JPH10303496A - 半導体レーザのスクリーニング方法 - Google Patents
半導体レーザのスクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH10303496A JPH10303496A JP11215297A JP11215297A JPH10303496A JP H10303496 A JPH10303496 A JP H10303496A JP 11215297 A JP11215297 A JP 11215297A JP 11215297 A JP11215297 A JP 11215297A JP H10303496 A JPH10303496 A JP H10303496A
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- Japan
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- semiconductor laser
- screening
- drive current
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スクリーニングのための加速試験時間を短縮
する。 【解決手段】 １）半導体レーザに流す駆動電流を増加
させたときに，半導体レーザの光出力が飽和するときの
駆動電流よりも大きく且つ更に駆動電流を増加させて光
出力が零になるときの駆動電流よりも小さい値の駆動電
流を流し, 該半導体レーザの特性値の変化が一定になる
時間をスクリーニングの終了時間とする半導体レーザの
スクリーニング方法。 ２）前記スクリーニングが，常温より高い周囲温度で行
われる。 ３）前記駆動電流が，前記光出力の最大値の95％乃至10
％に対応する値である。
する。 【解決手段】 １）半導体レーザに流す駆動電流を増加
させたときに，半導体レーザの光出力が飽和するときの
駆動電流よりも大きく且つ更に駆動電流を増加させて光
出力が零になるときの駆動電流よりも小さい値の駆動電
流を流し, 該半導体レーザの特性値の変化が一定になる
時間をスクリーニングの終了時間とする半導体レーザの
スクリーニング方法。 ２）前記スクリーニングが，常温より高い周囲温度で行
われる。 ３）前記駆動電流が，前記光出力の最大値の95％乃至10
％に対応する値である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザの製造
工程において，良否の選別を効果的に行えるスクリーニ
ング方法に関する。
工程において，良否の選別を効果的に行えるスクリーニ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスクリーニングは，ある周囲温度
において，半導体レーザの駆動電流を増加させたとき
に，光出力が飽和する駆動電流を流し，半導体レーザの
特性値,例えばしきい値電流Ith を初期値に設定して，
特性値の初期変動が認められなくなる時間を終了時間と
して加速(ACC) 試験を行っていた。
において，半導体レーザの駆動電流を増加させたとき
に，光出力が飽和する駆動電流を流し，半導体レーザの
特性値,例えばしきい値電流Ith を初期値に設定して，
特性値の初期変動が認められなくなる時間を終了時間と
して加速(ACC) 試験を行っていた。
【０００３】図４は加速試験によりスクリーニングを行
う際の試験終了時間を説明する図である。図は，しきい
値電流の変動ΔIth と試験時間との関係を示し，ΔIth
が略一定になった時間が試験終了時間で，この例では約
25時間である。
う際の試験終了時間を説明する図である。図は，しきい
値電流の変動ΔIth と試験時間との関係を示し，ΔIth
が略一定になった時間が試験終了時間で，この例では約
25時間である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように，加速試験
の時間が１日以上と長く，不良解析の応答時間の短縮や
製造工程の手番短縮が求められている。
の時間が１日以上と長く，不良解析の応答時間の短縮や
製造工程の手番短縮が求められている。
【０００５】本発明は加速試験（スクリーニング）時間
の短縮を目的とする。
の短縮を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）半導体レーザに流す駆動電流を増加させたときに，
半導体レーザの光出力が飽和するときの駆動電流よりも
大きく且つ更に駆動電流を増加させて光出力が零になる
ときの駆動電流よりも小さい値の駆動電流を流し, 該半
導体レーザの特性値の変化が一定になる時間をスクリー
ニングの終了時間とする半導体レーザのスクリーニング
方法，あるいは ２）前記スクリーニングを，常温より高い周囲温度で行
う前記１記載の半導体レーザのスクリーニング方法，あ
るいは ３）前記駆動電流が，前記光出力の最大値の95％乃至10
％に対応する値である前記１記載の半導体レーザのスク
リーニング方法により達成される。
半導体レーザの光出力が飽和するときの駆動電流よりも
大きく且つ更に駆動電流を増加させて光出力が零になる
ときの駆動電流よりも小さい値の駆動電流を流し, 該半
導体レーザの特性値の変化が一定になる時間をスクリー
ニングの終了時間とする半導体レーザのスクリーニング
方法，あるいは ２）前記スクリーニングを，常温より高い周囲温度で行
う前記１記載の半導体レーザのスクリーニング方法，あ
るいは ３）前記駆動電流が，前記光出力の最大値の95％乃至10
％に対応する値である前記１記載の半導体レーザのスク
リーニング方法により達成される。
【０００７】図１は本発明の原理説明図である。半導体
レーザの駆動電流に対する光出力の関係の一例を示し，
駆動電流がしきい値電流Ith に達すると発光を始め，駆
動電流の増加とともに光出力は増加し,駆動電流がある
値に達する前後で光出力は飽和領域になり，これを過ぎ
ると光出力は駆動電流の増加とともに減少する。
レーザの駆動電流に対する光出力の関係の一例を示し，
駆動電流がしきい値電流Ith に達すると発光を始め，駆
動電流の増加とともに光出力は増加し,駆動電流がある
値に達する前後で光出力は飽和領域になり，これを過ぎ
ると光出力は駆動電流の増加とともに減少する。
【０００８】従来光出力が飽和する駆動電流で加速試験
を行っていたが，本発明は, 駆動電流が飽和する値より
も大きい値に対する特性値を初期値とすることにより，
各特性値の変動が認められなくなる時間が短縮されるこ
とを本発明者が見出した結果を利用するものである。
を行っていたが，本発明は, 駆動電流が飽和する値より
も大きい値に対する特性値を初期値とすることにより，
各特性値の変動が認められなくなる時間が短縮されるこ
とを本発明者が見出した結果を利用するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図２は本発明の実施の形態の説明
図である。この例は，InGaAsP/InP 系の 300μｍ□の半
導体レーザに対し, 周囲温度85℃で, 図１の駆動電流の
飽和領域(150mA) より大きい値(200 mA)で加速試験を行
ったときに, しきい値電流の変動ΔIth と試験時間との
関係を示し，ΔIth の変動が認められなくなる時間，す
なわち試験終了時間は10時間程度であることがわかる。
図である。この例は，InGaAsP/InP 系の 300μｍ□の半
導体レーザに対し, 周囲温度85℃で, 図１の駆動電流の
飽和領域(150mA) より大きい値(200 mA)で加速試験を行
ったときに, しきい値電流の変動ΔIth と試験時間との
関係を示し，ΔIth の変動が認められなくなる時間，す
なわち試験終了時間は10時間程度であることがわかる。
【００１０】図３は比較例の説明図で，実施の形態の条
件と相違する点は, 駆動電流の飽和領域(150mA) で加速
試験を行った場合を示し，この場合の試験終了時間は約
50時間程度であることがわかる。
件と相違する点は, 駆動電流の飽和領域(150mA) で加速
試験を行った場合を示し，この場合の試験終了時間は約
50時間程度であることがわかる。
【００１１】上記の実施の形態では，駆動電流が光出力
の最大値の75％に対応する値で行ったが，駆動電流は光
出力の最大値の95％乃至10％に対応する値であることが
望ましい。これは，光出力の最大値の95％以上に対応す
る駆動電流で加速試験しても試験終了時間は従来例との
差が小さく，また，光出力の最大値の10％以上に対応す
る大きな駆動電流で加速試験を行うと半導体レーザの特
性劣化をきたすおそれがあることを実験的に確かめたか
らである。
の最大値の75％に対応する値で行ったが，駆動電流は光
出力の最大値の95％乃至10％に対応する値であることが
望ましい。これは，光出力の最大値の95％以上に対応す
る駆動電流で加速試験しても試験終了時間は従来例との
差が小さく，また，光出力の最大値の10％以上に対応す
る大きな駆動電流で加速試験を行うと半導体レーザの特
性劣化をきたすおそれがあることを実験的に確かめたか
らである。
【００１２】なお，実施の形態において，温度を常温よ
り高い周囲温度 (85℃) で行っているのは，常温での飽
和領域では光出力が85℃の場合よりも１桁近く大きくな
り，自己の光で出射光端面及び後面に被着された被膜を
破壊するからである。
り高い周囲温度 (85℃) で行っているのは，常温での飽
和領域では光出力が85℃の場合よりも１桁近く大きくな
り，自己の光で出射光端面及び後面に被着された被膜を
破壊するからである。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば, 加速試験時間が短縮さ
れ，製造工数の低減が可能となる。
れ，製造工数の低減が可能となる。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の実施の形態の説明図
【図３】 比較例の説明図
【図４】 試験終了時間を説明する図
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザに流す駆動電流を増加させ
たときに，半導体レーザの光出力が飽和するときの駆動
電流よりも大きく且つ更に駆動電流を増加させて光出力
が零になるときの駆動電流よりも小さい値の駆動電流を
流し, 該半導体レーザの特性値の変化が一定になる時間
をスクリーニングの終了時間とすることを特徴とする半
導体レーザのスクリーニング方法。 - 【請求項２】 前記スクリーニングを，常温より高い周
囲温度で行うことを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザのスクリーニング方法。 - 【請求項３】 前記駆動電流が，前記光出力の最大値の
95％乃至10％に対応する値であることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザのスクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215297A JPH10303496A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 半導体レーザのスクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11215297A JPH10303496A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 半導体レーザのスクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303496A true JPH10303496A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14579545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11215297A Withdrawn JPH10303496A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 半導体レーザのスクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303496A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165394A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ生産物を作製する方法 |
| US7833807B2 (en) | 2006-08-22 | 2010-11-16 | Opnext Japan, Inc. | Method of manufacturing semiconductor laser for communication, semiconductor laser for communication and optical transmission module |
| JP2011171759A (ja) * | 2011-04-27 | 2011-09-01 | Opnext Japan Inc | 通信用半導体レーザの製造方法および通信用半導体レーザ |
| US11824326B2 (en) | 2018-07-27 | 2023-11-21 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor laser element, testing method, and testing device |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP11215297A patent/JPH10303496A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165394A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ生産物を作製する方法 |
| JP4639786B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-02-23 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザ生産物を作製する方法 |
| US7833807B2 (en) | 2006-08-22 | 2010-11-16 | Opnext Japan, Inc. | Method of manufacturing semiconductor laser for communication, semiconductor laser for communication and optical transmission module |
| JP2011171759A (ja) * | 2011-04-27 | 2011-09-01 | Opnext Japan Inc | 通信用半導体レーザの製造方法および通信用半導体レーザ |
| US11824326B2 (en) | 2018-07-27 | 2023-11-21 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor laser element, testing method, and testing device |
| US12107393B2 (en) | 2018-07-27 | 2024-10-01 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Semiconductor laser element, testing method, and testing device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |