CN111164739A - 等离子体处理方法 - Google Patents

等离子体处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111164739A
CN111164739A CN201880064580.7A CN201880064580A CN111164739A CN 111164739 A CN111164739 A CN 111164739A CN 201880064580 A CN201880064580 A CN 201880064580A CN 111164739 A CN111164739 A CN 111164739A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
plasma processing
phase
voltage
upper electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201880064580.7A
Other languages
English (en)
Inventor
岩下伸也
菊地贵伦
野吕尚孝
长谷川敏夫
守屋刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN111164739A publication Critical patent/CN111164739A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32155—Frequency modulation
    • H01J37/32165—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明的一实施方式的等离子体处理方法在基片被载置于腔室主体的内部空间之中的支承台上的状态下被执行。在该等离子体处理方法中，对基片实施等离子体处理。接着，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使为了进行等离子体处理而生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。然后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置，将腔室主体的内部空间之中的气体和颗粒排出。

Description

等离子体处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及一种等离子体处理方法。
背景技术
在电子器件的制造中执行等离子体处理以对基片进行处理。为了进行等离子体处理，对腔室主体的内部空间供给气体，并激发该气体。其结果，在腔室主体中生成等离子体。利用生成的等离子体，对基片进行处理。
通过执行等离子体处理等，会在内部空间之中产生颗粒。人们不希望颗粒附着在已进行了等离子体处理的基片上。因此，需要减少附着在已进行了等离子体处理的基片上的颗粒的个数。用于减少附着在已进行了等离子体处理的基片上的颗粒的个数的技术，在专利文献1和专利文献2中有记载。
在专利文献1所记载的技术中，在等离子体处理后将微波电功率设定为零之前，将微波电功率设定为比较低的电功率。其结果，在等离子体与基片的支承台之间鞘层的厚度增大。当鞘层的厚度增大时，会使颗粒从已进行了等离子体处理的基片向上方被引出。通过将颗粒从已进行了等离子体处理的基片引出，能够减少附着在基片上的颗粒的个数。
在专利文献2所记载的技术中，在等离子体处理后降低等离子体生成用的高频的电功率和偏置用的高频的电功率。其结果，鞘层的形状变化，使颗粒从已进行了等离子体处理的基片被引出。通过将颗粒从已进行了等离子体处理的基片引出，能够减少附着在基片上的颗粒的个数。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-144668号公报。
专利文献2：日本特开2007-81208号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
减少附着在已进行了等离子体处理的基片上的颗粒的个数的现有技术中，为了使鞘层的厚度变化而降低了电功率。然而，仅降低电功率，并不能大大地增大鞘层的厚度。鞘层的厚度增大的量会影响颗粒的个数减少的量。因此，要求大大减少附着在已进行了等离子体处理的基片上的颗粒的个数。
用于解决问题的技术手段
在一方式中，提供一种在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。等离子体处理装置包括腔室主体、气体供给部、支承台、上部电极、高频电源、相位调节电路和排气装置。气体供给部向腔室主体内所形成的内部空间供给气体。支承台包含下部电极。支承台设置在内部空间之中，能够支承载置于其上的基片。上部电极设置于支承台的上方。高频电源供给高频以在内部空间之中生成等离子体。相位调节电路相对于上部电极的电压的相位，相对地调节下部电极的电压的相位。排气装置以与内部空间可连通的方式设置。一方式的等离子体处理方法在基片被载置于支承台上的状态下被执行。该等离子体处理方法包括：(i)对基片执行等离子体处理的步骤，在该步骤中，为了执行该等离子体处理，从气体供给部向内部空间供给气体，并从高频电源供给高频以激发该气体来生成等离子体；(ii)用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得在使执行等离子体处理的步骤中所生成的等离子体不消失的情况下使支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大的步骤；以及(iii)在执行了调节相位的步骤之后，在停止了高频的供给的状态下，使用排气装置将内部空间之中的气体和颗粒排出的步骤。
