JPH11223956A - 画像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像形成部材で使用される電荷輸送層を改良
する。 【解決手段】 本発明は、導電性基板１、光発生化合物
２及び電荷輸送ポリマー９を備えた画像形成部材であ
る。電荷輸送ポリマーは、例えば次式で示されるポリマ
ーを含む。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、改良された感光性
画像形成部材に関する。さらに詳細には、本発明は改良
された電荷輸送層を含む感光性画像形成部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】特開昭63−247757は、導電性支持体上に
積層された光導電性層が、電荷発生物質及び／又は電荷
輸送物質と、以下の一般式（Ｉ）及び（II）で表すこと
のできる構造単位から成る少なくとも１つのポリエーテ
ルケトンポリマーと、を含む本体から成る電子写真式感
光体を開示する。

【０００３】

【化４４】

【０００４】式中、ｍは０又は１であり、Ａｒは以下の
式

【０００５】

【化４５】

【０００６】式中、Ｒはアルキル基、ｎは０、１又は２
であり、Ｘは次式のものを示す。

【０００７】

【化４６】

【０００８】Ｒ′及びＲ″は、それぞれ独立的に−Ｈ、
−ＣＨ₃ 、−Ｃ₂ Ｈ₅ 及び

【０００９】

【化４７】

【００１０】ここで、一般式（Ｉ）で表されるポリマー
の構造単位の割合は０．１〜１．０であり、一般式（I
I）で表されるポリマーの構造単位の割合は０〜０．９
である。

【００１１】米国特許第5,336,577 号は、電荷発生及び
電荷輸送が同時に可能な光応答性装置上の厚い有機両極
性（ambipolar)層を開示する。特に、有機光応答性層
は、フルオレニリデンマロニトリル誘導体等の電子輸送
材料と、ジヒドロキシテトラフェニルベンズアジン含有
ポリマー等の正孔輸送材料と、を含む。これらは光応答
性を提供するために錯体化されることができ、光応答性
の顔料又は染料が含有されることもできる。

【００１２】米国特許第4,801,517 号は、静電複写式画
像形成部材と画像形成部材を用いるための電子写真式画
像形成プロセスとを開示し、画像形成部材は基板及び少
なくとも１つの導電性層を備える。該画像形成部材は、
次式で表される高分子アリールアミン化合物を含む。

【００１３】

【化４８】

【００１４】ここで、ｎは約５と５，０００の間であ
り、ｍは０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮
合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選
択される。Ｒはある特定のアルキル基から選択され、Ａ
ｒ′はある特定の芳香族基から選択される。Ｒ′及び
Ｒ″はある特定のアルキレン基から独立的に選択され
る。

【００１５】米国特許第4,806,443 号は、静電複写式画
像形成部材と画像形成部材を用いるための電子写真式画
像形成プロセスとを開示し、該画像形成部材は基板及び
導電性層を備える。該画像形成部材は、次式で表される
高分子アクリルアミン化合物を含む。

【００１６】

【化４９】

【００１７】ここで、ｎは５と約５，０００の間、ｍは
０又は１、ｙは１、２又は３である。Ｚはある特定の芳
香族及び縮合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香
族基から選択され、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選
択される。Ｘ′は、２〜１０個の炭素原子を含むアルキ
レン及びイソアルキレン基から成る群より選択されるア
ルキレンラジカルである。画像形成部材は基板、電荷発
生層、及び電荷輸送層を含むことができる。

【００１８】米国特許第4,806,444 号及び同第4,935,48
7 号は、静電複写式画像形成部材と画像形成部材を用い
るための電子写真式画像形成プロセスとを開示し、該画
像形成部材は基板及び導電性層を備える。該画像形成部
材は、次式で表される高分子アリールアミン化合物を含
む。

【００１９】

【化５０】

【００２０】ここで、ｎは約５と約５，０００の間、ｍ
は０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮合環基
から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選択さ
れ、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選択される。画像
形成部材は、基板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含む
ことができる。

【００２１】米国特許第4,818,650 号及び同第4,956,44
0 号（Limburg(リンバーグ) ら）は、静電複写式画像形
成部材と画像形成部材を用いるための電子写真式画像形
成プロセスとを開示し、該画像形成部材は基板及び少な
くとも１つの導電性層を備える。該画像形成部材は、次
式で表される高分子アリールアミン化合物を含む。

【００２２】

【化５１】

【００２３】ここで、Ｒは−Ｈ、−ＣＨ₃ 及び−Ｃ₂ Ｈ
₅ から成る群より選択され、ｍは約４と約１，０００の
間である。Ａは次式で表されるアリールアミン基から成
る群より選択される。

【００２４】

【化５２】

【００２５】ここで、ｍは０又は１であり、Ｚは、酸素
又は硫黄原子も含むある特定の芳香族及び縮合環基、線
状又は環状炭化水素基、並びにアミン基から選択され
る。Ａｒはある特定の芳香族基から選択され、Ａｒ′は
ある特定の芳香族基から選択される。Ｂは、Ａのために
定義されたアリールアミン基及び次式から成る群より選
択される。

【００２６】

【化５３】

【００２７】ここで、Ａｒは上記に定義された通りであ
り、Ｖは、酸素又は硫黄原子、線状又は環状炭化水素
基、もしくはフェニレン基から選択される。少なくとも
Ａ又はＢはアリールアミン基を含む。画像形成部材は基
板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含むことができる。

【００２８】米国特許第5,030,532 号は、支持層及び少
なくとも１つの光導電性層を含む静電複写式画像形成部
材を開示する。該画像形成部材は、次式で表されるポリ
アリールアミンポリマーを含む。

【００２９】

【化５４】

【００３０】ここで、ｎは約５と約５，０００の間、あ
るいはｐ＞０の場合は０である。ｏは約９と約５，００
０の間、あるいはｐ＞０又はｎ＝０の場合は０である。
ｐは約２と約１００の間、あるいはｎ＞０の場合は０で
ある。Ｘ′及びＸ″は、二官能性結合を有する基から独
立的に選択される。Ｑはヒドロキシ末端アリールアミン
反応物から誘導される二価の基である。Ｑ′は、重量平
均分子量が約１，０００〜約８０，０００の、Ｑのため
に定義された基を含むヒドロキシ末端ポリアリールアミ
ンから誘導される二価の基である。ポリアリールアミン
ポリマーの重量平均分子量は約１０，０００と約１，０
００，０００の間である。

【００３１】乾式現像剤粉末（トナー）を用いて現像さ
れる多層ベルト受光体によって優れたトナー画像が得ら
れるが、これらの同一の受光体を液体現像システムで用
いた場合、不安定になることが分かっている。受光体
は、割れ、ひび、活性化合物の結晶化、電荷輸送分子の
相分離及び有機液体ビヒクル、典型的には液体現像剤で
一般に用いられるイソパール(Isopar:登録名）材料のう
ちの一つのようなイソパラフィンハイドロカーボンとの
接触による小型分子電荷輸送化合物の抽出、を被る。液
体現像剤のハイドロカーボンビヒクルとの接触による損
傷の結果、機械的完全性及び受光体の電気特性が非常に
劣化し得る。さらに詳細には、液体現像剤の有機キャリ
ヤ流体は、活性化小型分子、例えば、典型的には電荷輸
送層に使用されるアリールアミンを含有する化合物を浸
出する。この級のアリールアミン材料の例として、Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニ
ル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミ
ン、ビス−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）−フェニルメタン、２，５−ビス−（４’−ジメチ
ルアミノフェニル）−１，３，４’−オキサジアゾー
ル、１−フェニル−３−（４’−ジメチルアミノスチリ
ル）−５−（４''−ジメチルアミノフェニル）−ピラゾ
リン、１，１−ビス−（４−（ジ−Ｎ，Ｎ’−ｐ−メチ
ルフェニル）−アミノフェニル）−シクロヘキサン、４
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニ
ルヒドラゾン等が挙げられる。浸出プロセスによって、
小型分子、例えば、上述のアリールアミン化合物が受光
体表面上に結晶化し、さらにアリールアミンが液体現像
剤へ移行する。さらに、現像剤ビヒクル、典型的にはＣ
₁₀−−Ｃ ₁₄分枝ハイドロカーボンが受光体表面の割れ及
びひびの形成を誘発し得る。これらの現象によってコピ
ーが劣化し、受光体の寿命が短くなる。受光体の劣化
は、物理的な受光体の損傷が完了する前に、背景の増大
及び他のプリント欠陥として示される。また、活性化小
型分子の浸出によって、ベルトが非使用期間中にベルト
支持ローラの上に止まっている場合、輸送層の溶媒／応
力による割れに対する感受性も増大する。また、幾つか
の液体現像剤ビヒクルも、特に高濃度のアリールアミン
化合物が輸送層バインダ中に存在する場合、輸送層中の
活性化小型分子、例えば、アリールアミン化合物の相分
離を促進する。また、活性化小型分子の相分離は、受光
体の電気的及び機械的特性を劣化させる。同様に、電荷
輸送フィルム形成バインダに分散した光導電性粒子を含
む単一の活性層を有する単一層の受光体も、液体現像剤
に露光された場合、先に述べた多層型の受光体によって
起こる同じ劣化の問題に弱い。ポリマーフィルム形成バ
インダに分散又は溶解した活性化小型分子を含有する電
荷輸送層を利用する、剛性、円筒形且つ多層の受光体に
は、通常、フレキシング(flexing) は起きないが、液体
現像剤による現像中に、同様に電気的劣化が起こる。液
体現像剤によるこれらの受光体の劣化は、小型分子の浸
出及びマトリックスポリマーフィルムの割れによって示
されるように、２時間以内に起こり得る。数日間連続し
て露光することによって、受光体が非常に劣化する。し
たがって、液体現像システムに露光される多層受光体を
利用する最新画像形成システムでは、割れ及びひびは、
ベルトのサイクル中に不可欠な電荷輸送層で起こる。サ
イクル中に電荷輸送層に現れるひびは、コピー品質に悪
影響を与えるプリントアウトの欠陥として示される。さ
らに、受光体の割れはクリーニングステップで除去でき
ないトナー粒子を拾い、このトナーは次のプリントの背
景に転写される。さらに、割れ領域は、ブレードクリー
ニング装置に接触した場合、層の剥離を起こすため、静
電写真製品の設計のオプションを限定する。

【００３２】液体現像剤の使用のために、電荷輸送ポリ
マーを用いる受光体が開発されており、例えば、米国特
許第4,801,507 号、第4,806,644 号、第4,818,650 号、
第4,806,443 号及び第5,030,532 号で述べたものが挙げ
られる。これらの組成物は機械的要求を満たすが、これ
らのポリマーを形成するための合成手順は難しく、幾つ
かの場合では有毒物質を用いる。合成に用いる酸性条件
によってもフリーラジカルが形成され、バッチ毎にばら
つきのある特性を有する材料が形成されることになる。

【００３３】公知の組成物及びプロセスは意図した目的
に適するが、改良された静電画像形成部材に対するニー
ズが依然としてある。さらに、液体インク現像を用いる
環境で使用した場合に結晶化が低減されるか全く結晶化
をしない静電画像形成部材に対するニーズが依然として
ある。さらに、長い画像サイクル中、改良された画像形
成動作を呈する静電画像形成部材に対するニーズが依然
としてある。さらに、無毒合成によって調製することが
できる電荷輸送ポリマーに対するニーズがある。また、
バッチ毎に一定の特性を有する電荷輸送ポリマーに対す
るニーズもある。さらに、改良された耐磨耗性を呈する
電荷輸送ポリマーに対するニーズがある。さらに、無毒
環境で合成且つスケールアップすることができ、バッチ
毎に再現可能な特性を有する高性能電荷輸送ポリマーに
対するニーズがある。

【００３４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
の利点を有する改良された静電画像形成部材を提供する
ことである。

【００３５】

【課題を解決するための手段】本発明（又はその特定の
実施の形態）のこれらの及び他の目的を、導電性基板、
光発生材料及び下記の式のポリマーを含む画像形成部材
を提供することによって達成することができる。

