JP2877209B2

JP2877209B2 - 光出力レベル制御方法及び光出力レベル制御装置

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Publication number: JP2877209B2
Application number: JP32395896A
Authority: JP
Inventors: 純一土田
Original assignee: Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-12-04
Filing date: 1996-12-04
Publication date: 1999-03-31
Anticipated expiration: 2016-12-04
Also published as: JPH10163555A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，光ファイバを伝送
媒体とする光通信システムの中の光送信器等に用いられ
る半導体レーザの駆動回路に関し，特にレーザの出力を
一定に保つ光出力補償回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来，半導体レーザを使用した半導体レ
ーザ（以下，ＬＤと呼ぶ）モジュールの駆動方法とし
て，レーザ発振を開始するしきい値電流Ｉｔｈ近傍の値
の直流バイアス電流Ｉｂを印加し，さらに信号成分とし
てパルス変調電流Ｉｐ重畳する方法が一般的である。こ
こで，しきい値電流Ｉｔｈは，周囲温度により変化す
る。このためＬＤを一定の電流で駆動した場合，周囲温
度により光出力レベルが変動が生じる。またＬＤの劣化
により電気信号を光信号に変換する効率である微分効率
ηが悪化し，光出力レベル，消光比が悪化する。

【０００３】このため，光出力を一定に保つための方法
として，既に，特開平７−１４７４４６号公報及び特開
平４−８２２８５号公報（以下，夫々従来技術１及び２
と呼ぶ）などが提案されている。

【０００４】図７は，従来技術１による光ファイバーモ
ジュールの駆動回路の構成を示すブロック図である。図
７に示すように，ＬＤ５１の光出力を検出する受光素子
５２と，ＬＤ５１にパルス電流を供給するパルス電流変
調回路５３と，パルス電流変調回路５３のパルス電流値
を制御するパルス電流制御回路５４と，受光素子の検出
出力を検出するパワーモニター回路５５と，ＬＤ５１を
発光するバイアス電流Ｉｂを制御するバイアス電流制御
回路５６を備えている。

【０００５】ここで提案されているＬＤ駆動回路は，要
約すると一定時間毎にバイアス電流Ｉｂを２点以上変化
させて，その際のＬＤ５１の発光パワーを受光パワー検
出手段によって検出して，しきい値電流を算出し，しき
い値電流より若干高めのＬＤ５１の直流バイアス電流Ｉ
ｂをバイアス電流制御回路５４に設定する。

【０００６】また，ＬＤ５１のしきい値電流と微分効率
ηの変化を検出することで，微分効率η等の変化に対応
したパルス電流にパルス電流制御回路５４にて設定する
ことで光出力レベルを一定に保持している。

【０００７】次に，従来技術２について説明する。図８
は従来技術２に提案されている光出力補償回路を示す図
である。図８に示すように，光出力補償回路は，ＬＤの
出力光信号から抽出したモニタ信号の直流成分と信号成
分（パルス成分）とについてそれぞれ帰還制御を行い，
出力光信号の平均光パワーと消光比といずれも補償す
る。具体的には，モニタ用受光素子（ＰＤ）６１から出
力されたモニタ信号は，増幅回路６２，積分回路６３
と，ピークホールド回路６４とに入力される。ここで，
積分回路６３は，モニタ信号から出力光信号の平均値を
抽出する。一方，ピークホールド回路は，モニタ用受光
素子６１に交流的に結合されており，モニタ信号の信号
振幅を抽出する。従って，ピークホールド回路６４が抽
出した信号振幅を一定にするように，レーザダイオード
駆動回路６５の駆動電流に，減算回路６６，比較器６
７，６８を介して負帰還をかけて，出力光信号の信号振
幅を安定化させる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術において，
一定のパルス変調電流Ｉｐで変調を行う場合，ＬＤの微
分効率が悪化すると消光比も悪化し，「１」レベル信号
送信時と「０」レベル信号送信時との差が小さくなるの
で，温度変動や経年変化によりＬＤの劣化が生じた場
合，ＬＤの消光比が悪化しデータ通信の信頼性が落ちる
ことが問題であった。即ち，エラーレートが上昇するこ
とである。ここで，消光比とは２値信号のそれぞれに対
応した２種の光強度の比である。

【０００９】また，従来技術１において，上記問題点を
回避するためには，一定時間毎にバイアス電流Ｉｂを２
点以上変化させ，しきい値電流，微分効率の変化を検出
して，しきい値電流，パルス変調電流Ｉｐを制御する必
要がある。というのは，ＬＤの劣化モードとして長時間
のレーザ発振による遅い劣化と発光素子の欠陥または過
電流，高温通電等の外的要因による急速劣化がある。一
定時間（電源のＯＮ時，一定周期，システムエラー発生
時等）でのみパルス変調電流Ｉｐの制御を行うと，ＬＤ
の劣化が急速に進んだ場合に，消光比を一定に保持する
ことができなくなるためである。

【００１０】また，従来技術２では，上記問題点を回避
するために，負帰還回路により消光比の安定を実現して
いる。しかしながら，周波数帯域の広い増幅器及び高速
応答性の良い受光素子が必要となり，また帰還回路は回
路が複雑となりハード量が増加するという欠点を有し
た。

【００１１】そこで，本発明の一技術的課題は，デュー
ティ(duty)比の異なる２種類の試験信号のモニタ出力の
差分を監視しパルス変調電流Ｉｐを制御することで，Ｌ
Ｄの劣化により微分効率が変化した場合でも一定の消光
比を保つことができる光出力レベル制御方法と制御装置
とを提供することにある。

【００１２】また，本発明のもう一つの技術的課題は，
バイアス電流Ｉｂの変化を常に監視することにより，急
速なＬＤの劣化にも対応することができる光出力レベル
制御方法と制御装置とを提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、バイア
ス電流Ｉｂにパルス変調電流Ｉｐを重畳させる方式のレ
ーザダイオード（以下、ＬＤと呼ぶ）の駆動方法におい
て、デューティ(duty)比が互いに異なる第１及び第２の
試験信号を用い前記ＬＤの光出力をモニタし、モニタ出
力信号の平均値を検出し、その平均値を記憶し、前記第
１及び第２の試験信号のモニタ平均出力値の差分である
平均値差分をとり、ＬＤの初期状態での平均値差分とＬ
Ｄ発振後の平均値差分の差分である発振差分をとり、当
該発振差分に応じてパルス変調電流Ｉｐを制御すること
を特徴とする光出力レベル制御方法が得られる。

【００１４】また，本発明によれば，前記光出力レベル
制御方法において，前記バイアス電流Ｉｂの変化を経時
的に監視し，前記バイアス電流Ｉｂの変化が短時間で進
行している場合に，ＬＤ劣化進行信号を出力することを
特徴とする光出力レベル制御方法が得られる。

【００１５】また、本発明によれば、バイアス電流Ｉｂ
にパルス変調電流Ｉｐを重畳させる方式のレーザダイオ
ード（以下、ＬＤと呼ぶ）の駆動回路において、デュー
ティ(duty)比が互いに異なる第１及び第２の試験信号を
用い前記ＬＤの光出力をモニタするためのモニタ用受光
素子と、前記モニタ用受光素子のモニタ出力信号の平均
値を検出する平均値検出回路と、前記平均値検出回路の
出力を記憶し、前記第１及び第２の試験信号のモニタ平
均出力値の差分である平均値差分をとり、ＬＤの初期状
態での平均値差分とＬＤ発振後の平均値差分の差分であ
る発振差分をとる記憶差分演算回路と、前記バイアス電
流の変化を監視するバイアス電流監視回路と、前記記憶
差分演算回路の出力に応じてパルス変調電流を制御する
パルス変調制御回路を有することを特徴とする光出力レ
ベル制御装置が得られる。

【００１６】さらに，本発明によれば，前記光出力レベ
ル制御装置において，前記バイアス電流Ｉｂの変化を監
視するバイアス電流監視回路内にタイマ回路を設け，前
記バイアス電流Ｉｂの変化が短時間で進行している場合
に，ＬＤ劣化進行信号を出力することを特徴とする光出
力レベル制御装置が得られる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１８】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態による光出力レベル制御装置の構成を示す
ブロック図である。図１に示すように，光出力レベル制
御装置は，ＬＤ駆動回路１及びＬＤモジュール２とを備
えている。

【００１９】ＬＤ駆動回路１は，モード選択回路３，平
均値検出回路４，記憶差分演算回路５，パルス変調制御
回路６，バイアス制御回路７，切替回路８，バイアス回
路９，バイアス電流監視回路１０，及びパルス変調回路
１１を備えている。また，ＬＤモジュール２は，その中
に，ＬＤ素子１２とＬＤ素子１２の光出力モニタするた
めのモニタ用受光素子１３を備えている。