鞘层的厚度与等离子体和电极之间的电位差存在正相关性，与鞘层和等离子体的界面的等离子体的密度存在负相关性。当降低高频的电功率时，鞘层与等离子体的界面的等离子体的密度降低，但同时，等离子体与电极之间的电位差也降低。因此，通过降低高频的电功率，不能在支承台与等离子体之间大大地增大鞘层的厚度。而一方式的等离子体处理方法中，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得支承台与等离子体之间的鞘层的厚度增大。通过相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，能够在使鞘层与等离子体的界面的等离子体的密度没有实质上的变化的情况下增大等离子体与电极(下部电极)之间的电位差。因此，依照一方式的方法，能够在不使为了执行等离子体处理而生成的等离子体消失的情况下，在支承台与等离子体之间使鞘层的厚度大大增大，能够将颗粒从已进行了等离子体处理的基片远远向上方被引出。其结果，能够大大地降低附着在已进行了等离子体处理的基片上的颗粒的个数。
在一实施方式的调节相位的步骤中，用相位调节电路，相对于上部电极的电压的相位相对地调节下部电极的电压的相位，以使得鞘层相对于执行等离子体处理的步骤的执行期间且调节相位的步骤执行前的鞘层的厚度，具有1.246倍以上的厚度。依照该实施方式，能够大大地增大颗粒的移动距离。
在一实施方式中，上部电极包括：在支承台的上方延伸的第1部分；和在该支承台与腔室主体的侧壁之间的空间的上方延伸的第2部分，第2部分比第1部分更向下方凸出。在该实施方式中，从基片向上方被引出的颗粒会进一步移动到比支承台的上方的区域靠外侧的区域，然后被排出。因此，能够进一步大大地减少附着在已进行了等离子体处理的基片上的颗粒的个数。
发明效果
如以上所述，能够大大减少附着在已进行了等离子体处理的基片上的颗粒的个数。
附图说明
图1是表示一实施方式的等离子体处理方法的流程图。
图2是表示能够在执行图1所示的方法时使用的一实施方式的等离子体处理装置的图。
图3是表示能够在执行图1所示的方法时使用的另一实施方式的等离子体处理装置的图。
图4是将能够作为图3所示的等离子体处理装置的变压器使用的变压器剖开一部分来表示的立体图。
图5是概略地表示图4所示的变压器的三个线圈的图。
图6是概略地表示能够作为图3所示的等离子体处理装置的变压器使用的另一变压器的图。
图7的(a)是表示执行图1所示的步骤ST1时的等离子体和颗粒的图，图7的(b)是表示执行图1所示的步骤ST2时的等离子体和颗粒的图，图7的(c)是表示执行图1所示的步骤ST3时的颗粒的图。
图8是表示通过调节高频的电功率而产生的颗粒的移动的图。
图9是表示通过调节下部电极的电压相对于上部电极的电压的相对的相位而产生的颗粒的移动的图。
图10是表示在上部电极的第2部分的附近的颗粒的移动的图。
图11是表示实验的结果的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对各种实施方式详细地进行说明。此外，在各附图中相同或者相应的部分标注相同的附图标记。
图1是表示一实施方式的等离子体处理方法的流程图。在图1所示的等离子体处理方法(以下，称为“方法MT”)中，使用等离子体处理装置，对基片执行等离子体处理。
图2是表示能够在执行图1所示的方法时使用的一实施方式的等离子体处理装置的图。图2所示的等离子体处理装置10A是电容耦合型的等离子体处理装置。等离子体处理装置10A包括腔室主体12。腔室主体12具有大致筒形形状，在铅垂方向上延伸。腔室主体12具有大致筒状的侧壁部和与侧壁部的下端连续的底部。腔室主体12形成有内部空间12s。腔室主体12由铝等的金属形成。在腔室主体12的内壁面形成有具有耐等离子体性的覆膜。具有耐等离子体性的覆膜可以是氧化铝膜、氧化钇膜等的陶瓷制的膜。腔室主体12接地。
在腔室主体12的侧壁部形成有通路12p。基片W在从腔室主体12的外部被输送到内部空间12s时和从内部空间12s被输送到腔室主体12的外部时，通过通路12p。通路12p能够由闸阀12g开闭。闸阀12g沿腔室主体12的侧壁部设置。
在腔室主体的内部空间12s之中设置有支承台14。支承台14构成为能够支承载置于其上的基片W。支承台14由支承体15支承。支承体15具有绝缘性，从腔室主体12的底部向上方延伸。
支承台14包括下部电极16。下部电极16具有大致圆盘形状。下部电极16由铝等的导电性材料形成。在一实施方式中，支承台14还包括静电吸盘18。静电吸盘18设置于下部电极16上。基片W载置在静电吸盘18上。静电吸盘18包括电介质膜和内置于该电介质膜内的电极。静电吸盘18的电极可以是具有导电性的膜。静电吸盘18的电极经由开关与电源连接。通过从电源对静电吸盘18的电极施加电压，在静电吸盘18与基片W之间产生静电引力。利用产生的静电引力，基片W被吸附到静电吸盘18，并由静电吸盘18保持。
在支承台14的上方设置有上部电极20。在上部电极20与支承台14之间，存在内部空间12s的一部分。在一实施方式中，腔室主体12的上端部设有开口。上部电极20经由部件21被支承于腔室主体12的上端部。部件21具有绝缘性。上部电极20与部件21一起封闭腔室主体12的上端部的开口。
上部电极20由具有导电性的一个以上的零件形成。构成上部电极20的一个以上的零件能够由铝、硅等的材料形成。或者，上部电极20也可以由具有导电性的一个以上的零件和具有绝缘性的一个以上的零件形成。在上部电极20的表面也可以形成耐等离子体性的覆膜。
在上部电极20形成有多个气体释放孔20a和气体扩散室20b。多个气体释放孔20a从气体扩散室20b向下方延伸到内部空间12s侧的上部电极20下表面。气体扩散室20b与气体供给部22连接。气体供给部22构成为能够向内部空间12s供给气体。气体供给部22例如具有多个气源、质量流量控制器等的多个流量控制器和多个阀。多个气源各自经由多个流量控制器中对应的流量控制器和多个阀中对应的阀，与气体扩散室20b连接。气体供给部22调节来自多个气源中选择出的气源的气体的流量，将该气体供给到气体扩散室20b。供给到气体扩散室20b的气体，从多个气体释放孔20a被供给到内部空间12s。
在一实施方式中，上部电极20包括第1部分20c和第2部分20d。第1部分20c在支承台14的上方延伸。即，第1部分20c与支承台14沿铅垂方向相对。上述的多个气体释放孔20a设置于第1部分20c。第2部分20d在空间12v的上方延伸。空间12v是内部空间12s的一部分，在支承台14与腔室主体12的侧壁部之间延伸。即，第2部分20d在第1部分20c的外侧在周向上延伸。第2部分20d比第1部分20c更向下方凸出。
腔室主体12的底部与排气装置24连接。排气装置24以与内部空间12s可连通的方式设置。排气装置24具有压力调节阀等的压力控制装置和涡轮分子泵、干式泵等的真空泵。通过使排气装置24工作，存在于内部空间12s之中的气体经由支承台14与腔室主体12的侧壁部之间的空间12v而被排出。另外，由排气装置24将内部空间12s之中的压力调节成指定的压力。
