JPH0527057B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0527057B2 JPH0527057B2 JP59027501A JP2750184A JPH0527057B2 JP H0527057 B2 JPH0527057 B2 JP H0527057B2 JP 59027501 A JP59027501 A JP 59027501A JP 2750184 A JP2750184 A JP 2750184A JP H0527057 B2 JPH0527057 B2 JP H0527057B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light source
- output
- light
- recording
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 6
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、光学的記録再生装置等の光源、特
に半導体レーザの異常を感知する装置に関する。
に半導体レーザの異常を感知する装置に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体レーザは小型で、かつ電流による直接光
変調が可能である等の利点から、デイスク状の記
録媒体にデータ等の信号を記録再生する光学的記
録再生装置の光源として用いられることが多い。
しかし半導体レーザの信頼性は光出力、周囲温度
等の条件に大きく左右され、特に高温雰囲気中
で、大出力を出すと半導体レーザの劣化は早く進
む傾向にある。従つて記録再生用として用いる半
導体レーザの場合、光源で20〜30ｍＷ程度の大出
力を必要とし、かつ半導体レーザの周囲温度も比
較的高い温度（例えば60℃）になるため、信号記
録時に半導体レーザの光出力がダウンしてしまい
データを記録することが出来ない場合が生ずる。
変調が可能である等の利点から、デイスク状の記
録媒体にデータ等の信号を記録再生する光学的記
録再生装置の光源として用いられることが多い。
しかし半導体レーザの信頼性は光出力、周囲温度
等の条件に大きく左右され、特に高温雰囲気中
で、大出力を出すと半導体レーザの劣化は早く進
む傾向にある。従つて記録再生用として用いる半
導体レーザの場合、光源で20〜30ｍＷ程度の大出
力を必要とし、かつ半導体レーザの周囲温度も比
較的高い温度（例えば60℃）になるため、信号記
録時に半導体レーザの光出力がダウンしてしまい
データを記録することが出来ない場合が生ずる。
半導体レーザの劣化を知る方法として、従来は
例えば再生信号の品質の劣化から、あるいは予め
定められた温度下でのしきい値電流（半導体レー
ザがレーザ発振をし始める電流）の変化から判断
していた。
例えば再生信号の品質の劣化から、あるいは予め
定められた温度下でのしきい値電流（半導体レー
ザがレーザ発振をし始める電流）の変化から判断
していた。
まず前者の方法は、予め記録された信号を読み
出し、半導体レーザが劣化していると定められた
信号品質の再生信号が得られないことから劣化を
知る方法であるが、この方法だと比較的光出力が
低い再生パワーは出せるが、光出力の高い記録パ
ワーが出ないという劣化を状態を感知することが
できない。
出し、半導体レーザが劣化していると定められた
信号品質の再生信号が得られないことから劣化を
知る方法であるが、この方法だと比較的光出力が
低い再生パワーは出せるが、光出力の高い記録パ
ワーが出ないという劣化を状態を感知することが
できない。
一方後者の方法は、一般に半導体レーザの劣化
が進むとしきい値電流は増すことから、例えば使
用している半導体レーザのしきい値電流が、初期
状態での前記電流の1.5倍以上になればその半導
体レーザは劣化してしまつたと判断する方法であ
る。この方法だと、しきい値電流は周囲温度でも
変化するため、周囲温度を一定にしてしきい値電
流を測定しなければならない欠点を有する。
が進むとしきい値電流は増すことから、例えば使
用している半導体レーザのしきい値電流が、初期
状態での前記電流の1.5倍以上になればその半導
体レーザは劣化してしまつたと判断する方法であ
る。この方法だと、しきい値電流は周囲温度でも
変化するため、周囲温度を一定にしてしきい値電
流を測定しなければならない欠点を有する。
以上のように従来は、半導体レーザの劣化を容
易にかつ確実に検出することができなかつた。
易にかつ確実に検出することができなかつた。
発明の目的
本発明は、従来の問題点を解決し、特に記録再
生にかかわらず、光源の異常発光を監視できる光
源異常監視装置を提供することを目的とする。
生にかかわらず、光源の異常発光を監視できる光
源異常監視装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、光源からでた光を光検出器で検出
し、記録と再生でその利得が可変できる可変利得
増幅器で増幅した後、その出力が所定範囲にある
か否かを比較器で検出することにより光源の異常
状態を感知すると共に光源を停止する停止手段を
設けた光源異常監視装置であり、光学的記録再生
装置等の光源、例えば半導体レーザの異常発光状
態を検出できるものである。
し、記録と再生でその利得が可変できる可変利得
増幅器で増幅した後、その出力が所定範囲にある
か否かを比較器で検出することにより光源の異常
状態を感知すると共に光源を停止する停止手段を
設けた光源異常監視装置であり、光学的記録再生
装置等の光源、例えば半導体レーザの異常発光状
態を検出できるものである。
実施例の説明
以下図面に従い本発明を詳しく説明する。
第１図は本発明における一実施例で、再生専用
の光デイスク装置のパワーサーボ回路に適用した
場合を示した図である。第１図において、１は半
導体レーザ、２は半導体レーザ１からの光を検出
する光検出器である。一般に半導体レーザ１と光
