JPH11223955A - 画像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画像形成部材で使用される高分子バインダの
諸特性を改良する。 【解決手段】 導電性基板１と、光発生材料２と、電荷
輸送材料７と、高分子バインダ４及び９と、を備えた画
像形成部材。高分子バインダは、ポリカーボネートと、
例えば次式で示される第２ポリマーと、を含む。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は改良された感光性画
像形成部材に関する。更に詳細には、本発明は改良され
た高分子バインダを含む感光性画像形成部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】特開昭６３−２４７７５７は、導電性支
持体上に積層された光導電性層が、電荷発生物質及び／
又は電荷輸送物質と、以下の一般式（Ｉ）及び（II）で
表すことのできる構造単位から成る少なくとも１つのポ
リエーテルケトンポリマーと、を含む本体から成る電子
写真式感光体を開示する。

【０００３】

【化１７】

【０００４】式中、ｍは０又は１であり、Ａｒは以下の
式

【０００５】

【化１８】

【０００６】式中、Ｒはアルキル基、ｎは０、１又は２
であり、Ｘは次式のものを示す。

【０００７】

【化１９】

【０００８】Ｒ′及びＲ″は、それぞれ独立的に−Ｈ、
−ＣＨ₃ 、−Ｃ₂ Ｈ₅ 及び

【０００９】

【化２０】

【００１０】を示す。

【００１１】ここで、一般式（Ｉ）で表されるポリマー
の構造単位の割合は０．１乃至１．０であり、一般式
（II）で表されるポリマーの構造単位の割合は０乃至
０．９である。

【００１２】米国特許第５、３３６、５７７号は、電荷
発生及び電荷輸送が同時に可能な光応答性装置上の厚い
有機両極性（ambipolar)層を開示する。特に、有機光応
答性層は、フルオレニリデンマロニトリル誘導体等の電
子輸送材料と、ジヒドロキシテトラフェニルベンズアジ
ン含有ポリマー等の正孔輸送材料と、を含む。これらは
光応答性を提供するために錯体化されることができ、光
応答性の顔料又は染料が含有されることもできる。

【００１３】米国特許第４、８０１、５１７号は、静電
複写式画像形成部材と画像形成部材を用いるための電子
写真式画像形成プロセスとを開示し、画像形成部材は基
板及び少なくとも１つの導電性層を備える。該画像形成
部材は、次式で表される高分子アリールアミン化合物を
含む。

【００１４】

【化２１】

【００１５】ここで、ｎは約５と５，０００の間であ
り、ｍは０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮
合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選
択される。Ｒはある特定のアルキル基から選択され、Ａ
ｒ′はある特定の芳香族基から選択される。Ｒ′及び
Ｒ″はある特定のアルキレン基から独立的に選択され
る。

【００１６】米国特許第４、８０６、４４３号は、静電
複写式画像形成部材と画像形成部材を用いるための電子
写真式画像形成プロセスとを開示し、該画像形成部材は
基板及び導電性層を備える。該画像形成部材は、次式で
表される高分子アクリルアミン化合物を含む。

【００１７】

【化２２】

【００１８】ここで、ｎは５と約５，０００の間、ｍは
０又は１、ｙは１、２又は３である。Ｚはある特定の芳
香族及び縮合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香
族基から選択され、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選
択される。Ｘ′は、２乃至１０個の炭素原子を含むアル
キレン及びイソアルキレン基から成る群より選択される
アルキレンラジカルである。画像形成部材は基板、電荷
発生層、及び電荷輸送層を含むことができる。

【００１９】米国特許第４、８０６、４４４号及び同第
４、９３５、４８７号は、静電複写式画像形成部材と画
像形成部材を用いるための電子写真式画像形成プロセス
とを開示し、該画像形成部材は基板及び導電性層を備え
る。該画像形成部材は、次式で表される高分子アリール
アミン化合物を含む。

【００２０】

【化２３】

【００２１】ここで、ｎは約５と約５，０００の間、ｍ
は０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮合環基
から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選択さ
れ、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選択される。画像
形成部材は、基板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含む
ことができる。

【００２２】米国特許第４、８１８、６５０号及び同第
４、９５６、４４０号（リンバーグら）は、静電複写式
画像形成部材と画像形成部材を用いるための電子写真式
画像形成プロセスとを開示し、該画像形成部材は基板及
び少なくとも１つの導電性層を備える。該画像形成部材
は、次式で表される高分子アリールアミン化合物を含
む。

【００２３】

【化２４】

【００２４】ここで、Ｒは−Ｈ、−ＣＨ₃ 及び−Ｃ₂ Ｈ
₅ から成る群より選択され、ｍは約４と約１０００の間
である。Ａは次式で表されるアリールアミン基から成る
群より選択される。

【００２５】

【化２５】

【００２６】ここで、ｍは０又は１であり、Ｚは、酸素
又は硫黄原子も含むある特定の芳香族及び縮合環基、線
状又は環状炭化水素基、並びにアミン基から選択され
る。Ａｒはある特定の芳香族基から選択され、Ａｒ′は
ある特定の芳香族基から選択される。Ｂは、Ａのために
定義されたアリールアミン基及び−Ａｒ−Ｖ）_n Ａｒ−
から成る群より選択される。ここで、Ａｒは上記に定義
された通りであり、Ｖは、酸素又は硫黄原子、線状又は
環状炭化水素基、もしくはフェニレン基から選択され
る。少なくともＡ又はＢはアリールアミン基を含む。画
像形成部材は基板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含む
ことができる。

【００２７】米国特許第５、０３０、５３２号は、支持
層及び少なくとも１つの光導電性層を含む静電複写式画
像形成部材を開示する。該画像形成部材は、次式で表さ
れるポリアリールアミンポリマーを含む。

【００２８】

【化２６】

【００２９】ここで、ｎは約５と約５，０００の間、あ
るいはｐ＞０の場合は０である。ｏは約９と約５，００
０の間、あるいはｐ＞０又はｎ＝０の場合は０である。
ｐは約２と約１００の間、あるいはｎ＞０の場合は０で
ある。Ｘ′及びＸ″は、二官能性結合を有する基から独
立的に選択される。Ｑはヒドロキシ末端アリールアミン
反応物から誘導される二価の基である。Ｑ′は、重量平
均分子量が約１，０００乃至約８０，０００の、Ｑのた
めに定義された基を含むヒドロキシ末端ポリアリールア
ミンから誘導される二価の基である。ポリアリールアミ
ンポリマーの重量平均分子量は約１０，０００と約１，
０００，０００の間である。

【００３０】一般的に、電子写真で使用される二重層有
機光導電体の電荷輸送層は、単一の高分子バインダに分
散された電荷輸送分子から成る。ほとんど常に、えり抜
きのバインダはポリカーボネートであった。当該技術で
使用される多くの輸送分子はポリカーボネートに非常に
よく分散し、分子が分散されたポリカーボネート輸送層
を含む装置は、輸送層中の電荷トラッピングにより発生
する残留サイクルアップなしに、数万サイクルの間サイ
クルできる。バインダ中の分子の相分離は電荷トラッピ
ングを導き、残留サイクルアップを引き起こし得る。電
荷輸送分子が分散される２つのバインダのブレンドを得
ることは有利であろう。相分離なしにポリマーブレンド
を達成できれば、二重層装置の多くの特性を調製するこ
とが可能であろう。改良できる特性には発生体層への接
着と解放特性に影響を及ぼす表面特性とが含まれ、現像
画像のより容易な転写及び残留トナー粒子の容易なクリ
ーニングが可能になる。輸送層のためのバインダとして
ポリマーブレンドを使用可能にするためには、２つのポ
リマーは適合しなければならず、相分離してはならな
い。更に、電荷輸送分子は、バインダのそれぞれ、及び
２つのポリマーのブレンドの中に相分離せずに分散しな
ければならない。

【００３１】既知の組成物及びプロセスはその意図され
た目的のためには適切であるが、改良された感光性画像
形成部材がまだ必要とされている。また、感光性画像形
成部材のための改良されたバインダも必要とされてい
る。更に、画像形成部材の光発生層で使用するのに適し
た高分子バインダが必要である。また更に、画像形成部
材の電荷輸送層で使用するのに適した高分子バインダが
必要とされている。更には、ガラス転移温度の高い高分
子バインダが必要である。また、電荷輸送材料及び／又
は可塑剤を高装填で取り込み可能にする高分子バインダ
が必要である。更に、良好な膜特性及び画像形成部材基
板に対する良好な接着を示す高分子バインダがなお必要
とされている。更には、広範な溶媒に対して高い耐性を
有する画像形成部材用高分子バインダが必要とされてい
る。更に、ひどい可塑化を起こすことなくＮ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフェニル）−
（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン等の電
荷輸送材料を５０重量パーセント以上の量で層中に取り
込むことを可能にし、画像形成部材の電荷輸送層に適す
る高分子バインダが必要とされている。また、広範な溶
媒から感光性画像形成部材上へコーティングすることの
できる高分子バインダが必要である。更に、電荷輸送分
子の結晶化傾向の減少又は除去を示す高分子バインダが
必要とされている。また更に、広く使用される受光体バ
インダポリマーと比較して結晶化傾向が減少された高分
子バインダが必要とされている。また、耐摩滅性及び耐
摩耗性の光導電性画像形成部材が必要である。更に、オ
ーブン乾燥後に平坦な光導電性画像形成部材が必要であ
る。更には、光導電性画像形成部材で一般に使用される
既知のポリマーと比較して改良された耐摩耗及び摩滅性
を有する高分子バインダ及び輸送ポリマーが必要であ
る。また、コーティング溶媒の除去後にカール及び応力
のない光導電性画像形成部材が必要とされている。更
に、光導電性画像形成部材の接着層材料として使用する
のに適するポリマーが必要とされている。更には、光導
電性画像形成部材の保護上塗り層材料として使用するの
に適するポリマーが必要とされている。更に、コスト有
効性や所望の機械特性等の一般に使用されるポリカーボ
ネートバインダ材料の利点が保持されると同時に、層間
の接着程度を調製する能力、層の表面特性を調製する能
力、及び耐溶媒性の増大等の更なる利点も可能にする高
分子バインダを含む画像形成部材が必要とされている。
ここで、これらの利点は、ポリカーボネートと十分に混
ざり、ポリカーボネートと混ざった時に相分離をほとん
ど、又は全く示さない第２ポリマーをポリカーボネート
とブレンドすることによって得られる。また、電荷トラ
ッピングを引き起こすことなく電荷輸送分子の取り込み
を可能にするポリマーブレンドを含む高分子バインダを
有する画像形成部材が必要である。

【００３２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の利点を有する改良された感光性画像形成部材を提供す
ることである。

【００３３】

【課題を解決するための手段】本発明（又はその特定の
実施例）のこれらの及び他の目的は、導電性基板と、光
発生材料と、電荷輸送材料と、（ａ）ポリカーボネート
を含む第１ポリマー及び（ｂ）次式の第２ポリマーを含
む高分子バインダと、を備えた画像形成部材を提供する
ことによって達成できる。

