JP3210505B2 - 半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニング方法 - Google Patents
半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニング方法Info
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- JP3210505B2 JP3210505B2 JP26067493A JP26067493A JP3210505B2 JP 3210505 B2 JP3210505 B2 JP 3210505B2 JP 26067493 A JP26067493 A JP 26067493A JP 26067493 A JP26067493 A JP 26067493A JP 3210505 B2 JP3210505 B2 JP 3210505B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レ−ザダイオ
−ドのスクリ−ニング方法に係わり、特に充分な寿命を
保証できる素子をスクリ−ニングする方法に関する。
−ドのスクリ−ニング方法に係わり、特に充分な寿命を
保証できる素子をスクリ−ニングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レ―ザダイオ―ド素子は、現在実
用化が進み、コンパクトディスクプレ―ヤ，レ―ザプリ
ンタ、及びバ―コ―ドリ―ダ等の情報処理用光源とし
て、また、電話通信網，ＣＡＴＶサ―ビス等の大容量光
通信システム用光源として、いずれもキ―デバイスとな
っている。
用化が進み、コンパクトディスクプレ―ヤ，レ―ザプリ
ンタ、及びバ―コ―ドリ―ダ等の情報処理用光源とし
て、また、電話通信網，ＣＡＴＶサ―ビス等の大容量光
通信システム用光源として、いずれもキ―デバイスとな
っている。
【０００３】従って、半導体レ―ザダイオ―ドの故障は
極めて重大な問題であり、特に通信用システムでの場合
は社会的規模の損害を与える事になる。半導体レ―ザダ
イオ―ド素子の故障は、結晶欠陥，反射端面の反射率等
の変化及びオ―ミック電極や点欠陥等に起因した劣化等
によって発生するが、その機構は完全にはわかっていな
い。
極めて重大な問題であり、特に通信用システムでの場合
は社会的規模の損害を与える事になる。半導体レ―ザダ
イオ―ド素子の故障は、結晶欠陥，反射端面の反射率等
の変化及びオ―ミック電極や点欠陥等に起因した劣化等
によって発生するが、その機構は完全にはわかっていな
い。
【０００４】しかし、適切な劣化対策が、その製造時か
ら施された半導体レ―ザダイオ―ド素子では、温度８５
℃での駆動電流が初期値に対して１．５倍をライフエン
ドとしたとき、１０5 時間以上の推定寿命時間が得られ
る。
ら施された半導体レ―ザダイオ―ド素子では、温度８５
℃での駆動電流が初期値に対して１．５倍をライフエン
ドとしたとき、１０5 時間以上の推定寿命時間が得られ
る。
【０００５】しかし、実際には半導体レ―ザダイオ―ド
素子は、結晶成長時の微細な結晶欠陥や成長ムラ，ウエ
―ハからの素子の切り出し（チッピング）、マウント等
のストレスを受ける為、個々の素子によって劣化の進行
が異なる。この為、スクリ―ニングと呼ばれる良品の選
別を行い、充分な寿命を持つ素子のみを使用している。
素子は、結晶成長時の微細な結晶欠陥や成長ムラ，ウエ
―ハからの素子の切り出し（チッピング）、マウント等
のストレスを受ける為、個々の素子によって劣化の進行
が異なる。この為、スクリ―ニングと呼ばれる良品の選
別を行い、充分な寿命を持つ素子のみを使用している。
【０００６】半導体レ―ザダイオ―ドの寿命を決定する
劣化の進行は、発振しきい値Ｉthの上昇と、光出力Ｐo
の低下に現れるため、加速劣化試験等の実施により、発
振しきい値Ｉthや光出力Ｐo の変化を見ることで、その
寿命を推定できる。
劣化の進行は、発振しきい値Ｉthの上昇と、光出力Ｐo
の低下に現れるため、加速劣化試験等の実施により、発
振しきい値Ｉthや光出力Ｐo の変化を見ることで、その
寿命を推定できる。
【０００７】スクリ―ニングの方法としては、半導体レ
―ザダイオ―ド素子を一定の条件で駆動させ、その前後
での素子の特性の変化を求め、特性変化の少ないものを
選別する方法が一般的である。特性変化を確認する場
