JPH07105570B2 - 半導体レーザ良否選別法 - Google Patents
半導体レーザ良否選別法Info
- Publication number
- JPH07105570B2 JPH07105570B2 JP63278697A JP27869788A JPH07105570B2 JP H07105570 B2 JPH07105570 B2 JP H07105570B2 JP 63278697 A JP63278697 A JP 63278697A JP 27869788 A JP27869788 A JP 27869788A JP H07105570 B2 JPH07105570 B2 JP H07105570B2
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- JP
- Japan
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- temperature
- current value
- semiconductor laser
- threshold current
- actual use
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザの選別方法に係り、特に１μｍ
帯用半導体レーザの中から長寿命のものを、効率良く選
別する方法に関するものである。
帯用半導体レーザの中から長寿命のものを、効率良く選
別する方法に関するものである。
従来の技術 従来より１μｍ帯の半導体レーザの良否選別方法は、一
般にNTT仕様の２ステップスクリーニング法と呼ばれる
方法により行われていた。
般にNTT仕様の２ステップスクリーニング法と呼ばれる
方法により行われていた。
例えば、1983年のT.Ikegami等によるエレクトロンレタ
ーズ（Electron Letters）vol.19 No.8p.282記載の方法
のように、50℃で第１の閾値電流値を測定した後、70
℃,150mAの低電流動作を100時間行い、しかる後50℃で
第２の閾値電流値を測定し、第２の閾値電流値の前記第
１の閾値電流値に対する変化量が10％以下のものを良品
とする第１ステップと、70℃,5mWの定出力動作を100時
間行い、通電終了時の駆動電流値の通電開始時の駆動電
流値に対する変化量が10％以下のものを良品とする第２
ステップとからなる２段階の選別による半導体レーザの
良否選別法が行われていた。
ーズ（Electron Letters）vol.19 No.8p.282記載の方法
のように、50℃で第１の閾値電流値を測定した後、70
℃,150mAの低電流動作を100時間行い、しかる後50℃で
第２の閾値電流値を測定し、第２の閾値電流値の前記第
１の閾値電流値に対する変化量が10％以下のものを良品
とする第１ステップと、70℃,5mWの定出力動作を100時
間行い、通電終了時の駆動電流値の通電開始時の駆動電
流値に対する変化量が10％以下のものを良品とする第２
ステップとからなる２段階の選別による半導体レーザの
良否選別法が行われていた。
第３図に、前記の従来の半導体レーザの良否選別法によ
り得られた半導体レーザの信頼性試験の結果を示す。第
３図を得るための測定に用いた素子は1.3μｍ帯のBCSI
レーザの適当なウエハーから選んだ素子であり、横軸に
第１ステップでの閾値電流値の変化量を、縦軸に選別後
に行った50℃5mWの定出力動作による信頼性試験におけ
る劣化率、すなわち、駆動電流の変化量を通電時間で割
った値を示してある。第３図において、●印は従来の半
導体レーザの良否選別において、第１ステップ，第２ス
テップともに合格した良品、△印は第１ステップに合格
したが、第２ステップを行うに十分な光出力が得られな
かった不良品である。第３図より、第１ステップに合格
した素子は104時間、第１ステップ，第２ステップとも
に合格した素子は105時間の長寿命が保証されることが
わかる。
り得られた半導体レーザの信頼性試験の結果を示す。第
３図を得るための測定に用いた素子は1.3μｍ帯のBCSI
レーザの適当なウエハーから選んだ素子であり、横軸に
第１ステップでの閾値電流値の変化量を、縦軸に選別後
に行った50℃5mWの定出力動作による信頼性試験におけ
る劣化率、すなわち、駆動電流の変化量を通電時間で割
った値を示してある。第３図において、●印は従来の半
導体レーザの良否選別において、第１ステップ，第２ス
テップともに合格した良品、△印は第１ステップに合格
したが、第２ステップを行うに十分な光出力が得られな
かった不良品である。第３図より、第１ステップに合格
した素子は104時間、第１ステップ，第２ステップとも
に合格した素子は105時間の長寿命が保証されることが
わかる。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来の半導体レーザ良否選別法では、第１ステ
ップ100時間程度と、それと同じ程度の時間を要する第
２ステップとからなるため、長時間を要し、効率の良い
選別が行われないという課題があった。
ップ100時間程度と、それと同じ程度の時間を要する第
２ステップとからなるため、長時間を要し、効率の良い
選別が行われないという課題があった。
本発明は、以上のような効率の良い選別に鑑み、第１の