【００３６】

【化５５】

【００３７】

【化５６】

【００３８】

【化５７】

【００３９】

【化５８】

【００４０】

【化５９】

【００４１】

【化６０】

【００４２】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは下
記の式又はこれらの混合物であり、

【００４３】

【化６１】

【００４４】

【化６２】

【００４５】Ｂは、下記の式又はこれらの混合物であ
り、

【００４６】

【化６３】

【００４７】

【化６４】

【００４８】式中、ｖは１〜約２０の整数であり、

【００４９】

【化６５】

【００５０】式中、ｔは１〜約２０の整数であり、

【００５１】

【化６６】

【００５２】式中、ｚは２〜約２０の整数であり、

【００５３】

【化６７】

【００５４】式中、ｕは１〜約２０の整数であり、

【００５５】

【化６８】

【００５６】式中、ｗは１〜約２０の整数であり、

【００５７】

【化６９】

【００５８】

【化７０】

【００５９】式中、（１）Ｚは下記の式であり、

【００６０】

【化７１】

【００６１】式中、ｐは０又は１であり、（２）Ａｒは
下記の式であり、

【００６２】

【化７２】

【００６３】（３）Ｇは約２〜約１０個の炭素原子を含
むアルキル又はイソアルキル基から選択したアルキル基
であり、（４）Ａｒ’は下記の式であり、

【００６４】

【化７３】

【００６５】（５）Ｘは下記の式であり、

【００６６】

【化７４】

【００６７】式中、ｓは０、１又は２であり、

【００６８】

【化７５】

【００６９】（６）ｑは０又は１であり、 ”Ｂ”基の
少なくとも幾つかは下記の式であり、

【００７０】

【化７６】

【００７１】Ｃは下記の式又はこれらの混合物であり、

【００７２】

【化７７】

【００７３】式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリ
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数である。

【００７４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の画像形成部材の
一つの実施の形態を概略的に例示する。特に、図１は、
導電性基板１、樹脂バインダ組成物４に分散する光発生
化合物２を含む光発生層３、及び以下にさらに詳細に説
明する電荷輸送ポリマー９を含む電荷輸送層５を含む光
導電性画像形成部材を示す。

【００７５】図２は、電荷輸送層が導電性基板と光発生
層との間に位置することを除いて、図１に示したものと
本質的に同じ部材を概略的に例示する。さらに詳細に
は、図２は、導電性基板２１、以下にさらに詳細に述べ
る電荷輸送ポリマー２５を含む電荷輸送層２３、及び樹
脂バインダ組成物２９に分散する光発生化合物２８を含
む光発生層２７を含む光導電性画像形成部材を概略的に
例示する。

【００７６】図３は、導電性基板３１、任意の電荷ブロ
ッキング酸化金属層３３、任意の接着層３５、樹脂バイ
ンダ組成物３７ｂに分散する光発生化合物３７ａを含む
光発生層３７、以下にさらに詳細に述べる電荷輸送ポリ
マー３９ｂを含む電荷輸送層３９、任意のカール防止バ
ッキング層３６及び任意の保護上塗り層３８を含む本発
明の画像形成部材を概略的に例示する。

【００７７】図４は、導電性基板４１、及び樹脂バイン
ダ組成物４４に分散する光発生化合物４２を含む光発生
層４３を含む本発明の光導電性画像形成部材を概略的に
例示する。樹脂バインダ組成物４４は、本明細書中に示
す特定の式のポリマーを、単独で又は一つ以上のさらな
るバインダポリマーとの組み合わせで含む。

【００７８】基板は全体が電気伝導性材料で調製される
ことができる。あるいは、基板は電気伝導性表面を有す
る絶縁材料であってもよい。基板は一般に約１００ミル
までの有効厚さを有し、好ましくは約１〜約５０ミルで
あるが、厚さはこの範囲外であってもよい。基板層の厚
さは、経済的及び機械的要件を含む多くの因子に依存す
る。従って、この層は、例えば１００ミルを越える実質
的な厚さであってもよいし、システムに逆効果を及ぼさ
なければ最小の厚さでもよい。同様に、基板は剛性又は
フレキシブルのいずれでもよい。特に好ましい実施例で
は、この層の厚さは約３ミル〜約１０ミルである。フレ
キシブルベルト画像形成部材では、例えば１９ｍｍ直径
の小径ローラの回りを循環される場合、最適なたわみ性
及び最小の伸びのために、好ましい基板の厚さは約６５
〜約１５０μｍであり、更に好ましくは約７５〜約１０
０μｍである。

【００７９】基板は不透明でも実質的に透明でもよく、
所望の機械特性を有する多数の適切な材料を含むことが
できる。基板全体は電気伝導性表面と同一の材料を含む
ことができる。あるいは、電気伝導性表面は単に基板上
のコーティングであってもよい。適切な電気伝導性材料
を使用することができる。典型的な電気伝導性材料に
は、銅、真鍮、ニッケル、亜鉛、クロム、ステンレス
鋼、導電性プラスチック及びゴム、アルミニウム、半透
明アルミニウム、鋼、カドミウム、銀、金、ジルコニウ
ム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ハフニウム、チタ
ン、ニッケル、クロム、タングステン、モリブデン、適
切な材料を中に含有することによって、又は材料を導電
性にするのに十分な含水量の存在を保証するために湿潤
な大気中で調節して導電性にされた紙、インジウム、ス
ズ、金属酸化物（酸化スズ及びインジウムスズ酸化物を
含む）等が含まれる。導電性層の厚さは、光導電性部材
の所望される用途によって、実質的に広い範囲にわたっ
て変えることができる。一般的に、導電性層の厚さは約
５０Å〜多数ｃｍの範囲であるが、厚さはこの範囲外で
あってもよい。フレキシブル電子写真式画像形成部材が
所望される場合、電気伝導性、たわみ性、及び光透過性
の最適な組み合わせのためには、導電性層の厚さは、典
型的には約２０Å〜約７５０Åであり、好ましくは約１
００〜約２００Åである。選択された基板が非導電性ベ
ースを含み、電気伝導性層がその上にコーティングされ
ている場合、基板は有機及び無機材料を含む他の従来の
材料でもよい。典型的な基板材料には、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリウレタン、紙、ガラス、プラスチ
ック、及びマイラー又はメリネックス４４７のようなポ
リエステル等を含むこの目的のために既知の種々の樹脂
のような絶縁性の非導電性材料が含まれる。導電性層
は、真空蒸着等の適切なコーティング技法によってベー
ス層上にコーティングできる。所望されるなら、基板
は、チタン化又はアルミ化マイラー（Mylar)等のメタラ
イズプラスチックを含むことができる。ここで、メタラ
イズ表面は光発生層と接触する、あるいは基板及び光発
生層間に位置される他の層と接触する。被覆又は非被覆
基板はフレキシブルでも剛性でもよく、プレート、円柱
ドラム、渦形、又は無端フレキシブルベルト等の多数の
形状を有することができる。基板の外表面は、酸化アル
ミニウム、酸化ニッケル、又は酸化チタン等の金属酸化
物を含んでもよい。

【００８０】光導電性画像形成部材は、任意に、導電性
基板と光発生層との間に位置される電荷ブロッキング層
を含むことができる。一般的に、正に帯電した受光体の
ための電子ブロッキング層は受光体の画像形成表面から
の正孔が導電性層へ向かって移動するのを可能にし、負
に帯電した受光体のための正孔ブロッキング層は受光体
の画像形成表面からの電子が導電性層へ向かって移動す
るのを可能にする。この層には、酸化アルミニウム等の
金属酸化物や、あるいは米国特許第4,291,110号、同第
4,338,387 号、同第4,286,033 号及び同第4,291,110 号
などに開示されるようにトリメトキシシリルプロピレン
ジアミン、加水分解トリメトキシシリルプロピルエチレ
ンジアミン、Ｎ−ベータ−（アミノエチル）ガンマ−ア
ミノ−プロピルトリメトキシシラン、イソプロピル４−
アミノベンゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスル
ホニル）チタネート、イソプロピルジ（４−アミノベン
ゾイル）イソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リ（Ｎ−エチルアミノ−エチルアミノ）チタネート、イ
ソプロピルトリアントラニルチタネート、イソプロピル
トリ（Ｎ，Ｎ−ジメチル−エチルアミノ）チタネート、
チタニウム−４−アミノベンゼンスルホネートオキシア
セテート、チタニウム４−アミノベンゾアートイソステ
アレートオキシアセテート、〔Ｈ₂ Ｎ（ＣＨ₂ ）₄ 〕Ｃ
Ｈ₃ Ｓｉ（ＯＣＨ₃ ）₂ 、（ガンマ−アミノブチル）メ
チルジエトキシシラン、及び〔Ｈ₂ Ｎ（ＣＨ₂ ）₃ 〕Ｃ
Ｈ₃ Ｓｉ（ＯＣＨ₃ ）₂ （ガンマ−アミノプロピル）メ
チルジエトキシシラン等のシラン及びナイロン、窒素含
有シロキサン、又は窒素含有チタン化合物のような材料
等が含まれる。適切な材料の更なる例には、水及びメタ
ノールに溶解されたゼラチン、および／又はカルボセッ
ト（Carboset）５１５）、ポリビニルアルコール、ポリ
アミド、ガンマ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
ポリメタクリル酸イソブチル、スチレン／メタクリル酸
ｎ−ブチルのようなスチレンとアクリル酸エステルの共
重合体、スチレン及びビニルトルエンの共重合体、ポリ
カーボネート、アルキル置換ポリスチレン、スチレン−
オレフィン共重合体、ポリエステル、ポリウレタン、ポ
リテルペン、シリコンエラストマー、その混合物又はブ
レンド、及びその共重合体等が含まれる。好ましいブロ
ッキング層は、加水分解シランと金属接地面層の酸化表
面との間の反応生成物を含む。酸化表面は、蒸着後に空
気にさらされると、たいていの金属接地面層の外表面に
本来的に形成される。この層の主な目的は、帯電中及び
帯電後に基板からの電荷注入を防止することである。こ
の層は、典型的には５０Å以下〜約１０μｍの厚さを有
し、好ましくは約２μｍ以下であり、更に好ましくは約
０．２μｍ以下であるが、厚さはこれらの範囲外であっ
てもよい。

【００８１】ブロッキング層は、スプレーイング、ディ
ップコーティング、ドローバーコーティング、グラビア
コーティング、シルクスクリーニング、エアナイフコー
ティング、リバースロールコーティング、真空蒸着、又
は化学処理等の適切な従来の技法によって塗布できる。
薄層を得るのに便利なため、ブロッキング層は希薄溶液
の形で塗布され、溶媒はコーティング付着後に減圧や加
熱等の従来の技法によって除去されるのが好ましい。

【００８２】ある場合には、接着を改良するために基板
と次に塗布された層との間に中間接着層が所望されるこ
ともある。このような接着層が利用される場合、乾燥し
た厚さは約０．１μｍ〜約５μｍであるのが好ましい
が、厚さはこの範囲外であってもよい。典型的な接着層
は、ポリエステル、ポリビニルブチラル、ポリビニルピ
ロリドン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリメタ
クリル酸メチル、デュポン（du Pont)４９，０００、及
びバイテル（Vitel)ＰＥ１００等、並びにその混合物等
の膜形成ポリマーを含む。また、本発明の高性能ポリマ
ーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像形成部
材の接着層に使用することができる。基板の表面は電荷
ブロッキング層又は接着層なので、ここで使用される "
基板" という表現は、電荷ブロッキング層上の接着層を
有する又は有さない電荷ブロッキング層を含むように意
図される。典型的な接着層の厚さは約０．０５μｍ（５
００Å）〜約０．３μｍ（３, ０００Å）であるが、厚
さはこの範囲外でもよい。基板へ接着層コーティング混
合物を塗布するための従来の技法には、スプレーイン
グ、ディップコーティング、ロールコーティング、ワイ
ヤワウンドロッドコーティング、グラビアコーティン
グ、バード・バー塗布器コーティング等が含まれる。付
着されたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻
射乾燥、又は空気乾燥等の従来の適切な技法によって行
われる。

【００８３】任意に、耐摩耗性を改良するために上塗り
層を利用することもできる。ある場合には、ウェブ形状
の受光体が製造される際に平坦性及び／又は耐摩耗性を
提供するために、光導電性層を支持する面と反対の基板
表面へカール防止バックコーティングが塗布される。こ
れらの上塗り層及びカール防止バックコーティング層は
当該技術においてよく知られており、電気絶縁性又は僅
かに半導性の熱可塑性有機ポリマー又は無機ポリマーを
含むことができる。上塗り層は連続的であり、典型的に
は約１０μｍより薄い厚さを有するが、厚さはこの範囲
外であってもよい。カール防止バッキング層の厚さは、
一般的には、基板層の反対側の層（単数又は複数）の全
体の力と実質的に釣り合うのに十分な厚さである。カー
ル防止バッキング層の例は米国特許第4,654,284 号に記
載されている。約７０〜約１６０μｍの厚さがフレキシ
ブル受光体のための典型的な範囲であるが、厚さはこの
範囲外であってもよい。

【００８４】光発生層は、無機又は有機組成物等から成
る単一又は多数の層を含むことができる。発生層の一例
は米国特許第3,121,006 号に記載されており、光導電性
無機化合物の微細分割粒子が電気絶縁性有機樹脂バイン
ダ中に分散される。多重光発生層組成物は、光導電性層
が光発生層の特性を増大又は低下させる場合に利用でき
る。このタイプの構成の例は米国特許第4,415,639 号に
記載される。少なくとも２つの電気作用層を有する感光
性部材の更なる例には、米国特許第4,265,990号、同第
4,233,384 号、同第4,306,008 号、及び同第4,299,897
号に開示された電荷発生層及びジアミン含有輸送層部
材、米国特許第3,895,944 号に開示されるような染料発
生層並びにオキサジアゾール、ピラザロン、イミダゾー
ル、ブロモピレン、ニトロフルオレン及びニトロナフタ
ルイミド誘導体含有電荷輸送層部材、米国特許第4,150,
987 号に開示された発生層及びヒドラゾン含有電荷輸送
層部材、米国特許第3,837,851 号に開示されたような発
生層及びトリアリールピラゾリン化合物含有電荷輸送層
部材等が含まれる。

