JPH11233872A - 半導体レ―ザの良否判別法 - Google Patents
半導体レ―ザの良否判別法Info
- Publication number
- JPH11233872A JPH11233872A JP10027670A JP2767098A JPH11233872A JP H11233872 A JPH11233872 A JP H11233872A JP 10027670 A JP10027670 A JP 10027670A JP 2767098 A JP2767098 A JP 2767098A JP H11233872 A JPH11233872 A JP H11233872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- current
- temperature
- resistance value
- difference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レ―ザの良否の判別を、簡易、迅速に
行う。 【解決手段】 半導体レ―ザの電流−電圧特性の測定を
第１の温度下と第１の温度に比し高い第２の温度下とで
各別に行い、第１の温度下での電流−電圧特性の測定結
果から半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍における
抵抗値を求めるとともに、第２の温度下での電流−電圧
特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流またはその
近傍における抵抗値を求め、それら抵抗値の差を抵抗値
差とし、それが予定値を超えるか否かによって半導体レ
―ザの良否を判別する。
行う。 【解決手段】 半導体レ―ザの電流−電圧特性の測定を
第１の温度下と第１の温度に比し高い第２の温度下とで
各別に行い、第１の温度下での電流−電圧特性の測定結
果から半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍における
抵抗値を求めるとともに、第２の温度下での電流−電圧
特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流またはその
近傍における抵抗値を求め、それら抵抗値の差を抵抗値
差とし、それが予定値を超えるか否かによって半導体レ
―ザの良否を判別する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レ―ザの良
否を判別する半導体レ―ザの良否判別法に関する。
否を判別する半導体レ―ザの良否判別法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レ―ザの良否は、その半導体レ―
ザに対し、駆動電流を、半導体レ―ザから光出力が一定
値で得られるように通電し、その駆動電流の経時変化が
予定値を超えるか否かという判別基準によつて、判別し
得る。このような観点から、従来、（１）半導体レ―ザ
に対し、室温に比し十分高い例えば７０℃の温度から半
導体レ―ザがレーザ発振可能な最高温度（通常１８０℃
程度）までの範囲内の温度下において、駆動電流の通電
を行い、そして、その半導体レ―ザに対する駆動電流の
通電の前後で、半導体レ―ザの電流−光出力特性の測定
を各別に行い、その半導体レ―ザに対する駆動電流の通
電前での半導体レ―ザの電流−光出力特性の測定の結果
から半導体レ―ザの閾値電流の変化率を求めるととも
に、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電後での電流−
光出力特性の測定の結果から半導体レ―ザの閾値電流の
変化率を求め、その半導体レ―ザに対する駆動電流の通
電前の電流−光出力特性の測定の結果から求められる半
導体レ―ザの閾値電流の変化率と半導体レ―ザに対する
駆動電流の通電後の電流−光出力特性の測定の結果から
求められる半導体レ―ザの閾値電流の変化率との差を閾
値電流変化率差とするとき、その閾値電流変化率差が例
えば１０％というような予定値を超えていない場合半導
体レ―ザが上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によ
る良であること、閾値電流変化率差が予定値を超えてい
る場合半導体レ―ザが上述した半導体レ―ザの良否の判
別基準による否（不良）であることから、（２）半導体
レ―ザに対し、室温に比し十分高い例えば７０℃の温度
から半導体レ―ザがレーザ発振可能な最高温度（例えば
１８０℃程度）までの範囲内の温度下において、駆動電
流の通電を行い、そして、その半導体レ―ザに対する駆
動電流の通電の前後で、半導体レ―ザの電流−光出力特
性の測定を各別に行い、その半導体レ―ザに対する駆動
電流の通電前での半導体レ―ザの電流−光出力特性の測
定の結果から半導体レ―ザの閾値電流の変化率を求める
とともに、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電後での
電流−光出力特性の測定の結果から半導体レ―ザの閾値
電流の変化率を求め、その半導体レ―ザに対する駆動電
流の通電前の電流−光出力特性の測定の結果から求めら
れる半導体レ―ザの閾値電流の変化率と半導体レ―ザに
対する駆動電流の通電後の電流−光出力特性の測定の結
果から求められる半導体レ―ザの閾値電流の変化率との
差を閾値電流変化率差とし、その閾値電流変化率差が例
えば１０％というような予定値を超えるか否かによっ
て、超えない場合は半導体レ―ザが良、超える場合は半
導体レ―ザが不良であると判別する、という半導体レ―
ザの良否判別法が提案されている。
ザに対し、駆動電流を、半導体レ―ザから光出力が一定
値で得られるように通電し、その駆動電流の経時変化が
予定値を超えるか否かという判別基準によつて、判別し
得る。このような観点から、従来、（１）半導体レ―ザ
に対し、室温に比し十分高い例えば７０℃の温度から半
導体レ―ザがレーザ発振可能な最高温度（通常１８０℃
程度）までの範囲内の温度下において、駆動電流の通電
を行い、そして、その半導体レ―ザに対する駆動電流の
通電の前後で、半導体レ―ザの電流−光出力特性の測定
を各別に行い、その半導体レ―ザに対する駆動電流の通
電前での半導体レ―ザの電流−光出力特性の測定の結果
から半導体レ―ザの閾値電流の変化率を求めるととも
に、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電後での電流−
光出力特性の測定の結果から半導体レ―ザの閾値電流の
変化率を求め、その半導体レ―ザに対する駆動電流の通
電前の電流−光出力特性の測定の結果から求められる半
導体レ―ザの閾値電流の変化率と半導体レ―ザに対する
駆動電流の通電後の電流−光出力特性の測定の結果から
