JPH11232413A - Icカード - Google Patents
IcカードInfo
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- JPH11232413A JPH11232413A JP3162498A JP3162498A JPH11232413A JP H11232413 A JPH11232413 A JP H11232413A JP 3162498 A JP3162498 A JP 3162498A JP 3162498 A JP3162498 A JP 3162498A JP H11232413 A JPH11232413 A JP H11232413A
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Abstract
用いて低コスト化及び量産化を図り得るICカードを提
案する。 【解決手段】 導線11が実質的に同一平面上に複数回
卷回されて成る平面コイル10がプレス加工によって形
成され、且つ平面コイル10の端子10a、10bと半
導体素子12の電極端子12a、12bとが電気的に接
続されたICカードにおいて、該平面コイル10が、コ
イルの外側に形成された外側端子10aとコイルの内側
に形成された内側端子10bとを具備し、半導体素子1
2が、その電極端子12a、12bの形成面が平面コイ
ル10の導線11に対し対向するように配設されている
と共に、平面コイル10の端子10a、10bと接続さ
れる半導体素子12の電極端子12a、12bがコイル
の内側と外側とに位置され、且つ半導体素子12の電極
端子12a、12bが、コイルの内外方向に対して同一
側に位置する平面コイル10の端子10a、10bと電
気的に接続されていることを特徴とする。
Description
更に詳細には導線が実質的に同一平面上に複数回卷回さ
れて成る平面コイルの端子と半導体素子の電極端子とが
接続されたICカードに関する。
成る平面コイルと半導体素子とから構成され、PVC等
から成り且つ表面側に文字等が印刷されてICカードの
表裏面を形成する各樹脂フィルムの内面側に形成された
ポリウレタン樹脂等から成る接着剤層によって、平面コ
イル等が挟み込まれて封止されている。かかるICカー
ドは、カード処理装置に設けられた磁場内を通過する際
に、ICカードの平面コイル内に電磁誘導による電力が
発生して半導体素子を起動し、ICカードの半導体素子
とカード処理装置との情報の授受をアンテナとしての平
面コイルを介して行うことができる。この様なICカー
ドの平面コイルは、従来、被覆電線を卷回して形成され
たものと、樹脂フィルム上に形成された金属箔にエッチ
ング等を施して導線を形成するものとがある。ところ
で、ICカードの普及を図るためには、ICカードの低
コスト化と量産化とが必要であるが、前述した従来の平
面コイルを用いたICカードでは、平面コイルの低コス
ト化と量産化とを充分に図ることができない。このた
め、特開平6−310324号公報においては、プレス
加工によって形成した平面コイルを用いたICカードが
提案されている。
ように、プレス加工によって平面コイルを形成すること
により、従来の平面コイルよりも低コスト化及び量産化
を図ることができる。しかしながら、プレス加工によっ
て形成された平面コイルは、図29に示す如く、平面コ
イル100の端子102、104がコイルの内側と外側
とに形成されている。このため、平面コイル100の端
子102、104と半導体素子106の電極端子10
8、110とを接続するワイヤ112、114のうち、
ワイヤ114は平面コイル100を形成する導線101
を横切る。従って、ワイヤ112、114に絶縁被覆ワ
イヤを使用する場合は、ICカードの更なる低コスト化
を図ることが困難である。一方、平面コイル100を横
切ることのないワイヤ112に、非絶縁性ワイヤを使用
し、平面コイル100を横切るワイヤ114に絶縁被覆
ワイヤを使用する場合は、二種類のワイヤを使用しなく
てはならず、ICカードの製造工程が複雑化され、IC
カードの低コスト化及び量産化を図ることは困難であ