【００３４】

【化２７】

【００３５】

【化２８】

【００３６】

【化２９】

【００３７】

【化３０】

【００３８】

【化３１】

【００３９】又は、

【００４０】

【化３２】

【００４１】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以
下の式又はこれらの混合物であり、

【００４２】

【化３３】

【００４３】

【化３４】

【００４４】Ｂは、以下の式又はこれらの混合物であ
る。

【００４５】

【化３５】

【００４６】

【化３６】

【００４７】式中、ｖは１から約２０の整数であり、

【００４８】

【化３７】

【００４９】式中、ｔは１から約２０の整数であり、

【００５０】

【化３８】

【００５１】式中、ｚは２から約２０の整数であり、

【００５２】

【化３９】

【００５３】式中、ｕは１から約２０の整数であり、

【００５４】

【化４０】

【００５５】式中、ｗは１から約２０の整数である。

【００５６】

【化４１】

【００５７】

【化４２】

【００５８】Ｃは、以下の式又はこれらの混合物であ
る。

【００５９】

【化４３】

【００６０】ここで、Ｒはアルキル基、アリール基、ア
リールアルキル基、又はその混合物であり、ｍ及びｎは
繰返し単位の数を示す整数である。

【００６１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の画像形成部材の
１つの実施例を概略的に説明する。特に、図１は、導電
性基板１と、樹脂バインダ組成物４に分散された光発生
化合物２を含む光発生層３と、樹脂バインダ組成物９に
分散された電荷輸送分子７を含む電荷輸送層５と、を備
えた光導電性画像形成部材を示す。樹脂バインダ組成物
４及び９のうちの少なくとも１つは、ポリカーボネート
とここに示される特定の式のポリマーのブレンドを含
む。

【００６２】図２は、電荷輸送層が導電性基板と光発生
層の間に位置される点を除いて、図１に示されたのと本
質的に同一の部材を概略的に説明する。更に詳細には、
図２は、導電性基板２１と、樹脂バインダ組成物２５に
分散された電荷輸送組成物２４を含む電荷輸送層２３
と、樹脂バインダ組成物２９に分散された光発生化合物
２８を含む光発生層２７と、を備えた光導電性画像形成
部材を示す。樹脂バインダ組成物２５及び２９のうちの
少なくとも１つは、ポリカーボネートとここに示される
特定の式のポリマーのブレンドを含む。

【００６３】図３は、導電性基板３１と、任意の電荷ブ
ロッキング金属酸化物層３３と、任意の接着層３５と、
樹脂バインダ組成物３７ｂに分散された光発生化合物３
７ａを含む光発生層３７と、樹脂バインダ３９ｂに分散
された電荷輸送化合物３９ａを含む電荷輸送層３９と、
任意のカール防止バッキング層３６と、任意の保護上塗
り層３８と、を備えた本発明の光導電性画像形成部材を
概略的に説明する。層３５、３６、３７、３８、及び３
９のうちの少なくとも１つは、ポリカーボネートとここ
に示される特定の式のポリマーのブレンドを含む。

【００６４】図４は、導電性基板４１と、樹脂バインダ
組成物４４に分散された光発生化合物４２を含む光発生
層４３と、を備えた本発明の光導電性画像形成部材を概
略的に説明する。樹脂バインダ組成物４４は、ポリカー
ボネート及びここに示される特定の式のポリマーの混合
物を含む。任意に、電荷輸送材料４５もバインダ４４中
に分散されることができる。

【００６５】基板は全体が電気伝導性材料で調製される
ことができる。あるいは、基板は電気伝導性表面を有す
る絶縁材料であってもよい。基板は一般に約１００ミル
までの有効厚さを有し、好ましくは約１乃至約５０ミル
であるが、厚さはこの範囲外であってもよい。基板層の
厚さは、経済的及び機械的要件を含む多くの因子に依存
する。従って、この層は、例えば１００ミルを越える実
質的な厚さであってもよいし、システムに逆効果を及ぼ
さなければ最小の厚さでもよい。同様に、基板は剛性又
はフレキシブルのいずれでもよい。特に好ましい実施例
では、この層の厚さは約３ミル乃至約１０ミルである。
フレキシブルベルト画像形成部材では、例えば１９ミリ
メートル直径の小径ローラの回りを循環される場合、最
適なたわみ性及び最小の伸びのために、好ましい基板の
厚さは約６５乃至約１５０ミクロンであり、更に好まし
くは約７５乃至約１００ミクロンである。

【００６６】基板は不透明でも実質的に透明でもよく、
所望の機械特性を有する多数の適切な材料を含むことが
できる。基板全体は電気伝導性表面と同一の材料を含む
ことができる。あるいは、電気伝導性表面は単に基板上
のコーティングであってもよい。適切な電気伝導性材料
を使用することができる。典型的な電気伝導性材料に
は、銅、真鍮、ニッケル、亜鉛、クロム、ステンレス
鋼、導電性プラスチック及びゴム、アルミニウム、半透
明アルミニウム、鋼、カドミウム、銀、金、ジルコニウ
ム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ハフニウム、チタ
ン、ニッケル、クロム、タングステン、モリブデン、適
切な材料を中に含有することによって、又は材料を導電
性にするのに十分な含水量の存在を保証するために湿潤
な大気中で調節して導電性にされた紙、インジウム、ス
ズ、金属酸化物（酸化スズ及びインジウムスズ酸化物を
含む）等が含まれる。導電性層の厚さは、光導電性部材
の所望される用途によって、実質的に広い範囲にわたっ
て変えることができる。一般的に、導電性層の厚さは約
５０オングストローム乃至多数センチメートルの範囲で
あるが、厚さはこの範囲外であってもよい。フレキシブ
ル電子写真式画像形成部材が所望される場合、電気伝導
性、たわみ性、及び光透過性の最適な組み合わせのため
には、導電性層の厚さは、典型的には約２０オングスト
ローム乃至約７５０オングストロームであり、好ましく
は約１００乃至約２００オングストロームである。選択
された基板が非導電性ベースを含み、電気伝導性層がそ
の上にコーティングされている場合、基板は有機及び無
機材料を含む他の従来の材料でもよい。典型的な基板材
料には、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタ
ン、紙、ガラス、プラスチック、及びマイラー又はメリ
ネックス４４７のようなポリエステル等を含むこの目的
のために既知の種々の樹脂のような絶縁性の非導電性材
料が含まれる。導電性層は、真空蒸着等の適切なコーテ
ィング技法によってベース層上にコーティングできる。
所望されるなら、基板は、チタン化又はアルミ化マイラ
ー（Mylar)等のメタライズプラスチックを含むことがで
きる。ここで、メタライズ表面は光発生層と接触する、
あるいは基板及び光発生層間に位置される他の層と接触
する。被覆又は非被覆基板はフレキシブルでも剛性でも
よく、プレート、円柱ドラム、渦形、又は無端フレキシ
ブルベルト等の多数の形状を有することができる。基板
の外表面は、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、又は酸
化チタン等の金属酸化物を含んでもよい。

【００６７】光導電性画像形成部材は、任意に、導電性
基板と光発生層との間に位置される電荷ブロッキング層
を含むことができる。一般的に、正に帯電した受光体の
ための電子ブロッキング層は受光体の画像形成表面から
の正孔が導電性層へ向かって移動するのを可能にし、負
に帯電した受光体のための正孔ブロッキング層は受光体
の画像形成表面からの電子が導電性層へ向かって移動す
るのを可能にする。この層には、酸化アルミニウム等の
金属酸化物や、あるいは米国特許第４、２９１、１１０
号、同第４、３３８、３８７号、同第４、２８６、０３
３号及び同第４、２９１、１１０号などに開示されるよ
うにトリメトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解
トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、Ｎ−ベ
ータ−（アミノエチル）ガンマ−アミノ−プロピルトリ
メトキシシラン、イソプロピル４−アミノベンゼンスル
ホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニル）チタネー
ト、イソプロピルジ（４−アミノベンゾイル）イソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−エチルア
ミノ−エチルアミノ）チタネート、イソプロピルトリア
ントラニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−エチルアミノ）チタネート、チタニウム−４−
アミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニ
ウム４−アミノベンゾアートイソステアレートオキシア
セテート、〔Ｈ ₂ Ｎ（ＣＨ₂ ）₄ 〕ＣＨ₃ Ｓｉ（ＯＣＨ
₃ ）₂ 、（ガンマ−アミノブチル）メチルジエトキシシ
ラン、及び〔Ｈ₂ Ｎ（ＣＨ₂ ）₃ 〕ＣＨ₃ Ｓｉ（ＯＣＨ
₃ ）₂ （ガンマ−アミノプロピル）メチルジエトキシシ
ラン等のシラン及びナイロン、窒素含有シロキサン、又
は窒素含有チタン化合物のような材料等が含まれる。適
切な材料の更なる例には、水及びメタノールに溶解され
たゼラチン、および／又はカルボセット（Carboset）５
１５）、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ガンマ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、ポリメタクリル酸
イソブチル、スチレン／メタクリル酸ｎ−ブチルのよう
なスチレンとアクリル酸エステルの共重合体、スチレン
及びビニルトルエンの共重合体、ポリカーボネート、ア
ルキル置換ポリスチレン、スチレン−オレフィン共重合
体、ポリエステル、ポリウレタン、ポリテルペン、シリ
コンエラストマー、その混合物又はブレンド、及びその
共重合体等が含まれる。好ましいブロッキング層は、加
水分解シランと金属接地面層の酸化表面との間の反応生
成物を含む。酸化表面は、蒸着後に空気にさらされる
と、たいていの金属接地面層の外表面に本来的に形成さ
れる。この層の主な目的は、帯電中及び帯電後に基板か
らの電荷注入を防止することである。この層は、典型的
には５０オングストローム以下乃至約１０ミクロンの厚
さを有し、好ましくは約２ミクロン以下であり、更に好
ましくは約０．２ミクロン以下であるが、厚さはこれら
の範囲外であってもよい。

【００６８】ブロッキング層は、スプレーイング、ディ
ップコーティング、ドローバーコーティング、グラビア
コーティング、シルクスクリーニング、エアナイフコー
ティング、リバースロールコーティング、真空蒸着、又
は化学処理等の適切な従来の技法によって塗布できる。
薄層を得るのに便利なため、ブロッキング層は希薄溶液
の形で塗布され、溶媒はコーティング付着後に減圧や加
熱等の従来の技法によって除去されるのが好ましい。

【００６９】ある場合には、接着を改良するために基板
と次に塗布された層との間に中間接着層が所望されるこ
ともある。このような接着層が利用される場合、乾燥し
た厚さは約０．１ミクロン乃至約５ミクロンであるのが
好ましいが、厚さはこの範囲外であってもよい。典型的
な接着層は、ポリエステル、ポリビニルブチラル、ポリ
ビニルピロリドン、ポリカーボネート、ポリウレタン、
ポリメタクリル酸メチル、デュポン（du Pont)４９，０
００、及びバイテル（Vitel)ＰＥ１００等、並びにその
混合物等の膜形成ポリマーを含む。また、本発明の高性
能ポリマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画
像形成部材の接着層に使用することができる。基板の表
面は電荷ブロッキング層又は接着層なので、ここで使用
される「基板」という表現は、電荷ブロッキング層上の
接着層を有する又は有さない電荷ブロッキング層を含む
ように意図される。典型的な接着層の厚さは約０．０５
ミクロン（５００オングストローム）乃至約０．３ミク
ロン（３，０００オングストローム）であるが、厚さは
この範囲外でもよい。基板へ接着層コーティング混合物
を塗布するための従来の技法には、スプレーイング、デ
ィップコーティング、ロールコーティング、ワイヤワウ
ンドロッドコーティング、グラビアコーティング、バー
ド・バー塗布器コーティング等が含まれる。付着された
コーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、
又は空気乾燥等の従来の適切な技法によって行われる。

