JP2009238857A - 半導体レーザのスクリーニング方法および製造方法 - Google Patents
半導体レーザのスクリーニング方法および製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体レーザの光出力と、該光出力で動作する半導体レーザが所定の劣化状態に至るまでの時間と、の関係を示す光出力−劣化時間特性を取得する(S754)。次に、取得された光出力−劣化時間特性に基づいて、半導体レーザを所定時間で所定の劣化状態に至らせるための光出力を決定する(S756)。そして、S756で決定された光出力で半導体レーザを所定時間動作させる。
【選択図】図9
Description
[実施形態1]
[実施形態2]
Claims (9)
- 半導体レーザの光出力と、該光出力で動作する前記半導体レーザが所定の劣化状態に至るまでの時間と、の関係を示す劣化時間特性を取得する劣化時間特性取得工程と、
前記劣化時間特性に基づいて、前記半導体レーザを所定時間で前記所定の劣化状態に至らせるための光出力を決定する光出力決定工程と、
前記決定された光出力で前記半導体レーザを前記所定時間動作させることにより、前記半導体レーザの劣化を加速する光加速工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 請求項1に記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記半導体レーザに与える負荷と、該半導体レーザの光出力と、の関係を示す光出力特性を取得する光出力特性取得工程と、
前記光出力特性に基づいて、前記半導体レーザの光出力が前記決定された光出力となる負荷を決定する負荷決定工程と、
をさらに含み、
前記光加速工程は、前記決定された負荷で前記半導体レーザを前記所定時間動作させる、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 請求項2に記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記負荷は、雰囲気温度および動作電流であり、
前記負荷決定工程では、前記光出力特性に基づいて、前記半導体レーザの光出力が前記決定された光出力となる雰囲気温度および動作電流を決定する、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 請求項3に記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記光出力特性取得工程では、複数の前記雰囲気温度それぞれについて複数の前記動作電流それぞれに対する前記半導体レーザの光出力を測定し、該測定結果に基づいて前記光出力特性を取得する、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 請求項3または4に記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記半導体レーザの雰囲気温度が前記決定された雰囲気温度に維持されるよう、必要に応じて冷却装置を駆動する冷却工程をさらに含む、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 請求項5に記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記半導体レーザの活性層は、InGaAlAsで構成され、
前記冷却工程では、前記半導体レーザの雰囲気温度を40℃以下に維持する、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 請求項3から6のいずれかに記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記光加速工程の後に、前記決定された雰囲気温度よりも高い雰囲気温度で前記半導体レーザを動作させる第1温度加速工程をさらに含む、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 請求項3から7のいずれかに記載の半導体レーザのスクリーニング方法において、
前記劣化加速工程の前に、前記決定された雰囲気温度よりも高い雰囲気温度で前記半導体レーザを動作させる第2温度加速工程をさらに含む、
ことを特徴とする半導体レーザのスクリーニング方法。 - 半導体レーザの光出力と、該光出力で動作する前記半導体レーザが所定の劣化状態に至るまでの時間と、の関係を示す劣化時間特性を取得する劣化時間特性取得工程と、
前記劣化時間特性に基づいて、前記半導体レーザを所定時間で前記所定の劣化状態に至らせるための光出力を決定する光出力決定工程と、
前記半導体レーザを形成する工程と、
前記決定された光出力で前記形成された半導体レーザを前記所定時間動作させることにより、前記半導体レーザの劣化を加速する光加速工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008080388A JP2009238857A (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | 半導体レーザのスクリーニング方法および製造方法 |
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2008
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