合、一般に発振しきい値Ｉth，または動作電流Ｉopの変
化率を使用する。
―ザダイオ―ド素子を一定の条件で駆動させ、その前後
での素子の特性の変化を求め、特性変化の少ないものを
選別する方法が一般的である。特性変化を確認する場
合、一般に発振しきい値Ｉth，または動作電流Ｉopの変
化率を使用する。
【０００８】図４は、従来のスクリ―ニング方法として
知られたスクリ―ニング方法の例を示す図、図５はその
条件を示す図である。この方法は、昭和６３年春季応用
物理学会（３０ｐ−ＺＰ−７、３０ｐ−ＺＰ−８）にお
いて紹介されている。
知られたスクリ―ニング方法の例を示す図、図５はその
条件を示す図である。この方法は、昭和６３年春季応用
物理学会（３０ｐ−ＺＰ−７、３０ｐ−ＺＰ−８）にお
いて紹介されている。
【０００９】図４に示すように、まず、STEP１では半導
体レ―ザダイオ―ド素子のＩ−Ｌ（順電流−光出力）特
性を、環境温度（室温、たとえば２５℃）で測定をおこ
なう。
体レ―ザダイオ―ド素子のＩ−Ｌ（順電流−光出力）特
性を、環境温度（室温、たとえば２５℃）で測定をおこ
なう。
【００１０】STEP２では同素子を実使用保証温度よりも
厳しい環境温度Ｔａ＝７０℃でＡＣＣ（AUTOMATIC CURR
ENT CONTOROL ：定電流動作）駆動を１００時間実施す
る。定電流は直流電流で１５０ｍＡから２００ｍＡの間
で通常設定されるが、本例では１５０ｍＡである。
厳しい環境温度Ｔａ＝７０℃でＡＣＣ（AUTOMATIC CURR
ENT CONTOROL ：定電流動作）駆動を１００時間実施す
る。定電流は直流電流で１５０ｍＡから２００ｍＡの間
で通常設定されるが、本例では１５０ｍＡである。
【００１１】STEP３では再び同素子のＩ−Ｌ特性を環境
温度２５℃で測定を行う。また、STEP２においては、Ａ
ＰＣ（AUTOMATIC POWER CONTOROL：定光出力動作）駆動
で行う方法もある。
温度２５℃で測定を行う。また、STEP２においては、Ａ
ＰＣ（AUTOMATIC POWER CONTOROL：定光出力動作）駆動
で行う方法もある。
【００１２】このようなプログラムで試験を行った後、
発振しきい値Ｉthの変化で判定する場合、STEP１とSTEP
３とで測定したＩ−Ｌ特性から発振しきい値（STEP１に
おける発振しきい値をＩth１，STEP３における発振しき
い値をＩth２とする）をそれぞれ求め、変化率ｄＩthを
下記の（１）式より求める。
発振しきい値Ｉthの変化で判定する場合、STEP１とSTEP
３とで測定したＩ−Ｌ特性から発振しきい値（STEP１に
おける発振しきい値をＩth１，STEP３における発振しき
い値をＩth２とする）をそれぞれ求め、変化率ｄＩthを
下記の（１）式より求める。
【００１３】 ｄＩth＝｛（Ｉth２−Ｉth１）／Ｉth１｝×１００（％）…（１） 式（１）により求められた変化率ｄＩthの値を判定して
選別を行う。判定基準は一般的に、１０4 時間以上の長
期ＡＰＣ駆動試験結果と、変化率ｄＩthとの関係により
設定される。本例の場合、変化率ｄＩth≦１０％と設定
される。
選別を行う。判定基準は一般的に、１０4 時間以上の長
期ＡＰＣ駆動試験結果と、変化率ｄＩthとの関係により
設定される。本例の場合、変化率ｄＩth≦１０％と設定
される。
【００１４】このようにスクリ―ニングされた半導体レ
―ザダイオ―ド素子を用いることにより、ＭＴＴＦ(Mea
n Time To Failure ：故障までの平均時間) １０万時間
以上の製品を供給できるとされていた。
―ザダイオ―ド素子を用いることにより、ＭＴＴＦ(Mea
n Time To Failure ：故障までの平均時間) １０万時間
以上の製品を供給できるとされていた。
【００１５】ところが、実際に前記判定基準で合格した
素子の寿命試験を行った場合、１０万時間以下で故障が
発生する素子が含まれてしまい、完全に選別しきれなか
った。かつ、従来、寿命の基準として駆動電流の１．５
倍を目安としていたが、最近のシステム側の設定とし
て、しきい値の１．５倍をライフエンドとする場合があ
る。駆動電流よりしきい値電流の方が、その絶対値が小
さいから、後者の基準の方が厳しいものとなる。
素子の寿命試験を行った場合、１０万時間以下で故障が
発生する素子が含まれてしまい、完全に選別しきれなか
った。かつ、従来、寿命の基準として駆動電流の１．５