【００８５】光発生又は光導電性層は、所望される又は
適切な光導電性材料を含む。光導電性層（単数又は複
数）は無機又は有機の光導電性材料を含むことができ
る。典型的な無機光導電性材料には、アモルファスセレ
ン、三方晶セレン、セレンとテルルや砒素等の元素との
合金、アモルファスシリコン、スルホセレン化カドミウ
ム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、酸化亜鉛、
二酸化チタン等が含まれる。無機光導電性材料は、所望
されるなら、膜形成ポリマーバインダ中に分散されるこ
とができる。

【００８６】典型的な有機光導電体には、米国特許第3,
357,989 号に開示されるＸ型の無金属フタロシアニンや
バナジルフタロシアニン及び銅フタロシアニン等の金属
フタロシアニンのような種々のフタロシアニン顔料、キ
ナクリドン（モナストラルレッド、モナストラルバイオ
レット及びモナストラルレッドＹ としてデュポン（du
Pont)社から入手可能なものを含む）、米国特許第3,44
2,781 号に開示されたような置換２，４−ジアミノ−ト
リアジン、多核芳香族キノン、インドファストバイオレ
ットレイクＢ、インドファストブリリアントスカーレッ
ト、インドファストオレンジ、ジブロモアントアントロ
ン（デュポン（du Pont)社からバットオレンジ１及びバ
ットオレンジ３として入手可能なもの等）、スクアリリ
ウム、ピラゾロン、ポリビニルカルバゾール−２，４，
７−トリニトロフルオレノン、アントラセン、ベンズイ
ミダゾールペリレン、多核芳香族キノン（インドファス
トダブルスカーレット、インドファストバイオレットレ
イクＢ、インドファストブリリアントスカーレット及び
インドファストオレンジの商標名で得られる）などが含
まれる。また、多くの有機光導電性材料は、樹脂バイン
ダ中に分散された粒子としても使用されることができ
る。

【００８７】光導電性材料のために適切なバインダの例
には、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート
を含むポリエステル、ポリウレタン、ポリスチレン、ポ
リブタジエン、ポリスルホン、ポリアリールエーテル、
ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチ
ラル、ポリシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリ
ビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹
脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェ
ノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチ
レン及びアクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、
ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−ビニルピロリジノ
ン）、塩化ビニル及び酢酸ビニル共重合体、アクリル酸
エステル共重合体、アルキド樹脂、セルロース膜形成
体、ポリ（アミドイミド）、スチレン−ブタジエン共重
合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニ
ル−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド樹
脂、ポリビニルカルバゾール等の熱可塑性及び熱硬化性
樹脂が含まれる。これらのポリマーは、ブロック、ラン
ダム又は交互共重合体でよい。また、本発明の電荷輸送
ポリマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、バイ
ンダポリマーとしての使用に適している。

【００８８】光発生材料がバインダ材料中に存在する場
合、光発生組成物又は顔料は、適切な又は所望される量
だけ膜形成ポリマーバインダ組成物中に存在できる。例
えば、約１０体積％〜約６０体積％の光発生顔料は、約
４０体積％〜約９０体積％の膜形成ポリマーバインダ組
成物中に分散される。好ましくは、約２０体積％〜約３
０体積％の光発生顔料は、約７０体積％〜約８０体積％
の膜形成ポリマーバインダ組成物中に分散される。典型
的には、光導電性材料は約５〜約８０重量％、好ましく
は約２５〜約７５重量％の量で光発生層中に存在し、バ
インダは約２０〜約９５重量％、好ましくは約２５〜約
７５重量％の量で存在するが、相対量はこれらの範囲外
であってもよい。

【００８９】光導電性組成物及び／又は顔料の粒子サイ
ズは付着及び凝固した層の厚さよりも小さいのが好まし
く、更に好ましくは、コーティングのより優れた均一性
を容易にするために約０．０１μｍと約０．５μｍの間
である。

【００９０】光導電性組成物及び樹脂バインダ材料を含
有する光発生層の厚さの範囲は、一般的に約０．０５μ
ｍ〜約１０μｍ又はそれ以上であり、好ましくは約０．
１μｍ〜約５μｍであり、更に好ましくは約０．３μｍ
〜約３μｍであるが、厚さはこれらの範囲外でもよい。
光発生層の厚さは光発生化合物及びバインダの相対量に
関係し、光発生材料は約５〜約１００重量％の量で存在
することが多い。バインダ含量がより高い組成物は、一
般的に、光発生のためにより厚い層を必要とする。一般
的には、画像様又は印刷露光の工程でこの層に向けられ
て入射した放射の約９０％以上を吸収するのに十分な厚
さでこの層を提供することが望ましい。この層の最大の
厚さは、主として、機械的問題、選択された特定の光発
生化合物、他層の厚さ、及びフレキシブル光導電性画像
形成部材が所望されるか否か、等の因子に依存する。

【００９１】光発生層は、所望される又は適切な方法に
よって下側の層へ塗布できる。光発生層コーティング混
合物を混合し、その後塗布するために適切な技法が利用
できる。典型的な塗布技法には、スプレーイング、ディ
ップコーティング、ロールコーティング、ワイヤワウン
ドロッドコーティング等が含まれる。付着されたコーテ
ィングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、空気乾
燥等の適切な技法により行うことができる。

【００９２】また、他の適切な多層光導電体も、本発明
の画像形成部材で使用できる。いくつかの多層光導電体
は、少なくとも２つの電気作用層と、光発生又は電荷発
生層と、電荷輸送層と、を含む。電荷発生層及び電荷輸
送層は他の層と同様に、正又は負のいずれかに帯電する
受光体をつくるために適切な順序で塗布できる。例え
ば、米国特許第4,265,990 号に示されるように電荷発生
層は電荷輸送層の前に塗布できる。あるいは、米国特許
第4,346,158 号に示されるように、電荷輸送層は電荷発
生層より前に塗布できる。

【００９３】本発明の画像形成部材に別個の電荷輸送層
が存在する場合、任意の適切な従来技術を利用して電荷
輸送層コーティングを混合し、その後電荷発生層に塗布
してもよい。典型的な塗布技術として、噴霧、ディップ
コーティング、ロールコーティング、巻線棒コーティン
グ等が挙げられる。付着したコーティングの乾燥は、任
意の適切な従来技術、例えば、オーブン乾燥、赤外放射
乾燥、空気乾燥等によって実施される。

【００９４】一般に、電荷輸送層の厚さは約５〜５０μ
ｍであるが、この範囲外の厚さも使用できる。好ましく
は、電荷輸送層対電荷発生層の厚さの比は、約２：１〜
２００：１で維持され、幾つかの場合は４００：１であ
る。

【００９５】本発明の感光性画像形成部材では、電荷輸
送層は本明細書中に示す特定の式の電荷輸送ポリマーを
含む。ある実施の形態では、電荷輸送ポリマーは下記の
式で示される。

【００９６】

【化７８】

【００９７】式中、（１）ｎは繰り返し単位の数を示す
整数であり、好ましくは約１〜約５００であり、より好
ましくは約５０〜約１００であり、（２）Ｚは下記の式
で表され、

【００９８】

【化７９】

【００９９】式中、ｐは０又は１であり、（３）Ａｒは
下記の式で表され、

【０１００】

【化８０】

【０１０１】（４）Ｒは約２〜約１０個の炭素原子を含
むアルキル又はイソアルキル基から選択されたアルキル
基であり、（５）Ａｒ’は下記の式で表され、

【０１０２】

【化８１】

【０１０３】（６）Ｘは下記の式で表され、

【０１０４】

【化８２】

【０１０５】

【化８３】

【０１０６】式中、ｓは０、１又は２であり、

【０１０７】

【化８４】

【０１０８】（７）ｍは０又は１であり、（８）Ｙは下
記の式で表され、

【０１０９】

【化８５】

【０１１０】式中、ｘは０又は１であり、Ａは下記の式
又はこれらの混合物である。

【０１１１】

【化８６】

【０１１２】

【化８７】

【０１１３】Ａｒ、Ａｒ’、Ｚ、Ｒ、Ｘ及びＹ基、 ”
Ａ”基及び／又は ”Ａ”基に結合するフェニル基は、
以下を含む置換基の例に置換することができる。この置
換基の例として、（以下に限定しないが）好ましくは１
〜約６個の炭素原子を有する飽和、不飽和、及び環状ア
ルキル基を含むアルキル基、好ましくは１〜約６個の炭
素原子を有する飽和、不飽和及び環状置換アルキル基を
含む置換アルキル基、好ましくは６〜約２４個の炭素原
子を有するアリール基、好ましくは６〜約２４個の炭素
原子を有する置換アリール基、好ましくは７〜約３０個
の炭素原子を有するアリールアルキル基、好ましくは７
〜約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル
基、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有するアルコキ
シ基、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有する置換ア
ルコキシ基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を有す
るアリールオキシ基、好ましくは６〜約２４個の炭素原
子を有する置換アリールオキシ基、好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有するアリールアルキルオキシ基、好
ましくは７〜約３０個の炭素原子を有する置換アリール
アルキルオキシ基、ヒドロキシ基、シアノ基、ピリジン
基、ピリジニウム基、エーテル基、エステル基、アミド
基、カルボニル基、チオカルボニル基、スルフェート
基、スルホネート基、スルフィド基、スルホキシド基、
ホスフェート基、スルホン基、アシル基等が挙げられ、
二つ以上の置換基を結合させて環を形成してもよく、置
換アルキル基、置換アリール基、置換アリールアルキル
基、置換アルコキシ基、置換アリールオキシ基、及び置
換アリールアルキルオキシ基の置換基は、（以下に限定
しないが）ヒドロキシ基、アンモニウム基、シアノ基、
ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、アルデヒド
基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、
カルボニル基、スルフェート基、スルホネート基、スル
フィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウ
ム基、ホスフェート基、シアノ基、ニトリル基、メルカ
プト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホ
ン基、アシル基、これらの混合物等であり、二つ以上の
置換基を結合させて環を形成することもできる。好まし
い ”Ｙ”基は以下の式を含む。

【０１１４】

【化８８】

【０１１５】適切なポリマー材料の特定の例は、以下の
式からなるものを含む。

【０１１６】

【化８９】

【０１１７】

【化９０】

【０１１８】

【化９１】

【０１１９】

【化９２】

【０１２０】

【化９３】

【０１２１】

【化９４】

【０１２２】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは下
記の式又はこれらの混合物であり、

【０１２３】

【化９５】

【０１２４】

【化９６】

【０１２５】Ｂは下記の式又はこれらの混合物であり、

【０１２６】

【化９７】

【０１２７】

【化９８】

【０１２８】式中、ｖは１〜約２０の整数であり、好ま
しくは１〜約１０であり、

【０１２９】

【化９９】

【０１３０】式中、ｔは１〜約２０の整数であり、好ま
しくは１〜約１０であり、

【０１３１】

【化１００】

【０１３２】式中、ｚは２〜約２０の整数であり、好ま
しくは２〜約１０であり、

【０１３３】

【化１０１】

【０１３４】式中、ｕは１〜約２０の整数であり、好ま
しくは１〜約１０であり、

【０１３５】

【化１０２】

【０１３６】式中、ｗは１〜約２０の整数であり、好ま
しくは１〜約１０であり、

【０１３７】

【化１０３】

【０１３８】

【化１０４】

【０１３９】他の類似のビスフェノール誘導体又は以下
の式で表され、

【０１４０】

【化１０５】

【０１４１】式中、（１）Ｚは下記の式で表され、

【０１４２】

【化１０６】

【０１４３】

【化１０７】

【０１４４】式中、ｐは０又は１であり、（２）Ａｒは
以下の式で表され、

【０１４５】

【化１０８】

【０１４６】（３）Ｇは約２〜約１０個の炭素原子を含
むアルキル又はイソアルキル基から選択されたアルキル
基であり、（４）Ａｒ’は下記の式であり、

【０１４７】

【化１０９】

【０１４８】（５）Ｘは下記の式であり、

【０１４９】

【化１１０】

【０１５０】式中、ｓは０、１、又は２であり、

【０１５１】

【化１１１】

【０１５２】（６）ｑは０又は１であり、 ”Ｂ”基の
少なくとも幾つかは下記の式で表され、

【０１５３】

【化１１２】

【０１５４】Ｃは下記の式又はこれらの混合物であり、

【０１５５】

【化１１３】

【０１５６】式中、Ｒは好ましくは１〜約３０個の炭素
原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル
基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換ア
リール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３０
個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含むア
リールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎ
は繰り返し単位の数を表す整数である。

【０１５７】１つの好ましい実施例では、 "Ａ" 基のま
わりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、ｘは
０である。その結果、次式のポリマーとなる。

【０１５８】

【化１１４】

【０１５９】

【化１１５】

【０１６０】

【化１１６】

【０１６１】

【化１１７】

【０１６２】

【化１１８】

【０１６３】

【化１１９】

【０１６４】もう１つの好ましい実施例では、 "Ａ" 基
のまわりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、
ｘは１であり、Ａは次式であり、

【０１６５】

【化１２０】

【０１６６】以下の式のポリマーが生成する。

【０１６７】

【化１２１】

【０１６８】

【化１２２】

【０１６９】

【化１２３】

【０１７０】

【化１２４】

【０１７１】

【化１２５】

【０１７２】

【化１２６】

【０１７３】適切な ”Ｂ”基の特定の例として、下記
の式が挙げられる。

【０１７４】

【化１２７】

【０１７５】

【化１２８】

【０１７６】式中、Ｘは、好ましくは１〜５０個の炭素
原子を有するアルキル基（環状アルキル基及び置換アル
キル基を含む）、好ましくは６〜約５０個の炭素原子を
有するアリール基（置換アリール基を含む）、好ましく
は７〜約５０個の炭素原子を有するアリールアルキル基
（置換アリールアルキル基を含む）、ヒドロキシ基、ハ
ロゲン原子であり、置換アルキル基、置換アリール基、
及び置換アリールアルキル基の置換基は、（以下に限定
しないが）ヒドロキシ基、アンモニウム基、シアノ基、
ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、アルデヒド
基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、
カルボニル基、スルフェート基、スルホネート基、スル
フィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウ
ム基、ホスフェート基、シアノ基、ニトリル基、メルカ
プト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホ
ン基、アシル基、これらの混合物等であり、二つ以上の
置換基を結合させて環を形成してもよい。

【０１７７】ｍ及びｎの値は、数平均分子量及び重量平
均分子量が以下のようになるのが好ましい。材料の数平
均分子量が約１０，０００〜約２００，０００、より好
ましくは約３０，０００〜約２００．０００、さらによ
り好ましくは約３０，０００〜約１００，０００、さら
により好ましくは約３０，０００〜約６０，０００であ
るのが好ましいが、Ｍ_n はこれらの範囲外でもよく、材
料の重量平均分子量が好ましくは約２０，０００〜約
１，０００，０００であり、より好ましくは約２０，０
００〜約３５０，０００であり、さらにより好ましくは
約５０，０００〜約３５０，０００であり、さらにより
好ましくは約１００，０００〜約２５０，０００である
のが好ましいが、Ｍ_w はこれらの範囲外でもよい。多分
散性（Ｍ_w／Ｍ_n ）は典型的には約２〜約９であり、好
ましくは約３であるが、これより高い又は低い多分散性
値も使用できる。また、フェニル基並びにＡ、Ｂ、及び
／又はＣ基は置換されていてもよい。適切な置換基の例
には、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有するアルキ
ル基（飽和、不飽和及び環状アルキル基を含む）、好ま
しくは１〜約６個の炭素原子を有する置換アルキル基
（飽和、不飽和及び環状置換アルキル基を含む）、好ま
しくは６〜約２４個の炭素原子を有するアリール基、好
ましくは６〜約２４個の炭素原子を有する置換アリール
基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を有するアリー
ルアルキル基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を有
する置換アリールアルキル基、好ましくは１〜約６個の
炭素原子を有するアルコキシ基、好ましくは１〜約６個
の炭素原子を有する置換アルコキシ基、好ましくは６〜
約２４個の炭素原子を有するアリールオキシ基、好まし
くは６〜約２４個の炭素原子を有する置換アリールオキ
シ基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を有するアリ
ールアルキルオキシ基、好ましくは７〜約３０個の炭素
原子を有する置換アリールアルキルオキシ基、ヒドロキ
シ基、シアノ基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテ
ル基、エステル基、アミド基、カルボニル基、チオカル
ボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、ス
ルフィド基、スルホキシド基、リン酸エステル基、スル
ホン基、アシル基等が含まれ（しかし、これらに限定さ
れない）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに結合され
て環を形成することができる。ここで、置換アルキル
基、置換アリール基、置換アリールアルキル基、置換ア
ルコキシ基、置換アリールオキシ基及び置換アリールア
ルキルオキシ基の置換基は、ヒドロキシ基、アンモニウ
ム基、シアノ基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテ
ル基、アルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミド
基、カルボン酸基、カルボニル基、硫酸エステル基、ス
ルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、
ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル基、シ
アノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、スルホン基、アシル基、及びその
混合物などであり（しかしこれらに限定されない）、２
つ又はそれ以上の置換基は互いに結合されて環を形成す
ることができる。ポリマーは、約５０〜約３００℃、更
に好ましくは約１５０〜約２６０℃のガラス転移温度を
有するのが好ましいが、Ｔ_g はこれらの範囲外でもよ
い。電荷輸送層を形成するための電荷輸送分子のよう
に、ポリマーが取り込まれる感光性画像形成部材の他の
成分とポリマーが混合される場合、ポリマー含有混合物
は、約５０〜約１００℃、更に好ましくは約７０℃のガ
ラス転移温度を有するのが好ましいが、混合物のＴ_g は
この範囲外であってもよい。これらの材料の調製プロセ
スは既知である。

【０１７８】必須ではないが、ポリマーが特に選択され
た基で末端官能基化されれば、ポリマーの最終特性に関
して有利であろう。いくつかの場合には、ポリマーの末
端基は、ポリマー合成の化学量論により選択できる。例
えば、ポリマーがＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド中で炭
酸カリウムの存在下、４，４′−ジクロロベンゾフェノ
ン及びビスフェノールＡの反応により調製される場合、
ビスフェノールＡが約７．５〜８モル％過剰に存在すれ
ば、得られるポリマーは一般的にビスフェノールＡ末端
である（ビスフェノールＡ部分は１つ又はそれ以上のヒ
ドロキシ基を有しても有さなくてもよい）。これに対し
て、４，４′−ジクロロベンゾフェノンが約７．５〜８
モル％過剰に存在すれば、反応時間はビスフェノールＡ
が過剰の反応で必要な時間のおよそ半分であり、得られ
るポリマーは一般的にベンゾフェノン末端である（ベン
ゾフェノン部分は１つ又はそれ以上の塩素原子を有して
も有さなくてもよい）。同様に、ポリマーがＮ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド中で炭酸カリウムの存在下、４，
４′−ジフルオロベンゾフェノンと９，９′−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレン又はビスフェノール
Ａのいずれかとの反応により調製される場合、４，４′
−ジフルオロベンゾフェノン反応物が過剰に存在すれ
ば、得られるポリマーは一般的にベンゾフェノン末端基
（１つ又はそれ以上のフッ素原子を有しても有さなくて
もよい）を有する。良く知られたカラザーズの式は、所
望の分子量を得るのに必要とされる化学量論的オフセッ
トを計算するために使用できる。更に一般的に言って、
本発明の次式及び他の式を有するようなポリマーの調製
の間、ポリマー合成反応の化学量論は、ポリマーの末端
基が"Ａ" 基から誘導されるよう、あるいは "Ｂ" 基か
ら誘導されるように調整できる。

【０１７９】

【化１２９】

【０１８０】また、 "Ａ" 又は "Ｂ" 基の芳香環に付い
てフェノール部分を形成するヒドロキシ基や、 "Ａ" 又
は "Ｂ" 基へ付いたハロゲン原子等のような、特定の官
能基がこれらの末端 "Ａ" 基又は "Ｂ" 基上に存在でき
る。

【０１８１】ベンゾフェノン基又はハロゲン化ベンゾフ
ェノン基等の "Ａ" 基から誘導される末端基を有するポ
リマーは、 "Ｂ" 基から誘導される末端基を有するポリ
マーと比較して、合成及びこれらの材料の幾つかの置換
基配置反応の両方の制御が容易であり、また、例えば、
コスト、分子量、分子量範囲、及び多分散性（Ｍ_w ／Ｍ
_n ）に関して良い結果が得られるので、いくつかの応用
で好ましい。

【０１８２】また、ポリマーの末端ヒドロキシ基又はハ
ロゲン化物基は、更に反応されることができる。例え
ば、ハロゲン化物末端基を有するポリマーは、炭酸カリ
ウムの存在下でフェノールと反応させて−Ｆ末端基を−
φ基で置き換えることができる。同様に、ヒドロキシ末
端基を有するポリマーは、典型的には約２０〜約６０℃
の温度において水及び塩化メチレン中で水酸化ナトリウ
ム等の塩基の存在下、式ＮＲ₁ Ｒ₂ Ｒ₃ Ｒ₄ の第４級ア
ンモニウム塩と反応させてヒドロキシ基を対応のアルコ
キシ基で置き換えることができる。ここで、Ｒ₁ 、
Ｒ₂ 、Ｒ₃ 及びＲ₄ はそれぞれ、他とは独立的に、好ま
しくは１〜約５０個の炭素原子を有するアルキル基、好
ましくは６〜約５０個の炭素原子を有するアリール基、
好ましくは７〜約５０個の炭素原子を有するアリールア
ルキル基、もしくは置換アルキル、アリール又はアリー
ルアルキル基である。

【０１８３】更に、オリゴマーは、ここに示される式の
ポリマーを生成するためにカップリング剤と反応させら
れる。式Ｉのポリマーが式III 又は式ＩＶのポリマーを
形成するためにカップリングされる以下に説明される一
般的な反応式は、次の通りである。

【０１８４】

【化１３０】

【０１８５】ここで、ｍは少なくとも約１の整数であ
り、繰返し単位の数を表す。ｍの値は、得られた結合ポ
リマーが溶媒中に溶解でき、画像形成部材上へ塗布でき
るような値である。好ましくは、ｍは、ポリマーの重量
平均分子量が約３００，０００未満、更に好ましくは約
１５０，０００未満であるような値である。

【０１８６】適切な "Ｃ" 基の例には、ポリカーボネー
トに基づく基が含まれ、この場合 "Ｃ" は以下の（イ）
であり、従ってポリマーは（ロ）結合を含む。また、ポ
リウレタン及びポリイソシアナートに基づく基が含ま
れ、この場合 "Ｃ" は一般式（ハ）を有し、従ってポリ
マーは（ニ）結合を含む。

【０１８７】

【化１３１】

【０１８８】

【化１３２】

【０１８９】

【化１３３】

【０１９０】

【化１３４】

【０１９１】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な "Ｃ" 基の例にはポリエステルに基づく基が
含まれ、この場合 "Ｃ" は一般式（ホ）を有し、従って
ポリマーは（ヘ）結合を含む。

【０１９２】

【化１３５】

【０１９３】

【化１３６】

【０１９４】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な "Ｃ" 基の例には二無水物に基づく基が含ま
れ、この場合 "Ｃ" は一般式（ト）を有し、従ってポリ
マーは（チ）結合を含む。

【０１９５】

【化１３７】

【０１９６】

【化１３８】

【０１９７】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な "Ｃ" 基の例にはジエポキシに基づく基が含
まれ、この場合、 "Ｃ" は一般式（リ）を有し、従って
ポリマーは（ヌ）結合を含む。

【０１９８】

【化１３９】

【０１９９】

【化１４０】

【０２００】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基並びに高分子
基を含むアルキル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原
子を有する置換アリール基を含むアリール基、又は好ま
しくは７〜約３０個の炭素原子を有する置換アリールア
ルキル基を含むアリールアルキル基、もしくはその混合
物等である。上記の全ての "Ｒ" 基について、適切な置
換基の例には、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有す
るアルコキシ基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を
有するアリールオキシ基、好ましくは７〜約３０個の炭
素原子を有するアリールアルキルオキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、アンモニウム基、シアノ基、ピリジ
ン基、ピリジニウム基、ニトリル基、メルカプト基、ニ
トロソ基、ニトロ基、エーテル基、アルデヒド基、ケト
ン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、カルボニ
ル基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸
エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、スルホン
基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル
基、アシル基等が含まれ（しかし、これらに限定されな
い）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに結合して環を
形成することができる。

【０２０１】例えば、ヒドロキシ末端オリゴマーはホス
ゲン又はその等価物（水素化リチウム及び炭酸ジフェニ
ル、もしくは以下の（ル）、（ヲ）又は（ワ）等）と反
応して、以下に説明されるようにオリゴマーをポリカー
ボネート基でカップリングさせることができる。

【０２０２】

【化１４１】

【０２０３】式Ｉのポリマーは、次のように、式III 又
は式ＩＶのポリマーを形成するためにカップリングされ
る。

【０２０４】

【化１４２】

【０２０５】ここに示される特定の式を有するポリマー
とのこの縮合反応のための条件は、例えばW.R.ソレンソ
ン（W.R. Sorenson)及びT.W.キャンベル（T.W. Campbel
l)著「ポリマー化学の合成方法」（第２版、ジョンウィ
リー＆サンズ、ニューヨーク１９６１、１９６８）の例
えば１２２、１２３、１４０及び１４１頁に開示される
ビスフェノールＡとホスゲンの反応で使用される条件と
同様である。

【０２０６】もう１つの例では、ヒドロキシ末端オリゴ
マーはジイソシアナートと反応して（ヒドロキシ基１モ
ル当量当たりイソシアナート基１モル当量）、以下に説
明されるように、オリゴマーをイソシアナート基でカッ
プリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマー
は、次のように、式III 又は式ＩＶのポリマーを形成す
るためにカップリングされる。

【０２０７】

【化１４３】

【０２０８】

【化１４４】

【０２０９】適切なジイソシアナート反応物の他の特定
の例（典型的には、下記の一般式

【０２１０】

【化１４５】

【０２１１】を有し、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である）に
は、式（カ）のトルエンジイソシアナート、式（ヨ）の
トリメチロールプロパントルエンジイソシアナート付加
物（モベイケミカル社(Mobay Chemical CO.)、ピッツバ
ーグ(Pittsburgh)、ペンシルバニア州(PA)から商業的に
入手可能なＣＢ−７５等）、式（タ）のようなペンタエ
リトリトールトルエンジイソシアナート付加物等が含ま
れる。

【０２１２】

【化１４６】

【０２１３】

【化１４７】

【０２１４】

【化１４８】

【０２１５】ジイソシアナート（１当量のイソシアナー
ト基）は２５℃の塩化メチレン溶液中でヒドロキシ末端
オリゴマー（１当量のヒドロキシ基）と混合でき、その
後できるだけ速く反応混合物をコーティングする。膜は
放置すると鎖延長する。膜は次に、溶媒を除去するため
に９０℃へ加熱して乾燥される。この温度より高い温度
では、反応の熱逆転が起こる。

【０２１６】別の例では、ヒドロキシ末端オリゴマー
は、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物（ヒドロキ
シ基１モル当量当たり１モル当量のエステル、酸塩化
物、又は無水物基）と反応して、以下に説明されるよう
に、オリゴマーをエステル、酸塩化物、又は無水物基で
カップリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマ
ーは、次のように、式III 又は式ＩＶのポリマーを形成
するためにカップリングされる。

【０２１７】

【化１４９】

【０２１８】典型的なジエステル及び二酸塩化物反応物
は次の一般式を有する。

【０２１９】

【化１５０】

【０２２０】ここで、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ はそれぞれ、
他とは独立的に、好ましくは１〜約３０個の炭素原子を
有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好ま
しくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換アリール基
を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３０個の炭素
原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリールア
ルキル基、もしくはその混合物である。典型的な二無水
物反応物は次の一般式を有する。

【０２２１】

【化１５１】

【０２２２】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ヒド
ロキシ末端オリゴマー膜は、ポリマーを鎖延長させるた
めに、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物（例え
ば、フタル酸ジエステル又は二無水物）と共に、約３０
分間１５０℃まで加熱される。

【０２２３】別の例では、ヒドロキシ末端オリゴマーは
ジエポキシ化合物又は二無水物と反応して、以下に説明
されるように、オリゴマーをエポキシ基誘導体でカップ
リングさせることができる。ここで式Ｉのポリマーは、
次のように、式III 又は式ＩＶのポリマーを形成するた
めにカップリングされる。

【０２２４】

【化１５２】

【０２２５】

【化１５３】

【０２２６】典型的なジエポキシ反応物は次の一般式を
有する。

【０２２７】

【化１５４】

【０２２８】ここで、Ｒ、Ｒ₁ 及びＲ₂ はそれぞれ、他
とは独立的に、好ましくは１〜約３０個の炭素原子を有
する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好まし
くは６〜約３０個の炭素原子を有する置換アリール基を
含むアリール基、又は好ましくは７〜約３０個の炭素原
子を有する置換アリールアルキル基を含むアリールアル
キル基、もしくはその混合物である。また、Ｒは高分子
でもよく、得られるジエポキシはモノマー又はポリマー
である。特定の適切なジエポキシ反応物には、エポン
（ＥＰＯＮ：登録名）８２８樹脂等のＲが次の式（レ）
であるもの、Ｒが式（ソ）であるもの、およびＲが式
（ツ）であるもの等が含まれる。

【０２２９】

【化１５５】

【０２３０】

【化１５６】

【０２３１】

【化１５７】

【０２３２】上記の式において、ｎは繰返しモノマー単
位の数を表し、ＥＰＯＮ（登録名）シリーズの他の樹脂
のように典型的には約１〜約２６である。また上記の式
（ツ）において、ｎは繰返しモノマー単位の数を表し、
典型的には約１〜約２６である。ヒドロキシ末端オリゴ
マー膜は、ポリマーを鎖延長させるためにエポキシ樹脂
（ＥＰＯＮ８２８）及び二無水物又はトリエチルアミン
（１０重量％）と共に１３５℃で３０分間加熱される。

【０２３３】また、次の一般式のポリマーもこれらの方
法でカップリングすることができ、式ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、
ＶII、ＶIII 、ＩＸ、及びＸのポリマーもこれらの方法
により調製することができる。

【０２３４】

【化１５８】

【０２３５】電荷輸送分子は、ポリマー鎖に取り込まれ
る。得られたポリマーは、適切なバインダ材料であるこ
とに加えて、電荷輸送特性を呈する。ある特定の例で
は、電荷輸送分子はポリマー鎖に取り込まれ、この電荷
輸送分子は下記の式で表され、

【０２３６】

【化１５９】

【０２３７】式中、Ｘ、Ｘ’、Ｙ、Ｙ’、Ｚ及びＺ’は
それぞれ他から独立しており、好ましくは１〜約２０個
の炭素原子を有する置換又は非置換アルキル基（線形、
分枝、環状、飽和及び不飽和アルキル基を含む）、好ま
しくは６〜約２４個の炭素原子を有する置換又は非置換
アリール基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を有す
る置換又は非置換アリールアルキル基、ヒドロキシ基、
又はハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素又はヨ
ウ素）であり、ｍ、ｍ’、ｎ、ｎ’、ｐ及びｐ’はそれ
ぞれ他から独立して、０、１、２、３、４又は５の整数
であり、ｍ、ｍ’、ｎ、ｎ’、ｐ又はｐ’のうちの少な
くとも一つは１以上である。置換アルキル、アリール、
及びアリールアルキル基の適切な置換基の例として、
（以下に限定しないが）ヒドロキシ基、アンモニウム
基、シアノ基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル
基、アルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、
カルボン酸基、カルボニル基、スルフェート基、スルホ
ネート基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン
基、ホスホニウム基、ホスフェート基、シアノ基、ニト
リル基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、スルホン基、アシル基、これらの混合物等が挙
げられ、二つ以上の置換基を結合させて環を形成しても
よい。これらの官能基は、正孔輸送メカニズムに干渉す
べきでない。この材料は、所望の又は適切なプロセスに
よって調製することができる。例えば、低分子量のオリ
ゴマーを、ジ−ｍ−ヒドロキシトリル−ジフェニルビフ
ェニルジアミンと、所望の ”Ａ”基モノマー前駆物質
（例えば、ジフルオロベンゾフェノン等）との炭酸カリ
ウムによる反応で合成でき、任意に引き続きそのオリゴ
マーは所望の方法、例えば、ホスゲン又は１，６−ジイ
ソシアネートヘキサンとの反応によってカプリングされ
る。適切なオリゴマー形成反応の一つの例として、以下
のものが挙げられる。

【０２３８】

【化１６０】

【０２３９】式中、得られたオリゴマーは、カルボニル
”Ａ”基及びジトリル−ジフェニルビフェニルジアミ
ン ”Ｂ”基を有する。引き続く ”Ｃ”基前駆物質との
反応は、ホスゲン結合について以下に例示するように、
オリゴマーを結合してポリマーにする。

【０２４０】

【化１６１】

【０２４１】

【化１６２】

【０２４２】類似の方法によってポリマー鎖に取り込ま
れ得る他の電荷輸送分子としてトリアリールアミン類が
挙げられ、以下の式で示される。

【０２４３】

【化１６３】

【０２４４】式中、Ｘ、Ｙ及びＺはそれぞれ他から独立
して、好ましくは１〜約５０個の炭素原子を有し、より
好ましくは１〜約２０個の炭素原子を有する置換又は非
置換アルキル基（線形、分枝、環状、飽和及び不飽和ア
ルキル基を含む）、好ましくは６〜約２４個の炭素原子
を有する置換又は非置換アリール基、好ましくは７〜約
３０個の炭素原子を有する置換又は非置換アリールアル
キル基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子（例えば、フ
ッ素、塩素、臭素、又はヨウ素）であり、ｍ、ｎ及びｐ
はそれぞれ他から独立して、０、１、２、３、４又は５
等のような整数であり、米国特許第3,240,597 号及び第
3,180,730 号に開示される。置換アルキル、アリール及
びアリールアルキル基の適切な置換基の例として、（以
下に限定しないが）ヒドロキシ基、アンモニウム基、シ
アノ基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、ア
ルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボ
ン酸基、カルボニル基、スルフェート基、スルホネート
基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホ
スホニウム基、ホスフェート基、シアノ基、ニトリル
基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、スルホン基、アシル基、これらの混合物等が挙げら
れ、二つ以上の置換基を結合させて環を形成してもよ
い。

【０２４５】ポリマー鎖に組み込まれ得る他の電荷輸送
分子としてカルバゾール類が挙げられ、例えば、以下の
式で表されるものを含む。

【０２４６】

【化１６４】

【０２４７】式中、Ｘ、Ｙ及びＺはそれぞれ他から独立
して、好ましくは約１〜約５０個の炭素原子を有し、よ
り好ましくは１〜約２０個の炭素原子を有する置換又は
非置換アルキル基（線形、分枝、環状、飽和及び不飽和
アルキル基を含む）、好ましくは６〜約２４個の炭素原
子を有する置換又は非置換アリール基、好ましくは７〜
約３０個の炭素原子を有する置換又は非置換アリールア
ルキル基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子（例えば、
フッ素、塩素、臭素、又はヨウ素）であり、ｎ及びｐは
それぞれ他から独立して、０、１、２、３又は４等のよ
うな整数であり、例えば、米国特許第3,598,582 号に開
示される。置換アルキル、アリール及びアリールアルキ
ル基の適切な置換基の例として、（以下に限定しない
が）ヒドロキシ基、アンモニウム基、シアノ基、ピリジ
ン基、ピリジニウム基、エーテル基、アルデヒド基、ケ
トン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、カルボ
ニル基、スルフェート基、スルホネート基、スルフィド
基、スルホキシド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、
ホスフェート基、シアノ基、ニトリル基、メルカプト
基、ニトロソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホン
基、アシル基、これらの混合物等が挙げられ、二つ以上
の置換基を結合させて環を形成してもよい。

【０２４８】また、受光体の電気伝導性層の接地又は電
気的バイアスへの接続を容易にするために導電性層、ブ
ロッキング層、接着層又は電荷発生層と接触するベルト
の一端に沿った従来の電気伝導性接地片のような他の層
が含まれてもよい。接地片は良く知られており、通常、
膜形成バインダ中に分散された導電性粒子を含む。

【０２４９】耐摩耗性を改良するために、任意に、上塗
り層が利用されてもよい。いくつかの場合には、平坦性
及び／又は耐摩耗性を提供するために光導電性層を支持
する面と反対の基板表面へカール防止バックコーティン
グが塗布されてもよい。これらの上塗り及びカール防止
バックコーティング層は当該技術において良く知られて
おり、電気絶縁性又は僅かに半導性の熱可塑性有機ポリ
マー又は無機ポリマーを含むことができる。上塗りは連
続的であり、一般的に約１０μｍより薄い厚さを有す
る。カール防止バッキング層の厚さは、支持基板層の反
対側の層（単数又は複数）の全体の力と実質的に釣り合
うのに十分でなければならない。全体の力は、全ての層
が乾燥された後にベルトが顕著なカール傾向を示さない
場合に、実質的に釣り合う。例えば、画像形成部材の受
光体側のコーティング厚の大部分が、厚さ約７６μｍの
マイラー基板上の厚さ約２４μｍの主にポリカーボネー
ト樹脂を含む輸送層である電子写真式画像形成部材で
は、約９９重量％のポリカーボネート樹脂と、約１重量
％のポリエステルと、約５〜約２０％のカップリング剤
処理された結晶性粒子と、を含む１３．５μｍ厚のカー
ル防止層を用いれば、十分な力の釣り合いが達成でき
る。カール防止バッキング層の例は、米国特許第4,654,
284 号に記載されている。約７０μｍと約１６０μｍの
間の厚さは、フレキシブル受光体にとって満足できる範
囲である。