求められる半導体レ―ザの閾値電流の変化率との差を閾
値電流変化率差とするとき、その閾値電流変化率差が例
えば１０％というような予定値を超えていない場合半導
体レ―ザが上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によ
る良であること、閾値電流変化率差が予定値を超えてい
る場合半導体レ―ザが上述した半導体レ―ザの良否の判
別基準による否（不良）であることから、（２）半導体
レ―ザに対し、室温に比し十分高い例えば７０℃の温度
から半導体レ―ザがレーザ発振可能な最高温度（例えば
１８０℃程度）までの範囲内の温度下において、駆動電
流の通電を行い、そして、その半導体レ―ザに対する駆
動電流の通電の前後で、半導体レ―ザの電流−光出力特
性の測定を各別に行い、その半導体レ―ザに対する駆動
電流の通電前での半導体レ―ザの電流−光出力特性の測
定の結果から半導体レ―ザの閾値電流の変化率を求める
とともに、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電後での
電流−光出力特性の測定の結果から半導体レ―ザの閾値
電流の変化率を求め、その半導体レ―ザに対する駆動電
流の通電前の電流−光出力特性の測定の結果から求めら
れる半導体レ―ザの閾値電流の変化率と半導体レ―ザに
対する駆動電流の通電後の電流−光出力特性の測定の結
果から求められる半導体レ―ザの閾値電流の変化率との
差を閾値電流変化率差とし、その閾値電流変化率差が例
えば１０％というような予定値を超えるか否かによっ
て、超えない場合は半導体レ―ザが良、超える場合は半
導体レ―ザが不良であると判別する、という半導体レ―
ザの良否判別法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レ―ザの良否判別法は、半導体レ―ザに対し駆動電流を
通電することを前提として、その通電の前後で各別の電
流−光出力特性の測定を行い、その結果から各別に求め
られる半導体レ―ザの閾値電流の変化率の差から、半導
体レ―ザの良否を判定する、というものであり、従っ
て、半導体レ―ザの電流−光出力特性の測定、その測定
結果を用いた半導体レ―ザの良否の判別という、測定及
び判別の外、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電を必
要とし、しかも、その通電に長い時間を必要とする、と
いう欠点を有していた。
レ―ザの良否判別法は、半導体レ―ザに対し駆動電流を
通電することを前提として、その通電の前後で各別の電
流−光出力特性の測定を行い、その結果から各別に求め
られる半導体レ―ザの閾値電流の変化率の差から、半導
体レ―ザの良否を判定する、というものであり、従っ
て、半導体レ―ザの電流−光出力特性の測定、その測定
結果を用いた半導体レ―ザの良否の判別という、測定及
び判別の外、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電を必
要とし、しかも、その通電に長い時間を必要とする、と
いう欠点を有していた。
【０００４】また、従来の半導体レ―ザの良否判別法の
場合、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電の前後での
電流−光出力特性の測定に、光検出を伴うことから、そ
の測定を簡易、迅速に行うことができない、という欠点
を有していた。よって、本発明は、上述した欠点のな
い、新規な半導体レ―ザの良否判別法を提案せんとする
ものである。
場合、半導体レ―ザに対する駆動電流の通電の前後での
電流−光出力特性の測定に、光検出を伴うことから、そ
の測定を簡易、迅速に行うことができない、という欠点
を有していた。よって、本発明は、上述した欠点のな
い、新規な半導体レ―ザの良否判別法を提案せんとする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レ―
ザの良否判別法は、（１）半導体レ―ザの電流−電圧特
性の測定を、第１の温度下と、その第１の温度に比し高
い第２の温度下とで各別に行い、その第１の温度下での
電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流
またはその近傍における抵抗値を求めるとともに、第２
の温度下での電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―
ザの閾値電流またはその近傍における抵抗値を求め、そ
の第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から求め
られる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍における
抵抗値と第２の温度下での電流−電圧特性の測定結果か
ら求められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍に
おける抵抗値との差を抵抗値差とするとき、その抵抗値
差が予定値を超えていない場合、半導体レ―ザが上述し
た半導体レ―ザの良否の判別基準による良であること、
抵抗値差が予定値を超えている場合、半導体レ―ザが上
述した半導体レ―ザの良否の判別基準による否（不良）
であることを確認するに到ったことから、（２）半導体
レ―ザの電流−電圧特性の測定を、第１の温度下と、そ
の第１の温度に比し高い第２の温度下とで各別に行い、
その第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から半
導体レ―ザの閾値電流またはその近傍における抵抗値を
求めるとともに、第２の温度下での電流−電圧特性の測
定結果から半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍にお
ける抵抗値を求め、その第１の温度下での電流−電圧特
性の測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値電流ま
たはその近傍における抵抗値と第２の温度下での電流−
電圧特性の測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値
電流またはその近傍における抵抗値との差を抵抗値差と
し、その抵抗値差が予定値を超えるか否かによって、半
導体レ―ザの良否を判別する。
ザの良否判別法は、（１）半導体レ―ザの電流−電圧特
性の測定を、第１の温度下と、その第１の温度に比し高
い第２の温度下とで各別に行い、その第１の温度下での
電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流
またはその近傍における抵抗値を求めるとともに、第２
の温度下での電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―