る。そこで、本発明の課題は、プレス加工によって形成
された平面コイルを用いて低コスト化及び量産化を図り
得るICカードを提案することにある。
解決すべく検討を重ねたところ、一般的に、半導体素子
の電極端子を除く表面はパッシベイション膜によって電
気的に絶縁されているため、電極端子を除く半導体素子
の部分を平面コイルの導線と接触してもよいこと、及び
半導体素子の電極端子を平面コイル側とすることによっ
て、平面コイルの端子を半導体素子の電極端子に近接し
て配設できることが判明した。このため、本発明者等
は、平面コイル100に対し、電極端子108、110
が導線101側となるように、半導体素子106を配設
し、半導体素子106の電極端子108、110と平面
コイル100の端子101、103との各々をワイヤに
よってボンディングした。このICカードでは、平面コ
イル101と半導体素子106とを接続するワイヤを絶
縁被覆することを要しないこと、及び従来から半導体素
子とリードフレームのインナーリードとのボンディング
法として採用されているウェッジ・ボンディング法を採
用できることを知り、本発明に到達した。
平面上に複数回卷回されて成る平面コイルがプレス加工
又はエッチング加工によって形成され、且つ前記平面コ
イルの端子と半導体素子の電極端子とが電気的に接続さ
れたICカードにおいて、該平面コイルが、コイルの内
側に形成された内側端子とコイルの外側に形成された外
側端子とを具備し、前記半導体素子が、その電極端子の
形成面が平面コイルの導線に対し対向するように配設さ
れていると共に、前記平面コイルの内側端子及び外側端
子と接続される半導体素子の電極端子の各々がコイルの
内側と外側とに位置され、且つ前記半導体素子の電極端
子が、コイルの内外方向に対して同一側に位置する平面
コイルの端子と電気的に接続されていることを特徴とす
るICカードにある。尚、本発明において言う「実質的
に同一平面上」とは、平面コイルを構成する導線の一部
に凹凸が形成されていても、平面コイル全体として同一
平面上で導線が卷回されていればよい。
一例を示す平面図である。図1において、プレス加工に
よって形成された厚さ80μm以上の導線11が実質的
に同一平面上に複数回卷回して成る矩形状の平面コイル
10が形成されている。この平面コイル10は、全体と
して同一平面に導線11が複数回卷回されているもので
ある。かかる平面コイル10のコイルの内側と外側とに
位置する端部の各々に設けられた端子10a、10b
と、厚さ40〜50μmの半導体素子12に形成され且
つ平面コイル10のコイルの内側と外側とに位置する電
極端子12a、12bとは、コイルの内外方向に対して
同一側に形成された端子同士が電気的に接続されてい
る。図1に示すICカードにおいて、半導体素子12が
配設されている平面コイル10には、図2に示す様に、
平面コイル10を構成する導線11が曲折されて形成さ
れた凹部14が形成されており、この凹部14内に半導
体素子10が配設されている。この導線11の曲折はプ
レス加工によって行うことができる。かかる凹部14
は、半導体素子10の全体が凹部14内に挿入されるサ
イズとすることが好ましい。尚、図1において、矩形状
の平面コイル10の角部間に凹部14を形成している
が、平面コイル10の角部に凹部14を形成して半導体
素子10を配設してもよい。
である図2に示す様に、半導体素子12と間隙を介して
配設されている平面コイル10の端子10a、10bに
は、半導体素子12の電極端子12a、12bが形成さ
れた形成面と実質的に同一面となるように、潰し加工が
施されて接続面16が形成されている。この接続面16
が形成された部分は、図2に示す様に、半導体素子12
と略同一厚さに形成されている。この様に、図1及び図
2に示すICカードでは、平面コイル10の端子10
a、10bの接続面16と、半導体素子12の電極端子
12a、12bの形成面とが、実質的に同一平面である
ため、ウェッジ・ボンディング法によってワイヤボンデ
ィングを施すことができる。このため、図2に示す様
に、平面コイル10の面からループの一部が突出するこ
となく金、白金、又はアルミニウム製のワイヤ18、1
8により、平面コイル10の端子10a、10bと、半
導体素子12の電極端子12a、12bとを電気的に接
続できる。尚、平面コイル10や半導体素子12等は、
図2に示す様に、PVC等から成り且つ表面側に文字等
が印刷されてICカードの表裏面を形成する樹脂フィル
ム20a、20bの内面側に形成された、ポリウレタン
樹脂やポリオレフィン樹脂等から成る接着剤層22a、
22bによって挟み込まれて封止されている。
際に、平面コイル10としては、図3に示すフレームF
を用いることが好ましい。このフレームFは、銅板等の
金属板をプレス加工して形成されたものであり、互いに
平行な二本のレール60、60の間に平面コイル10、
10・・がレール60の長手方向に形成されている。か
かる平面コイル10、10・・を構成する導線11のう
ち、最外周の導線11aは他の導線11よりも太く形成
され、且つ平面コイル10の導線11aは隣接する平面
コイル10の導線11aと連結部62によって互いに連
結されている。このため、平面コイル10の各々の強度
を向上でき、フレームFの運搬等における取扱性を向上
できる。図3に示すフレームFの平面コイル10は、そ
の最外周の導線11aを太く形成しているが、導線11
aを他の導線11よりも太い状態でICカードとしても
よく、連結部62等を切断する際に、最外周の導線11
aを切断して他の導線11と同一太さとしてもよい。
べく、平面コイル10を構成する導線11を連結部で連
結してもよい。この連結部は、ICカードの表裏面を形
成する樹脂フィルム20a、20bの内面側に形成され
た接着剤層22a、22bによって挟み込む前に切断す
ることによって、導線11間の短絡を防止できる。とこ
ろで、図3に示すフレームFは、銅板等の金属板にエッ
チング加工を施すことによっても得ることができる。エ
ッチング加工によって得られたフレームFは、プレス加
工によって形成した平面コイルの導線11に比較して、
細い導線11から成る平面コイル10を形成できる。
を製造する際には、フレームFから切り離した平面コイ
ル10に半導体素子12の搭載等を行ってもよいが、平
面コイル10をフレームFから切り離すことなく半導体
素子12の搭載等を行うことが好ましい。この場合、フ
レームFに形成された平面コイル10の各々に半導体素
子12を搭載し、ボンディング装置を用いて平面コイル
10の端子10a、10bと半導体素子12の電極端子
12a、12bとをワイヤ18、18によってボンディ
ングする。次いで、一面側に接着剤層22a、22bが
形成された樹脂フィルム20a、20bによって、平面
コイル10及び半導体素子12等を挟み込み封止した
後、所定箇所を切断してフレームFから切り離すことに
よってICカードを得ることができる。
は、ウェッジ・ボンディング法がワイヤ18、18の膨
らみ(ループの大きさ)を可及的に小さくでき好まし
い。かかるウェッジ・ボンディング法は、図4に示すウ
ェッジ・ボンディング装置を用いて行うことができる。
このウェッジ・ボンディング装置は半導体装置の製造装
置として汎用されている。かかるウェッジ・ボンディン
グ装置を用いたボンディングでは、ボンディングする端
子(以下、ボンディング端子と称する)の一方の上方に
移動してきたウェッジ24の先端部には、クランパ26
で把持されたワイヤ18の先端部が斜めに挿通されてい
る〔図4の(a)〕。このウェッジ24が降下し、ワイ
ヤ18の先端を接続面上に圧着する〔図4の(b)〕。
次いで、ウエッジ24を、ボンディング端子の一方と実
質的に同一平面に形成されている他方のボンディング端
子の方向に移動させつつクランパ26を開き、ワイヤ1
8を他方のボンディング端子に案内した後〔図4の
(c)〕、他方のボンディング端子の接続面にワイヤ1
8の先端を接続面上に圧着する〔図4の(d)〕。
を把持して引っ張り、ワイヤ18を切断し〔図4の
(e)〕、ボンディング操作を完了する。かかる図4の
(a)〜(e)の一連の操作を繰り返すことによって、
ワイヤボンディングを引き続き行うことができる。この
ウェッジ・ボンディング法によれば、図4に示す様に、
クランパ26で把持されたワイヤ18の先端部がウェッ
