JPH11241063A - 低電圧用高輝度蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
低電圧用高輝度蛍光体及びその製造方法Info
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Abstract
る。 【解決手段】 (ZnCd)S系列又はZnS系列蛍光
体と、蛍光体の酸化を防止して蛍光体の表面電荷を減少
させ得る金属とから低電圧用高輝度蛍光体を構成した。
Description
光体及びその製造方法に関する。詳細には、低電圧用蛍
光体に蛍光体の酸化を防止して表面電荷を減少させる金
属を添加することで輝度が向上した低電圧用高輝度蛍光
体及びその製造方法に関する。
電圧を使用する低電圧用表示装置には、電界電子放出表
示装置(Field Emission Display:FED)、蛍光表示管(Vac
cum Fluorescent Display:VFD)等がある。前記のような
低電圧用表示装置の中でVFDは、陰極線管の電子銃の
役割をするフィラメントから常時放出される電子をグリ
ッド電極と陽極(anode) 電極で制御して、陽極上の蛍光
体に衝突させて蛍光体を発光させる自発光素子である。
前記VFDは視野角が優秀であり、低電圧で駆動できる
のでいろいろな分野で使用されている。
ZnO:Zn系列とその他の色の(ZnCd)S系列又
はZnS系列がある。緑色のZnO:Zn蛍光体は発光
効率がよくて他色に比べて非常に輝度が高い。ZnO:
Zn蛍光体の輝度と他色の蛍光体の輝度とを比べて見る
と、(ZnCd)S系列又はZnS系列の他色の蛍光体
の輝度はZnO:Zn蛍光体の輝度に比べて5〜20%
に過ぎないので、相対的に暗く見える問題点がある。従
って、VFD蛍光体として主に緑色蛍光体を使用して部
分的に他色の蛍光体を併用してきた。しかし、次第に使
用者が表示装置の多色化、高輝度化を要求する趨勢にあ
るので、蛍光体の輝度を増加させる研究が進められてい
る。
体を除外した他色を示す蛍光体の輝度を向上させるため
に研究を進めていたところ本発明を完成した。
圧用蛍光体の酸化が防止できて、蛍光体の表面電荷を低
下させ得る金属を添加することで蛍光体の輝度を高め得
る低電圧用高輝度蛍光体及びその製造方法を提供するこ
とにある。
めに本発明は、(ZnCd)S系列又はZnS系列蛍光
体と、蛍光体の酸化を防止して蛍光体の表面電荷を減少
させ得る金属とを含む低電圧用高輝度蛍光体を提供す
る。
e)に(ZnCd)S系列又はZnS系列蛍光体粉末を
添加して混合し、前記混合物に蛍光体の酸化を防止して
蛍光体の表面電荷を減少させ得る金属を添加する工程を
含む低電圧用高輝度蛍光体の製造方法を提供する。
ある。
Cd)S系列又はZnS系列蛍光体と、蛍光体の酸化を
防止して蛍光体の表面電荷を減少させ得る金属とを含
む。
電荷を減少させ得る金属は、Zn粉末を使用することが
でき、0.1〜10μmの直径を有して純度95%以上
のZn金属粉末が望ましい。
造方法は次の通りである。
チルカルビトールアセテート(butylcarbitol acetat
e)、テルピネオール(terpineol) を混合して攪拌し、蛍
光体ペーストを製造するのに使用されるビヒクルを製造
する。このビヒクル10〜70重量%に(ZnCd)S
系列又はZnS系列蛍光体粉末を30〜90重量%添加
して混合する。前記(ZnCd)S系列蛍光体はどんな
ものでも使用できる。例えば、(Zn0.9Cd0.1)S:Ag,Cl と
In2O3 の混合物及び(Zn0.5Cd0.5)S:Ag,Cl とIn2O3 の混
合物、(Zn0.8Cd0.2)S:Ag,Cl とIn2O3 の混合物及び(Zn
0.4Cd0.6)S:Ag,ClとIn2O3 の混合物、(Zn0.3Cd0.7)S:A
g,Cl とIn2O3 の混合物及び(Zn0.22Cd0.78)S:Ag,Cl とI
n2O3 の混合物より成るグループの中から、選択される
ものが使用できる。また、前記ZnS系列蛍光体はZnS:
ZnとIn2O3 の混合物又はZnS:Cu,Al とIn2O3 の混合物が
使用できる。前記混合物に蛍光体の酸化を防止して蛍光