ザの閾値電流またはその近傍における抵抗値を求め、そ
の第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から求め
られる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍における
抵抗値と第２の温度下での電流−電圧特性の測定結果か
ら求められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍に
おける抵抗値との差を抵抗値差とするとき、その抵抗値
差が予定値を超えていない場合、半導体レ―ザが上述し
た半導体レ―ザの良否の判別基準による良であること、
抵抗値差が予定値を超えている場合、半導体レ―ザが上
述した半導体レ―ザの良否の判別基準による否（不良）
であることを確認するに到ったことから、（２）半導体
レ―ザの電流−電圧特性の測定を、第１の温度下と、そ
の第１の温度に比し高い第２の温度下とで各別に行い、
その第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から半
導体レ―ザの閾値電流またはその近傍における抵抗値を
求めるとともに、第２の温度下での電流−電圧特性の測
定結果から半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍にお
ける抵抗値を求め、その第１の温度下での電流−電圧特
性の測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値電流ま
たはその近傍における抵抗値と第２の温度下での電流−
電圧特性の測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値
電流またはその近傍における抵抗値との差を抵抗値差と
し、その抵抗値差が予定値を超えるか否かによって、半
導体レ―ザの良否を判別する。
【０００６】この場合、半導体レ―ザの電流−電圧特性
の測定時の第１の温度は、室温（２５℃）であるのを可
とし、また、第２の温度は、半導体レ―ザがレーザ発振
可能な最高温度以下であって、第１の温度との間に４０
℃〜５０℃以上の差を有する温度であるのを可とする。
の測定時の第１の温度は、室温（２５℃）であるのを可
とし、また、第２の温度は、半導体レ―ザがレーザ発振
可能な最高温度以下であって、第１の温度との間に４０
℃〜５０℃以上の差を有する温度であるのを可とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、図１〜図４を伴って、本発
明による半導体レ―ザの良否判別法の実施の形態を述べ
よう。
明による半導体レ―ザの良否判別法の実施の形態を述べ
よう。
【０００８】本発明者等は、（１）一般に、半導体レ―
ザの電流−電圧特性はダイオード特性を呈し、また、半
導体レ―ザの電流−抵抗特性は半導体レ―ザの電流−電
圧特性の一次微分特性で得られるが、従来の技術の項で
上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって良であ
る半導体レ―ザについて、その半導体レ―ザの電流−電
圧特性及び電流−抵抗特性が、図１中実線図示のように
得られるとき、その半導体レ―ザと同様の構成を有する
が上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって不良
である半導体レ―ザについては、その半導体レ―ザの電
流−電圧特性が、良である半導体レ―ザの電流−電圧特
性を基準として、図１中点線図示のように、電流の増加
につれて電圧が低下しているものとして得られ、また電
流−抵抗特性が、図１中点線図示のように、閾値電流以
上の電流において、その電流の増加につれて抵抗値が、
良である半導体レ―ザの電流−抵抗特性の場合に比し、
低下しているものとして得られること、（２）上述した
半導体レ―ザの良否の判別基準によって良であるとする
半導体レ―ザについて、その半導体レ―ザの例えば室温
である２５℃でなる第１の温度で測定された電流−電圧
特性が、図２中実線図示のように得られるとき、その半
導体レ―ザの例えば８５℃でなる第１の温度に比し高い
第２の温度で測定された電流−電圧特性が、第１の温度
で測定された電流−電圧特性を基準として、図２中点線
図示のように、電流の低下につれて電圧が低下している
ものとして得られ、また、電流−抵抗特性が、図２中点
線図示のように、閾値電流またはその近傍の電流におけ
る抵抗値が、第１の温度で測定された電流−抵抗特性の
場合の閾値電流またはその近傍における抵抗値からほと
んど変化していないものとして得られること、（３）上
述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって良である
とする上述した（２）の半導体レ―ザと同様の構成を有
するが、上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によっ
て不良である半導体レ―ザについて、（ａ）その半導体
レ―ザの上述した第１の温度で測定された電流−電圧特
性が、上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって
良であるとする上述した（２）の半導体レ―ザの第１の
温度で測定された電流−電圧特性を基準として、図３中
実線図示のように電流の増加につれて電圧が増加してい
るものとして得られ、また、電流−抵抗特性が、図３中
実線図示のように、上述した半導体レ―ザの良否の判別
基準によって良であるとする上述した（２）の半導体レ
―ザの第１の温度で測定された電流−抵抗特性とほぼ同
様に得られ、また、（ｂ）半導体レ―ザの上述した第１
の温度に比し十分高い第２の温度で測定された電流−電
圧特性が、第１の温度で測定された電流−電圧特性を基
準として、図３中点線図示のように、電流の増加につれ
て電圧が増加し、次で、電流の増加につれて電圧が低下
しているものとして得られ、また、電流−抵抗特性が、
図３中点線図示のように、閾値電流またはその近傍にお
ける抵抗値が、第１の温度で測定された電流−抵抗特性
の場合の閾値電流またはその近傍における抵抗値に比し
大きく低下しているものとして得られること、を確認す
るに到った。
ザの電流−電圧特性はダイオード特性を呈し、また、半
導体レ―ザの電流−抵抗特性は半導体レ―ザの電流−電
圧特性の一次微分特性で得られるが、従来の技術の項で
上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって良であ
る半導体レ―ザについて、その半導体レ―ザの電流−電
圧特性及び電流−抵抗特性が、図１中実線図示のように
得られるとき、その半導体レ―ザと同様の構成を有する
