JP2624788B2 - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気ディスク等を記録媒体として用いる
光ディスク記録再生装置における半導体レーザ駆動装置
に関するものである。
光ディスク記録再生装置における半導体レーザ駆動装置
に関するものである。
光磁気ディスク装置では、垂直磁化された磁性膜に高
出力のレーザ光を照射し、その熱により外部磁界の方向
に磁化反転させて情報の記録又は消去を行う。また、再
生の際には、低出力のレーザ光を磁性膜に照射し、その
反射光から磁化の状態を検出して情報を読み出す。従っ
て、光磁気ディスク装置には、記録・消去又は再生のそ
れぞれのモードに応じて、所定光量のレーザ光を磁性膜
に照射する半導体レーザ駆動装置が設けられている。
出力のレーザ光を照射し、その熱により外部磁界の方向
に磁化反転させて情報の記録又は消去を行う。また、再
生の際には、低出力のレーザ光を磁性膜に照射し、その
反射光から磁化の状態を検出して情報を読み出す。従っ
て、光磁気ディスク装置には、記録・消去又は再生のそ
れぞれのモードに応じて、所定光量のレーザ光を磁性膜
に照射する半導体レーザ駆動装置が設けられている。
この従来の半導体レーザ駆動装置の一例を第７図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
再生時には、再生ON信号が発せられ、スイッチ回路21
がONとなる。すると、オペアンプ22の非反転入力を介し
た電源VrefによりトランジスタTrが導通するので、半導
体レーザ素子23に再生駆動電流IRが供給されてレーザ光
が出射される。この際、半導体レーザ素子23から出射さ
れたレーザ光は光量検出素子24でモニタされ、前記オペ
アンプ22の反転入力に送られる。従って、トランジスタ
Trは、このモニタ光量の負帰還により再生駆動電流IRを
調整し、レーザ光の出射光量が一定になるように制御す
ることができる。
がONとなる。すると、オペアンプ22の非反転入力を介し
た電源VrefによりトランジスタTrが導通するので、半導
体レーザ素子23に再生駆動電流IRが供給されてレーザ光
が出射される。この際、半導体レーザ素子23から出射さ
れたレーザ光は光量検出素子24でモニタされ、前記オペ
アンプ22の反転入力に送られる。従って、トランジスタ
Trは、このモニタ光量の負帰還により再生駆動電流IRを
調整し、レーザ光の出射光量が一定になるように制御す
ることができる。
このように、再生時にレーザ光をモニタしてフィード
バック制御を行うのは、半導体レーザ素子23が温度によ
る影響を受け易いために、再生駆動電流IRを一定にした
だけでは一定の出射光量PRを得ることができないからで
ある。即ち、半導体レーザ素子23は、温度が上昇する
と、例えば第８図に示すように、Ｉ−Ｐ（駆動電流−出
射光量）特性が特性曲線Ａから特性曲線Ｂに大きく変化
する。すると、特性曲線Ａのときに再生駆動電流IR1に
よって所定の出射光量PRを得ていたものが、温度上昇に
より特性曲線Ｂに変化すると、同じ出射光量PRを得るた
めにより大きな再生駆動電流IR2を要するようになる。
従って、常に一定の出射光量PRを得るためには、この出
射光量PRをモニタして再生駆動電流IRを制御しなければ
ならないからである。
バック制御を行うのは、半導体レーザ素子23が温度によ
る影響を受け易いために、再生駆動電流IRを一定にした
だけでは一定の出射光量PRを得ることができないからで
ある。即ち、半導体レーザ素子23は、温度が上昇する
と、例えば第８図に示すように、Ｉ−Ｐ（駆動電流−出
射光量）特性が特性曲線Ａから特性曲線Ｂに大きく変化
する。すると、特性曲線Ａのときに再生駆動電流IR1に
よって所定の出射光量PRを得ていたものが、温度上昇に
より特性曲線Ｂに変化すると、同じ出射光量PRを得るた
めにより大きな再生駆動電流IR2を要するようになる。
従って、常に一定の出射光量PRを得るためには、この出
射光量PRをモニタして再生駆動電流IRを制御しなければ
ならないからである。
また、記録・消去時には、まず再生駆動電流IRが図示
しないサンプルホールド回路によって記録・消去動作の
直前の値に固定される。そして、記録消去信号発生回路
25から記録消去信号が発せられ、これに応じてスイッチ
回路26がON/OFFする。すると、このスイッチ回路26のON
時に、記録消去駆動電流IWが流れ、再生駆動電流IRに重
畳されて半導体レーザ素子23に供給される。従って、記
録時には、その記録信号によって出射されるレーザ光が
変調されることになる。なお、消去時には、スイッチ回
路26が常にONとなり、記録消去駆動電流IWが流れ続け
る。
しないサンプルホールド回路によって記録・消去動作の
直前の値に固定される。そして、記録消去信号発生回路
25から記録消去信号が発せられ、これに応じてスイッチ
回路26がON/OFFする。すると、このスイッチ回路26のON
時に、記録消去駆動電流IWが流れ、再生駆動電流IRに重
畳されて半導体レーザ素子23に供給される。従って、記
録時には、その記録信号によって出射されるレーザ光が
変調されることになる。なお、消去時には、スイッチ回
路26が常にONとなり、記録消去駆動電流IWが流れ続け
る。
上記記録消去駆動電流IWは、選択回路27によって選択
された制限抵抗28の抵抗値に応じた大きさの電流とな
る。選択回路27は、出射光量設定信号発生回路29からの
信号に応じて４個のスイッチを切り換えることができる
回路である。そして、この選択回路27の各スイッチに
は、制限抵抗28の各抵抗器R1〜R4がそれぞれ接続されて
いる。また、出射光量設定信号発生回路29は、半導体レ
ーザ素子23がレーザ光を照射する光磁気ディスク上の位
置を検出し、その位置に応じて選択回路27に切り換え設
定のための信号を発する回路であり、この照射位置が外
周側に向かうほど大きな記録消去駆動電流IWが流れるよ
うな信号を発するようになっている。
された制限抵抗28の抵抗値に応じた大きさの電流とな
る。選択回路27は、出射光量設定信号発生回路29からの
信号に応じて４個のスイッチを切り換えることができる
回路である。そして、この選択回路27の各スイッチに
は、制限抵抗28の各抵抗器R1〜R4がそれぞれ接続されて
いる。また、出射光量設定信号発生回路29は、半導体レ
ーザ素子23がレーザ光を照射する光磁気ディスク上の位
置を検出し、その位置に応じて選択回路27に切り換え設
定のための信号を発する回路であり、この照射位置が外
周側に向かうほど大きな記録消去駆動電流IWが流れるよ
うな信号を発するようになっている。
このように、レーザ光の照射位置に応じて記録消去駆
動電流IWを変化させるのは、光磁気ディスクを角速度一
定で回転させた場合、照射位置が外周に向かうほど相対
線速度が速くなるからである。即ち、磁性膜に与える照
射エネルギーをディスクの内周側と外周側とで一定にし
ようとすれば、外周側ほどレーザ光の出射光量を高める
必要がある。従って、選択回路27によって制限抵抗28の
各抵抗器R1〜R4の組合せを変化させることにより、レー
ザ光の照射位置が外周に向かうほど記録消去駆動電流IW
が段階的に大きくなるようにしている。
動電流IWを変化させるのは、光磁気ディスクを角速度一
定で回転させた場合、照射位置が外周に向かうほど相対
線速度が速くなるからである。即ち、磁性膜に与える照
射エネルギーをディスクの内周側と外周側とで一定にし
ようとすれば、外周側ほどレーザ光の出射光量を高める
必要がある。従って、選択回路27によって制限抵抗28の
各抵抗器R1〜R4の組合せを変化させることにより、レー
ザ光の照射位置が外周に向かうほど記録消去駆動電流IW
が段階的に大きくなるようにしている。
なお、上記のような制御を行う従来の半導体レーザ駆
動装置としては、特開昭62−257640号公報に記載された
発明等がある。
動装置としては、特開昭62−257640号公報に記載された
発明等がある。
このように、従来の半導体レーザ駆動装置は、光磁気
ディスク上のレーザ光の照射位置が同じである限り、再
生駆動電流IRに重畳される記録消去駆動電流IWの値は常
に一定であった。
ディスク上のレーザ光の照射位置が同じである限り、再
生駆動電流IRに重畳される記録消去駆動電流IWの値は常
に一定であった。
ところが、前述のように、半導体レーザ素子23は、温
度が上昇するとＩ−Ｐ特性の特性曲線が変化する。そし
て、第８図に示すように、この温度による変化は、特性
曲線Ａから特性曲線Ｂ′への単なるシフトではなく、特
性曲線Ｂに示すように、微分効率もΔPX1/ΔIWからΔP
X2/ΔIWに減少することになる。このため、特性曲線Ａ
の場合に、再生駆動電流IR1に記録消去駆動電流IWを重
畳することにより所定の出射光量PX1を得ていたもの
が、温度上昇により特性曲線Ｂに変化すると、再生時の
出射光量PRを一定とする再生駆動電流IR2に同じ記録消
去駆動電流IWを重畳しても、微分効率が減少した分だけ
出射光量も減少して図示PX2にしか達し得ない。また、
温度が高いときに所定の出射光量PXを得ていた場合に
は、温度低下時に逆に出射光量が増大しすぎるおそれが
ある。
度が上昇するとＩ−Ｐ特性の特性曲線が変化する。そし
て、第８図に示すように、この温度による変化は、特性
曲線Ａから特性曲線Ｂ′への単なるシフトではなく、特
性曲線Ｂに示すように、微分効率もΔPX1/ΔIWからΔP
X2/ΔIWに減少することになる。このため、特性曲線Ａ
の場合に、再生駆動電流IR1に記録消去駆動電流IWを重
畳することにより所定の出射光量PX1を得ていたもの
が、温度上昇により特性曲線Ｂに変化すると、再生時の
出射光量PRを一定とする再生駆動電流IR2に同じ記録消
去駆動電流IWを重畳しても、微分効率が減少した分だけ
出射光量も減少して図示PX2にしか達し得ない。また、
温度が高いときに所定の出射光量PXを得ていた場合に
は、温度低下時に逆に出射光量が増大しすぎるおそれが
ある。
従って、従来の半導体レーザ駆動装置では、半導体レ
ーザ素子23のＩ−Ｐ特性における微分効率の変化にまで
対応できず、最適な出射光量PXを得ることができないと
いう問題点を有していた。
ーザ素子23のＩ−Ｐ特性における微分効率の変化にまで
対応できず、最適な出射光量PXを得ることができないと
いう問題点を有していた。
また、このような微分効率は、同一温度でも個々の半
導体レーザ素子23によって相違が生じるので、各半導体
レーザ駆動装置ごとに制限抵抗28の各抵抗器Ｒの組合せ
を初期調整する必要が生じるという問題点も有してい
た。
導体レーザ素子23によって相違が生じるので、各半導体
レーザ駆動装置ごとに制限抵抗28の各抵抗器Ｒの組合せ
を初期調整する必要が生じるという問題点も有してい
た。
なお、上記問題点は、光磁気ディスク装置の場合のみ
ならず、その他の書き換え可能形や追記形の光ディスク
装置の半導体レーザ駆動装置においても同様である。
ならず、その他の書き換え可能形や追記形の光ディスク
装置の半導体レーザ駆動装置においても同様である。
請求項１の発明に係る半導体レーザ駆動装置は、光デ
ィスク上の各照射位置に応じて駆動電流のレベルを変化
させて、半導体レーザ素子の出射光量のレベルを前記各
照射位置毎に予め段階的に定められた所定の出射光量の
レベルに調整する半導体レーザ駆動装置において、前記
半導体レーザ素子に複数レベルの駆動電流を順次供給す
る駆動電流自動供給手段と、前記駆動電流による半導体
レーザ素子の出射光量のレベルを順次モニタする光量モ
ニタ手段と、前記各照射位置毎に出力されるべき前記所
定の出射光量のレベルを格納している第１メモリと、前
記各照射位置毎の駆動電流のレベルを格納するための第
２メモリと、モニタ手段によって検出された駆動電流自
動供給手段からの駆動電流による半導体レーザ素子の実
際の出射光量のレベルと、第１メモリに格納されている
対応する出射光量のレベルとを比較し、両者が一致する
ように、微小値ずつ駆動電流のレベルを補正してゆき、
一致したときの駆動電流のレベルを、各照射位置毎に対
応して前記第２メモリにストアさせる設定値処理手段
と、記録・消去時に、そのときの照射位置に対応したレ
ベルの駆動電流を前記第２メモリから呼出して半導体レ
ーザ素子に供給する駆動電流供給手段とを有することを
特徴とする。
ィスク上の各照射位置に応じて駆動電流のレベルを変化
させて、半導体レーザ素子の出射光量のレベルを前記各
照射位置毎に予め段階的に定められた所定の出射光量の
レベルに調整する半導体レーザ駆動装置において、前記
半導体レーザ素子に複数レベルの駆動電流を順次供給す
る駆動電流自動供給手段と、前記駆動電流による半導体
レーザ素子の出射光量のレベルを順次モニタする光量モ
ニタ手段と、前記各照射位置毎に出力されるべき前記所
定の出射光量のレベルを格納している第１メモリと、前
記各照射位置毎の駆動電流のレベルを格納するための第
２メモリと、モニタ手段によって検出された駆動電流自
動供給手段からの駆動電流による半導体レーザ素子の実
際の出射光量のレベルと、第１メモリに格納されている
対応する出射光量のレベルとを比較し、両者が一致する
ように、微小値ずつ駆動電流のレベルを補正してゆき、
一致したときの駆動電流のレベルを、各照射位置毎に対
応して前記第２メモリにストアさせる設定値処理手段
と、記録・消去時に、そのときの照射位置に対応したレ
ベルの駆動電流を前記第２メモリから呼出して半導体レ
ーザ素子に供給する駆動電流供給手段とを有することを
特徴とする。
また請求項２の発明に係る半導体レーザ駆動装置は、
光ディスク上の各照射位置に応じて駆動電流のレベルを
変化させて、半導体レーザ素子の出射光量のレベルを前
記各照射位置毎に予め段階的に定められた所定の出射光
量のレベルに調整する半導体レーザ駆動装置において、
前記半導体レーザ素子に予め定める大小２つのレベルの
駆動電流を順次供給する駆動電流自動供給手段と、前記
駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベルを
順次モニタする光量モニタ手段と、前記各照射位置毎に
出力されるべき前記所定の出射光量のレベルを格納して
いる第１メモリと、前記各照射位置毎の駆動電流のレベ
ルを格納するための第２メモリと、モニタ手段によって
検出された駆動電流自動供給手段からの２つのレベルの
駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベルを
用いて作成されるマップから、第１メモリに格納されて
いる出射光量のレベルとなるときの駆動電流のレベルを
補間演算し、各照射位置毎に対応して前記第２メモリに
ストアされる設定値処理手段と、記録・消去時に、その
ときの照射位置に対応したレベルの駆動電流を前記第２
メモリから呼出して半導体レーザ素子に供給する駆動電
流供給手段とを有することを特徴とする。
光ディスク上の各照射位置に応じて駆動電流のレベルを
変化させて、半導体レーザ素子の出射光量のレベルを前
記各照射位置毎に予め段階的に定められた所定の出射光
量のレベルに調整する半導体レーザ駆動装置において、
前記半導体レーザ素子に予め定める大小２つのレベルの
駆動電流を順次供給する駆動電流自動供給手段と、前記
駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベルを
順次モニタする光量モニタ手段と、前記各照射位置毎に
出力されるべき前記所定の出射光量のレベルを格納して
いる第１メモリと、前記各照射位置毎の駆動電流のレベ
ルを格納するための第２メモリと、モニタ手段によって
検出された駆動電流自動供給手段からの２つのレベルの
駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベルを
用いて作成されるマップから、第１メモリに格納されて
いる出射光量のレベルとなるときの駆動電流のレベルを
補間演算し、各照射位置毎に対応して前記第２メモリに
ストアされる設定値処理手段と、記録・消去時に、その
ときの照射位置に対応したレベルの駆動電流を前記第２
メモリから呼出して半導体レーザ素子に供給する駆動電
流供給手段とを有することを特徴とする。
請求項１の発明に従えば、光ディスク上の照射位置の
違いなどに対応して、半導体レーザ素子から所望とする
レベルの出射光量を得るにあたって、まず駆動電流自動
供給手段が、記録・消去動作を行う直前等に半導体レー
ザ素子へ複数レベルの駆動電流を順次供給してゆき、そ
の駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベル
を光量モニタ手段によって順次モニタしてゆく。
違いなどに対応して、半導体レーザ素子から所望とする
レベルの出射光量を得るにあたって、まず駆動電流自動
供給手段が、記録・消去動作を行う直前等に半導体レー
ザ素子へ複数レベルの駆動電流を順次供給してゆき、そ
の駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベル
を光量モニタ手段によって順次モニタしてゆく。
一方、各照射位置毎に出力されるべき出射光量のレベ
ルは、第１メモリに格納されている。したがって、次に
設定値処理手段は、前記光量モニタ手段によって検出さ
れた駆動電流自動供給手段からの駆動電流による半導体
レーザ素子の実際の出射光量のレベルと、前記第１メモ
リに格納されている対応する出射光量のレベルとを比較
し、両者が一致するように駆動電流供給手段からの駆動
電流を調整する。このとき、調整量は各照射位置毎の駆
動電流の差よりも小さい微少値とされ、こうして各照射
位置毎に所望とするレベルの出射光量が得られるような
駆動電流のレベルが微調整して求められ、第２メモリに
格納される。
ルは、第１メモリに格納されている。したがって、次に
設定値処理手段は、前記光量モニタ手段によって検出さ
れた駆動電流自動供給手段からの駆動電流による半導体
レーザ素子の実際の出射光量のレベルと、前記第１メモ
リに格納されている対応する出射光量のレベルとを比較
し、両者が一致するように駆動電流供給手段からの駆動
電流を調整する。このとき、調整量は各照射位置毎の駆
動電流の差よりも小さい微少値とされ、こうして各照射
位置毎に所望とするレベルの出射光量が得られるような
駆動電流のレベルが微調整して求められ、第２メモリに
格納される。
このようにして求められた駆動電流のレベルから、記
録・消去時に、そのときの照射位置に対応した駆動電流
のレベルが駆動電流供給手段によって第２メモリから呼
出されて、半導体レーザ素子に供給される。
録・消去時に、そのときの照射位置に対応した駆動電流
のレベルが駆動電流供給手段によって第２メモリから呼
出されて、半導体レーザ素子に供給される。
したがって、半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性が変化し
た場合にも、その変化を補償して、常に各照射位置毎に
所定のレベルの出射光量を得ることができる。
た場合にも、その変化を補償して、常に各照射位置毎に
所定のレベルの出射光量を得ることができる。
また請求項２の発明に従えば、光ディスク上の照射位
置の違いなどに対応して、半導体レーザ素子から所望と
するレベルの出射光量を得るにあたって、記録・消去動
作を行う直前等において、まず駆動電流自動供給手段が
半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す直線を求めるため
に半導体レーザ素子に予め定める大小２つのレベルの駆
動電流を順次供給し、その駆動電流による出射光量のレ
ベルを光量モニタ手段によって順次モニタする。
置の違いなどに対応して、半導体レーザ素子から所望と
するレベルの出射光量を得るにあたって、記録・消去動
作を行う直前等において、まず駆動電流自動供給手段が
半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す直線を求めるため
に半導体レーザ素子に予め定める大小２つのレベルの駆
動電流を順次供給し、その駆動電流による出射光量のレ
ベルを光量モニタ手段によって順次モニタする。
一方、各照射位置毎に出力されるべき出射光量のレベ
ルは、第１メモリに格納されている。したがって、次に
設定値処理手段は、前記光量モニタ手段によって検出さ
れた駆動電流自動供給手段からの２つのレベルの駆動電
流に対する半導体レーザ素子の出射光量のレベルを用い
て、前記Ｉ−Ｐ特性を示すマップを作成し、そのマップ
に前記第１メモリに格納されている出射光量のレベルを
対照し、各出射光量のレベルに対応した駆動電流のレベ
ルを補間演算して第２メモリにストアさせる。
ルは、第１メモリに格納されている。したがって、次に
設定値処理手段は、前記光量モニタ手段によって検出さ
れた駆動電流自動供給手段からの２つのレベルの駆動電
流に対する半導体レーザ素子の出射光量のレベルを用い
て、前記Ｉ−Ｐ特性を示すマップを作成し、そのマップ
に前記第１メモリに格納されている出射光量のレベルを
対照し、各出射光量のレベルに対応した駆動電流のレベ
ルを補間演算して第２メモリにストアさせる。
このようにして求められた駆動電流のレベルとなるよ
うに、記録・消去時には、駆動電流供給手段が照射位置
に対応する駆動電流を前記第２メモリから呼出して半導
体レーザ素子に供給する。
うに、記録・消去時には、駆動電流供給手段が照射位置
に対応する駆動電流を前記第２メモリから呼出して半導
体レーザ素子に供給する。
したがって、半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性が変化し
た場合にも、その変化を補償して、常に各照射位置毎に
所定のレベルの出射光量を得ることができる。
た場合にも、その変化を補償して、常に各照射位置毎に
所定のレベルの出射光量を得ることができる。
本発明の一実施例を第１図乃至第６図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
