JPH11238333A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JPH11238333A JPH11238333A JP3830698A JP3830698A JPH11238333A JP H11238333 A JPH11238333 A JP H11238333A JP 3830698 A JP3830698 A JP 3830698A JP 3830698 A JP3830698 A JP 3830698A JP H11238333 A JPH11238333 A JP H11238333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- magnetic
- spindle
- spindle hub
- elastic body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Holding Or Fastening Of Disk On Rotational Shaft (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 複数枚の磁気ディスクおよびスペーサリング
と,前記スピンドルハブの一方の端部に装着され前記積
層された複数枚の磁気ディスクの一方の端面を押圧し保
持する円盤状のクランプリングと,前記スピンドルハブ
を軸受を介して回転自在に支持するスピンドル軸とを備
えてなるスピンドル組立体を有し、前記各磁気ディスク
に対向して装備された複数の磁気ヘッドと、当該各磁気
ヘッドを個別に支持する複数のホルダアームと、前記磁
気ヘッドをホルダアームを介して移動せしめる駆動コイ
ル部とを備えた磁気ディスク装置において、前記クラン
プリング、前記スピンドルハブの他端部に設けられた磁
気ディスク受け部、前記スペーサリングのいずれかの少
なくとも一部が、高分子弾性体でできていることを特徴
とする磁気ディスク装置。 【発明の効果】本発明によれば、磁気ディスク受け部、
スペーサリングの少なくとも一部を高分子弾性体にする
ことにより、ディスク振動を低減することができ、高ト
ラック密度の磁気ディスク装置を提供することができ
る。
と,前記スピンドルハブの一方の端部に装着され前記積
層された複数枚の磁気ディスクの一方の端面を押圧し保
持する円盤状のクランプリングと,前記スピンドルハブ
を軸受を介して回転自在に支持するスピンドル軸とを備
えてなるスピンドル組立体を有し、前記各磁気ディスク
に対向して装備された複数の磁気ヘッドと、当該各磁気
ヘッドを個別に支持する複数のホルダアームと、前記磁
気ヘッドをホルダアームを介して移動せしめる駆動コイ
ル部とを備えた磁気ディスク装置において、前記クラン
プリング、前記スピンドルハブの他端部に設けられた磁
気ディスク受け部、前記スペーサリングのいずれかの少
なくとも一部が、高分子弾性体でできていることを特徴
とする磁気ディスク装置。 【発明の効果】本発明によれば、磁気ディスク受け部、
スペーサリングの少なくとも一部を高分子弾性体にする
ことにより、ディスク振動を低減することができ、高ト
ラック密度の磁気ディスク装置を提供することができ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に係り、とくにディスクの回転が高速度である磁気ディ
スク装置に関する。
に係り、とくにディスクの回転が高速度である磁気ディ
スク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、この種の磁気ディスク装置
は、磁気ヘッドをロータリ型キャリッジに実装し、磁気
ディスクが高速回転するにつれて発生する空気圧によっ
て微小間隙で磁気ヘッドを浮上させ、磁気的記録の読み
書きを実行している。この磁気ディスク装置のキャリッ
ジは、サーボヘッドによって磁気ディスク上から読み出
される位置決め情報に基づいてサーボループをくみ、こ
れによって位置決めを高精度に行う機能を備えている。
は、磁気ヘッドをロータリ型キャリッジに実装し、磁気
ディスクが高速回転するにつれて発生する空気圧によっ
て微小間隙で磁気ヘッドを浮上させ、磁気的記録の読み
書きを実行している。この磁気ディスク装置のキャリッ
ジは、サーボヘッドによって磁気ディスク上から読み出
される位置決め情報に基づいてサーボループをくみ、こ
れによって位置決めを高精度に行う機能を備えている。
【0003】一方、昨今にあって、磁気ディスク装置
は、小型化,高速化および大容量化が加速的に進み、そ
れに伴って記録密度も飛躍的に伸びている。この記録密
度を向上させる方法としては、トラックのビット密度を
上げる方法、トラック幅を小さくしてトラック密度を上
げる方法等がある。最近では、このトラック幅は、例え
ば2μmを切るところまで小さくなっており、かかる点
において上述した位置決め精度の向上が極めて重要な課
題となっている。
は、小型化,高速化および大容量化が加速的に進み、そ
れに伴って記録密度も飛躍的に伸びている。この記録密
度を向上させる方法としては、トラックのビット密度を
上げる方法、トラック幅を小さくしてトラック密度を上
げる方法等がある。最近では、このトラック幅は、例え
ば2μmを切るところまで小さくなっており、かかる点
において上述した位置決め精度の向上が極めて重要な課
題となっている。
【0004】従来より、磁気ディスク装置では、スピン
ドル軸71の両端が基板200に固定され、このスピン
ドル軸71に、スピンドルハブ72及び軸受73A,7
3Bを介して磁気ディスク100が回転支持されるよう
になっている(図1〜図2参照)。一方、この磁気ディ
スク100に対応して装備された複数の磁気ヘッド80
は、複数のホルダアーム81に支持されている。この各
ホルダアーム81は円筒状のアーム支持部82に支持さ
れている。
ドル軸71の両端が基板200に固定され、このスピン
ドル軸71に、スピンドルハブ72及び軸受73A,7
3Bを介して磁気ディスク100が回転支持されるよう
になっている(図1〜図2参照)。一方、この磁気ディ
スク100に対応して装備された複数の磁気ヘッド80
は、複数のホルダアーム81に支持されている。この各
ホルダアーム81は円筒状のアーム支持部82に支持さ
れている。
【0005】また、アーム支持部82は、軸受83A,
83Bを介してヘッド回転軸84に回転自在に支持され
ている。このアーム支持部82は、前述した磁気ヘッド
80が磁気ディスク100のディスク面上を半径方向に
そって往復移動し得るように、ホルダアーム81の反対
側に配設された揺動駆動手段85によって、高速で揺動
回転駆動されるようになっている。また、複数の磁気ヘ
ッド80は、その内の一つが位置決め用のサーボヘッド
80aを構成し、他の複数個が全てデータ読み書き用の
データヘッド80bを構成している。これに対応して各
ホルダアーム81としては、サーボアーム81A及びデ
ータアーム81Bを備えている。
83Bを介してヘッド回転軸84に回転自在に支持され
ている。このアーム支持部82は、前述した磁気ヘッド
80が磁気ディスク100のディスク面上を半径方向に
そって往復移動し得るように、ホルダアーム81の反対
側に配設された揺動駆動手段85によって、高速で揺動
回転駆動されるようになっている。また、複数の磁気ヘ
ッド80は、その内の一つが位置決め用のサーボヘッド
80aを構成し、他の複数個が全てデータ読み書き用の
データヘッド80bを構成している。これに対応して各
ホルダアーム81としては、サーボアーム81A及びデ
ータアーム81Bを備えている。
【0006】ここで、前述した磁気ディスク100がそ
のデータ面に位置決め情報を持つ場合には、複数の磁気
ヘッド80は上記のようなサーボヘッドとデータヘッド
の区別はなく、データヘッドがサーボヘッドの機能を果
たし得るようになっている。かかる手法の位置決め方式
は、一般にセクターサーボ方式と呼ばれている。
のデータ面に位置決め情報を持つ場合には、複数の磁気
ヘッド80は上記のようなサーボヘッドとデータヘッド
の区別はなく、データヘッドがサーボヘッドの機能を果
たし得るようになっている。かかる手法の位置決め方式
は、一般にセクターサーボ方式と呼ばれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、コンピュー
タの高速大容量化が加速する中で、データの高転送レー
ト化に伴って、スピンドル軸71の回転数は、従来の3
600rpmから5400rpm,更には7200rp
mと高速回転になっている。この回転数のアップによっ
てディスクの振動、特に回転に同期していない振動(以
下フラッターと言う)が大きくなり、そのためにトラッ
キングサーボが十分に達成できないという問題があっ
た。かかる課題への対策としては、特開平7−2203
51号公報記載の方法等がなされているが、フラッター
の減少にはまだ十分ではない。そこで本発明は、かかる
問題を改善し、ディスクのフラッターを低減し、高トラ
ック密度の磁気ディスク装置を提供することを、その目
的とする。
タの高速大容量化が加速する中で、データの高転送レー
ト化に伴って、スピンドル軸71の回転数は、従来の3
600rpmから5400rpm,更には7200rp
mと高速回転になっている。この回転数のアップによっ
てディスクの振動、特に回転に同期していない振動(以
下フラッターと言う)が大きくなり、そのためにトラッ
キングサーボが十分に達成できないという問題があっ
た。かかる課題への対策としては、特開平7−2203
51号公報記載の方法等がなされているが、フラッター
の減少にはまだ十分ではない。そこで本発明は、かかる
問題を改善し、ディスクのフラッターを低減し、高トラ
ック密度の磁気ディスク装置を提供することを、その目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明では、円筒状で他
端部に鍔状の磁気ディスク受け部が設けられたスピンド
ルハブと,このスピンドルハブの外周に交互に積層され
た複数枚の磁気ディスク及びスペーサリングと,スピン
ドルハブの一方の端部に装着され且つ積層された複数枚
の磁気ディスクの一方の端面を押圧し保持する円盤状の
クランプリングと,スピンドルハブを軸受を介して回転
自在に支持するスピンドル軸とを備えたスピンドル組立
体を有している。又、各磁気ディスクに対向して装備さ
れた複数の磁気ヘッドと,当該各磁気ヘッドを個別に支
持する複数のホルダアームと,磁気ヘッドをホルダアー
ムを介して移動せしめる駆動コイル部とを備えている。
端部に鍔状の磁気ディスク受け部が設けられたスピンド
ルハブと,このスピンドルハブの外周に交互に積層され
た複数枚の磁気ディスク及びスペーサリングと,スピン
ドルハブの一方の端部に装着され且つ積層された複数枚
の磁気ディスクの一方の端面を押圧し保持する円盤状の
クランプリングと,スピンドルハブを軸受を介して回転
自在に支持するスピンドル軸とを備えたスピンドル組立
体を有している。又、各磁気ディスクに対向して装備さ
れた複数の磁気ヘッドと,当該各磁気ヘッドを個別に支
持する複数のホルダアームと,磁気ヘッドをホルダアー
ムを介して移動せしめる駆動コイル部とを備えている。
【0009】クランプリング、スピンドルハブの他端部
に設けられた磁気ディスク受け部、スペーサリングの少
なくとも一部が高分子弾性体でできており、そのダンピ
ング効果により、ディスクのフラッターを低減しようと
いうものである。高分子弾性体とクラップリング、スピ
ンドルハブの他端部に設けられた磁気ディスク受け部、
スペーサリングを構成する他の構造体とは一体である必
要はなく、単に接触してあるだけでも同様の効果が達成
される。
に設けられた磁気ディスク受け部、スペーサリングの少
なくとも一部が高分子弾性体でできており、そのダンピ
ング効果により、ディスクのフラッターを低減しようと
いうものである。高分子弾性体とクラップリング、スピ
ンドルハブの他端部に設けられた磁気ディスク受け部、
スペーサリングを構成する他の構造体とは一体である必
要はなく、単に接触してあるだけでも同様の効果が達成
される。
【0010】図3に本発明によるスペーサリング部の一
例を示す。金属製のスペーサリング74とディスク10
0との間に高分子弾性体300が挿入されている。こう
することにより、フラッターの低減と同時に、シリコン
基板等破損しやすい基板の破損防止の機能もはたすこと
ができる。図4に本発明によるスペーサリング部の他の
一例をしめす。スペーサリングの内周部74が金属製、
外周部301が高分子弾性体でできている。こうするこ
とにより、内周の金属部でディスク間隔を正確に保ちな
がら、外周の高分子弾性体部でフラッターを低減するこ
とが可能である。使用される高分子弾性体のダンピング
効率は、損失係数tanδ(E”/E’:E”は動的損
失弾性率、E’は動的貯蔵弾性率)によって表わされ、
tanδは25℃、100Hzにおいて、0.01以上
であることが望ましい。
例を示す。金属製のスペーサリング74とディスク10
0との間に高分子弾性体300が挿入されている。こう
することにより、フラッターの低減と同時に、シリコン
基板等破損しやすい基板の破損防止の機能もはたすこと
ができる。図4に本発明によるスペーサリング部の他の
一例をしめす。スペーサリングの内周部74が金属製、
外周部301が高分子弾性体でできている。こうするこ
とにより、内周の金属部でディスク間隔を正確に保ちな
がら、外周の高分子弾性体部でフラッターを低減するこ
とが可能である。使用される高分子弾性体のダンピング
効率は、損失係数tanδ(E”/E’:E”は動的損
失弾性率、E’は動的貯蔵弾性率)によって表わされ、
tanδは25℃、100Hzにおいて、0.01以上
であることが望ましい。
【0011】以下熱硬化型弾性体についてくわしく説明
する。熱硬化型弾性体は二液硬化型の樹脂であり、例示
すればフェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、NCO基とOH基および/またはアミノ基と
の反応を利用したポリウレタン等が挙げられる。この中
で特に熱硬化性ポリウレタンが好適であり、例えばポリ
エーテル系ポリウレタン、ポリエステル系ポリウレタ
ン、アクリル系ウレタン、ポリカーボネート系ポリウレ
タンが代表的である。
する。熱硬化型弾性体は二液硬化型の樹脂であり、例示
すればフェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、NCO基とOH基および/またはアミノ基と
の反応を利用したポリウレタン等が挙げられる。この中
で特に熱硬化性ポリウレタンが好適であり、例えばポリ
エーテル系ポリウレタン、ポリエステル系ポリウレタ
ン、アクリル系ウレタン、ポリカーボネート系ポリウレ
タンが代表的である。
【0012】これらのうち特に好ましいものとしては、
主たる成分が有機ジイソシアネート、高分子ジオール、
鎖延長剤とからなる熱硬化性ポリウレタンであることで
あり、有機ジイソシアネートと高分子ジオールとからな
るNCO基末端ウレタンプレポリマーと炭素数2から1
0のグリコール、および/または3価以上の多価アルコ
ール成分、さらに必要に応じて高分子ジオールを含有す
る鎖延長剤とからなる熱硬化性ポリウレタンであり、有
機ジイソシアネートと高分子ジオールとからなる水酸基
末端ウレタンプレポリマーに架橋剤として多官能ポリイ
ソシアネート化合物を配合してなる熱硬化性ポリウレタ
ンであり、有機ジイソシアネートと高分子ジオールとか
らなるNCO基末端ウレタンプレポリマーと3,3’−
ジクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタンおよび
/または炭素数2から10のグリコール、さらに必要に
応じてポリテトラメチレンエーテルグリコールを含有す
る硬化剤とからなる熱硬化性ポリウレタンであることで
ある。
主たる成分が有機ジイソシアネート、高分子ジオール、
鎖延長剤とからなる熱硬化性ポリウレタンであることで
あり、有機ジイソシアネートと高分子ジオールとからな
るNCO基末端ウレタンプレポリマーと炭素数2から1
0のグリコール、および/または3価以上の多価アルコ
ール成分、さらに必要に応じて高分子ジオールを含有す
る鎖延長剤とからなる熱硬化性ポリウレタンであり、有
機ジイソシアネートと高分子ジオールとからなる水酸基
末端ウレタンプレポリマーに架橋剤として多官能ポリイ
ソシアネート化合物を配合してなる熱硬化性ポリウレタ
ンであり、有機ジイソシアネートと高分子ジオールとか
らなるNCO基末端ウレタンプレポリマーと3,3’−
ジクロロ−4,4’−ジアミノジフェニルメタンおよび
/または炭素数2から10のグリコール、さらに必要に
応じてポリテトラメチレンエーテルグリコールを含有す
る硬化剤とからなる熱硬化性ポリウレタンであることで
ある。
【0013】本発明で用いる有機ジイソシアネートとし
ては4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、
2,2’−および2,4’−ジフェニルメタンジイソシ
アネート異性体混合物、カルボジイミド変性ジフェニル
メタンジイソシアネート、2,4−もしくは2,6−ト
リレンジイソシアネート、パラフェニレンジイソシアネ
ート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、トリジン
ジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート、キシリ
レンジイソシアネート、α,α,α’,α’−テトラメ
チルキシリレンジイソシアネート等の芳香環を有する脂
肪族ジイソシアネート、リジンジイソシアネート、2,
2,4−もしくは2,4,4−トリメチルヘキサメチレ
ンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシ
アネート等の脂肪族ジイソシアネート、1,4−シクロ
ヘキサンジイソシアネート、メチルシクロヘキサンジイ
ソシアネート(水添TDI)、1−イソシアネート−3
−イソシアネートメチル−3,5,5−トリメチルシク
ロヘキサン(IPDI)、4,4’−ジシクロヘキシル
メタンジイソシアネート等の脂環族ジイソシアネート等
が例示される。中でも、物性、コストの点から4,4’
−ジフェニルメタンジイソシアネートが最も好ましい。
また、これに準じて2,2’−および2,4’−ジフェ
ニルメタンジイソシアネート異性体混合物、カルボジイ
ミド変性ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4−
もしくは2,6−トリレンジイソシアネートを用いた場
合にも同様の効果が期待される。これらは単独使用でも
2種以上の併用でもよい。
ては4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、
2,2’−および2,4’−ジフェニルメタンジイソシ
アネート異性体混合物、カルボジイミド変性ジフェニル
メタンジイソシアネート、2,4−もしくは2,6−ト
リレンジイソシアネート、パラフェニレンジイソシアネ
ート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、トリジン
ジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート、キシリ
レンジイソシアネート、α,α,α’,α’−テトラメ
チルキシリレンジイソシアネート等の芳香環を有する脂
肪族ジイソシアネート、リジンジイソシアネート、2,
2,4−もしくは2,4,4−トリメチルヘキサメチレ
ンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシ
アネート等の脂肪族ジイソシアネート、1,4−シクロ
ヘキサンジイソシアネート、メチルシクロヘキサンジイ
ソシアネート(水添TDI)、1−イソシアネート−3
−イソシアネートメチル−3,5,5−トリメチルシク
ロヘキサン(IPDI)、4,4’−ジシクロヘキシル
メタンジイソシアネート等の脂環族ジイソシアネート等
が例示される。中でも、物性、コストの点から4,4’
−ジフェニルメタンジイソシアネートが最も好ましい。
また、これに準じて2,2’−および2,4’−ジフェ
ニルメタンジイソシアネート異性体混合物、カルボジイ
ミド変性ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4−
もしくは2,6−トリレンジイソシアネートを用いた場
合にも同様の効果が期待される。これらは単独使用でも
2種以上の併用でもよい。
【0014】本発明に用いる高分子ジオール成分として
はポリウレタン製造に通常用いられているものが使用で
き、例えばポリエーテルジオール、ポリエステルジオー
ル、ポリエーテルエステルジオール、ポリオレフィンポ
リオール、ポリカーボネートジオールおよびこれら2種
類以上の混合物が挙げられる。例えば、ポリエーテルジ
オールとしては、アルキレンオキシドを単独または共重
合させて得られるもの、例えばポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンエ
ーテルグリコール、ポリエチレンプロピレングリコー
ル、ポリヘキサメチレンエーテルグリコール、ポリオク
タメチレンエーテルグリコール等が挙げられる。中でも
ポリテトラメチレンエーテルグリコールが好ましい。
はポリウレタン製造に通常用いられているものが使用で
き、例えばポリエーテルジオール、ポリエステルジオー
ル、ポリエーテルエステルジオール、ポリオレフィンポ
リオール、ポリカーボネートジオールおよびこれら2種
類以上の混合物が挙げられる。例えば、ポリエーテルジ
オールとしては、アルキレンオキシドを単独または共重
合させて得られるもの、例えばポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンエ
ーテルグリコール、ポリエチレンプロピレングリコー
ル、ポリヘキサメチレンエーテルグリコール、ポリオク
タメチレンエーテルグリコール等が挙げられる。中でも
ポリテトラメチレンエーテルグリコールが好ましい。
【0015】ポリエステルジオールとしてはジカルボン
酸(コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、
フマル酸、マレイン酸、フタル酸等)またはそれらの無
水物とグリコール(エチレングリコール、ジエチレング
リコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコ
ール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオー
ル、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオー
ル、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ネオペン
チルグリコール、2−メチル−1,3−プロパンジオー
ル、2−メチル−2−プロピル−1,3−プロパンジオ
ール、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオ
ール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジ
オール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,
2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオール、2−
エチル−1,3−ヘキサンジオール、2,5−ジメチル
−2,5−ヘキサンジオール、2−ブチル−2−ヘキシ
ル−1,3−プロパンジオール、1,8−オクタンジオ
ール、2−メチル−1,8−オクタンジオール、1,9
−ノナンジオール等の脂肪族グリコール、ビスヒドロキ
シメチルシクロヘキサン等の脂環族グリコール、キシリ
レングリコール、ビスヒドロキシエトキシベンゼン等の
芳香環を有するグリコール、C1〜18アルキルジエタ
ノールアミン等のアルキルジアルカノールアミン等)と
を重縮合させて得られたもの、例えばポリエチレンアジ
ペート、ポリブチレンアジペート、ポリヘキサメチレン
アジペート、ポリエチレンプロピレンアジペート等、ま
たは前記グリコール類を開始剤として用いて1種または
2種以上のラクトンを開環重合して得られるポリラクト
ンジオール例えばポリカプロラクトンジオール、ポリメ
チルバレロラクトンジオール等が挙げられる。
酸(コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、
フマル酸、マレイン酸、フタル酸等)またはそれらの無
水物とグリコール(エチレングリコール、ジエチレング
リコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコ
ール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオー
ル、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオー
ル、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ネオペン
チルグリコール、2−メチル−1,3−プロパンジオー
ル、2−メチル−2−プロピル−1,3−プロパンジオ
ール、2−ブチル−2−エチル−1,3−プロパンジオ
ール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジ
オール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,
2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオール、2−
エチル−1,3−ヘキサンジオール、2,5−ジメチル
−2,5−ヘキサンジオール、2−ブチル−2−ヘキシ
ル−1,3−プロパンジオール、1,8−オクタンジオ
ール、2−メチル−1,8−オクタンジオール、1,9
−ノナンジオール等の脂肪族グリコール、ビスヒドロキ
シメチルシクロヘキサン等の脂環族グリコール、キシリ
レングリコール、ビスヒドロキシエトキシベンゼン等の
芳香環を有するグリコール、C1〜18アルキルジエタ
ノールアミン等のアルキルジアルカノールアミン等)と
を重縮合させて得られたもの、例えばポリエチレンアジ
ペート、ポリブチレンアジペート、ポリヘキサメチレン
アジペート、ポリエチレンプロピレンアジペート等、ま
たは前記グリコール類を開始剤として用いて1種または
2種以上のラクトンを開環重合して得られるポリラクト
ンジオール例えばポリカプロラクトンジオール、ポリメ
チルバレロラクトンジオール等が挙げられる。
【0016】ポリエーテルエステルジオールとしてはエ
ーテル基含有ジオールもしくは他のグリコールとの混合
物を前記ジカルボン酸またはそれらの無水物と反応させ
るか、またはポリエステルグリコールにアルキレンオキ
シドを反応させることによって得られるもの、例えばポ
リ(ポリテトラメチレンエーテル)アジペート等が挙げ
られる。ポリオレフィンポリオールとしては、水素添加
型ポリブタジエンポリオール、水素添加型ポリイソプレ
ンポリオール、ポリブタジエンポリオール等が挙げられ
る。
ーテル基含有ジオールもしくは他のグリコールとの混合
物を前記ジカルボン酸またはそれらの無水物と反応させ
るか、またはポリエステルグリコールにアルキレンオキ
シドを反応させることによって得られるもの、例えばポ
リ(ポリテトラメチレンエーテル)アジペート等が挙げ
られる。ポリオレフィンポリオールとしては、水素添加
型ポリブタジエンポリオール、水素添加型ポリイソプレ
ンポリオール、ポリブタジエンポリオール等が挙げられ
る。
【0017】ポリカーボネートジオールとしては、前記
グリコールまたは各種高分子ジオール類とジメチルカー
ボネート、ジエチルカーボネート、ジフェニルカーボネ
ート、エチレンカーボネート等とから、脱アルコールま
たは脱グリコール反応によって得られるもの、例えばポ
リ(1,6−ヘキシレン)カーボネート、ポリ(3−メ
チル−1,5−ペンチレン)カーボネート等が挙げられ
る。
グリコールまたは各種高分子ジオール類とジメチルカー
ボネート、ジエチルカーボネート、ジフェニルカーボネ
ート、エチレンカーボネート等とから、脱アルコールま
たは脱グリコール反応によって得られるもの、例えばポ
リ(1,6−ヘキシレン)カーボネート、ポリ(3−メ
チル−1,5−ペンチレン)カーボネート等が挙げられ
る。
【0018】高分子ジオールの数平均分子量は通常50
0〜6000、好ましくは650〜3000である。さ
らに好ましくは、1000〜2000である。高分子ポ
リオールの数平均分子量が500未満の場合には、得ら
れる熱硬化性ポリウレタンの伸度が低下する可能性があ
る。また、6000を越える場合には、得られる熱硬化
性ポリウレタンの耐摩耗性、耐熱性が低下する可能性が
ある。鎖延長剤としては、ポリエステルポリオールの原
料として用いられる炭素数2から10の低分子ジオール
化合物、例えばエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、1,4−ブタンジオール等の脂肪族グリコール、
キシリレングリコール、ビスヒドロキシエトキシベンゼ
ン等の芳香族グリコールといったグリコール類が挙げら
れ、中でも1,4−ブタンジオールが好ましい。
0〜6000、好ましくは650〜3000である。さ
らに好ましくは、1000〜2000である。高分子ポ
リオールの数平均分子量が500未満の場合には、得ら
れる熱硬化性ポリウレタンの伸度が低下する可能性があ
る。また、6000を越える場合には、得られる熱硬化
性ポリウレタンの耐摩耗性、耐熱性が低下する可能性が
ある。鎖延長剤としては、ポリエステルポリオールの原
料として用いられる炭素数2から10の低分子ジオール
化合物、例えばエチレングリコール、プロピレングリコ
ール、1,4−ブタンジオール等の脂肪族グリコール、
キシリレングリコール、ビスヒドロキシエトキシベンゼ
ン等の芳香族グリコールといったグリコール類が挙げら
れ、中でも1,4−ブタンジオールが好ましい。
【0019】3価以上の多価アルコールとしては、グリ
セリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパ
ン、1,2,6−ヘキサントリオール、1,2,4−ブ
タントリオール、ソルビトール、ペンタエリスリトール
等が挙げられる。この場合、用いる3価以上の多価アル
コールはグリコールの50mol%以下とするのが望ま
しい。用いる3価以上の多価アルコールが50mol%
以上の場合、得られる熱硬化性ポリウレタンの伸度が低
下する等の問題を生じる可能性がある。
セリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパ
ン、1,2,6−ヘキサントリオール、1,2,4−ブ
タントリオール、ソルビトール、ペンタエリスリトール
等が挙げられる。この場合、用いる3価以上の多価アル
コールはグリコールの50mol%以下とするのが望ま
しい。用いる3価以上の多価アルコールが50mol%
以上の場合、得られる熱硬化性ポリウレタンの伸度が低
下する等の問題を生じる可能性がある。
【0020】また、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジ
アミノジフェニルメタン(MOCA)を用いた場合にも
同様の効果が期待できる。さらに、その他の低分子ジア
ミン化合物、例えば、2,4−もしくは2,6−トリレ
ンジアミン、キシリレンジアミン、4,4’−ジフェニ
ルメタンジアミン等の芳香族ジアミン、エチレンジアミ
ン、1,2−プロピレンジアミン、1,6−ヘキサンジ
アミン、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジアミ
ン、2−メチル−1,5−ペンタンジアミン、2,2,
4−もしくは2,4,4−トリメチルヘキサンジアミ
ン、等の脂肪族ジアミン、1−アミノ−3−アミノメチ
ル−3,5,5−トリメチルシクロヘキサン(IPD
A)、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジアミン(水
添MDA)、イソプロピリデンシクロヘキシル−4,
4’−ジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、
1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン、トリシクロ
デカンジアミン等の脂環族ジアミン等を用いることも可
能である。
アミノジフェニルメタン(MOCA)を用いた場合にも
同様の効果が期待できる。さらに、その他の低分子ジア
ミン化合物、例えば、2,4−もしくは2,6−トリレ
ンジアミン、キシリレンジアミン、4,4’−ジフェニ
ルメタンジアミン等の芳香族ジアミン、エチレンジアミ
ン、1,2−プロピレンジアミン、1,6−ヘキサンジ
アミン、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジアミ
ン、2−メチル−1,5−ペンタンジアミン、2,2,
4−もしくは2,4,4−トリメチルヘキサンジアミ
ン、等の脂肪族ジアミン、1−アミノ−3−アミノメチ
ル−3,5,5−トリメチルシクロヘキサン(IPD
A)、4,4’−ジシクロヘキシルメタンジアミン(水
添MDA)、イソプロピリデンシクロヘキシル−4,
4’−ジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、
1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン、トリシクロ
デカンジアミン等の脂環族ジアミン等を用いることも可
能である。
【0021】本発明において、熱硬化性ポリウレタンは
次のような方法で製造できる。例えば、有機ジイソシア
ネートと高分子ジオール、場合により鎖延長剤の一部と
をイソシアネート基過剰のモル比で反応させて末端NC
O基プレポリマー(A液)をつくり、次いで鎖延長剤
(B液)と反応させ高分子量化するプレポリマー法、上
記末端NCO基プレポリマーと有機ジイソシアネートと
の混合物(A液)を鎖延長剤剤(B液)と反応させ高分
子量化するセミワンショット法、有機ジイソシアネー
ト、高分子ジオール、鎖延長剤を一括で反応するワンシ
ョット法等である。また、プレポリマー法において有機
ジイソシアネートと高分子ジオール、場合により鎖延長
剤の一部とを水酸基過剰のモル比で反応させて末端水酸
基プレポリマー(B液)をつくり、次いで多官能ポリイ
ソシアネート化合物(A液)と反応させることによって
も製造することができる。
次のような方法で製造できる。例えば、有機ジイソシア
ネートと高分子ジオール、場合により鎖延長剤の一部と
をイソシアネート基過剰のモル比で反応させて末端NC
O基プレポリマー(A液)をつくり、次いで鎖延長剤
(B液)と反応させ高分子量化するプレポリマー法、上
記末端NCO基プレポリマーと有機ジイソシアネートと
の混合物(A液)を鎖延長剤剤(B液)と反応させ高分
子量化するセミワンショット法、有機ジイソシアネー
ト、高分子ジオール、鎖延長剤を一括で反応するワンシ
ョット法等である。また、プレポリマー法において有機
ジイソシアネートと高分子ジオール、場合により鎖延長
剤の一部とを水酸基過剰のモル比で反応させて末端水酸
基プレポリマー(B液)をつくり、次いで多官能ポリイ
ソシアネート化合物(A液)と反応させることによって
も製造することができる。
【0022】本発明における多官能ポリイソシアネート
化合物としては、例えば2,4−もしくは2,6−トリ
レンジイソシアネート(TDI)、1,6−ヘキサメチ
レンジイソシアネート(HMDI)またはイソホロンジ
イソシアネート(IPDI)などといった有機ジイソシ
アネート3モルとトリメチロールプロパン1モルとから
合成されるアダクト体、2,4−もしくは2,6−TD
I、HMDIまたはIPDI等のイソシアネート基の環
状三量化によって合成されるイソシアヌレート体、水1
モルとHMDI3モルから合成される部分ビュレット反
応物等が挙げられる。これらは単独で用いるかまたは、
2種以上の混合物で用いることができる。
化合物としては、例えば2,4−もしくは2,6−トリ
レンジイソシアネート(TDI)、1,6−ヘキサメチ
レンジイソシアネート(HMDI)またはイソホロンジ
イソシアネート(IPDI)などといった有機ジイソシ
アネート3モルとトリメチロールプロパン1モルとから
合成されるアダクト体、2,4−もしくは2,6−TD
I、HMDIまたはIPDI等のイソシアネート基の環
状三量化によって合成されるイソシアヌレート体、水1
モルとHMDI3モルから合成される部分ビュレット反
応物等が挙げられる。これらは単独で用いるかまたは、
2種以上の混合物で用いることができる。
【0023】本発明における熱硬化性ポリウレタンの製
造は、無溶剤で行うこともできるし、有機溶剤の存在下
で行うことも可能である。この際使用される溶剤はアセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル類、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
類、クロルベンゼン、トリクレン、パークレン等のハロ
ゲン化炭化水素およびそれらの2種以上の混合物が挙げ
られる。活性水素を有するアルコール類等はイソシアネ
ート基と反応するため好ましくない。
造は、無溶剤で行うこともできるし、有機溶剤の存在下
で行うことも可能である。この際使用される溶剤はアセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル類、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル
類、クロルベンゼン、トリクレン、パークレン等のハロ
ゲン化炭化水素およびそれらの2種以上の混合物が挙げ
られる。活性水素を有するアルコール類等はイソシアネ
ート基と反応するため好ましくない。
【0024】A液とB液とのNCO基/OH基の当量比
は0.90〜1.20、好ましくは0.95〜1.1
5、さらに好ましくは0.98〜1.03である。0.
90未満では駆動ベルトとして用いた場合の耐久性が低
下し、一方1.20を越えると硬化時に発泡してシート
が製造できない等の問題を生じる可能性がある。また、
A液とB液との混合時の温度は粘度、硬化性を考慮して
適宜決定されるが、通常20〜100℃が好ましい。反
応は触媒を用いることも可能である。ウレタン化反応を
促進する触媒としては、例えばトリエチルアミン、ジメ
チルアニリン等の3級アミン系触媒または有機スズ、有
機亜鉛等の有機金属系触媒が挙げられる。
は0.90〜1.20、好ましくは0.95〜1.1
5、さらに好ましくは0.98〜1.03である。0.
90未満では駆動ベルトとして用いた場合の耐久性が低
下し、一方1.20を越えると硬化時に発泡してシート
が製造できない等の問題を生じる可能性がある。また、
A液とB液との混合時の温度は粘度、硬化性を考慮して
適宜決定されるが、通常20〜100℃が好ましい。反
応は触媒を用いることも可能である。ウレタン化反応を
促進する触媒としては、例えばトリエチルアミン、ジメ
チルアニリン等の3級アミン系触媒または有機スズ、有
機亜鉛等の有機金属系触媒が挙げられる。
【0025】本発明においては、高分子弾性体に弾性率
の調整等の目的で、1〜10重量%の非磁性顔料を含有
していてもよい。このとき用いられる非磁性顔料として
好適な物としては、アルミナ、タルク、シリカ、カーボ
ンブラック等が挙げられ、カーボンブラックが最も好ま
しい。また高分子弾性体に導電性を持たせる意味でも、
カーボンブラックを添加する場合があるが、このカーボ
ンブラックと樹脂との親和性を高めることを目的として
−SO3 Na基、−COOH基、−PO3 H2 基、等の
一般的な極性基を導入しても構わない。またカーボンブ
ラックの樹脂への分散性を高めるためにカーボンブラッ
クの表面に何らかの処理を施してもよい。カーボンブラ
ックは1〜10重量%の割合で添加するのが一般的であ
るが、弾性樹脂の強度を低下させない量として1〜4重
量%が好ましく、2重量%程度が最も好適である。
の調整等の目的で、1〜10重量%の非磁性顔料を含有
していてもよい。このとき用いられる非磁性顔料として
好適な物としては、アルミナ、タルク、シリカ、カーボ
ンブラック等が挙げられ、カーボンブラックが最も好ま
しい。また高分子弾性体に導電性を持たせる意味でも、
カーボンブラックを添加する場合があるが、このカーボ
ンブラックと樹脂との親和性を高めることを目的として
−SO3 Na基、−COOH基、−PO3 H2 基、等の
一般的な極性基を導入しても構わない。またカーボンブ
ラックの樹脂への分散性を高めるためにカーボンブラッ
クの表面に何らかの処理を施してもよい。カーボンブラ
ックは1〜10重量%の割合で添加するのが一般的であ
るが、弾性樹脂の強度を低下させない量として1〜4重
量%が好ましく、2重量%程度が最も好適である。
【0026】本発明においては、磁気ディスク基板とし
て、アルミニウム、ガラス等種々の基板が使用できる
が、特に剛性の高いシリコン基板の磁気ディスクに適用
することが好ましい。以下、本発明を実施例を用いてよ
り詳細に説明する。
て、アルミニウム、ガラス等種々の基板が使用できる
が、特に剛性の高いシリコン基板の磁気ディスクに適用
することが好ましい。以下、本発明を実施例を用いてよ
り詳細に説明する。
【0027】
【実施例】(実施例)図5は、実施例に用いた本発明の
スピンドル組立体を示す一部省略した断面図である。ク
ランプリング75、スペーサリング74、鍔状のディス
ク受け部72Aのそれぞれと、ディスクとの間に厚さ
0.2mmの熱硬化型弾性体製リング300が挿入され
ている磁気ディスク装置を作成し、フラッターを測定し
た。熱硬化型弾性体シートの製造は以下のようにして行
った。
スピンドル組立体を示す一部省略した断面図である。ク
ランプリング75、スペーサリング74、鍔状のディス
ク受け部72Aのそれぞれと、ディスクとの間に厚さ
0.2mmの熱硬化型弾性体製リング300が挿入され
ている磁気ディスク装置を作成し、フラッターを測定し
た。熱硬化型弾性体シートの製造は以下のようにして行
った。
【0028】4、4’−ジフェニルメタンジイソシアネ
ート(MDI)0.99molと、ポリテトラメチレン
エーテルグリコール(PTMG,Mw2000)0.5
mol、ポリブチレンアジペート(Mw2000)0.
5molとからなる水酸基末端プレポリマー(樹脂固形
分30wt%、MEK溶液)100部に、多官能ポリイ
ソシアネート化合物として、2,4−/2,6−トリレ
ンジイソシアネート(TDI)3モルとトリメチロール
プロパン1モルとから合成されるアダクト体(NCO基
含有量13.3wt%、樹脂固形分75wt%、酢酸エ
チル溶液)4部を加え、撹拌混合し、グラビアコータに
てwet350μmの膜厚で塗布し、80℃で3時間乾
燥し、200μmのシートを調整した。シートのtan
δは25℃、10Hzで0.1であった。tanδの測
定はレオメトリクス社製粘弾性アナライザーRSAIIを
用いた。
ート(MDI)0.99molと、ポリテトラメチレン
エーテルグリコール(PTMG,Mw2000)0.5
mol、ポリブチレンアジペート(Mw2000)0.
5molとからなる水酸基末端プレポリマー(樹脂固形
分30wt%、MEK溶液)100部に、多官能ポリイ
ソシアネート化合物として、2,4−/2,6−トリレ
ンジイソシアネート(TDI)3モルとトリメチロール
プロパン1モルとから合成されるアダクト体(NCO基
含有量13.3wt%、樹脂固形分75wt%、酢酸エ
チル溶液)4部を加え、撹拌混合し、グラビアコータに
てwet350μmの膜厚で塗布し、80℃で3時間乾
燥し、200μmのシートを調整した。シートのtan
δは25℃、10Hzで0.1であった。tanδの測
定はレオメトリクス社製粘弾性アナライザーRSAIIを
用いた。
【0029】フラッターの測定は、レーザードップラー
振動計及びFFT(高速フーリエ変換)アナライザーを
用いて行った。測定系の概略を図6に示す。フラッター
の値としては、レーザードップラ振動計の変位出力をF
FTし、そこから、回転に同期する成分を差し引いたも
のの300Hzから4kHzまでのパワーとして求め
た。なお値は相対値である。回転数は3000rpmか
ら12000rpmとした。
振動計及びFFT(高速フーリエ変換)アナライザーを
用いて行った。測定系の概略を図6に示す。フラッター
の値としては、レーザードップラ振動計の変位出力をF
FTし、そこから、回転に同期する成分を差し引いたも
のの300Hzから4kHzまでのパワーとして求め
た。なお値は相対値である。回転数は3000rpmか
ら12000rpmとした。
【0030】(比較例)熱硬化型弾性体製リングの変わ
りに同一寸法のアルミ製リングが挿入されている以外は
実施例と同様にした。 (結果) フラッター(相対値) 回転数(rpm)3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000 10000 11000 12000 実施例 7 13 21 23 33 46 56 94 125 175 比較例 8 29 48 63 88 87 135 136 212 455
りに同一寸法のアルミ製リングが挿入されている以外は
実施例と同様にした。 (結果) フラッター(相対値) 回転数(rpm)3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000 10000 11000 12000 実施例 7 13 21 23 33 46 56 94 125 175 比較例 8 29 48 63 88 87 135 136 212 455
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
クランプリング、スピンドルハブの他端部に設けられた
磁気ディスク受け部、スペーサリングの少なくとも一部
を高分子弾性体にすることにより、そのダンピング効果
でディスク振動を低減することができ、高トラック密度
の磁気ディスク装置を提供することができる。
クランプリング、スピンドルハブの他端部に設けられた
磁気ディスク受け部、スペーサリングの少なくとも一部
を高分子弾性体にすることにより、そのダンピング効果
でディスク振動を低減することができ、高トラック密度
の磁気ディスク装置を提供することができる。
【図1】 図1は、従来例におけるスピンドル組立体の
例を示す一部省略した断面図である。
例を示す一部省略した断面図である。
【図2】 図2は、従来例に於ける装置全体の一部省略
した縦断面図である。
した縦断面図である。
【図3】 図3は、本発明の一実施例を示す一部省略し
た断面図である。
た断面図である。
【図4】 図4は、本発明の他の一実施例を示す一部省
略した断面図である。
略した断面図である。
【図5】 図5は、実施例に用いた本発明のスピンドル
組立体の一例を示す一部省略した断面図である。
組立体の一例を示す一部省略した断面図である。
【図6】 図6は、本発明で使用したフラッター測定シ
ステムを示す概略図である。
ステムを示す概略図である。
71: スピンドル軸 72: スピンドルハブ 73: 軸受 74: スペーサリング内周部 75: クランプリング 80: 磁気ヘッド 81: ホルダアーム 82: アーム支持部 83: 軸受 84: ヘッド回転軸 85: 揺動駆動手段 100:磁気ディスク 200:基板 300:高分子弾性体 301:スペーサリング外周側(高分子弾性体)
Claims (4)
- 【請求項1】 円筒状で他端部に鍔状の磁気ディスク受
け部が設けられたスピンドルハブと,このスピンドルハ
ブの外周に交互に積層された複数枚の磁気ディスクおよ
びスペーサリングと,前記スピンドルハブの一方の端部
に装着され前記積層された複数枚の磁気ディスクの一方
の端面を押圧し保持する円盤状のクランプリングと,前
記スピンドルハブを軸受を介して回転自在に支持するス
ピンドル軸とを備えてなるスピンドル組立体を有し、前
記各磁気ディスクに対向して装備された複数の磁気ヘッ
ドと、当該各磁気ヘッドを個別に支持する複数のホルダ
アームと、前記磁気ヘッドをホルダアームを介して移動
せしめる駆動コイル部とを備えた磁気ディスク装置にお
いて、前記クランプリング、前記スピンドルハブの他端
部に設けられた磁気ディスク受け部、前記スペーサリン
グ,のいずれかの少なくとも一部が、高分子弾性体でで
きていることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項2】 前記高分子弾性体がゴム、熱可塑性弾性
体、熱硬化性弾性体のいずれかよりなることを特徴とす
る請求項1記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項3】 前記高分子弾性体の損失係数(tan
δ)が、周波数10Hz、温度25℃において、0.0
1以上であること特徴とする請求項1又は2に記載の磁
気ディスク装置。 - 【請求項4】 前記磁気ディスクの基板がシリコンであ
ることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載
の磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3830698A JPH11238333A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3830698A JPH11238333A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11238333A true JPH11238333A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12521627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3830698A Pending JPH11238333A (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11238333A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004061839A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Fujitsu Limited | 記録媒体の固定構造 |
US7167338B2 (en) | 1999-12-09 | 2007-01-23 | Fujitsu Limited | Magnetic disk apparatus |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP3830698A patent/JPH11238333A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7167338B2 (en) | 1999-12-09 | 2007-01-23 | Fujitsu Limited | Magnetic disk apparatus |
WO2004061839A1 (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Fujitsu Limited | 記録媒体の固定構造 |
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