【００７０】任意に、耐摩耗性を改良するために上塗り
層を利用することもできる。ある場合には、ウェブ形状
の受光体が製造される際に平坦性及び／又は耐摩耗性を
提供するために、光導電性層を支持する面と反対の基板
表面へカール防止バックコーティングが塗布される。こ
れらの上塗り層及びカール防止バックコーティング層は
当該技術においてよく知られており、電気絶縁性又は僅
かに半導性の熱可塑性有機ポリマー又は無機ポリマーを
含むことができる。上塗り層は連続的であり、典型的に
は約１０ミクロンより薄い厚さを有するが、厚さはこの
範囲外であってもよい。カール防止バッキング層の厚さ
は、一般的には、基板層の反対側の層（単数又は複数）
の全体の力と実質的に釣り合うのに十分な厚さである。
カール防止バッキング層の例は米国特許第４、６５４、
２８４号に記載されている。約７０乃至約１６０ミクロ
ンの厚さがフレキシブル受光体のための典型的な範囲で
あるが、厚さはこの範囲外であってもよい。また、下記
に示される式のポリマーも上塗り層及びカール防止バッ
クコーティング層として使用するのに適する。

【００７１】光発生層は、無機又は有機組成物等から成
る単一又は多数の層を含むことができる。発生層の一例
は米国特許第３、１２１、００６号に記載されており、
光導電性無機化合物の微細分割粒子が電気絶縁性有機樹
脂バインダ中に分散される。多重光発生層組成物は、光
導電性層が光発生層の特性を増大又は低下させる場合に
利用できる。このタイプの構成の例は米国特許第４、４
１５、６３９号に記載される。少なくとも２つの電気作
用層を有する感光性部材の更なる例には、米国特許第
４、２６５、９９０号、同第４、２３３、３８４号、同
第４、３０６、００８号、及び同第４、２９９、８９７
号に開示された電荷発生層及びジアミン含有輸送層部
材、米国特許第３、８９５、９４４号に開示されるよう
な染料発生層並びにオキサジアゾール、ピラザロン、イ
ミダゾール、ブロモピレン、ニトロフルオレン及びニト
ロナフタルイミド誘導体含有電荷輸送層部材、米国特許
第４、１５０、９８７号に開示された発生層及びヒドラ
ゾン含有電荷輸送層部材、米国特許第３、８３７、８５
１号に開示されたような発生層及びトリアリールピラゾ
リン化合物含有電荷輸送層部材等が含まれる。

【００７２】光発生又は光導電性層は、所望される又は
適切な光導電性材料を含む。光導電性層（単数又は複
数）は無機又は有機の光導電性材料を含むことができ
る。典型的な無機光導電性材料には、アモルファスセレ
ン、三方晶セレン、セレンとテルルや砒素等の元素との
合金、アモルファスシリコン、スルホセレン化カドミウ
ム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、酸化亜鉛、
二酸化チタン等が含まれる。無機光導電性材料は、所望
されるなら、膜形成ポリマーバインダ中に分散されるこ
とができる。

【００７３】典型的な有機光導電体には、米国特許第
３、３５７、９８９号に開示されるＸ型の無金属フタロ
シアニンやバナジルフタロシアニン及び銅フタロシアニ
ン等の金属フタロシアニンのような種々のフタロシアニ
ン顔料、キナクリドン（モナストラルレッド、モナスト
ラルバイオレット及びモナストラルレッドＹ としてデ
ュポン（du Pont)社から入手可能なものを含む）、米国
特許第３、４４２、７８１号に開示されたような置換
２，４−ジアミノ−トリアジン、多核芳香族キノン、イ
ンドファストバイオレットレイクＢ、インドファストブ
リリアントスカーレット、インドファストオレンジ、ジ
ブロモアントアントロン（デュポン（du Pont)社からバ
ットオレンジ１及びバットオレンジ３として入手可能な
もの等）、スクアリリウム、ピラゾロン、ポリビニルカ
ルバゾール−２，４，７−トリニトロフルオレノン、ア
ントラセン、ベンズイミダゾールペリレン、多核芳香族
キノン（インドファストダブルスカーレット、インドフ
ァストバイオレットレイクＢ、インドファストブリリア
ントスカーレット及びインドファストオレンジの商標名
で得られる）などが含まれる。また、多くの有機光導電
性材料は、樹脂バインダ中に分散された粒子としても使
用されることができる。

【００７４】光導電性材料のために適切なバインダの例
には、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート
を含むポリエステル、ポリウレタン、ポリスチレン、ポ
リブタジエン、ポリスルホン、ポリアリールエーテル、
ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチ
ラル、ポリシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリ
ビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹
脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェ
ノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチ
レン及びアクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、
ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−ビニルピロリジノ
ン）、塩化ビニル及び酢酸ビニル共重合体、アクリル酸
エステル共重合体、アルキド樹脂、セルロース膜形成
体、ポリ（アミドイミド）、スチレン−ブタジエン共重
合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニ
ル−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド樹
脂、ポリビニルカルバゾール等の熱可塑性及び熱硬化性
樹脂が含まれる。これらのポリマーは、ブロック、ラン
ダム又は交互共重合体でよい。また、本発明の高性能ポ
リマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像形
成部材の光導電性層に使用することができる。

【００７５】光発生材料がバインダ材料中に存在する場
合、光発生組成物又は顔料は、適切な又は所望される量
だけ膜形成ポリマーバインダ組成物中に存在できる。例
えば、約１０体積パーセント乃至約６０体積パーセント
の光発生顔料は、約４０体積パーセント乃至約９０体積
パーセントの膜形成ポリマーバインダ組成物中に分散さ
れる。好ましくは、約２０体積パーセント乃至約３０体
積パーセントの光発生顔料は、約７０体積パーセント乃
至約８０体積パーセントの膜形成ポリマーバインダ組成
物中に分散される。典型的には、光導電性材料は約５乃
至約８０重量パーセント、好ましくは約２５乃至約７５
重量パーセントの量で光発生層中に存在し、バインダは
約２０乃至約９５重量パーセント、好ましくは約２５乃
至約７５重量パーセントの量で存在するが、相対量はこ
れらの範囲外であってもよい。

【００７６】光導電性組成物及び／又は顔料の粒子サイ
ズは付着及び凝固した層の厚さよりも小さいのが好まし
く、更に好ましくは、コーティングのより優れた均一性
を容易にするために約０．０１ミクロンと約０．５ミク
ロンの間である。

【００７７】光導電性組成物及び樹脂バインダ材料を含
有する光発生層の厚さの範囲は、一般的に約０．０５ミ
クロン乃至約１０ミクロン又はそれ以上であり、好まし
くは約０．１ミクロン乃至約５ミクロンであり、更に好
ましくは約０．３ミクロン乃至約３ミクロンであるが、
厚さはこれらの範囲外でもよい。光発生層の厚さは光発
生化合物及びバインダの相対量に関係し、光発生材料は
約５乃至約１００重量パーセントの量で存在することが
多い。バインダ含量がより高い組成物は、一般的に、光
発生のためにより厚い層を必要とする。一般的には、画
像様又は印刷露光の工程でこの層に向けられて入射した
放射の約９０パーセント以上を吸収するのに十分な厚さ
でこの層を提供することが望ましい。この層の最大の厚
さは、主として、機械的問題、選択された特定の光発生
化合物、他層の厚さ、及びフレキシブル光導電性画像形
成部材が所望されるか否か、等の因子に依存する。

【００７８】光発生層は、所望される又は適切な方法に
よって下側の層へ塗布できる。光発生層コーティング混
合物を混合し、その後塗布するために適切な技法が利用
できる。典型的な塗布技法には、スプレーイング、ディ
ップコーティング、ロールコーティング、ワイヤワウン
ドロッドコーティング等が含まれる。付着されたコーテ
ィングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、空気乾
燥等の適切な技法により行うことができる。

【００７９】また、他の適切な多層光導電体も、本発明
の画像形成部材で使用できる。いくつかの多層光導電体
は、少なくとも２つの電気作用層と、光発生又は電荷発
生層と、電荷輸送層と、を含む。電荷発生層及び電荷輸
送層は他の層と同様に、正又は負のいずれかに帯電する
受光体をつくるために適切な順序で塗布できる。例え
ば、米国特許第４、２６５、９９０号に示されるように
電荷発生層は電荷輸送層の前に塗布できる。あるいは、
米国特許第４、３４６、１５８号に示されるように、電
荷輸送層は電荷発生層より前に塗布できる。

【００８０】任意の電荷輸送層は、存在する際、適切な
電荷輸送材料を含む。活性電荷輸送層は、全体が所望の
電荷輸送材料から成ることができる。あるいは、活性電
荷輸送層は、電気的に不活性な高分子材料中に分散され
てこれらの材料を電気的に活性にする添加剤として有用
な活性化化合物を含むことができる。これらの化合物
は、発生材料から光発生された正孔の注入を支援でき
ず、これらの正孔の輸送を可能にできない高分子材料へ
添加でき、これにより、電気的に不活性な高分子材料
は、発生材料から光発生した正孔の注入を支援でき、活
性層の表面電荷を放電するためにこれらの正孔の活性層
を通る輸送を可能にできる材料へ転換される。特に好ま
しい輸送層は、約２５重量パーセント乃至約７５重量パ
ーセントの少なくとも１つの電荷輸送化合物と、約７５
重量パーセント乃至約２５重量パーセントの芳香族アミ
ンが可溶な高分子膜形成樹脂と、を含む。

【００８１】電荷輸送材料の例には、純セレン、セレン
−砒素合金、セレン−砒素−ハロゲン合金、セレン−ハ
ロゲン等が含まれる。一般的に、ハロゲンドープされた
セレン電荷輸送層には、約１０重量ｐｐｍ乃至約２００
重量ｐｐｍのハロゲンが存在するが、量はこの範囲外で
もよい。砒素を含まないハロゲンドープ化輸送層が利用
される場合、ハロゲン含量は、好ましくは約２０重量ｐ
ｐｍよりも少ない。輸送層は当該技術においてよく知ら
れている。典型的な輸送層は、例えば米国特許第４、６
０９、６０５号及び同第４、２９７、４２４号に記載さ
れている。