第１図に示すように、半導体レーザ素子１には、再生
駆動電流源２から再生駆動電流IRが供給され、記録消去
駆動電流源３からスイッチ回路４を介して記録照射駆動
電流IWが供給されるようになっている。
駆動電流源２から再生駆動電流IRが供給され、記録消去
駆動電流源３からスイッチ回路４を介して記録照射駆動
電流IWが供給されるようになっている。
この半導体レーザ素子１からの出射光量のレベルは、
光量検出素子５でモニタされるようになっている。光量
検出素子５の出力は、I/V変換器６を介してAPC回路７に
接続されている。そして、このAPC回路７の出力が前記
再生駆動電流源２に接続されることにより、半導体レー
ザ素子１の出射光量がフィードバックされ、従来と同様
に安定した再生時の所定の出射光量PRを得ることができ
るようになる。
光量検出素子５でモニタされるようになっている。光量
検出素子５の出力は、I/V変換器６を介してAPC回路７に
接続されている。そして、このAPC回路７の出力が前記
再生駆動電流源２に接続されることにより、半導体レー
ザ素子１の出射光量がフィードバックされ、従来と同様
に安定した再生時の所定の出射光量PRを得ることができ
るようになる。
また、前記I/V変換器６の出力は、A/D変換器８にも接
続されている。このA/D変換器８は、光量検出素子５が
モニタした出射光量をデジタルデータDinとしてCPU9に
入力するためのインターフェースである。CPU9には、RO
M10及びRAM11が接続されている。このCPU9は、デジタル
データDoutをD/A変換器12に送るようになっている。D/A
変換器12は、このデジタル信号Doutを電圧値に変換して
記録消去駆動電流源３に出力するためのインターフェー
スである。従って、CPU9は、半導体レーザ素子１に記録
消去駆動電流IWを供給した際の出射光量をモニタするこ
とができるようになっている。
続されている。このA/D変換器８は、光量検出素子５が
モニタした出射光量をデジタルデータDinとしてCPU9に
入力するためのインターフェースである。CPU9には、RO
M10及びRAM11が接続されている。このCPU9は、デジタル
データDoutをD/A変換器12に送るようになっている。D/A
変換器12は、このデジタル信号Doutを電圧値に変換して
記録消去駆動電流源３に出力するためのインターフェー
スである。従って、CPU9は、半導体レーザ素子１に記録
消去駆動電流IWを供給した際の出射光量をモニタするこ
とができるようになっている。
さらに、前記スイッチ回路４は、制御入力に記録消去
信号発生回路13の出力が接続され、記録・消去時にON/O
FFするようになっている。そして、このスイッチ回路４
がONすることにより、半導体レーザ素子１に記録消去駆
動電流IWが供給される。なお、記録・消去時には、まず
再生駆動電流IRが図示しないサンプルホールド回路によ
って、記録・消去動作の直前の値に固定され、これに重
畳されてこの記録消去駆動電流IWが半導体レーザ素子１
に供給されることになる。
信号発生回路13の出力が接続され、記録・消去時にON/O
FFするようになっている。そして、このスイッチ回路４
がONすることにより、半導体レーザ素子１に記録消去駆
動電流IWが供給される。なお、記録・消去時には、まず
再生駆動電流IRが図示しないサンプルホールド回路によ
って、記録・消去動作の直前の値に固定され、これに重
畳されてこの記録消去駆動電流IWが半導体レーザ素子１
に供給されることになる。
前記ROM10には、所定の出射光量P1〜P5（PX）に対応
する５種類のデジダルデータDP1〜DP5（DPX）が格納さ
れている。この所定の出射光量P1〜P5（PX）は、第２図
に示すように、光磁気ディスク上の各照射位置における
半導体レーザ素子１の記録・消去時の最適な出射光量を
示すものである。即ち、ディスク上の半径r1以上r2未満
の範囲では出射光量P1のレーザ光を照射し、半径r2以上
r3未満の範囲では出射光量P2のレーザ光を照射し、以下
同様に半径r5以上r6未満の範囲では出射光量P5のレーザ
光を照射した場合に、磁性膜の受けるそれぞれの照射エ
ネルギーがほぼ一定の最適値となるように定められてい
る。
する５種類のデジダルデータDP1〜DP5（DPX）が格納さ
れている。この所定の出射光量P1〜P5（PX）は、第２図
に示すように、光磁気ディスク上の各照射位置における
半導体レーザ素子１の記録・消去時の最適な出射光量を
示すものである。即ち、ディスク上の半径r1以上r2未満
の範囲では出射光量P1のレーザ光を照射し、半径r2以上
r3未満の範囲では出射光量P2のレーザ光を照射し、以下
同様に半径r5以上r6未満の範囲では出射光量P5のレーザ
光を照射した場合に、磁性膜の受けるそれぞれの照射エ
ネルギーがほぼ一定の最適値となるように定められてい
る。
また、前記RAM11には、この所定の出射光量PXを得る
ための各記録消去駆動電流IWに対応する５種類のデジタ
ルデータDXoutが格納されている。従って、CPU9は、こ
のRAM11からその際のレーザ光の照射位置に応じたデジ
タルデータDXoutを読み出し、これを記録消去駆動電流
源３に送ることにより、所定の出射光量PXを得るための
記録消去駆動電流IWを半導体レーザ素子１に供給するこ
とができる。ただし、このデジタルデータDXoutは、そ
のときの温度条件や半導体レーザ素子１の個々のＩ−Ｐ
特性に応じて変化するものなので、後に説明するように
それぞれの条件に応じて設定する必要がある。
ための各記録消去駆動電流IWに対応する５種類のデジタ
ルデータDXoutが格納されている。従って、CPU9は、こ
のRAM11からその際のレーザ光の照射位置に応じたデジ
タルデータDXoutを読み出し、これを記録消去駆動電流
源３に送ることにより、所定の出射光量PXを得るための
記録消去駆動電流IWを半導体レーザ素子１に供給するこ
とができる。ただし、このデジタルデータDXoutは、そ
のときの温度条件や半導体レーザ素子１の個々のＩ−Ｐ
特性に応じて変化するものなので、後に説明するように
それぞれの条件に応じて設定する必要がある。
上記のように構成された半導体レーザ駆動装置におけ
るデジタルデータDXoutの自動設定動作の一例を第３図
及び第４図に基づいて説明する。なお、この動作は、記
録・消去動作の直前に自動的に行われる。
るデジタルデータDXoutの自動設定動作の一例を第３図
及び第４図に基づいて説明する。なお、この動作は、記
録・消去動作の直前に自動的に行われる。
まず、第３図に示すように、ステップ（以下、「Ｓ」
という）１において、ループカウンタＸに“1"を代入
し、デジタルデータDSoutに初期値のデジタルデータＤ
IW＝０を代入する。この初期値のデジタルデータＤ
IW＝０は、D/A変換器12を介して記録消去駆動電流源３
に送られた場合に記録消去駆動電流IWが“0"となるよう
な値である。従って、この場合には、第４図に示すよう
に、半導体レーザ素子１に再生駆動電流IRのみが供給さ
れ、出射光量PRを得ることになる。
という）１において、ループカウンタＸに“1"を代入
し、デジタルデータDSoutに初期値のデジタルデータＤ
IW＝０を代入する。この初期値のデジタルデータＤ
IW＝０は、D/A変換器12を介して記録消去駆動電流源３
に送られた場合に記録消去駆動電流IWが“0"となるよう
