JPH0482017A - 光記録装置 - Google Patents

光記録装置

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JPH0482017A
JPH0482017A JP2198260A JP19826090A JPH0482017A JP H0482017 A JPH0482017 A JP H0482017A JP 2198260 A JP2198260 A JP 2198260A JP 19826090 A JP19826090 A JP 19826090A JP H0482017 A JPH0482017 A JP H0482017A
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JP
Japan
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semiconductor laser
optical
optical recording
recording medium
output
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Pending
Application number
JP2198260A
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English (en)
Inventor
Tsuguaki Mashita
著明 真下
Akio Iwata
岩田 昭夫
Kazuhiko Nakane
和彦 中根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teac Corp
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Teac Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH0482017A publication Critical patent/JPH0482017A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体へ投射する半導体レーザの光出力
に関連して光記録媒体に情報を記録する光記録装置に関
するものである。
〔従来の技術〕
光デイスク装置は、光ディスクを回転させ、回転してい
る光ディスクにレーザ光を投射して、情報を記録すべき
記録位置を加熱してその記録位置に情報を記録する。ま
た光ディスクに投射したレーザ光の反射光を検出してそ
の反射光に基づいて情報を再生する。
第5図は光ディスクに情報を記録、再生する場合の半導
体レーザの光出力変化を示したものである。光ディスク
から情報を再生する場合は、半導体レーザの光出力PL
Dは低出力PRになる。一方、光ディスクに情報を記録
する場合は、記録すべき情報に関連して半導体レーザの
光出力PLDは高出力Pいになる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の光デイスク装置は、光ディスクに投射する光ビー
ムの光出力を、その光ディスクの周囲温度に関係なく一
定にしている。そのため光ビームの投射による光ディス
クの加熱温度は、その周囲温度の影響を受けて周囲温度
に略比例することになる。そのため、光ディスクの周囲
温度が高い場合は、情報を記録、再生する場合に、光デ
ィスクが必要以上に加熱される。
したがって、記録した情報領域が拡大して、情報の記録
精度が低下し、記録情報の信顛性が低下するという問題
がある。また、光ディスクの周囲温度が低い場合は光デ
ィスクの加熱が不十分になり、情報が正確に記録されず
記録情報の信頼性が低下するという問題がある。
本発明は斯かる問題に鑑み、情報を記録する場合に、光
記録媒体の周囲温度の影響をうけずに情報を記録でき、
記録情報の信頼性を高め得る光記録装置を提供すること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る光記録装置は、光記録媒体の周囲温度を検
出する温度検出器を設け、この温度検出器の検出結果に
関連して、光記録媒体へ光ビームを投射する半導体レー
ザの駆動電流を制御する手段を設ける。
〔作用〕
温度検出器が検出した光記録媒体の周囲温度に関連して
、半導体レーザの駆動電流を制御する手段が、半導体レ
ーザの駆動電流を制御する。
これにより、半導体レーザの光出力は光記録媒体の周囲
温度に関連して制御され、光記録媒体の加熱温度は周囲
温度の影響を受けずに一定する。
〔実施例〕
以下本発明をその実施例を示す図面によって詳述する。
第1図は本発明に係る光記録装置の要部を示すブロック
図である。電源■、は例えばサーミスタからなる感温抵
抗R3及び定電流源1の直列回路を介して接地されてい
て、感温抵抗Rsには定電&Isが流れるようになって
いる。感温抵抗R3の両端電圧V inは電圧電流変換
回路v−rに入力され、その出力は定数倍回路MULへ
入力されている。この定数倍回路MOLには、図示しな
いcpuから、情報記録時の光出力を設定し、また後述
する半導体レーザの特性補正をする制御信号Sが入力さ
れている。定数倍回路MtlLの出力は、記録/消去光
出力駆動電流源2へ与えられる。この記録/消去光出力
駆動電流源2の一端は電源■2と接続され、他端は変調
スイッチS讐の切換接点SW。
と接続されている。切換接点Sもの動作により選択され
る第1の固定接点SW、は接地されており、第2の固定
接点SWcは図示しない光記録媒体へ光ビームを投射す
る半導体レーザLDのアノ−ドと接続されている。電源
■、は、再生光出力駆動電流源3及び半導体レーザLD
を介して接地されており、再生光出力駆動電流源3は再
生時、記録/消去時を通じて常に駆動電流■、を流すよ