倍を目安としていたが、最近のシステム側の設定とし
て、しきい値の１．５倍をライフエンドとする場合があ
る。駆動電流よりしきい値電流の方が、その絶対値が小
さいから、後者の基準の方が厳しいものとなる。
【００１６】しかしながら、前記判定基準を厳しく設定
すると、判定基準を越えた不合格素子のなかには故障が
発生しない素子が認められ、良品を捨てることになる。
結局、不良品を出さないためには、従来のスクリ―ニン
グ方法では、判定基準を厳しく設定して過剰基準で選別
するか、または第二スクリ―ニング等の試験を追加する
しかなかった。
すると、判定基準を越えた不合格素子のなかには故障が
発生しない素子が認められ、良品を捨てることになる。
結局、不良品を出さないためには、従来のスクリ―ニン
グ方法では、判定基準を厳しく設定して過剰基準で選別
するか、または第二スクリ―ニング等の試験を追加する
しかなかった。
【００１７】従来のスクリ―ニング方法の問題点は、未
通電の半導体レ―ザダイオ―ド素子を初めて駆動させた
場合に発生する寿命とは無関係の、初期劣化を含めて判
定していることにある。すなわち、半導体レ―ザダイオ
―ド素子の通電開始直後では、複数の要因による劣化が
同時に始まる。半導体レ―ザダイオ―ドの劣化は、初期
劣化，早期劣化及び長期劣化に大別される。
通電の半導体レ―ザダイオ―ド素子を初めて駆動させた
場合に発生する寿命とは無関係の、初期劣化を含めて判
定していることにある。すなわち、半導体レ―ザダイオ
―ド素子の通電開始直後では、複数の要因による劣化が
同時に始まる。半導体レ―ザダイオ―ドの劣化は、初期
劣化，早期劣化及び長期劣化に大別される。
【００１８】初期劣化は、半導体レ―ザダイオ―ド製造
時の応力等による歪が主原因と考えられている。例えば
８５℃から１００℃という高温度雰囲気中を例にとる
と、特に急激な劣化を示すが、短時間、およそ１時間程
度でピ―クを迎える。
時の応力等による歪が主原因と考えられている。例えば
８５℃から１００℃という高温度雰囲気中を例にとる
と、特に急激な劣化を示すが、短時間、およそ１時間程
度でピ―クを迎える。
【００１９】また、早期劣化は、結晶内部での進行性欠
陥、及び結晶界面での不整合などによる素子内部の異常
因子の有無を表している。その劣化の大きさによっては
市場での事故に結びつく。この早期劣化は、通電開始
後、初期劣化が収束したあと、数百時間で支配的とな
る。
陥、及び結晶界面での不整合などによる素子内部の異常
因子の有無を表している。その劣化の大きさによっては
市場での事故に結びつく。この早期劣化は、通電開始
後、初期劣化が収束したあと、数百時間で支配的とな
る。
【００２０】長期劣化は、最終的な寿命を決定するもの
で、微少な欠陥等によるものと考えられる。従って、前
記従来例のようにＡＣＣ駆動試験前後での発振しきい値
Ｉth変化の判定を行った場合、短寿命の因子を最も含む
早期劣化の変化量に、寿命とは無関係に初期劣化による
変化量が加わることとなり、正確な判断が出来なくな
る。
で、微少な欠陥等によるものと考えられる。従って、前
記従来例のようにＡＣＣ駆動試験前後での発振しきい値
Ｉth変化の判定を行った場合、短寿命の因子を最も含む
早期劣化の変化量に、寿命とは無関係に初期劣化による
変化量が加わることとなり、正確な判断が出来なくな
る。
【００２１】また、早期劣化が初期劣化の変移分を上回
る時間までスクリ―ニングを行うことで、半導体レ―ザ
ダイオ―ドを選別しようとすると、数百時間の試験が必
要となり、実用的ではなく、かつ寿命を縮める事にな
る。
る時間までスクリ―ニングを行うことで、半導体レ―ザ
ダイオ―ドを選別しようとすると、数百時間の試験が必
要となり、実用的ではなく、かつ寿命を縮める事にな
る。
【００２２】また、従来のスクリ―ニング試験に加え
て、第二スクリ―ニング（一般的にＡＰＣ駆動試験を１
００時間程度行い、動作電流の変移を判定する）を追加
することで、早期劣化を確認する方法もあるが、試験時
間が長くなることから量産には向かない。
て、第二スクリ―ニング（一般的にＡＰＣ駆動試験を１
００時間程度行い、動作電流の変移を判定する）を追加
することで、早期劣化を確認する方法もあるが、試験時
間が長くなることから量産には向かない。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
スクリ―ニング方法は、初期劣化，早期劣化，及び長期