体の表面電荷を減少させ得る金属を前記全体蛍光体重量
対比0.01〜10.0重量%添加した後、低電圧用高
輝度蛍光体を製造する。前記の添加工程はビヒクル内に
金属粉末を添加して攪拌するか、蛍光体又は蛍光体とIn
2O3 との混合物に湿式分散を通じて金属粉末が添加でき
る。
を防止して蛍光体の表面電荷を減少させ得る金属はZn
粉末が使用でき、0.1〜10μmの直径を有して純度
95%以上のZn金属粉末が望ましい。
する工程の中の焼成工程でZn粒子が酸素と反応して、
酸化することにより蛍光体母体を酸化から保護して蛍光
体表面にZnが拡散し、蛍光体の表面電荷を低くして熱
電子の入射効率を増加させ得る。従って、蛍光体の輝度
が増加する効果が現れる。
を記載する。しかし、下記の実施例は本発明の望ましい
一実施例にすぎず、本発明は下記の実施例に限られな
い。
ルビトルアセテート、テルピネオールを混合攪拌してビ
ヒクルを製造した。このビヒクル40重量%と(Zn0.22Cd
0.79)S:Ag,Cl 及びIn2O3 の組成を有する蛍光体粉末59
重量%を混合した。前記混合物にバインダー内で攪拌し
ながら0.5μm直径を有する純度95%のZn金属粉
末を前記蛍光体重量対比1.0重量%添加して低電圧用
蛍光体を製造した。
ルビトルアセテート、テルピネオールを混合攪拌してビ
ヒクルを製造した。このビヒクル40重量%と(Zn0.22Cd
0.79)S:Ag,Cl 及びIn2O3 の組成を有する蛍光体粉末60
重量%を混合して低電圧用蛍光体を製造した。
て製造された蛍光体を用いて駆動電圧が20〜40VのVF
Dを製造した後、輝度及び発光効率を測定してその結果
を下記の表1に示した。
テート、テルピネオールを混合攪拌してビヒクルを製造
した。このビヒクル40重量%と(Zn0.3Cd0.7)S:Ag,Cl 及
びIn2O3 の組成を有する蛍光体粉末59%を混合した。前
記混合物をババインダー内で攪拌しながら0.5μm直
径を有する純度95%のZn金属粉末を前記蛍光体重量
対比1.0重量%の量で添加して低電圧用蛍光体を製造
した。
ルビトルアセテート、テルピネオールを混合攪拌してビ
ヒクルを製造した。このビヒクル40重量%と(Zn0.3Cd
0.7)S:Au,Al 及びIn2O3 の組成を有する蛍光体粉末60重
量%を混合して低電圧用蛍光体を製造した。
て製造された蛍光体を用いて前記実施例1及び比較例1
のVFDより12〜15V程より低い駆動電圧を有するVF
Dを製造した後、輝度及び発光効率を測定してその結果
を下記の表2に示した。
蛍光体は従来の蛍光体よりも輝度及び発光効率が2〜4
倍向上した。また、発光開始電圧も2V程度低い。
高輝度蛍光体及びその製造方法によると、従来の蛍光体
よりも輝度及び発光効率を向上させ得るだけではなく、
発光開始電圧も低下させられる。
Claims (7)
- 【請求項1】 (ZnCd)S系列又はZnS系列蛍光
体と、蛍光体の酸化を防止して蛍光体の表面電荷を減少
させ得る金属とを含むことを特徴とする低電圧用高輝度
蛍光体。 - 【請求項2】 前記金属はZnであることを特徴とす
る、請求項1に記載の低電圧用高輝度蛍光体。 - 【請求項3】 前記金属は、0.1〜10μmの直径を
有して、純度95%以上のZnであることを特徴とす
る、請求項2に記載の低電圧用高輝度蛍光体。 - 【請求項4】 ビヒクルに(ZnCd)S系列又はZn
S系列蛍光体粉末を添加して混合する工程と、前記混合
物に蛍光体の酸化を防止して蛍光体の表面電荷を減少さ
せ得る金属を添加する工程とを含むことを特徴とする、
低電圧用高輝度蛍光体の製造方法。 - 【請求項5】 前記金属はZnであることを特徴とす
る、請求項4に記載の低電圧用高輝度蛍光体の製造方
法。 - 【請求項6】 前記金属は、0.1〜10μmの直径を
有する純度95%以上のZnであることを特徴とする、
請求項5に記載の低電圧用高輝度蛍光体の製造方法。 - 【請求項7】 前記金属の添加量は、前記蛍光体の重量
に対して0.01〜10.0重量%であることを特徴と
する、請求項4に記載の低電圧用高輝度蛍光体の製造方
法。
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