ジ24の先端部に斜めに挿通されているため、先端がボ
ンディング端子の一方に圧着されたワイヤ18を他方の
ボンディング端子に案内する際に、ワイヤ18の膨らみ
(ループの大きさ)を可及的に小さくできる。このた
め、図2に示す様に、平面コイル10の面からループの
一部が突出することなくワイヤ18、18により、平面
コイル10の端子10a、10bと、半導体素子12の
電極端子12a、12bとを電気的に接続できる。
側に接着剤層22a、22bが形成された樹脂フィルム
20a、20bによって、平面コイル10及び半導体素
子12等を挟み込み封止する際に、接着剤の流れ方向に
ワイヤ18のループ状部の変形、ワイヤ18の圧着部の
剥離、或いはワイヤ18の切断等が発生し、ワイヤ18
と平面コイル10の導線11とが接触するおそれがあ
る。かかるループ状のワイヤ18の変形等を防止するに
は、図5に示す様に、平面コイル10の端子10bと半
導体素子12の電極端子12bとに圧着されたワイヤ1
8の圧着部を樹脂15、15、特にUV硬化樹脂によっ
て固定しておくことが好ましい。
コイル10の端子10a、10bと、半導体素子12の
電極端子12a、12bとを電気的に接続するため、ワ
イヤ18、18によってボンディングをしている。この
半導体素子12は、厚さが40〜50μm程度で軽いも
のであるため、ワイヤ18、18によって半導体素子1
2を充分に支承できる。かかるワイヤ18、18のみに
よっては半導体素子12を支承できず、製造中に問題が
発生するような場合は、図6に示す様に、半導体素子1
2を支承する支承用ワイヤ25、25を平面コイル10
の導線11との間に設けてもよい。この場合、半導体素
子12の電極端子12a、12bの形成面で且つ平面コ
イル10の外側及び内側となる位置に、支承用ワイヤ2
5、25を圧着する支承用ワイヤ用パッド23a、23
bが設けられている。尚、図6においては、支承用ワイ
ヤ25を二本設けているが、一本の支承用ワイヤ25に
よって半導体素子12を充分に支承できるならば、支承
用ワイヤ25は一本でもよい。
10a、10bの接続面16は、潰し加工が施されて半
導体素子12の電極端子12a、12bの形成面を含む
平面と実質的に同一平面であればよく、その形状は任意
の形状とすることができるが、図1、図2、及び図6に
示す平面コイル10の端子10a、10bは、図7に示
す端子形状のものが好ましい。図7に示す端子10a
(10b)の潰し加工が施された接続面16は、導線1
1の幅を保持した状態で延出されており、導線11と略
平行に張られたワイヤ18の端部と接続する箇所を充分
に確保できる。
bと半導体素子12の電極端子12a、12bとの接続
を、ボンディング装置の動作等の関係で図8に示す様
に、半導体素子12を迂回して平面コイル10の内側及
び外側に位置する電極端子12a、12bの近傍に設け
られた端子10a、10bとの間で行ってもよい。図8
は、両者を接続するワイヤ18、18が導線11に対し
て直角方向に張られた場合である。かかる図8に示す平
面コイル10の端子10a、10bは、図9に示すもの
が好ましい。図9の端子10a(10b)の潰し加工が
施された接続面16は、導線11よりも拡幅されてお
り、導線11に対して直角方向に張られたワイヤ18の
端部と接続する箇所を充分に確保できる。
フィルム20a、20bの一面側に形成された接着剤層
22a、22bによって挟み込まれて封止される際に、
接着剤の流れる方向にワイヤ18が変形するおそれがあ
る。特に、平面コイル10を構成する導線11間の間隙
が狭い場合には、変形したワイヤ18が導線11に接触
するおそれもある。このため、ワイヤ18近傍の接着剤
の流れを緩和すべく、図10に示す様に、平面コイル1
0の内側及び外側に位置する端子10a、10bにおい
て、接続面16の導線11側に対して反対側となる部分
に壁部27を形成することが好ましい。この壁部27に
よって、ワイヤ18が接着剤層22a、22bに挟み込
まれて封止される際に、端子10a、10b近傍の接着
剤の流れを緩和して導線11と接触するようなワイヤ1
8の変形を防止できる。かかる図10に示す平面コイル
