JPS6225482A - 半導体レ−ザの駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザの駆動装置Info
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- JPS6225482A JPS6225482A JP60164813A JP16481385A JPS6225482A JP S6225482 A JPS6225482 A JP S6225482A JP 60164813 A JP60164813 A JP 60164813A JP 16481385 A JP16481385 A JP 16481385A JP S6225482 A JPS6225482 A JP S6225482A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B27/00—Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
- G11B27/36—Monitoring, i.e. supervising the progress of recording or reproducing
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- G—PHYSICS
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体レーザの駆動装置に関し、特に、半導体
レーザの劣化を検知して異常警報信号を発する駆動装置
に関する。
レーザの劣化を検知して異常警報信号を発する駆動装置
に関する。
［従来の技術］
一般に半導体レーザは光出力に温度特性を有するととも
に、劣化によって光出力が低下する。そこで、半導体レ
ーザの駆動装置に所謂ＡＰＣ機衡をもたせるとともに、
半導体レーザの特性劣化や故障を検知する監視回路を備
えることが提案されている（例えば、特開昭５８−１４
０１７５号公報）、即ち、半導体レーザの仕様上の特性
に基づいて異常判定条件としての参照電圧を予め設定し
て、半導体レーザのＡＰＣによるバイアス電流の変換電
圧とＬ記参照電圧とを比較し、該比較出力により半導体
レーザの異常有無を検出するものである。
に、劣化によって光出力が低下する。そこで、半導体レ
ーザの駆動装置に所謂ＡＰＣ機衡をもたせるとともに、
半導体レーザの特性劣化や故障を検知する監視回路を備
えることが提案されている（例えば、特開昭５８−１４
０１７５号公報）、即ち、半導体レーザの仕様上の特性
に基づいて異常判定条件としての参照電圧を予め設定し
て、半導体レーザのＡＰＣによるバイアス電流の変換電
圧とＬ記参照電圧とを比較し、該比較出力により半導体
レーザの異常有無を検出するものである。
［発明が解決しようとする問題点］
上記従来技術によれば、゛ト導体レーザの特性のバラツ
キを含めた仕様−Ｌの特性に基づく比較的輻の広い判定
閾値（参照電圧）を基酔としてＡＰＣによるバイアス電
流の大小を比較し、個々の￥′−導体レーザについて劣
化の有無を判断するものである。従って、劣化を検知し
て警告を発する時点では、すでに半導体レーザの寿命が
尽きている場合などがあり、１個１個の半導体レーザに
ついて劣化を正確に検知して故障の発生を事前に警告す
ることができず、使用者にとって不便であった。
キを含めた仕様−Ｌの特性に基づく比較的輻の広い判定
閾値（参照電圧）を基酔としてＡＰＣによるバイアス電
流の大小を比較し、個々の￥′−導体レーザについて劣
化の有無を判断するものである。従って、劣化を検知し
て警告を発する時点では、すでに半導体レーザの寿命が
尽きている場合などがあり、１個１個の半導体レーザに
ついて劣化を正確に検知して故障の発生を事前に警告す
ることができず、使用者にとって不便であった。