【００２０】ＬＤ駆動回路１において，モード選択回路
３は，ＬＤ駆動回路１を通常動作モード又はＬＤの消光
比を制御する試験モードのいづれかに設定する回路であ
る。平均値検出回路４は，デューティ(duty)比の異なる
２種類の試験信号，即ち，第１及び第２の試験信号のモ
ニタ用受光素子１３のモニタ出力によりＬＤ素子１２の
平均光出力を検出する回路である。

【００２１】記憶差分演算回路５は，初期状態でのデュ
ーティ(duty)比の異なる第１及び第２の試験信号の平均
値検出回路４の出力を記憶し，その差分を取る回路であ
る。また，記憶差分演算回路５では初期状態での試験信
号の平均光出力とＬＤの劣化が進んだ後の試験信号の平
均光出力との差分も取る。

【００２２】パルス変調制御回路６は，記憶差分演算回
路５の差分結果が初期値に対し変動した場合，パルス変
調電流Ｉｐを制御する回路である。

【００２３】バイアス制御回路７は，平均値検出回路４
の出力をもとに光出力の平均値が一定となる様にバイア
ス電流Ｉｂの値を制御する回路である。

【００２４】切替回路８は，平均値検出回路４の出力を
バイアス制御回路７又は記憶差分演算回路５のいずれか
にモード選択回路３の設定に応じて切り替える回路であ
る。バイアス回路９は，ＬＤ素子１２にバイアス電流Ｉ
ｂを流す回路である。

【００２５】また，バイアス電流監視回路１０は，バイ
アス電流Ｉｂの変化量を監視し，変動が生じた場合に上
位回路に劣化信号を出力する回路である。

【００２６】さらに，パルス変調回路１１は，ＬＤ素子
１２にバイアス電流Ｉｂにパルス変調電流Ｉｐを重畳さ
せて流すことによりＬＤ素子１２をパルス駆動する回路
である。

【００２７】始めに，通常のデータ転送を始める前，即
ちＬＤの初期状態において，上位回路からのモード切替
信号によりＬＤ駆動回路１を試験モードに設定する。試
験モードでは２種類のデューティ(duty)比の異なる試験
信号（第１及び第２の試験信号）を上位回路より送信デ
ータとしてＬＤ駆動回路１に入力する。試験信号Ａはデ
ューティ(duty)比６対４の信号であり，試験信号Ｂは，
duty比４対６の信号である。

【００２８】本発明の第１の実施の形態による光出力レ
ベル制御装置の動作について説明する。

【００２９】通常動作を開始する前に、上位回路よりモ
ード選択回路３を試験モードに設定する。試験モードで
は、送信データとしてデューティ(duty)比の異なる２種
類の試験信号ＡとＢを上位回路から出力する。その際の
モニタ用受光素子１３の出力を記憶差分演算回路５に入
力する。試験信号ＡとＢは、デューティ(duty)比が異な
るためＬＤ１２の光出力レべルが異なり、モニタ出力も
異なる。記憶差分演算回路５では、モニタ出力ＰA とＰ
B の差（平均値差分）ΔＰ＝ＰA −ＰB を取りその結果
を記憶する。ＬＤ１２は、長時間発振することにより劣
化が進み、光出力ーバイアス電流特性の傾き（微分効率
η）が悪化する。このためバイアス電流Ｉｂの制御のみ
では消光比が悪化する。これを防ぐため、ＬＤの劣化は
徐々に進行するという性質を用いて、数ケ月に１度程度
の定期的に試験信号を送信し差分（発振差分）を取っ
て、その値が記憶差分演算回路５で記憶されている初期
値に対して変動した場合、パルス変調制御回路６でパル
ス変調電流Ｉｐを制御し消光比を一定に保つ。

【００３０】即ち，記憶差分演算回路５での差が初期値
より小さくなった場合は，微分効率ηが悪化しているた
め，パルス変調電流Ｉｐを増加させる。逆に差が大きく
なっている場合はパルス変調電流Ｉｐを減少させる。パ
ルス変調電流Ｉｐを制御することにより，微分効率ηが
悪化しても消光比を一定に保てる。

【００３１】また，バイアス電流監視回路でバイアス電
流Ｉｂの変化を常に監視し，バイアス電流Ｉｂが大幅に
増加した場合は急速にＬＤ１２の劣化が進んだと判断
し，同様にパルス電流Ｉｐを制御する。

