数をもつ高周波電源（１
１）に繋げられている。

【００３１】高周波電力４ｋＷ、ＳｉＨ₄流量１０００
（ｓｃｃｍ）、成膜圧力１０（ｍＴｏｒｒ）、基体温度
２５０（℃）の成膜条件で平板状基体上にアモルファス
シリコン膜を形成し、以下の手順で堆積速度及び堆速度
分布を評価した。アモルファスシリコン膜を形成した平
板状基体縦方向に約３０ｍｍおきに線を引き、横方向に
も約３０ｍｍおきに線を引いた場合の交点２５６箇所に
ついて実施例１と同様に膜厚を測定し各測定箇所におけ
る堆積速度を算出し、得られた値の平均値を平均堆積速
度とした。得られた平均堆積速度は７．４ｎｍ／ｓであ
った。堆積速度分布は、測定点２５６箇所における堆積
速度の最大値と最小値との差を求め、該差を平均堆積速
度で割り堆積速度分布として１００分率で表した。得ら
れた堆積速度分布は７％であった。明／暗導電率比も同
様に評価して、全測定点において、１×１０⁵〜３×１
０⁵であり、均一で優れた特性のアモルファスシリコン
膜が得られた。

【００３２】［実施例６］実施例６においては、図６に
示した装置を用い、幅５００ｍｍ、厚さ０．１ｍｍのス
テンレス製のシート状の基体（５）を反応容器に配置し
て、保持ロール（１５）から送り出し、巻き取りロール
（１６）に巻き取りながら成膜を行った。高周波電極の
構成はＡｌ製の断面が４０ｍｍ×１０ｍｍ角で長さ６０
０ｍｍの長板状の高周波電極（３）に、厚み５ｍｍのア
ルミナセラミックス製の誘電体部材（４）を覆ったもの
を用い、２本の板状の高周波電極を反応容器に配置し
た。高周波電源の周波数は３００ＭＨｚのものを用い、
高周波電力２（ｋＷ）、ＳｉＨ₄流量７５０（ｃｃ）、
成膜圧力１０（ｍＴｏｒｒ）、基体温度２５０（℃）の
成膜条件でシート状基体上にアモルファスシリコン膜を
形成した。長さ５００ｍｍのシート状基体を切り出して
実施例１と同様の手順で明／暗導電率比、堆積速度及び
堆速度分布を評価した。明／暗導電率比は全測定点で１
×１０⁵〜３×１０⁵、平均堆積速度は４．５ｎｍ／ｓ、
堆積速度分布は５％であり、優れた特性のアモルファス
シリコン膜を均一に形成することができた。

【００３３】

【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によれ
ば、円筒状の被成膜基体、平板状基体、シート状基体等
の種々の形状の大面積基体に、膜厚が極めて均一で且つ
均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で形成できる。
従って、これにより大面積高品質の半導体デバイスを効
率的に作製することができ、特に、電子写真特性に優れ
た大面積堆積膜を安定して量産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態と、実施例１及び実施例２
におけるプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式図であ
る。

【図２】図１中のＸ−Ｘ’に沿った平面断面図である。

【図３】本発明のプラズマＣＶＤ装置に用いる高周波電
極の構成を説明するための模式構成図である。

【図４】本発明の実施例３及び実施例４におけるプラズ
マＣＶＤ装置の１例を示す模式図である。

【図５】本発明の実施例５におけるプラズマＣＶＤ装置
の１例を示す模式図である。

【図６】本発明の実施例６におけるプラズマＣＶＤ装置
の構成を示す模式図である。

【図７】従来のプラズマＣＶＤ装置の１例を示す模式図
である。

【図８】従来のプラズマＣＶＤ装置の１例を示す模式図
である。

【符号の説明】

１：プラズマ２：補助整合回路３：高周波電極４：誘電体部材５：被成膜基体６Ａ：基体ホルダー７：基体加熱ヒータ８：ガス供給手段９：真空排気手段１０：整合回路１１：高周波電源１２：反応容器１３：アースシールド１４：ガス放出パイプ７０１：反応容器７０２：高周波電極支持台７０３：高周波電極７０４：アースシールド７０５：対向電極７０６：被成膜基体７０７：真空排気手段７０８：ガス供給手段７０９：整合回路７１０：高周波ケーブル７１１：高周波電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H068 DA00 EA24 4K030 BA09 BA27 BA29 BA30 BB05 CA12 CA14 CA17 FA03 FA10 FA14 GA05 GA14 JA16 JA18 KA15 KA46 LA15 LA16 LA17 5F045 AA08 AB02 AB04 AB05 AB07 AC01 AC08 AC16 AC17 AC19 AD06 AE17 CA13 CA15 CA16 DP05 DP22 DP25 EH12 EH13 EK07 EM10 5F051 AA05 CA16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ発生用高周波電極に、高周波電力
を印加して、減圧可能な反応容器内に配された被成膜処
理基体との間でプラズマを生起させ、前記反応容器内に
導入された原料ガスを分解して、前記被成膜処理基体上
に堆積膜を形成する高周波プラズマＣＶＤ法であって、前記反応容器の一部を高周波電磁界を透過する誘電体部
材で形成する一方、前記高周波電極を複数の長板状の導
電性部材で形成して該誘電体部材を介して大気側に配
し、該高周波電極の配された近傍領域の前記誘電体部材
の誘電率を、他の領域よりも高くして堆積膜を形成する
ことを特徴とする高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項２】前記誘電体部材の誘電率を他の領域よりも
高くすることが、前記高周波電極が配された近傍領域の
誘電体部材の厚みを厚くすることによって行われること
を特徴とする請求項１に記載の高周波プラズマＣＶＤ
法。
【請求項３】前記高周波電極に印加する高周波電力は、
周波数が３０〜６００ＭＨｚの範囲にあることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の高周波ブラズマＣ
ＶＤ法。
【請求項４】前記複数の高周波電極の給電側には、補助
整合回路が各々設けられ、該補助整合回路によって前記
高周波電極の数よりも少ない数の高周波電源から分岐し
て、これらの高周波電極に供給される高周波電力を制御
することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記
載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項５】前記反応容器内に配された前記被成膜処理
基体を円筒状基体で形成する一方、前記複数の高周波電
極を前記反応容器の外側における同一円周上に配列する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の
高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項６】前記円筒状基体が、前記反応容器内におい
て同一円周上に複数配されていることを特徴とする請求
項５に記載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項７】前記円筒状基体を回転させながら円筒状基
体の表面上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項
５または請求項６に記載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項８】前記被成膜処理基体が平板状基体であり、
該平板状基体に対して平行に複数の高周波電極を配列
し、前記高周波電極と該平板状基体との間にプラズマを
発生させて、該平板状基体の表面上に堆積膜を形成する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の
高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項９】前記被成膜処理基体が成膜時に保持ロール
より送り出され、巻き取りロールにより巻き取られるシ
ート状基体であり、該シート状基体に対して平行に複数
の高周波電極を配列し、前記高周波電極と該シート状基
体との間にプラズマを発生させて、該シート状基体の表
面上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項１〜４
のいずれか１項に記載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項１０】前記堆積膜が、シリコン、ゲルマニウ
ム、カーボン、またはそのいずれかの合金であることを
特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の高周波
プラズマＣＶＤ法。
【請求項１１】前記堆積膜は、電子写真感光体用のもの
であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項
に記載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項１２】前記堆積膜は、太陽電池用のものである
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載
の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項１３】前記堆積膜は、薄膜トランジスタ用のも
のであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１
項に記載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項１４】減圧可能な反応容器、該反応容器内にプ
ラズマＣＶＤの原料ガスを供給する原料ガス供給手段、
該反応容器内に高周波電力を供給する高周波電極及び高
周波電源、前記反応容器内に配された基体保持手段、該
反応容器内の反応後のガスを排気する排気手段とを有
し、前記高周波電源で発生させた高周波電力を前記高周
波電極に供給し、前記基体保持手段により保持される基
体と前記高周波電極との間にプラズマを発生させて基体
に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極が前記反応容器外に配された複数の長板
状の導電体部材からなる構成を備えるとともに、前記反
応容器の一部が高周波電磁界を透過する誘電体部材から
なる構成を備え、前記高周波電極の配された近傍領域に
おける前記誘電体部材が他の領域よりも高い誘電率を有
する構成を備えていることを特徴とする高周波プラズマ
ＣＶＤ装置。
【請求項１５】前記高い誘電率を有する構成が、前記複
数の高周波電極が配された近傍領域の誘電体部材に段差
形状を設け、誘電体部材の厚みを厚くすることによって
構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の高
周波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項１６】前記高周波電源による前記高周波電力
は、周波数が３０ＭＨｚ〜６００ＭＨｚであることを特
徴とする請求項１４または請求項１５に記載の高周波プ
ラズマＣＶＤ装置。
【請求項１７】前記複数の高周波電極の給電側には、補
助整合回路が各々設けられ、該補助整合回路によって前
記高周波電極の数よりも少ない数の高周波電源から分岐
して、これらの高周波電極に供給される高周波電力を制
御する構成を有することを特徴とする請求項１４〜１６
のいずれか１項に記載の高周波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項１８】前記反応容器内に配された前記被成膜処
理基体が円筒状基体で構成されるとともに、前記複数の
高周波電極が前記反応容器の外側における実質的に同一
円周上に立設するように配列して構成されていることを
特徴とする請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の高
周波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項１９】前記円筒状基体が、前記反応容器内にお
いて同一円周上に複数配されていることを特徴とする請
求項１８に記載の高周波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２０】前記円筒状基体を回転可能とする回転機
構を有することを特徴とする請求項１８または請求項１
９に記載の高周波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２１】前記被成膜処理基体が平板状基体であ
り、該平板状基体に対して平行に複数の高周波電極を配
列し、前記高周波電極と該平板状基体との間にプラズマ
を発生させて、該平板状基体の表面上に堆積膜を形成す
ることを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか１項に
記載の高周波プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２２】前記被成膜処理基体が成膜時に保持ロー
ルより送り出され、巻き取りロールにより巻き取られる
シート状基体であり、該シート状基体に対して平行に複
数の高周波電極を配列し、前記高周波電極と該シート状
基体との間にプラズマを発生させて、該シート状基体の
表面上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項１４
〜１７のいずれか１項に記載の高周波プラズマＣＶＤ装
置。