10の端子10a、10bとしては、図11に示すもの
が好ましい。図11の端子10a、10bには、導線1
1の端部が導線11の幅を保持した状態で延出されるよ
うに潰し加工が施された接続面16が形成され、且つこ
の接続面16の導線11側に対して反対側となる部分に
壁部27が立設されている。
0a、10bに代えて、図12に示す端子10a、10
bを用いることができる。図11の端子10a、10b
には、導線11の端部が導線11の幅を保持した状態で
延出されるように潰し加工が施された接続面16が形成
され、且つこの接続面16の両側に壁部27a、27b
が形成されている。かかる図12に示す端子10a、1
0bによれば、導線11と略平行に張られたワイヤ18
の端部と接続する箇所を充分に確保でき、且つワイヤ1
8が接着剤層22a、22bに挟み込まれて封止される
際に、端子10a、10b近傍の接着剤の流れを緩和
し、導線11と接触するようなワイヤ18の変形を防止
できる。また、例えワイヤ18が導線11側方向に変形
しても、導線11側に形成されている壁部により、ワイ
ヤ18と導線11との接触を防止できる。
子10a(10b)のいずれも、図13に示す平面コイ
ル10を構成する導線11の端部に潰し加工を施すこと
によって形成できる。かかる潰し加工によって形成され
た端子10a、10bは、ワイヤ18によってボンディ
ングされるため、ワイヤ10との接続を確実にすべく、
端子10a、10bの接続面16には金めっき又はパラ
ジウムめっきを施すことが好ましい。唯、端子10a、
10bは複雑な形状をしているため、その接続面16の
みに金めっき又はパラジウムめっきを施すことは困難で
ある。このため、図13に示す様に、導線11の端部の
潰し加工を施す箇所28に、予め金めっき又はパラジウ
ムめっきを施すことが好ましい。予め施された金めっき
又はパラジウムめっきは、潰し加工の際に、展延されて
端子10a、10bの接続面16を実質的に覆うことが
できる。
イル10の端子10a、10bと半導体素子12の電極
端子12a、12bとの接続を、導電性に優れている
金、白金、又はアルミニウム製のワイヤ18、18によ
ってなされているが、ワイヤ18、18は細いために平
面コイル10を構成する導線11よりも電気抵抗値が高
い。このため、平面コイル10に電磁誘導によって発生
した電力が半導体素子12に充分に送電されない懸念が
ある。この懸念を解消するには、図14に示す様に、平
面コイル10の端子10a、10bと半導体素子12の
電極端子12a、12bとを、リボン状の接続金属部材
30により接続することが好ましい。このリボン状の接
続金属部材30は、導線11の幅と略等しい幅で且つ
銅、金、アルミニウム等の導電性が良好な金属によって
形成されている。かかる接続金属部材30は、平板であ
ってもよいが、図15に示す様に、途中がドーム状部3
0cに形成されたものが好ましい。平面コイル10と半
導体素子12との熱膨張率差や、ICカードの曲げ等に
よって、平面コイル10に生じた応力等を吸収できるか
らである。この図15に示す接続金属部材30は、その
両端部30a、30bが平坦に形成され、平面コイル1
0の端子10a(10b)と半導体素子12の電極端子
12a(12b)とに接続される。ここで、接続金属部
材30が銅製の場合、両端子の接続は、接続金属部材3
0の接続面に金めっき、錫めっき、又ははんだめっきを
施すと共に、半導体素子12の電極端子12a、12b
と平面コイル10の端子10a、10bとに金めっきを
施し、接続する両端子を加熱・圧着することにより、共
晶合金によって行うことができる。一方、接続金属部材
30が金又はアルミニウム製である場合、両端子の接続
は、接続金属部材30の接続面に金属めっきを施さなく
ても行うことができる。また、両端子の接続は導電性接
着剤を用いても行うことができる。尚、ドーム状部30
cは、平面コイル10から突出しない大きさとすること
は勿論のことである。
bと半導体素子12の電極端子12a、12bとの接続
部の電気抵抗値の低下は、図16に示す様に、端子10
b(10a)と電極端子12b(12a)とを直接接合