等离子体处理装置10A还具有高频电源26A。高频电源26A构成为供给高频以在内部空间12s之中生成等离子体。在一实施方式中，高频电源26A与上部电极20电连接。当从高频电源26A供给高频时，在上部电极20与下部电极16之间的空间内形成高频电场。通过所形成的高频电场，在上部电极20与下部电极16之间的空间内激发气体。其结果，在内部空间12s之中生成等离子体。
等离子体处理装置10A还具有相位调节电路28。相位调节电路28构成为能够相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位。在一实施方式中，相位调节电路28与下部电极16电连接。在一实施方式中，相位调节电路28包含电容器28a和可变电感器28b。电容器28a和可变电感器28b在下部电极16与地之间串联连接。在一实施方式中，电容器28a的一端接地。电容器28a的另一端与可变电感器28b的一端连接。可变电感器28b的另一端与下部电极16电连接。
通过调节可变电感器28b的感抗，相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位。即，下部电极16的电压与上部电极20的电压的相位差，由可变电感器28b的感抗决定。在上部电极20的电压与下部电极16的电压之间的相位差小的情况下，等离子体与支承台14之间的电位差变小，鞘层的厚度变小。另一方面，在上部电极20的电压与下部电极16的电压之间的相位差大的情况下，下部电极16的自偏置电位变低(即，自偏置电位具有负极性且具有较大的绝对值)，等离子体与支承台14之间的电位差(鞘层电压)变大，鞘层的厚度变大。
等离子体处理装置10A还可以具有控制部30A。控制部30A构成为能够控制等离子体处理装置10A的各部。控制部30A能够为计算机装置，可以具有处理器、存储器等的存储装置、键盘、鼠标、触摸面板等的输入装置、显示装置，信号的输入输出接口等。在控制部30A的存储装置中存储有控制程序和方案数据。控制部30A的处理器执行控制程序，根据方案数据来控制等离子体处理装置10A的各部。方法MT通过由控制部30A进行的等离子体处理装置10A的各部的控制来执行。
图3是表示能够在执行图1所示的方法时使用的另一实施方式的等离子体处理装置的图。图3所示的等离子体处理装置10B中，代替等离子体处理装置10A的高频电源26A、相位调节电路28和控制部30A，而具有高频供给部26B、相位调节电路281、相位调节电路282和控制部30B。等离子体处理装置10B的其他构成要素与等离子体处理装置10A的对应的构成像素相同。
高频供给部26B产生第1高频和第2高频。第1高频是供给到上部电极20的高频。第2高频是供给到下部电极16的高频，具有与第1高频的频率相同的频率。高频供给部26B构成为能够调节第2高频的电功率与第1高频的电功率的比。
控制部30B能够为计算机装置，可以具有处理器、存储器等的存储装置、键盘、鼠标、触摸面板等的输入装置、显示装置、信号的输入输出接口等。在控制部30B的存储装置中存储有控制程序和方案数据。控制部30B的处理器执行控制程序，按照方案数据控制等离子体处理装置10B的各部。方法MT通过由控制部30B进行的等离子体处理装置10B的各部的控制来执行。
在一实施方式中，高频供给部26B具有高频电源261和变压器100。高频电源261构成为能够产生高频。来自高频电源261的高频被供给到变压器100的一次线圈。
图4是将能够作为图3所示的等离子体处理装置的变压器使用的变压器剖开一部分来表示的立体图。图5是概略地表示图4所示的变压器的三个线圈的图。图4和图5所示的变压器100A能够被用作等离子体处理装置10B的变压器100。变压器100A包括旋转轴112、一次线圈101A、第1二次线圈102A和第2二次线圈103A。第1二次线圈102A和第2二次线圈103A构成二次侧线圈对106。在一实施方式中，变压器100A还包括支承部件122、支承部件124、支柱126、支承部件128、支承部件130、支承部件132、支承部件134、端子101a、端子101b、端子102a、端子102b、端子103a和端子103b。
旋转轴112形成为大致圆柱状。旋转轴112被设置成能够绕其中心轴线RX旋转。在一实施方式中，旋转轴112可旋转地由支承部件122和支承部件124支承。支承部件122和支承部件124是板状的部件，具有大致矩形的平面形状。支承部件122和支承部件124由绝缘体形成。支承部件122和支承部件124被设置成与中心轴线RX交叉或者大致正交，以它们的板厚方向与中心轴线RX延伸的方向RD大致一致的方式沿方向RD排列。在支承部件122的角部固定有支柱126的一端，在支承部件124的角部固定有支柱126的另一端。旋转轴112的一端部贯通支承部件122，并从支承部件122伸出。该旋转轴112的一端部与驱动机构(例如，电机)连接。
支承部件128和支承部件130是大致圆盘状的部件，由绝缘体形成。支承部件128和支承部件130被设置成在支承部件122与支承部件124之间与中心轴线RX交叉或者大致正交，以它们的板厚方向在方向RD上大致一致的方式沿方向RD排列。另外，支承部件132和支承部件134是大致圆盘状的部件，由绝缘体形成。支承部件132和支承部件134被设计成在支承部件128与支承部件130之间与中心轴线RX交叉或者大致正交，以它们的板厚方向在方向RD大致一致的方式沿方向RD排列。旋转轴112贯通支承部件128、支承部件130、支承部件132和支承部件134各自的中心。支承部件128、支承部件130、支承部件132和支承部件134固定于旋转轴112。
一次线圈101A绕与中心轴线RX正交的第1轴线AX1延伸。在一实施方式中，第1轴线AX1在支承部件122和支承部件124的中间与中心轴线RX正交。一次线圈101A以交替地通过支承部件122的外侧与支承部件124的外侧的方式卷绕于第1轴线AX1中心。
一次线圈101A的一端与端子101a连接。在一实施方式中，端子101a设置于支承部件122的一面122a(朝向变压器100A的外侧的面)。另外，一次线圈101A的另一端与端子101b连接。在一实施方式中，端子101b设置于支承部件124的一面124a(朝向变压器100A的外侧的面)。