【０２５０】また本発明は、ここに開示される光導電性
画像形成部材を用いて画像を発生させる方法も包含す
る。その方法は、本発明の光導電性画像形成部材上に静
電潜像を生成するステップと、潜像を現像するステップ
と、現像された静電画像を基体へ転写するステップと、
を含む。任意に、転写された画像は基体へ永久的に定着
されることができる。画像の現像は、カスケード、タッ
チダウン、パウダー雲、磁気ブラシ等の多数の方法によ
り達成することができる。現像画像の基体への転写は、
コロトロン又はバイアス帯電ロールを使用する方法を含
むどの方法で行ってもよい。定着ステップは、輻射フラ
ッシュ溶融、加熱溶融、加圧溶融、蒸気溶融等の適切な
方法によって実行することができる。紙又は透明材料等
のゼログラフィ複写機及びプリンタで使用される材料
は、基体として使用できる。

【０２５１】

【実施例】［実施例Ｉ］下記の式の分子を以下のように
調製した。

【０２５２】

【化１６５】

【０２５３】Ａ．ｍ−メトキシアセトアニリドの調製

【０２５４】

【化１６６】

【０２５５】メカニカルスターラ、温度計を備えたアル
ゴン注入口及び冷却器を備えた５リットルの三つ口フラ
スコに、ｍ−アニシジン１００６ｇ、氷酢酸７７７．５
ｍｌ、亜鉛末８ｇを入れ、同時にアルゴンをフラスコへ
流した。フラスコの中身を７０℃に加熱し、続いて加熱
マントルを除去し、冷却器を無水酢酸７７７．５ｍｌを
含む追加の添加漏斗に置き換えた。穏やかな還流を維持
するような速度で４０分間にわたって無水酢酸を加え
た。無水酢酸の添加が完了した後、添加漏斗を取り外
し、冷却器に置き換え、続いて加熱マントルに置き換
え、フラスコの中身を１２６℃の温度で加熱して還流し
た。還流をさらに３時間維持した。

【０２５６】その後、４リットルのビーカーに脱イオン
水２．５リットルを入れ、断続的に攪拌しながら、丸底
フラスコの中身の約１／２（およそ１２５０ｍｌ）をゆ
っくりと水に注いだ。攪拌した水の混合物がコンパクト
な固体の粒体を形成するまで、最初の注入速度は低速で
あった。一旦これらの種結晶が形成されると、添加の速
度を上げた。得られた水のスラリーを、ウォーターアス
ピレーターを使用して３リットルの（粗い）フリットガ
ラス製の漏斗で濾過し、続いてろ液を捨てた。次に４リ
ットルのビーカーにさらに脱イオン水２．５リットルを
入れ、丸底フラスコの残りの中身をビーカーに入れ、生
成物を沈殿させ、続いてビーカーの中身を先に濾過した
生成物（ｍ−メトキシアセトアニリド）の上に注いだ。
次にフィルターで収集した固体を脱イオン水１リットル
で洗浄した。

【０２５７】粗いｍ−メトキシアセトアニリドを２ガロ
ンのペールに入れ、脱イオン水４リットル（漏斗の面を
生成物のないように洗浄するのに必要な水を含む）をペ
ールに移した。次に水／アセトアニリド混合物を攪拌
し、１５分間放置し、続いてペールの中身を濾過し、残
留物を脱イオン水１リットルで洗浄した。水／アセトア
ニリド混合物を３０分間放置し、続いて濾過し、脱イオ
ン水１リットルで洗浄したこと以外、この洗浄手順を繰
り返した。ｍ−メトキシアセトアニリドを含むフリット
ガラス漏斗をさらに２時間ウォーターアスピレーターに
接続したままにし、余分な水を取り除いた。

【０２５８】次にｍ−メトキシアセトアニリドを含むフ
リットガラス漏斗を、漏斗から落下するアセトアニリド
をつかまえるよう、下にアルミ箔を敷いて乾燥オーブン
に置いた。ウォーターアスピレーターを使用して真空を
形成し、乾燥温度５０℃を３日間維持した。次に乾燥し
たｍ−メトキシアセトアニリドをオーブンから取り出し
た。きつい酢酸臭のする灰色の粒状固体生成物をポリエ
チレン瓶の中に入れた。ＭＰ：８０℃、収量１０９５ｇ
（８１％） Ｂ．ｍ−メトキシジフェニルアミンの調製

【０２５９】

【化１６７】

【０２６０】メカニカルスターラ、温度計を備えたアル
ゴン注入口及び冷却器（ディーンスタークトラップ(Dea
n-Stark trap) ）を備えた５リットルの三つ口丸底フラ
スコに、ｍ−メトキシアセトアニリド９９０ｇ、ヨード
ベンゼン１５９９．４ｇ、及びブロンズ銅３３０ｇを入
れ、同時にアルゴンをフラスコに導入した。次にフラス
コの中身を７０℃に加熱した。攪拌しながら、炭酸カリ
ウム１５７３ｇを反応フラスコに加えた。次に、反応混
合物を１８０℃に加熱した。反応の最初の６時間の間に
ディーンスタークトラップを２回空にした。トラップか
らのヨードベンゼンを反応フラスコに戻した。反応を一
晩１８０℃で維持した。反応時間２２時間で、ＨＰＬＣ
の読み（流速：０．５ｍｌ／分）は、アセトアニリド２
３％（３３５秒）、生成物７５％（３７０秒）、及びヨ
ードベンゼン１３％（４７１秒）の割合を示した。次に
温度を２００℃に上げ、さらに６時間反応させ、その
後、ＨＰＬＣの読みはアセトアニリド５％、生成物８７
％及びヨードベンゼン８％の割合を示した。加熱源を切
り、１時間後、メカニカルスターラを止め、続いて反応
混合物を一晩放置した。その後、（２−プロパノールで
絶対変性した）エタノール１５００ｍｌを加え、フラス
コを加熱してゆっくりと還流した。反応フラスコの中身
を、ガラスファイバフィルターパッドを使用する１２．
５ｃｍの磁製フィルターで４リットルのフィルターフラ
スコに濾過した。フラスコに残った固体を熱したエタノ
ール４００ｍｌ部づつで二回洗浄した。ろ液の体積を減
少させた。 Ｃ．ｍ−メトキシジフェニルアミンの加水分解

【０２６１】

【化１６８】

【０２６２】ステップＢで調製したｍ−メトキシジフェ
ニルアミンろ液を、３インチの磁気攪拌棒を含む４リッ
トルの三角フラスコに入れた。フラスコを加熱し、攪拌
を始め、続いて水酸化カリウムフレーク５９６ｇ及び脱
イオン水５３２ｍｌを加えた。加熱を、ゆっくりした還
流で３時間続けた。熱い溶液を、ファイバガラスフィル
ターパッドを有する１２．５ｃｍの磁製フィルター漏斗
を通し４リットルのフィルターフラスコに注いだ。次
に、フラスコをエタノールでリンス洗浄し、マグネティ
ックスターラーで黒ずんだ溶液を攪拌し、脱イオン水１
リットルを加えた。フラスコの中身を室温で一晩攪拌し
た。アミン生成物は一晩で結晶化し、この結晶を２リッ
トルのフリットガラスフィルター漏斗を使用して濾過し
た。黄褐色の固体を、エタノールと脱イオン水の５０／
５０の混合物５００ｍｌで洗浄し、続いて脱イオン水５
００ｍｌで洗浄し、続いてさらにエタノールと脱イオン
水との５０／５０の混合物５００ｍｌで洗浄した。アス
ピレーターを使用して余分な液体を吸い取った。

【０２６３】このようにして得た固体を、２リットルの
一首丸底フラスコに入れ、加熱してアミンを溶解し、体
積を減少させた。次に、このアミンを冷却し、固化さ
せ、続いて余分な水をデカントし、卵形の攪拌棒を追加
し、蒸留した。蒸留装置をアスピレーター真空下で加熱
し、エタノール、水、及びヨードベンゼンの初留を取り
除いた。還流温度が１２０℃に達したとき、アスピレー
ター真空の代わりに機械的真空ポンプを使用した。初留
として、蒸留物を５ｍｍで１６０℃まで収集した。残り
の蒸留物を生成物として収集した。融点が比較的高い
（８０〜８１℃）ため、蒸気コンデンサーを使用した。
淡い黄色の液体として、生成物を収集し、この生成物は
冷却すると無色の固体として固化した。収率：７０％。 Ｄ．ｍ−ジメトキシトリル−ジフェニルビフェニルジア
ミンの調製

【０２６４】

【化１６９】

【０２６５】メカニカルスターラ、温度計を備えたアル
ゴン注入口及び冷却器を備えた５リットルの三つ口丸底
フラスコに、イソパールＬ(Isopar(登録名）L)イソパラ
フィンハイドロカーボン５００ｍｌ、ｍ−メトキシジフ
ェニルアミン５００ｇ、４，４’−ジヨードビフェニル
４０４ｇ、及びブロンズ銅２００ｇを入れ、この間アル
ゴンを、２５ｍｌ／分の速度で装置に流した。次に、反
応容器を７０℃に加熱し、その後、無水炭酸カリウム５
５２ｇを攪拌しながら加えた。次に、反応容器を、２４
時間、約１８０〜約２００℃の温度に維持した。２時間
後、ＨＰＬＣサンプルの読みは、ジヨードビフェニル３
０％（４１８秒）、中間体４０％（４８０秒）、及び生
成物３０％（５２６秒）の割合を示した。２４時間後、
ＨＰＬＣサンプルの読みは、ジヨードビフェニル０％、
中間体５％、及び生成物９５％を示した。次に、反応混
合物を８０℃に冷却し、２−プロパノール１リットルを
加え、１５分間攪拌した。反応混合物を一晩室温で放置
した。その後、２−プロパノール層をデカントし、余分
なメトキシジフェニルアミンの回収のために取っておい
た。次に、トルエン（１リットル）を反応混合物に加
え、加熱して還流した。還流の蒸気温度が９５℃を越え
るまで、残留２−プロパノールを反応フラスコから逃が
した。熱した溶液を、ファイバガラスフィルターパッド
を備えた１５ｃｍの磁製フィルター漏斗で濾過した。ろ
液を２リットルのフィルターフラスコに収集した。ろ液
が無色になるまで、トルエンを用いた何回かの洗浄を行
った。ろ液は明るい茶色であった。ろ液の体積は、回転
蒸発器によって約１リットルに減少した。直径５ｃｍ、
長さ１５０ｃｍのクロマトグラフィーカラムの底にガラ
スウール約１カップを置き、このカラムにトルエン１．
５リットルを加えることによって、浄化を実施した。カ
ラムの上に漏斗を置き、ボエム(Woelm) 中性アルミナ
１．５ｋｇを加えた。液体がアルミナベッドに達するま
で、トルエンを溶出させた。続いて、生成物のトルエン
溶液１リットルをカラムに加え、トルエンで溶出させ
た。カラムによる生成物の進行は遅く（約４時間）、波
長の長いＵＶランプで監視した。溶出液約５リットルを
収集し、回転蒸発器でトルエンを取り除いた。残った黄
色い粘性のあるオイルに、イソパール(Isopar:登録名）
Ｌ１リットルを加え、さらに卵形攪拌棒を追加した。フ
ラスコを加熱マントルに置き、磁気攪拌プレート上に置
き、攪拌しながら１５０℃に加熱した。この加熱ステッ
プ中、フラスコの中身を２５ｍｌ／分の速度でアルゴン
でガスシールし、トルエン蒸気を逃がした。１時間後、
ボエム中性アルミナ５０ｇをフラスコに加え、一晩攪拌
した。続いて、２リットルのフィルターフラスコ及び予
熱した９．０ｃｍの磁製フィルター漏斗を使用して、黒
ずんだアルミナを淡黄色のイソパールＬ溶液から濾過し
た。フラスコを冷却すると、生成物は、黄色いオイルと
して沈殿した。次に、得られた粘性のあるオイルをジエ
チルエーテル１リットル中で溶解し、マグネティックス
ターラで一晩攪拌した。生成した微細な沈殿物を６００
ｍｌのフリットガラス漏斗（中型）に収集し、真空オー
ブン中で４０℃で乾燥させた。収率：７０〜９０％、Ｍ
Ｐ：１２０〜１２５℃。 Ｅ．ｍ−ジヒドロキシトリル−ジフェニルビフェニルジ
アミンの調製