【００３２】次に，本発明の第１の実施の形態による光
出力レベル制御装置について，図１に更に図２乃至図４
を用いて具体的に説明する。

【００３３】図２は一般のＬＤの初期状態での光出力−
電流特性を示すグラフである。図２に示すように，一般
にＬＤをパルス駆動する場合，バイアス電流Ｉｂをしき
い値電流Ｉｔｈより多少大きめな値に設定し，そこにパ
ルス変調電流Ｉｐを重畳する。

【００３４】ＬＤ駆動回路１に入力された試験信号はパ
ルス変調回路１２にて，図２に示す様にパルス変調電流
Ｉｐが出力されＬＤ素子１２に流れることによりパルス
発光する。この際の，ＬＤ素子１２の光出力をモニタ用
受光素子１３にてモニタし平均値検出回路４に出力す
る。

【００３５】平均値検出回路４では光出力の平均値を検
出する。試験信号Ａの光出力平均値（Ｐ_A1）、試験信号
Ｂの光出力平均値を（Ｐ_B1）をそれぞれ記憶差分演算回
路５に出力する。試験信号Ａと試験信号Ｂはデューティ
(duty)比が異なるため光出力レベルも異なる。平均値検
出回路４の出力Ｐ_A1とＰ_B1との間には、以下の数１式で
示される関係が成りたつ。

【００３６】

【数１】Ｐ_A1＞Ｐ_B1 記憶差分演算回路５では、Ｐ_A1とＰ_A2の差分（平均値差
分ΔＰ₁₁）を計算し、その値を記憶する。平均値差分は
次の数２式で表される。

【００３７】

【数２】電気信号を光信号に変換する効率である微分効率ηは，
次の数３式で示されるように，光出力−電流特性のグラ
フの傾きで表される。

【００３８】

【数３】η₁＝ΔＰ１／ΔＩ以上、説明したように、ＬＤの初期状態での試験信号Ａ
とＢの光出力平均値Ｐ_A1とＰ_B2を平均値検出回路４で検
出し、その差分（平均値差分）ΔＰ₁₁を記憶差分演算回
路５で記憶した後に、モード選択回路３を通常モードに
設定し通常動作を開始する。

【００３９】ここで，通常動作状態では，従来の平均光
出力検出による自動光出力制御回路（ＡＰＣ）方式と同
様であり，平均値検出回路４の出力は切替回路８でバイ
アス制御回路７へ入力される。バイアス制御回路７で
は，通常動作中も常時光出力をモニタしその平均値が一
定となるようにバイアス電流Ｉｂを制御する。しかし，
パルス変調電流Ｉｐは初期値のまま一定である。

【００４０】また，ＬＤの劣化モードとして遅い劣化と
急速劣化の２種類がある。前者の遅い劣化とは，通常の
動作状態で長時間レーザ発振することにより進む劣化で
ある。一方，後者の急速劣化とは，発光素子の欠陥及び
過電流，高温通電等の外的要因により急激に進む劣化で
ある。ＬＤの劣化が進むと微分効率ηが変化する。この
様子を図３に示す。

【００４１】図２に示した初期状態と同一のパルス変調
電流Ｉｐでは，微分効率ηは以下の数４式及び数５式の
様になる。

【００４２】

【数４】

【００４３】

【数５】上記数４式及び数５式に示されるように，従来のバイア
ス電流Ｉｂの制御のみでは，消光比が悪化しデータ転送
の信頼性が低下する。

【００４４】これを防ぐために，本発明の第１の実施の
形態においては，定期的（数ヶ月に１度程度）にＬＤ駆
動回路１を試験モードに設定し上位回路より試験信号を
送信して，その際の平均値光出力の差分を取り，記憶差
分演算回路５に記憶してある初期値に対し，変動が生じ
た場合にパルス変調制御回路６でパルス電流Ｉｐを制御
して消光比を一定とする。

【００４５】初期状態の時と同様に試験信号Ａ送信時の
平均値検出回路６の出力Ｐ_A2と試験信号Ｂ送信時の平均
値検出回路の出力Ｐ_B2間の差分を記憶差分演算回路５で
取りさらに、初期状態での値ΔＰ₁₁との差分（発振差
分）を取る。微分効率ηが悪化しているため次の数６式
及び数７式の様になる。

【００４６】

【数６】

【００４７】

【数７】パルス変調制御回路６では，ΔＰ₁₁＞ΔＰ₂₂と初期値に
対し変動したため，これが一定となるようパルス変調電
流Ｉｐを増加させる。

【００４８】以上の動作が終了した後は，通常動作モー
ドに設定する。通常動作モードでは光出力平均値検出に
よるバイアス電流Ｉｂの制御を行うのみで，パルス変調
電流Ｉｐの制御は行わない。これにより，光出力レベル
と消光比を一定に保持することができる。この様子を図
４に示す。