未発１】は上記問題点に鑑み、を導体レーザの劣化を個
々に判断し、寿命が尽きる前に事前に警告をすることに
より、装この利用、保守を容易とし、使いやすい半導体
レーザの駆動装置を提供することを目的どする。
々に判断し、寿命が尽きる前に事前に警告をすることに
より、装この利用、保守を容易とし、使いやすい半導体
レーザの駆動装置を提供することを目的どする。
［問題点を解決する手段および作用］
本発明は、上記した従来の問題点を解決するために、半
導体レーザの初期動作時における作動信号を記憶する記
憶７段と、半導体レーザの実使用時における作動信号を
モニターするモニター手段と、前記記憶された作動信号
と前記モニターされた作動信号とを比較する比較１段と
を備え、該比較手段の出力信号に応じて異常警報信号を
発生するようにしたものである。
導体レーザの初期動作時における作動信号を記憶する記
憶７段と、半導体レーザの実使用時における作動信号を
モニターするモニター手段と、前記記憶された作動信号
と前記モニターされた作動信号とを比較する比較１段と
を備え、該比較手段の出力信号に応じて異常警報信号を
発生するようにしたものである。
［実施例］
第１図は本発明による半導体レーザの駆動装この実施例
であるブロック図を示す。１は半導体レーザで、駆動回
路２により駆動′ＴＬ流が供給される。駆動回路２は、
記録情報信号である１込デ一タ信号２１及びＤ／Ａコン
バータ３を介したＣＰＵ４からの半導体レーザ光出力調
整をする調整信号を受けて、半導体レーザ１を駆動する
。
であるブロック図を示す。１は半導体レーザで、駆動回
路２により駆動′ＴＬ流が供給される。駆動回路２は、
記録情報信号である１込デ一タ信号２１及びＤ／Ａコン
バータ３を介したＣＰＵ４からの半導体レーザ光出力調
整をする調整信号を受けて、半導体レーザ１を駆動する
。
５はＰＩＮフォトダイオードで、半導体レーザ１の出力
をモニターし、モニター信号ヲローパスフィルタ６及び
Ａ／Ｄコンバータ７を介して比較手段を含むＣＰＵ４に
供給する。８１はＲＯＭであり、数段階の異なる光出力
で半導体レーザを発光させる場合等に、予めそのプログ
ラム及び／又はデータを記憶する０本実施例を例えば光
デイスク装置に利用する場合には、上記ＲＯＭはディス
クの゛ｈ径方向に応じて光出力を自動に変化し、記ｔ！
媒体の光ビームに対する相対速度の遣いを補償して最適
な情報記録等を行う所謂ラジアルコンペンゼーション用
機能を有する半導体レーザの駆動装ごとしても利用でき
るものである。８２はＲＡＭで、上記ＲＯＭに設定され
た光出力を得るための半導体レーザ駆動用電流値に対応
したデジタル情報を記憶する。８３はバックアップメモ
リで半導体レーザ１の初期通電時（例えば、本発明に係
る駆動装置を利用した機器の出荷時）の駆動電流値に対
応したデジタル情報を初期値テーブルとして記憶する。
をモニターし、モニター信号ヲローパスフィルタ６及び
Ａ／Ｄコンバータ７を介して比較手段を含むＣＰＵ４に
供給する。８１はＲＯＭであり、数段階の異なる光出力
で半導体レーザを発光させる場合等に、予めそのプログ
ラム及び／又はデータを記憶する０本実施例を例えば光
デイスク装置に利用する場合には、上記ＲＯＭはディス
クの゛ｈ径方向に応じて光出力を自動に変化し、記ｔ！
媒体の光ビームに対する相対速度の遣いを補償して最適
な情報記録等を行う所謂ラジアルコンペンゼーション用
機能を有する半導体レーザの駆動装ごとしても利用でき
るものである。８２はＲＡＭで、上記ＲＯＭに設定され
た光出力を得るための半導体レーザ駆動用電流値に対応
したデジタル情報を記憶する。８３はバックアップメモ
リで半導体レーザ１の初期通電時（例えば、本発明に係
る駆動装置を利用した機器の出荷時）の駆動電流値に対
応したデジタル情報を初期値テーブルとして記憶する。
９は異常警報信号を示す。