検出器２は同一のケースに入つており一体構造と
なつている。３は光検出器２からの電流（以下ピ
ン電流とする）IPから可変抵抗VR１より得られ
る基準電流Irを引いたIdを電圧に変換するOPアン
プである。４はアナログゲート、５は利得Ｇ倍の
増幅器、６は比較器、７はアンド回路であり、ア
ナログゲート４と共に半導体レーザ１を異常時に
停止する停止手段として動作する。
の光デイスク装置のパワーサーボ回路に適用した
場合を示した図である。第１図において、１は半
導体レーザ、２は半導体レーザ１からの光を検出
する光検出器である。一般に半導体レーザ１と光
検出器２は同一のケースに入つており一体構造と
なつている。３は光検出器２からの電流（以下ピ
ン電流とする）IPから可変抵抗VR１より得られ
る基準電流Irを引いたIdを電圧に変換するOPアン
プである。４はアナログゲート、５は利得Ｇ倍の
増幅器、６は比較器、７はアンド回路であり、ア
ナログゲート４と共に半導体レーザ１を異常時に
停止する停止手段として動作する。
まずこの回路におけるパワーサーボの動作につ
いて説明する。
いて説明する。
ピン電流Ipと半導体レーザ駆動電流ILDとの間に
は次の関係が成り立つている。
は次の関係が成り立つている。
Id＝Ip−Ir ……(1)
−Ve＝VB／２−Id・Rf ……(2)
ILD＝−Ve−（VB）／Re ……(3)
(1)、(2)式を(3)式に代入
ILD＝１／Re（VB／２＋IrRf−IpR
f）＝K1−K2Ip……(4) またピン電流Ipは半導体レーザの光出力Ｐに比
例する。従つて例えば周囲温度が上昇し半導体レ
ーザの光出力が低下すると、Ipが減り、(4)式より
半導体レーザに流れる電流ILDは増すように負帰
還がかかり、その結果半導体レーザの出力は低下
せず安定したパワーサーボが得られることとな
る。周囲温度が低下した時も同様である。
f）＝K1−K2Ip……(4) またピン電流Ipは半導体レーザの光出力Ｐに比
例する。従つて例えば周囲温度が上昇し半導体レ
ーザの光出力が低下すると、Ipが減り、(4)式より
半導体レーザに流れる電流ILDは増すように負帰
還がかかり、その結果半導体レーザの出力は低下
せず安定したパワーサーボが得られることとな
る。周囲温度が低下した時も同様である。
つぎに本発明の半導体レーザの異常を感知する
動作について説明する。
動作について説明する。
前述の様に安定したパワーサーボが働いている
限り、半導体レーザ出力Ｐは周囲温度等にかかわ
らず一定で、従つてピン電流IpおよびVA＝Ip
限り、半導体レーザ出力Ｐは周囲温度等にかかわ
らず一定で、従つてピン電流IpおよびVA＝Ip
Claims (1)
- １ その出射光が情報の記録および再生のために
用いられる光源と、前記光源からの光を検出する
光検出器と、前記光検出器からの出力を増幅する
利得が、再生時と記録時とで切り換えられる可変
利得増幅器と、前記可変利得増幅器からの出力が
所定範囲にあるか否かを検出する比較器と、前記
所定の範囲にないとき光源の発光を停止させるた
めの信号を出力する光源異常監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2750184A JPS60170738A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光源異常監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2750184A JPS60170738A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光源異常監視装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170738A JPS60170738A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0527057B2 true JPH0527057B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=12222891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2750184A Granted JPS60170738A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光源異常監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170738A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609266A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | 光源の劣化検出法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58140652U (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体レ−ザ発振器の保護装置 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP2750184A patent/JPS60170738A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609266A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | 光源の劣化検出法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60170738A (ja) | 1985-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |