JPH0233737A - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH0233737A JPH0233737A JP63184088A JP18408888A JPH0233737A JP H0233737 A JPH0233737 A JP H0233737A JP 63184088 A JP63184088 A JP 63184088A JP 18408888 A JP18408888 A JP 18408888A JP H0233737 A JPH0233737 A JP H0233737A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 6
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 101001106432 Homo sapiens Rod outer segment membrane protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100021424 Rod outer segment membrane protein 1 Human genes 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスク等を記録媒体として用いる光
ディスク記録再生装置におりる半導体レーザ駆動装置に
関するものである。
ディスク記録再生装置におりる半導体レーザ駆動装置に
関するものである。
〔従来の技術］
光磁気ディスク装置では、垂直磁化された磁性膜に高出
力のレーザ光を照射し、その熱により外部磁界の方向に
磁化反転させて情報の記録又は消去を行う。また、再生
の際には、低出力のレーザ光を磁性膜に照射し、その反
射光から磁化の状態を検出して情報を読み出す。従って
、光磁気ディスク装置には、記録・消去又は再生のそれ
ぞれのモードに応して、所定光量のレーザ光を磁性膜に
照射する半導体レーザ駆動装置が設けられている。
力のレーザ光を照射し、その熱により外部磁界の方向に
磁化反転させて情報の記録又は消去を行う。また、再生
の際には、低出力のレーザ光を磁性膜に照射し、その反
射光から磁化の状態を検出して情報を読み出す。従って
、光磁気ディスク装置には、記録・消去又は再生のそれ
ぞれのモードに応して、所定光量のレーザ光を磁性膜に
照射する半導体レーザ駆動装置が設けられている。
この従来の半導体レーザ駆動装置の一例を第７図に基づ
いて説明する。
いて説明する。
再生時には、再生ＯＮ信号が発せられ、スイッ子回路２
１がＯＮとなる。すると、オペアンプ２２の非反転入力
を介した電源■ｒ□によりトランジスタＴｒが導通ずる
ので、半導体レーザ素子２３に再生駆動電流ＩＲが供給
されてレーザ光が出射される。この際、半導体レーザ素
子２３がら出射されたレーザ光は光量検出素子２４でモ
ニタされ、前記オペアンプ２２の反転入力に送られる。
１がＯＮとなる。すると、オペアンプ２２の非反転入力
を介した電源■ｒ□によりトランジスタＴｒが導通ずる
ので、半導体レーザ素子２３に再生駆動電流ＩＲが供給
されてレーザ光が出射される。この際、半導体レーザ素
子２３がら出射されたレーザ光は光量検出素子２４でモ
ニタされ、前記オペアンプ２２の反転入力に送られる。
従って、Ｉ・ランジスタＴｒは、このモニタ光量の負帰
還により再生駆動電流■３を調整し、レーザ光の出射光
量が一定になるように制御することができる。
還により再生駆動電流■３を調整し、レーザ光の出射光
量が一定になるように制御することができる。
このように、再生時にレーザ光をモニタしてフィードバ
ック制御を行うのは、半導体レーザ素子２３が温度によ
る影響を受は易いために、再生駆動電流ＩＲを一定にし
ただけでは一定の出射光量Ｐ、Ｉを得ることができない
からである。即ち、半導体レーザ素子２３は、温度が上
昇すると、例えば第８図に示すように、Ｉ−Ｐ （駆動
電流−出射光量）特性が特性曲線Ａから特性曲線Ｂに大
きく変化する。すると、特性曲線へのときに再）ｉ、駆
動電流ＩＲＩによって所定の出射光量ＰＲを得ていたも
のが、温度上昇により特性曲線Ｂに変化すると、同じ出
射光量ＰＲを得るためにより大きな再生駆動電流ＩＲ２
を要するようになる。従って、常に一定の出射光量ＰＲ
を得るためには、この出射光量ＰＲをモニタして再生駆
動電流■□を制御しなければならないからである。
ック制御を行うのは、半導体レーザ素子２３が温度によ
る影響を受は易いために、再生駆動電流ＩＲを一定にし
ただけでは一定の出射光量Ｐ、Ｉを得ることができない
からである。即ち、半導体レーザ素子２３は、温度が上
昇すると、例えば第８図に示すように、Ｉ−Ｐ （駆動
電流−出射光量）特性が特性曲線Ａから特性曲線Ｂに大
きく変化する。すると、特性曲線へのときに再）ｉ、駆
動電流ＩＲＩによって所定の出射光量ＰＲを得ていたも
のが、温度上昇により特性曲線Ｂに変化すると、同じ出
射光量ＰＲを得るためにより大きな再生駆動電流ＩＲ２
を要するようになる。従って、常に一定の出射光量ＰＲ
を得るためには、この出射光量ＰＲをモニタして再生駆
動電流■□を制御しなければならないからである。
また、記録・消去時には、まず再生駆動電流ＩＲが図示
しないザンプルポールト回路によって、記録・消去動作
の直前の稙に固定される。そして、記録消去信号発生回
路２５がら記録消去信号が発せられ、これに応じてスイ
ッチ回路２６が０Ｎ１０ＦＦする。すると、ごのスイッ
チ回路２ＧのＯＮ時に、記録消去駆動電流１１１が流れ
、再生駆動電流■、に重畳されて半導体レーザ素子２３
に供給される。従って、記録時には、その記録信号によ
って出射されるレーザ光が変調されることになる。なお
、消去時には、スイッチ回路２６が常にＯＮとなり、記
録消去駆動電流Ｉいが流れ続りる。
しないザンプルポールト回路によって、記録・消去動作
の直前の稙に固定される。そして、記録消去信号発生回
路２５がら記録消去信号が発せられ、これに応じてスイ
ッチ回路２６が０Ｎ１０ＦＦする。すると、ごのスイッ
チ回路２ＧのＯＮ時に、記録消去駆動電流１１１が流れ