な値である。従って、この場合には、第４図に示すよう
に、半導体レーザ素子１に再生駆動電流IRのみが供給さ
れ、出射光量PRを得ることになる。
次に、このデジタルデータDSoutを１段階だけ増加さ
せる（S2）。この１段階の増加量は、システム上で許容
される出射光量の変動範囲以下となるように、僅かな量
に設定されている。そして、このデジタルデータDSout
を出力して、これに対応する記録消去駆動電流IWを半導
体レーザ素子１に供給することにより、A/D変換器８を
介してデジタルデータDSinを入力する（S3）。
せる（S2）。この１段階の増加量は、システム上で許容
される出射光量の変動範囲以下となるように、僅かな量
に設定されている。そして、このデジタルデータDSout
を出力して、これに対応する記録消去駆動電流IWを半導
体レーザ素子１に供給することにより、A/D変換器８を
介してデジタルデータDSinを入力する（S3）。
デジタルデータDSinを入力すると、これとROM10のデ
ジタルデータDP1（DPX）とを比較する（S4）。この比較
の結果、デジタルデータDSinがデジタルデータDP1未満
の値の場合には、S2に戻り上記動作を繰り返す。
ジタルデータDP1（DPX）とを比較する（S4）。この比較
の結果、デジタルデータDSinがデジタルデータDP1未満
の値の場合には、S2に戻り上記動作を繰り返す。
そして、S2のデジタルデータDSoutの漸増によりデジ
タルデータDSinがデジタルデータDP1以上の値になる
と、このときのデジタルデータDSoutをRAM11にデジタル
データD1out（DXout）として書き込む（S5）。即ち、第
４図に示すように、デジタルデータDSoutの漸増に伴っ
て記録消去駆動電流IWがΔIWずつ段階的に大きくなる
と、出射光量ＰもΔＰずつ増加する。そして、この出射
光量Ｐが初めて所定の出射光量P1以上となったときの記
録消去駆動電流IW1に対応するデジタルデータDSoutがデ
ジタルデータD1outとしてRAM11に設定されることにな
る。
タルデータDSinがデジタルデータDP1以上の値になる
と、このときのデジタルデータDSoutをRAM11にデジタル
データD1out（DXout）として書き込む（S5）。即ち、第
４図に示すように、デジタルデータDSoutの漸増に伴っ
て記録消去駆動電流IWがΔIWずつ段階的に大きくなる
と、出射光量ＰもΔＰずつ増加する。そして、この出射
光量Ｐが初めて所定の出射光量P1以上となったときの記
録消去駆動電流IW1に対応するデジタルデータDSoutがデ
ジタルデータD1outとしてRAM11に設定されることにな
る。
デジタルデータDXoutが設定されると、ループカウン
タＸをインクリメントして（S6）、このループカウンタ
Ｘが“5"を超えたかどうかの判断を行う（S7））。ルー
プカウンタＸが“5"以下の場合には、再びS2に戻って上
記処理を繰り返す。そして、これにより各デジタルデー
タD1out〜D5out（DXout）の設定が全て完了すると、ル
ープを抜けて処理を終了する。
タＸをインクリメントして（S6）、このループカウンタ
Ｘが“5"を超えたかどうかの判断を行う（S7））。ルー
プカウンタＸが“5"以下の場合には、再びS2に戻って上
記処理を繰り返す。そして、これにより各デジタルデー
タD1out〜D5out（DXout）の設定が全て完了すると、ル
ープを抜けて処理を終了する。
上記処理が終了すると、半導体レーザ駆動装置は、設
定されたデジタルデータDXoutに基づいて記録・消去動
作を開始する。
定されたデジタルデータDXoutに基づいて記録・消去動
作を開始する。
デジタルデータDXoutの自動設定動作の他の例を第５
図及び第６図に基づいて説明する。なお、この動作も、
記録・消去動作の直前に自動的に行われる。
図及び第６図に基づいて説明する。なお、この動作も、
記録・消去動作の直前に自動的に行われる。
まず、第５図に示すように、S11において、デジタル
データDAoutを出力して、これに対応する記録消去駆動
電流IWAを半導体レーザ素子１に供給する。このデジタ
ルデータDAoutは、第６図に示すように、Pmin〜Pmaxの
範囲内で予め設定された出射光量PAを得るための記録消
去駆動電流IWAに対応する値である。そして、このPmin
〜Pmaxの範囲は、半導体レーザ素子１のＩ−Ｐ特性が直
線性を有している範囲である。再生駆動電流IRにこの記
録消去駆動電流IMAを重畳して供給することにより半導
体レーザ素子１がレーザ光を出射すると、この出射光量
PAをデジタルデータDAinとして入力する（S12）。
データDAoutを出力して、これに対応する記録消去駆動
電流IWAを半導体レーザ素子１に供給する。このデジタ
ルデータDAoutは、第６図に示すように、Pmin〜Pmaxの
範囲内で予め設定された出射光量PAを得るための記録消
去駆動電流IWAに対応する値である。そして、このPmin
〜Pmaxの範囲は、半導体レーザ素子１のＩ−Ｐ特性が直
線性を有している範囲である。再生駆動電流IRにこの記
録消去駆動電流IMAを重畳して供給することにより半導
体レーザ素子１がレーザ光を出射すると、この出射光量
PAをデジタルデータDAinとして入力する（S12）。
次に、デジタルデータDBoutを出力して、これに対応
する記録消去駆動電流IWBを半導体レーザ素子１に供給
する（S13）。このデジタルデータDBoutも、第６図に示
すように、Pmin〜Pmaxの範囲内で予め設定された出射光
量PBを得るための記録消去駆動電流IWBに対応する値で
ある。そして、この出射光量PBは、直線性の範囲内で上
記出射光量PAよりも十分に大きい値となるように設定さ
れている。これにより記録消去駆動電流IWBを重畳して
供給された半導体レーザ素子１がレーザ光を出射する
と、この出射光量PBをデジタルデータDBinとして入力す
る（S14）。
する記録消去駆動電流IWBを半導体レーザ素子１に供給
する（S13）。このデジタルデータDBoutも、第６図に示
すように、Pmin〜Pmaxの範囲内で予め設定された出射光
量PBを得るための記録消去駆動電流IWBに対応する値で
ある。そして、この出射光量PBは、直線性の範囲内で上
記出射光量PAよりも十分に大きい値となるように設定さ
れている。これにより記録消去駆動電流IWBを重畳して
供給された半導体レーザ素子１がレーザ光を出射する
と、この出射光量PBをデジタルデータDBinとして入力す
る（S14）。
デジタルデータDAin・DBinを入力すると、ループカウ
ンタＸに“1"を代入して（S15）、デジタルデータDXout
の設定ループに入る。この設定ループでは、まず、デー
ジタルデータDAin・DBinに基づいてデジタルデータD
1outを演算しこれをRAM11に設定する（S16）。次に、ル
ープカウンタＸをインクリメントして（S17）、このル
ープカウンタＸが“5"を超えたかどうかの判断を行う
（S18）。ループカウンタＸが“5"以下の場合には、再
びS16に戻って上記処理を繰り返す。そして、これによ
り各デジタルデータD1out〜D5out（DXout）の設定が全
て完了すると、設定ループを抜けて処理を終了する。
ンタＸに“1"を代入して（S15）、デジタルデータDXout
の設定ループに入る。この設定ループでは、まず、デー
ジタルデータDAin・DBinに基づいてデジタルデータD