目的は、定電流動作の最終の光出力による選別で歩留
り、信頼性を損うことなく選別に要する時間を短縮する
ことであり、第２の目的は、所定の光出力での駆動電流
による選別で、歩留り、信頼性を損うことなく選別に要
する時間を短縮することである。
目的は、定電流動作の最終の光出力による選別で歩留
り、信頼性を損うことなく選別に要する時間を短縮する
ことであり、第２の目的は、所定の光出力での駆動電流
による選別で、歩留り、信頼性を損うことなく選別に要
する時間を短縮することである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するため、本発明の技術的解決手段は、
第１に、実用温度より高い第１の温度で第１の閾値電流
値を測定した後、第１の温度と同程度より高い第２の温
度の雰囲気温度において、たとえば100時間程度、実使
用時の駆動電流より大なる電流を通電し、しかる後前記
第１の温度で第２の閾値電流値を測定し、第２の閾値電
流値の前記第１の閾値電流値に対する変化量から選別
し、さらに、前記第２の温度での通電の最終の光出力に
より選別するものである。また第２には、実使用時の温
度より高い第１の温度において、第１の閾値電流値を測
定した後、第１の温度と同程度より高い第２の温度の雰
囲気温度において、100時間程度実使用時の駆動電流よ
り大なる電流を通電し、しかる後前記第１の温度で第２
の閾値電流値を測定し、第２の閾値電流値の前記第１の
閾値電流値に対する変化量から選別し、さらに、前記第
２の温度で所定の光出力で駆動させ、その駆動電流値に
より選別するものである。
第１に、実用温度より高い第１の温度で第１の閾値電流
値を測定した後、第１の温度と同程度より高い第２の温
度の雰囲気温度において、たとえば100時間程度、実使
用時の駆動電流より大なる電流を通電し、しかる後前記
第１の温度で第２の閾値電流値を測定し、第２の閾値電
流値の前記第１の閾値電流値に対する変化量から選別
し、さらに、前記第２の温度での通電の最終の光出力に
より選別するものである。また第２には、実使用時の温
度より高い第１の温度において、第１の閾値電流値を測
定した後、第１の温度と同程度より高い第２の温度の雰
囲気温度において、100時間程度実使用時の駆動電流よ
り大なる電流を通電し、しかる後前記第１の温度で第２
の閾値電流値を測定し、第２の閾値電流値の前記第１の
閾値電流値に対する変化量から選別し、さらに、前記第
２の温度で所定の光出力で駆動させ、その駆動電流値に
より選別するものである。
作用 本発明は第１に、実使用時の温度より高い第１の温度と
同程度より高い第２の温度での定電流動作における最終
の光出力で素子を選別することにより、光出力が不足す
ることにより、過剰な駆動電流を要するため第２の温度
での定出力動作において駆動電流が増加したり、定出力
動作を行うことが不可能な素子を取り除くものであり、
十分な光出力のある素子では、駆動電流の大幅な増大は
ない。従って、定電流動作と同程度の時間を要する定出
力動作を必要としない。また、第２に、実使用時の温度
より高い第１の温度と同程度より高い第２の温度で定電
流動作を行った後、第２の温度で所定の光出力で動作さ
せその駆動電流で素子を選別することにより、過剰な駆
動電流が印加され、駆動電流が増加したり、所定の光出
力を、駆動電流を増加しても得られない素子を取り除く
ものであり、駆動電流が低い場合には、駆動電流の大幅
な増大はない。従って定電流動作と同程度の時間を要す
る定出力動作を必要としない。
同程度より高い第２の温度での定電流動作における最終
の光出力で素子を選別することにより、光出力が不足す
ることにより、過剰な駆動電流を要するため第２の温度
での定出力動作において駆動電流が増加したり、定出力
動作を行うことが不可能な素子を取り除くものであり、
十分な光出力のある素子では、駆動電流の大幅な増大は
ない。従って、定電流動作と同程度の時間を要する定出
力動作を必要としない。また、第２に、実使用時の温度
より高い第１の温度と同程度より高い第２の温度で定電
流動作を行った後、第２の温度で所定の光出力で動作さ
せその駆動電流で素子を選別することにより、過剰な駆
動電流が印加され、駆動電流が増加したり、所定の光出
力を、駆動電流を増加しても得られない素子を取り除く
ものであり、駆動電流が低い場合には、駆動電流の大幅
な増大はない。従って定電流動作と同程度の時間を要す
る定出力動作を必要としない。
実施例 以下、第１図を参照しながら、本発明の第１の実施例に
ついて説明する。横軸は、実使用時より高い第１の温度
と同程度より高い第２の温度での定電流動作の最終の光
出力であり、縦軸は、従来の半導体レーザの良否選別法
の光出力Ｐ（１）での定出力動作での駆動電流の増加率
である。第１図において、●印は従来の半導体レーザ良
否選別法の第１ステップとＰ（１）の光出力の第２ステ
ップに合格した素子、○印は、第１ステップで不合格と
なったが、第２ステップの条件は満足する素子、△印は
第２ステップを100時間行う途中で、駆動電流が規定値
を超え、通電中止となり、不合格となった素子である。
第１図に、光出力が1.1×Ｐ（１）のラインを示した。
1.1×Ｐ（１）の左の領域に、△印はあり、●印はほと
んど右の領域にあることから、第２の温度におけるＰ
（１）の定出力動作による選別を、定電流動作の最終の
光出力値が1.1×Ｐ（１）より大きいか小さいかによる
