JP2000232070A

JP2000232070A - 高周波プラズマｃｖｄ法

Info

Publication number: JP2000232070A
Application number: JP11031214A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Takagi; 智高木; Koji Teranishi; 康治寺西
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-02-09
Filing date: 1999-02-09
Publication date: 2000-08-22

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、任意形状の大面積の基体上に、膜厚
が極めて均一で旦つ均質膜質である高品質な堆積膜を高
速度で安定に形成し、効率よく半導体デバイスを形成し
得る高周波プラズマＣＶＤ法を提供することを目的とし
ている。【解決手段】本発明は、減圧下の反応容器内に成膜用の
原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波電力によりプ
ラズマ化して分解し、前記反応容器内に配される基体上
に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法において、前記高
周波電力の周波数が３０ＭＨｚ乃至６００ＭＨｚの範囲
にあり、該高周波電力によりプラズマを生成するため
に、２つ以上の棒状若しくは板状の導電性のプラズマ発
生用高周波電極をほぼ平行に配置し、該平行に配置され
た隣り合う高周波電極の給電点の反対側の先端部分にお
ける反射電力の位相を調整して、該一方のプラズマ発生
用高周波電極の定在波の腹の位置と該他方のプラズマ発
生用高周波電極の定在波の節の位置を、前記高周波電力
の波長の２４分の１以内の誤差で一致させ、堆積膜を形
成することを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス、
電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサ
ー、フラットパネルディスプレイ、撮像デバイス、光起
電力デバイス等の製造を行う高周波プラズマＣＶＤ法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイス等の製造プロセス
においては、プラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ法
が工業的に実用化されている。特に１３．５６ＭＨｚの
高周波を用いたプラズマＣＶＤ装置は基板材料、堆積膜
材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理できるので広く
用いられている。従来のプラズマ発生用高周波電極及び
該高周波電極を用いたプラズマＣＶＤ装置及びプラズマ
ＣＶＤ法の一例として、平行平板型の装置について図９
を参照しながら説明する。反応容器（７０１）に絶縁性
の高周波電極支持台（７０２）を介して高周波電極（７
０３）が配置されている。高周波電極（７０３）は、対
向電極（７０５）と平行に配された平板であり、この電
極間の静電容量で決まる電界によりプラズマを発生させ
る。プラズマが発生すると、実質的に導電体であるプラ
ズマと、プラズマと両電極や反応容器壁との間の等価的
に主にコンデンサとして働くシースが電極間に発生して
プラズマ発生前とは大きくインピーダンスが異なる場合
が多い。高周波電極（７０３）の回りには、高周波電極
（７０３）の側部と反応容器（７０１）との間で放電が
発生しないようにアースシールド（７０４）が配置され
ている。高周波電極（７０３）には整合回路（７０９）
と高周波電力供給線（７１０）を介して高周波電源（７
１１）が接続されている。高周波電極と平行に配された
対向電極（７０５）にはプラズマＣＶＤを行うための平
板状の被成膜基体（７０６）が配置され、被処理基体
（７０６）は、基体温度制御手段（図示せず）により所
望する温度に保たれる。

【０００３】この装置を使用した場合のプラズマＣＶＤ
は以下のように行われる。反応容器（７０１）を真空排
気手段（７０７）によって高真空まで排気した後、ガス
供給手段（７０８）によって反応ガスを反応容器（７０
１）内に導入し、所定の圧力に維持する。高周波電源
（７１１）より高周波電力を高周波電極（７０３）に供
給して高周波電極と対向電極との間にプラズマを発生さ
せる。こうすることにより、反応ガスがプラズマにより
分解、励起され被成膜基体（７０６）上に堆積膜を形成
する。高周波電力としては、１３．５６ＭＨｚの高周波
電力を用いるのが一般的であるが、放電周波数が１３．
５６ＭＨｚの場合、放電条件の制御が比較的容易であ
り、得られる膜の膜質が優れているといった利点を有す
るが、ガスの利用効率が低く、堆積膜の形成速度が比較
的小さいといった問題がある。こうした問題に鑑みて、
周波数が２５〜１５０ＭＨｚ程度の高周波を用いたプラ
ズマＣＶＤ法についての検討がなされている。例えばＰ
ｌａｓｍａＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＰｌａｓｍ
ａＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，Ｖｏ１７，Ｎｏ３，
（１９８７）ｐ２６７−２７３（以下、「文献１」とい
う。）には、平行平板型のグロー放電分解装置を使用し
て原料ガス（シランガス）を周波数２５〜１５０ＭＨｚ
の高周波電力で分解してアモルファスシリコン（ａ−Ｓ
ｉ）膜を形成することが記載されている。具体的には、
文献１には、周波数を２５ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚの範囲
で変化させてａ−Ｓｉ膜の形成を行い、７０ＭＨｚを使
用した場合、膜堆積速度が、２．１ｎｍ／ｓｅｃと最も
大きくなり、これは上述の１３．５６ＭＨｚを用いたプ
ラズマＣＶＤ法の場合の５〜８倍程度の形成速度である
こと、及び得られるａ−Ｓｉ膜の欠陥密度、光バンドギ
ャップ及び導電率は、励起周波数によってはあまり影響
を受けないことが記載されている。