が上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって不良
である半導体レ―ザについては、その半導体レ―ザの電
流−電圧特性が、良である半導体レ―ザの電流−電圧特
性を基準として、図１中点線図示のように、電流の増加
につれて電圧が低下しているものとして得られ、また電
流−抵抗特性が、図１中点線図示のように、閾値電流以
上の電流において、その電流の増加につれて抵抗値が、
良である半導体レ―ザの電流−抵抗特性の場合に比し、
低下しているものとして得られること、（２）上述した
半導体レ―ザの良否の判別基準によって良であるとする
半導体レ―ザについて、その半導体レ―ザの例えば室温
である２５℃でなる第１の温度で測定された電流−電圧
特性が、図２中実線図示のように得られるとき、その半
導体レ―ザの例えば８５℃でなる第１の温度に比し高い
第２の温度で測定された電流−電圧特性が、第１の温度
で測定された電流−電圧特性を基準として、図２中点線
図示のように、電流の低下につれて電圧が低下している
ものとして得られ、また、電流−抵抗特性が、図２中点
線図示のように、閾値電流またはその近傍の電流におけ
る抵抗値が、第１の温度で測定された電流−抵抗特性の
場合の閾値電流またはその近傍における抵抗値からほと
んど変化していないものとして得られること、（３）上
述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって良である
とする上述した（２）の半導体レ―ザと同様の構成を有
するが、上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によっ
て不良である半導体レ―ザについて、（ａ）その半導体
レ―ザの上述した第１の温度で測定された電流−電圧特
性が、上述した半導体レ―ザの良否の判別基準によって
良であるとする上述した（２）の半導体レ―ザの第１の
温度で測定された電流−電圧特性を基準として、図３中
実線図示のように電流の増加につれて電圧が増加してい
るものとして得られ、また、電流−抵抗特性が、図３中
実線図示のように、上述した半導体レ―ザの良否の判別
基準によって良であるとする上述した（２）の半導体レ
―ザの第１の温度で測定された電流−抵抗特性とほぼ同
様に得られ、また、（ｂ）半導体レ―ザの上述した第１
の温度に比し十分高い第２の温度で測定された電流−電
圧特性が、第１の温度で測定された電流−電圧特性を基
準として、図３中点線図示のように、電流の増加につれ
て電圧が増加し、次で、電流の増加につれて電圧が低下
しているものとして得られ、また、電流−抵抗特性が、
図３中点線図示のように、閾値電流またはその近傍にお
ける抵抗値が、第１の温度で測定された電流−抵抗特性
の場合の閾値電流またはその近傍における抵抗値に比し
大きく低下しているものとして得られること、を確認す
るに到った。
【０００９】また、このようなことから、（１）（ｉ）
半導体レ―ザの電流−電圧特性の測定を、上述した例え
ば室温である２５℃でなる第１の温度下と、上述した例
えば８５℃でなる第１の温度に比し高い第２の温度下と
で各別に行い、（ｉｉ）その第１の温度下での電流−電
圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流またはそ
の近傍における抵抗値を求めるとともに、第２の温度下
での電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値
電流またはその近傍における抵抗値を求め、（ｉｉｉ）
その第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から求
められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍におけ
る抵抗値と第２の温度下での電流−電圧特性の測定結果
から求められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍
における抵抗値との差を抵抗値差とするとき、（２）そ
の抵抗値差が予定値を超えていない場合、半導体レ―ザ
が上述した半導体レ―ザの良否の判別基準による良であ
ること、抵抗値差が予定値を超えている場合、半導体レ
―ザが上述した半導体レ―ザの良否の判別基準による否
（不良）であること、を確認するに到った。
半導体レ―ザの電流−電圧特性の測定を、上述した例え
ば室温である２５℃でなる第１の温度下と、上述した例
えば８５℃でなる第１の温度に比し高い第２の温度下と
で各別に行い、（ｉｉ）その第１の温度下での電流−電
圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流またはそ
の近傍における抵抗値を求めるとともに、第２の温度下
での電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値
電流またはその近傍における抵抗値を求め、（ｉｉｉ）
その第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から求
められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍におけ
る抵抗値と第２の温度下での電流−電圧特性の測定結果
から求められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍
における抵抗値との差を抵抗値差とするとき、（２）そ
の抵抗値差が予定値を超えていない場合、半導体レ―ザ
が上述した半導体レ―ザの良否の判別基準による良であ
ること、抵抗値差が予定値を超えている場合、半導体レ
―ザが上述した半導体レ―ザの良否の判別基準による否
（不良）であること、を確認するに到った。
【００１０】以上に基づき、本発明による半導体レ―ザ
の良否判別法の実施の形態は、（ｉ）半導体レ―ザの電
流−電圧特性の測定を、上述した例えば２５℃でなる第
１の温度下と、上述した例えば８５℃でなる第１の温度
に比し高い第２の温度下とで、それ自体は公知の種々の
方法によって各別に行い、（ｉｉ）第１の温度下での電
流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流ま
たはその近傍における抵抗値を、それ自体は公知の種々
の方法によって求めるとともに、第２の温度下での電流
−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流また
はその近傍における抵抗値を、第１の温度下での電流−
電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流または
その近傍における抵抗値を求めた方法と同じ方法で求
め、そして、第１の温度下での電流−電圧特性の測定結