【０２６６】

【化１７０】

【０２６７】メカニカルスターラ、温度計を備えたアル
ゴン注入口及び冷却器を備えた１リットルの三つ口丸底
フラスコに、ｍ−ジメトキシＴＢＤ１３７．５ｇ、無水
ヨウ化ナトリウム２２３．５ｇ、温かいスルホラン５０
０ｍｌを加え、この間２５ｍｌ／分の速度でこのシステ
ムにアルゴンを流した。中身を攪拌し、冷却器を取り除
いて１２０℃に加熱し、１５分間１２０℃を維持した。
次に中身を７０℃に冷却した。冷却器及びクライゼンア
ダプター(Claisen adapter) に組み付けられた追加の漏
斗を装置に追加し、追加の漏斗にトリメチルクロロシラ
ン１９０．５ｍｌを入れ、ガラスストッパーで密封し
た。トリメチルクロロシランを３０分間にわたって滴状
で加え、丸底フラスコ上の加熱マントルを調節して６０
〜６５℃でゆっくりとした還流を維持した。添加の開始
から反応を計測した。１時間でＨＰＬＣサンプルを取り
出し、初期含水率を決定したが、ジメトキシＴＢＤの割
合は５０〜８０％であった。脱イオン水１ｍｌを加え、
反応をさらに６時間進行させた。第２ＨＰＬＣサンプル
測定は、ジフェノール５０％（２８０秒）、中間体４０
％（３６５秒）及びジメトキシＴＢＤ１０％（５３５
秒）を示し、副生物は３３５秒にでた。続いて脱イオン
水１ｍｌを加え、混合物を一晩６５〜７５℃で攪拌し
た。その後、第３ＨＰＬＣサンプル測定は、ジフェノー
ル９０％、中間体１０％、及びジメトキシＴＢＤ０％を
示した。次に、脱イオン水１ｍｌ及び無水ヨウ化ナトリ
ウム３７．５ｇを混合物に加えた。４時間後、反応が終
了し、中間体は検出されなかった。

【０２６８】反応容器の中身を、脱イオン水１５００ｍ
ｌを含む３リットルの三角フラスコに注いだ。生成物
は、粘性のあるオイルとして沈殿した。水をデンカント
し、残留物を蒸気浴で加熱したアセトン５００ｍｌ中に
溶解した。赤い溶液を脱イオン水２リットルで希釈し
た。第２沈殿物は第１沈殿物よりも固かった。懸濁生成
物があるために、水の層は濁っていた。フラスコを約５
０℃に加熱して水の層を澄ませた。その後、フラスコを
室温に冷却し、水の層をデカントした。残留物をトルエ
ン８００ｍｌ中に溶解し、続いて無水硫酸マグネシウム
を加え、残った水を吸収させた。溶液を、濾紙を有する
磁製フィルターで濾過し、回転蒸発器でトルエンを取り
除いた。

【０２６９】残留物をピリジン５００ｍｌ中に溶解し、
アルゴン注入口及びメカニカルスターラを備えた２リッ
トルの三つ口丸底フラスコに移した。アセンブリをアル
ゴンでパージし、フラスコを氷浴で冷却し、続いて塩化
アセチル５８．５ｇを、均圧添加漏斗で滴状に加えた。
中間沈殿物が形成された。この混合物を一晩攪拌した。
その後、赤い混合物を、脱イオン水２リットルを含む三
角フラスコに注いだ。水の層をデカントし、油性残留物
をアセトン５００ｍｌ中に溶解し、続いて脱イオン水２
リットルを加えた。濁った水の層を、水浴で温めること
によって澄ませた。次に、フラスコを室温に冷却し、水
の層をデカントした。赤い残留物をトルエン５００ｍｌ
中に溶解し、無水硫酸マグネシウムを加え、残った水を
取り除いた。

【０２７０】直径３ｃｍ、長さ１００ｃｍのカラムのベ
ースにガラスウール約１／２カップを置いてクロマトグ
ラフィーカラムを準備した。カラムをトルエンで充填し
た。カラムの上に漏斗を置き、フロリシル(Florisil)
（６０〜１００メッシュ）３００ｇを加えた。コックに
よって十分な溶離液を取り除き、溶媒のレベルを吸収層
に下げた。続いて、トルエン溶液をカラムに加えた。溶
液がカラムに入った後、トルエンで溶離した。生成物の
カラムを通る進行を長い波長のＵＶランプで監視した。
溶離液（約２リットル）を収集し、トルエンを回転蒸発
器で取り除いた。収集フラスコ中の粘性のある生成物を
真空ポンプに接続し、トルエンの最後の痕跡も取り除い
た。真空乾燥したアセテート生成物をフラスコから取り
出し、真空オーブンで一晩乾燥させた。収率：８０％。

【０２７１】メカニカルスターラ及びアルゴン注入口を
備えた１リットルの三つ口丸底フラスコに、このように
調製したアセテート生成物（６０．４ｇ）を入れた。フ
ラスコをアルゴンでパージし、続いてテトラヒドロフラ
ン１５０ｍｌを加え、アセテートが溶解するまで攪拌し
た。その後、混合物をエタノール１００ｍｌで薄めた。
次にフラスコを氷浴で冷却した。均圧添加漏斗を使用し
て、水酸化カリウムフレーク１１．４ｇの脱イオン水７
０ｍｌ溶液を滴状に加えた。添加の後、オレンジ−赤色
の溶液を１時間攪拌した。均圧漏斗を使用して、氷酢酸
１２．４ｇの脱イオン水７０ｍｌ溶液を滴状に加えた。
酸の添加の後、脱イオン水４００ｍｌをフラスコに加え
た。得られた固体沈殿物をフリットガラス漏斗に収集
し、脱イオン水で洗浄し、真空乾燥させた。乾燥したジ
フェノールをジエチルエーテル３００ｍｌ中に溶解し
た。赤紫色の溶液をマグネティックスターラで攪拌し、
アルゴンでパージした。その後、フロリシル(Florisil)
２０ｇを加え、溶液を２時間攪拌した。得られた無色の
溶液を濾過し、エーテルを回転蒸発器で除いた。次に淡
黄色のジフェノールオイルに、アセトン２００ｍｌを加
えた。溶解の後、淡黄色の溶液をヘプタン３００ｍｌで
薄めた。回転蒸発器によってゆっくりとアセトンを除
き、ヘプタンに懸濁する白い粉を得た。ジフェノール生
成物を濾過し、真空乾燥させた。収率：８０％、ＭＰ：
１１３〜１１７℃。 ［実施例ＩＩ］下記の式のポリアリーレンケトン（以下
ポリ（４−ＦＰＫ−ＤＨＴＢＤ）と称する）を以下のよ
うに調製した。

【０２７２】

【化１７１】

【０２７３】式中、ｎは１２８である。ディーンスター
ク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルスター
ラ、アルゴン注入口、及びストッパーを備えた５００ｍ
ｌの三つ口丸底フラスコを、シリコーンオイルバスに置
いた。４，４’−ジフルオロベンゾフェノン（４．２６
ｇ）、ｍ−ジヒドロキシトリル−ジフェニルビフェニル
ジアミン（ＤＨＴＢＤ、１０ｇ）、炭酸カリウム（６．
６ｇ）、無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（３０ｍ
ｌ）及びトルエン（５．２ｍｌ）をフラスコに入れ、１
７５℃（オイルバス温度）に加熱し、その間揮発性トル
エン成分を収集し、除いた。攪拌を続けながら１７５℃
で４時間加熱した後、反応混合物を２５℃に冷却した。
反応混合物を塩化メチレン２５０ｇと共に攪拌し、濾過
して炭酸カリウムを取り除き、メタノール（１ガロン）
に沈殿させた。沈殿物を濾過によって収集し、水２．５
ガロンで洗浄し、メタノール１ガロンで洗浄した。濾過
及び真空乾燥後、ポリマー（ポリ−（４−ＦＰＫ−ＤＨ
ＴＢＤ））を収率８０％で分離した。ＧＰＣ分析は以下
の通りであった。Ｍ_n ：９０，０００、Ｍ_w ：２３５，
０００。反応で使用した化学量論の結果、このポリマー
はＤＨＴＢＤ基から誘導された末端基を有するものとさ
れた。固形分１０％で塩化メチレンに溶解したポリマー
を、ウォーリングブレンダー(Warning blender) を使用
して、メタノール（１ガロン）に加え、ポリマーを再沈
殿させた。濾過によってポリマーを分離し、真空乾燥さ
せた。この材料を、受光体の輸送層として使用し、実施
例ＶＩＩで述べるように評価した。 ［実施例ＩＩＩ］下記の式のポリアリーレンエーテル
（以下ポリ（４−ＤＦＢＰ−ＤＨＴＢＤ）と称する）を
以下のように調製した。

【０２７４】

【化１７２】

【０２７５】式中、ｎは約１２０である。ディーンスタ
ーク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルスター
ラ、アルゴン注入口及びストッパーを備えた５００ｍｌ
の三つ口丸底フラスコを、シリコーンオイルバスに置い
た。４，４’−デカフルオロビフェニル（５ｇ）、ｍ−
ジヒドロキシトリル−ジフェニルビフェニルジアミン
（ＤＨＴＢＤ、５．２ｇ）、炭酸カリウム（１２．３
ｇ）及び無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（７５ｍ
ｌ）をフラスコに加え、連続的に攪拌しながら１５０℃
（オイルバス温度）で４時間加熱した。次に反応混合物
を２５℃に冷却した。反応混合物を、テトラヒドロフラ
ン２５０ｇを加えて攪拌し、濾過して炭酸カリウムを取
り除き、回転蒸発器を使用して濃縮し、次にメタノール
（１ガロン）中に沈殿させた。沈殿物を濾過によって収
集し、水２．５ガロンで洗浄し、メタノール１ガロンで
洗浄した。濾過及び真空乾燥の後、ポリマー（ポリ（４
−ＦＰＫ−ＤＨＴＢＤ））を収率８０％で分離した。反
応で使用した化学量論の結果、このポリマーはＤＨＴＢ
Ｄ基から誘導した末端基を有するものとした。固形分１
０％でテトラヒドロフランに溶解したポリマーを、ウォ
ーリングブレンダーを使用してメタノールに加え、ポリ
マーを再沈殿させた。ポリマーを濾過によって分離し、
真空乾燥させた。この材料を受光体の輸送層として使用
し、実施例ＶＩＩで述べるように評価した。 ［実施例ＩＶ］バインダ発生体層の調製 ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料粒子を含む幾つ
かの発生体層は、ポリエチレンテレフタレート膜上に真
空蒸着チタン層を含む基板の上に、従来のコーティング
技法を用いてコーティングを形成することによって調製
された。第１コーティングは、厚さ０．００５μｍ（５
０Å）の加水分解ガンマ−アミノプロピルトリエトキシ
シランから形成されたシロキサン障壁層であった。この
膜は次のように被覆された。３−アミノプロピルトリエ
トキシシランは１：５０の体積比でエタノール中に混合
された。得られた溶液の膜は、マルチクリアランスフィ
ルム塗布器により湿潤な厚さが０．５ミルで基板へ塗布
された。次に障壁層は室温で５分間乾燥された後、強制
エアオーブン中１１０℃で１０分間硬化された。第２コ
ーティングは厚さ０．００５μｍ（５０Å）のポリエス
テル樹脂の接着層であり、次のように被覆された。０．
５ｇの４９，０００ポリエステル樹脂は、７０ｇのテト
ラヒドロフラン及び２９．５ｇのシクロヘキサノン中に
溶解された。得られた溶液の膜は０．５ミルのバーによ
り障壁層上へ被覆され、強制エアオーブン中で１０分間
硬化された。接着界面層は、その後、４０体積％のヒド
ロキシガリウムフタロシアニン及び６０体積％のスチレ
ン（８２％）／４−ビニルピリジン（１８％）ブロック
共重合体（Ｍ_w は１１，９００）を含む光発生層で被覆
された。この光発生コーティング組成物は、１．５ｇの
スチレン／４−ビニルピリジンブロック共重合体を４２
ｍｌのトルエン中に溶解することによって調製された。
１．３３ｇのヒドロキシガリウムフタロシアニン及び３
００ｇの１／８インチ直径のステンレス鋼ショットがこ
の溶液へ添加された。次にこの混合物は、ロールミル上
に２０時間配置された。得られたスラリーはその後バー
ド・バー塗布器を用いて接着層へ塗布され、湿潤な厚さ
が０．２５ミルの層を形成した。この光発生層は強制エ
アオーブン中１３５℃で５分間乾燥され、乾燥した厚さ
が０．４μｍの層を形成した。 ［実施例Ｖ］マクロロン（Makrolon：登録名）制御の輸送層の調製 電荷輸送層を、実施例ＩＶで述べたように調製した画像
形成部材のヒドロキシガリウムフタロシアニン発生層の
上にコーティングした。バード(Bird)塗布機を使用し
て、塩化メチレン溶媒１１．５ｇ中に溶解したＮ，Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニ
ル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン
（ＴＢＤ）１ｇと、ポリカーボネート樹脂［ポリ（４，
４’−イソプロピリデン−ジフェニレンカーボネート１
ｇを含有する溶液を塗布することによって、輸送層を形
成した。Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−
メチル−フェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミンは、電気的に活性な芳香族ジアミン電荷
輸送小型分子であり、ポリカーボネート樹脂は電気的に
不活性なフィルム形成バインダである。コーティングし
たデバイスを、強制空気オーブン中で８０℃で３０分間
乾燥させて乾燥した２５μｍ厚の電荷輸送層を形成し
た。 ［実施例ＶＩ（ａ）］実施例ＩＩのポリマーによる電荷輸送層の調製 実施例Ｖに述べたように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上に、電荷輸送層
をコーティングした。バード塗布機を使用して、実施例
ＩＩのポリマー２ｇを塩化メチレン１１．２２ｇに溶か
した溶液を塗布することによって、輸送層を形成した。
コーティングしたデバイスを、強制空気オーブン中で８
０℃で０．５時間乾燥させて乾燥した２５μｍ厚の電荷
輸送層を形成した。同じプロセスによって、実施例ＩＩ
Ｉのポリマーを用いてデバイスを形成した。 ［実施例ＶＩ（ｂ）］実施例ＩＩのポリマー＋ＴＢＤによる電荷輸送層の調製 実施例Ｖで述べたように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上に、電荷輸送層
を形成した。バード塗布機を使用して、実施例ＩＩのポ
リマー１．２ｇとＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−メチル−フェニル）−（１，１’−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミン（ＴＢＤ）１．２ｇを塩化メ
チレン１３．５ｇに溶かした溶液を塗布することによっ
て輸送層を形成した。コーティングしたデバイスを、強
制空気オーブン中で、８０℃で０．５時間乾燥させて乾
燥した２５μｍ厚の電荷輸送層を形成した。同じプロセ
スによって、実施例ＩＩＩのポリマー及びＮ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）−
（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＢ
Ｄ）を用いてデバイスを形成した。 ［実施例ＶＩ（ｃ）］実施例ＩＩのポリマー＋ＴＢＤによる電荷輸送層の調製 実施例Ｖで述べたように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上に、電荷輸送層
をコーティングした。バード塗布機を使用して、実施例
ＩＩのポリマー１．２ｇとＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）−（１，１’−ビ
フェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＢＤ）１．２ｇを
テトラヒドロフラン１３．５ｇに溶解した溶液を塗布す
ることによって、輸送層を形成した。コーティングした
デバイスを、強制空気オーブン中で８０℃で０．５時間
乾燥させて乾燥した２５μｍ厚の電荷輸送層を形成し
た。 ［実施例ＶＩＩ］実施例ＶＩで述べたように調製し、実
施例ＩＩ及びＩＩＩのポリマーを含有する画像形成部材
を、二つの異なる試験装置で試験した。フラットプレー
トスキャナと称される第１の試験装置では、コロトロン
の下を横断する厚いアルミニウムプレート及び電圧測定
プローブを含み、フィルムが測定され露光されるワイヤ
ループを含むフラットプレートスキャナの上に画像形成
部材を取り付けた。ワイヤループプローブを電圧計及び
チャート記録装置に接続した。実施例ＩＩのポリマーを
含む実施例ＶＩ（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の画像形成部
材を、フラットプレート試験装置で測定し、その結果を
以下の表に示す。Ｖ_o は帯電直後の電位であり、Ｖ_ddp
は１秒後の電位であり、Ｖ_r は１５エルグ／ｃｍ² の露
光後の残留電位である。

【０２７６】

【表１】

【０２７７】第２試験装置では、画像形成部材を、軸を
中心に回転する円筒形アルミニウムドラムに取り付け
た。ドラムの円周に沿って取り付けたコロトロンによっ
て、フィルムを帯電した。軸の周りの異なる位置に配置
される幾つかの容量結合プローブによって、時間の関数
として表面電位を測定した。公知の電位をドラム基体に
印加することによって、プローブを較正した。次に、ド
ラムの周りの適切な位置に配置した光源によってドラム
上のフィルムを露光し、消去した。測定は、一定の電流
又は電圧モードで光導電体装置を帯電することからなっ
た。ドラムが回転し、初期帯電電位をプローブ１によっ
て測定した。さらなる回転によって露光ステーションに
到達し、ここで光導電体装置は強度の判ったモノクロマ
チック放射に露光された。プローブ２及び３によって露
光後の表面電位を測定した。この装置を、適切な強度の
消去ランプで最終的に露光し、プローブ４によって残留
電位を測定した。次のサイクル中に露光の強度を自動的
に変えてこのプロセスを繰り返した。露光の関数として
プローブ２及び３の電位をプロットすることによって、
光誘導放電特性曲線を得た。放電曲線の最初の傾斜を
（ｖ×ｃｍ² ／エルグ）を単位とするＳと称し、消去ス
テップ後の残留電位をＶ_r と称した。この装置で帯電、
露光及び消去ステップのサイクルを１００００回連続
し、サイクル安定性を決定した。輸送層の電荷トラッピ
ングによって、サイクルアップ(cycle-up)として公知の
残留電位のビルドアップ(build-up)が起こった。実施例
ＩＩＩのポリマーを含む実施例ＶＩ（ａ）及び（ｂ）の
画像形成部材をドラムスキャナ試験装置で試験し、その
結果を以下の表に示す。Ｓは光誘導放電特性（ＰＩＤ
Ｃ）の初期傾斜であり、装置の感度の測定値である。サ
イクルアップは、１００００サイクルの連続動作におけ
る残留電位の増分である。残留サイクルアップの数値が
負であるのは、装置を循環させた場合に発生層の顔料の
感度が増大するためである。

【０２７８】

【表２】

【０２７９】［実施例ＶＩＩＩ］イソパラフィンハイド
ロカーボン（典型的には、液体現像剤の液体ビヒクルと
して使用する）に対する実施例ＩＩ及びＩＩＩのポリマ
ーの抵抗性を以下のように試験した。画像形成部材をイ
ソパール（登録名）イソパラフィンハイドロカーボンに
浸し、続いて相分離及び割れを視覚的に観察した。実施
例ＩＩ及びＩＩＩのポリマーを含む実施例ＶＩ（ａ）に
述べたように調製した画像形成部材は、数時間イソパー
ルにさらした後も無傷のままであり、一方、マクロロン
（登録名）ポリカーボネート樹脂にＮ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）−（１，
１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＢＤ）の
輸送層を含む実施例Ｖの画像形成部材の輸送層は相分離
を起こし、白くなり（ＴＢＤの結晶化を示す）、割れを
起こし、イソパール（登録名）にさらすと最終的に層剥
離を起こした。 ［実施例ＩＸ］下記の式のポリアリーレンエーテルスル
ホンを以下のように調製した。

【０２８０】

【化１７３】

【０２８１】式中、ｎは約７２である。ディーンスター
ク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルスター
ラ、アルゴン注入口及びストッパーを備えた５００ｍｌ
の三つ口丸底フラスコを、オイルバスに置いた。４，
４’−ジフルオロフェニルスルホン（４．９２ｇ）、ｍ
−ジヒドロキシトリル−ジフェニルビフェニルジアミン
（ＤＨＴＢＤ、１０ｇ）、炭酸カリウム（７ｇ）、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド（５０ｍｌ）及びトルエン
（１５ｍｌ）をフラスコに加え、１７５℃（オイルバス
温度）に加熱し、この間揮発性トルエンを収集し、除い
た。連続して攪拌しながら１７５℃で４時間加熱した
後、反応混合物を２５℃に冷却した。反応混合物をウォ
ーリングブレンダーを使用してメタノール（１ガロン）
に加えた。濾過によって沈殿物を収集し、真空乾燥させ
た。その後、ポリマーを塩化メチレンに加え、メタノー
ルに再沈殿させ、濾過し、真空乾燥させて、ゲル浸透ク
ロマトグラフィーで決定した重量平均分子量１３０，０
００、数平均分子量５２，５００のポリマー１０ｇを得
た。

【０２８２】このように調製したポリマー（１．２ｇ）
を塩化メチレン（１３．５ｇ）と混合し、４ミルのバー
ド塗布機を用いて、１５．４μｍ厚の層として、実施例
Ｖで述べたように調製した画像形成部材からなるヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層上にコーティングし
た。乾燥の後、画像形成部材は以下の特性を示した。Ｖ
_o ＝６００Ｖ、Ｖ_{1sec.dark decay} ＝４０Ｖ、Ｖ_r ＝２
４０Ｖ。

【０２８３】このように調製したポリマー（１．２ｇ）
をテトラヒドロフラン（１３．５ｇ）と混合し、４ミル
のバード塗布機を用いて、１３．５μｍ厚の層として、
実施例Ｖで述べたように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上にコーティング
した。乾燥の後、画像形成部材は以下の特性を示した。
Ｖ_o ＝１，１００Ｖ、Ｖ_{1sec.dark decay} ＝３４０Ｖ、
Ｖ_r ＝２８０Ｖ。

【０２８４】ポリマー１，２ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）−（１，
１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン１．２ｇと塩
化メチレン１３．５ｇを混合して溶液を調製し、４ミル
のバード塗布機を用いて、３１．９μｍ厚の層として、
実施例Ｖで述べたように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上にコーティング
した。乾燥の後、画像形成部材は以下の特性を示した。
Ｖ_o ＝１，１１０Ｖ、Ｖ_{1sec.dark decay} ＝５０Ｖ、Ｖ
_r ＝５０Ｖ。

【０２８５】４，４’−ジフルオロフェニルスルホンの
代わりに、４，４’−ジクロロフェニルスルホン（５．
５５ｇ）を使用したことを除いて、ポリマー合成を繰り
返した。ポリマーの収量は６ｇであり、重量平均分子量
１２，０００、数平均分子量５，０００であった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【図２】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【図３】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【図４】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【符号の説明】

１、２１、３１、４１ 導電性基板 ２、２８、３７ａ、４２ 光発生化合物 ３、２７、３７、４３ 光発生層 ４、２９、３７ｂ、４４ 樹脂バインダ組成物 ５、２３、３９ 電荷輸送層 ９、２５、３９ｂ 電荷輸送ポリマー ３３ 金属酸化物層 ３５ 接着層 ３６ カール防止バッキング層 ３８ 保護上塗り層

フロントページの続き (72)発明者 レオン エー． チュースチャー アメリカ合衆国 14221 ニューヨーク州 ウィリアムズビル フランクホーザー ロード 94 (72)発明者 ダモダー エム．パイ アメリカ合衆国 14450 ニューヨーク州 フェアポート シャグバーク ウェイ 72 (72)発明者 ジョン エフ．ヤヌス アメリカ合衆国 14580 ニューヨーク州 ウェブスター リトル バードフィール ド ロード 924

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基板、光発生材料、及び下記の式
   のポリマーを含む画像形成部材。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは下記の式又はこ
   れらの混合物であり、 【化８】 【化９】 【化１０】 Ｂは、下記の式又はこれらの混合物であり、 【化１１】 【化１２】 【化１３】 式中、ｖは１〜約２０の整数であり、 【化１４】 式中、ｔは１〜約２０の整数であり、 【化１５】 式中、ｚは２〜約２０の整数であり、 【化１６】 式中、ｕは１〜約２０の整数であり、 【化１７】 式中、ｗは１〜約２０の整数であり、 【化１８】 【化１９】 【化２０】 式中、（１）Ｚは下記の式であり、 【化２１】 【化２２】 式中、ｐは０又は１であり、（２）Ａｒは下記の式であ
   り、 【化２３】 【化２４】 （３）Ｇは約２〜約１０個の炭素原子を含むアルキル又
   はイソアルキル基から選択したアルキル基であり、
   （４）Ａｒ’は下記の式であり、 【化２５】 （５）Ｘは下記の式であり、 【化２６】 【化２７】 式中、ｓは０、１又は２であり、 【化２８】 （６）ｑは０又は１であり、 ”Ｂ”基の少なくとも幾
   つかは下記の式であり、 【化２９】 Ｃは下記の式又はこれらの混合物であり、 【化３０】 【化３１】 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル
   基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰り返し単位
   の数を表す整数である。
2. 【請求項２】 導電性基板、光発生材料及び下記の式の
   ポリマーを含む画像形成部材。 【化３２】 式中、（１）ｎは繰り返し単位の数を表す整数であり、
   （２）Ｚは下記の式であり、 【化３３】 式中、ｐは０又は１であり、（３）Ａｒは下記の式であ
   り、 【化３４】 【化３５】 （４）Ｒは約２〜１０個の炭素原子を含むアルキル又は
   イソアルキル基から選択したアルキル基であり、（５）
   Ａｒ’は下記の式であり、 【化３６】 （６）Ｘは下記の式であり、 【化３７】 【化３８】 式中、ｓは０、１又は２であり、 【化３９】 （７）ｍは０又は１であり、（８）Ｙは下記の式であ
   り、 【化４０】 【化４１】 式中、ｘは０又は１であり、Ａは下記の式又はこれらの
   混合物である。 【化４２】 【化４３】