【０００４】上記従来例は実験室規模の平板状の基体を
処理するのに適したプラズマＣＶＤ装置の例であるが、
大型の生産規模の円筒状基体の表面上に堆積膜を形成す
るのに適したプラズマＣＶＤ装置の一例が、特開平６−
３４２７６４号公報（以下、「文献２」という。）に記
載されている。文献２には、周波数６０ＭＨｚ〜３００
ＭＨｚの所謂ＶＨＦ帯の高周波を用いたプラズマＣＶＤ
法及びプラズマＣＶＤ装置が開示されている。文献２の
ＶＨＦプラズマＣＶＤ装置を図面を参照しながら説明す
る。図１０に示すプラズマＣＶＤ装置は、文献２に記載
されているＶＨＦプラズマＣＶＤ装置である。図１０に
おいて、１００は反応容器を示す。反応容器（１００）
は、ベースプレート（１０１）と、絶縁部材（１０２
Ａ）、カソード電極（１０３Ｃ）、絶縁部材（１２１
Ｂ）、カソード電極（１０３Ｂ）、絶縁部材（１２１
Ａ）、カソード電極（１０３Ａ）、絶縁部材（１０２
Ｂ）、及び上蓋（１１５）から構成されている。１０５
Ａは基体ホルダーであり、該基体ホルダーは内部にヒー
ター支柱（１０５Ａ’）を有している。１０５Ａ”は、
ヒーター支柱（１０５Ａ’）に取り付けられた基体加熱
用ヒーターである。１０６は基体ホルダー（１０５Ａ）
上に配設された円筒状基体である。１０５Ｂは円筒状基
体（１０６）の補助保持部材である。基体ホルダー（１
０５Ａ）は、その底部にモーターに連結した回転機構
（図示せず）を備えていて、必要により回転できるよう
にされている。１０７は、排気バルブを備えた排気パイ
プであり、該排気パイプは、真空ポンプを備えた排気機
構（１０７’）に連通している。１０８は、ガスボン
ベ、マスフローコントローラー、バルブ等で構成された
原料ガス供給系である。原料ガス供給系（１０８）は、
ガス供給パイプ（１１７）を介して複数のガス放出孔を
備えたガス放出パイプ（１１６）と接続している。原料
ガスはガス放出パイプ（１１６）の複数のガス放出孔を
介して反応容器内に供給される。１１１は高周波電源で
あり、ここで発生した高周波電力は高周波電力供給線
（１１８）及び整合回路（１０９）を介してカソード電
極（１０３）に供給される。図１０に示したプラズマＣ
ＶＤ装置においては、カソード電極が円筒状基体の軸方
向に１０３Ａ、１０３Ｂ、１０３Ｃの３つに電気的に分
割されて構成されている。高周波電源（１１１）で発生
した高周波電力は、高周波電力分割手段（１２０）によ
り３分割され、整合回路１０９Ａ、１０９Ｂ、１０９Ｃ
を介して、カソード電極１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃ
に供給される。

【０００５】文献２には、図１０のプラズマＣＶＤ装置
を用いたプラズマＣＶＤ法についても記述されている。
即ち、図９において、円筒状基体（１０６）を基体ホル
ダー（１０５Ａ）にセットした後、反応容器（１００）
内を排気機構（１０７’）を作動させて排気し、反応容
器内を所定の圧力に減圧する。ついで、ヒーター（１０
５Ａ”）に通電して基体（１０６）を所望の温度に加熱
保持する。次に、原料ガス供給系（１０８）からガス供
給パイプ（１１７）及びガス放出パイプ（１１６）を介
して、原料ガスを反応容器（１００）内に導入し、該反
応容器内を所望の圧力に調整する。

【０００６】こうしたところで、高周波電源（１１１）
により周波数６０ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚの高周波を発
生させ、高周波電力を高周波電力分配器（１２０）で分
割し、整合回路１０９Ａ、１０９Ｂ、１０９Ｃを介し
て、それぞれカソード電極１０３Ａ、１０３Ｂ、１０３
Ｃに供給する。かくして円筒状基体（１０６）とカソー
ド電極に囲まれた空間において、原料ガスは高周波エネ
ルギーにより分解され活性種を生起し、円筒状基体（１
０６）上に堆積膜の形成をもたらす。文献２において
は、上述のような６０ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚの高周波
電力を用いたプラズマＣＶＤ装置において、円筒状カソ
ード電極を分割することにより、ＶＨＦ領域の高周波プ
ラズマＣＶＤでの利点である高い膜堆積速度で、問題点
であった大面積円筒状基体での均一性の高い膜堆積を達
成できるとされている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の文献１に記載の平行平板型装置での周波数２５〜１５
０ＭＨｚの高周波電力による成膜は実験室規模のもので
あり、大面積の膜の形成においてこうした効果が期待で
きるか否かについて全く触れるところはない。一般に、
励起周波数が高くなるにしたがって、高周波電極上の定
在波の影響が顕著になり、特に平板電極では２次元の複
雑な定在波が生じてくる。この為、大面積の膜を均一に
形成することが困難になることが予想される。従来例の
文献２に記載のプラズマＣＶＤ法及びプラズマＣＶＤ装
置においては、円筒状の大面積の堆積膜の形成におい
て、高堆積速度且つ高均一性での堆積膜の形成が期待で
きるが、円筒状基体の径が大きくなると、ひとつのカソ
ード電極に複数の給電点が必要になり煩雑になってくる
こと、及び平板状基体への対応が困難であるといったこ
とが予想される。

【０００８】そこで、本発明は、上記した従来技術にお
ける課題を解決し、任意形状の大面積の基体上に、膜厚
が極めて均一で旦つ均質膜質である高品質な堆積膜を高
速度で安定に形成し、効率よく半導体デバイスを形成し
得る高周波プラズマＣＶＤ法を提供することを目的とす
るものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、高周波プラズマＣＶＤ法をつぎのように
構成したことを特徴とするものである。すなわち、本発
明の高周波プラズマＣＶＤ法は、減圧下の反応容器内に
成膜用の原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波電力
によりプラズマ化して分解し、前記反応容器内に配され
る基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法におい
て、前記高周波電力の周波数が３０ＭＨｚ乃至６００Ｍ
Ｈｚの範囲にあり、該高周波電力によりプラズマを生成
するために、２つ以上の棒状若しくは板状の導電性のプ
ラズマ発生用高周波電極をほぼ平行に配置し、該平行に
配置された隣り合う高周波電極の給電点の反対側の先端
部分における反射電力の位相を調整して、該一方のプラ
ズマ発生用高周波電極の定在波の腹の位置と該他方のプ
ラズマ発生用高周波電極の定在波の節の位置を、前記高
周波電力の波長の２４分の１以内の誤差で一致させ、堆
積膜を形成することを特徴としている。また、本発明の
高周波プラズマＣＶＤ法は、前記高周波電力の周波数
が、６０〜３００ＭＨｚの範囲にあることを特徴として
いる。また、本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記
反応容器の一部が誘電体部材からなり、該反応容器内に
配される前記基体が円筒状基体であり、該円筒状基体の
周囲に複数の前記プラズマ発生用高周波電極をその中心
軸が実質的に同一円周上に立設するように該反応容器外
に配列し、該複数のプラズマ発生用高周波電極上の高周
波電力を前記誘電体部材を通して該反応容器内に放射
し、該円筒状基体との間にプラズマを発生させて、該円
筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴としている。
また、本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記反応容
器内の基体が円筒状基体であり、該円筒状基体の周囲に
複数の前記プラズマ発生用高周波電極をその中心軸が実
質的に同一円周上に立設するように該反応容器外に配列
し、該複数の前記プラズマ発生用高周波電極と該円筒状
基体との間にプラズマを発生させて、該円筒状基体上に
堆積膜を形成することを特徴としている。また、本発明
の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記反応容器内の基体
が、該反応容器内において同一円周上に配された複数の
円筒状基体からなり、該複数の円筒状基体の周囲に複数
の前記プラズマ発生用高周波電極をその中心軸が実質的
に同一円周上に立設するように配列し、該複数の前記プ
ラズマ発生用高周波電極と該円筒状基体との間にプラズ
マを発生させて、該円筒状基体上に堆積膜を形成するこ
とを特徴としている。また、本発明の高周波プラズマＣ
ＶＤ法は、前記円筒状基体を回転させながら該円筒状基
体上に堆積膜を形成することを特徴としている。また、
本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記基体が平板状
基体であり、該平板状基体に対して平行に複数の前記プ
ラズマ発生用高周波電極を配列し、該複数のプラズマ発
生用高周波電極と該平板状基体との間にプラズマを発生
させて、該平板状基体上に堆積膜を形成することを特徴
としている。また、本発明の高周波プラズマＣＶＤ法
は、前記基体が成膜時に保持ロールより送り出され、巻
き取りロールにより巻き取られるシート状基体であり、
該シート状基体に対して平行に複数の前記プラズマ発生
用高周波電極を配列し、該複数のプラズマ発生用高周波
電極と該シート状基体との間にプラズマを発生させて、
該シート状基体上に堆積膜を形成することを特徴として
いる。また、本発明の高周波プラズマＣＶＤ法は、前記
堆積膜は、シリコン、ゲルマニウム、カーボン又はその
いずれかの合金であることを特徴としている。その際、
本発明においては、前記堆積膜が、電子写真感光体用の
ものであること、または、太陽電池用のものであるこ
と、薄膜トランジスタ用のものであること、を特徴とし
ている。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、本発明を完成するに至った経緯から説明する。本
発明者らは鋭意検討を行った結果、高周波電力の周波数
を３０ＭＨｚ以上にすると、気相での重合反応が起こり
にくい高真空領域での放電が可能となり、非常に優れた
膜特性を得ることができ、堆積速度も１３．５６ＭＨｚ
の場合に比べて向上するが、まだ高真空領域での放電の
安定性に問題があったり膜質と堆積速度の分布は悪化す
るという知見を得た。そこで、本発明者らは、高周波電
力の周波数を３０ＭＨｚ以上にすると偏在的に膜質の悪
化や堆積速度の低下が発生する原因を解明すべく鋭意検
討を行った。その結果、プラズマ電位と偏在的な膜質悪
化に強い相関があり、プラズマ中の電子密度と堆積速度
にも強い相関があることが判明した。即ち、円筒状基体
の軸方向に亘ってラングミュアプローブ法によりプラズ
マ電位を測定したところ、偏在的に膜質が悪化する位置
に対応する箇所においてプラズマ電位の低下が見られ
た。

【００１１】これらの検討結果から、膜質分布及び堆積
速度分布の悪化は、高周波電極上に発生する定在波およ
び高周波電極上での高周波電力の減衰に起因するものと
推察された。一般に高周波電極と対向電極間に高周波電
力を印加することによってプラズマを生成する場合、電
極に印加した高周波電力の周波数と電極の大きさとの関
係から電極上に無視できない定在波が発生する場合があ
る。即ち、高周波電力の周波数が高くなる場合や高周波
電極の面積が大きくなる場合に定在波が発生し易くな
り、この定在波が大きいと、高周波電極内での電界分布
が悪くなり、電極間のプラズマ密度、プラズマ電位、電
子温度などのプラズマ分布が乱れ、プラズマＣＶＤの成
膜品質に悪影響を及ぼす。上述した実験においては、高
周波電極の先端で高周波電極上に反射波が発生し、入射
波との干渉により３０ＭＨｚ以上の周波数において膜
質、堆積速度に影響を与える定在波が発生したものと考
えられる。特に、定在波の節の位置では電界が弱くな
り、偏在的なプラズマ電位の低下を引き起こして偏在的
に膜質が悪化したものと考えられる。

【００１２】本発明は以上の検討結果を踏まえて完成す
るに至ったものである。以下、図面を参照しながら本発
明を説明する。まず、本発明の高周波プラズマＣＶＤ法
に用いるプラズマ発生用高周波電極について図２を用い
て説明する。ここでは、説明を単純化する為に、プラズ
マ発生用高周波電極（３）は、円柱形の棒状のものを用
いて、その周りに円柱状の誘電体部材（４）を設置し
た。誘電体の周囲にプラズマ（図示せず）が発生する
と、内部導体がプラズマ発生用高周波電極（３）、外部
導体がプラズマ、誘電体部材（４）が伝送媒体となる同
軸導波管となる。例えば、プラズマ発生用高周波電極の
長さは、同軸導波管内での使用する高周波の周波数での
同軸導波管内の波長λの１／２とする。高周波電源（１
１）で発生した高周波電力は、負荷に効率よく高周波電
力を供給するように整合回路（１０）を介して２分割し
て、それぞれさらに補助整合回路（２）を介して各々の
高周波電極（３）の個体差による整合条件の違いに対応
して、各々の高周波電極（３）に供給される。高周波電
極の長手方向をＺ軸として、左側の高周波電極（以下、
電極１と略す）の先端の位相調整回路を開放端にして、
右側の高周波電極（以下、電極２と略す）の先端の位相
調整回路の先端を閉端にした場合に発生する電圧定在波
の電界エネルギー分布も図２に示している。プラズマ発
生用高周波電極からプラズマに供給するエネルギーが、
高周波の電界エネルギーに比例するとすれば、プラズマ
の均一性は１つの高周波電極を用いるよりも、図２に示
した２つの高周波電極を用いた方が、Ｚ方向のプラズマ
の均一性は飛躍的に良くなる。

【００１３】このことをさらに詳しく説明する。図２に
おいて、電極１の先端の位相調整回路を開放端にして、
電極２の先端の位相調整回路の先端を閉端にした場合に
は、入射電力の位相が同じ場合、反射電力の位相は電極
１と電極２とで１８０°異なってくる。この場合、左電
極１の先端では電圧定在波の腹となり、電極２の先端で
は電圧定在波の節となる。すなわち、電極１の電圧定在
波の腹と電極２の電圧定在波の節の位置を同じＺ軸座標
に一致させる。プラズマを完全導体で電力吸収が無いと
仮定した場合、カソード電極上の各位置での電圧定在波
の振幅は図３（ａ）に示される。ここで、グラフの横軸
は、カソード電極上の各位置Ｚを高周波の波長λで割っ
た値（Ｚ／λ）で表している。Ｖ１、Ｖ２はそれぞれ電
極１、電極２上の電圧定在波の振幅の相対値を示してい
る。電界エネルギーは電圧若しくは電界の２乗に比例す
る為、電極１と電極２の電界エネルギー、Ｕ_E1、Ｕ_E2は
図３（ｂ）に示すようになり、その和（Ｕ_E1＋Ｕ_E2）は
図３（ｂ）に示すように各地点で全く同じになる。この
為、電極１と電極２を並べれば、Ｚ方向に均一なプラズ
マを得ることが可能であることが分かる。

【００１４】次に、電極１の電圧定在波の腹の位置と電
極２の電圧定在波の節とのＺ方向の位置ずれをΔＺとす
ると、ΔＺはどの程度許容されるかを説明する。図４
（ａ）にはΔＺを高周波の波長λで割った値（ΔＺ／
λ）と、電極１と電極２の電界エネルギーの和（Ｕ_E1＋
Ｕ_E2）のむらとの関係を示している。位置ずれΔＺが大
きくなると（Ｕ_E1＋Ｕ_E2）のむらのＺ軸方向のむらは大
きくなり、λ／２４では±２５％程度でありかなりむら
は大きくなる。

【００１５】実際には、プラズマは理想的な導体ではな
くかなりの高周波電力の吸収体であり、電界分布は上述
のものと多少のずれがある。またプラズマの拡散によ
り、電極の電界分布よりもプラズマの分布は一般に緩和
される。実際にプラズマを生成した場合の電極１の電圧
定在波の腹の位置と電極２の電圧定在波の節の位置のず
れと、プラズマ中の電子密度分布の測定結果を図４
（ｂ）に示す。このときの放電条件は後述する実施例１
と同様である。電子密度分布はプラズマ条件によっても
依存するが同様の傾向を示す。電極１の電圧定在波の腹
の位置と電極２の電圧定在波の節の位置のずれとが、λ
／２４では前述のように電界エネルギーの和の分布が±
２５％程度でありかなりむらは大きいが、プラズマ中の
電子密度の分布は±１０％以内になっており、実用上問
題ないことが分かった。このことからプラズマの拡散を
考慮すると、かなり許容値が大きくなることが分かる。
本発明のプラズマ発生用高周波電極は、使用する高周波
電力の周波数が３０〜６００ＭＨｚの範囲にあることが
好ましい。

【００１６】本発明の上記構成のプラズマ発生用高周波
電極を用いたプラズマＣＶＤ法においては、以上に述べ
たように均一なプラズマを形成できるプラズマ発生用高
周波電極を用いている為、極めて均一性の良い膜質及び
膜厚の堆積膜を形成できるが、以下に詳しく説明する。
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示したプラズマＣＶＤ装置
は本発明のプラズマＣＶＤ法を実施できる装置の一例を
示すものである。尚、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−
Ｘ’断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）におい
て、１２は反応容器を示す。反応容器（１２）内には、
１個の基体ホルダー（６Ａ）が反応容器中心に置かれて
いる。５は基体ホルダー（６Ａ）上に配された成膜用の
円筒状基体である。それぞれの基体ホルダー（６Ａ）の
内部にはヒーター（７）が設けられていて円筒状の被成
膜基体（５）を内側より加熱できるようにされている。
また、それぞれの基体ホルダー（６Ａ）は、モーター
（図示せず）に連結したシャフト（図示せず）に接続し
ており、回転できるようにされている。６Ｂは円筒状基
体（１０６）の補助基体ホルダーである。３はプラズマ
生起領域の中心に位置した高周波電力投入用の高周波電
極である。

【００１７】高周波電力は、高周波電源（１１）で発生
し、整合回路（１０）を介して分割され、補助整合回路
（２）を介して高周波電極（３）の一端に供給される。
高周波電極（３）は、反応容器（１２）の一部を構成し
ている誘電体部材（４）を介して放電空間と隔離されて
おり、給電点と反対側の先端に位相調整回路（１）を介
して接地されている。ガスの排気は、排気バルブを備え
た排気パイプを介して、真空ポンプを備えた真空排気手
段（９）によって行われる。８は、ガスボンベ、マスフ
ローコントローラ、バルブ等で構成された原料ガス供給
系であり、ガス供給パイプを介して複数のガス放出孔を
備えたガス放出パイプに接続される。この装置を使用し
た場合のプラズマＣＶＤは以下のように行われる。反応
容器（１２）を排気機構（９）によって高真空まで排気
した後、ガス供給手段（８）からガス供給パイプ及びガ
ス放出パイプを介して原料ガスを反応容器（１２）内に
導入し、所定の圧力に維持する。こうしたところで、高
周波電源（１１）より高周波電力を整合回路（１０）を
介して分割した後補助整合回路（２）を介して、高周波
電極（３）に供給して高周波電極と円筒状基体（５）と
の間にプラズマを発生させる。こうすることにより、原
料ガスがプラズマにより分解、励起され円筒状の被成膜
基体（５）上に堆積膜が形成される。

【００１８】本発明において、誘電体部材（４）に使用
する誘電体材料は任意の公知のものを選択できるが、誘
電損の小さい材料が好ましく、誘電正接が０．０１以下
であるものが好ましく、より好ましくは０．００１以下
がよい。高分子誘電体材料ではポリ四フッ化エチレン、
ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピ
レン、ポリイミドなどが好ましく、ガラス材料では、石
英ガラス、ホウケイ酸ガラスなどが好ましく、磁器材料
では窒化ホウ素、窒化シリコン、窒化アルミニウム、な
どや酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素
などの元素酸化物の中の単数または複数の元素酸化物を
主成分とする磁器が好ましい。

