JPH0544627B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0544627B2
JPH0544627B2 JP57179840A JP17984082A JPH0544627B2 JP H0544627 B2 JPH0544627 B2 JP H0544627B2 JP 57179840 A JP57179840 A JP 57179840A JP 17984082 A JP17984082 A JP 17984082A JP H0544627 B2 JPH0544627 B2 JP H0544627B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
deterioration
power
current
detecting
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP57179840A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5970974A (ja
Inventor
Hiromi Senoo
Yasumitsu Mizoguchi
Masahiro Takasago
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP17984082A priority Critical patent/JPS5970974A/ja
Publication of JPS5970974A publication Critical patent/JPS5970974A/ja
Publication of JPH0544627B2 publication Critical patent/JPH0544627B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体レーザの劣化検出装置に関し特
にデイジタル光デイスクに使用される半導体レー
ザの劣化検出に関する。
〔従来技術〕
従来の光デイスク装置では、半導体レーザの劣
化検出は積極的には行なつておらず定期的にある
いは劣化時に交換するようになつていたので、半
導体レーザの急激な劣化やある期間使用後の半導
体レーザの特性を把握しながら使用することがで
きなかつた。このため、例えばデイスクに情報を
記録したいとき、所定の記録電流を流しても半導
体レーザの劣化により記録パワーが不足し、正常
に情報記録をできないという問題が発生する可能
性があつた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は光デイスク装置のイニシヤル動
作時に、半導体レーザの劣化を毎回あるいは定期
的に行なうことにより、上述し記録障害を未然に
防止することにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため、本発明では、半導体
レーザが劣化すると微分量子効率(しきい値以上
での勾配)が下がるという性質に着目し、所定の
2点のパワーを出するために必要な電流値の差を
検出することにより、半導体レーザの劣化状態を
判断するようにしたことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下本発明の一実施例を図により説明する。
第1図は半導体レーザの電流と出力パワーの特
性を示す。曲線1は正常時の、曲線2は劣化時の
半導体レーザの特性を示し、I11、I21、I12、I22
あるパワーP1、P2を出すために必要な半導体レ
ーザの電流値を示す。半導体レーザの正常時の
P1とP2のパワーを出するための電流値の差(I21
−I11)と劣化時のP1とP2のパワーを出するため
の電流値の差(I22−I12)をある劣化基準電圧と
比較し、半導体レーザの劣化を検出する。
第2図は上記動作を実施する回路の1例を示
し、18は半導体レーザ10を駆動するための回
路19は半導体レーザ10に流れている電流の劣
化を検出する回路であり、パワーP1時の駆動電
流サンプルホールド回路14とパワーP2時の駆
動電流サンプルホールド回路15を含んでいる。
サンプルホールド回路の切替えは、第3図に示す
如く、P1−CHK信号21と、P2−CHK信号22
とにより制御する。これらの信号は装置のイニシ
ヤル時を示す信号CHK−GATE20から作られ
る。
サンプル回路14,15にホールドされた駆動
電流の値はコンパレータ16により比較され、そ
の差信号23がコンパレータ17で半導体レーザ
の劣化基準のなる信号24とを比較されて半導体
の劣化検出が行なわれる。
レーザパワーを変える時の半導体レーザ駆動回
路18の働きは次の通りである。まず、半導体レ
ーザ10にパワーP1を出するために駆動電流を
ある値に設定する。この駆動電流によりレーザ1
0はパワーP1で発光し、モニタにパワーに比例
したモニタ電流が流れる。そしてモニタ電流は抵
抗4により電圧に変換され、オペアンプ5で増幅
されてモニタ出力信号28となる。自動パワー制
御回路8はモニタ出力信号28と基準信号27が
一致するように動作し、一定のパワーP1が得ら
れる。次に他の一点P2の駆動電流を得るためP2
−CHK信号22をオンにし、オペアンプ5の増
幅度を変化させると(実施例では増幅度を下げ
る)、モニタ出力信号28と基準電圧27とのバ
ランスがくずれ、変動した分だけ一致しようと動
作する。実施例ではレーザ電流をもつとたくさん
流す方向に働き、最終的にパワーP2にて安定す