うになっている。記録/消去光出力用の半導体レーザ駆
動電流源2は、記録/消去動作時の半導体レーザ駆動電
流I。を流すようになっている。変調スイッチSWには
、その切換信号として記録/消去動作を指示する指令信
号5Wjlが与えられる。再生光出力時には切換接点S
W、が第1固定接点SW、側へ、記録/消去光出力時は
第2固定接点SW、側へ切り換わるようになっている。
前記電圧電流変換回路V−1は入力電圧Vinを出力電
流■。、に変換するよう動作する。その変換ゲインをC
V−+ とすると、出力電流I。utは、I out 
=Gv−+ X V in  +++  (1)となる
また、前記定数倍回路MtlLは、電圧電流変換回路V
−1の出力電流1゜、を入力とし、記録動作時の半導体
レーザ駆動電流11を出力になすべく電流増幅動作をす
る。その増幅ゲインをG□、とすると、半導体レーザ駆
動電流I8は、Iw=GnuLXI。、 ・・・ (2
)となる。
ここで定数倍回路肛りの増幅ゲインGMULは、半導体
レーザの光出力を制御するcpuの出力信号Sにより設
定されるものであり、1つには記録動作時の半導体レー
ザLDの光出力の設定値に応して変化するように、また
1つには半導体レーザLDの後述するスロープ効率ηの
温度、経年劣化等による変動を補正するように変化する
ように与えられる。そのため、記録動作時における半導
体レーザの同一光出力P。においては、常に ηXGMUL=一定  ・・・ (3)に保持される。
第2図は記録動作時における半導体レーザLDの光出力
に要求される温度特性を示しており、縦軸を記録動作時
における半導体レーザLDの光出力Pいとし、横軸を記
録媒体の周囲温度Tとしている。
この図から明らかなように、半導体レーザLDの光出力
Pユは周囲温度Tの変化に対して直線的に変化する。周
囲温度Tが25℃において要求される半導体レーザLD
の記録時の光出力P8をP。(25)と表記している。
記録動作時における半導体レーザLDの光出力P2に要
求される温度特性はα1.l(mW / ”C)である
。この温度特性α8と等しい温度特性を前記感温抵抗R
3に与えている。
この光記録装置は、光記録媒体に情報の記録/消去を指
令する指令信号S□を切換スイッチS−に与えないと、
切換スイッチSWは第1固定接点SW。
側ムこ切換動作する。それにより半導体レーザLDには
再生光出力駆動電流電源3からの駆動電流I、lが流れ
る。
一方、情報の記録/消去を指令する指令信号SWRを切
換スイッチS−に与えると、切換スイッチS−は第2固
定接点SW、側に切換動作する。それにより半導体レー
ザLDには再生光出力駆動電流源3からの駆動電流■3
と、定数倍回路MULの出力により制御される記録/消
去光出力駆動電流電源2からの駆動電流Iユとが加算さ
れて流れることになる。
第3図は半導体レーザLDの光出力と、その駆動電流I
との関係を示す特性図であり、縦軸を半導体レーザLD
の光出力PLOとし、横軸を駆動電流Iとしている。こ
の図から明らかなように、駆動電流Iが半導体レーザL
Dのしきい値電流Iいに達すると、半導体レーザLDは
発光し始める。そして駆動電流Iが増加して、再生動作
時の駆動電流I、lに達すると半導体レーザLDの光出
力は低出力PRになる。また前述したように記録/消去
動作時になると、駆動電流Iは駆動電流TRにIwが加
わり、そのときの半導体レーザLDの光出力は高出力P
8になる。このようにして、半導体レーザLDの光出力
PLDは、しきい値電流1th以上の範囲では、その駆
動電流■の変化に比例して変化し、傾きηの直線の如く
になる。この直線の傾きηを半導体レーザLDのスロー
プ効率(m何/mA)と称している。
次tここの光記録装置が半導体レーザLDの光出力を決
める原理を第1図及び第3図により説明する。
半導体レーザLDの光出力PLOは、 PLD=ηX(Iい+ (IR1th))・・・ (4
)但しηは半導体レーザのスロープ効率 1thは半導体レーザのしきい値電流 となる。
そして記録動作時の半導体レーザLDの駆動電流I、は
、 Iw  =CyMut  X 1out   =  (
51=GMLIL  XQv−、×Vi11   ・+
+  (6)=GMUL  XGv−+  X Is 
 XRs  −(71但しGMLILは電圧電流変換回
路の出力I。utから駆動電流Iいを得るまでの電流ゲ
インGv〜1は電圧電流変換回路の変換ゲインとなる。
一方、(4)弐により半導体レーザの光出力PLDは、
PLD−η×i十ηX(Iえ−1tl、)・・・ (8
)= (Pw −PR)+pR−(9) となる。したがって、 Pw  PR= (77XGHuLxGv−+X Is
 )xRsPR−η×(L   1th)・・・ αυ
となる。ここで再生動作時の半導体レーザの先出・・・
00) カPRは再生光出力駆動電流源3により駆動電流I8が
制御され、光出力PRが一定になるように制御されてい
て、また通常の光記録媒体では記録/消去動作時の光出
力P1はP。>>pRとするため、半導体レーザLDの
光出力PLDの温度特性は概略光出力P8の温度特性だ
けで決まる。そしてα0)式における(ηX GMIJ
L X GV−I X I s )は周囲温度に関係な
く一定に制御されているから、記録動作時の半導体レー
ザLOの光出力P%、lは感温抵抗R5の抵抗値に比例
して変化する。つまり、温度検出器たる感温抵抗R5の
温度特性で半導体レーザLDの光出力の温度特性を決め
ることになる。それによって光記録媒体の周囲温度が変
化してもそれに応して半導体レーザLDの光出力を調節
し、光記録媒体の加熱温度が一定となるように制御する
ことができる。
第4図は本発明に係る光記録装置の他の実施例を示す光
記録装置要部のブロック図である。定電圧電源■。は定
抵抗R6及び感温抵抗R%の直列回路を介して接地され
ている。定抵抗RC及び感温抵抗R3′には、それらの