【００１９】本発明において、高周波電極（３）の形状
は円柱状、円筒状、多角柱状などの棒状のもの、長板状
のものが好ましい。また、本発明において、高周波電源
（１１）の周波数は好ましくは３０〜６００ＭＨｚ、更
に好適には６０〜３００ＭＨｚの範囲とするのが望まし
い。また、本発明において、装置構成は図５（Ａ）及び
図５（Ｂ）に示すように、円筒状基体（５）の周囲の反
応容器（１２）内に貫通した複数の高周波電極（３）を
配置したものでもよい。また、本発明において、装置構
成は図７に示すように平板状の被成膜基体（５）に対し
て平行に複数の高周波電極（３）を配置したものでもよ
い。こうすることにより、大面積平板状の被成膜基体上
に膜厚が極めて均一で且つ均質膜質である高品質な堆積
膜を高速度で形成することができる。また、本発明にお
いて、装置構成は図８に示すように成膜時に保持ロール
（１５）より送り出され、巻き取りロール（１６）に巻
き取られるシート状の被成膜基体（５）に対して平行に
複数の高周波電極（３）を配置したものでもよい。こう
することにより、大面積のシート状基体上に膜厚が極め
て均一で且つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で
形成することができる。

【００２０】本発明のプラズマＣＶＤ法を行うに際し
て、使用するガスについては、形成する堆積膜の種類に
応じて公知の成膜に寄与する原料ガスを適宜選択使用さ
れる。例えば、ａ−Ｓｉ系の堆積膜を形成する場合であ
れば、シラン、ジシラン、高次シラン等あるいはそれら
の混合ガスが好ましい原料ガスとして挙げらる。他の堆
積膜を形成する場合であれば、例えば、ゲルマン、メタ
ン、エチレン等の原料ガスまたはそれらの混合ガスが挙
げられる。いずれの場合にあっても、成膜用の原料ガス
はキャリアーガスと共に反応容器内に導入することがで
きる。キャリアーガスとしては、水素ガス、及びアルゴ
ンガス、ヘリウムガス等の不活性ガスを挙げることがで
きる。

【００２１】堆積膜のバンドギャップを調整する等の特
性改善用ガスを使用することもできる。そうしたガスと
しては、例えば、窒素、アンモニア等の窒素原子を含む
ガス、酸素、酸化窒素、酸化二窒素等の酸素原子を含む
ガス、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパ
ン等の炭化水素ガス、四フッ化珪素、六フッ化二珪素、
四フッ化ゲルマニウム等のガス状フッ素化合物またはこ
れらの混合ガス等が挙げられる。

【００２２】形成される堆積膜をドーピングするについ
てドーパントガスを使用することもできる。そうしたド
ーピングガスとしては、例えば、ガス状のジボラン、フ
ッ化ホウ素、ホスフィン、フッ化リン等が挙げられる。
堆積膜形成時の基体温度は、適宜設定できるが、アモル
ファスシリコン系の堆積膜を形成する場合には、好まし
くは６０℃〜４００℃、より好ましくは１００℃〜３５
０℃とするのが望ましい。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもので
はない。［実施例１］実施例１に使用したプラズマＣＶＤ装置の
模式図を図１（Ａ）に示す。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）
のＸ−Ｘ’で示した位置での断面図である。高周波電源
（１１）として周波数１３．５６ＭＨｚ〜６５０ＭＨｚ
の電源を使用した。高周波電極（３）は、円柱状のもの
を用い、反応容器（１２）外に配置しており、アルミナ
セラミックス製の誘電体部材（４）を介して放電空間と
隔離されている。高周波電極は、その一端を高周波電力
の給電点とし反対側の一端に位相調整回路（１）を介し
て接地した構成のものである。位相調整回路（１）はア
ースとのリアクタンスを調整可能なものを用いた。本実
施例では、４つの位相調整回路（１）のうち対向する１
組を内部で高周波電極（３）を直接アースに短絡し、残
りの対向する１組を接続せずに位相調整回路（１）内の
浮遊容量のみのほぼ開放端として、隣り合う高周波電極
反射電力の位相差をほぼ１８０°とした。。

【００２４】本実験では、直径１０８ｍｍ、長さ３５８
ｍｍ、厚さ５ｍｍのＡｌ製円筒状の被成膜基体を反応容
器（１２）内に設置して基体は回転させながら成膜実験
を行った。高周波電極（３）には、Ａｌ製の直径２０ｍ
ｍ、長さ４５０ｍｍ、の円柱状のものを用いた。膜質の
評価用として、電気特性評を価用するためのＣｒ製の２
５０μｍギャップの櫛形電極を蒸着したコーニング＃７
０５９ガラス基板を電気特性評価基板として円筒状被成
膜基体表面上の軸方向の長さ３５８ｍｍに亘って設置
し、以下の手順で実験を行った。

【００２５】まず反応容器（１２）内を排気機構（９）
を作動して排気し、反応容器（１２）内を１×１０^-6Ｔ
ｏｒｒの圧力に調整した。ついで、基板加熱ヒーター
（７）に通電して円筒状基体（１０６）を２５０℃の温
度に加熱保持した。ついで以下の手順で成膜を行った。
即ち、原料ガス供給手段（８）からガス放出パイプ（１
４）を介して、ＳｉＨ₄ガスを５００ｓｃｃｍの流量で
反応容器（１２）内に導入し、該反応容器内を１０ｍＴ
ｏｒｒの圧力に調整した。こうしたところで、高周波電
源（１１）により周波数１３．５６ＭＨｚ乃至６５０Ｍ
Ｈｚの高周波を１ＫＷ発生させ、該高周波を整合回路
（１０）を介して４つに分割し、補助整合回路（２）を
介して均等に高周波電極（３）に供給した。ここで高周
波電源（１１）としては上述した範囲の周波数が与えら
れるよう、所定の高周波電源を用いた。整合回路（１
０）は、当該高周波電源の周波数に応じて適宜調整し
た。かくして円筒状の被成膜基体（５）上及び前記の電
気特性評価基板上にアモルファスシリコン膜が形成され
た。以上のようにして形成したアモルファスシリコン膜
の膜質および膜質分布、並びに堆積速度分布および堆積
速度分布を以下の方法で評価した。