【００４９】図４に示すように，微分効率ηはη₁＞η
₂となっているため，パルス変調電流ＩｐをＩｐ２とし
増加させている。

【００５０】また，急速に劣化が進む場合は，しきい値
電流Ｉｔｈが大幅に増加するためバイアス電流Ｉｂも増
加する。バイアス電流Ｉｂの変化を，バイアス電流監視
回路１０で監視し，バイアス電流Ｉｂが初期値に対し増
加（例えば１．３倍）した場合は，ＬＤが急速に劣化し
たものと判断して上位回路にＬＤ劣化信号を出力する。
上位回路はこの信号を受けてＬＤ駆動回路１を試験モー
ドに設定して，前述したように，パルス変調電流Ｉｐを
制御してＬＤの急速劣化に対応して消光比を一定に保
つ。

【００５１】また，バイアス電流Ｉｂが初期値に対し２
倍を越えた場合は，ＬＤの不良と判断し不良信号を上位
装置に出力する。

【００５２】以上説明したように，本発明の第１の実施
の形態では，デューティ(duty)比の異なる２種類の試験
信号のモニ夕出力を監視することでＬＤの劣化が徐々に
進んだ場合も，急速に進んだ場合も消光比を一定に保持
できる。

【００５３】（第２の実施の形態）次に，本発明の第２
の実施の形態について説明する。

【００５４】図５は本発明の第２の実施の形態による光
出力レベル制御装置の構成を示すブロック図である。図
５に示すように，第１の実施の形態では，試験モードと
通常動作モードを，モード選択回路３，切替回路８によ
って切り替えているが，第２の実施の形態では，モード
選択回路３及び切替回路８を除去している点で第２の実
施の形態は第１の実施の形態と異なる。

【００５５】第２の実施の形態による光出力レベル制御
装置においては，第１の実施の実施の形態と同様に消光
比の制御を行う場合は，上位装置よりモード切替信号と
試験信号Ａ及びＢがＬＤ駆動回路１に入力される。モー
ド切替信号は記憶差分演算回路９とパルス変調制御回路
１２のイネーブル信号として使われる。モード切替信号
がイネーブル｛例えば，ハイ（ＨＩ）レベル｝の場合に
試験信号ＡとＢが送信され，記憶差分演算回路５は，第
１の実施の形態の場合と同様に，２種類の試験信号間の
差分を取り，初期値に対し変動があった場合にパルス変
調制御回路６でパルス変調電流Ｉｐを制御する。

【００５６】通常の動作状態では，モード切替信号は，
ロウ（ＬＯ）レベルであり，記憶差分演算回路５とパル
ス変調制御回路６は動作せず，バイアス電流Ｉｂの制御
のみを行う。

【００５７】第２の実施の形態においては，試験信号と
してデューティ(duty)比が６対４と４対６の信号を使っ
ているが，これは２種類試験信号間でモニタ用受光素子
１３の出力の平均値に違いが出るものであればデューテ
ィ(duty)比は幾つでも良い。

【００５８】（第３の実施の形態）次に，本発明の第３
の実施の形態について説明する。図６は本発明の第３の
実施の形態による光出力レベル制御装置の構成をに示す
図である。図６に示すように，本発明の第３の実施の形
態によるものは，バイアス電流監視回路１０にタイマ回
路１４を内蔵する他は，第２の実施の形態によるものと
同様の構成を有している。このタイマ回路１４は，バイ
アス電流の変化する時間を計測する。

【００５９】ここで，ＬＤは，劣化が進むことにより，
しきい値電流Ｉｔｈが増加し，最終的には光出力レベル
が低下し使用できなくなる。しかし，バイアス電流監視
回路１０内にタイマ回路１４を設けることにより，バイ
アス電流Ｉｂの増加が短時間で進行している場合は，劣
化進行信号を上位装置に出力しＬＤの劣化が急速に進ん
でいることを通知するので，事前に劣化を知り，その対
策を早目に行うことができる。

【００６０】

【発明の効果】以上，説明したように，本発明によれ
ば，デューティ(duty)比の異なる第１及び第２の試験信
号のモニタ出力の差分を監視し，消光比が一定となるよ
うパルス変調電流Ｉｐを制御するために，温度変動，経
年変化等によりＬＤの特性が悪化した場合でも消光比を
一定の値に保持できる光出力レベル制御方法及び装置を
提供することができる。

【００６１】また，本発明によれば，バイアス電流監視
回路でバイアス電流Ｉｂの変化を監視してバイアス電流
Ｉｂが初期値に対し変動した場合に劣化信号を出力し
て，パルス変調電流Ｉｐを制御する試験モードに設定す
るので，ＬＤの劣化が急速に進んだ場合もパルス変調電
流Ｉｐの値を制御して消光比を一定に保持できる光出力
レベル制御方法及び装置を提供することができる。

【００６２】また，本発明によれば，バイアス電流監視
回路に，更に，タイマ回路を設けることによって，バイ
アス電流Ｉｂの変化する時間を計測し短時間でバイアス
電流Ｉｂが増加している場合は上位回路に劣化進行信号
を出力するので，ＬＤの劣化が急速に進行していること
を事前に把握できる光出力レベル制御方法及び装置を提
供することができる。

【００６３】また，本発明によれば，帰還回路による光
出力のピーク値検出を行わないため，高速の受光素子，
増幅器の必要が無いために，従来技術によるもの（例え
ば，従来技術２）よりも回路構成が簡易になり，汎用の
部品が使用できる光出力レベル制御方法及び装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による光出力レベル
制御装置の構成を示すブロック図である。

【図２】一般のＬＤの初期状態の電流−光出力特性図で
ある。

【図３】ＬＤ劣化状態の電流−光出力特性図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態による光出力レベル
制御装置の動作を説明するための図であり，変調電流の
変化を示している。

【図５】本発明の第２の実施の形態による光出力レベル
制御装置の構成を示すブロック図である。

【図６】本発明の第３の実施の形態による光出力レベル
制御装置の構成を示すブロック図である。

【図７】従来技術１を示すブロック図である。

【図８】従来技術２を示す回路図である。

【符号の説明】

１ＬＤ駆動回路２ＬＤモジュール３モード選択回路４平均値検出回路５記憶差分演算回路６パルス変調制御回路７バイアス制御回路８切替回路９バイアス回路１０バイアス電流監視回路１１パルス変調回路１２ＬＤ素子１３受光素子１４タイマ回路

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】バイアス電流にパルス変調電流を重畳さ
せる方式のレーザダイオード（以下、ＬＤと呼ぶ）の駆
動方法において、デューティ(duty)比が互いに異なる第
１及び第２の試験信号を用いＬＤの光出力をモニタし、
モニタ出力信号の平均値を検出し、その平均値を記憶
し、前記第１及び第２の試験信号のモニタ平均出力値の
差分である平均値差分をとり、ＬＤの初期状態での平均
値差分とＬＤ発振後の平均値差分の差分である発振差分
をとり、当該発振差分に応じてパルス変調電流を制御す
ることを特徴とする光出力レベル制御方法。
【請求項２】請求項１記載の光出力レベル制御方法に
おいて、前記バイアス電流の変化を経時的に監視し、前
記バイアス電流の変化が短時間で進行している場合に、
ＬＤ劣化進行信号を出力することを特徴とする光出力レ
ベル制御方法。
【請求項３】バイアス電流にパルス変調電流を重畳さ
せる方式のレーザダイオード（以下、ＬＤと呼ぶ）の駆
動回路において、デューティ(duty)比の互いに異なる第
１及び第２の試験信号を用いＬＤの光出力をモニタする
ためのモニタ用受光素子と、前記モニタ用受光素子のモ
ニタ出力信号の平均値を検出する平均値検出回路と、前
記平均値検出回路の出力を記憶し、前記第１及び第２の
試験信号のモニタ平均出力値の差分である平均値差分を
とり、ＬＤの初期状態での平均値差分とＬＤ発振後の平
均値差分の差分である発振差分をとる記憶差分演算回路
と、前記バイアス電流の変化を監視するバイアス電流監
視回路と、前記記憶差分演算回路の出力に応じてパルス
変調電流を制御するパルス変調制御回路を有することを
特徴とする光出力レベル制御装置。
【請求項４】請求項３記載の光出力レベル制御装置に
おいて、前記バイアス電流の変化を監視するバイアス電
流監視回路内にタイマ回路を設け、前記バイアス電流の
変化が短時間で進行している場合に、ＬＤ劣化進行信号
を出力することを特徴とする光出力レベル制御装置。