選別に代えて、定出力動作を省略しても、歩留り、信頼
性を損わないことがわかる。この実施例において、第１
の温度は50℃、第２の温度は70℃、定電流動作の定電流
は150mA、動作時間は100時間、光出力値Ｐ（１）は5mW
の場合を示したが、多少、信頼性が低くとも歩留りを上
げたい場合には、定電流を実使用時の動作電流6mA程度
位まで下げたり、光出力値Ｐ（１）を3mW程度まで下げ
ても構わない。また、動作時間を50時間程度にしても多
少、精度が低くなる程度である。逆に、歩留りを下げて
も信頼性を上げたい場合はＰ（１）を8mW程度まで上げ
れば良い。定電流を200mAを超える値に設定すると、初
期劣化以外の劣化が生じたり、動作時間を増しても効率
が悪くなるだけで、効果はない。第２の温度は、50℃位
から80℃位が適当で、信頼性，歩留りにはこの範囲内で
あれば、大きな差異はない。選別基準のＰ（１）の係数
1.1の値については、Ｐ（１）での定出力動作による従
来例と同等であるためには、この値から数％程度位のず
れまでである方がよいことは、第１図より明らかであ
る。
ついて説明する。横軸は、実使用時より高い第１の温度
と同程度より高い第２の温度での定電流動作の最終の光
出力であり、縦軸は、従来の半導体レーザの良否選別法
の光出力Ｐ（１）での定出力動作での駆動電流の増加率
である。第１図において、●印は従来の半導体レーザ良
否選別法の第１ステップとＰ（１）の光出力の第２ステ
ップに合格した素子、○印は、第１ステップで不合格と
なったが、第２ステップの条件は満足する素子、△印は
第２ステップを100時間行う途中で、駆動電流が規定値
を超え、通電中止となり、不合格となった素子である。
第１図に、光出力が1.1×Ｐ（１）のラインを示した。
1.1×Ｐ（１）の左の領域に、△印はあり、●印はほと
んど右の領域にあることから、第２の温度におけるＰ
（１）の定出力動作による選別を、定電流動作の最終の
光出力値が1.1×Ｐ（１）より大きいか小さいかによる
選別に代えて、定出力動作を省略しても、歩留り、信頼
性を損わないことがわかる。この実施例において、第１
の温度は50℃、第２の温度は70℃、定電流動作の定電流
は150mA、動作時間は100時間、光出力値Ｐ（１）は5mW
の場合を示したが、多少、信頼性が低くとも歩留りを上
げたい場合には、定電流を実使用時の動作電流6mA程度
位まで下げたり、光出力値Ｐ（１）を3mW程度まで下げ
ても構わない。また、動作時間を50時間程度にしても多
少、精度が低くなる程度である。逆に、歩留りを下げて
も信頼性を上げたい場合はＰ（１）を8mW程度まで上げ
れば良い。定電流を200mAを超える値に設定すると、初
期劣化以外の劣化が生じたり、動作時間を増しても効率
が悪くなるだけで、効果はない。第２の温度は、50℃位
から80℃位が適当で、信頼性，歩留りにはこの範囲内で
あれば、大きな差異はない。選別基準のＰ（１）の係数
1.1の値については、Ｐ（１）での定出力動作による従
来例と同等であるためには、この値から数％程度位のず
れまでである方がよいことは、第１図より明らかであ
る。
以下、第２図を参照しながら、本発明の第２の実施例に
ついて説明する。横軸は、実使用時より高い第１の温度
と同程度より高い第２の温度でのＩ（１）の定電流動作
の後の所定の光出力を得る時の駆動電流値である。縦
軸，●印，○印，△印については第１図と同様である。
第２図に、動作電流が0.93×Ｉ（１）のラインを示し
た。0.93×Ｉ（１）の右の領域に△印はあり、●印はほ
とんど左の領域にあることから、第２の温度における定
出力動作による選別を、所定の光出力を得る時の駆動電
流値が0.93×Ｉ（１）より大きいか小さいかによる選別
に代えて、定出力動作を省略しても、歩留り、信頼性を
損わないことがわかる。この実施例において、第１の温
度は50℃、第２の温度は70℃定電流動作の定電流Ｉ
（１）は150mA、動作時間は100時間、所定の光出力は5m
Wである。これらの値の範囲については第１の実施例に
ついての場合と同様である。選別基準のＩ（１）の係数
0.93の値については、所定の光出力の定出力動作による
従来例と同程度であるためには、この値から数％程度位
のずれまでである方がよいことは第２図より明らかであ
る。
ついて説明する。横軸は、実使用時より高い第１の温度
と同程度より高い第２の温度でのＩ（１）の定電流動作
の後の所定の光出力を得る時の駆動電流値である。縦
軸，●印，○印，△印については第１図と同様である。
第２図に、動作電流が0.93×Ｉ（１）のラインを示し
た。0.93×Ｉ（１）の右の領域に△印はあり、●印はほ
とんど左の領域にあることから、第２の温度における定
出力動作による選別を、所定の光出力を得る時の駆動電
流値が0.93×Ｉ（１）より大きいか小さいかによる選別
に代えて、定出力動作を省略しても、歩留り、信頼性を
損わないことがわかる。この実施例において、第１の温
度は50℃、第２の温度は70℃定電流動作の定電流Ｉ
（１）は150mA、動作時間は100時間、所定の光出力は5m
Wである。これらの値の範囲については第１の実施例に
ついての場合と同様である。選別基準のＩ（１）の係数
0.93の値については、所定の光出力の定出力動作による
従来例と同程度であるためには、この値から数％程度位
のずれまでである方がよいことは第２図より明らかであ
る。
発明の効果 以上のように本発明の効果としては、定電流動作と同程
度の時間を要する定出力動作を行わず、歩留り、信頼性
を損うことなく、効率の良い半導体レーザの選別を行う
ことができる。
度の時間を要する定出力動作を行わず、歩留り、信頼性
を損うことなく、効率の良い半導体レーザの選別を行う
ことができる。
第１図は本発明の第１の実施例における光出力と動作電
流の増加率の相関図、第２図は本発明の第２の実施例に
おける動作電流と動作電流の増加率の相関図、第３図は
従来の半導体レーザ選別法における信頼性を示す相関図
である。
流の増加率の相関図、第２図は本発明の第２の実施例に
おける動作電流と動作電流の増加率の相関図、第３図は
従来の半導体レーザ選別法における信頼性を示す相関図
である。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体レーザを、実使用時の温度より高い
第１の温度において第１の閾値電流値を測定した後、前
記第１の温度と同程度より高い第２の温度の雰囲気温度
において、所定時間実使用時の駆動電流より大なる電流
を通電し、しかる後前記第１の温度で第２の閾値電流値
を測定し、前記第２の閾値電流値の前記第１の閾値電流
値に対する変化量から前記レーザを選別し、さらに、前
記第２の温度での通電の最終の光出力により前記レーザ
を選別することを特徴とする半導体レーザ良否選別法。 - 【請求項２】半導体レーザを、実使用時の温度より高い
第１の温度において第１の閾値電流値を測定した後、前
記第１の温度と同程度より高い第２の温度の雰囲気温度
において、所定時間実使用時の駆動電流より大なる電流
を通電し、しかる後前記第１の温度で第２の閾値電流値
を測定し、第２の閾値電流値の前記第１の閾値電流値に
対する変化量から前記レーザを選別し、さらに、前記第
２の温度で所定の光出力で駆動させ、その駆動電流値に
より前記レーザを選別することを特徴とする半導体レー
ザ良否選別法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278697A JPH07105570B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ良否選別法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278697A JPH07105570B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ良否選別法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125484A JPH02125484A (ja) | 1990-05-14 |
| JPH07105570B2 true JPH07105570B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17600923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278697A Expired - Lifetime JPH07105570B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ良否選別法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105570B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4024462B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2007-12-19 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオードの選別方法 |
| JP2006245287A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Denso Corp | 車載用レーザダイオードにおける劣化故障発生の可能性の検査方法 |
| DE102009057734A1 (de) | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Daimler Ag | Verfahren zum Herstellen eines Rohbaus eines Kraftwagens sowie Rohbau für einen Kraftwagen |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198793A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ装置の選別方法 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63278697A patent/JPH07105570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02125484A (ja) | 1990-05-14 |
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