することによっても可能である。かかる接合は、金めっ
きを施した半導体素子12の電極端子12a、12b
と、金めっき、錫めっき、又ははんだめっき等の金属め
っきを施した平面コイル10の端子10a、10bの電
極端子12a、12bとを、加熱・加圧して共晶結合に
よって行うことができる。また、両端子の接続は導電性
接着剤を用いても行うことができる。この場合、端子1
0b(10a)と電極端子12b(12a)との接合を
確実にすべく、図17に示す様に、端子10b(10
a)の接続面に、半導体素子12の電極端子12b(1
2a)に当接して潰される突起部32を形成することが
好ましい。
端子12b、12aと平面コイル10の端子10a、1
0bとが直接接合されている場合、ICカードに加えら
れる屈曲や熱等の応力に因り平面コイル10に生じる応
力は両端子の接続部に集中し、両端子の接続が剥離する
ことがある。この両端子の接続部への応力の集中を緩和
するには、平面コイル10の端子10a、10bの近傍
に、平面コイル10に加えられる応力を吸収する応力吸
収部を形成することが好ましい。かかる応力吸収部とし
ては、図18に示す屈曲部34がプレス加工等で簡単に
形成でき好ましい。この屈曲部34では、平面コイル1
0に加えられる応力を屈曲部34の伸縮によって吸収で
き、両端子の接続部に加えられる応力を緩和できる。
4も、導線11を曲折して形成する他に、導線11の厚
さが半導体素子12よりも厚いことを利用し、図19に
示す様に、導線11の途中に潰し加工を施して凹部14
を形成してもよい。この場合、平面コイル10及び半導
体素子12を、ICカードの厚み方向の中央部に位置さ
せることができ、ICカードを薄く形成できる。尚、図
19に示す様に、潰し加工が施された導線11の部分が
他の導線11よりも薄くなるが、導線11自体の電気抵
抗値には問題がない。
イル10を構成する導線11に曲折又は潰し加工を施し
て凹部14を形成しているが、図20及び図21に示す
様に、導線11の端部近傍を曲折すると共に、先端部に
潰し加工を施すことによって、平面コイル10に凹部1
4を形成することなく平面コイル10の端子10a、1
0bの接続面16の各々を半導体素子12の電極端子1
2a、12bの形成面を含む平面と実質的に同一平面と
することができる。この図20及び図21においては、
平面コイル10の端子10a、10bと半導体素子12
の電極端子12a、12bとをワイヤ18、18によっ
てボンディングする際に、半導体素子12の上面を通過
する平面コイル10の導線11と半導体素子12とを接
着することなく行っている。これに対し、図22及び図
23に示す様に、半導体素子12の上面を通過する平面
コイル10の導線11と半導体素子12とを接着剤層3
6によって接着した後、平面コイル10の端子10a、
10bと半導体素子12の電極端子12a、12bとを
ワイヤボンディングすることが好ましい。接着剤層36
によって平面コイル10の導線11と半導体素子12と
を接着することによって、ワイヤボンディングする際の
位置決めを容易に行うことができる。尚、図1〜図19
においても、接着剤層36によって平面コイル10の導
線11と半導体素子12とを接着した後、平面コイル1
0の端子10a、10bと半導体素子12の電極端子1
2a、12bとを接続することは好ましい。
く、支承用ワイヤ25を半導体素子12と平面コイル1
0の導線11との間に掛け渡したが、導線11の幅が狭
い場合には、支承用ワイヤ25の一端を導線11に接合
することが困難になることがある。この場合には、図2
4に示す様に、潰し加工が施された平面コイル10の端
子10b(10a)の接続面を拡大し、半導体素子12
の電極端子12b(12a)とを接続するワイヤ18と
支承用ワイヤ25との一端を接合することが好ましい。
かかる平面コイル10の端子10b(10a)には、半
導体素子12の電極端子12b(12a)及び支承ワイ
ヤ用パッド23b(23a)を具備する端部が挿入され
るコ字状の凹部33が形成されている。この凹部33
に、半導体素子12の端部を挿入することによって、平
面コイル10の端子10b(10a)と接続される電極