第1二次线圈102A绕第2轴线AX2延伸。第2轴线AX2在被一次线圈101A包围的区域内与中心轴线RX正交。在一实施方式中，第2轴线AX2在支承部件128和支承部件130的中间与中心轴线RX正交。第1二次线圈102A以交替地通过支承部件128的外侧和支承部件130的外侧的方式卷绕于第2轴线AX2中心。第1二次线圈102A借助支承部件128和支承部件130被旋转轴112所支承。
第1二次线圈102A的一端与端子102a连接。另外，第1二次线圈102A的另一端与端子102b连接。在一实施方式中，端子102a和端子102b设置于支承部件122的一面122a。旋转轴112包含同轴状设置的第1导体和第2导体，第1二次线圈102A的一端与第1导体连接，第1二次线圈102A的另一端与第2导体连接。第1导体经由旋转连接器140内的滑环与端子102a连接。另外，第2导体经由旋转连接器140内的其他滑环与端子102b连接。
第2二次线圈103A绕第3轴线AX3延伸。第3轴线AX3在由一次线圈101A所包围的区域内与中心轴线RX正交。另外，第3轴线AX3与第2轴线AX2交叉。第3轴线AX3和第2轴线AX2彼此之间成规定的角度θp。角度θp并没有限定，例如为90度。在一实施方式中，第3轴线AX3在支承部件132和支承部件134的中间与中心轴线RX正交。第2二次线圈103A以交替地通过支承部件132的外侧和支承部件134的外侧的方式卷绕于第3轴线AX3中心。第2二次线圈103A借助支承部件132和支承部件134被旋转轴112所支承。在该第2二次线圈103A与第1二次线圈102A之间确保了绝缘距离。
第2二次线圈103A的一端与端子103a连接。另外，第2二次线圈103A的另一端与端子103b连接。在一实施方式中，端子103a和端子103b设置于支承部件124的一面124a。旋转轴112包含同轴状设置的第3导体和第4导体，第2二次线圈103A的一端与第3导体连接，第2二次线圈103A的另一端与第4导体连接。第3导体经由设置于支承部件124附近的另一旋转连接器的滑环与端子103a连接。另外，第4导体经由该另一旋转连接器内的另一滑环与端子103b连接。
在变压器100A被用作等离子体处理装置10B的变压器100的情况下，如图3所示，端子101a和端子101b与高频电源261电连接。另外，端子101b电接地。端子102a经由相位调节电路281与上部电极20电连接。端子103a经由相位调节电路282与下部电极16电连接。端子102b和端子103b电接地。
相位调节电路281和相位调节电路282构成为能够相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位。相位调节电路281与上部电极20电连接。在一实施方式中，相位调节电路281包含电容器281a和可变电感器281b。电容器281a和可变电感器281b在上部电极20与端子102a之间串联连接。在一实施方式中，电容器281a的一端与端子102a连接。电容器281a的另一端与可变电感器281b的一端连接。可变电感器281b的另一端与上部电极20电连接。
相位调节电路282与下部电极16电连接。在一实施方式中，相位调节电路282包含电容器282a和可变电感器282b。电容器282a和可变电感器282b在下部电极16与端子103a之间串联连接。在一实施方式中，电容器282a的一端与端子103a连接。电容器282a的另一端与可变电感器282b的一端连接。可变电感器282b的另一端与下部电极16电连接。
在变压器100A被用作等离子体处理装置10B的变压器100的情况下，当一次线圈101A被供给来自高频电源261的高频时，一次线圈101A在与第1轴线AX1所延伸的方向大致平行的方向上产生磁通。另外，通过调节二次侧线圈对106的旋转角度，能够调节贯通第1二次线圈102A的磁通的量和贯通第2二次线圈103A的磁通的量。在第1二次线圈102A中产生与贯通它的磁通的量相应的感应电动势，从该第1二次线圈102A输出第1高频。另外，在第2二次线圈103A中产生与贯通它的磁通的量相应的感应电动势，从该第2二次线圈103A输出第2高频。因此，利用变压器100A，能够调节第2高频的电功率与第1高频的电功率之比。
另外，通过调节相位调节电路281和相位调节电路282中至少一者的相位调节电路的可变电感器的感抗，能够相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位。即，下部电极16的电压与上部电极20的电压的相位差由至少一者的相位调节电路的可变电感器的感抗决定。在上部电极20的电压与下部电极16的电压之间的相位差小的情况下，等离子体与支承台14之间的电位差变小，鞘层的厚度变小。另一方面，在上部电极20的电压与下部电极16的电压之间的相位差大的情况下，下部电极16的自偏置电位变低(即，该自偏置电位具有负极性且具有较大的绝对值)，等离子体与支承台14之间的电位差(即，鞘层电压)变大，鞘层的厚度变大。
图6是概略地表示能够作为图3所示的等离子体处理装置的变压器使用的另一变压器的图。图6所示的变压器100B能够被用作图3所示IDE等离子体处理装置10B的变压器100。
电连接的变压器100B具有一次线圈101B、第1二次线圈102B和第2二次线圈103B。一次线圈101B的一端是端子101a，另一端是端子101b。端子101a和端子101b与高频电源261连接。端子101b电接地。
第1二次线圈102B和第2二次线圈103B与一次线圈101B电磁耦合。第1二次线圈102B的一端是端子102a。端子102a经由相位调节电路281与上部电极20电连接。另外，第2二次线圈103B的一端是端子103a。端子103a经由相位调节电路282与下部电极16电连接。
在变压器100B中，第1二次线圈102B和第2二次线圈103B由单个线圈形成。具体而言，变压器100B的二次侧具有单个线圈，该单个线圈具有多个抽头100t。多个抽头100t构成为能够有选择与地连接。在变压器100B中，相对于有选择与地连接的抽头，该单个线圈的一侧成为第1二次线圈102B，另一侧成为第2二次线圈103B。利用该变压器100B，能够调节从第2二次线圈103B输出的第2高频的电功率与从第1二次线圈102B输出的第1高频的电功率之比。