劣化について、適切な劣化モ―ドを判定していないた
め、定光出力動作あるいは定電流動作試験の前後での特
性比較を行っても、複数の原因による劣化が含まれるこ
とになり正しい選別が出来ない。このようなスクリ―ニ
ング方法では充分な寿命を満足する良品を選別する事は
不可能である。
スクリ―ニング方法は、初期劣化，早期劣化，及び長期
劣化について、適切な劣化モ―ドを判定していないた
め、定光出力動作あるいは定電流動作試験の前後での特
性比較を行っても、複数の原因による劣化が含まれるこ
とになり正しい選別が出来ない。このようなスクリ―ニ
ング方法では充分な寿命を満足する良品を選別する事は
不可能である。
【００２４】この発明は、上記の点に鑑み成されたもの
で、その目的は、十分な寿命を保証できる素子を、短時
間で選別できる半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニン
グ方法を提供することにある。
で、その目的は、十分な寿命を保証できる素子を、短時
間で選別できる半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニン
グ方法を提供することにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係わるスクリーニング方法では、第１の
温度で、未通電の素子に所定の時間だけ通電し駆動させ
る第１の通電工程と、前記第１の温度より低い温度で、
前記第１の通電工程を経た素子の特性を測定する第１の
測定工程と、前記第１の通電工程と同じ温度で、前記第
１の測定工程を経た素子に再度所定の時間だけ通電し駆
動させる第２の通電工程と、前記第１の温度より低い温
度で、前記第２の通電工程を経た素子の特性を測定する
第２の測定工程とを備える。そして、前記第２の測定工
程で得た素子の特性と、前記第２の測定工程で得た素子
の特性とを比較することで、前記素子を選別することを
特徴としている。
に、この発明に係わるスクリーニング方法では、第１の
温度で、未通電の素子に所定の時間だけ通電し駆動させ
る第１の通電工程と、前記第１の温度より低い温度で、
前記第１の通電工程を経た素子の特性を測定する第１の
測定工程と、前記第１の通電工程と同じ温度で、前記第
１の測定工程を経た素子に再度所定の時間だけ通電し駆
動させる第２の通電工程と、前記第１の温度より低い温
度で、前記第２の通電工程を経た素子の特性を測定する
第２の測定工程とを備える。そして、前記第２の測定工
程で得た素子の特性と、前記第２の測定工程で得た素子
の特性とを比較することで、前記素子を選別することを
特徴としている。
【００２６】
【作用】上記構成の半導体レ−ザダイオ−ドのスクリ−
ニング方法によれば、第１の通電工程において、素子
に、初期劣化に起因した不良を発生させることができ
る。一方、第２の通電工程において、素子に、早期劣化
に起因した不良を発生させることができる。
ニング方法によれば、第１の通電工程において、素子
に、初期劣化に起因した不良を発生させることができ
る。一方、第２の通電工程において、素子に、早期劣化
に起因した不良を発生させることができる。
【００２７】よって、第２の通電工程の前後での特性を
比較することで、素子を短寿命とさせる因子を最も多く
含む早期劣化を、初期劣化に支配されることなく、短時
間で特定することができる。そして、早期劣化が小さい
素子を選ぶことで、条件の厳しいしきい値電流規定の場
合においても、十分な寿命を保証できる素子を選別する
ことが可能となる。
比較することで、素子を短寿命とさせる因子を最も多く
含む早期劣化を、初期劣化に支配されることなく、短時
間で特定することができる。そして、早期劣化が小さい
素子を選ぶことで、条件の厳しいしきい値電流規定の場
合においても、十分な寿命を保証できる素子を選別する
ことが可能となる。
【００２８】
【実施例】以下、この発明を一実施例により説明する。
図１は、この発明の一実施例に係るスクリ―ニング方法
の概要を示す流れ図、図２は経過時間と環境温度との関
係を示す図、図３はスクリ―ニングの条件を示す図であ
る。
図１は、この発明の一実施例に係るスクリ―ニング方法
の概要を示す流れ図、図２は経過時間と環境温度との関
係を示す図、図３はスクリ―ニングの条件を示す図であ
る。
【００２９】まず、未通電の半導体レ−ザダイオ−ド素
子を準備する。この後、図１〜図３に示すように、STEP
１において、未通電の半導体レ―ザダイオ―ド素子を環
境温度１００℃でＡＣＣ駆動を２時間実施する。定電流
は、直流電流で１５０ｍＡから２００ｍＡの間で設定さ
れることが好ましい。
子を準備する。この後、図１〜図３に示すように、STEP
１において、未通電の半導体レ―ザダイオ―ド素子を環
境温度１００℃でＡＣＣ駆動を２時間実施する。定電流
は、直流電流で１５０ｍＡから２００ｍＡの間で設定さ
れることが好ましい。
【００３０】次に、STEP２において、半導体レ―ザダイ
オ―ド素子のＩ−Ｌ（順電流−光出力）特性を環境温度
２５℃で測定する。次に、STEP３において、同素子を環
境温度１００℃で再びＡＣＣ駆動を１８時間実施する。
ＡＣＣ駆動の定電流はSTEP１と同一電流値である。
オ―ド素子のＩ−Ｌ（順電流−光出力）特性を環境温度
２５℃で測定する。次に、STEP３において、同素子を環
境温度１００℃で再びＡＣＣ駆動を１８時間実施する。
ＡＣＣ駆動の定電流はSTEP１と同一電流値である。
【００３１】次に、STEP４において、再び同素子のＩ−
Ｌ特性を環境温度２５℃で測定を行う。このようなプロ
グラムで試験を行った後、STEP５において、発振しきい
値Ｉthの変化で判定する場合、STEP２とSTEP４とで測定
したＡＣＣ開始から２時間後、及び２０時間後のＩ−Ｌ
特性から発振しきい値（STEP２において求められた発振
しきい値をＩth(2H)，STEP４において求められた発振し
きい値をＩth(20H) とする）をそれぞれ求め、変化率
（ｄＩth）を、下記の（２）式より求める。
Ｌ特性を環境温度２５℃で測定を行う。このようなプロ
グラムで試験を行った後、STEP５において、発振しきい
値Ｉthの変化で判定する場合、STEP２とSTEP４とで測定
したＡＣＣ開始から２時間後、及び２０時間後のＩ−Ｌ
特性から発振しきい値（STEP２において求められた発振
しきい値をＩth(2H)，STEP４において求められた発振し
きい値をＩth(20H) とする）をそれぞれ求め、変化率
（ｄＩth）を、下記の（２）式より求める。
【００３２】 ｄＩth＝［｛Ｉth(20H )−Ｉth(2H)｝／Ｉth(2H)］×１００（％）…（２） 次に、STEP６において、式（２）で求めた変化率ｄＩth
の値を判定して選別を行う。即ち、変化率ｄＩthの値
が、判定基準の範囲内ならば良品と判定し、判定基準の
範囲外ならば不良品と判定する。判定基準の例として
は、１０4 時間以上の長期ＡＰＣ駆動試験結果と、変化
率ｄＩthとの関係により設定される。本例の場合、変化
率ｄＩth≦５％と設定される。
の値を判定して選別を行う。即ち、変化率ｄＩthの値
が、判定基準の範囲内ならば良品と判定し、判定基準の
範囲外ならば不良品と判定する。判定基準の例として
は、１０4 時間以上の長期ＡＰＣ駆動試験結果と、変化
率ｄＩthとの関係により設定される。本例の場合、変化
率ｄＩth≦５％と設定される。
【００３３】また、この実施例において第１の通電工程
STEP１における通電時間を２時間に設定した根拠は、第
２の通電工程STEP３における通電時間のしきい値変化率
と長期ＡＰＣ駆動時のしきい値変化率との相関が最も強
くなったからである。
STEP１における通電時間を２時間に設定した根拠は、第
２の通電工程STEP３における通電時間のしきい値変化率
と長期ＡＰＣ駆動時のしきい値変化率との相関が最も強
くなったからである。
【００３４】なお、この実施例では、環境温度１００
℃，駆動電流２００ｍＡでのＡＣＣ駆動試験という条件
の下で、第１の通電工程における通電時間を２時間と設
定したが、ＡＣＣ駆動試験の環境温度を変えることによ
って、この通電時間は変わってくるため、特に２時間と
いう値に限定されるものではない。
℃，駆動電流２００ｍＡでのＡＣＣ駆動試験という条件
の下で、第１の通電工程における通電時間を２時間と設
定したが、ＡＣＣ駆動試験の環境温度を変えることによ
って、この通電時間は変わってくるため、特に２時間と
いう値に限定されるものではない。
【００３５】また、STEP２においてはＡＰＣ駆動で行っ
ても良い。このようにスクリ―ニングされた半導体レ―
ザダイオ―ド素子を用いることにより、ＭＴＴＦが数十
万時間以上の製品を供給できる。
ても良い。このようにスクリ―ニングされた半導体レ―
ザダイオ―ド素子を用いることにより、ＭＴＴＦが数十
万時間以上の製品を供給できる。
【００３６】上記一実施例であると、半導体レ―ザダイ