端子12b(12a)が設けられた半導体素子12の端
部を囲むように、端子10b(10a)が半導体素子1
2の端部の端縁に沿って延出されている。このため、半
導体素子12の位置決めを容易とすることができ、且つ
ワイヤ18及び支承用ワイヤ25の長さを短くできて好
ましい。この場合も、半導体素子12と平面コイル10
の導線11とを接着剤層36(図22、図23)によっ
て接着した後、ワイヤ18及び支承用ワイヤ25をボン
ディングすることが好ましい。更に、図24に示す様
に、ワイヤ18と支承用ワイヤ25とを、導線11に平
行で且つ一直線状となるように張ることによって、両ワ
イヤのボンディングを容易に行うことができ且つ半導体
素子12をバランスよく支承できる。
剤層22a、22bに挟まれた際に、平面コイル10の
端子10b(10a)近傍の接着剤の流れを緩和してワ
イヤ18の変形を防止すべく、平面コイル10の端子1
0a、10bの側面に壁部27を形成している。これに
対し、半導体素子12の電極端子12b(12a)近傍
の接着剤の流れを緩和してワイヤ18の変形を防止する
には、図25に示す様に、半導体素子12の上面を通過
する導線11の途中に形成した張出部38に、半導体素
子12の電極端子12b(12a)が内部に位置するよ
うなU字状部40を形成することが好ましい。かかる張
出部38を形成してワイヤ18をガードする場合、平面
コイル10の端子10b(10a)としては、図9に示
す端子10b(10a)が好ましい。この端子10b
(10a)は、潰し加工が施された接続面16が導線1
1よりも拡幅されており、導線11に対して直角方向に
張られたワイヤ18の端部と接続する箇所を充分に確保
できる。更に、図25に示す場合でも、図5に示す様
に、平面コイル10の端子10bと半導体素子12の電
極端子12bとに圧着されたワイヤ18の圧着部を樹脂
15、15、特にUV硬化樹脂により固定しておくこと
が、ワイヤ18の変形を更に防止でき好ましい。尚、図
25でも、半導体素子12と平面コイル10の導線11
とを接着剤層36によって接着した後、ワイヤ18をボ
ンディングすることが好ましい。
形成する導線11が半導体素子12よりも厚い場合につ
いて説明してきたが、導線11と略等しい厚さの半導体
素子12を用いる場合、図26に示す様に、平面コイル
10に対し、電極端子12a、12bの形成面が導線1
1側に位置するように半導体素子10を配設し、平面コ
イル10の端子10a、10bに潰し加工等を施すこと
なく半導体素子12の電極端子12a、12bとをワイ
ヤ18、18によって接続したICカードでもよい。こ
の場合、ワイヤ18、18のループの一部が導線11か
ら突出することがあるが、突出量は僅かである。このた
め、樹脂フィルム20a、20bの一面側に形成された
接着剤層22a、22bによってワイヤ18、18を充
分に封止でき、封止の際の変形も問題とならないもので
ある。
に小さくすると共に、ワイヤ18、18のボンディング
を容易とすべく、図27に示す様に、導線11の幅より
も広く形成した平面コイル10の端子10a、10b
を、半導体素子12の電極端子12a、12bの近傍に
接着剤層36によって接着した後、電極端子12a、1
2bとワイヤ18、18によって接続することが好まし
い。このワイヤ18は、図28に示す様に、図26に示
すワイヤ18に比較して、小さなループとすることがで
き、ワイヤ18等を封止する樹脂フィルム20a、20
bの一面側に形成された接着剤層22a、22bを薄く
できる。この様に、平面コイル10の端子10a、10
bを半導体素子12に接着剤層36によって接着した場
合、平面コイル10に加えられる応力を吸収して両端子
の接合は剥離することを防止すべく、図18に示す屈曲
部34等の応力吸収部を平面コイル10の10a、10
bの近傍の導線11に形成してもよい。尚、半導体素子
12の電極端子12a、12bの形成面を通過する平面
コイルの導線11に、接着剤層36を介して半導体素子
12を接着してもよいことは勿論のことである。
によって形成された平面コイルの端子と半導体素子の電
極端子との接続を、接続ワイヤが平面コイルを横切るこ