【００８２】また有機電荷輸送材料も使用することがで
きる。典型的な電荷輸送材料には、次のようなものが含
まれる。

【００８３】米国特許第４、３０６、００８号、同第
４、３０４、８２９号、同第４、２３３、３８４号、同
第４、１１５、１１６号、同第４、２９９、８９７号、
同第４、２６５、９９０号、及び同第４、０８１、２７
４号に記載されたタイプのジアミン輸送分子。典型的な
ジアミン輸送分子には、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ′−ビス（３″−メチルフェニル）−（１，１′−ビ
フェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−（１，
１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（２−メチルフェニル）−
（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−エチルフェニ
ル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチ
ルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−
ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−
４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（３−クロロフェニル）−（１，１′−ビフェニ
ル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス（４−クロロフェニル）−（１，１′−
ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニルメチル）−（１，１′
−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラフェニル−（２，２′−ジメチル−１，
１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラ−（４−メチルフェニル）−（２，
２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−４，４′−
ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４
−メチルフェニル）−（２，２′−ジメチル−１，１′
−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（２−メチルフェニル）−
（２，２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−４，
４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３−メチルフェニル）−（２，２′−ジメチル−
１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−ピレニル−１，６−ジアミン等が含まれる。

【００８４】米国特許第４、３１５、９８２号、米国特
許第４、２７８、７４６号及び同第３、８３７、８５１
号に開示されたようなピラゾリン輸送分子。典型的なピ
ラゾリン輸送分子には、１−〔レピジル−（２）〕−３
−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔キノリル−
（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピ
リジル−（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−〔６−メトキシピリジル−（２）〕−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジメチルアミノス
チリル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）ピラゾリン等が含まれる。

【００８５】米国特許第４、２４５、０２１号に記載さ
れたような置換フルオレン電荷輸送分子。典型的なフル
オレン電荷輸送分子には、９−（４′−ジメチルアミノ
ベンジリデン）フルオレン、９−（４′−メトキシベン
ジリデン）フルオレン、９−（２′，４′−ジメトキシ
ベンジリデン）フルオレン、２−ニトロ−９−ベンジリ
デン−フルオレン、２−ニトロ−９−（４′−ジエチル
アミノベンジリデン）フルオレン等が含まれる。

【００８６】２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール、ピラゾリン、イ
ミダゾール、トリアゾール等のオキサジアゾール輸送分
子。他の典型的なオキサジアゾール輸送分子は、例え
ば、独国特許第１、０５８、８３６号、同第１、０６
０、２６０号及び同第１、１２０、８７５号に記載され
ている。

【００８７】ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−エトキシ−ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾ
ン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジメ
チルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾ
ン）、１−ナフタレンカルバルデヒド１−メチル−１−
フェニルヒドラゾン、１−ナフタレンカルバルデヒド
１、１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン
−１−カルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラ
ゾン等のヒドラゾン輸送分子。他の典型的なヒドラゾン
輸送分子は、例えば、米国特許第４、１５０、９８７
号、同第４、３８５、１０６号、同第４、３３８、３８
８号及び同第４、３８７、１４７号に記載されている。

【００８８】９−メチルカルバゾール−３−カルバルデ
ヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、９−エチルカル
バゾール−３−カルバルデヒド−１−メチル−１−フェ
ニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバ
ルデヒド−１−エチル−１−フェニルヒドラゾン、９−
エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−エチル
−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチル
カルバゾール−３−カルバルデヒド−１，１−ジフェニ
ルヒドラゾン等のカルバゾールフェニルヒドラゾン輸送
分子。他の典型的なカルバゾールフェニルヒドラゾン輸
送分子は、例えば、米国特許第４、２５６、８２１号及
び同第４、２９７、４２６号に記載されている。

【００８９】ポリビニルアントラセン、ポリアセナフチ
レン、ホルムアルデヒドと種々の芳香族との縮合生成物
（ホルムアルデヒド及び３−ブロモピレンの縮合物
等）、２，４，７−トリニトロフルオレノン、及び３，
６−ジニトロ−Ｎ−ｔ−ブチルナフタルイミド（例え
ば、米国特許第３、９７２、７１７号に記載される）等
のビニル−芳香族ポリマー。

【００９０】米国特許第３、８９５、９４４号に記載さ
れる２，５−ビス−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−
オキサジアゾール−１，３，４等のオキサジアゾール誘
導体。

【００９１】米国特許第３、８２０、９８９号（その開
示は参照によってここに完全に組み込まれる）に記載さ
れるようなアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ
アリール）メタン、シクロアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルアミノアリール）メタン、及びシクロアルケニ
ル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタン
等の三置換メタン。

【００９２】次の式を有する９−フルオレニリデンメチ
レン誘導体。ここで、Ｘ及びＹはシアノ基又はアルコキ
シカルボニル基であり、Ａ、Ｂ及びＷは、アシル、アル
コキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニル
及びその誘導体から成る群より独立的に選択される電子
求引基である。ｍは０乃至２の数であり、ｎは０又は１
の数である（米国特許第４、４７４、８６５号に記載さ
れている）。

【００９３】

【化４４】

【００９４】上記の式に包含される典型的な９−フルオ
レニリデンメチレン誘導体には、（４−ｎ−ブトキシカ
ルボニル−９−フルオレニリデン）マロノニトリル、
（４−フェネトキシカルボニル−９−フルオレニリデ
ン）マロノニトリル、（４−カルビトキシ−９−フルオ
レニリデン）マロノニトリル、（４−ｎ−ブトキシカル
ボニル−２，７−ジニトロ−９−フルオレニリデン）マ
ロネート等が含まれる。

【００９５】他の電荷輸送材料には、ポリ−１−ビニル
ピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−
（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポリ−９−（５−
ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレンピレン、ポリ
−１−（ピレニル）−ブタジエン、アルキル、ニトロ、
アミノ、ハロゲン及びヒドロキシ置換ポリマー等のポリ
マー（ポリ−３−アミノカルバゾール、１，３−ジブロ
モ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、３，６−ジブロモ
−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等）、並びに米国特許
第３、８７０、５１６号に記載されるような多数の他の
透明有機高分子又は非高分子輸送材料が含まれる。ま
た、電荷輸送材料として適切なのは、無水フタル酸、無
水テトラクロロフタル酸、ベンジル、無水メリト酸、Ｓ
−トリシアノベンゼン、塩化ピクリル、２，４−ジニト
ロクロロベンゼン、２，４−ジニトロブロモベンゼン、
４−ニトロビフェニル、４，４−ジニトロフェニル、
２，４，６−トリニトロアニソール、トリクロロトリニ
トロベンゼン、トリニトロ−ｏ−トルエン、４，６−ジ
クロロ−１，３−ジニトロベンゼン、４，６−ジブロモ
−１，３−ジニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン、
クロラニル、ブロマニル及びその混合物、２，４，７−
トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テト
ラニトロフルオレノン、トリニトロアントラセン、ジニ
トロアクリデン、テトラシアノピレン、ジニトロアント
ラキノン、１つより多い強電子求引性の置換基（ニト
ロ、スルホネート、スルホニル、カルボキシル、又はシ
アノ等）が付いた芳香族又はヘテロ環式基を有するポリ
マー（ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポ
リウレタン、及びエポキシ、並びに芳香族部分を含むブ
ロック、グラフト又はランダム共重合体を含む）等、並
びにその混合物（米国特許第４、０８１、２７４号に記
載される）である。

【００９６】また、例えば米国特許第３、２４０、５９
７号及び同第３、１８０、７３０号に開示されるよう
に、次式のトリトリルアミンを含むトリアリールアミン
のような電荷輸送材料も適切である。

【００９７】

【化４５】

【００９８】また、例えば米国特許第４、０８２、５５
１号、米国特許第３、７５５、３１０号、米国特許第
３、６４７、４３１号、英国特許第９８４、９６５号、
英国特許第９８０、８７９号、及び英国特許第１、１４
１、６６６号に開示されるように、次式のビス（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタンを
含む置換ジアリールメタン及びトリアリールメタン化合
物等の電荷輸送材料も適切である。

【００９９】

【化４６】

【０１００】特に好ましい電荷輸送分子は、次の一般式
を有するものである。

【０１０１】

【化４７】

【０１０２】上の式において、Ｘ、Ｙ及びＺはそれぞ
れ、他とは独立的に、水素、１乃至約２０個の炭素原子
を有するアルキル基、又は塩素である。またここで、
Ｘ、Ｙ及びＺのうちの少なくとも１つは、１乃至約２０
個の炭素原子を有するアルキル基又は塩素であるように
独立的に選択される。Ｙ及びＺが水素の場合、化合物は
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェ
ニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミ
ンと命名できる。ここで、アルキルは、例えばメチル、
エチル、プロピル、又はｎ−ブチル等である。あるい
は、化合物は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス
（クロロフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，
４′−ジアミンでもよい。このクラスの中で特に好まし
いものは、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス
（３″−メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）
−４，４′−ジアミン（米国特許第４、２６５、９９０
号に開示されたように調製される）である。

【０１０３】電荷輸送層コーティング混合物を混合し、
その後電荷発生層へ塗布するために、適切な従来の技法
を利用できる。典型的な塗布技法には、スプレーイン
グ、ディップコーティング、ロールコーティング、ワイ
ヤワウンドロッドコーティング等が含まれる。付着した
コーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、
空気乾燥等の適切な従来の技法によって行うことができ
る。

【０１０４】電荷輸送材料は、一般的に約５乃至約９０
重量パーセント、好ましくは約２０乃至約７５重量パー
セント、より好ましくは約２０乃至約６０重量パーセン
ト、更により好ましくは約３０乃至約６０重量パーセン
トの有効量で電荷輸送層中に存在するが、量はこれらの
範囲外であってもよい。

【０１０５】輸送層のための高絶縁性透明樹脂成分又は
不活性バインダ樹脂材料の例には、米国特許第３、１２
１、００６号に記載されたような材料が含まれる。適切
な有機樹脂材料の特定の例には、ポリカーボネート、ア
クリル酸エステルポリマー、ビニルポリマー、セルロー
スポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミ
ド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリーレート、
ポリエーテル、ポリスルホン、及びエポキシ、並びにそ
のブロック、ランダム又は交互共重合体が含まれる。好
ましい電気不活性バインダ材料には、約２０，０００乃
至約１００，０００の数平均分子量を有するポリカーボ
ネート樹脂が含まれ、約５０，０００乃至約１００，０
００の範囲の分子量が特に好ましい。また、本発明の高
性能ポリマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、
画像形成部材の電荷輸送層に使用することができる。一
般的に、電荷輸送層は、約５乃至約９０重量パーセン
ト、好ましくは約２０乃至約７５重量パーセントの量で
電荷輸送材料を含むが、バインダ及び輸送材料の相対量
はこれらの範囲外であってもよい。

【０１０６】一般的に、電荷輸送層の厚さは約１０乃至
約５０ミクロンであるが、この範囲外の厚さが使用され
ることもできる。好ましくは、電荷発生層に対する電荷
輸送層の厚さの比率は約２：１乃至２００：１に保持さ
れ、ある場合には、４００：１にもなる。

【０１０７】接着層、保護上塗り層、光発生層、又は電
荷輸送層等のような本発明の画像形成部材の少なくとも
１つの層は、ポリカーボネート樹脂と下記に示される式
のポリマーとのブレンドを含む。所望の又は適切なポリ
カーボネート樹脂が選択できる。例えば、次の一般式の
ポリカーボネートが選択できる。