オ―ド素子のスクリ―ニングにおいて、初期劣化が支配
的な第１の通電工程での特性変化と、早期劣化が支配的
な第２の通電工程での特性変化とを区別することが可能
となるため、第２の通電工程前後での半導体レ―ザダイ
オ―ド素子の特性変化を求めることにより、短寿命の因
子を最も多く含む早期劣化の小さい素子を選別すること
が可能となる。
オ―ド素子のスクリ―ニングにおいて、初期劣化が支配
的な第１の通電工程での特性変化と、早期劣化が支配的
な第２の通電工程での特性変化とを区別することが可能
となるため、第２の通電工程前後での半導体レ―ザダイ
オ―ド素子の特性変化を求めることにより、短寿命の因
子を最も多く含む早期劣化の小さい素子を選別すること
が可能となる。
【００３７】これによって、早期劣化による特性変化の
みを評価できることから、従来のように早期劣化による
変化量が、初期劣化による変化量を上回るまで素子を駆
動させる必要がなくなり、短時間でスクリ―ニングが可
能となる。
みを評価できることから、従来のように早期劣化による
変化量が、初期劣化による変化量を上回るまで素子を駆
動させる必要がなくなり、短時間でスクリ―ニングが可
能となる。
【００３８】また、従来の寿命基準として駆動電流の
１．５倍に対してはもちろん、最近の、しきい値の１．
５倍をライフエンドとする厳しい場合についても十分に
対応が可能であり、本発明に係るスクリ―ニング方法を
用いることによって、ＭＴＴＦで数十万時間の寿命を持
つ半導体レ―ザダイオ―ド素子を選別することが可能で
ある。
１．５倍に対してはもちろん、最近の、しきい値の１．
５倍をライフエンドとする厳しい場合についても十分に
対応が可能であり、本発明に係るスクリ―ニング方法を
用いることによって、ＭＴＴＦで数十万時間の寿命を持
つ半導体レ―ザダイオ―ド素子を選別することが可能で
ある。
【００３９】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明によれ
ば、十分な寿命を保証できる半導体レ―ザダイオ―ド
を、短時間で選別できる半導体レ―ザダイオ―ドのスク
リ―ニング方法を提供できる。
ば、十分な寿命を保証できる半導体レ―ザダイオ―ド
を、短時間で選別できる半導体レ―ザダイオ―ドのスク
リ―ニング方法を提供できる。
【図１】図１はこの発明の一実施例に係るスクリ―ニン
グ方法の概要を示す流れ図。
グ方法の概要を示す流れ図。
【図２】図２はこの発明の一実施例に係るスクリ―ニン
グ方法の経過時間と環境温度との関係を示す図。
グ方法の経過時間と環境温度との関係を示す図。
【図３】図３はこの発明の一実施例に係るスクリ−ニン
グ方法の条件を示す図。
グ方法の条件を示す図。
【図４】図４は従来のスクリ―ニング方法の経過時間と
環境温度との関係を示す図。
環境温度との関係を示す図。
【図５】図５は従来のスクリ−ニング方法の条件を示す
図。
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−125484（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−184175（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−151848（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 G01M 11/00 G01R 31/26 H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の温度で、未通電の素子に所定の時
間だけ通電し駆動させる第１の通電工程と、前記第１の温度より低い温度で、前記第１の通電工程を
経た素子の特性を測定する第１の測定工程と、 前記第１の通電工程と同じ温度で、前記第１の測定工程
を経た 素子に再度所定の時間だけ通電し駆動させる第２
の通電工程と、前記第１の温度より低い温度で、前記第２の通電工程を
経た素子の特性を測定する第２の測定工程と、 前記第１の測定工程で得た 素子の特性と、前記第２の測
定工程で得た素子の特性とを比較することで、前記素子
を選別する工程とを具備することを特徴とする半導体レ
ーザダイオードのスクリーニング方法。 - 【請求項２】 前記第１の温度より低い温度は、室温で
あることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザダ
イオードのスクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記第１の通電工程における通電時間
は、前記第２の通電工程における通電時間よりも短いこ
とを特徴とする請求項１および請求項２いずれかに記載
の半導体レーザダイオードのスクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26067493A JP3210505B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP26067493A JP3210505B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07115250A JPH07115250A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3210505B2 true JP3210505B2 (ja) | 2001-09-17 |
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ID=17351199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26067493A Expired - Fee Related JP3210505B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 半導体レ―ザダイオ―ドのスクリ―ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3210505B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3634713B2 (ja) * | 2000-03-22 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | マルチビームレーザ試験装置 |
| JP4970640B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2012-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | スクリーニング方法、スクリーニング装置及び記録媒体 |
| JP2011171759A (ja) * | 2011-04-27 | 2011-09-01 | Opnext Japan Inc | 通信用半導体レーザの製造方法および通信用半導体レーザ |
| CN104142461B (zh) * | 2013-05-09 | 2017-05-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件老化测试方法 |
| JP6822451B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-01-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
| US10862276B2 (en) * | 2017-08-31 | 2020-12-08 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device and light emitting device |
| JP7379334B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2023-11-14 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体レーザ素子、検査方法及び検査装置 |
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1993
- 1993-10-19 JP JP26067493A patent/JP3210505B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07115250A (ja) | 1995-05-02 |
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