、再生駆動電流■、に重畳されて半導体レーザ素子２３
に供給される。従って、記録時には、その記録信号によ
って出射されるレーザ光が変調されることになる。なお
、消去時には、スイッチ回路２６が常にＯＮとなり、記
録消去駆動電流Ｉいが流れ続りる。
上記記録消去駆動電流Ｉいは、選択回路２７によって選
択された制限抵抗２８の抵抗値に応じた大きさの電流と
なる。選択回路２７は、出射光量設定信号発生回路２９
からの信号に応じて４個のスインチを切り換えることが
できる回路である。
択された制限抵抗２８の抵抗値に応じた大きさの電流と
なる。選択回路２７は、出射光量設定信号発生回路２９
からの信号に応じて４個のスインチを切り換えることが
できる回路である。
そして、この選択回路２７の各スイッチには、制限抵抗
２８の各抵抗器Ｒ１〜Ｒ４がそれぞれ接続されている。
２８の各抵抗器Ｒ１〜Ｒ４がそれぞれ接続されている。
また、出射光量設定信号発生回路２９は、半導体レーザ
素子２３がレーザ光を照射する光磁気ディスク上の位置
を検出し、その位置に応じて選択回路２７に切り換え設
定のための信号を発する回路であり、この照射位置が外
周側に向かうほど大きな記録消去駆動電流Ｉｌ、ｌが流
れるような信号を発するようになっている。
素子２３がレーザ光を照射する光磁気ディスク上の位置
を検出し、その位置に応じて選択回路２７に切り換え設
定のための信号を発する回路であり、この照射位置が外
周側に向かうほど大きな記録消去駆動電流Ｉｌ、ｌが流
れるような信号を発するようになっている。
このように、レーザ光の照射位置に応して記録消去駆動
電流■８を変化させるのは、光磁気ディスクを角速度一
定で回転させた場合、照射位置が外周に向かうほど相対
線速度が速くなるからである。即ち、磁性膜に与える照
射エネルギーをディスクの内周側と外周側とで一定にし
ようとすれば、外周側はどレーザ光の出射光量を高める
必要がある。従って、選択回路２７によって制限抵抗２
８の各抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の組合せを変化させることによ
り、レーザ光の照射位置が外周に向かうほど記録消去駆
動電流■いが段階的に大きくなるようにしている。
電流■８を変化させるのは、光磁気ディスクを角速度一
定で回転させた場合、照射位置が外周に向かうほど相対
線速度が速くなるからである。即ち、磁性膜に与える照
射エネルギーをディスクの内周側と外周側とで一定にし
ようとすれば、外周側はどレーザ光の出射光量を高める
必要がある。従って、選択回路２７によって制限抵抗２
８の各抵抗器Ｒ１〜Ｒ４の組合せを変化させることによ
り、レーザ光の照射位置が外周に向かうほど記録消去駆
動電流■いが段階的に大きくなるようにしている。
なお、上記のような制御を行う従来の半導体レザ駆動装
置としては、特開昭６２−２５７６４０号公報に記載さ
れた発明等がある。
置としては、特開昭６２−２５７６４０号公報に記載さ
れた発明等がある。
このように、従来の半導体レーザ駆動装置は、光磁気デ
ィスク上のレーザ光の照射位置が同しである限り、再生
駆動電流ＩＲに重畳される記録消去駆動電流Ｉ９の値は
常に一定であった。
ィスク上のレーザ光の照射位置が同しである限り、再生
駆動電流ＩＲに重畳される記録消去駆動電流Ｉ９の値は
常に一定であった。
ところが、前述のように、半導体レーザ素子２３は、温
度が上昇するとＩ−Ｐ特性の特性曲線が変化する。そし
て、第８図に示すように、この温度による変化は、特性
曲線Ａから特性曲線Ｂ′への単なるシフトではなく、特
性曲線Ｂに示すように、微分効率もΔＰＸ、／ΔＩいが
らΔＰ Ｘ２／ΔＩいに減少することになる。このため
、特性曲線への場合に、再生駆動電流ＩＲＩに記録消去
駆動電流Ｉ８を重畳することにより所定の出射光量ＰＸ
Ｉを得ていたものが、温度上昇により特性曲線Ｂに変化
すると、再生時の出射光ＮＰＲを一定とする再生駆動電
流＋ Ｒ２に同し記録消去駆動電流Ｉヮを重畳しても、
微分効率が減少した分だけ出射光量も減少して図示Ｐつ
２にしか達し得ない。また、温度が高いときに所定の出
射光量ＰＸを得ていた場合には、温度低下時に逆に出射
光量が増大しすぎるおそれがある。
度が上昇するとＩ−Ｐ特性の特性曲線が変化する。そし
て、第８図に示すように、この温度による変化は、特性
曲線Ａから特性曲線Ｂ′への単なるシフトではなく、特
性曲線Ｂに示すように、微分効率もΔＰＸ、／ΔＩいが
らΔＰ Ｘ２／ΔＩいに減少することになる。このため
、特性曲線への場合に、再生駆動電流ＩＲＩに記録消去
駆動電流Ｉ８を重畳することにより所定の出射光量ＰＸ
Ｉを得ていたものが、温度上昇により特性曲線Ｂに変化
すると、再生時の出射光ＮＰＲを一定とする再生駆動電
流＋ Ｒ２に同し記録消去駆動電流Ｉヮを重畳しても、
微分効率が減少した分だけ出射光量も減少して図示Ｐつ
２にしか達し得ない。また、温度が高いときに所定の出
射光量ＰＸを得ていた場合には、温度低下時に逆に出射
光量が増大しすぎるおそれがある。
従って、従来の半導体レーザ駆動装置では、半導体レー
ザ素子２３のＩ−Ｐ特性における微分効率の変化にまで
対応できず、最適な出射光量ＰＸを得ることができない
という問題点を有していた。
ザ素子２３のＩ−Ｐ特性における微分効率の変化にまで
対応できず、最適な出射光量ＰＸを得ることができない
という問題点を有していた。
また、このような微分効率は、同一温度でも個々の半導
体レーザ素子２３によって相違が生じるので、各半導体
レーザ駆動装置ごとに制限抵抗２８の各抵抗器Ｒの組合
せを初期調整する必要が生しるという問題点も有してい
た。
体レーザ素子２３によって相違が生じるので、各半導体
レーザ駆動装置ごとに制限抵抗２８の各抵抗器Ｒの組合
せを初期調整する必要が生しるという問題点も有してい
た。
なお、上記問題点は、光磁気ディスク装置の場合のめな
らず、その他の書き換え可能形や追記形の光ディスク装
置の半導体レーザ駆動装置においても同様である。
らず、その他の書き換え可能形や追記形の光ディスク装
置の半導体レーザ駆動装置においても同様である。
本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、」−記課題を解