果から求められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近
傍における抵抗値と第２の温度下での電流−電圧特性の
測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値電流または
その近傍における抵抗値との差を抵抗値差とし、典型的
には、そのような抵抗値差を求め、その抵抗値差が予定
値を超えるか否かによって、超えない場合半導体レ―ザ
が上述した半導体レ―ザの良否の判別基準による良、超
える場合半導体レ―ザが上述した半導体レ―ザの良否の
判別基準による不良であるとして、半導体レ―ザの良否
を判別する。
の良否判別法の実施の形態は、（ｉ）半導体レ―ザの電
流−電圧特性の測定を、上述した例えば２５℃でなる第
１の温度下と、上述した例えば８５℃でなる第１の温度
に比し高い第２の温度下とで、それ自体は公知の種々の
方法によって各別に行い、（ｉｉ）第１の温度下での電
流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流ま
たはその近傍における抵抗値を、それ自体は公知の種々
の方法によって求めるとともに、第２の温度下での電流
−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流また
はその近傍における抵抗値を、第１の温度下での電流−
電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流または
その近傍における抵抗値を求めた方法と同じ方法で求
め、そして、第１の温度下での電流−電圧特性の測定結
果から求められる半導体レ―ザの閾値電流またはその近
傍における抵抗値と第２の温度下での電流−電圧特性の
測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値電流または
その近傍における抵抗値との差を抵抗値差とし、典型的
には、そのような抵抗値差を求め、その抵抗値差が予定
値を超えるか否かによって、超えない場合半導体レ―ザ
が上述した半導体レ―ザの良否の判別基準による良、超
える場合半導体レ―ザが上述した半導体レ―ザの良否の
判別基準による不良であるとして、半導体レ―ザの良否
を判別する。
【００１１】以上が、本発明による半導体レ―ザの良否
判別法の実施の形態である。このような本発明による半
導体レ―ザの良否判別法の実施の形態によれば、それに
よって、上述した半導体レ―ザの判別基準による良であ
るとして判別された半導体レ―ザの５個及び上述した半
導体レ―ザの判別基準による否（不良）であるとして判
別された半導体レ―ザの５個のそれぞれについて、室温
に比し十分高い７０℃の温度から半導体レ―ザがレーザ
発振可能な最高温度（通常１８０℃程度）までの範囲内
の８５℃の温度下において、駆動電流を、１万時間とい
うような長時間に亘り、各半導体レ―ザから光出力が１
０ｍＷの一定値で得られるように通電し、その駆動電流
の経時変化を測定したところ、上述した半導体レ―ザの
判別基準による良であるとして判別された半導体レ―ザ
については、駆動電流の経時変化が、図４中実線図示の
ように、５０００時間以上経過してもほとんど生じず、
よって寿命時間が１０万時間以上であると推定され、上
述した半導体レ―ザの判別基準による否（不良）である
として判別された半導体レ―ザについては、駆動電流の
経時変化が、図４中点線図示のように、５０００時間に
到るまでにも大きく生じ、寿命時間がたかだか２万時間
程度であると推定される、という結果が得られた。
判別法の実施の形態である。このような本発明による半
導体レ―ザの良否判別法の実施の形態によれば、それに
よって、上述した半導体レ―ザの判別基準による良であ
るとして判別された半導体レ―ザの５個及び上述した半
導体レ―ザの判別基準による否（不良）であるとして判
別された半導体レ―ザの５個のそれぞれについて、室温
に比し十分高い７０℃の温度から半導体レ―ザがレーザ
発振可能な最高温度（通常１８０℃程度）までの範囲内
の８５℃の温度下において、駆動電流を、１万時間とい
うような長時間に亘り、各半導体レ―ザから光出力が１
０ｍＷの一定値で得られるように通電し、その駆動電流
の経時変化を測定したところ、上述した半導体レ―ザの
判別基準による良であるとして判別された半導体レ―ザ
については、駆動電流の経時変化が、図４中実線図示の
ように、５０００時間以上経過してもほとんど生じず、
よって寿命時間が１０万時間以上であると推定され、上
述した半導体レ―ザの判別基準による否（不良）である
として判別された半導体レ―ザについては、駆動電流の
経時変化が、図４中点線図示のように、５０００時間に
到るまでにも大きく生じ、寿命時間がたかだか２万時間
程度であると推定される、という結果が得られた。
【００１２】このことからも、本発明による半導体レ―
ザの良否判別法の実施の形態によれば、半導体レ―ザの
良否を、［従来の技術］の項で上述した半導体レ―ザの
判別基準によって、判別することができることは明らか
である。
ザの良否判別法の実施の形態によれば、半導体レ―ザの
良否を、［従来の技術］の項で上述した半導体レ―ザの
判別基準によって、判別することができることは明らか
である。
【００１３】また、本発明による半導体レ―ザの良否判
別法の実施の形態において、第１の温度下及び第２の温
度下の半導体レ―ザの電流−電圧特性の各別の測定は、
第１の温度下であれ、第２の温度下であれ、それ自体公
知の方法によって、容易に行うことができるとともに、
その測定に長い時間を要さず、また、第１の温度下での
電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流
またはその近傍における抵抗値を求めるのも、また、第
２の温度下での電流−電圧特性の測定結果から半導体レ
―ザの閾値電流またはその近傍における抵抗値を求める
のも、それ自体公知の方法によって、容易であるととも
に長い時間を要さず、さらに、第１の温度下での電流−
電圧特性の測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値
電流またはその近傍における抵抗値と第２の温度下での
電流−電圧特性の測定結果から求められる半導体レ―ザ
の閾値電流またはその近傍における抵抗値との差として
の抵抗値差を求めることも長い時間を要さずに容易であ
り、さらに、抵抗値差を、図２及び図３に示す電流−抵
抗値特性からも明らかなように、大きな値で得ることが
できるので、その抵抗値差からの半導体レ―ザの良否の
判別を、容易、迅速に行うことができる。
別法の実施の形態において、第１の温度下及び第２の温
度下の半導体レ―ザの電流−電圧特性の各別の測定は、
第１の温度下であれ、第２の温度下であれ、それ自体公
知の方法によって、容易に行うことができるとともに、
その測定に長い時間を要さず、また、第１の温度下での
電流−電圧特性の測定結果から半導体レ―ザの閾値電流
またはその近傍における抵抗値を求めるのも、また、第
２の温度下での電流−電圧特性の測定結果から半導体レ
―ザの閾値電流またはその近傍における抵抗値を求める
のも、それ自体公知の方法によって、容易であるととも
に長い時間を要さず、さらに、第１の温度下での電流−
電圧特性の測定結果から求められる半導体レ―ザの閾値
電流またはその近傍における抵抗値と第２の温度下での
電流−電圧特性の測定結果から求められる半導体レ―ザ
の閾値電流またはその近傍における抵抗値との差として
の抵抗値差を求めることも長い時間を要さずに容易であ
り、さらに、抵抗値差を、図２及び図３に示す電流−抵
抗値特性からも明らかなように、大きな値で得ることが
できるので、その抵抗値差からの半導体レ―ザの良否の
判別を、容易、迅速に行うことができる。
【００１４】従って、本発明による半導体レ―ザの良否
判別法の実施の形態によれば、半導体レ―ザの電流−電
圧特性の測定、その測定結果を用いた半導体レ―ザの良
否の判別という、測定及び判別の外、従来の半導体レ―
ザの良否判別法の場合のように半導体レ―ザに対する駆
動電流の通電を行う、という必要なしに、半導体レ―ザ
の良否の判別を、短い時間で、簡易に行うことができ
る。
判別法の実施の形態によれば、半導体レ―ザの電流−電
圧特性の測定、その測定結果を用いた半導体レ―ザの良
否の判別という、測定及び判別の外、従来の半導体レ―
ザの良否判別法の場合のように半導体レ―ザに対する駆
動電流の通電を行う、という必要なしに、半導体レ―ザ
の良否の判別を、短い時間で、簡易に行うことができ
る。
【００１５】なお、上述においては、半導体レ―ザの電
流−電圧特性の測定時の第１及び第２の温度を室温（２
５℃）及び８５℃とした場合について述べたが、第１の
温度については、室温（２５℃）であるのが温度制御を
伴うことなしに容易に得られるので望ましいが、第２の
温度については、半導体レ―ザがレーザ発振可能な最高
温度（通常１８０℃）以下であって第１の温度との間に
４０℃〜５０℃以上の差を有する温度であれば、上述し
た抵抗値差を比較的大きな値で得ることができるので、
８５℃に限る必要はなく、第１及び第２の温度がこのよ
うな温度であっても、上述した本発明による半導体レ―
ザの良否判別法の実施の形態の特徴が得られることは明
らかであろう。その他、本発明の精神を脱することなし
に種々の変型、変更をなし得るであろう。
流−電圧特性の測定時の第１及び第２の温度を室温（２
５℃）及び８５℃とした場合について述べたが、第１の
温度については、室温（２５℃）であるのが温度制御を
伴うことなしに容易に得られるので望ましいが、第２の
温度については、半導体レ―ザがレーザ発振可能な最高
温度（通常１８０℃）以下であって第１の温度との間に
４０℃〜５０℃以上の差を有する温度であれば、上述し
た抵抗値差を比較的大きな値で得ることができるので、
８５℃に限る必要はなく、第１及び第２の温度がこのよ
うな温度であっても、上述した本発明による半導体レ―
ザの良否判別法の実施の形態の特徴が得られることは明
らかであろう。その他、本発明の精神を脱することなし
に種々の変型、変更をなし得るであろう。
【００１６】
【発明の効果】本発明による半導体レ―ザの良否判別法
によれば、半導体レ―ザの電流−電圧特性の測定、その
測定結果を用いた半導体レ―ザの良否の判別という、測
定及び判別の外、従来の半導体レ―ザの良否判別法の場
合のように半導体レ―ザに対する駆動電流の通電を行
う、という必要なしに、半導体レ―ザの良否の判別を、
簡易、迅速に行うことができる。
によれば、半導体レ―ザの電流−電圧特性の測定、その
測定結果を用いた半導体レ―ザの良否の判別という、測
定及び判別の外、従来の半導体レ―ザの良否判別法の場
合のように半導体レ―ザに対する駆動電流の通電を行
う、という必要なしに、半導体レ―ザの良否の判別を、
簡易、迅速に行うことができる。
【図１】本発明による半導体レ―ザの良否判別法の実施
の形態の説明に供する、良であると判別される半導体レ
―ザ及び不良であると判別される半導体レ―ザの電流−
電圧特性、及び電流−抵抗特性を一般に示す図である。
の形態の説明に供する、良であると判別される半導体レ
―ザ及び不良であると判別される半導体レ―ザの電流−
電圧特性、及び電流−抵抗特性を一般に示す図である。
【図２】本発明による半導体レ―ザの良否判別法の実施
の形態の説明に供する、良であると判別される半導体レ
―ザの２５℃及び８５℃の温度下での電流−電圧特性及
び電流−抵抗特性を示す図である。
の形態の説明に供する、良であると判別される半導体レ
―ザの２５℃及び８５℃の温度下での電流−電圧特性及
び電流−抵抗特性を示す図である。
【図３】本発明による半導体レ―ザの良否判別法の実施
の形態の説明に供する、不良であると判別される半導体
レ―ザの２５℃及び８５℃の温度下での電流−電圧特性
及び電流−抵抗特性を示す図である。
の形態の説明に供する、不良であると判別される半導体
レ―ザの２５℃及び８５℃の温度下での電流−電圧特性
及び電流−抵抗特性を示す図である。
【図４】本発明による半導体レ―ザの良否判別法の実施
の形態の説明に供する、半導体レ―ザに対する通電時間
に対する駆動電流の関係で示す駆動電流の、経時変化を
示す図である。
の形態の説明に供する、半導体レ―ザに対する通電時間
に対する駆動電流の関係で示す駆動電流の、経時変化を
示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レ―ザの電流−電圧特性の測定を、
第１の温度下と、上記第１の温度に比し高い第２の温度
下とで各別に行い、 上記第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から、
上記半導体レ―ザの閾値電流またはその近傍における抵
抗値を求めるとともに、上記第２の温度下での電流−電
圧特性の測定結果から、上記半導体レ―ザの閾値電流ま
たはその近傍における抵抗値を求め、 上記第１の温度下での電流−電圧特性の測定結果から求
められる上記閾値電流またはその近傍における抵抗値と
上記第２の温度下での電流−電圧特性の測定結果から求
められる上記閾値電流またはその近傍における抵抗値と
の差を抵抗値差とし、その抵抗値差が、予定値を超える
か否かによって、上記半導体レ―ザの良否を判別するこ
とを特徴とする半導体レ―ザの良否判別法。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体レ―ザの良否判別法
において、 上記第１の温度を室温（２５℃）とし、 上記第２の温度を、半導体レ―ザのレーザ発振可能最高
温度以下であって、上記第１の温度との間で４０℃〜５
０℃以上の差を有する温度であることを特徴とする半導
体レ―ザの良否判別法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02767098A JP3535002B2 (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 半導体レ―ザの良否判別法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02767098A JP3535002B2 (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 半導体レ―ザの良否判別法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233872A true JPH11233872A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3535002B2 JP3535002B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=12227396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02767098A Expired - Fee Related JP3535002B2 (ja) | 1998-02-09 | 1998-02-09 | 半導体レ―ザの良否判別法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3535002B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012018067A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの判定装置、および、半導体レーザの判定方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50128978A (ja) * | 1974-03-29 | 1975-10-11 | ||
| JPS52156589A (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-27 | Western Electric Co | System for measuring parameter |
| JPS5748665A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Nec Corp | Resistance component measuring circuit |
| JPS60186078A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ特性測定装置 |
| JPS6184888A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 埋込みヘテロ型半導体レ−ザ |
| JPS61290372A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−ニング方法 |
| JPS61203575U (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-22 | ||
| JPS628583A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-16 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 電子デバイスの特性曲線の導関数を得るための装置及び電子デバイスの動作を制御するための方法 |
| JPS63500279A (ja) * | 1985-07-03 | 1988-01-28 | ブリティシュ・テレコミュニケ−ションズ・パブリック・リミテッド・カンパニ | 半導体構造の製造方法 |
| JPS649682A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Distributed feedback semiconductor laser |
| JPH03131737A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-05 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの検査装置 |
| JPH04184175A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-01 | Nec Corp | 可視光半導体レーザのスクリーニング方法 |
| JPH07115251A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| JPH09113359A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子の発光観察方法及びその装置 |
| JPH10160785A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの選別方法及びその装置 |
-
1998
- 1998-02-09 JP JP02767098A patent/JP3535002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50128978A (ja) * | 1974-03-29 | 1975-10-11 | ||
| JPS52156589A (en) * | 1976-06-21 | 1977-12-27 | Western Electric Co | System for measuring parameter |
| JPS5748665A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Nec Corp | Resistance component measuring circuit |
| JPS60186078A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ特性測定装置 |
| JPS6184888A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-04-30 | Hitachi Ltd | 埋込みヘテロ型半導体レ−ザ |
| JPS61203575U (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-22 | ||
| JPS61290372A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−ニング方法 |