【０１０８】

【化４８】

【０１０９】上の式において、Ｒ及びＲ′はそれぞれ、
他とは独立的に、典型的には１乃至約３０個の炭素原子
を有するアルキル基（シクロアルキル基及び置換アルキ
ル基を含む）、又はフェニル基（置換フェニル基を含
む）である。ｎは繰返しモノマー単位の数を表す整数で
あり、典型的には約１０乃至約１，０００であるが、こ
の値はこの範囲外でもよい。本発明のために特に好まし
いポリカーボネートの例には、ポリ（４，４′−イソプ
ロピリデン−ジフェニレン）カーボネート（ビスフェノ
ールＡ−ポリカーボネートとも呼ばれる）、及びポリ
（４，４′−ジフェニル−１，１′−シクロヘキサン）
カーボネート等が含まれる。好ましいポリカーボネート
樹脂は約２０，０００乃至約１５０，０００の数平均分
子量を有し、約５０，０００乃至約１００，０００の範
囲の数平均分子量が特に好ましい。好ましいポリカーボ
ネート樹脂は約２０，０００乃至約１００，０００の重
量平均分子量を有し、約５０，０００乃至約１００，０
００の範囲の重量平均分子量が特に好ましい。電荷輸送
層内で、ポリカーボネート及び第２ポリマーは、典型的
には約１乃至約９９重量パーセントのポリカーボネート
及び約１乃至約９９重量パーセントの第２ポリマー、好
ましくは約５乃至約９５重量パーセントのポリカーボネ
ート及び約５乃至約９５重量パーセントの第２ポリマ
ー、更に好ましくは約２５乃至約７５重量パーセントの
ポリカーボネート及び約２５乃至約７５重量パーセント
の第２ポリマーの適切又は所望の相対量でブレンドされ
るが、相対量はこれらの範囲外であってもよい。

【０１１０】電荷輸送層は、ポリカーボネートと、ここ
に示される特定の式の第２ポリマーと、を含む。適切な
第２ポリマー材料の特定の例には、次の式の材料が含ま
れる。

【０１１１】

【化４９】

【０１１２】

【化５０】

【０１１３】

【化５１】

【０１１４】

【化５２】

【０１１５】

【化５３】

【０１１６】又は、

【０１１７】

【化５４】

【０１１８】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以
下の式又はこれらの混合物である。

【０１１９】

【化５５】

【０１２０】

【化５６】

【０１２１】Ｂは、以下の式、その他の同様のビスフェ
ノール誘導体、又はこれらの混合物である。

【０１２２】

【化５７】

【０１２３】

【化５８】

【０１２４】式中、ｖは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１２５】

【化５９】

【０１２６】式中、ｔは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１２７】

【化６０】

【０１２８】式中、ｚは２から約２０、好ましくは２か
ら約１０の整数であり、

【０１２９】

【化６１】

【０１３０】式中、ｕは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１３１】

【化６２】

【０１３２】

【化６３】

【０１３３】式中、ｗは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１３４】

【化６４】

【０１３５】

【化６５】

【０１３６】Ｃは、以下の式又はそれらの混合物であ
る。

【０１３７】

【化６６】

【０１３８】式中、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する置
換アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７乃至
約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を
含むアリールアルキル基、もしくはその混合物である。
ｍ及びｎは繰返し単位の数を表す整数である。

【０１３９】１つの好ましい実施例では、「Ａ」基のま
わりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、ｘは
０である。その結果、次式のポリマーとなる。

【０１４０】

【化６７】

【０１４１】

【化６８】

【０１４２】

【化６９】

【０１４３】

【化７０】

【０１４４】

【化７１】

【０１４５】又は、

【０１４６】

【化７２】

【０１４７】もう１つの好ましい実施例では、「Ａ」基
のまわりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、
ｘは１であり、Ａは次式であり、

【０１４８】

【化７３】

【０１４９】以下の式のポリマーが生成する。

【０１５０】

【化７４】

【０１５１】

【化７５】

【０１５２】

【化７６】

【０１５３】

【化７７】

【０１５４】

【化７８】

【０１５５】又は、

【０１５６】

【化７９】

【０１５７】別の実施例では、ポリマーは次式を有す
る。

【０１５８】

【化８０】

【０１５９】

【化８１】

【０１６０】又は、

【０１６１】

【化８２】

【０１６２】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以
下の式又はその混合物である。

【０１６３】

【化８３】

【０１６４】

【化８４】

【０１６５】Ｂは、以下の式、他の同様のビスフェノー
ル誘導体、又はその混合物である。

【０１６６】

【化８５】

【０１６７】

【化８６】

【０１６８】

【化８７】

【０１６９】式中、ｖは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１７０】

【化８８】

【０１７１】式中、ｔは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１７２】

【化８９】

【０１７３】式中、ｚは２から約２０、好ましくは２か
ら約１０の整数であり、

【０１７４】

【化９０】

【０１７５】式中、ｕは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１７６】

【化９１】

【０１７７】式中、ｗは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１７８】

【化９２】

【０１７９】

【化９３】

【０１８０】Ｃは、以下の式又はその混合物である。

【０１８１】

【化９４】

【０１８２】ここで、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個
の炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアル
キル基、好ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する
置換アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７乃
至約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基
を含むアリールアルキル基、もしくはその混合物であ
る。ｍ及びｎは繰返し単位の数を表す整数である。

【０１８３】別の実施例では、ポリマーは式Ｉ、III 、
ＩＶ、ＶII及びＶIII を有し、Ａ基は下式であり、

【０１８４】

【化９５】

【０１８５】Ｂ基は、以下の式、他の同様のビスフェノ
ール誘導体又はその混合物である。

【０１８６】

【化９６】

【０１８７】

【化９７】

【０１８８】式中、ｖは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１８９】

【化９８】

【０１９０】式中、ｔは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１９１】

【化９９】

【０１９２】式中、ｚは２から約２０、好ましくは２か
ら約１０の整数であり、

【０１９３】

【化１００】

【０１９４】式中、ｕは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１９５】

【化１０１】

【０１９６】式中、ｗは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０１９７】

【化１０２】

【０１９８】

【化１０３】

【０１９９】別の実施例では、ポリマーは式Ｉ、III 、
ＩＶ、ＶII及びＶIII を有し、Ａ基は次式であり、

【０２００】

【化１０４】

【０２０１】Ｂ基は、以下の式、他の同様のビスフェノ
ール誘導体又はその混合物である。

【０２０２】

【化１０５】

【０２０３】

【化１０６】

【０２０４】

【化１０７】

【０２０５】式中、ｖは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２０６】

【化１０８】

【０２０７】式中、ｔは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２０８】

【化１０９】

【０２０９】式中、ｚは２から約２０、好ましくは２か
ら約１０の整数であり、

【０２１０】

【化１１０】

【０２１１】式中、ｕは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２１２】

【化１１１】

【０２１３】式中、ｗは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２１４】

【化１１２】

【０２１５】

【化１１３】

【０２１６】別の実施例では、ポリマーは式Ｉ、III 、
ＩＶ、ＶII及びＶIII を有し、Ａ基は次式であり、

【０２１７】

【化１１４】

【０２１８】Ｂ基は、以下の式、他の同様のビスフェノ
ール誘導体又はその混合物である。

【０２１９】

【化１１５】

【０２２０】

【化１１６】

【０２２１】式中、ｖは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２２２】

【化１１７】

【０２２３】式中、ｔは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２２４】

【化１１８】

【０２２５】式中、ｚは２から約２０、好ましくは２か
ら約１０の整数であり、

【０２２６】

【化１１９】

【０２２７】式中、ｕは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２２８】

【化１２０】

【０２２９】

【化１２１】

【０２３０】式中、ｗは１から約２０、好ましくは１か
ら約１０の整数であり、

【０２３１】

【化１２２】

【０２３２】

【化１２３】

【０２３３】ｍ及びｎの値は、材料の数平均分子量が約
１０，０００乃至約１００，０００、より好ましくは約
３０，０００乃至約１００，０００、更に好ましくは約
３０，０００乃至約６０，０００であり（Ｍ_n はこれら
の範囲外であってもよい）、材料の重量平均分子量が好
ましくは約２０，０００乃至約３５０，０００、更に好
ましくは約１００，０００乃至約２５０，０００である
（Ｍ_w はこれらの範囲外であってもよい）ような値であ
るのが好ましい。多分散性（Ｍ_w ／Ｍ_n ）は典型的には
約２乃至約９であり、好ましくは約３であるが、これよ
り高い又は低い多分散性値も使用できる。また、フェニ
ル基並びにＡ、Ｂ、及び／又はＣ基は置換されていても
よい。適切な置換基の例には、好ましくは１乃至約６個
の炭素原子を有するアルキル基（飽和、不飽和及び環状
アルキル基を含む）、好ましくは１乃至約６個の炭素原
子を有する置換アルキル基（飽和、不飽和及び環状置換
アルキル基を含む）、好ましくは６乃至約２４個の炭素
原子を有するアリール基、好ましくは６乃至約２４個の
炭素原子を有する置換アリール基、好ましくは７乃至約
３０個の炭素原子を有するアリールアルキル基、好まし
くは７乃至約３０個の炭素原子を有する置換アリールア
ルキル基、好ましくは１乃至約６個の炭素原子を有する
アルコキシ基、好ましくは１乃至約６個の炭素原子を有
する置換アルコキシ基、好ましくは６乃至約２４個の炭
素原子を有するアリールオキシ基、好ましくは６乃至約
２４個の炭素原子を有する置換アリールオキシ基、好ま
しくは７乃至約３０個の炭素原子を有するアリールアル
キルオキシ基、好ましくは７乃至約３０個の炭素原子を
有する置換アリールアルキルオキシ基、ヒドロキシ基、
シアノ基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、
エステル基、アミド基、カルボニル基、チオカルボニル
基、硫酸エステル基、スルホン酸エステル基、スルフィ
ド基、スルホキシド基、リン酸エステル基、スルホン
基、アシル基等が含まれ（しかし、これらに限定されな
い）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに結合されて環
を形成することができる。ここで、置換アルキル基、置
換アリール基、置換アリールアルキル基、置換アルコキ
シ基、置換アリールオキシ基及び置換アリールアルキル
オキシ基の置換基は、ヒドロキシ基、アンモニウム基、
シアノ基、ピリジン基、ピリジニウム基、エーテル基、
アルデヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、カル
ボン酸基、カルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸
エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、ホスフィ
ン基、ホスホニウム基、リン酸エステル基、シアノ基、
ニトリル基、メルカプト基、ニトロソ基、ハロゲン原
子、ニトロ基、スルホン基、アシル基、及びその混合物
などであり（しかしこれらに限定されない）、２つ又は
それ以上の置換基は互いに結合されて環を形成すること
ができる。ポリマーは、約５０乃至約３００℃、更に好
ましくは約１５０乃至約２６０℃のガラス転移温度を有
するのが好ましいが、Ｔ_g はこれらの範囲外でもよい。
電荷輸送層を形成するための電荷輸送分子のように、ポ
リマーが取り込まれる感光性画像形成部材の他の成分と
ポリマーが混合される場合、ポリマー含有混合物は、約
５０乃至約１００℃、更に好ましくは約７０℃のガラス
転移温度を有するのが好ましいが、混合物のＴ_g はこの
範囲外であってもよい。これらの材料の調製プロセスは
既知である。