６１はローパスフィルタで、書込データ信号２１に応じ
たフィルタ出力信号をＡ／Ｄコンバータに供給するもの
である。
たフィルタ出力信号をＡ／Ｄコンバータに供給するもの
である。
以下、第２図及び第１図を参照して、本実施例を光デイ
スク装置に適用した場合についてその動作を説明する。
スク装置に適用した場合についてその動作を説明する。
先づ、半導体レーザのＡ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏ Ｐｏｗｅ
ｒ Ｃａｎ定（Ｅ−ＡｐＪＳＴ）動作１００を第２図（
Ａ）フローチャートで示す、半導体レーザの駆動開始に
あたり（１０１）、第１のステップとして情報読出し用
の駆動電流ＡＰＣ設定（ＩＲＣ・Ａｒｃ）１０２を行う
、ＩＲＣ−Ａｒｃは第２図ＣＢ）に示すサブルーチンに
よって行う。
ｒ Ｃａｎ定（Ｅ−ＡｐＪＳＴ）動作１００を第２図（
Ａ）フローチャートで示す、半導体レーザの駆動開始に
あたり（１０１）、第１のステップとして情報読出し用
の駆動電流ＡＰＣ設定（ＩＲＣ・Ａｒｃ）１０２を行う
、ＩＲＣ−Ａｒｃは第２図ＣＢ）に示すサブルーチンに
よって行う。
次のステップとして、情＋４２３込時の）姓導体レーザ
のＡＰＣ設定（ＥＴＡ−ＡＤＪ）１０３を行う。本実施
例では光ディスクの゛ｒ−径方向に５０ケのブロックに
分割（１０４）Ｌ、各ブロックについて順次ＡＰＣ設定
動作を繰返す。
のＡＰＣ設定（ＥＴＡ−ＡＤＪ）１０３を行う。本実施
例では光ディスクの゛ｒ−径方向に５０ケのブロックに
分割（１０４）Ｌ、各ブロックについて順次ＡＰＣ設定
動作を繰返す。
即ち、ＲＯＭ （第１図８１）は予め前記各ブロックに
ついての光出力基準レベルを最大許容書込光出力（ＷＴ
ＬＭＴＨ）及び最小許容書込先出力（ＷＴＬＭＴＬ）と
して出力調整範囲を規定するデータを記憶している（１
０５．１０６）、情報の書込用のｔ導体レーザ駆動電流
値の各ブロックについてのＡＰＣ設定１０７はｉ２１Ｍ
（Ｃ）に示すＩＷＣ＠Ａｒｃサブルーチンにより行い、
得β、 ｈｆ−」居入田坂４ｈ雷拵デー 々ＷＲＴＴ
参 Ｄ Ａ １士帽用レジスタＡにＳＥＴされ（１０
８）だのも、各ブロックに対応した書込電流テーブルＷ
Ｃ・ＴＡＢＬとしてＲＡＭ （第１図８２）に記憶され
る（１０９）、この動作は各ブロックについて順次繰返
され（１１０，１１１）情報書込時の゛ト導体レーザの
ＡＰＣ設定ＥＴＡ−ＡＤＪが完了する（１１２．１１３
）。
ついての光出力基準レベルを最大許容書込光出力（ＷＴ
ＬＭＴＨ）及び最小許容書込先出力（ＷＴＬＭＴＬ）と
して出力調整範囲を規定するデータを記憶している（１
０５．１０６）、情報の書込用のｔ導体レーザ駆動電流
値の各ブロックについてのＡＰＣ設定１０７はｉ２１Ｍ
（Ｃ）に示すＩＷＣ＠Ａｒｃサブルーチンにより行い、
得β、 ｈｆ−」居入田坂４ｈ雷拵デー 々ＷＲＴＴ
参 Ｄ Ａ １士帽用レジスタＡにＳＥＴされ（１０
８）だのも、各ブロックに対応した書込電流テーブルＷ
Ｃ・ＴＡＢＬとしてＲＡＭ （第１図８２）に記憶され
る（１０９）、この動作は各ブロックについて順次繰返
され（１１０，１１１）情報書込時の゛ト導体レーザの
ＡＰＣ設定ＥＴＡ−ＡＤＪが完了する（１１２．１１３
）。
次に、第２図（Ｂ）及び（Ｃ）に示すサブルーチン２０
０．３００の動作を説明する。半導体゛レーザＡＰＣ回
路の有する遅延時間と位相調整するディレィ処理（２０
１，３０１）を行ったのち、Ｙ−導体レーザの出力をモ
ニターしたＰＩＮフォトダイオード（第１図５）のデジ
タル変換されたモニター出力ＰＩＮ・ＭＯＮは、ＲＡＭ
（第１図８２）に記憶されう（２０２゜３０２）。Ｉ
ＮＣ−Ａｒｃに於ては先にＲＯＭ（第１図８１）に記
憶されている情報読出し用の光出力基準レベルＲＤＬＭ
ＴＬ及びＲＤＬＭＴＨと前記ＰＩＮ−ＭＯＮとが比較さ
れ（２０３，２０４）、半導体レーザの読出し用駆ｌｈ
電流を増加する動作（サブルーチンＲＣＰ・ＵＰ）２０
４及び減少する動作（サブルーチンＲＣＰ−ＤＮ）２０
６により、ＣＰＵ（第１図４）を介してＡＰＣが行なわ
れるものである。また、ＩＷＣ−ＡＰＣに於ては直流バ
イアス分に相当する埴（ＲＤＬＭＴＬ＋ＲＤＬＭＴＨ）
／２を差し引いた後、先にＲＯＭ （第１図８１）に記
憶されている情報Ｓ速用の光出力基準レベルＷ Ｔ Ｔ
、 Ｍ Ｔ Ｈ及びＷＴＬＭＴＬと前記ＰＩＮ−ＭＯＮ
とが比較され（３０３，３０４）、＊導体レーザの書込
用駆動電流を増加する動作（サブルーチンＷＣｐＨＵＰ
）３ｏ５及び減少する動作（サブル−チンＷＣＰ働ＤＮ
）３０６によりＣＰＵを介したＡＰＣが行なわれるもの
である。
０．３００の動作を説明する。半導体゛レーザＡＰＣ回
路の有する遅延時間と位相調整するディレィ処理（２０
１，３０１）を行ったのち、Ｙ−導体レーザの出力をモ
ニターしたＰＩＮフォトダイオード（第１図５）のデジ
タル変換されたモニター出力ＰＩＮ・ＭＯＮは、ＲＡＭ
（第１図８２）に記憶されう（２０２゜３０２）。Ｉ
ＮＣ−Ａｒｃに於ては先にＲＯＭ（第１図８１）に記
憶されている情報読出し用の光出力基準レベルＲＤＬＭ
ＴＬ及びＲＤＬＭＴＨと前記ＰＩＮ−ＭＯＮとが比較さ
れ（２０３，２０４）、半導体レーザの読出し用駆ｌｈ
電流を増加する動作（サブルーチンＲＣＰ・ＵＰ）２０
４及び減少する動作（サブルーチンＲＣＰ−ＤＮ）２０
６により、ＣＰＵ（第１図４）を介してＡＰＣが行なわ
れるものである。また、ＩＷＣ−ＡＰＣに於ては直流バ
イアス分に相当する埴（ＲＤＬＭＴＬ＋ＲＤＬＭＴＨ）
／２を差し引いた後、先にＲＯＭ （第１図８１）に記
憶されている情報Ｓ速用の光出力基準レベルＷ Ｔ Ｔ
、 Ｍ Ｔ Ｈ及びＷＴＬＭＴＬと前記ＰＩＮ−ＭＯＮ
とが比較され（３０３，３０４）、＊導体レーザの書込
用駆動電流を増加する動作（サブルーチンＷＣｐＨＵＰ
）３ｏ５及び減少する動作（サブル−チンＷＣＰ働ＤＮ
）３０６によりＣＰＵを介したＡＰＣが行なわれるもの
である。
第３図は本発明に係る半導体レーザの劣化を検知して異
常警報信号を発生する動作を示１．たフローチャートで
ある。
常警報信号を発生する動作を示１．たフローチャートで
ある。
第３図（Ａ）は、半導体レーザを駆動装置に接続して動
作開始をするレーザ初期ａ’ｉｌｔ時、或は。
作開始をするレーザ初期ａ’ｉｌｔ時、或は。
該駆動装置を組込んだ光ディスク装置簿を出荷する際な
どの初期動作時における半導体レーザの作動信号をバッ
クアップメモリ（第１図８３）に記憶するフローを示し
たものである。
どの初期動作時における半導体レーザの作動信号をバッ
クアップメモリ（第１図８３）に記憶するフローを示し
たものである。
半導体レーザの初期通電の際（４００）、前記Ｅ−ＡＤ
ＪＳＴルーチン４０１によりＡＰＣ動作を行う。そのと
きの書込電流テーブルの最大値ＷＣ−ＴＡＢＬ （ＭＡ
Ｘ）をＷＣ−ＢＡＣＫとしてバックアップメモリに記憶
する（４０２）。
ＪＳＴルーチン４０１によりＡＰＣ動作を行う。そのと
きの書込電流テーブルの最大値ＷＣ−ＴＡＢＬ （ＭＡ
Ｘ）をＷＣ−ＢＡＣＫとしてバックアップメモリに記憶
する（４０２）。
最大値ＷＣ−ＴＡＢＬ （ＭＡＸ）は、ＣＡＶ （角速
度一定）ディスクの場合、ディスクの最外周書込位置に
おける３込電流に相当する。
度一定）ディスクの場合、ディスクの最外周書込位置に
おける３込電流に相当する。
次に、通常使用蒔の警告表示動作について第３図ＣＢ）
にフローを示す。通常使用の場合（５００）も前記と同
様にＥ−ＡＤＪＳＴルーチン５０１によりＡＰＣ動作が
行なわれる。即ち、半導体レーザの光出力はＰＩＮフォ
トダイオードで検知され、デジタル変換して前記ＩＲＣ
−ＡＰＣ（第２図（Ｃ））により半導体レーザを駆動す
る。特に、ＡＰＣされた書込用駆動電流に対応するデジ
タル変換値ＷＣ−ＴＡＢＬ （Ｎ）は半導体レーザの光
出力をモニターし、前記ＷＴＬＭＴＬ及びＷＴＬＭＴＨ
と比較し増減調整された結果として得られた作動信号で
ある。かくして得られたＷＣ−ＴＡＢＬ （Ｎ）の最大
値ＷＣ−ＴＡＢＬ （ＭＡＸ）は先にバックアップメモ
リに記憶された初期通電の際のＷＣ−ＢＡＣＫと比較さ
れ（５０２）、差Ａを求めたのち（５０３，５０４）予
め設定する許容限界値ＬＩＭＩＴと比較される（５０５
）、ＬＩＭＩＴとＡが等しいか或はＡがＬＩＭＩＴより
大の場合には、警告表示（５０６）を行う。
にフローを示す。通常使用の場合（５００）も前記と同
様にＥ−ＡＤＪＳＴルーチン５０１によりＡＰＣ動作が
行なわれる。即ち、半導体レーザの光出力はＰＩＮフォ
トダイオードで検知され、デジタル変換して前記ＩＲＣ
−ＡＰＣ（第２図（Ｃ））により半導体レーザを駆動す
る。特に、ＡＰＣされた書込用駆動電流に対応するデジ
タル変換値ＷＣ−ＴＡＢＬ （Ｎ）は半導体レーザの光
出力をモニターし、前記ＷＴＬＭＴＬ及びＷＴＬＭＴＨ
と比較し増減調整された結果として得られた作動信号で
ある。かくして得られたＷＣ−ＴＡＢＬ （Ｎ）の最大
値ＷＣ−ＴＡＢＬ （ＭＡＸ）は先にバックアップメモ
リに記憶された初期通電の際のＷＣ−ＢＡＣＫと比較さ
れ（５０２）、差Ａを求めたのち（５０３，５０４）予
め設定する許容限界値ＬＩＭＩＴと比較される（５０５
）、ＬＩＭＩＴとＡが等しいか或はＡがＬＩＭＩＴより
大の場合には、警告表示（５０６）を行う。
Ｌ記憶とＬＩＭＩＴの比較は第３図（Ｂ）では１段階で
行なっているがこれに限られず、数段階に分けて比較し
、それらの複数比較の結果から適宜演算するなどにより
警告表示の内容を数段階に分けて表示するようにしても
よい、なお、以りの実施例の説明では、バックアップメ
モリ８３をＲＡＭとして示したが、ＲＯＭでもよく、即
ち、半導体レーザのメーカが、その製品の特性を記憶し
たＲＯＭを半導体レーザと組合わせてセットとしてユー
ザに供給するなどによってもよい、この場合には、半導
体レーザの交換とともにＲＯＭも交換することとなる。
行なっているがこれに限られず、数段階に分けて比較し
、それらの複数比較の結果から適宜演算するなどにより
警告表示の内容を数段階に分けて表示するようにしても
よい、なお、以りの実施例の説明では、バックアップメ
モリ８３をＲＡＭとして示したが、ＲＯＭでもよく、即
ち、半導体レーザのメーカが、その製品の特性を記憶し
たＲＯＭを半導体レーザと組合わせてセットとしてユー
ザに供給するなどによってもよい、この場合には、半導
体レーザの交換とともにＲＯＭも交換することとなる。
マタ、バックアップメモリには、複数（例えば北記例示
のごとく光デイスク装置に用いる場合にはディスクのｔ
径方向位置Ｎに対応した複数）の駆動電流値ＷＣ−ＢＡ
ＣＫ （Ｎ）を記憶しておき通常の装置使用時の駆動電
流値ＷＣ・ＴＡＢＬ（Ｎ）との差分ＡのいずれかがＬＩ
ＭＩＴを越えた場合には、他の差分ＡがＬＩＭＩＴ内に
あったとしても異常警報信号を発生するようにすること
もできる。この一連の動作をフローチャートにて第４図
に示す。
のごとく光デイスク装置に用いる場合にはディスクのｔ
径方向位置Ｎに対応した複数）の駆動電流値ＷＣ−ＢＡ
ＣＫ （Ｎ）を記憶しておき通常の装置使用時の駆動電
流値ＷＣ・ＴＡＢＬ（Ｎ）との差分ＡのいずれかがＬＩ
ＭＩＴを越えた場合には、他の差分ＡがＬＩＭＩＴ内に
あったとしても異常警報信号を発生するようにすること
もできる。この一連の動作をフローチャートにて第４図
に示す。
第３図（Ａ）（Ｂ）同様に第４図（Ａ）（Ｂ）はそれぞ
れ半導体レーザを駆動装置に接続して動作開始をするレ
ーザ初期通電時、或は該駆動装置を組込んだ光デイスク
装置等を出荷する際などの初期動作時に於ける半導体レ
ーザの作動信号を／へツクアップメモリに各ブロック毎
に記憶するもののフローチャート、又、通常使用時の警
告表示動作にても、前記半導体レーザの初期通電時もし
くは光ディスク装Ｆａ等の各ブロック毎の作動信号と通
常使用の場合の各ブロック毎の作動信号とを各ブロック
毎相対してその差の絶対値Ａが各ブロック毎に定められ
た許容限界値ＬＩＭＩＴ（Ｎ）と比較され、半導体レー
ザの異常の有無、劣化の度合を判別し、異常！報信号を
発生するフローチャートである。
れ半導体レーザを駆動装置に接続して動作開始をするレ
ーザ初期通電時、或は該駆動装置を組込んだ光デイスク
装置等を出荷する際などの初期動作時に於ける半導体レ
ーザの作動信号を／へツクアップメモリに各ブロック毎
に記憶するもののフローチャート、又、通常使用時の警
告表示動作にても、前記半導体レーザの初期通電時もし
くは光ディスク装Ｆａ等の各ブロック毎の作動信号と通
常使用の場合の各ブロック毎の作動信号とを各ブロック
毎相対してその差の絶対値Ａが各ブロック毎に定められ
た許容限界値ＬＩＭＩＴ（Ｎ）と比較され、半導体レー
ザの異常の有無、劣化の度合を判別し、異常！報信号を
発生するフローチャートである。
第４図（Ｂ）中に各ブロック毎に許容限界値ＬＩＭＩＴ
（Ｎ）を定めているがこれは各ブロックに対し一律であ
ってもよく半導体レーザの定格動作電流範囲で闇値電流
の増加、量子効率の悪化による駆動電流の増加に対し数
％毎に区切りを設は各区切りによる警告を順次発生する
様に構成してもよい。
（Ｎ）を定めているがこれは各ブロックに対し一律であ
ってもよく半導体レーザの定格動作電流範囲で闇値電流
の増加、量子効率の悪化による駆動電流の増加に対し数
％毎に区切りを設は各区切りによる警告を順次発生する
様に構成してもよい。
本発明によれば闇値電流の増加に対する補正は第２図（
Ｂ）にて示されるＩＲＣ−ＡＰＣなるサブルーチンにて
行なわれ、量子効率に対する補正は第２図（Ｃ）にて示
されるＩＷＣ−ＡＰＣなるサブルーチンにて行なわれる
。
Ｂ）にて示されるＩＲＣ−ＡＰＣなるサブルーチンにて
行なわれ、量子効率に対する補正は第２図（Ｃ）にて示
されるＩＷＣ−ＡＰＣなるサブルーチンにて行なわれる
。
よって当然の如く、半導体レーザの劣化判別を量子効率
及び闇値電流により行うだけでなく、本発明の実施例を
闇値電流値もしくはＲｅａｄ Ｐｏｗｅｒ値（Ｒｅａｄ
Ｐｏｗｅｒは、闇値電流値と接近しているので田植を
検知する場合、近似値として用いることができる）、量
子効率部（半径方向に沿って変化する各Ｗｒｉｔｅ Ｐ
ｏｗｅｒに相当する）の双方にて行ない、それぞれの電
流増加分に対する許容電流値を設けて判別を行う事は容
易に実施できるものである。
及び闇値電流により行うだけでなく、本発明の実施例を
闇値電流値もしくはＲｅａｄ Ｐｏｗｅｒ値（Ｒｅａｄ
Ｐｏｗｅｒは、闇値電流値と接近しているので田植を
検知する場合、近似値として用いることができる）、量
子効率部（半径方向に沿って変化する各Ｗｒｉｔｅ Ｐ
ｏｗｅｒに相当する）の双方にて行ない、それぞれの電
流増加分に対する許容電流値を設けて判別を行う事は容
易に実施できるものである。
従来より半導体レーザの寿命は、初期使用時のある特定
出力を得るに要する駆動電流に対し劣化後の前記特定出
力を得るに要する駆動電流が１．２倍になった場合に尽
きると言われている。
出力を得るに要する駆動電流に対し劣化後の前記特定出
力を得るに要する駆動電流が１．２倍になった場合に尽
きると言われている。
よって本発明によれば半導体レーザの劣化を正確に各段
階に於いて認識すると共に適時警告を発生する様に動作
する。
階に於いて認識すると共に適時警告を発生する様に動作
する。
さらに、半導体レーザ駆動回路により駆動される範囲内
でかつ前記の要求出力に対する駆動電流の限度内である
ならば量子効率の変化がいか様であろうとも半導体レー
ザの使用を可能とするものである。
でかつ前記の要求出力に対する駆動電流の限度内である
ならば量子効率の変化がいか様であろうとも半導体レー
ザの使用を可能とするものである。
［発明の効果］
本発明によれば、半導体レーザ駆！！＃Ｉ装置の駆動す
る半導体レーザの個々の特性に応じて、その初期動作時
の作動信号と実使用時の作動信号とを比較してレーザ素
子の劣化を正確に検知することができる。更に、半導体
レーザの微妙な劣化の発生を９期に検知し、使用不能に
至る前段階で、劣化の予告をすることができるので、保
守に便である効も奏するものである。
る半導体レーザの個々の特性に応じて、その初期動作時
の作動信号と実使用時の作動信号とを比較してレーザ素
子の劣化を正確に検知することができる。更に、半導体
レーザの微妙な劣化の発生を９期に検知し、使用不能に
至る前段階で、劣化の予告をすることができるので、保
守に便である効も奏するものである。
第１図は本発明の実施例を示すブロック図、第２図（Ａ
）（Ｂ）及び（Ｃ）、第３図（Ａ）（Ｂ）及び第４図（
Ａ）、（Ｂ）は実施例の動作を説明するフローチャート
である。 １・・・半導体レーザ ２・・・駆動回路 ３・・・Ｄ／Ａコンバータ ４・・・ＣＰＵ ５・・・ＰＩＮフォトダイオード ６．６１・・・ＬＰＦ ７・・・Ａ／Ｄコンバータ ９・・・異常警報信号 ２１・・・書込データ信号 ８１・・・ＲＯＭ ８２・・・ＲＡＭ ８３・・・バックアップメモリ 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第３図 （Ａ） （Ｂ） 第４ （Ａ） （Ｂ）
）（Ｂ）及び（Ｃ）、第３図（Ａ）（Ｂ）及び第４図（
Ａ）、（Ｂ）は実施例の動作を説明するフローチャート
である。 １・・・半導体レーザ ２・・・駆動回路 ３・・・Ｄ／Ａコンバータ ４・・・ＣＰＵ ５・・・ＰＩＮフォトダイオード ６．６１・・・ＬＰＦ ７・・・Ａ／Ｄコンバータ ９・・・異常警報信号 ２１・・・書込データ信号 ８１・・・ＲＯＭ ８２・・・ＲＡＭ ８３・・・バックアップメモリ 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第３図 （Ａ） （Ｂ） 第４ （Ａ） （Ｂ）
Claims (2)
- （１）半導体レーザの駆動電流を制御して安定なレーザ
出力を得る半導体レーザの駆動装置において、半導体レ
ーザの初期動作時における作動信号を記憶する記憶手段
と、半導体レーザの実使用時における作動信号をモニ ターするモニター手段と、前記記憶された作動信号と前
記モニターされた作動信号とを比較する比較手段とを備
え、該比較手段の出力信号に応じて異常警報信号を発生
するようにしたことを特徴とする半導体レーザの駆動装
置。 - （２）前記半導体レーザの作動信号は、少なくとも半導
体レーザの駆動電流もしくは、半導体レーザの出力の少
なくとも１部を光検出した出力検知信号である特許請求
の範囲第１項に記載の半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164813A JPS6225482A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
| US06/884,978 US4747091A (en) | 1985-07-25 | 1986-07-14 | Semiconductor laser drive device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164813A JPS6225482A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225482A true JPS6225482A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15800404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60164813A Pending JPS6225482A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225482A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289382A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Canon Inc | レーザ駆動装置 |
| JPH04334078A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザー制御装置 |
| EP0583186B1 (fr) * | 1992-07-30 | 1996-09-18 | France Telecom | Dispositif de contrÔle de la puissance de sortie des diodes laser |
| WO2004040722A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Intune Technologies Limited | Method for compensation of degradation in tunable lasers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816581A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | パルス変調形光出力制御回路 |
| JPS5821386A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ制御装置 |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60164813A patent/JPS6225482A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816581A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | パルス変調形光出力制御回路 |
| JPS5821386A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ制御装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0289382A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Canon Inc | レーザ駆動装置 |
| JPH04334078A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザー制御装置 |
| EP0583186B1 (fr) * | 1992-07-30 | 1996-09-18 | France Telecom | Dispositif de contrÔle de la puissance de sortie des diodes laser |
| WO2004040722A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Intune Technologies Limited | Method for compensation of degradation in tunable lasers |
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