以下，再次参照图1对方法MT进行说明。在以下的说明中，将用于执行方法MT的等离子体处理装置称为等离子体处理装置10。等离子体处理装置10可以为等离子体处理装置10A或者等离子体处理装置10B、。另外，在以下的说明中，参照图7的(a)、图7的(b)和图7的(c)。图7的(a)是表示执行图1所示的步骤ST1时的等离子体和颗粒的图，图7的(b)是表示执行图1所示的步骤ST2时的等离子体和颗粒的图，图7的(c)是表示执行图1所示的步骤ST3时的颗粒的图。在图7中，涂黑的圆表示颗粒。
方法MT在基片被载置于等离子体处理装置10的支承台14上的状态下被执行。方法MT包含步骤ST1、步骤ST2和步骤ST3。在步骤ST1中，对基片W执行等离子体处理。在步骤ST1中，为了进行等离子体处理，从气体供给部22向内部空间12s供给气体。另外，在步骤ST1中，利用排气装置24将内部空间12s之中的压力调节成指定的压力。另外，在步骤ST1中，从高频电源(高频电源26A或者高频电源261)供给高频，以在内部空间12s之中激发气体。在步骤ST1中，在内部空间12s之中气体被激发，生成该气体的等离子体。利用来自生成的等离子体的离子和/或者自由基，对基片W进行处理。
在步骤ST1中执行的等离子体处理可以是任意的等离子体处理。在步骤ST1中执行的等离子体处理可以是等离子体蚀刻或者等离子体强化CVD(PECVD。Plasma-EnhancedChemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)。或者，在步骤ST1中执行的等离子体处理可以是等离子体强化ALD(PEALD。Plasma-Enhanced Atomic LayerDeposition，等离子体增强原子层沉积)中的等离子体处理。在PEALD中，反复进行包含对基片W的前体气体的供给、吹扫的执行、等离子体处理和吹扫的执行的处理流程。通过PEALD生成的膜例如为TiO2膜(氧化钛膜)。在通过PEALD形成TiO2膜的情况下，作为前体气体使用含钛气体，作为用于等离子体处理的气体使用含氧气体。含钛气体可以是四氯化钛气体等的卤化钛气体。含氧气体可以是氧气。此外，在PEALD中，在各处理流程中的等离子体处理与吹扫之间，执行步骤ST2和步骤ST3。
如图7的(a)所示，在步骤ST1中，在内部空间12s之中生成等离子体PL。在内部空间12s之中，颗粒位于等离子体PL的支承台14侧的端部(即，等离子体PL与支承台14之间的鞘层SHL的上端)或者其附近。在执行步骤ST1的期间，等离子体PL的下端与支承台14之间的铅垂方向上的距离比较短。因此，颗粒存在于支承台14的附近。
如图1所示，在方法MT中，接着步骤ST1，执行步骤ST2。在步骤ST2中，用相位调节电路(相位调节电路28、或者相位调节电路281和相位调节电路282中至少一者)，相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位，以使得在不使在步骤ST1中生成的等离子体PL消失的情况下使鞘层SHL的厚度增大。即，通过调节相位调节电路的可变电感器的感抗的调节，能够调节下部电极16的电压的相位与上部电极20的电压的相位的相位差，以使鞘层SHL的厚度增大。
在步骤ST2中，鞘层SHL的厚度从步骤ST1的执行期间的鞘层SHL的厚度大大地增大。其结果，颗粒从支承台14远远地向上方被引出，如图7的(b)所示，移动到等离子体PL的上部电极20侧的端部(即，等离子体PL与上部电极20之间的鞘层SHU的下端)或者其附近。
如图1所示，在方法MT中，接着步骤ST2，执行步骤ST3。在步骤ST3中，在执行了步骤ST2后停止了高频的供给的状态下，使用排气装置24排出内部空间12s中的气体和颗粒。即，在步骤ST3中，如图7的(c)所示，等离子体消失，颗粒与内部空间12s之中的气体一起被排出。如上所述，在步骤ST2中，颗粒从支承台14远远地向上方被引出。因此，在步骤ST3的颗粒排出时，能够大大地减少附着在支承台14上的基片W的颗粒的个数。
以下，参照图8和图9。图8是表示相当于现有技术的通过调节高频的电功率而产生的颗粒的移动的图。图9是表示通过调节下部电极的电压相对于上部电极的电压的相对的相位而产生的颗粒的移动的图。在图8和图9中，横轴表示支承台14与上部电极20之间的铅垂方向的位置。横轴的左侧是支承台14侧，横轴的右侧是上部电极20侧。在图8和图9中，纵轴表示电势。图8和图9中的纵轴的电势表示颗粒的能量，能够根据施加到颗粒的力(例如静电力、离子反作用力、重力)、温度梯度等导出。在图8中，用虚线表示使高频的电功率降低前的电势的分布，用实线表示使高频的电功率降低时的电势的分布。在图9中，用虚线表示步骤ST1的执行期间的电势的分布，用实线表示步骤ST2的执行期间的电势的分布。另外，在图8和图9中，用涂黑的圆表示颗粒。
颗粒具有位于其电势低的位置的倾向。因此，如图8和图9所示，在使鞘层SHL的厚度增大之前，颗粒位于鞘层SHL的下端SLB或者其附近。
此处，形成在等离子体PL与支承台14之间的鞘层SHL的厚度由式(1)表示。在式(1)中，ε0为真空的电介质率，V0是等离子体与下部电极16之间的电位差，e为电荷素量，ns为鞘层SHL的上端的等离子体的密度。
Figure BDA0002436779920000141
根据式(1)可知，鞘层SHL的厚度与等离子体PL和下部电极16之间的电位差存在正相关性，与鞘层SHL和等离子体PL的界面的等离子体的密度存在负相关性。当降低高频的电功率以增大鞘层SHL的厚度时，鞘层SHL与等离子体PL的界面的等离子体的密度，即式(1)的ns降低，同时等离子体PL与下部电极16之间的电位差，即式(1)的V0也降低。因此，如图8所示，即使令高频的电功率降低，也不能使鞘层SHL的厚度大大地增大。因此，如图8所示，即使降低高频的电功率，施加到颗粒的能量EG也小，颗粒不能移动到等离子体PL与上部电极20之间的鞘层SHU的下端SUA，仅能够移动到鞘层SHL的下端SLA或者其附近。