決するために、光ディスク上の照射位置乙こ応して駆動
電流の値を変化させるごとにより、半導体レーザ素子の
出射光量を段階的に調整する半導体レーザ駆動装置にお
いて、半導体レーザ素子に複数の大きさの駆動電流を順
次供給する駆動電流自動供給手段と、この駆動電流自動
供給手段が駆動電流を供給した際に、半導体レーザ素子
の出射光量を順次モニタする光量モニタ手段と、この光
量モニタ手段がモニタした複数の出射光量に基づき、各
照射位置ごとに段階的に定められた所定の出射光量を得
るための駆動電流に対応する複数の設定値を設定する設
定値処理手段と、記録・消去時に、そのときの照射位置
に応した設定値処理手段の設定値に対応する駆動電流を
半導体レーザ素子に供給する駆動電流供給手段とを有す
ることを特徴としている。
決するために、光ディスク上の照射位置乙こ応して駆動
電流の値を変化させるごとにより、半導体レーザ素子の
出射光量を段階的に調整する半導体レーザ駆動装置にお
いて、半導体レーザ素子に複数の大きさの駆動電流を順
次供給する駆動電流自動供給手段と、この駆動電流自動
供給手段が駆動電流を供給した際に、半導体レーザ素子
の出射光量を順次モニタする光量モニタ手段と、この光
量モニタ手段がモニタした複数の出射光量に基づき、各
照射位置ごとに段階的に定められた所定の出射光量を得
るための駆動電流に対応する複数の設定値を設定する設
定値処理手段と、記録・消去時に、そのときの照射位置
に応した設定値処理手段の設定値に対応する駆動電流を
半導体レーザ素子に供給する駆動電流供給手段とを有す
ることを特徴としている。
駆動電流自動供給手段は、記録・消去動作を行う直前等
に、半導体レーザ素子に複数の大きさの駆動電流を順次
供給する。この駆動電流は、例えば少しずつ段階的に変
化するように供給される。
に、半導体レーザ素子に複数の大きさの駆動電流を順次
供給する。この駆動電流は、例えば少しずつ段階的に変
化するように供給される。
ただし、半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性が完全な直線性
を供えているものと仮定できるならば、十分に大きさの
異なる２種類の駆動電流のみを順に供給するようにして
もよい。
を供えているものと仮定できるならば、十分に大きさの
異なる２種類の駆動電流のみを順に供給するようにして
もよい。
光量モニタ手段は、この駆動電流自動供給手段が駆動電
流を供給した際の半導体レーザ素子の出射光量を順次モ
ニタする。
流を供給した際の半導体レーザ素子の出射光量を順次モ
ニタする。
駆動電流自動供給手段が少しずつ段階的に変化する駆動
電流を供給した場合、設定値処理手段は、この光量モニ
タ手段がモニタした出射光量を、各照射位置ごとに段階
的に定められた所定の出射光量と順次比較し、これらが
ほぼ一致した場合にその際の駆動電流に対応する設定値
を設定する。
電流を供給した場合、設定値処理手段は、この光量モニ
タ手段がモニタした出射光量を、各照射位置ごとに段階
的に定められた所定の出射光量と順次比較し、これらが
ほぼ一致した場合にその際の駆動電流に対応する設定値
を設定する。
そして、残りの所定の出射光量についても比較を行って
、全ての設定値を設定する。また、２種類の駆動電流の
みが供給された場合には、それぞれの駆動電流における
出射光量に基づいて、半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を
示す直線を求め、この直線から、各所定の出射光量を得
るための駆動電流に対応する設定値を求めて設定する。
、全ての設定値を設定する。また、２種類の駆動電流の
みが供給された場合には、それぞれの駆動電流における
出射光量に基づいて、半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を
示す直線を求め、この直線から、各所定の出射光量を得
るための駆動電流に対応する設定値を求めて設定する。
駆動電流供給手段は、記録・消去時に、そのときの照射
位置に応した設定値を設定値処理手段から読み出し、こ
れに対応する駆動電流を半導体レーザ素子に供給する。
位置に応した設定値を設定値処理手段から読み出し、こ
れに対応する駆動電流を半導体レーザ素子に供給する。
上記作用により、本発明の半導体レーザ駆動装置は、半
導体レーザ素子の＞Ｐ特性が変化した場合にも、常にそ
の条件での所定の出射光量を得ることができる。
導体レーザ素子の＞Ｐ特性が変化した場合にも、常にそ
の条件での所定の出射光量を得ることができる。
本発明の一実施例を第１図乃至第６図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
第１図に示すように、半導体レーザ素子１には、再生駆
動電流ａ２から再生駆動電流Ｉ１１が供給され、記録消
去駆動電流ｒｉ、３がらスイッチ回路４を介して記録消
去駆動電流■いが供給されるようになっている。
動電流ａ２から再生駆動電流Ｉ１１が供給され、記録消
去駆動電流ｒｉ、３がらスイッチ回路４を介して記録消
去駆動電流■いが供給されるようになっている。
この半導体レーザ素子１からの出射光は、光量検出素子
５でモニタされるようになっている。光量検出素子５の
出力は、ｌ／Ｖ変換器６を介してＡＰＣ回路７に接続さ
れている。そして、この人ＰＣ回路７の出力が前記再生
駆動電流ｔｉ、２に接続されることにより、半導体レー
ザ素子１の出射光量がフィードバンクされ、従来と同様
に安定した再生時の所定の出射光量ＰＲを得ることがで
きるようになる。
５でモニタされるようになっている。光量検出素子５の
出力は、ｌ／Ｖ変換器６を介してＡＰＣ回路７に接続さ
れている。そして、この人ＰＣ回路７の出力が前記再生
駆動電流ｔｉ、２に接続されることにより、半導体レー
ザ素子１の出射光量がフィードバンクされ、従来と同様
に安定した再生時の所定の出射光量ＰＲを得ることがで
きるようになる。
また、前記１／Ｖ変換器６の出力は、Ａ／Ｄ変換器８に
も接続されている。このＡ／Ｄ変換器８は、光量検出素
子５がモニタした出射光量をデジタルデータＤ、、、と