【０２３４】本発明のために好ましいポリマーの３つの
例は、以下のような式を有するものである。

【０２３５】

【化１２４】

【０２３６】ここで、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約２５乃至約６２０、好ましくは約７４
乃至約１５０であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっ
てもよい。ある特定の実施例では約１５５℃のガラス転
移温度を有する。

【０２３７】

【化１２５】

【０２３８】ここで、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約２０乃至約４７５、好ましくは約５５
乃至約１１４であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっ
てもよい。ある特定の実施例では約２４０℃のガラス転
移温度を有する。

【０２３９】

【化１２６】

【０２４０】ここで、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約１０乃至約６２０、好ましくは約５５
乃至約１１４であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっ
てもよい。

【０２４１】また、次の式のポリマー及びこの部分を含
むオリゴマーも、電荷輸送分子等の受光体成分材料を比
較的高濃度で溶解できるといった利点のために好まし
い。

【０２４２】

【化１２７】

【０２４３】これらのポリマーは結晶化の可能性も少な
い。更には、これらのポリマーに溶解された電荷輸送分
子等の材料は、結晶化を示す可能性が少ない。これらの
ポリマーを含む層は、コーティング溶液が比較的高い濃
度の層成分を含む溶媒コーティングプロセスによって、
画像形成部材へ塗布できる。また、これらのポリマーを
含む層は、比較的高濃度の電荷輸送分子等の受光体成分
材料を含むことができる。

【０２４４】必須ではないが、ポリマーが特に選択され
た基で末端官能基化されれば、ポリマーの最終特性に関
して有利であろう。いくつかの場合には、ポリマーの末
端基は、ポリマー合成の化学量論により選択できる。例
えば、ポリマーがＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド中で炭
酸カリウムの存在下、４，４′−ジクロロベンゾフェノ
ン及びビスフェノールＡの反応により調製される場合、
ビスフェノールＡが約７．５乃至８モルパーセント過剰
に存在すれば、得られるポリマーは一般的にビスフェノ
ールＡ末端である（ビスフェノールＡ部分は１つ又はそ
れ以上のヒドロキシ基を有しても有さなくてもよい）。
これに対して、４，４′−ジクロロベンゾフェノンが約
７．５乃至８モルパーセント過剰に存在すれば、反応時
間はビスフェノールＡが過剰の反応で必要な時間のおよ
そ半分であり、得られるポリマーは一般的にベンゾフェ
ノン末端である（ベンゾフェノン部分は１つ又はそれ以
上の塩素原子を有しても有さなくてもよい）。同様に、
ポリマーがＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド中で炭酸カリ
ウムの存在下、４，４′−ジフルオロベンゾフェノンと
９，９′−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン
又はビスフェノールＡのいずれかとの反応により調製さ
れる場合、４，４′−ジフルオロベンゾフェノン反応物
が過剰に存在すれば、得られるポリマーは一般的にベン
ゾフェノン末端基（１つ又はそれ以上のフッ素原子を有
しても有さなくてもよい）を有する。良く知られたカラ
ザーズの式は、所望の分子量を得るのに必要とされる化
学量論的オフセットを計算するために使用できる。更に
一般的に言って、本発明の次式及び他の式を有するよう
なポリマーの調製の間、ポリマー合成反応の化学量論
は、ポリマーの末端基が「Ａ」基から誘導されるよう、
あるいは「Ｂ」基から誘導されるように調整できる。

【０２４５】

【化１２８】

【０２４６】また、「Ａ」又は「Ｂ」基の芳香環に付い
てフェノール部分を形成するヒドロキシ基や、「Ａ」又
は「Ｂ」基へ付いたハロゲン原子等のような、特定の官
能基がこれらの末端「Ａ」基又は「Ｂ」基上に存在でき
る。

【０２４７】ベンゾフェノン基又はハロゲン化ベンゾフ
ェノン基等の「Ａ」基から誘導される末端基を有するポ
リマーは、ビスフェノールＡ基（その芳香環に１つ又は
それ以上のヒドロキシ基を有する）又は他のフェノール
基等の「Ｂ」基から誘導される末端基を有するポリマー
と比較して、合成及びこれらの材料の幾つかの置換基配
置反応の両方の制御が容易であり、また、例えば、コス
ト、分子量、分子量範囲、及び多分散性（Ｍ_w ／Ｍ_n ）
に関して良い結果が得られるので、いくつかの応用で好
ましい。

【０２４８】また、ポリマーの末端ヒドロキシ基又はハ
ロゲン化物基は、更に反応されることができる。例え
ば、過剰の４，４′−ジフルオロベンゾフェノンと例え
ばビスフェノールＡ又は９，９′−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレンとを反応させて得られるポリマ
ーのようにハロゲン化物末端基を有するポリマーは、炭
酸カリウムの存在下でフェノールと反応させて−Ｆ末端
基を−φ基で置き換えることができる。同様に、ヒドロ
キシ末端基を有するポリマーは、典型的には約２０乃至
約６０℃の温度において水及び塩化メチレン中で水酸化
ナトリウム等の塩基の存在下、式ＮＲ₁ Ｒ₂ Ｒ₃ Ｒ₄ の
第４級アンモニウム塩と反応させてヒドロキシ基を対応
のアルコキシ基で置き換えることができる。ここで、Ｒ
₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 及びＲ₄ はそれぞれ、他とは独立的に、
好ましくは１乃至約５０個の炭素原子を有するアルキル
基、好ましくは６乃至約５０個の炭素原子を有するアリ
ール基、好ましくは７乃至約５０個の炭素原子を有する
アリールアルキル基、もしくは置換アルキル、アリール
又はアリールアルキル基である。

【０２４９】更に、オリゴマーは、ここに示される式の
ポリマーを生成するためにカップリング剤と反応させら
れる。式Ｉのポリマーが式III 又は式ＩＶのポリマーを
形成するためにカップリングされる以下に説明される一
般的な反応式は、次の通りである。

【０２５０】

【化１２９】

【０２５１】又は、

【０２５２】

【化１３０】

【０２５３】ここで、ｍは少なくとも約１の整数であ
り、繰返し単位の数を表す。ｍの値は、得られた結合ポ
リマーが溶媒中に溶解でき、画像形成部材上へ塗布でき
るような値である。好ましくは、ｍは、ポリマーの重量
平均分子量が約３００，０００未満、更に好ましくは約
１５０，０００未満であるような値である。

【０２５４】適切な「Ｃ」基の例には、ポリカーボネー
トに基づく基が含まれ、この場合「Ｃ」は以下の（イ）
であり、従ってポリマーは（ロ）結合を含む。また、ポ
リウレタン及びポリイソシアナートに基づく基が含ま
れ、この場合「Ｃ」は一般式（ハ）を有し、従ってポリ
マーは（ニ）結合を含む。

【０２５５】

【化１３１】

【０２５６】

【化１３２】

【０２５７】

【化１３３】

【０２５８】

【化１３４】

【０２５９】ここで、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個
の炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアル
キル基、好ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する
置換アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７乃
至約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基
を含むアリールアルキル基、もしくはその混合物であ
る。また、適切な「Ｃ」基の例にはポリエステルに基づ
く基が含まれ、この場合「Ｃ」は一般式（ホ）を有し、
従ってポリマーは（ヘ）結合を含む。

【０２６０】

【化１３５】

【０２６１】ここで、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個
の炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアル
キル基、好ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する
置換アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７乃
至約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基
を含むアリールアルキル基、もしくはその混合物であ
る。また、適切な「Ｃ」基の例には二無水物に基づく基
が含まれ、この場合「Ｃ」は一般式（ト）を有し、従っ
てポリマーは（チ）結合を含む。

【０２６２】

【化１３６】

【０２６３】

【化１３７】

【０２６４】ここで、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個
の炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアル
キル基、好ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する
置換アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７乃
至約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基
を含むアリールアルキル基、もしくはその混合物であ
る。また、適切な「Ｃ」基の例にはジエポキシに基づく
基が含まれ、この場合、「Ｃ」は一般式（リ）を有し、
従ってポリマーは（ヌ）結合を含む。

【０２６５】

【化１３８】

【０２６６】

【化１３９】

【０２６７】ここで、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個
の炭素原子を有する環状及び置換アルキル基並びに高分
子基を含むアルキル基、好ましくは６乃至約３０個の炭
素原子を有する置換アリール基を含むアリール基、又は
好ましくは７乃至約３０個の炭素原子を有する置換アリ
ールアルキル基を含むアリールアルキル基、もしくはそ
の混合物等である。上記の全ての「Ｒ」基について、適
切な置換基の例には、好ましくは１乃至約６個の炭素原
子を有するアルコキシ基、好ましくは６乃至約２４個の
炭素原子を有するアリールオキシ基、好ましくは７乃至
約３０個の炭素原子を有するアリールアルキルオキシ
基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アンモニウム基、シ
アノ基、ピリジン基、ピリジニウム基、ニトリル基、メ
ルカプト基、ニトロソ基、ニトロ基、エーテル基、アル
デヒド基、ケトン基、エステル基、アミド基、カルボン
酸基、カルボニル基、チオカルボニル基、硫酸エステル
基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホキシ
ド基、スルホン基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リ
ン酸エステル基、アシル基等が含まれ（しかし、これら
に限定されない）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに
結合して環を形成することができる。

【０２６８】例えば、ヒドロキシ末端オリゴマーはホス
ゲン又はその等価物（水素化リチウム及び炭酸ジフェニ
ル、もしくは以下の（ル）、（ヲ）又は（ワ）等）と反
応して、以下に説明されるようにオリゴマーをポリカー
ボネート基でカップリングさせることができる。

【０２６９】

【化１４０】

【０２７０】

【化１４１】

【０２７１】

【化１４２】

【０２７２】式Ｉのポリマーは、次のように、式III 又
は式ＩＶのポリマーを形成するためにカップリングされ
る。

【０２７３】

【化１４３】

【０２７４】又は、

【０２７５】

【化１４４】

【０２７６】ここに示される特定の式を有するポリマー
とのこの縮合反応のための条件は、例えばW.R.ソレンソ
ン（W.R. Sorenson)及びT.W.キャンベル（T.W. Campbel
l)著「ポリマー化学の合成方法」（第２版、ジョンウィ
リー＆サンズ、ニューヨーク１９６１、１９６８）の例
えば１２２、１２３、１４０及び１４１頁に開示される
ビスフェノールＡとホスゲンの反応で使用される条件と
同様である。

【０２７７】もう１つの例では、ヒドロキシ末端オリゴ
マーはジイソシアナートと反応して（ヒドロキシ基１モ
ル当量当たりイソシアナート基１モル当量）、以下に説
明されるように、オリゴマーをイソシアナート基でカッ
プリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマー
は、次のように、式III 又は式ＩＶのポリマーを形成す
るためにカップリングされる。

【０２７８】

【化１４５】

【０２７９】

【化１４６】

【０２８０】又は、

【０２８１】

【化１４７】

【０２８２】適切なジイソシアナート反応物の他の特定
の例（典型的には、一般式

【０２８３】

【化１４８】

【０２８４】を有し、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個
の炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアル
キル基、好ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する
置換アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７乃
至約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基
を含むアリールアルキル基、もしくはその混合物であ
る）には、式（カ）のトルエンジイソシアナート、式
（ヨ）のトリメチロールプロパントルエンジイソシアナ
ート付加物（モベイケミカル社、ピッツバーグ、ペンシ
ルバニア州から商業的に入手可能なＣＢ−７５等）、式
（タ）のようなペンタエリトリトールトルエンジイソシ
アナート付加物等が含まれる。

【０２８５】

【化１４９】

【０２８６】

【化１５０】

【０２８７】

【化１５１】

【０２８８】ジイソシアナート（１当量のイソシアナー
ト基）は２５℃の塩化メチレン溶液中でヒドロキシ末端
オリゴマー（１当量のヒドロキシ基）と混合でき、その
後できるだけ速く反応混合物をコーティングする。膜は
放置すると鎖延長する。膜は次に、溶媒を除去するため
に９０℃へ加熱して乾燥される。この温度より高い温度
では、反応の熱逆転が起こる。

【０２８９】別の例では、ヒドロキシ末端オリゴマー
は、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物（ヒドロキ
シ基１モル当量当たり１モル当量のエステル、酸塩化
物、又は無水物基）と反応して、以下に説明されるよう
に、オリゴマーをエステル、酸塩化物、又は無水物基で
カップリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマ
ーは、次のように、式III 又は式ＩＶのポリマーを形成
するためにカップリングされる。

【０２９０】

【化１５２】

【０２９１】又は、

【０２９２】

【化１５３】

【０２９３】典型的なジエステル及び二酸塩化物反応物
は次の一般式を有する。

【０２９４】

【化１５４】

【０２９５】及び

【０２９６】

【化１５５】

【０２９７】ここで、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 及びＲ₃ はそれぞれ、
他とは独立的に、好ましくは１乃至約３０個の炭素原子
を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好
ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する置換アリー
ル基を含むアリール基、又は好ましくは７乃至約３０個
の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリ
ールアルキル基、もしくはその混合物である。典型的な
二無水物反応物は次の一般式を有する。

【０２９８】

【化１５６】

【０２９９】ここで、Ｒは、好ましくは１乃至約３０個
の炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアル
キル基、好ましくは６乃至約３０個の炭素原子を有する
置換アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７乃
至約３０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基
を含むアリールアルキル基、もしくはその混合物であ
る。ヒドロキシ末端オリゴマー膜は、ポリマーを鎖延長
させるために、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物
（例えば、フタル酸ジエステル又は二無水物）と共に、
約３０分間１５０℃まで加熱される。

【０３００】別の例では、ヒドロキシ末端オリゴマーは
ジエポキシ化合物又は二無水物と反応して、以下に説明
されるように、オリゴマーをエポキシ基誘導体でカップ
リングさせることができる。ここで式Ｉのポリマーは、
次のように、式III 又は式ＩＶのポリマーを形成するた
めにカップリングされる。

【０３０１】

【化１５７】

【０３０２】又は、

【０３０３】

【化１５８】

【０３０４】典型的なジエポキシ反応物は次の一般式を
有する。

【０３０５】

【化１５９】

【０３０６】ここで、Ｒ、Ｒ₁ 及びＲ₂ はそれぞれ、他
とは独立的に、好ましくは１乃至約３０個の炭素原子を
有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好ま
しくは６乃至約３０個の炭素原子を有する置換アリール
基を含むアリール基、又は好ましくは７乃至約３０個の
炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリー
ルアルキル基、もしくはその混合物である。また、Ｒは
高分子でもよく、得られるジエポキシはモノマー又はポ
リマーである。特定の適切なジエポキシ反応物には、Ｅ
ＰＯＮ登録商標８２８樹脂等のＲが次の式（レ）である
もの、Ｒが式（ソ）であるもの、およびＲが式（ツ）で
あるもの等が含まれる。

【０３０７】

【化１６０】

【０３０８】

【化１６１】

【０３０９】

【化１６２】

【０３１０】上記の式において、ｎは繰返しモノマー単
位の数を表し、ＥＰＯＮ登録商標シリーズの他の樹脂の
ように典型的には約１乃至約２６である。また上記の式
（ツ）において、ｎは繰返しモノマー単位の数を表し、
典型的には約１乃至約２６である。ヒドロキシ末端オリ
ゴマー膜は、ポリマーを鎖延長させるためにエポキシ樹
脂（ＥＰＯＮ８２８）及び二無水物又はトリエチルアミ
ン（１０重量パーセント）と共に１３５℃で３０分間加
熱される。

【０３１１】また、次の一般式のポリマーもこれらの方
法でカップリングすることができ、式ＩＶ、Ｖ、ＶＩ、
ＶII、ＶIII 、ＩＸ、及びＸのポリマーもこれらの方法
により調製することができる。

【０３１２】

【化１６３】

【０３１３】また、受光体の電気伝導性層の接地又は電
気的バイアスへの接続を容易にするために導電性層、ブ
ロッキング層、接着層又は電荷発生層と接触するベルト
の一端に沿った従来の電気伝導性接地片のような他の層
が含まれてもよい。接地片は良く知られており、通常、
膜形成バインダ中に分散された導電性粒子を含む。

【０３１４】耐摩耗性を改良するために、任意に、上塗
り層が利用されてもよい。いくつかの場合には、平坦性
及び／又は耐摩耗性を提供するために光導電性層を支持
する面と反対の基板表面へカール防止バックコーティン
グが塗布されてもよい。これらの上塗り及びカール防止
バックコーティング層は当該技術において良く知られて
おり、電気絶縁性又は僅かに半導性の熱可塑性有機ポリ
マー又は無機ポリマーを含むことができる。上塗りは連
続的であり、一般的に約１０マイクロメートルより薄い
厚さを有する。カール防止バッキング層の厚さは、支持
基板層の反対側の層（単数又は複数）の全体の力と実質
的に釣り合うのに十分でなければならない。全体の力
は、全ての層が乾燥された後にベルトが顕著なカール傾
向を示さない場合に、実質的に釣り合う。例えば、画像
形成部材の受光体側のコーティング厚の大部分が、厚さ
約７６ミクロンのマイラー基板上の厚さ約２４ミクロン
の主にポリカーボネート樹脂を含む輸送層である電子写
真式画像形成部材では、約９９重量パーセントのポリカ
ーボネート樹脂と、約１重量パーセントのポリエステル
と、約５乃至約２０パーセントのカップリング剤処理さ
れた結晶性粒子と、を含む１３．５マイクロメートル厚
のカール防止層を用いれば、十分な力の釣り合いが達成
できる。カール防止バッキング層の例は、米国特許第
４、６５４、２８４号に記載されている。約７０ミクロ
ンと約１６０ミクロンの間の厚さは、フレキシブル受光
体にとって満足できる範囲である。

【０３１５】また本発明は、ここに開示される光導電性
画像形成部材を用いて画像を発生させる方法も包含す
る。その方法は、本発明の光導電性画像形成部材上に静
電潜像を生成するステップと、潜像を現像するステップ
と、現像された静電画像を基体へ転写するステップと、
を含む。任意に、転写された画像は基体へ永久的に定着
されることができる。画像の現像は、カスケード、タッ
チダウン、パウダー雲、磁気ブラシ等の多数の方法によ
り達成することができる。現像画像の基体への転写は、
コロトロン又はバイアス帯電ロールを使用する方法を含
むどの方法で行ってもよい。定着ステップは、輻射フラ
ッシュ溶融、加熱溶融、加圧溶融、蒸気溶融等の適切な
方法によって実行することができる。紙又は透明材料等
のゼログラフィ複写機及びプリンタで使用される材料
は、基体として使用できる。

【０３１６】

【実施例】実施例Ｉ Ａ 次式のポリアリーレンエーテルケトン（以下、ポリ（４
−ＣＰＫ−ＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製され
た。

【０３１７】

【化１６４】

【０３１８】ここで、ｎは約６乃至約３０である。ディ
ーン−スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニ
カルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられ
た１リットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイル
バス中に配置された。４，４′−ジクロロベンゾフェノ
ン（５０グラム）、ビスフェノールＡ（４８．９６グラ
ム）、炭酸カリウム（６５．５６グラム）、無水Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド（３００ミリリットル）、及び
トルエン（５５ミリリットル）はフラスコへ添加されて
１７５℃（オイルバス温度）へ加熱され、揮発性トルエ
ン成分は捕集及び除去された。連続的に攪拌しながら１
７５℃で２４時間加熱した後、メタノール中に沈殿され
た一定量の反応生成物は、ゲル浸透クロマトグラフィ
（ｇｐｃ）（溶離溶媒はテトラヒドロフラン）により分
析され、次の結果を与えた：Ｍ_n ４，４６４、Ｍ
_peak７，５８３、Ｍ_w ７，９２７、Ｍ_z １２，３３１及
びＭ_z+1 １６，９８０。連続的に攪拌しながら１７５℃
で４８時間後、反応混合物は炭酸カリウムを除去するた
めに濾過され、メタノール（２ガロン）中に沈殿され
た。ポリマー（ポリ（４−ＣＰＫ−ＢＰＡ））は、濾過
及び真空乾燥後に８６％の収率で分離された。ＧＰＣ分
析は次の通りであった：Ｍ_n ５，３４７、Ｍ_peak１６，
１２６、Ｍ_w １５，５９６、Ｍ_z ２９，２０９及びＭ
_z+1 ４２，７１０。２０℃／分の加熱速度で示差走査熱
量測定を用いて決定された、ポリマーのガラス転移温度
は約１２０±１０℃であった。塩化メチレンからの溶液
キャスト膜は、透明、強靱、且つフレキシブルであっ
た。反応で使用される化学量論の結果、このポリマーは
ビスフェノールＡから誘導される末端基を有するものと
信じられる。

【０３１９】Ｂ 次式のポリアリーレンエーテルケトン（以下、ポリ（４
−ＦＰＫ−ＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製され
た。

【０３２０】

【化１６５】

【０３２１】ここで、ｎは約１２３である。ディーン−
スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルス
ターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた１リ
ットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバス中
に配置された。４，４′−ジフルオロベンゾフェノン
（２１．８２グラム）、ビスフェノールＡ（２２．６４
グラム）、炭酸カリウム（４０．０グラム）、無水Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド（３００ミリリットル）、及
びトルエン（５２ミリリットル）はフラスコへ添加され
て１７５℃（オイルバス温度）へ加熱され、揮発性トル
エン成分は捕集及び除去された。連続的に攪拌しながら
１７５℃で５時間加熱した後、フェノール（５グラム）
が添加され、攪拌しながら１７０℃の加熱が３０分以上
継続された。２５℃へ冷却した後、反応混合物は５００
グラムの塩化メチレンと共に攪拌され、炭酸カリウムを
除去するために濾過された。濾液はメタノール（３ガロ
ン）へ添加された。沈殿物は濾過により捕集され、２．
５ガロンの水で洗浄された後、１ガロンのメタノールで
洗浄された。ポリマー（ポリ（４−ＦＰＫ−ＢＰＡ））
は、濾過及び真空乾燥後に９０％の収率で分離された。
ＧＰＣ分析は次の通りであった：Ｍ_n ３０，０００、Ｍ
_w ７５，０００。２０℃／分の加熱速度で示差走査熱量
測定を用いて決定された、ポリマーのガラス転移温度は
約１４０℃であった。反応で使用される化学量論の結
果、このポリマーはオキシフェニル基から誘導される末
端基を有するものと信じられる。１０重量固体パーセン
トで塩化メチレン中に溶解されたポリマーは、ポリマー
を再沈殿させるためにワーリングブレンダを用いてメタ
ノール（１ガロン）へ添加された。次にポリマーは濾過
及び真空乾燥により分離された。この材料は、次に受光
体の輸送層として使用された。実施例II 次式のポリマー（以下、ポリ（４−ＦＰＫ−ＦＢＰＡ）
と称す）は、以下のように調製された。

【０３２２】

【化１６６】

【０３２３】ここで、ｎは約１３０である。ディーン−
スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルス
ターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた１リ
ットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバス中
に配置された。４，４′−ジフルオロベンゾフェノン
（４３．４７グラム、０．１９９２モル）、９，９′−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレノン（７５．
０６グラム、０．２１４５モル）、炭酸カリウム（６
５．５６グラム）、無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
（３００ミリリットル）、及びトルエン（５２ミリリッ
トル）はフラスコへ添加されて１７５℃（オイルバス温
度）へ加熱され、揮発性トルエン成分は捕集及び除去さ
れた。連続的に攪拌しながら１７５℃で５時間加熱した
後、反応混合物は２５℃へ冷却された。凝固した塊は酢
酸（酢）で処理され、塩化メチレンで抽出され、濾過さ
れ、ポリマーを沈殿させるためにメタノールへ添加され
た。このポリマーは濾過により捕集され、水で洗浄され
た後、メタノールで洗浄された。真空乾燥された生成物
のポリ（４−ＦＰＫ−ＦＢＰＡ）の収量は７１．７グラ
ムであった。ポリマーはゲル浸透クロマトグラフィ（ｇ
ｐｃ）（溶離溶媒はテトラヒドロフラン）により分析さ
れ、次の結果を与えた：Ｍ_n ５９，１００、Ｍ_{pe ak}１４
４，０００、Ｍ_w １３６，１００、Ｍ_z ２１１，３５０
及びＭ_z+1 ２８６，１００。２０℃／分の加熱速度で示
差走査熱量測定を用いて決定された、報告されたポリマ
ーのガラス転移温度は２４０℃であった。塩化メチレン
からの溶液キャスト膜は、透明、強靱、且つフレキシブ
ルであった。反応で使用される化学量論の結果、このポ
リマーはフルオレノンビスフェノールから誘導されるヒ
ドロキシル末端基を有するものと信じられる。実施例III バインダ発生体層の調製 ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料粒子を含む幾つ
かの発生体層は、ポリエチレンテレフタレート膜上に真
空蒸着チタン層を含む基板の上に、従来のコーティング
技法を用いてコーティングを形成することによって調製
された。第１コーティングは、厚さ０．００５ミクロン
（５０オングストローム）の加水分解ガンマ−アミノプ
ロピルトリエトキシシランから形成されたシロキサン障
壁層であった。この膜は次のように被覆された。３−ア
ミノプロピルトリエトキシシランは１：５０の体積比で
エタノール中に混合された。得られた溶液の膜は、マル
チクリアランスフィルム塗布器により湿潤な厚さが０．
５ミルで基板へ塗布された。次に障壁層は室温で５分間
乾燥された後、強制エアオーブン中１１０℃で１０分間
硬化された。第２コーティングは厚さ０．００５ミクロ
ン（５０オングストローム）のポリエステル樹脂の接着
層であり、次のように被覆された。０．５グラムの４
９，０００ポリエステル樹脂は、７０グラムのテトラヒ
ドロフラン及び２９．５グラムのシクロヘキサノン中に
溶解された。得られた溶液の膜は０．５ミルのバーによ
り障壁層上へ被覆され、強制エアオーブン中で１０分間
硬化された。接着界面層は、その後、４０体積パーセン
トのヒドロキシガリウムフタロシアニン及び６０体積パ
ーセントのスチレン（８２％）／４−ビニルピリジン
（１８％）ブロック共重合体（Ｍ_w は１１，９００）を
含む光発生層で被覆された。この光発生コーティング組
成物は、１．５グラムのスチレン／４−ビニルピリジン
ブロック共重合体を４２ミリリットルのトルエン中に溶
解することによって調製された。１．３３グラムのヒド
ロキシガリウムフタロシアニン及び３００グラムの１／
８インチ直径のステンレス鋼ショットがこの溶液へ添加
された。次にこの混合物は、ロールミル上に２０時間配
置された。得られたスラリーはその後バード・バー塗布
器を用いて接着層へ塗布され、湿潤な厚さが０．２５ミ
ルの層を形成した。この光発生層は強制エアオーブン中
１３５℃で５分間乾燥され、乾燥した厚さが０．４ミク
ロンの層を形成した。実施例ＩＶ 輸送層の調製 電荷輸送層は、実施例III に記載されたように調製され
た画像形成部材のヒドロキシガリウムフタロシアニン発
生体層の上に被覆された。輸送層は、１３．５グラムの
塩化メチレン溶媒に溶解された１グラムのＮ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチル−フェニル）−
（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミンと、ポ
リカーボネート樹脂のポリ（４，４′−イソプロピリデ
ン−ジフェニレンカーボネート）及び実施例ＩＢに記載
されたように調製されたポリマーか実施例IIに記載され
たように調製されたポリマーのいずれかのブレンドを含
む１グラムの高分子バインダ樹脂と、を含む溶液を塗布
するためにバード・コーティング塗布器を用いて形成さ
れた。全部で６つの画像形成部材が調製された。（ａ）
２５重量パーセントの量の実施例ＩＢのポリマーと、７
５重量パーセントの量のポリカーボネートと、を含むポ
リマーブレンドを有するもの。（ｂ）５０重量パーセン
トの量の実施例ＩＢのポリマーと、５０重量パーセント
の量のポリカーボネートと、を含むポリマーブレンドを
有するもの。（ｃ）７５重量パーセントの量の実施例Ｉ
Ｂのポリマーと、２５重量パーセントの量のポリカーボ
ネートと、を含むポリマーブレンドを有するもの。
（ｄ）２５重量パーセントの量の実施例IIのポリマー
と、７５重量パーセントの量のポリカーボネートと、を
含むポリマーブレンドを有するもの。（ｅ）５０重量パ
ーセントの量の実施例IIのポリマーと、５０重量パーセ
ントの量のポリカーボネートと、を含むポリマーブレン
ドを有するもの。（ｆ）７５重量パーセントの量の実施
例IIのポリマーと、２５重量パーセントの量のポリカー
ボネートと、を含むポリマーブレンドを有するもの。
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチル−
フェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジ
アミンは電気的に活性な芳香族ジアミン電荷輸送小型分
子であり、ポリカーボネート樹脂並びに実施例ＩＢ及び
実施例IIのポリマーは電気的に不活性な膜形成バインダ
である。被覆された装置は、強制エアオーブン中８０℃
で３０分間乾燥され、乾燥した２５ミクロン厚の電荷輸
送層を形成した。実施例Ｖ 実施例ＩＶに記載したように調製された画像形成部材
は、軸で回転される円筒形のアルミニウムドラム上に取
り付けられた。膜はドラムの周囲に沿って取り付けられ
たコロトロンにより帯電された。表面電位は、軸のまわ
りの異なる位置に配置された幾つかの容量結合プローブ
によって時間の関数として測定された。プローブはドラ
ム基板へ既知の電位を適用することによって校正され
た。次にドラム上の膜は、ドラムのまわりの適切な位置
に配置された光源によって露光及び消去された。測定
は、一定の電流又は電圧モードで光導電体装置を帯電さ
せることからなる。ドラムが回転されると、初期の帯電
電位がプローブ１により測定された。更に回転し露光ス
テーションへ至ると、光導電体装置は既知の強度の単色
光の放射へ露光された。露光後の表面電位はプローブ２
及び３により測定された。装置は最後に適切な強度の消
去ランプで露光され、残留電位はプローブ４により測定
された。プロセスは、次のサイクルの間に自動的に変化
される露光の大きさで繰り返された。光誘導される放電
特性曲線は、プロープ２及び３の電位を露光の関数とし
てプロットして得られた。放電曲線の初期の傾きは（ボ
ルト×ｃｍ²／エルグ）単位のＳとし、消去ステップ後
の残留電位はＶｒとする。装置は、サイクリック安定性
を決定するために、１０，０００サイクルの帯電、露光
及び消去ステップを連続的にサイクルされた。輸送層中
の電荷トラッピングの結果、サイクルアップとして知ら
れる残留電位の蓄積が起こる。６つの試料の感度データ
と残留サイクルアップを下表に示した。Ｓは光誘導放電
特性（Photo-Induced Discharge Characteristics 、Ｐ
ＩＤＣ）の初期傾斜を示し、装置の感度の尺度である。
サイクルアップは１０，０００サイクルの連続動作での
残留電位の増大である。

【０３２４】

【表１】

【０３２５】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【図２】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【図３】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【図４】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。

【符号の説明】

１、２１、３１、４１ 導電性基板 ２、２８、３７ａ、４２ 光発生化合物 ３、２７、３７、４３ 光発生層 ４、９、２５、２９、３７ｂ、４４ 樹脂バインダ組
成物 ５、２３、３９ 電荷輸送層 ７ 電荷輸送分子 ２４ 電荷輸送組成物 ３３ 金属酸化物層 ３５ 接着層 ３６ カール防止バッキング層 ３８ 保護上塗り層 ３９ａ 電荷輸送化合物 ３９ｂ 樹脂バインダ ４５ 電荷輸送材料

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レオン エー．チュースチャー アメリカ合衆国 14221 ニューヨーク州 ウィリアムズビル フランクホーザー ロード 94 (72)発明者 ダモダー エム．パイ アメリカ合衆国 14450 ニューヨーク州 フェアポート シャグバーク ウェイ 72 (72)発明者 ジョン エフ．ヤヌス アメリカ合衆国 14580 ニューヨーク州 ウェブスター リトル バードフィール ド ロード 924 (72)発明者 キャスリーン エム．カーマイケル アメリカ合衆国 14589 ニューヨーク州 ウィリアムソン ピーズ ロード 5689 (72)発明者 エドワード エフ．グラボースキー アメリカ合衆国 14580 ニューヨーク州 ウェブスター シャーボーン ロード 479 (72)発明者 ポール エフ．ズコスキー アメリカ合衆国 14467 ニューヨーク州 ヘンリエッタ フォックス チャペル ロード 154

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性基板と、光発生材料と、電荷輸送
   材料と、（ａ）ポリカーボネートを含む第１ポリマー及
   び（ｂ）以下の式の第２ポリマーを含む高分子バインダ
   と、を備えた画像形成部材。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 又は、 【化５】 式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以下の式又はこ
   れらの混合物であり、 【化６】 【化７】 Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化８】 【化９】 式中、ｖは１から約２０の整数であり、 【化１０】 式中、ｔは１から約２０の整数であり、 【化１１】 式中、ｚは２から約２０の整数であり、 【化１２】 式中、ｕは１から約２０の整数であり、 【化１３】 式中、ｗは１から約２０の整数であり、 【化１４】 【化１５】 Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化１６】 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル
   基、又はその混合物であり、ｍ及びｎは繰り返し単位の
   数を表す整数である。