另一方面，在方法MT的步骤ST2中，相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位，以使支承台14与等离子体PL之间的鞘层SHL的厚度增大。通过相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位，能够在不使鞘层SHL与等离子体PL的界面的等离子体的密度即式(1)的ns实质性地变化的情况下使等离子体PL与下部电极16之间的电位差即式(1)的V0增大。因此，依照方法MT，如图9所示，能够在不使为了执行步骤ST1的等离子体处理而生成的等离子体PL消失的情况下使鞘层SHL的厚度大大地增大。其结果，如图9所示，对颗粒施加较大的能量EG，颗粒从已进行了等离子体处理的基片W远远地向上方被引出，而移动到等离子体PL与上部电极20之间的鞘层SHU的下端SUA或者其附近。因此，依照方法MT，能够大大地减少附着在已进行了等离子体处理的基片W上的颗粒的个数。
在一实施方式的步骤ST2中，用相位调节电路，相对于上部电极20的电压的相位相对地调节下部电极16的电压的相位，以使得鞘层SHL相对于步骤ST1的执行期间且步骤ST2的执行前的鞘层SHL的厚度，具有1.246倍以上的厚度。依照该实施方式，能够大大地增加颗粒的移动距离。
在一实施方式中，上部电极20具有上述的第1部分20c和第2部分20d。图10是表示上部电极的第2部分附近的颗粒的移动的图。如图10所示，第2部分20d的下方的鞘层SHU的下端SUA与第1部分20c的下方的鞘层SHU的下端SUA相比，在铅垂方向上处于较低的位置。在第1部分20c与第2部分20d的边界的下方，鞘层SHU的下端SUA向下方倾斜。在第1部分20c与第2部分20d的边界的下方，由于重力GV的影响，颗粒受到向方向MD移动的力。因此，从基片W向上方被引出的颗粒会进一步移动到比支承台14的上方的区域靠外侧的区域，然后被排出。因此，能够进一步大大地减少附着在已进行了等离子体处理的基片W上的颗粒的个数。
以下，说明为了评价方法MT而进行的实验。以下说明的实验并不限定本发明的范围。
在实验中，使用了等离子体处理装置10A。然后，在内部空间12s之中生成等离子体，然后在不使等离子体消失的情况下利用相位调节电路28使鞘层SHL的厚度增大。在实验中，向内部空间12s照射激光，得到了内部空间12s的影像。然后，根据所得到的影像，求取存在于内部空间12s之中的颗粒在鞘层SHL的厚度增大前后在铅垂方向上移动的距离(以下称为“移动距离”)。作为颗粒，使用了由SiO2形成的直径1.5μm的颗粒。以下，表示实验中的其他的条件。
＜实验的条件＞
供给到内部空间12s的Ar气体的流量：100sccm
内部空间12s内的压力：4Pa
由高频电源26A产生的高频的频率：13.56MHz
在图11中表示实验的结果。在图11的图表中，横轴表示鞘层SHL的厚度的增大率Δs(％)。增大率Δs是鞘层SHL的厚度的增大量相对于其厚度增加前的鞘层SHL的厚度的比例。在图11的图表中，纵轴表示颗粒的移动距离相对于上部电极20与支承台14之间的距离(即，间隙长度)的比例(％)。如图11所示，在鞘层SHL的厚度的增大率Δs为24.6％以上时，测量到较大的移动距离。因此，确认了：在步骤ST2中，通过使鞘层SHL的厚度相对于步骤ST1的执行期间且步骤ST2执行之前的鞘层的SHL的厚度增大1.246倍以上的厚度，能够得到颗粒的较大的移动距离，能够从基片W将颗粒远远引出。
以上，对各种实施方式进行了说明，不过并不限定于上述的实施方式而能够为各种变形的方式。例如，可以为在等离子体处理装置10A中，高频电源26A与下部电极16电连接，相位调节电路28与上部电极20连接。另外，也可以为在等离子体处理装置10A中，下部电极16与其他高频电源电连接，相位调节电路28与上部电极20和下部电极16中的一者连接。另外，等离子体处理装置10B也可以不具有相位调节电路281和相位调节电路282中的一者。
附图标记说明
10A、10B……等离子体处理装置，12……腔室主体，14……支承台，16……下部电极，18……静电吸盘，20……上部电极，22……气体供给部，24……排气装置，26A、261……高频电源，28、281、282……相位调节电路。

Claims (3)

1.一种在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，其特征在于：
所述等离子体处理装置包括：
腔室主体；
气体供给部，其向所述腔室主体内所形成的内部空间供给气体；
包含下部电极的支承台，其设置在所述内部空间之中，能够支承载置于其上的基片；
设置在所述支承台的上方的上部电极；
供给高频以在所述内部空间之中生成等离子体的高频电源；
相位调节电路，其相对于所述上部电极的电压的相位，相对地调节所述下部电极的电压的相位；和
以与所述内部空间可连通的方式设置的排气装置，
该等离子体处理方法在基片被载置于所述支承台上的状态下被执行，包括：
对所述基片执行等离子体处理的步骤，在该步骤中，为了执行该等离子体处理，从所述气体供给部向所述内部空间供给气体，并从所述高频电源供给高频以激发该气体来生成等离子体；
用所述相位调节电路，相对于所述上部电极的电压的相位相对地调节所述下部电极的电压的相位，以使得在使执行等离子体处理的所述步骤中所生成的所述等离子体不消失的情况下使所述支承台与所述等离子体之间的鞘层的厚度增大的步骤；和
在执行了调节相位的所述步骤之后，在停止了所述高频的供给的状态下，使用所述排气装置将所述内部空间之中的气体和颗粒排出的步骤。
2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：
在调节相位的所述步骤中，用所述相位调节电路，相对于所述上部电极的所述电压的所述相位相对地调节所述下部电极的所述电压的所述相位，以使得所述鞘层相对于执行等离子体处理的所述步骤的执行期间且调节相位的所述步骤执行前的所述鞘层的厚度，具有1.246倍以上的厚度。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其特征在于：
所述上部电极包括：在所述支承台的上方延伸的第1部分；和在该支承台与所述腔室主体的侧壁之间的空间的上方延伸的第2部分，
所述第2部分比所述第1部分更向下方凸出。
CN201880064580.7A 2017-10-10 2018-09-26 等离子体处理方法 Pending CN111164739A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017196630A JP6902450B2 (ja) 2017-10-10 2017-10-10 プラズマ処理方法
JP2017-196630 2017-10-10
PCT/JP2018/035654 WO2019073798A1 (ja) 2017-10-10 2018-09-26 プラズマ処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111164739A true CN111164739A (zh) 2020-05-15

Family

ID=66100609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880064580.7A Pending CN111164739A (zh) 2017-10-10 2018-09-26 等离子体处理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11450512B2 (zh)
JP (1) JP6902450B2 (zh)
KR (1) KR102323157B1 (zh)
CN (1) CN111164739A (zh)
TW (1) TW201928103A (zh)
WO (1) WO2019073798A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230092887A1 (en) * 2020-03-06 2023-03-23 Lam Research Corporation Tuning voltage setpoint in a pulsed rf signal for a tunable edge sheath system

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547712A (ja) * 1991-08-12 1993-02-26 Hitachi Ltd プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JPH10144668A (ja) * 1996-11-14 1998-05-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH11243062A (ja) * 1997-12-10 1999-09-07 Canon Inc プラズマｃｖｄ方法及びプラズマｃｖｄ装置
JP2000223480A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置
KR20060008090A (ko) * 2004-07-23 2006-01-26 삼성전자주식회사 집적회로 제조를 위한 증착 장치
KR20060046877A (ko) * 2004-11-12 2006-05-18 삼성전자주식회사 피처리체의 처리 방법 및 플라즈마를 사용한 피처리체의처리 방법
JP2007027496A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置および微粒子除去方法
JP2007081208A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法及び処理装置
CN101047114A (zh) * 2006-03-30 2007-10-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US20080251206A1 (en) * 2004-11-26 2008-10-16 Ryoji Nishio Plasma Processing Apparatus And Method For Controlling The Same
CN106920729A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08209352A (ja) * 1995-02-06 1996-08-13 Hitachi Ltd プラズマ処理装置および方法
US6902683B1 (en) * 1996-03-01 2005-06-07 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
JPH11162946A (ja) * 1997-12-02 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体製造装置および基板処理方法
JP4804824B2 (ja) * 2005-07-27 2011-11-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5199595B2 (ja) * 2007-03-27 2013-05-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのクリーニング方法
US9856558B2 (en) * 2008-03-14 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition method with a source of isotropic ion velocity distribution at the wafer surface
CN103597119B (zh) * 2009-07-08 2017-03-08 艾克斯特朗欧洲公司 用于等离子体处理的装置和方法
US9620334B2 (en) * 2012-12-17 2017-04-11 Lam Research Corporation Control of etch rate using modeling, feedback and impedance match
KR102010321B1 (ko) * 2013-01-10 2019-08-13 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 방법과 상기 방법을 이용할 수 있는 장치들
US10283330B2 (en) * 2016-07-25 2019-05-07 Lam Research Corporation Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge RF generators

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547712A (ja) * 1991-08-12 1993-02-26 Hitachi Ltd プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JPH10144668A (ja) * 1996-11-14 1998-05-29 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JPH11243062A (ja) * 1997-12-10 1999-09-07 Canon Inc プラズマｃｖｄ方法及びプラズマｃｖｄ装置
JP2000223480A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置
KR20060008090A (ko) * 2004-07-23 2006-01-26 삼성전자주식회사 집적회로 제조를 위한 증착 장치
KR20060046877A (ko) * 2004-11-12 2006-05-18 삼성전자주식회사 피처리체의 처리 방법 및 플라즈마를 사용한 피처리체의처리 방법
US20080251206A1 (en) * 2004-11-26 2008-10-16 Ryoji Nishio Plasma Processing Apparatus And Method For Controlling The Same
JP2007027496A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置および微粒子除去方法
JP2007081208A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法及び処理装置
CN101047114A (zh) * 2006-03-30 2007-10-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN106920729A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 中微半导体设备(上海)有限公司 一种均匀刻蚀基片的等离子体处理装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6902450B2 (ja) 2021-07-14
TW201928103A (zh) 2019-07-16
US11450512B2 (en) 2022-09-20
WO2019073798A1 (ja) 2019-04-18
KR102323157B1 (ko) 2021-11-08
KR20200066335A (ko) 2020-06-09
US20210142982A1 (en) 2021-05-13
JP2019071347A (ja) 2019-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101974268B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US6712020B2 (en) Toroidal plasma source for plasma processing
US20200243303A1 (en) High voltage filter assembly
JP5971144B2 (ja) 基板処理装置及び成膜方法
JP6807775B2 (ja) 成膜方法及びプラズマ処理装置
US20030136332A1 (en) In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features
JP2017092448A (ja) ウエハの極縁における特徴プロフィールの傾斜を改善するためのエッジリングアセンブリ
US20110094682A1 (en) Plasma processing apparatus
US8486242B2 (en) Deposition apparatus and methods to reduce deposition asymmetry
JP2010258428A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2004505459A (ja) リングの形状の高密度プラズマの生成源とその生成方法
JP2001185542A (ja) プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法
TWI573168B (zh) A plasma processing apparatus, a plasma generating apparatus, an antenna structure, and a plasma generating method
KR102323157B1 (ko) 플라스마 처리 방법
JP2019186501A (ja) エッチングする方法及びプラズマ処理装置
CN111164235B (zh) 成膜方法
KR101963954B1 (ko) 변압기, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20210366718A1 (en) Etching method and plasma processing apparatus
JP3973855B2 (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP2010087182A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20220199368A1 (en) Support unit and apparatus for treating substrate
TW202412063A (zh) 用於處理基板的設備及用於處理基板的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20231110

AD01 Patent right deemed abandoned