してＣＰＵ９に入力するためのインターフェースである
。ＣＰＵ９には、ＲＯＭ１０及びＲＡＭＩＩが接続され
ている。このＣＰＵ９は、デジタルデータＤ。ｕＬをＤ
／Ａ変換器１２に送るようになっている。Ｄ／Ａ変換器
１２ば、このデジタル信号り。ｏｌを電圧値に変換して
記録消去駆動電流源３に出力するだめのインターフェー
スである。従って、ＣＰＵ９ば、半導体レーザ素子１に
記録消去駆動電流Ｉ８を供給した際の出射光量をモニタ
することができるようになっている。
も接続されている。このＡ／Ｄ変換器８は、光量検出素
子５がモニタした出射光量をデジタルデータＤ、、、と
してＣＰＵ９に入力するためのインターフェースである
。ＣＰＵ９には、ＲＯＭ１０及びＲＡＭＩＩが接続され
ている。このＣＰＵ９は、デジタルデータＤ。ｕＬをＤ
／Ａ変換器１２に送るようになっている。Ｄ／Ａ変換器
１２ば、このデジタル信号り。ｏｌを電圧値に変換して
記録消去駆動電流源３に出力するだめのインターフェー
スである。従って、ＣＰＵ９ば、半導体レーザ素子１に
記録消去駆動電流Ｉ８を供給した際の出射光量をモニタ
することができるようになっている。
さらに、前記スイッチ回路４は、制御入力に記録消去信
号発生回路１３の出力が接続され、記録・消去時にＯＮ
１０ Ｆ Ｆするようになっている。
号発生回路１３の出力が接続され、記録・消去時にＯＮ
１０ Ｆ Ｆするようになっている。
そして、このスイッチ回路４が○Ｎすることにより、半
導体レーザ素子１に記録消去駆動電流Ｉいが供給される
。なお、記録・消去時には、まず再生駆動電流ＩＲが開
示しないザンプルボールドｌ路によって、記録・消去動
作の直前の値に固定され、これに重畳されてこの記録消
去駆動電流Ｉいが半導体レーザ素子１に供給されること
になる。
導体レーザ素子１に記録消去駆動電流Ｉいが供給される
。なお、記録・消去時には、まず再生駆動電流ＩＲが開
示しないザンプルボールドｌ路によって、記録・消去動
作の直前の値に固定され、これに重畳されてこの記録消
去駆動電流Ｉいが半導体レーザ素子１に供給されること
になる。
前記ＲＯＭｌ０には、所定の出射光量Ｐ、 −１）５（
Ｐ、）に対応する５種類のデジタルデータＤ。
Ｐ、）に対応する５種類のデジタルデータＤ。
〜ＤＰ５（ＤＰＸ）が格納されている。この所定の出射
光量Ｐ、〜Ｐｓ （Ｐｘ）は、第２図に示すように、
光磁気ディスク」二の各照射位置における半導体レーザ
素子１の記１Ｊ・消去時の最適な出射光量を示すもので
ある。即ち、ディスク上の半径ｒ以」１１２未満の範囲
では出射光量Ｐ１のレーザ光を照射し、半径ｒ２以上ｒ
３未満の範囲では出射光量Ｐ２のレーザ光を照射し、以
下同様に半径ｒ。
光量Ｐ、〜Ｐｓ （Ｐｘ）は、第２図に示すように、
光磁気ディスク」二の各照射位置における半導体レーザ
素子１の記１Ｊ・消去時の最適な出射光量を示すもので
ある。即ち、ディスク上の半径ｒ以」１１２未満の範囲
では出射光量Ｐ１のレーザ光を照射し、半径ｒ２以上ｒ
３未満の範囲では出射光量Ｐ２のレーザ光を照射し、以
下同様に半径ｒ。
以１ ｒ ｔ、未満の範囲では出射光量Ｐ５のレーザ光
を照射した場合に、磁性膜の受けるそれぞれの照射エネ
ルギーがほぼ一定の最適値となるように定められている
。
を照射した場合に、磁性膜の受けるそれぞれの照射エネ
ルギーがほぼ一定の最適値となるように定められている
。
また、前記ＲＡＭＩＩには、この所定の出射光量ＰＸを
得るための各記録消去駆動電流■９に対応する５種類の
デジタルデータＤ Ｘｏｕｔが格納されている。従って
、ＣＰＵ９は、このＲＡＭＩＩからその際のレーザ光の
照射位置に応じたデジタルデータＤ Ｘｏｕｔを読み出
し、これを記録消去駆動電流源３に送ることにより、所
定の出射光量ＰＸを得るための記録消去駆動電流Ｉいを
半導体レーザ素子１に供給することができる。ただし、
このデジタルデータＤ Ｘｏｕｔは、そのときの温度条
件や半導体レーザ素子１の個々のＩ−Ｐ特性に応じて変
化するものなので、後に説明するようにそれぞれの条件
に応して設定する必要がある。
得るための各記録消去駆動電流■９に対応する５種類の
デジタルデータＤ Ｘｏｕｔが格納されている。従って
、ＣＰＵ９は、このＲＡＭＩＩからその際のレーザ光の
照射位置に応じたデジタルデータＤ Ｘｏｕｔを読み出
し、これを記録消去駆動電流源３に送ることにより、所
定の出射光量ＰＸを得るための記録消去駆動電流Ｉいを
半導体レーザ素子１に供給することができる。ただし、
このデジタルデータＤ Ｘｏｕｔは、そのときの温度条
件や半導体レーザ素子１の個々のＩ−Ｐ特性に応じて変
化するものなので、後に説明するようにそれぞれの条件
に応して設定する必要がある。
上記のように構成された半導体レーザ駆動装置における
デジタルデータＤ ＸＱＩＩＬの自動設定動作の一例を
第３図及び第４Ｈに基づいて説明する。なお、この動作
は、記録・消去動作の直前に自動的に行われる。
デジタルデータＤ ＸＱＩＩＬの自動設定動作の一例を
第３図及び第４Ｈに基づいて説明する。なお、この動作
は、記録・消去動作の直前に自動的に行われる。
まず、第３図に示すように、ステンプ（以下、「Ｓ」と
いう）１において、ループカウンクχに“′１”を代入
し、デジタルデータＤ、。、に初期値のデジタルデータ
ＤＩＷ＝。を代入する。この初期値のデジタルデータＤ
１い８゜は、Ｄ／Ａ変換器１２を介して記録消去駆動電
流源３に送られた場合に記録消去駆動電流Ｉいが” ｏ
”となるような値である。従って、この場合には、第
４図に示すように、半導体レーザ素子１に再生駆動電流
ｌＲのみが供給され、出射光量ＰＲを得ることになる。
いう）１において、ループカウンクχに“′１”を代入
し、デジタルデータＤ、。、に初期値のデジタルデータ
ＤＩＷ＝。を代入する。この初期値のデジタルデータＤ
１い８゜は、Ｄ／Ａ変換器１２を介して記録消去駆動電
流源３に送られた場合に記録消去駆動電流Ｉいが” ｏ
”となるような値である。従って、この場合には、第
４図に示すように、半導体レーザ素子１に再生駆動電流
ｌＲのみが供給され、出射光量ＰＲを得ることになる。
次に、このデジタルデータＹ〕３゜ｕｔを１段階だけ増
加させる（Ｓ２）。この１段階の増加量は、システム上
で許容される出射光量の変動範囲以下と］ ３ なるように、僅かな量に設定されている。そして、この
デジタルデータＤ ５ｏｕｔを出力して、これに対応す
る記録消去駆動電流■８を半導体レーザ素子〕に供給す
ることにより、Ａ／Ｄ変換器８を介してデジタルデータ
Ｄ Ｓ ｉ 、、を入力する（Ｓ３）。
加させる（Ｓ２）。この１段階の増加量は、システム上
で許容される出射光量の変動範囲以下と］ ３ なるように、僅かな量に設定されている。そして、この
デジタルデータＤ ５ｏｕｔを出力して、これに対応す
る記録消去駆動電流■８を半導体レーザ素子〕に供給す
ることにより、Ａ／Ｄ変換器８を介してデジタルデータ
Ｄ Ｓ ｉ 、、を入力する（Ｓ３）。
デジタルデータＤ、ｉ、を入力すると、これとＲＯＭ１
０のデジタルデータＤ、、 （ＤＰｘ）とを比較する（
Ｓ４）。この比較の結果、デジタルデータＤ Ｓ ｉ
ｎがデジタルデークＤｒ＋未満の値の場合には、Ｓ２に
戻り上記動作を繰り返す。
０のデジタルデータＤ、、 （ＤＰｘ）とを比較する（
Ｓ４）。この比較の結果、デジタルデータＤ Ｓ ｉ
ｎがデジタルデークＤｒ＋未満の値の場合には、Ｓ２に
戻り上記動作を繰り返す。
そして、Ｓ２のデジタルデータＤ ５ｏｕｌの漸増によ
りデジタルデータＤ Ｓ ｉ 、、がデジタルデータＤ
Ｐｌ以」二の値になると、このときのデジタルデータ
ＤＳｏｕｔをＲＡＭＩＩにデジタルデータＤ ｆｏｕｌ
（Ｄ Ｘｏｕｔ）として書き込む（Ｓ５）。即ぢ、第
４図に示すように、デジタルデータＤ ５ｏｕｔの漸増
に伴って記録消去駆動電流Ｉ８がΔＩ８ずつ段階的に大
きくなると、出ル１光量ＰもΔＰずつ増加する。そして
、この出射光ＭＰが初めて所定の出射光量Ｐｏ以」−と
なったときの記録消去駆動電流ＩＷＩに対応するデジタ
ルデータＤ ５ｏｕｔがデジタルデータＤ Ｂｏｕｔと
してＲＡＭＩＩに設定されることになる。
りデジタルデータＤ Ｓ ｉ 、、がデジタルデータＤ
Ｐｌ以」二の値になると、このときのデジタルデータ
ＤＳｏｕｔをＲＡＭＩＩにデジタルデータＤ ｆｏｕｌ
（Ｄ Ｘｏｕｔ）として書き込む（Ｓ５）。即ぢ、第
４図に示すように、デジタルデータＤ ５ｏｕｔの漸増
に伴って記録消去駆動電流Ｉ８がΔＩ８ずつ段階的に大
きくなると、出ル１光量ＰもΔＰずつ増加する。そして
、この出射光ＭＰが初めて所定の出射光量Ｐｏ以」−と
なったときの記録消去駆動電流ＩＷＩに対応するデジタ
ルデータＤ ５ｏｕｔがデジタルデータＤ Ｂｏｕｔと
してＲＡＭＩＩに設定されることになる。
デジタルデータＤ Ｘｏｕｔが設定されると、ループカ
ウンタＸをインクリメントして（３６）、このループカ
ウンタＸが” ５ ”を超えたかどうかの判断を行う（
Ｓ７）。ループカウンタＸが“５゛以下の場合Ｇこは、
再びＳ２に戻って」−記処理を繰り返す。そして、これ
により各デジタルデータＤ ＋ｏｕＬ〜Ｄ５゜ｕｔ （
Ｄ Ｘｏｕｔ ）の設定が全て完了すると、ルプを抜け
て処理を終了する。
ウンタＸをインクリメントして（３６）、このループカ
ウンタＸが” ５ ”を超えたかどうかの判断を行う（
Ｓ７）。ループカウンタＸが“５゛以下の場合Ｇこは、
再びＳ２に戻って」−記処理を繰り返す。そして、これ
により各デジタルデータＤ ＋ｏｕＬ〜Ｄ５゜ｕｔ （
Ｄ Ｘｏｕｔ ）の設定が全て完了すると、ルプを抜け
て処理を終了する。
」二記処理が終了すると、半導体レーザ駆動装置は、設
定されたデジタルデータＤ Ｘ ｏ ｕ Ｌに基づいて
記録・消去動作を開始する。
定されたデジタルデータＤ Ｘ ｏ ｕ Ｌに基づいて
記録・消去動作を開始する。
デジタルデータＤ Ｘｏｕｔの自動設定動作の他の例を
第５図及び第６図に基づいて説明する。なお、この動作
も、記録・消去動作の直前に自動的に行われる。
第５図及び第６図に基づいて説明する。なお、この動作
も、記録・消去動作の直前に自動的に行われる。
まず、第５図に示すように、Ｓｌｌにおいて、デジタル
データＤ ＡｏｕＬを出力して、これに対応する記録消
去駆動電流■。Ａを半導体レーザ素子１に供給する。こ
のデジタルデータＤ ＡＯ８，は、第６図に示すように
、Ｐｌ、。〜Ｐ ｍａＸの範囲内で予め設定された出射
光量Ｐ、を得るための記録消去駆動電流ＩＷＡに対応す
る値である。そして、このＰｏ、７〜ＰＩ１．Ｘの範囲
は、半導体レーザ素子１のｌ−Ｐ特性が直線性を有して
いる範囲である。再生駆動電流■□にこの記録消去駆動
電流ＩＷＡを重畳して供給することにより半導体レーザ
素子１がレーザ光を出射すると、この出射光量ＰＡをデ
ジタルデータＤ□。とじて入力する（Ｓ１２）。
データＤ ＡｏｕＬを出力して、これに対応する記録消
去駆動電流■。Ａを半導体レーザ素子１に供給する。こ
のデジタルデータＤ ＡＯ８，は、第６図に示すように
、Ｐｌ、。〜Ｐ ｍａＸの範囲内で予め設定された出射
光量Ｐ、を得るための記録消去駆動電流ＩＷＡに対応す
る値である。そして、このＰｏ、７〜ＰＩ１．Ｘの範囲
は、半導体レーザ素子１のｌ−Ｐ特性が直線性を有して
いる範囲である。再生駆動電流■□にこの記録消去駆動
電流ＩＷＡを重畳して供給することにより半導体レーザ
素子１がレーザ光を出射すると、この出射光量ＰＡをデ
ジタルデータＤ□。とじて入力する（Ｓ１２）。
次に、デジタルデータＤ Ｂｏｕｔを出力して、これに
対応する記録消去駆動電流Ｉい８を半導体レーザ素子１
に供給する（Ｓ１３）。このデジタルデータＤ Ｒｏｕ
ｔも、第６図に示すように、Ｐｌ、。〜Ｐ□。
対応する記録消去駆動電流Ｉい８を半導体レーザ素子１
に供給する（Ｓ１３）。このデジタルデータＤ Ｒｏｕ
ｔも、第６図に示すように、Ｐｌ、。〜Ｐ□。
の範囲内で予め設定された出射光量ＰＲを得るための記
録消去駆動電流Ｉ。に対応する値である。
録消去駆動電流Ｉ。に対応する値である。
そして、この出射光量ＰＲは、直線性の範囲内で上記出
射光量ＰＡよりも十分に大きい値となるように設定され
ている。これにより記録消去駆動電流ＩＷＲを重畳して
供給された半導体レーザ素子１がレーザ光を出射すると
、この出射光量Ｐ１１をデジタルデータＤＢｉｎ とし
て入力する（３１４）。
射光量ＰＡよりも十分に大きい値となるように設定され
ている。これにより記録消去駆動電流ＩＷＲを重畳して
供給された半導体レーザ素子１がレーザ光を出射すると
、この出射光量Ｐ１１をデジタルデータＤＢｉｎ とし
て入力する（３１４）。
デジタルデータＤ。、。・Ｄ Ｂ ｉ ｎを入力すると
、ループカウンタＸに“′１゛を代入して（Ｓ１５）、
デジタルデータＤ８゜、の設定ループに入る。ごの設定
ループでは、まず、デジタルデータＤＡｉ□Ｄ ｎ ｉ
ｎに基づいてデジタルデータＤ １ｏｕｔを演算しこ
れをＲＡＭＩＩに設定する（Ｓ１６）。次に、ループカ
ウンタχをインクリメントして（Ｓ１７）、このループ
カウンタＸが“５”を超えたかどうかの判断を行う（Ｓ
１８）。ループカウンタＸが” ５ ”以下の場合には
、再びＳ１６に戻って上記処理を繰り返す。そして、こ
れにより各デジタルデータＤ ＋ｏｕｔ−Ｄ ５ｏｕｔ
（Ｄ Ｘｏｕｔ）の設定が全て完了すると、設定ルー
プを抜けて処理を終了する。
、ループカウンタＸに“′１゛を代入して（Ｓ１５）、
デジタルデータＤ８゜、の設定ループに入る。ごの設定
ループでは、まず、デジタルデータＤＡｉ□Ｄ ｎ ｉ
ｎに基づいてデジタルデータＤ １ｏｕｔを演算しこ
れをＲＡＭＩＩに設定する（Ｓ１６）。次に、ループカ
ウンタχをインクリメントして（Ｓ１７）、このループ
カウンタＸが“５”を超えたかどうかの判断を行う（Ｓ
１８）。ループカウンタＸが” ５ ”以下の場合には
、再びＳ１６に戻って上記処理を繰り返す。そして、こ
れにより各デジタルデータＤ ＋ｏｕｔ−Ｄ ５ｏｕｔ
（Ｄ Ｘｏｕｔ）の設定が全て完了すると、設定ルー
プを抜けて処理を終了する。
上記Ｓ１６では、Ｘ＝１〜５について、それぞれ下記の
演算によりデジタルデータＤ＋ｏｕｔ−Ｄｓ。１（Ｄｘ
Ｏｕｔ）を得ている。
演算によりデジタルデータＤ＋ｏｕｔ−Ｄｓ。１（Ｄｘ
Ｏｕｔ）を得ている。
ここで、（ＤＲｏ、＝ＤＡ、、ｔ） ／ （ＤＩｌｉ。
＝Ｄ、、。
）は、即ち（■、、ｌ１−Ｉ１．ｌＡ）／（ＰＲ−ＰＡ
）を意味し、Ｉ−Ｐ特性の特性曲線における微分効率の
逆数を示す。また、デジタルデータＤ ＰＸは、第２図
に示す各所定の出射光量ＰＸに対応するデジタルデータ
であり、デジタルデータＤ ＰＲは、再生時の出射光Ｎ
ＰＲに対応するデジタルデータである。従って、（ＤＰ
Ｘ ＤＰＲ）は、（ＰＸ ＰＲ）を意味し、記録・
消去時の出射光量ＰＸを得るために再生時の出射光量Ｐ
Ｒに重畳すべき出射光量を示す。この結果、上式の右辺
は、（ＰＸ−Ｐ、ｌ）に微分効率の逆数を乗したものと
なり、これによって再生駆動電流ＩＲに重畳すべき記録
消去駆動電流ＩｗＸに対応するデジタルデータＤ Ｘｏ
ｕｔを得ることができる。
）を意味し、Ｉ−Ｐ特性の特性曲線における微分効率の
逆数を示す。また、デジタルデータＤ ＰＸは、第２図
に示す各所定の出射光量ＰＸに対応するデジタルデータ
であり、デジタルデータＤ ＰＲは、再生時の出射光Ｎ
ＰＲに対応するデジタルデータである。従って、（ＤＰ
Ｘ ＤＰＲ）は、（ＰＸ ＰＲ）を意味し、記録・
消去時の出射光量ＰＸを得るために再生時の出射光量Ｐ
Ｒに重畳すべき出射光量を示す。この結果、上式の右辺
は、（ＰＸ−Ｐ、ｌ）に微分効率の逆数を乗したものと
なり、これによって再生駆動電流ＩＲに重畳すべき記録
消去駆動電流ＩｗＸに対応するデジタルデータＤ Ｘｏ
ｕｔを得ることができる。
なお、」二記Ｓｌｌにおいて出力するデジタルデータＤ
Ａ ｏ ＋、１は、前記の例におりる初期値のデジタ
ルデータＤ１い８゜を用いることもてきる。この場合、
記録消去駆動電流■いが“′０゛′となるので、出射光
量ＰＡが再生時の出射光量ｐＲに一致することになる。
Ａ ｏ ＋、１は、前記の例におりる初期値のデジタ
ルデータＤ１い８゜を用いることもてきる。この場合、
記録消去駆動電流■いが“′０゛′となるので、出射光
量ＰＡが再生時の出射光量ｐＲに一致することになる。
上記処理が終了すると、半導体レーザ駆動装置は、先の
例と同様に設定されたデジタルデータＤＸｏｕＬに基づ
いて記録・消去動作を開始する。
例と同様に設定されたデジタルデータＤＸｏｕＬに基づ
いて記録・消去動作を開始する。
〔発明の効果〕
本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、以上のように、
光ディスク」二の照射位置に応して駆動電流の値を変化
させることにより、半導体レーザ素子の出射光量を段階
的に調整する半導体レーザ駆動装置において、半導体レ
ーザ素子に複数の大きさの駆動電流を順次供給する駆動
電流自動供給手段と、この駆動電流自動供給手段が駆動
電流を供給した際に、半導体レーザ素子の出射光量を順
次モニタする光量モニタ手段と、この光量モニタ手段が
モニタした複数の出射光量に凸づき、各照射位置ごとに
段階的に定められた所定の出射光量を得るための駆動電
流に対応する複数の設定値を設定する設定値処理手段と
、記録・消去時に、そのときの照射位置に応じた設定値
処理手段の設定値に対応する駆動電流を半導体レーザ素
子に供給する駆動電流供給手段とを有する構成をなして
いる。
光ディスク」二の照射位置に応して駆動電流の値を変化
させることにより、半導体レーザ素子の出射光量を段階
的に調整する半導体レーザ駆動装置において、半導体レ
ーザ素子に複数の大きさの駆動電流を順次供給する駆動
電流自動供給手段と、この駆動電流自動供給手段が駆動
電流を供給した際に、半導体レーザ素子の出射光量を順
次モニタする光量モニタ手段と、この光量モニタ手段が
モニタした複数の出射光量に凸づき、各照射位置ごとに
段階的に定められた所定の出射光量を得るための駆動電
流に対応する複数の設定値を設定する設定値処理手段と
、記録・消去時に、そのときの照射位置に応じた設定値
処理手段の設定値に対応する駆動電流を半導体レーザ素
子に供給する駆動電流供給手段とを有する構成をなして
いる。
これにより、温度条件が変化した場合にも、モニタ光量
を利用してその条件における設定値を設定し直すことが
できる。
を利用してその条件における設定値を設定し直すことが
できる。
従って、本発明の半導体レーザ駆動装置は、半導体レー
ザ素子のＴ−Ｐ特性における微分効率の変化に影響を受
けることなく、常に最適な出射光量を得ることができる
という効果を奏する。
ザ素子のＴ−Ｐ特性における微分効率の変化に影響を受
けることなく、常に最適な出射光量を得ることができる
という効果を奏する。
また、モニタ光量を利用しているので、個々の半導体レ
ーザ素子のＩ−Ｐ特性における微分効率の相違の影響も
排除することができ、各半導体レーザ駆動装置ごとの初
期調整が不要になるという効果も併せて奏する。
ーザ素子のＩ−Ｐ特性における微分効率の相違の影響も
排除することができ、各半導体レーザ駆動装置ごとの初
期調整が不要になるという効果も併せて奏する。
第１図乃至第６図は本発明の実施例を示すものであって
、第１図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第２図
はディスク上の照射位置に応じた所定の出射光量を示す
図、第３図及び第４図はこの実施例の動作の一例を示す
ものであって、第３図はデジタルデータＤ Ｘｏｕｔの
自動設定動作を示すフローチャート、第４図は半導体レ
ーザ素子のＩＰ特性を示す図、第５回及び第６図はこの
実施例の動作の他の例を示すものであって、第５図はデ
ジタルデータＤ Ｘｏｕｔの自動設定動作を示すフロチ
ャート、第６図は半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す
図である。第７図及び第８回は従来例を示すものであっ
て、第７図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第８
図は半導体レーザ素子のＴ−Ｐ特性を示す図である。 １は半導体レーザ素子、２は再生駆動電流源、３は記録
消去駆動電流源、５は光量検出素子、９はＣＰＵ、１０
はＲＯＭ、１１はＲＡＭ、ＴＲは再生駆動電流、■８は
記録消去駆動電流である。
、第１図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第２図
はディスク上の照射位置に応じた所定の出射光量を示す
図、第３図及び第４図はこの実施例の動作の一例を示す
ものであって、第３図はデジタルデータＤ Ｘｏｕｔの
自動設定動作を示すフローチャート、第４図は半導体レ
ーザ素子のＩＰ特性を示す図、第５回及び第６図はこの
実施例の動作の他の例を示すものであって、第５図はデ
ジタルデータＤ Ｘｏｕｔの自動設定動作を示すフロチ
ャート、第６図は半導体レーザ素子のＩ−Ｐ特性を示す
図である。第７図及び第８回は従来例を示すものであっ
て、第７図は半導体レーザ駆動装置のブロック図、第８
図は半導体レーザ素子のＴ−Ｐ特性を示す図である。 １は半導体レーザ素子、２は再生駆動電流源、３は記録
消去駆動電流源、５は光量検出素子、９はＣＰＵ、１０
はＲＯＭ、１１はＲＡＭ、ＴＲは再生駆動電流、■８は
記録消去駆動電流である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光ディスク上の照射位置に応じて駆動電流の値を変
化させることにより、半導体レーザ素子の出射光量を段
階的に調整する半導体レーザ駆動装置において、 半導体レーザ素子に複数の大きさの駆動電流を順次供給
する駆動電流自動供給手段と、この駆動電流自動供給手
段が駆動電流を供給した際に、半導体レーザ素子の出射
光量を順次モニタする光量モニタ手段と、この光量モニ
タ手段がモニタした複数の出射光量に基づき、各照射位
置ごとに段階的に定められた所定の出射光量を得るため
の駆動電流に対応する複数の設定値を設定する設定値処
理手段と、記録・消去時に、そのときの照射位置に応じ
た設定値処理手段の設定値に対応する駆動電流を半導体
レーザ素子に供給する駆動電流供給手段とを有すること
を特徴とする半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184088A JP2624788B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
| EP89307425A EP0352125B1 (en) | 1988-07-22 | 1989-07-20 | A semiconductor laser driving apparatus |
| DE68924622T DE68924622T2 (de) | 1988-07-22 | 1989-07-20 | Vorrichtung zum Steuern eines Halbleiterlasers. |
| US07/384,213 US5008888A (en) | 1988-07-22 | 1989-07-21 | Semiconductor laser driving apparatus |
| KR1019890010428A KR920010019B1 (ko) | 1988-07-22 | 1989-07-22 | 반도체 레이저 구동장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63184088A JP2624788B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233737A true JPH0233737A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2624788B2 JP2624788B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=16147190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63184088A Expired - Lifetime JP2624788B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5008888A (ja) |
| EP (1) | EP0352125B1 (ja) |
| JP (1) | JP2624788B2 (ja) |
| KR (1) | KR920010019B1 (ja) |
| DE (1) | DE68924622T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH04134737A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光ディスク駆動装置及び光量調整装置 |
| US5365507A (en) * | 1992-08-10 | 1994-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-amount control device for an optical-disk recording-reproduction apparatus |
| US7286153B1 (en) | 1991-10-11 | 2007-10-23 | Hitachi, Ltd. | Three-dimensional recording and reproducing apparatus |
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|---|---|---|---|---|
| US5070495A (en) * | 1989-04-12 | 1991-12-03 | International Business Machines Corporation | Write calibration for magnetooptic disk recorders |
| JP2905229B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1999-06-14 | キヤノン株式会社 | 光ビーム駆動装置 |
| US5185734A (en) * | 1990-07-20 | 1993-02-09 | International Business Machines Corporation | Calibrating and power-protecting laser drive circuits |
| US5136569A (en) * | 1990-09-28 | 1992-08-04 | International Business Machines Corporation | Optical disk recorder for diverse media types and having a predetermined initialization or start-up procedure |
| JP2550447B2 (ja) * | 1991-05-16 | 1996-11-06 | 富士通株式会社 | レーザダイオードの制御方式 |
| US5216659A (en) * | 1991-09-11 | 1993-06-01 | International Business Machines | Laser power calibration by measuring laser drive current at out of focus and in focus conditions |
| JPH09148630A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Rohm Co Ltd | 光量調整回路及びこれを用いた光応用装置 |
| DE10064775A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Thomson Brandt Gmbh | Verfahren und Anordnung zum Regeln der Lichtleistung eines Abtaststrahls in einem Gerät zum Lesen oder zum Beschreiben optischer Aufzeichnungsträger |
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| US7400662B2 (en) | 2005-01-26 | 2008-07-15 | Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd | Calibration of laser systems |
| TW201027522A (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-16 | Sunplus Technology Co Ltd | Methods for on-line calibrating output power of optical pick-up |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
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| US4747091A (en) * | 1985-07-25 | 1988-05-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Semiconductor laser drive device |
| JP2531942B2 (ja) * | 1986-04-14 | 1996-09-04 | ティアツク株式会社 | 光学式デイスク記録装置 |
| JPS62257640A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-10 | Hitachi Ltd | レ−ザ駆動装置 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63184088A patent/JP2624788B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-20 EP EP89307425A patent/EP0352125B1/en not_active Expired - Lifetime
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