1outを演算しこれをRAM11に設定する（S16）。次に、ル
ープカウンタＸをインクリメントして（S17）、このル
ープカウンタＸが“5"を超えたかどうかの判断を行う
（S18）。ループカウンタＸが“5"以下の場合には、再
びS16に戻って上記処理を繰り返す。そして、これによ
り各デジタルデータD1out〜D5out（DXout）の設定が全
て完了すると、設定ループを抜けて処理を終了する。
上記S16では、Ｘ＝１〜５について、前記図６で示す
Ｉ−Ｐ特性のマップから、それぞれ下記の補間演算を行
ってデジタルデータD1out〜D5out（DXout）を得てい
る。
Ｉ−Ｐ特性のマップから、それぞれ下記の補間演算を行
ってデジタルデータD1out〜D5out（DXout）を得てい
る。
ここで、（DBout〜DAout）／（DBin〜DAin）は、即ち
（IWB−IWA）／（PB−PA）を意味し、Ｉ−Ｐ特性の特性
曲線における微分効率の逆数を示す。また、デジタルデ
ータDPXは、第２図に示す各所定の出射光量PXに対応す
るデジタルデータであり、デジタルデータDPRは、再生
時の出射光量PRに対応するデジタルデータである。従っ
て、（DPX−DPR）は、（PX−PR）を意味し、記録・消去
時の出射光量PXを得るために再生時の出射光量PRに重畳
すべき出射光量を示す。この結果、上式の右辺は、（PX
−PR）に微分効率の逆数を乗じたものとなり、これによ
って再生駆動電流IRに重畳すべき記録消去駆動電流IWX
に対応するデジタルデータDXoutを得ることができる。
（IWB−IWA）／（PB−PA）を意味し、Ｉ−Ｐ特性の特性
曲線における微分効率の逆数を示す。また、デジタルデ
ータDPXは、第２図に示す各所定の出射光量PXに対応す
るデジタルデータであり、デジタルデータDPRは、再生
時の出射光量PRに対応するデジタルデータである。従っ
て、（DPX−DPR）は、（PX−PR）を意味し、記録・消去
時の出射光量PXを得るために再生時の出射光量PRに重畳
すべき出射光量を示す。この結果、上式の右辺は、（PX
−PR）に微分効率の逆数を乗じたものとなり、これによ
って再生駆動電流IRに重畳すべき記録消去駆動電流IWX
に対応するデジタルデータDXoutを得ることができる。
なお、上記S11において出力するデジタルデータDAout
は、前記の例における初期値のデジタルデータＤIW＝０
を用いることもできる。この場合、記録消去駆動電流IW
が“0"となるので、出射光量PAが再生時の出射光量PRに
一致することになる。
は、前記の例における初期値のデジタルデータＤIW＝０
を用いることもできる。この場合、記録消去駆動電流IW
が“0"となるので、出射光量PAが再生時の出射光量PRに
一致することになる。
上記処理が終了すると、半導体レーザ駆動装置は、先
の例と同様に設定されたデジタルデータDXoutに基づい
て記録・消去動作を開始する。
の例と同様に設定されたデジタルデータDXoutに基づい
て記録・消去動作を開始する。
請求項１の発明に係る半導体レーザ駆動装置は、以上
のように、記録・消去動作を行う直前等に予め駆動電流
を掃引して、光ディスク上の各照射位置毎に予め定めら
れる出射光量のレベルに対応した駆動電流のレベルを求
めておく。
のように、記録・消去動作を行う直前等に予め駆動電流
を掃引して、光ディスク上の各照射位置毎に予め定めら
れる出射光量のレベルに対応した駆動電流のレベルを求
めておく。
それゆえ、温度等の条件の変化によって半導体レーザ
素子のＩ−Ｐ特性が変化しても、その変化を補償して、
常に最適な出射光量を得ることができる。また、モニタ
光量を利用しているので、個々の半導体レーザ素子のＩ
−Ｐ特性における微分効率の相違の影響も排除すること
ができ、各半導体レーザ駆動装置毎の初期調整が不要に
なるという効果も併せて奏する。
素子のＩ−Ｐ特性が変化しても、その変化を補償して、
常に最適な出射光量を得ることができる。また、モニタ
光量を利用しているので、個々の半導体レーザ素子のＩ
−Ｐ特性における微分効率の相違の影響も排除すること
ができ、各半導体レーザ駆動装置毎の初期調整が不要に
なるという効果も併せて奏する。
また請求項２の発明に係る半導体レーザ駆動装置は、
以上のように、記録・消去動作を行う直前等に、半導体
レーザ素子に大小２つのレベルの駆動電流を与えて、そ
の駆動電流による出射光量のレベルをモニタし、そのレ
ベルを用いて作成されるマップから各照射位置毎に所望
とする出射光量のレベルに対応した駆動電流のレベルを
予め求めておく。
以上のように、記録・消去動作を行う直前等に、半導体
レーザ素子に大小２つのレベルの駆動電流を与えて、そ
の駆動電流による出射光量のレベルをモニタし、そのレ
ベルを用いて作成されるマップから各照射位置毎に所望
とする出射光量のレベルに対応した駆動電流のレベルを
予め求めておく。
それゆえ、温度等の条件の変化によって半導体レーザ
素子のＩ−Ｐ特性が変化しても、その変化を補償して、
常に最適な出射光量を得ることができる。また、モニタ
光量を利用しているので、個々の半導体レーザ素子のＩ
−Ｐ特性における微分効率の相違の影響も排除すること
ができ、各半導体レーザ駆動装置毎の初期調整が不要に
なるという効果も併せて奏する。
素子のＩ−Ｐ特性が変化しても、その変化を補償して、
常に最適な出射光量を得ることができる。また、モニタ
光量を利用しているので、個々の半導体レーザ素子のＩ
−Ｐ特性における微分効率の相違の影響も排除すること
ができ、各半導体レーザ駆動装置毎の初期調整が不要に
なるという効果も併せて奏する。
【図面の簡単な説明】 第１図乃至第６図は本発明の実施例を示すものであっ
て、第１図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第２
図はディスク上の照射位置に応じた所定の出射光量を示
す図、第３図及び第４図はこの実施例の動作の一例を示
すものであって、第３図はデジタルデータDXoutの自動
設定動作を示すフローチャート、第４図は半導体レーザ
素子のＩ−Ｐ特性を示す図、第５図及び第６図はこの実
施例の動作の他の例を示すものであって、第５図はデジ
タルデータDXoutの自動設定動作を示すフローチャー
ト、第６図は半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す図で
ある。第７図及び第８図は従来例を示すものであって、
第７図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第８図は
半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す図である。 １は半導体レーザ素子、２は再生駆動電流源、３は記録
消去駆動電流源、５は光量検出素子、９はCPU、10はRO
M、11はRAM、IRは再生駆動電流、IWは記録消去駆動電流
である。
て、第１図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第２
図はディスク上の照射位置に応じた所定の出射光量を示
す図、第３図及び第４図はこの実施例の動作の一例を示
すものであって、第３図はデジタルデータDXoutの自動
設定動作を示すフローチャート、第４図は半導体レーザ
素子のＩ−Ｐ特性を示す図、第５図及び第６図はこの実
施例の動作の他の例を示すものであって、第５図はデジ
タルデータDXoutの自動設定動作を示すフローチャー
ト、第６図は半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す図で
ある。第７図及び第８図は従来例を示すものであって、
第７図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第８図は
半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す図である。 １は半導体レーザ素子、２は再生駆動電流源、３は記録
消去駆動電流源、５は光量検出素子、９はCPU、10はRO
M、11はRAM、IRは再生駆動電流、IWは記録消去駆動電流
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 出口 敏久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−23902（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−184742（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−241141（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−142537（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】光ディスク上の各照射位置に応じて駆動電
流のレベルを変化させて、半導体レーザ素子の出射光量
のレベルを前記各照射位置毎に予め段階的に定められた
所定の出射光量のレベルに調整する半導体レーザ駆動装
置において、 前記半導体レーザ素子に複数レベルの駆動電流を順次供
給する駆動電流自動供給手段と、 前記駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベ
ルを順次モニタする光量モニタ手段と、 前記各照射位置毎に出力されるべき前記所定の出射光量
のレベルを格納している第１メモリと、 前記各照射位置毎の駆動電流のレベルを格納するための
第２メモリと、 モニタ手段によって検出された駆動電流自動供給手段か
らの駆動電流による半導体レーザ素子の実際の出射光量
のレベルと、第１メモリに格納されている対応する出射
光量のレベルとを比較し、両者が一致するように、微小
値ずつ駆動電流のレベルを補正してゆき、一致したとき
の駆動電流のレベルを、各照射位置毎に対応して前記第
２メモリにストアさせる設定値処理手段と、 記録・消去時に、そのときの照射位置に対応したレベル
の駆動電流を前記第２メモリから呼出して半導体レーザ
素子に供給する駆動電流供給手段とを有することを特徴
とする半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項２】光ディスク上の各照射位置に応じて駆動電
流のレベルを変化させて、半導体レーザ素子の出射光量
のレベルを前記各照射位置毎に予め段階的に定められた
所定の出射光量のレベルに調整する半導体レーザ駆動装
置において、 前記半導体レーザ素子に予め定める大小２つのレベルの
駆動電流を順次供給する駆動電流自動供給手段と、 前記駆動電流による半導体レーザ素子の出射光量のレベ
ルを順次モニタする光量モニタ手段と、 前記各照射位置毎に出力されるべき前記所定の出射光量
のレベルを格納している第１メモリと、 前記各照射位置毎の駆動電流のレベルを格納するための
第２メモリと、 モニタ手段によって検出された駆動電流自動供給手段か
らの２つのレベルの駆動電流による半導体レーザ素子の
出射光量のレベルを用いて作成されるマップから、第１
メモリに格納されている出射光量のレベルとなるときの
駆動電流のレベルを補間演算し、各照射位置毎に対応し
て前記第２メモリにストアさせる設定値処理手段と、 記録・消去時に、そのときの照射位置に対応したレベル
の駆動電流を前記第２メモリから呼出して半導体レーザ
素子に供給する駆動電流供給手段とを有することを特徴
とする半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184088A JP2624788B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
| DE68924622T DE68924622T2 (de) | 1988-07-22 | 1989-07-20 | Vorrichtung zum Steuern eines Halbleiterlasers. |
| EP89307425A EP0352125B1 (en) | 1988-07-22 | 1989-07-20 | A semiconductor laser driving apparatus |
| US07/384,213 US5008888A (en) | 1988-07-22 | 1989-07-21 | Semiconductor laser driving apparatus |
| KR1019890010428A KR920010019B1 (ko) | 1988-07-22 | 1989-07-22 | 반도체 레이저 구동장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184088A JP2624788B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233737A JPH0233737A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2624788B2 true JP2624788B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=16147190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63184088A Expired - Lifetime JP2624788B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5008888A (ja) |
| EP (1) | EP0352125B1 (ja) |
| JP (1) | JP2624788B2 (ja) |
| KR (1) | KR920010019B1 (ja) |
| DE (1) | DE68924622T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070495A (en) * | 1989-04-12 | 1991-12-03 | International Business Machines Corporation | Write calibration for magnetooptic disk recorders |
| JP2905229B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1999-06-14 | キヤノン株式会社 | 光ビーム駆動装置 |