【００２６】膜質及び膜質分布は電気特性評価基板の上
端から下端までに亘って約２０ｍｍおきの１８箇所の位
置で明／暗導電率比（（光導電率σｐ）／（暗導電率σ
ｄ））を測定することにより評価した。ここでは、光導
電率σｐは、１ｍＷ／ｃｍ²の強度のＨｅ−Ｎｅレーザ
ー（波長６３２．８ｎｍ）の照射時の導電率により評価
している。本発明者らのこれまでの電子写真感光体作製
からの知見によると、上記の方法による明／暗導電率比
が１０³以上の品質の堆積膜を得られる条件を基に最適
化して作製した電子写真感光体において実用に値する画
像が得られる。しかし、近年の画像の高コントラスト化
により、上述の明／暗導電率比が１０⁴以上のものが必
須になってきており、更に近い将来１０⁵以上の明／暗
導電率比が求められることが予想される。

【００２７】このような観点から、今回の実験では明／
暗導電率比の値を下記の基準で評価した。 ◎：明／暗導電率比が１０⁵以上であり、非常に優れた
膜特性である。〇：明／暗導電率比が１０⁴以上であり、良好な膜特性
である。 △：明／暗導電率比が１０³以上であり、実用上問題な
し。 ×：明／暗導電率比が１０³未満であり、実用に適さな
い。堆積速度及び堆積速度分布の評価は、ａ−Ｓｉ膜を形成
した円筒状基体の軸方向に亘って上述した明／暗導電率
比の測定位置と同様に約２０ｍｍおきの１８箇所につい
て渦電流式膜厚計（Ｋｅｔｔ科学研究所製）を使用して
膜厚を測定することにより評価した。堆積速度は１８箇
所における膜厚に基づいて算出し、得られた値の平均値
を平均堆積速度とした。堆積速度分布の評価は次のよう
にして行った。即ち、軸方向の堆積速度分布について
は、軸方向１８箇所における堆積速度の最大値と最小値
との差を求め、該差を１８箇所の平均堆積速度で割り、
堆積速度分布｛（最大値−最小値）／平均値｝を求め、
これを軸方向の堆積速度分布として百分率で表した。成
膜した試料の明／暗導電率比、平均堆積速度及び堆積速
度分布の評価結果を表１に示す。

【００２８】

【表１】１３．５６ＭＨｚの場合、１０ｍＴｏｒｒで放電が生起
しなかった為評価できなかった。３０ＭＨｚの周波数を
持つ高周波電力により成膜したものは、全ての試料にお
いて明／暗導電率比が１×１０⁴〜３×１０⁴の範囲にあ
り良好な膜特性（〇）であった。平均堆積速度は２．０
ｎｍ／ｓであり堆積速度分布は３％であった。６０ＭＨ
ｚ〜３００ＭＨｚの周波数を持つ高周波電力により成膜
したものは全ての試料において明／暗導電率比が１×１
０⁵〜５×１０⁵ であり非常に優れた膜特性（◎）であっ
た（表１）。平均堆積速度は４．０〜７．１ｎｍ／ｓで
あり、堆積速度分布は４〜５％であった。

【００２９】４００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの周波数を持
つ高周波電力による試料においては、明／暗導電率比が
５×１０⁴〜８×１０⁴であり良好な膜特性（〇）であっ
た（表１）。平均堆積速度は２．０〜２．８ｎｍ／ｓで
あり、堆積速度分布は６〜７％であった。６５０ＭＨｚ
の場合は、放電が不安定になり堆積膜の形成はできなか
った。以上のように本実施例においては、３０ＭＨｚ乃
至６００ＭＨｚの放電周波数条件で、明／暗導電率比、
平均堆積速度分布共に良好なアモルファスシリコン膜が
得られており、６０ＭＨｚ乃至３００ＭＨｚにおいては
特に優れたアモルファスシリコン膜が得られた。

【００３０】（比較例１）比較例１においては、実施例
１と同様の条件で、すべての位相調整回路（１）をはず
して、全てのカソード電極（３）の先端を開放端にした
ものについても検討を行い、実施例１と同様の評価を行
った。評価結果を表２に示す。表１の実施例１の結果に
比べて、全ての放電周波数で、明／暗導電率比の落ち込
みや堆積速度分布の不均一性が大きい。

【００３１】

【表２】［実施例２］実施例２においては、図１（Ａ）及び
（Ｂ）に示す装置を用い、実施例１で明／暗導電率比１
０⁵以上の値が得られた条件、即ち、電源周波数６０Ｍ
Ｈｚ、１００ＭＨｚ、２００ＭＨｚ、３００ＭＨｚの各
々の条件で、電子写真感光体を作製した。尚、位相調整
回路（１）は実施例１で用いたものと同様のものを用い
た。電子写真感光体は、表３に示す成膜条件でＡｌ製の
円筒状基体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び表面保
護層をこの序で形成した。各々の電源周波数の条件で得
られた試料について、帯電能、画像濃度、画像欠陥につ
いて評価した。その結果、いずれの電子写真感光体もこ
れらの評価項目について電子写真感光体全面に亘って非
常に優れた結果を示した。このことからいずれの電子写
真感光体も電子写真特性に優れたものであることが判っ
た。

【００３２】

【表３】［実施例３］実施例３においては、図５（Ａ）及び図５
（Ｂ）に示した装置を用い、直径１０８ｍｍ、長さ３５
８ｍｍ、厚さ５ｍｍのＡｌ製円筒状基体（５）を反応容
器（１２）内に配置して成膜を行った。高周波電極
（３）は実施例１と同様のものを反応容器内に入れ、円
筒形の誘電体部材（４）によりカバーしたものを用い
た。図５（Ｂ）に示すように４本の高周波電極を反応容
器に配置した。高周波電源の周波数は１００ＭＨｚのも
のを用い、実施例１と同様の成膜条件で円筒状基体上に
アモルファスシリコン膜を形成し、実施例１と同様の手
順で明／暗導電率比、堆積速度及び堆積速度分布の評価
を行った。その結果、明／暗導電率は全ての位置で１×
１０⁵〜３×１０⁵であり、平均堆積速度は６．７ｎｍ／
ｓ、堆積速度分布は４％となり、均一で優れた特性のア
モルファスシリコン膜が得られた。

【００３３】［実施例４］実施例４においては、実施例
３で用いた同一の装置構成で、電子写真感光体を作製し
た。電子写真感光体は、実施例２と同様に表３示す成膜
条件でＡｌ製の円筒状基体上に、電荷注入阻止層、光導
電層及び表面保護層をこの順序で形成した。得られた試
料について、帯電能、画像濃度、画像欠陥について評価
した。その結果、いずれの電子写真感光体もこれらの評
価項目について電子写真感光体全面に亘って非常に優れ
た結果を示した。このことからいずれの電子写真感光体
も電子写真特性に優れたものであることが判った。

【００３４】［実施例５］実施例５においては、図６に
示した装置を用い、直径１０８ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、
厚さ５ｍｍの６本のＡｌ製円筒状基体（５）を反応容器
（１２）内に配置して成膜を行った。高周波電極（３）
の構成は実施例１と同様のものを、図６に示すように７
本の高周波電極（３）のうち６本を反応容器（１２）外
に配置し、１本を反応容器内の中央に配置した。反応容
器（１２）の一部は誘電体部材（４）により構成されて
おり、反応容器外の高周波電極からの高周波電力を反応
容器内に供給できるようになっている。反応容器中央に
挿入した高周波電極（３）は誘電体部材（４）により被
覆されている。中央の高周波電極に接続している位相調
整回路（図示せず）はアースに短絡して、周囲の６本の
高周波電極（３）に接続した位相調整回路（図示せず）
は、内部で２０ｐＦの静電容量を持つコンデンサを介し
てアースに接続されている。コンデンサはセラミックコ
ンデンサ、真空コンデンサ等の任意のものが使用でき
る。高周波電源の周波数は１００ＭＨｚのものを用い
た。成膜条件は、高周波電力４（ｋＷ）、ＳｉＨ₄流量
１５００（ｃｃ）、成膜圧力１０（ｍＴｏｒｒ）、基体
温度２５０（℃）として、６本の円筒状基体上にアモル
ファスシリコン膜を形成し、実施例１と同様の手順で明
／暗導電率比、堆積速度及び堆積速度分布の評価を行っ
た。その結果、明／暗導電率は全ての位置で１×１０⁵
〜３×１０⁵であり、平均堆積速度は６．２ｎｍ／ｓ、
堆積速度分布は５％となり、均一で優れた特性のアモル
ファスシリコン膜が得られた。

【００３５】［実施例６］実施例６においては、実施例
５で用いた同一の装置構成で、電子写真感光体を作製し
た。電子写真感光体は、表４に示す成膜条件で６本のＡ
ｌ製の円筒状基体上に、電荷注入阻止層、光導電層及び
表面保護層をこの順序で形成した。得られた試料につい
て、帯電能、画像濃度、画像欠陥について評価した。そ
の結果、いずれの電子写真感光体もこれらの評価項目に
ついて電子写真感光体全面に亘って非常に優れた結果を
示した。このことからいずれの電子写真感光体も電子写
真特性に優れたものであることが判った。

【００３６】

【表４】［実施例７］実施例７においては、図７に示した装置を
用い、縦５００ｍｍ、横５００ｍｍ、厚さ１ｍｍのガラ
ス製の平板状の被成膜基体（５）を反応容器に配置して
成膜を行った。図７に示すように４本の高周波電極
（３）を配置した。高周波電極の一端は補助整合回路
（２）を介してまとめられた後、整合回路（１０）を介
して２００ＭＨｚの発信周波数をもつ高周波電源（１
１）に繋げられている。高周波電極の他端は、位相調整
回路（１）により反射電力の位相を調整するが、今回は
４つの位相調整回路を開放端、短絡端、開放端、短絡端
の順に設定した。高周波電力４ｋＷ、ＳｉＨ₄流量１０
００（ｓｃｃｍ）、成膜圧力１０（ｍＴｏｒｒ）、基体
温度２５０（℃）の成膜条件で平板状基体上にアモルフ
ァスシリコン膜を形成し、以下の手順で堆積速度及び堆
速度分布を評価した。アモルファスシリコン膜を形成し
た平板状基体縦方向に約３０ｍｍおきに線を引き、横方
向にも約３０ｍｍおきに線を引いた場合の交点２５６箇
所について実施例１と同様に膜厚を測定し各測定箇所に
おける堆積速度を算出し、得られた値の平均値を平均堆
積速度とした。得られた平均堆積速度は７．４ｎｍ／ｓ
であった。堆積速度分布は、測定点２５６箇所における
堆積速度の最大値と最小値との差を求め、該差を平均堆
積速度で割り堆積速度分布として１００分率で表した。
得られた堆積速度分布は７％であった。明／暗導電率比
も同様に評価して、全測定点において、１×１０⁵〜３
×１０⁵であり、均一で優れた特性のアモルファスシリ
コン膜が得られた。

【００３７】［実施例８］実施例８においては、図８に
示した装置を用い、幅５００ｍｍ、厚さ０．１ｍｍのス
テンレス製のシート状の基体（５）を反応容器に配置し
て、保持ロール（１５）から送り出し、巻き取りロール
（１６）に巻き取りながら成膜を行った。高周波電極の
構成はＡｌ製の断面が４０ｍｍ×ｌ０ｍｍ角で長さ６０
０ｍｍの長板状の高周波電極（３）に、厚み５ｍｍのア
ルミナセラミックス製の誘電体部材（４）を覆ったもの
を用い、２本の板状の高周波電極を反応容器に配置し
た。高周波電源の周波数は３００ＭＨｚのものを用い、
高周波電力２（ｋＷ）、ＳｉＨ ₄流量７５０（ｃｃ）、
成膜圧力１０（ｍＴｏｒｒ）、基体温度２５０（℃）の
成膜条件でシート状基体上にアモルファスシリコン膜を
形成した。長さ５００ｍｍのシート状基体を切り出して
実施例６と同様の手順で明／暗導電率比、堆積速度及び
堆速度分布を評価した。明／暗導電率比は全測定点で１
×１０⁵〜３×１０⁵、平均堆積速度は４．５ｎｍ／ｓ、
堆積速度分布は５％であり、優れた特性のアモルファス
シリコン膜を均一に形成することができた。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
種々の形状の大面積基体、即ち、円筒状基体、平板状基
体、シート状基体などに膜厚が極めて均一で且つ均質膜
質である高品質な堆積膜を高速度で形成できる。したが
って、本発明によれば大面積高品質の半導体デバイスを
効率的に作製することができ、特に、電子写真特性に優
れた大面積堆積膜を安定して量産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いるＣＶＤ装置
の１例を示す模式図である。（Ｂ）は（Ａ）図中Ｘ−
Ｘ’に沿った平面断面図である。

【図２】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いる高周波電極
の構成を説明するための模式構成図である。

【図３】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いる高周波電極
上の電圧定在波の位置依存を示す図である。

【図４】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いる高周波電極
上の電界エネルギー和の分布及びプラズマ中の電子密度
分布を示す図である。

【図５】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いるＣＶＤ装置
の１例を示す模式図である。（Ｂ）は（Ａ）図中Ｘ−
Ｘ’に沿った平面断面図である。

【図６】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いるＣＶＤ装置
の１例を示す模式図である。

【図７】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いるＣＶＤ装置
の１例を示す模式図である。

【図８】本発明のプラズマＣＶＤ法に用いるＣＶＤ装置
の１例を示す模式図である。

【図９】従来のプラズマＣＶＤ法に用いるＣＶＤ装置の
１例を示す模式図である。

【図１０】従来のプラズマＣＶＤ法に用いるＣＶＤ装置
の１例を示す模式図である。

【符号の説明】

１：位相調整回路２：補助整合回路３：高周波電極４：誘電体部材５：被成膜基体６Ａ：基体ホルダー６Ｂ：補助基体ホルダー７：基体加熱ヒータ８：ガス供給手段９：真空排気手段１０：整合回路１１：高周波電源１２：反応容器１３：アースシールド１４：ガス放出パイプ７０１：反応容器７０２：高周波電極支持台７０３：高周波電極７０４：アースシールド７０５：対向電極７０６：被成膜基体７０７：真空排気手段７０８：ガス供給手段７０９：整合回路７１０：高周波ケーブル７１１：高周波電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H068 DA23 EA25 EA30 4K030 AA06 AA10 AA17 AA24 BA09 BA27 BA29 BA30 CA02 CA06 CA16 CA17 FA03 FA10 GA06 GA14 JA18 JA19 KA15 LA15 LA16 LA17 5F045 AA08 AB02 AB04 AB05 AB07 AC01 AC02 AC07 AC11 AC12 AC15 AC16 AC17 AC19 AD06 AE11 CA13 CA15 CA16 DP22 DP25 EH04 EH14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】減圧下の反応容器内に成膜用の原料ガスを
供給し、前記原料ガスを高周波電力によりプラズマ化し
て分解し、前記反応容器内に配される基体上に堆積膜を
形成するプラズマＣＶＤ法において、前記高周波電力の周波数が３０ＭＨｚ乃至６００ＭＨｚ
の範囲にあり、該高周波電力によりプラズマを生成する
ために、２つ以上の棒状若しくは板状の導電性のプラズ
マ発生用高周波電極をほぼ平行に配置し、該平行に配置
された隣り合う高周波電極の給電点の反対側の先端部分
における反射電力の位相を調整して、該一方のプラズマ
発生用高周波電極の定在波の腹の位置と該他方のプラズ
マ発生用高周波電極の定在波の節の位置を、前記高周波
電力の波長の２４分の１以内の誤差で一致させ、堆積膜
を形成することを特徴とする高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項２】前記高周波電力の周波数が、６０〜３００
ＭＨｚの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の
高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項３】前記反応容器の一部が誘電体部材からな
り、該反応容器内に配される前記基体が円筒状基体であ
り、該円筒状基体の周囲に複数の前記プラズマ発生用高
周波電極をその中心軸が実質的に同一円周上に立設する
ように該反応容器外に配列し、該複数のプラズマ発生用
高周波電極上の高周波電力を前記誘電体部材を通して該
反応容器内に放射し、該円筒状基体との間にプラズマを
発生させて、該円筒状基体上に堆積膜を形成することを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波プラ
ズマＣＶＤ法。
【請求項４】前記反応容器内の基体が円筒状基体であ
り、該円筒状基体の周囲に複数の前記プラズマ発生用高
周波電極をその中心軸が実質的に同一円周上に立設する
ように該反応容器外に配列し、該複数の前記プラズマ発
生用高周波電極と該円筒状基体との間にプラズマを発生
させて、該円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴
とする請求項１または請求項２に記載の高周波プラズマ
ＣＶＤ法。
【請求項５】前記反応容器内の基体が、該反応容器内に
おいて同一円周上に配された複数の円筒状基体からな
り、該複数の円筒状基体の周囲に複数の前記プラズマ発
生用高周波電極をその中心軸が実質的に同一円周上に立
設するように配列し、該複数の前記プラズマ発生用高周
波電極と該円筒状基体との間にプラズマを発生させて、
該円筒状基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請
求項１または請求項２に記載の高周波プラズマＣＶＤ
法。
【請求項６】前記円筒状基体を回転させながら該円筒状
基体上に堆積膜を形成することを特徴とする請求項３〜
５のいずれか１項に記載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項７】前記基体が平板状基体であり、該平板状基
体に対して平行に複数の前記プラズマ発生用高周波電極
を配列し、該複数のプラズマ発生用高周波電極と該平板
状基体との間にプラズマを発生させて、該平板状基体上
に堆積膜を形成することを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の高周波プラズマＣＶＤ法。
【請求項８】前記基体が成膜時に保持ロールより送り出
され、巻き取りロールにより巻き取られるシート状基体
であり、該シート状基体に対して平行に複数の前記プラ
ズマ発生用高周波電極を配列し、該複数のプラズマ発生
用高周波電極と該シート状基体との間にプラズマを発生
させて、該シート状基体上に堆積膜を形成することを特
徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波プラズ
マＣＶＤ法。
【請求項９】前記堆積膜は、シリコン、ゲルマニウム、
カーボン又はそのいずれかの合金であることを特徴とす
る請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波プラズマ
ＣＶＤ法。
【請求項１０】前記堆積膜は、電子写真感光体用のもの
であることを特徴とする請求項９に記載の高周波プラズ
マＣＶＤ法。
【請求項１１】前記堆積膜は、太陽電池用のものである
ことを特徴とする請求項９に記載の高周波プラズマＣＶ
Ｄ法。
【請求項１２】前記堆積膜は、薄膜トランジスタ用のも
のであることを特徴とする請求項９に記載の高周波プラ
ズマＣＶＤ法。