となく容易に行うことができる。このため、ICカード
の低コスト化と量産化とを図ることができる。
の正面図である。
を説明する正面図である。
ある。
めの部分断面図である。
めの部分正面図である。
を構成する平面コイルの端子を説明するための部分斜視
図である。
めの部分正面図である。
端子を説明するための部分斜視図である。
ための部分正面図である。
ルの端子を説明するための部分斜視図である。
明する部分斜視図である。
カードを構成する平面コイル10の端子10a(10
b)を形成する前の導線11の端部を説明する部分斜視
図である。
ための部分断面図である。
するための斜視図である。
ための部分正面図である。
(10a)の形状を説明するための部分断面図である。
ための部分正面図である。
ための部分断面図である。
ための部分正面図である。
分断面図である。
ための部分正面図である。
分断面図である。
ための部分斜視図である。
ための部分斜視図である。
ための部分正面図である。
ための部分正面図である。
分断面図である。
部分正面図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 導線が実質的に同一平面上に複数回卷回
されて成る平面コイルがプレス加工又はエッチング加工
によって形成され、且つ前記平面コイルの端子と半導体
素子の電極端子とが電気的に接続されたICカードにお
いて、 該平面コイルが、コイルの内側に形成された内側端子と
コイルの外側に形成された外側端子とを具備し、 前記半導体素子が、その電極端子の形成面が平面コイル
の導線に対し対向するように配設されていると共に、前
記平面コイルの内側端子及び外側端子と接続される半導
体素子の電極端子の各々がコイルの内側と外側とに位置
され、 且つ前記半導体素子の電極端子が、コイルの内外方向に
対して同一側に位置する平面コイルの端子と電気的に接
続されていることを特徴とするICカード。 - 【請求項2】 ICカードの表裏面を形成する各樹脂フ
ィルムの内面側に形成された接着剤層によって、平面コ
イル及び半導体素子が挟み込まれて封止されている請求
項1記載のICカード。 - 【請求項3】 平面コイルの端子が、半導体素子の電極
端子が形成された形成面と実質的に同一平面となるよう
に、潰し加工が施されている請求項1又は請求項2記載
のICカード。 - 【請求項4】 潰し加工が施された平面コイルの端子
が、前記平面コイルの端子と接続される電極端子が設け
られた半導体素子の端部を囲むように、前記半導体素子
の端部の端縁に沿って延出されている請求項3記載のI
Cカード。 - 【請求項5】 半導体素子が、平面コイルに形成された
凹部に配設されている請求項1〜4のいずれか一項記載
のICカード。 - 【請求項6】 平面コイルに形成された凹部が、平面コ
イルを形成する導線が曲折されて形成されている請求項
5記載のICカード。 - 【請求項7】 平面コイルに形成された凹部が、前記平
面コイルを形成する導線の途中に潰し加工が施されて形
成されている請求項5記載のICカード。 - 【請求項8】 平面コイルの端子と半導体素子の電極端
子との接続が、ループ状のボンディングワイヤによって
なされていると共に、前記ボンディングワイヤのループ
が平面コイル面から突出することがないように形成され
ている請求項1〜7のいずれか一項記載のICカード。 - 【請求項9】 ボンディングワイヤによる接続が、ウェ
ッジ・ボンディング法によってなされている請求項8記
載のICカード。 - 【請求項10】 平面コイルの端子と半導体素子の電極
端子との接続が、リボン状の接続金属部材によってなさ
れている請求項1〜7のいずれか一項記載のICカー
ド。 - 【請求項11】 平面コイルの端子と半導体素子の電極
端子とが直接接続されている請求項1〜7のいずれか一
項記載のICカード。 - 【請求項12】 平面コイルの端子の近傍に、前記平面
コイルに生じる応力を吸収する応力吸収部が形成されて
いる請求項11記載のICカード。
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