| US5185734A (en) * | 1990-07-20 | 1993-02-09 | International Business Machines Corporation | Calibrating and power-protecting laser drive circuits |
| JPH04134737A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光ディスク駆動装置及び光量調整装置 |
| US5136569A (en) * | 1990-09-28 | 1992-08-04 | International Business Machines Corporation | Optical disk recorder for diverse media types and having a predetermined initialization or start-up procedure |
| JP2550447B2 (ja) * | 1991-05-16 | 1996-11-06 | 富士通株式会社 | レーザダイオードの制御方式 |
| US5216659A (en) * | 1991-09-11 | 1993-06-01 | International Business Machines | Laser power calibration by measuring laser drive current at out of focus and in focus conditions |
| US7286153B1 (en) | 1991-10-11 | 2007-10-23 | Hitachi, Ltd. | Three-dimensional recording and reproducing apparatus |
| JP2835250B2 (ja) * | 1992-08-10 | 1998-12-14 | シャープ株式会社 | 光ディスク記録再生装置における光量制御装置 |
| JPH09148630A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Rohm Co Ltd | 光量調整回路及びこれを用いた光応用装置 |
| DE10064775A1 (de) | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Thomson Brandt Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Regeln der Lichtleistung eines Abtaststrahls in einem Gerät zum Lesen oder zum Beschreiben optischer Aufzeichnungsträger |
| US6891866B2 (en) * | 2003-01-10 | 2005-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Calibration of laser systems |
| US7304928B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-12-04 | Ricoh Company, Ltd. | Laser power control technique and apparatus for recording and reproducing data in and from optical disk under laser power control |
| US7400662B2 (en) | 2005-01-26 | 2008-07-15 | Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd | Calibration of laser systems |
| TW201027522A (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-16 | Sunplus Technology Co Ltd | Methods for on-line calibrating output power of optical pick-up |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747091A (en) * | 1985-07-25 | 1988-05-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor laser drive device |
| US4685097A (en) * | 1985-07-25 | 1987-08-04 | Laser Magnetic Storage International Company | Power control system for a semiconductor laser |
| JP2531942B2 (ja) * | 1986-04-14 | 1996-09-04 | ティアツク株式会社 | 光学式デイスク記録装置 |
| JPS62257640A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-10 | Hitachi Ltd | レ−ザ駆動装置 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63184088A patent/JP2624788B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-20 EP EP89307425A patent/EP0352125B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-20 DE DE68924622T patent/DE68924622T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-21 US US07/384,213 patent/US5008888A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-22 KR KR1019890010428A patent/KR920010019B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5008888A (en) | 1991-04-16 |
| EP0352125B1 (en) | 1995-10-25 |
| EP0352125A2 (en) | 1990-01-24 |
| KR920010019B1 (ko) | 1992-11-10 |
| EP0352125A3 (en) | 1991-04-24 |
| DE68924622T2 (de) | 1996-06-20 |
| JPH0233737A (ja) | 1990-02-02 |
| DE68924622D1 (de) | 1995-11-30 |
| KR910003872A (ko) | 1991-02-28 |
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