合成抵抗値変化に反比例して変化する電流I、lが流れ
るようになっている。そしてそれ以外の構成は第1図に
示したものと同様となっている。
この光記録装置が半導体レーザLDの光出力を決める原
理を、第3図及び第4図により説明する。
第1図に示した半導体レーザLDの光出力PLDは、P
LD−ηx Nw + (1つ−Iい)〕・・・ 亜と
なる。そして記録動作時の半導体レーザLDの駆動電流
I1.lは、 1、 =C,□L×1ouL  ・・・ α(支)=G
□L X Gv−r X Vi、l  ・・・ 04)
”GMLIL XGv−+ XRc X Is  ”’
  α9となる。そして第1図に示した光記録装置の場
合と同様にして、 P、−P+t = (ηX cMuLx c、−、X 
Rc ) X I s  −06!PR=’7×(IR
1th) −071となり、前述した如く、(ηxG、
、、XG、、XRC)は周囲温度に関係なく一定になる
ように制御されており、光出力P2の温度特性は、感温
抵抗R3を流れる電流I、′の温度特性で決まる。
ここで電流1.Lは、 であり、定電圧電源■、の電圧及び定抵抗Rcの抵抗値
は一定であるから、感温抵抗R3′の抵抗値に関連して
半導体レーザLDの光出力が決まることになる。それに
よって、この光記録装置においても、光記録媒体の周囲
温度の変化の影響を受けず光記録媒体の加熱温度が一定
する。
なお、本実施例で用いた感温抵抗を、その感温抵抗と他
の定抵抗との直並列回路又は感温抵抗とダイオードとの
直並列回路としても同様の効果が得られる。また、本実
施例では光記録装置の記録動作時に半導体レーザの光出
力を決める場合について説明したが、消去動作時におい
ても同様に決まるのは勿論である。更に本実施例では、
光ビームにより情報を記録する光記録装置について説明
したが、光ビーム及び磁界を用いて情報を記録する光磁
気記録装置又は光磁気記録再生装置あるいは光記録再生
装置でも同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上詳述したように本発明は、検出した光記録媒体の周
囲温度に関連して、半導体レーザの駆動電流を制御し、
これによって光記録媒体に投射する光ビームの光出力を
制御するようにしたから、周囲温度が変化しても光記録
媒体の加熱温度が一定する。それにより光記録媒体の周
囲温度が変わっても情報の記録精度が低下せず、記録情
報の信頼性が高い光記録装置を提供できる優れた効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る光記録装置の要部ブロック図、第
2図は記録動作時における半導体レーザの光出力の温度
特性図、第3図は半導体レーザの駆動電流と光出力との
関係を示す特性図、第4図は本発明の他の実施例を示す
光記録装置の要部ブロック図、第5図は情報の記録、再
生時における半導体レーザの光出力の変化を示す波形図
である。 1・・・定電流源  2・・・記録/消去光出力駆動電
流源 3・・・再生光出力駆動電流源 R3,R3・・
・感温抵抗  v−r・・・電圧電流変換回路 MUL
・・・定数倍回路 LD・・・半導体レーザなお、図中
、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人    大   岩   増   雄第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光記録媒体へ投射する半導体レーザの光出力に関
    連して光記録媒体に情報を記録する光記録装置において
    、 前記光記録媒体の周囲温度を検出する温度 検出器と、該温度検出器の検出結果に関連して前記半導
    体レーザの駆動電流を制御する手段とを備えることを特
    徴とする光記録装置。
JP2198260A 1990-07-24 1990-07-24 光記録装置 Pending JPH0482017A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2198260A JPH0482017A (ja) 1990-07-24 1990-07-24 光記録装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2198260A JPH0482017A (ja) 1990-07-24 1990-07-24 光記録装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0482017A true JPH0482017A (ja) 1992-03-16

Family

ID=16388176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2198260A Pending JPH0482017A (ja) 1990-07-24 1990-07-24 光記録装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH0482017A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006247867A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Murata Mach Ltd Frpハニカム構造体およびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006247867A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Murata Mach Ltd Frpハニカム構造体およびその製造方法

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