る。このようにしてパワーP1時とP2時のレーザ
駆動電流の得て前述したような劣化検出を行な
う。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかな如く、本発明によれ
ば、半導体レーザの発光出力が第1又は第2のレ
ベル(P1又はP2)になるように増幅手段の増幅
度を変化させて半導体レーザに流れる駆動電流を
制御し、半導体レーザの発光出力が第1のレベル
(P1)のときに流れる駆動電流と半導体レーザの
発光出力が第2のレベル(P2)のときに流れる
駆動電流との差を検出して、半導体レーザの劣化
を検出するので、P1とP2のパワーを得るための
駆動電流はそれぞれ温度変化によつて変化する
が、P1とP2のパワーを得るための駆動電流の差
は温度変化にかかわらずほぼ一定であり、温度変
化に関係なく半導体レーザの劣化を正確に検出す
ることができ、したがつて半導体レーザのパワー
不足によるリード・ライトの障害をなくすことが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体レーザの電流と出力パワーの関
係を、第2図は第1図の曲線1と曲線2の微分量
子効率を検出しその検出値と基準値を比較する回
路を示す。第3図は第2図の回路に使う信号のタ
イミングチヤートを示す。 1……正常時の半導体レーザの電流と出力パワ
ーの関係、2……劣化時の半導体レーザの電流と
出力パワーの関係、3……半導体レーザのモニ
タ、4……モニタの負荷抵抗、5……OPアンプ、
6,7……抵抗、8……自動パワー制御回路、9
……半導体レーザ駆動トランジスタ、10……半
導体レーザ、11……抵抗、12……スイツチ
1、13……スイツチ2、14……リードサンプ
ルホールド回路、15……ライトサンプルホール
ド回路、16,17……コンパレータ、18……
半導体レーザ駆動回路、19……劣化検出回路、
20……半導体レーザのチエツク信号、21……
リード時の半導体レーザチエツク信号、22……
ライト時の半導体レーザチエツク信号、23……
ライト電流とリード電流の差信号、24……劣化
検出の基準信号、25……P2CHK時のゲイン切
替スイツチ、26……抵抗、27……基準パワー
における基準電圧、28……モニタ出力信号。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 直流バイアスにパルスを重畳して駆動する半
    導体レーザを光源に用いる装置において、 上記半導体レーザの発光を検出するモニタ手
    段、そのモニタ電流を電圧に変換して増幅する増
    幅手段、及びその出力信号が所定の基準信号と一
    致するように上記半導体レーザに流れる駆動電流
    を制御するパワー制御手段からなる半導体レーザ
    駆動手段であつて、上記半導体レーザの発光出力
    が第1又は第2のレベルになるように上記増幅手
    段の増幅度を変化させる半導体レーザ駆動手段
    と、 上記半導体レーザの発光出力が第1のレベルの
    とき上記半導体レーザに流れる駆動電流と上記半
    導体レーザの発光出力が第2のレベルのとき上記
    半導体レーザに流れる駆動電流との差を検出し
    て、上記半導体レーザの劣化を検出する劣化検出
    手段とを有することを特徴とする半導体レーザ劣
    化検出装置。
JP17984082A 1982-10-15 1982-10-15 半導体レーザ劣化検出装置 Granted JPS5970974A (ja)

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JP17984082A JPS5970974A (ja) 1982-10-15 1982-10-15 半導体レーザ劣化検出装置

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JPS5970974A JPS5970974A (ja) 1984-04-21
JPH0544627B2 true JPH0544627B2 (ja) 1993-07-06

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60231183A (ja) * 1984-04-28 1985-11-16 Fujitsu Ltd 半導体発光装置の特性測定方法
JP5510135B2 (ja) * 2010-07-07 2014-06-04 富士通株式会社 半導体レーザの判定装置、および、半導体レーザの判定方法

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JPS5710991A (en) * 1980-06-24 1982-01-20 Fujitsu Ltd Laser diode control circuit

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JPS5558069U (ja) * 1978-10-13 1980-04-19

Patent Citations (1)

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JPS5710991A (en) * 1980-06-24 1982-01-20 Fujitsu Ltd Laser diode control circuit

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