JPS6225482A - 半導体レ−ザの駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザの駆動装置Info
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- JPS6225482A JPS6225482A JP60164813A JP16481385A JPS6225482A JP S6225482 A JPS6225482 A JP S6225482A JP 60164813 A JP60164813 A JP 60164813A JP 16481385 A JP16481385 A JP 16481385A JP S6225482 A JPS6225482 A JP S6225482A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B27/00—Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
- G11B27/36—Monitoring, i.e. supervising the progress of recording or reproducing
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体レーザの駆動装置に関し、特に、半導体
レーザの劣化を検知して異常警報信号を発する駆動装置
に関する。
レーザの劣化を検知して異常警報信号を発する駆動装置
に関する。
[従来の技術]
一般に半導体レーザは光出力に温度特性を有するととも
に、劣化によって光出力が低下する。そこで、半導体レ
ーザの駆動装置に所謂APC機衡をもたせるとともに、
半導体レーザの特性劣化や故障を検知する監視回路を備
えることが提案されている(例えば、特開昭58−14
0175号公報)、即ち、半導体レーザの仕様上の特性
に基づいて異常判定条件としての参照電圧を予め設定し
て、半導体レーザのAPCによるバイアス電流の変換電
圧とL記参照電圧とを比較し、該比較出力により半導体
レーザの異常有無を検出するものである。
に、劣化によって光出力が低下する。そこで、半導体レ
ーザの駆動装置に所謂APC機衡をもたせるとともに、
半導体レーザの特性劣化や故障を検知する監視回路を備
えることが提案されている(例えば、特開昭58−14
0175号公報)、即ち、半導体レーザの仕様上の特性
に基づいて異常判定条件としての参照電圧を予め設定し
て、半導体レーザのAPCによるバイアス電流の変換電
圧とL記参照電圧とを比較し、該比較出力により半導体
レーザの異常有無を検出するものである。
[発明が解決しようとする問題点]
上記従来技術によれば、゛ト導体レーザの特性のバラツ
キを含めた仕様−Lの特性に基づく比較的輻の広い判定
閾値(参照電圧)を基酔としてAPCによるバイアス電
流の大小を比較し、個々の¥′−導体レーザについて劣
化の有無を判断するものである。従って、劣化を検知し
て警告を発する時点では、すでに半導体レーザの寿命が
尽きている場合などがあり、1個1個の半導体レーザに
ついて劣化を正確に検知して故障の発生を事前に警告す
ることができず、使用者にとって不便であった。
キを含めた仕様−Lの特性に基づく比較的輻の広い判定
閾値(参照電圧)を基酔としてAPCによるバイアス電
流の大小を比較し、個々の¥′−導体レーザについて劣
化の有無を判断するものである。従って、劣化を検知し
て警告を発する時点では、すでに半導体レーザの寿命が
尽きている場合などがあり、1個1個の半導体レーザに
ついて劣化を正確に検知して故障の発生を事前に警告す
ることができず、使用者にとって不便であった。
未発1】は上記問題点に鑑み、を導体レーザの劣化を個
々に判断し、寿命が尽きる前に事前に警告をすることに
より、装この利用、保守を容易とし、使いやすい半導体
レーザの駆動装置を提供することを目的どする。
々に判断し、寿命が尽きる前に事前に警告をすることに
より、装この利用、保守を容易とし、使いやすい半導体
レーザの駆動装置を提供することを目的どする。
[問題点を解決する手段および作用]
本発明は、上記した従来の問題点を解決するために、半
導体レーザの初期動作時における作動信号を記憶する記
憶7段と、半導体レーザの実使用時における作動信号を
モニターするモニター手段と、前記記憶された作動信号
と前記モニターされた作動信号とを比較する比較1段と
を備え、該比較手段の出力信号に応じて異常警報信号を
発生するようにしたものである。
導体レーザの初期動作時における作動信号を記憶する記
憶7段と、半導体レーザの実使用時における作動信号を
モニターするモニター手段と、前記記憶された作動信号
と前記モニターされた作動信号とを比較する比較1段と
を備え、該比較手段の出力信号に応じて異常警報信号を
発生するようにしたものである。
[実施例]
第1図は本発明による半導体レーザの駆動装この実施例
であるブロック図を示す。1は半導体レーザで、駆動回
路2により駆動′TL流が供給される。駆動回路2は、
記録情報信号である1込デ一タ信号21及びD/Aコン
バータ3を介したCPU4からの半導体レーザ光出力調
整をする調整信号を受けて、半導体レーザ1を駆動する
。
であるブロック図を示す。1は半導体レーザで、駆動回
路2により駆動′TL流が供給される。駆動回路2は、
記録情報信号である1込デ一タ信号21及びD/Aコン
バータ3を介したCPU4からの半導体レーザ光出力調
整をする調整信号を受けて、半導体レーザ1を駆動する
。
5はPINフォトダイオードで、半導体レーザ1の出力
をモニターし、モニター信号ヲローパスフィルタ6及び
A/Dコンバータ7を介して比較手段を含むCPU4に
供給する。81はROMであり、数段階の異なる光出力
で半導体レーザを発光させる場合等に、予めそのプログ
ラム及び/又はデータを記憶する0本実施例を例えば光
デイスク装置に利用する場合には、上記ROMはディス
クの゛h径方向に応じて光出力を自動に変化し、記t!
媒体の光ビームに対する相対速度の遣いを補償して最適
な情報記録等を行う所謂ラジアルコンペンゼーション用
機能を有する半導体レーザの駆動装ごとしても利用でき
るものである。82はRAMで、上記ROMに設定され
た光出力を得るための半導体レーザ駆動用電流値に対応
したデジタル情報を記憶する。83はバックアップメモ
リで半導体レーザ1の初期通電時(例えば、本発明に係
る駆動装置を利用した機器の出荷時)の駆動電流値に対
応したデジタル情報を初期値テーブルとして記憶する。
をモニターし、モニター信号ヲローパスフィルタ6及び
A/Dコンバータ7を介して比較手段を含むCPU4に
供給する。81はROMであり、数段階の異なる光出力
で半導体レーザを発光させる場合等に、予めそのプログ
ラム及び/又はデータを記憶する0本実施例を例えば光
デイスク装置に利用する場合には、上記ROMはディス
クの゛h径方向に応じて光出力を自動に変化し、記t!
媒体の光ビームに対する相対速度の遣いを補償して最適
な情報記録等を行う所謂ラジアルコンペンゼーション用
機能を有する半導体レーザの駆動装ごとしても利用でき
るものである。82はRAMで、上記ROMに設定され
た光出力を得るための半導体レーザ駆動用電流値に対応
したデジタル情報を記憶する。83はバックアップメモ
リで半導体レーザ1の初期通電時(例えば、本発明に係
る駆動装置を利用した機器の出荷時)の駆動電流値に対
応したデジタル情報を初期値テーブルとして記憶する。
9は異常警報信号を示す。
61はローパスフィルタで、書込データ信号21に応じ
たフィルタ出力信号をA/Dコンバータに供給するもの
である。
たフィルタ出力信号をA/Dコンバータに供給するもの
である。
以下、第2図及び第1図を参照して、本実施例を光デイ
スク装置に適用した場合についてその動作を説明する。
スク装置に適用した場合についてその動作を説明する。
先づ、半導体レーザのA P C(Auto Powe
r Can定(E−ApJST)動作100を第2図(
A)フローチャートで示す、半導体レーザの駆動開始に
あたり(101)、第1のステップとして情報読出し用
の駆動電流APC設定(IRC・Arc)102を行う
、IRC−Arcは第2図CB)に示すサブルーチンに
よって行う。
r Can定(E−ApJST)動作100を第2図(
A)フローチャートで示す、半導体レーザの駆動開始に
あたり(101)、第1のステップとして情報読出し用
の駆動電流APC設定(IRC・Arc)102を行う
、IRC−Arcは第2図CB)に示すサブルーチンに
よって行う。
次のステップとして、情+423込時の)姓導体レーザ
のAPC設定(ETA−ADJ)103を行う。本実施
例では光ディスクの゛r−径方向に50ケのブロックに
分割(104)L、各ブロックについて順次APC設定
動作を繰返す。
のAPC設定(ETA−ADJ)103を行う。本実施
例では光ディスクの゛r−径方向に50ケのブロックに
分割(104)L、各ブロックについて順次APC設定
動作を繰返す。
即ち、ROM (第1図81)は予め前記各ブロックに
ついての光出力基準レベルを最大許容書込光出力(WT
LMTH)及び最小許容書込先出力(WTLMTL)と
して出力調整範囲を規定するデータを記憶している(1
05.106)、情報の書込用のt導体レーザ駆動電流
値の各ブロックについてのAPC設定107はi21M
(C)に示すIWC@Arcサブルーチンにより行い、
得β、 hf−」居入田坂4h雷拵デー 々WRTT
参 D A 1士帽用レジスタAにSETされ(10
8)だのも、各ブロックに対応した書込電流テーブルW
C・TABLとしてRAM (第1図82)に記憶され
る(109)、この動作は各ブロックについて順次繰返
され(110,111)情報書込時の゛ト導体レーザの
APC設定ETA−ADJが完了する(112.113
)。
ついての光出力基準レベルを最大許容書込光出力(WT
LMTH)及び最小許容書込先出力(WTLMTL)と
して出力調整範囲を規定するデータを記憶している(1
05.106)、情報の書込用のt導体レーザ駆動電流
値の各ブロックについてのAPC設定107はi21M
(C)に示すIWC@Arcサブルーチンにより行い、
得β、 hf−」居入田坂4h雷拵デー 々WRTT
参 D A 1士帽用レジスタAにSETされ(10
8)だのも、各ブロックに対応した書込電流テーブルW
C・TABLとしてRAM (第1図82)に記憶され
る(109)、この動作は各ブロックについて順次繰返
され(110,111)情報書込時の゛ト導体レーザの
APC設定ETA−ADJが完了する(112.113
)。
次に、第2図(B)及び(C)に示すサブルーチン20
0.300の動作を説明する。半導体゛レーザAPC回
路の有する遅延時間と位相調整するディレィ処理(20
1,301)を行ったのち、Y−導体レーザの出力をモ
ニターしたPINフォトダイオード(第1図5)のデジ
タル変換されたモニター出力PIN・MONは、RAM
(第1図82)に記憶されう(202゜302)。I
NC−Arcに於ては先にROM(第1図81)に記
憶されている情報読出し用の光出力基準レベルRDLM
TL及びRDLMTHと前記PIN−MONとが比較さ
れ(203,204)、半導体レーザの読出し用駆lh
電流を増加する動作(サブルーチンRCP・UP)20
4及び減少する動作(サブルーチンRCP−DN)20
6により、CPU(第1図4)を介してAPCが行なわ
れるものである。また、IWC−APCに於ては直流バ
イアス分に相当する埴(RDLMTL+RDLMTH)
/2を差し引いた後、先にROM (第1図81)に記
憶されている情報S速用の光出力基準レベルW T T
、 M T H及びWTLMTLと前記PIN−MON
とが比較され(303,304)、*導体レーザの書込
用駆動電流を増加する動作(サブルーチンWCpHUP
)3o5及び減少する動作(サブル−チンWCP働DN
)306によりCPUを介したAPCが行なわれるもの
である。
0.300の動作を説明する。半導体゛レーザAPC回
路の有する遅延時間と位相調整するディレィ処理(20
1,301)を行ったのち、Y−導体レーザの出力をモ
ニターしたPINフォトダイオード(第1図5)のデジ
タル変換されたモニター出力PIN・MONは、RAM
(第1図82)に記憶されう(202゜302)。I
NC−Arcに於ては先にROM(第1図81)に記
憶されている情報読出し用の光出力基準レベルRDLM
TL及びRDLMTHと前記PIN−MONとが比較さ
れ(203,204)、半導体レーザの読出し用駆lh
電流を増加する動作(サブルーチンRCP・UP)20
4及び減少する動作(サブルーチンRCP−DN)20
6により、CPU(第1図4)を介してAPCが行なわ
れるものである。また、IWC−APCに於ては直流バ
イアス分に相当する埴(RDLMTL+RDLMTH)
/2を差し引いた後、先にROM (第1図81)に記
憶されている情報S速用の光出力基準レベルW T T
、 M T H及びWTLMTLと前記PIN−MON
とが比較され(303,304)、*導体レーザの書込
用駆動電流を増加する動作(サブルーチンWCpHUP
)3o5及び減少する動作(サブル−チンWCP働DN
)306によりCPUを介したAPCが行なわれるもの
である。
第3図は本発明に係る半導体レーザの劣化を検知して異
常警報信号を発生する動作を示1.たフローチャートで
ある。
常警報信号を発生する動作を示1.たフローチャートで
ある。
第3図(A)は、半導体レーザを駆動装置に接続して動
作開始をするレーザ初期a’ilt時、或は。
作開始をするレーザ初期a’ilt時、或は。
該駆動装置を組込んだ光ディスク装置簿を出荷する際な
どの初期動作時における半導体レーザの作動信号をバッ
クアップメモリ(第1図83)に記憶するフローを示し
たものである。
どの初期動作時における半導体レーザの作動信号をバッ
クアップメモリ(第1図83)に記憶するフローを示し
たものである。
半導体レーザの初期通電の際(400)、前記E−AD
JSTルーチン401によりAPC動作を行う。そのと
きの書込電流テーブルの最大値WC−TABL (MA
X)をWC−BACKとしてバックアップメモリに記憶
する(402)。
JSTルーチン401によりAPC動作を行う。そのと
きの書込電流テーブルの最大値WC−TABL (MA
X)をWC−BACKとしてバックアップメモリに記憶
する(402)。
最大値WC−TABL (MAX)は、CAV (角速
度一定)ディスクの場合、ディスクの最外周書込位置に
おける3込電流に相当する。
度一定)ディスクの場合、ディスクの最外周書込位置に
おける3込電流に相当する。
次に、通常使用蒔の警告表示動作について第3図CB)
にフローを示す。通常使用の場合(500)も前記と同
様にE−ADJSTルーチン501によりAPC動作が
行なわれる。即ち、半導体レーザの光出力はPINフォ
トダイオードで検知され、デジタル変換して前記IRC
−APC(第2図(C))により半導体レーザを駆動す
る。特に、APCされた書込用駆動電流に対応するデジ
タル変換値WC−TABL (N)は半導体レーザの光
出力をモニターし、前記WTLMTL及びWTLMTH
と比較し増減調整された結果として得られた作動信号で
ある。かくして得られたWC−TABL (N)の最大
値WC−TABL (MAX)は先にバックアップメモ
リに記憶された初期通電の際のWC−BACKと比較さ
れ(502)、差Aを求めたのち(503,504)予
め設定する許容限界値LIMITと比較される(505
)、LIMITとAが等しいか或はAがLIMITより
大の場合には、警告表示(506)を行う。
にフローを示す。通常使用の場合(500)も前記と同
様にE−ADJSTルーチン501によりAPC動作が
行なわれる。即ち、半導体レーザの光出力はPINフォ
トダイオードで検知され、デジタル変換して前記IRC
−APC(第2図(C))により半導体レーザを駆動す
る。特に、APCされた書込用駆動電流に対応するデジ
タル変換値WC−TABL (N)は半導体レーザの光
出力をモニターし、前記WTLMTL及びWTLMTH
と比較し増減調整された結果として得られた作動信号で
ある。かくして得られたWC−TABL (N)の最大
値WC−TABL (MAX)は先にバックアップメモ
リに記憶された初期通電の際のWC−BACKと比較さ
れ(502)、差Aを求めたのち(503,504)予
め設定する許容限界値LIMITと比較される(505
)、LIMITとAが等しいか或はAがLIMITより
大の場合には、警告表示(506)を行う。
L記憶とLIMITの比較は第3図(B)では1段階で
行なっているがこれに限られず、数段階に分けて比較し
、それらの複数比較の結果から適宜演算するなどにより
警告表示の内容を数段階に分けて表示するようにしても
よい、なお、以りの実施例の説明では、バックアップメ
モリ83をRAMとして示したが、ROMでもよく、即
ち、半導体レーザのメーカが、その製品の特性を記憶し
たROMを半導体レーザと組合わせてセットとしてユー
ザに供給するなどによってもよい、この場合には、半導
体レーザの交換とともにROMも交換することとなる。
行なっているがこれに限られず、数段階に分けて比較し
、それらの複数比較の結果から適宜演算するなどにより
警告表示の内容を数段階に分けて表示するようにしても
よい、なお、以りの実施例の説明では、バックアップメ
モリ83をRAMとして示したが、ROMでもよく、即
ち、半導体レーザのメーカが、その製品の特性を記憶し
たROMを半導体レーザと組合わせてセットとしてユー
ザに供給するなどによってもよい、この場合には、半導
体レーザの交換とともにROMも交換することとなる。
マタ、バックアップメモリには、複数(例えば北記例示
のごとく光デイスク装置に用いる場合にはディスクのt
径方向位置Nに対応した複数)の駆動電流値WC−BA
CK (N)を記憶しておき通常の装置使用時の駆動電
流値WC・TABL(N)との差分AのいずれかがLI
MITを越えた場合には、他の差分AがLIMIT内に
あったとしても異常警報信号を発生するようにすること
もできる。この一連の動作をフローチャートにて第4図
に示す。
のごとく光デイスク装置に用いる場合にはディスクのt
径方向位置Nに対応した複数)の駆動電流値WC−BA
CK (N)を記憶しておき通常の装置使用時の駆動電
流値WC・TABL(N)との差分AのいずれかがLI
MITを越えた場合には、他の差分AがLIMIT内に
あったとしても異常警報信号を発生するようにすること
もできる。この一連の動作をフローチャートにて第4図
に示す。
第3図(A)(B)同様に第4図(A)(B)はそれぞ
れ半導体レーザを駆動装置に接続して動作開始をするレ
ーザ初期通電時、或は該駆動装置を組込んだ光デイスク
装置等を出荷する際などの初期動作時に於ける半導体レ
ーザの作動信号を/へツクアップメモリに各ブロック毎
に記憶するもののフローチャート、又、通常使用時の警
告表示動作にても、前記半導体レーザの初期通電時もし
くは光ディスク装Fa等の各ブロック毎の作動信号と通
常使用の場合の各ブロック毎の作動信号とを各ブロック
毎相対してその差の絶対値Aが各ブロック毎に定められ
た許容限界値LIMIT(N)と比較され、半導体レー
ザの異常の有無、劣化の度合を判別し、異常!報信号を
発生するフローチャートである。
れ半導体レーザを駆動装置に接続して動作開始をするレ
ーザ初期通電時、或は該駆動装置を組込んだ光デイスク
装置等を出荷する際などの初期動作時に於ける半導体レ
ーザの作動信号を/へツクアップメモリに各ブロック毎
に記憶するもののフローチャート、又、通常使用時の警
告表示動作にても、前記半導体レーザの初期通電時もし
くは光ディスク装Fa等の各ブロック毎の作動信号と通
常使用の場合の各ブロック毎の作動信号とを各ブロック
毎相対してその差の絶対値Aが各ブロック毎に定められ
た許容限界値LIMIT(N)と比較され、半導体レー
ザの異常の有無、劣化の度合を判別し、異常!報信号を
発生するフローチャートである。
第4図(B)中に各ブロック毎に許容限界値LIMIT
(N)を定めているがこれは各ブロックに対し一律であ
ってもよく半導体レーザの定格動作電流範囲で闇値電流
の増加、量子効率の悪化による駆動電流の増加に対し数
%毎に区切りを設は各区切りによる警告を順次発生する
様に構成してもよい。
(N)を定めているがこれは各ブロックに対し一律であ
ってもよく半導体レーザの定格動作電流範囲で闇値電流
の増加、量子効率の悪化による駆動電流の増加に対し数
%毎に区切りを設は各区切りによる警告を順次発生する
様に構成してもよい。
本発明によれば闇値電流の増加に対する補正は第2図(
B)にて示されるIRC−APCなるサブルーチンにて
行なわれ、量子効率に対する補正は第2図(C)にて示
されるIWC−APCなるサブルーチンにて行なわれる
。
B)にて示されるIRC−APCなるサブルーチンにて
行なわれ、量子効率に対する補正は第2図(C)にて示
されるIWC−APCなるサブルーチンにて行なわれる
。
よって当然の如く、半導体レーザの劣化判別を量子効率
及び闇値電流により行うだけでなく、本発明の実施例を
闇値電流値もしくはRead Power値(Read
Powerは、闇値電流値と接近しているので田植を
検知する場合、近似値として用いることができる)、量
子効率部(半径方向に沿って変化する各Write P
owerに相当する)の双方にて行ない、それぞれの電
流増加分に対する許容電流値を設けて判別を行う事は容
易に実施できるものである。
及び闇値電流により行うだけでなく、本発明の実施例を
闇値電流値もしくはRead Power値(Read
Powerは、闇値電流値と接近しているので田植を
検知する場合、近似値として用いることができる)、量
子効率部(半径方向に沿って変化する各Write P
owerに相当する)の双方にて行ない、それぞれの電
流増加分に対する許容電流値を設けて判別を行う事は容
易に実施できるものである。
従来より半導体レーザの寿命は、初期使用時のある特定
出力を得るに要する駆動電流に対し劣化後の前記特定出
力を得るに要する駆動電流が1.2倍になった場合に尽
きると言われている。
出力を得るに要する駆動電流に対し劣化後の前記特定出
力を得るに要する駆動電流が1.2倍になった場合に尽
きると言われている。
よって本発明によれば半導体レーザの劣化を正確に各段
階に於いて認識すると共に適時警告を発生する様に動作
する。
階に於いて認識すると共に適時警告を発生する様に動作
する。
さらに、半導体レーザ駆動回路により駆動される範囲内
でかつ前記の要求出力に対する駆動電流の限度内である
ならば量子効率の変化がいか様であろうとも半導体レー
ザの使用を可能とするものである。
でかつ前記の要求出力に対する駆動電流の限度内である
ならば量子効率の変化がいか様であろうとも半導体レー
ザの使用を可能とするものである。
[発明の効果]
本発明によれば、半導体レーザ駆!!#I装置の駆動す
る半導体レーザの個々の特性に応じて、その初期動作時
の作動信号と実使用時の作動信号とを比較してレーザ素
子の劣化を正確に検知することができる。更に、半導体
レーザの微妙な劣化の発生を9期に検知し、使用不能に
至る前段階で、劣化の予告をすることができるので、保
守に便である効も奏するものである。
る半導体レーザの個々の特性に応じて、その初期動作時
の作動信号と実使用時の作動信号とを比較してレーザ素
子の劣化を正確に検知することができる。更に、半導体
レーザの微妙な劣化の発生を9期に検知し、使用不能に
至る前段階で、劣化の予告をすることができるので、保
守に便である効も奏するものである。
第1図は本発明の実施例を示すブロック図、第2図(A
)(B)及び(C)、第3図(A)(B)及び第4図(
A)、(B)は実施例の動作を説明するフローチャート
である。 1・・・半導体レーザ 2・・・駆動回路 3・・・D/Aコンバータ 4・・・CPU 5・・・PINフォトダイオード 6.61・・・LPF 7・・・A/Dコンバータ 9・・・異常警報信号 21・・・書込データ信号 81・・・ROM 82・・・RAM 83・・・バックアップメモリ 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第3図 (A) (B) 第4 (A) (B)
)(B)及び(C)、第3図(A)(B)及び第4図(
A)、(B)は実施例の動作を説明するフローチャート
である。 1・・・半導体レーザ 2・・・駆動回路 3・・・D/Aコンバータ 4・・・CPU 5・・・PINフォトダイオード 6.61・・・LPF 7・・・A/Dコンバータ 9・・・異常警報信号 21・・・書込データ信号 81・・・ROM 82・・・RAM 83・・・バックアップメモリ 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第3図 (A) (B) 第4 (A) (B)
Claims (2)
- (1)半導体レーザの駆動電流を制御して安定なレーザ
出力を得る半導体レーザの駆動装置において、半導体レ
ーザの初期動作時における作動信号を記憶する記憶手段
と、半導体レーザの実使用時における作動信号をモニ ターするモニター手段と、前記記憶された作動信号と前
記モニターされた作動信号とを比較する比較手段とを備
え、該比較手段の出力信号に応じて異常警報信号を発生
するようにしたことを特徴とする半導体レーザの駆動装
置。 - (2)前記半導体レーザの作動信号は、少なくとも半導
体レーザの駆動電流もしくは、半導体レーザの出力の少
なくとも1部を光検出した出力検知信号である特許請求
の範囲第1項に記載の半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60164813A JPS6225482A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
US06/884,978 US4747091A (en) | 1985-07-25 | 1986-07-14 | Semiconductor laser drive device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60164813A JPS6225482A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6225482A true JPS6225482A (ja) | 1987-02-03 |
Family
ID=15800404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60164813A Pending JPS6225482A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザの駆動装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6225482A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0289382A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Canon Inc | レーザ駆動装置 |
JPH04334078A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザー制御装置 |
EP0583186B1 (fr) * | 1992-07-30 | 1996-09-18 | France Telecom | Dispositif de contrÔle de la puissance de sortie des diodes laser |
WO2004040722A1 (en) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Intune Technologies Limited | Method for compensation of degradation in tunable lasers |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5816581A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | パルス変調形光出力制御回路 |
JPS5821386A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ制御装置 |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60164813A patent/JPS6225482A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5816581A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | パルス変調形光出力制御回路 |
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