| JPS628583A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-16 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 電子デバイスの特性曲線の導関数を得るための装置及び電子デバイスの動作を制御するための方法 |
| JPS63500279A (ja) * | 1985-07-03 | 1988-01-28 | ブリティシュ・テレコミュニケ−ションズ・パブリック・リミテッド・カンパニ | 半導体構造の製造方法 |
| JPH09186402A (ja) * | 1985-07-03 | 1997-07-15 | British Telecommun Plc <Bt> | 半導体構造 |
| JPS649682A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Nec Corp | Distributed feedback semiconductor laser |
| JPH03131737A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-05 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの検査装置 |
| JPH04184175A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-01 | Nec Corp | 可視光半導体レーザのスクリーニング方法 |
| JPH07115251A (ja) * | 1993-08-25 | 1995-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| JPH09113359A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子の発光観察方法及びその装置 |
| JPH10160785A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの選別方法及びその装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012018067A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの判定装置、および、半導体レーザの判定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3535002B2 (ja) | 2004-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5625616A (en) | Deterioration estimating method for a light emitting device and a light emission driving apparatus using the method | |
| JP2000294871A (ja) | 半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置 | |
| US20020006142A1 (en) | Method for compensating for output of semiconductor luminous device and apparatus therefor | |
| JPH11135871A (ja) | レーザダイオード駆動方法および回路 | |
| US7680166B2 (en) | Laser drive, optical disc apparatus, and laser-driving method | |
| JPH11233872A (ja) | 半導体レ―ザの良否判別法 | |
| JP2929992B2 (ja) | 光送信回路 | |
| JP4677922B2 (ja) | 半導体レーザ素子の検査方法 | |
| JP3210505B2 (ja) | 半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニング方法 | |
| US11193870B2 (en) | Method of estimating a condition parameter of a laser diode with an associated photodiode, apparatus for monitoring the operation of such laser diode and particular sensor apparatus | |
| JP2877209B2 (ja) | 光出力レベル制御方法及び光出力レベル制御装置 | |
| US20030218433A1 (en) | Light emitting device drive and image forming apparatus | |
| JP4496577B2 (ja) | ディスク回転速度を最適化するためのディスク・データ・ドライブ内のモータ電流の監視および調整 | |
| JP3274025B2 (ja) | 電源装置およびその電力供給方法 | |
| JP2005057069A (ja) | 半導体レーザ劣化検出装置およびそれを備えた半導体レーザ装置と半導体レーザモジュール組み立て工程 | |
| US7222032B2 (en) | Laser diode management apparatus and method | |
| JP4190872B2 (ja) | 半導体レーザ装置の試験方法及び試験装置 | |
| JP3743399B2 (ja) | レーザダイオード制御装置、及び制御方法 | |
| JPH0294036A (ja) | レーザの寿命判定装置 | |
| JP3435889B2 (ja) | 光量制御装置 | |
| JPH0711555B2 (ja) | 半導体レ−ザの光学特性測定方法 | |
| JPS6225482A (ja) | 半導体レ−ザの駆動装置 | |
| JPS60185175A (ja) | 半導体レーザ寿命試験装置 | |
| JPH03109586A (ja) | 半導体レーザ駆動方法 | |
| JPS62177987A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路の自動電力制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040310 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |