JPH11218943A - 画像形成部材 - Google Patents
画像形成部材Info
- Publication number
- JPH11218943A JPH11218943A JP10328925A JP32892598A JPH11218943A JP H11218943 A JPH11218943 A JP H11218943A JP 10328925 A JP10328925 A JP 10328925A JP 32892598 A JP32892598 A JP 32892598A JP H11218943 A JPH11218943 A JP H11218943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- embedded image
- group
- integer
- layer
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/056—Polyesters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0564—Polycarbonates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0567—Other polycondensates comprising oxygen atoms in the main chain; Phenol resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0571—Polyamides; Polyimides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0575—Other polycondensates comprising nitrogen atoms with or without oxygen atoms in the main chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0582—Polycondensates comprising sulfur atoms in the main chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
- G03G5/075—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/076—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone
- G03G5/0763—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone comprising arylamine moiety
- G03G5/0764—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone comprising arylamine moiety triarylamine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
- G03G5/075—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/076—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone
- G03G5/0763—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone comprising arylamine moiety
- G03G5/0766—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone comprising arylamine moiety benzidine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
- G03G5/075—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/076—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone
- G03G5/0767—Polymeric photoconductive materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds having a photoconductive moiety in the polymer backbone comprising hydrazone moiety
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像形成部材で使用される樹脂バインダの特
性を改良する。 【解決手段】 導電性基板１と、光発生化合物２と、電
荷輸送分子７と、樹脂バインダ組成物４及び９とを備え
た画像形成部材。樹脂バインダ組成物は、例えば次式で
示されるポリマーを含む。 【化１】
性を改良する。 【解決手段】 導電性基板１と、光発生化合物２と、電
荷輸送分子７と、樹脂バインダ組成物４及び９とを備え
た画像形成部材。樹脂バインダ組成物は、例えば次式で
示されるポリマーを含む。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は改良された感光性画
像形成部材に関する。より詳細には、本発明は、改良さ
れた高分子バインダを含有する感光性画像形成部材に関
する。
像形成部材に関する。より詳細には、本発明は、改良さ
れた高分子バインダを含有する感光性画像形成部材に関
する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６３−２４７７５７は、導電性支
持体上に積層された光導電性層が、電荷発生物質及び／
又は電荷輸送物質と、以下の一般式（Ｉ）及び（II）で
表すことのできる構造単位から成る少なくとも１つのポ
リエーテルケトンポリマーと、を含む本体から成る電子
写真式感光体を開示する。
持体上に積層された光導電性層が、電荷発生物質及び／
又は電荷輸送物質と、以下の一般式（Ｉ）及び（II）で
表すことのできる構造単位から成る少なくとも１つのポ
リエーテルケトンポリマーと、を含む本体から成る電子
写真式感光体を開示する。
【０００３】
【化６４】
【０００４】式中、ｍは０又は１であり、Ａｒは以下の
式
式
【０００５】
【化６５】
【０００６】式中、Ｒはアルキル基、ｎは０、１又は２
であり、Ｘは次式のものを示す。
であり、Ｘは次式のものを示す。
【０００７】
【化６６】
【０００８】Ｒ′及びＲ″は、それぞれ独立的に−Ｈ、
−ＣＨ3 、−Ｃ2 Ｈ5 及び
−ＣＨ3 、−Ｃ2 Ｈ5 及び
【０００９】
【化６７】
【００１０】を示す。
【００１１】ここで、一般式（Ｉ）で表されるポリマー
の構造単位の割合は０．１〜１．０であり、一般式（I
I）で表されるポリマーの構造単位の割合は０〜０．９
である。
の構造単位の割合は０．１〜１．０であり、一般式（I
I）で表されるポリマーの構造単位の割合は０〜０．９
である。
【００１２】米国特許第５，３３６，５７７号は、電荷
発生及び電荷輸送が同時に可能な光応答性装置上の厚い
有機両極性（ambipolar)層を開示する。特に、有機光応
答性層は、フルオレニリデンマロニトリル誘導体等の電
子輸送材料と、ジヒドロキシテトラフェニルベンズアジ
ン含有ポリマー等の正孔輸送材料と、を含む。これらは
光応答性を提供するために錯体化されることができ、光
応答性の顔料又は染料が含有されることもできる。
発生及び電荷輸送が同時に可能な光応答性装置上の厚い
有機両極性（ambipolar)層を開示する。特に、有機光応
答性層は、フルオレニリデンマロニトリル誘導体等の電
子輸送材料と、ジヒドロキシテトラフェニルベンズアジ
ン含有ポリマー等の正孔輸送材料と、を含む。これらは
光応答性を提供するために錯体化されることができ、光
応答性の顔料又は染料が含有されることもできる。
【００１３】米国特許第４，８０１，５１７号は、静電
複写式画像形成部材と画像形成部材を用いるための電子
写真式画像形成プロセスとを開示し、画像形成部材は基
板及び少なくとも１つの導電性層を備える。該画像形成
部材は、次式で表される高分子アリールアミン化合物を
含む。
複写式画像形成部材と画像形成部材を用いるための電子
写真式画像形成プロセスとを開示し、画像形成部材は基
板及び少なくとも１つの導電性層を備える。該画像形成
部材は、次式で表される高分子アリールアミン化合物を
含む。
【００１４】
【化６８】
【００１５】ここで、ｎは約５と５，０００の間であ
り、ｍは０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮
合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選
択される。Ｒはある特定のアルキル基から選択され、Ａ
ｒ′はある特定の芳香族基から選択される。Ｒ′及び
Ｒ″はある特定のアルキレン基から独立的に選択され
る。
り、ｍは０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮
合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選
択される。Ｒはある特定のアルキル基から選択され、Ａ
ｒ′はある特定の芳香族基から選択される。Ｒ′及び
Ｒ″はある特定のアルキレン基から独立的に選択され
る。
【００１６】米国特許第４，８０６，４４３号は、静電
複写式画像形成部材と画像形成部材を用いるための電子
写真式画像形成プロセスとを開示し、該画像形成部材は
基板及び導電性層を備える。該画像形成部材は、次式で
表される高分子アクリルアミン化合物を含む。
複写式画像形成部材と画像形成部材を用いるための電子
写真式画像形成プロセスとを開示し、該画像形成部材は
基板及び導電性層を備える。該画像形成部材は、次式で
表される高分子アクリルアミン化合物を含む。
【００１７】
【化６９】
【００１８】ここで、ｎは５と約５，０００の間、ｍは
０又は１、ｙは１、２又は３である。Ｚはある特定の芳
香族及び縮合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香
族基から選択され、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選
択される。Ｘ′は、２〜１０個の炭素原子を含むアルキ
レン及びイソアルキレン基から成る群より選択されるア
ルキレンラジカルである。画像形成部材は基板、電荷発
生層、及び電荷輸送層を含むことができる。
０又は１、ｙは１、２又は３である。Ｚはある特定の芳
香族及び縮合環基から選択され、Ａｒはある特定の芳香
族基から選択され、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選
択される。Ｘ′は、２〜１０個の炭素原子を含むアルキ
レン及びイソアルキレン基から成る群より選択されるア
ルキレンラジカルである。画像形成部材は基板、電荷発
生層、及び電荷輸送層を含むことができる。
【００１９】米国特許第４，８０６，４４４号及び同第
４，９３５，４８７号は、静電複写式画像形成部材と画
像形成部材を用いるための電子写真式画像形成プロセス
とを開示し、該画像形成部材は基板及び導電性層を備え
る。該画像形成部材は、次式で表される高分子アリール
アミン化合物を含む。
４，９３５，４８７号は、静電複写式画像形成部材と画
像形成部材を用いるための電子写真式画像形成プロセス
とを開示し、該画像形成部材は基板及び導電性層を備え
る。該画像形成部材は、次式で表される高分子アリール
アミン化合物を含む。
【００２０】
【化７０】
【００２１】ここで、ｎは約５と約５，０００の間、ｍ
は０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮合環基
から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選択さ
れ、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選択される。画像
形成部材は、基板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含む
ことができる。
は０又は１である。Ｚはある特定の芳香族及び縮合環基
から選択され、Ａｒはある特定の芳香族基から選択さ
れ、Ａｒ′はある特定の芳香族基から選択される。画像
形成部材は、基板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含む
ことができる。
【００２２】米国特許第４，８１８，６５０号及び同第
４，９５６，４４０号（リンバーグら（Limburg et a
l.))は、静電複写式画像形成部材と画像形成部材を用い
るための電子写真式画像形成プロセスとを開示し、該画
像形成部材は基板及び少なくとも１つの導電性層を備え
る。該画像形成部材は、次式で表される高分子アリール
アミン化合物を含む。
４，９５６，４４０号（リンバーグら（Limburg et a
l.))は、静電複写式画像形成部材と画像形成部材を用い
るための電子写真式画像形成プロセスとを開示し、該画
像形成部材は基板及び少なくとも１つの導電性層を備え
る。該画像形成部材は、次式で表される高分子アリール
アミン化合物を含む。
【００２３】
【化７１】
【００２４】ここで、Ｒは−Ｈ、−ＣＨ3 及び−Ｃ2 Ｈ
5 から成る群より選択され、ｍは約４と約１,０００の
間である。Ａは次式で表されるアリールアミン基から成
る群より選択される。
5 から成る群より選択され、ｍは約４と約１,０００の
間である。Ａは次式で表されるアリールアミン基から成
る群より選択される。
【００２５】
【化７２】
【００２６】ここで、ｍは０又は１であり、Ｚは、酸素
又は硫黄原子も含むある特定の芳香族及び縮合環基、線
状又は環状炭化水素基、並びにアミン基から選択され
る。Ａｒはある特定の芳香族基から選択され、Ａｒ′は
ある特定の芳香族基から選択される。Ｂは、Ａのために
定義されたアリールアミン基及び−Ａｒ−Ｖ）n Ａｒ−
から成る群より選択される。ここで、Ａｒは上記に定義
された通りであり、Ｖは、酸素又は硫黄原子、線状又は
環状炭化水素基、もしくはフェニレン基から選択され
る。少なくともＡ又はＢはアリールアミン基を含む。画
像形成部材は基板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含む
ことができる。
又は硫黄原子も含むある特定の芳香族及び縮合環基、線
状又は環状炭化水素基、並びにアミン基から選択され
る。Ａｒはある特定の芳香族基から選択され、Ａｒ′は
ある特定の芳香族基から選択される。Ｂは、Ａのために
定義されたアリールアミン基及び−Ａｒ−Ｖ）n Ａｒ−
から成る群より選択される。ここで、Ａｒは上記に定義
された通りであり、Ｖは、酸素又は硫黄原子、線状又は
環状炭化水素基、もしくはフェニレン基から選択され
る。少なくともＡ又はＢはアリールアミン基を含む。画
像形成部材は基板、電荷発生層、及び電荷輸送層を含む
ことができる。
【００２７】米国特許第５，０３０，５３２号は、支持
層及び少なくとも１つの光導電性層を含む静電複写式画
像形成部材を開示する。該画像形成部材は、次式で表さ
れるポリアリールアミンポリマーを含む。
層及び少なくとも１つの光導電性層を含む静電複写式画
像形成部材を開示する。該画像形成部材は、次式で表さ
れるポリアリールアミンポリマーを含む。
【００２８】
【化７３】
【００２９】ここで、ｎは約５と約５，０００の間、あ
るいはｐ＞０の場合は０である。ｏは約９と約５，００
０の間、あるいはｐ＞０又はｎ＝０の場合は０である。
ｐは約２と約１００の間、あるいはｎ＞０の場合は０で
ある。Ｘ′及びＸ″は、二官能性結合を有する基から独
立的に選択される。Ｑはヒドロキシ末端アリールアミン
反応物から誘導される二価の基である。Ｑ′は、重量平
均分子量が約１，０００〜約８０，０００の、Ｑのため
に定義された基を含むヒドロキシ末端ポリアリールアミ
ンから誘導される二価の基である。ポリアリールアミン
ポリマーの重量平均分子量は約１０，０００と約１，０
００，０００の間である。
るいはｐ＞０の場合は０である。ｏは約９と約５，００
０の間、あるいはｐ＞０又はｎ＝０の場合は０である。
ｐは約２と約１００の間、あるいはｎ＞０の場合は０で
ある。Ｘ′及びＸ″は、二官能性結合を有する基から独
立的に選択される。Ｑはヒドロキシ末端アリールアミン
反応物から誘導される二価の基である。Ｑ′は、重量平
均分子量が約１，０００〜約８０，０００の、Ｑのため
に定義された基を含むヒドロキシ末端ポリアリールアミ
ンから誘導される二価の基である。ポリアリールアミン
ポリマーの重量平均分子量は約１０，０００と約１，０
００，０００の間である。
【００３０】既知の組成物及び方法は、それらの意図す
る目的には好適であるが、改良された感光性画像形成部
材が依然として必要である。また、感光性画像形成部材
のための改良されたバインダも必要である。更に、画像
形成部材の光発生層での使用に好適な高分子バインダが
必要である。更に、画像形成部材の電荷輸送層での使用
に好適な高分子バインダが必要である。また、高いガラ
ス転移温度を有する高分子バインダが必要である。ま
た、電荷輸送物質及び／又は可塑剤を大量に含むことが
できる高分子バインダが必要である。更に、優れた薄膜
特性を示し、画像形成部材の基板に良く付着する高分子
バインダが必要である。また、広範囲の溶媒に対する耐
性が高い、画像形成部材のための高分子バインダが必要
である。更に、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３”−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミンなどの電荷輸送物質を、激しい可
塑化を生じることなく５０重量％又はそれより多くの量
で層に含むことができる、画像形成部材の電荷輸送層に
好適な高分子バインダが必要である。また、広範囲の溶
媒から感光性画像形成部材上に被覆することができる高
分子バインダも必要である。更に、電荷輸送分子が結晶
化する傾向が低減されたか又は取り除かれた高分子バイ
ンダが必要である。更に、広く使用される受光体バイン
ダポリマーと比較して結晶化の傾向が低減された高分子
バインダが必要である。また、耐摩損性及び耐摩耗性の
光導電性画像形成部材も必要である。更に、オーブン乾
燥の後でも平らである光導電性画像形成部材が必要であ
る。更に、光導電性画像形成部材において一般に使用さ
れる既知のポリマーと比較して耐摩耗性及び耐摩損性が
改良された高分子バインダ及び輸送ポリマーが必要であ
る。また、被覆溶媒を除去した後にカールせず応力を生
じない光導電性画像形成部材が依然として必要である。
更に、光導電性画像形成部材の接着層材料としての使用
に好適なポリマーが依然として必要である。更に、光導
電性画像形成部材の保護上塗り層材料としての使用に好
適なポリマーが依然として必要である。
る目的には好適であるが、改良された感光性画像形成部
材が依然として必要である。また、感光性画像形成部材
のための改良されたバインダも必要である。更に、画像
形成部材の光発生層での使用に好適な高分子バインダが
必要である。更に、画像形成部材の電荷輸送層での使用
に好適な高分子バインダが必要である。また、高いガラ
ス転移温度を有する高分子バインダが必要である。ま
た、電荷輸送物質及び／又は可塑剤を大量に含むことが
できる高分子バインダが必要である。更に、優れた薄膜
特性を示し、画像形成部材の基板に良く付着する高分子
バインダが必要である。また、広範囲の溶媒に対する耐
性が高い、画像形成部材のための高分子バインダが必要
である。更に、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３”−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミンなどの電荷輸送物質を、激しい可
塑化を生じることなく５０重量％又はそれより多くの量
で層に含むことができる、画像形成部材の電荷輸送層に
好適な高分子バインダが必要である。また、広範囲の溶
媒から感光性画像形成部材上に被覆することができる高
分子バインダも必要である。更に、電荷輸送分子が結晶
化する傾向が低減されたか又は取り除かれた高分子バイ
ンダが必要である。更に、広く使用される受光体バイン
ダポリマーと比較して結晶化の傾向が低減された高分子
バインダが必要である。また、耐摩損性及び耐摩耗性の
光導電性画像形成部材も必要である。更に、オーブン乾
燥の後でも平らである光導電性画像形成部材が必要であ
る。更に、光導電性画像形成部材において一般に使用さ
れる既知のポリマーと比較して耐摩耗性及び耐摩損性が
改良された高分子バインダ及び輸送ポリマーが必要であ
る。また、被覆溶媒を除去した後にカールせず応力を生
じない光導電性画像形成部材が依然として必要である。
更に、光導電性画像形成部材の接着層材料としての使用
に好適なポリマーが依然として必要である。更に、光導
電性画像形成部材の保護上塗り層材料としての使用に好
適なポリマーが依然として必要である。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の顕著な利点を有する改良されたポリマー材料を提供す
ることである。
の顕著な利点を有する改良されたポリマー材料を提供す
ることである。
【００３２】
【課題を解決するための手段】本発明のこれらの目的及
び他の目的（又はその特定の実施例）は、導電性基板
と、光発生材料と、以下の（ａ）〜（ｅ）から選択され
るポリマーを含有するバインダとを含む画像形成部材を
提供することによって達成することができる。（ａ）は
以下の一般式Ｉ、III 、IV、VII 又はVIIIからなり、
び他の目的（又はその特定の実施例）は、導電性基板
と、光発生材料と、以下の（ａ）〜（ｅ）から選択され
るポリマーを含有するバインダとを含む画像形成部材を
提供することによって達成することができる。（ａ）は
以下の一般式Ｉ、III 、IV、VII 又はVIIIからなり、
【００３３】
【化７４】
【００３４】
【化７５】
【００３５】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以
下の式又はこれらの混合物であり、
下の式又はこれらの混合物であり、
【００３６】
【化７６】
【００３７】
【化７７】
【００３８】Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、
【００３９】
【化７８】
【００４０】
【化７９】
【００４１】式中、ｖは１〜約２０の整数であり、
【００４２】
【化８０】
【００４３】式中、ｔは１〜約２０の整数であり、
【００４４】
【化８１】
【００４５】式中、ｚは２〜約２０の整数であり、
【００４６】
【化８２】
【００４７】式中、ｕは１〜約２０の整数であり、
【００４８】
【化８３】
【００４９】式中、ｗは１〜約２０の整数であり、
【００５０】
【化８４】
【００５１】
【化８５】
【００５２】Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、
【００５３】
【化８６】
【００５４】式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリ
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；（ｂ）は以下の一
般式II、Ｖ、VI、IX又はＸからなり、
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；（ｂ）は以下の一
般式II、Ｖ、VI、IX又はＸからなり、
【００５５】
【化８７】
【００５６】
【化８８】
【００５７】
【化８９】
【００５８】
【化９０】
【００５９】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以
下の式又はこれらの混合物であり、
下の式又はこれらの混合物であり、
【００６０】
【化９１】
【００６１】
【化９２】
【００６２】Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、
【００６３】
【化９３】
【００６４】
【化９４】
【００６５】式中、ｖは１〜約２０の整数であり、
【００６６】
【化９５】
【００６７】式中、ｔは１〜約２０の整数であり、
【００６８】
【化９６】
【００６９】式中、ｚは２〜約２０の整数であり、
【００７０】
【化９７】
【００７１】式中、ｕは１〜約２０の整数であり、
【００７２】
【化９８】
【００７３】式中、ｗは１〜約２０の整数であり、
【００７４】
【化９９】
【００７５】
【化１００】
【００７６】Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、
【００７７】
【化１０１】
【００７８】式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリ
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；（ｃ）式中、ｘは
０又は１の整数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII 又は
VIIIからなり、Ａは以下の式であり、
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；（ｃ）式中、ｘは
０又は１の整数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII 又は
VIIIからなり、Ａは以下の式であり、
【００７９】
【化１０２】
【００８０】Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、
【００８１】
【化１０３】
【００８２】
【化１０４】
【００８３】式中、ｖは１〜約２０の整数であり、
【００８４】
【化１０５】
【００８５】式中、ｔは１〜約２０の整数であり、
【００８６】
【化１０６】
【００８７】式中、ｚは２〜約２０の整数であり、
【００８８】
【化１０７】
【００８９】式中、ｕは１〜約２０の整数であり、
【００９０】
【化１０８】
【００９１】式中、ｗは１〜約２０の整数であり、
【００９２】
【化１０９】
【００９３】
【化１１０】
【００９４】Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、
【００９５】
【化１１１】
【００９６】式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリ
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；（ｄ）式中、ｘは
０又は１の整数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII 又は
VIIIからなり、Ａは以下の式であり、
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；（ｄ）式中、ｘは
０又は１の整数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII 又は
VIIIからなり、Ａは以下の式であり、
【００９７】
【化１１２】
【００９８】Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、
【００９９】
【化１１３】
【０１００】
【化１１４】
【０１０１】式中、ｖは１〜約２０の整数であり、
【０１０２】
【化１１５】
【０１０３】式中、ｔは１〜約２０の整数であり、
【０１０４】
【化１１６】
【０１０５】式中、ｚは２〜約２０の整数であり、
【０１０６】
【化１１７】
【０１０７】式中、ｕは１〜約２０の整数であり、
【０１０８】
【化１１８】
【０１０９】式中、ｗは１〜約２０の整数であり、
【０１１０】
【化１１９】
【０１１１】
【化１２０】
【０１１２】Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、
【０１１３】
【化１２１】
【０１１４】式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリ
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；又は（ｅ）式中、
ｘは０又は１の整数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII
又はVIIIからなり、Ａは以下の式であり、
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数であり；又は（ｅ）式中、
ｘは０又は１の整数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII
又はVIIIからなり、Ａは以下の式であり、
【０１１５】
【化１２２】
【０１１６】Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、
【０１１７】
【化１２３】
【０１１８】
【化１２４】
【０１１９】式中、ｖは１〜約２０の整数であり、
【０１２０】
【化１２５】
【０１２１】式中、ｔは１〜約２０の整数であり、
【０１２２】
【化１２６】
【０１２３】式中、ｚは２〜約２０の整数であり、
【０１２４】
【化１２７】
【０１２５】式中、ｕは１〜約２０の整数であり、
【０１２６】
【化１２８】
【０１２７】式中、ｗは１〜約２０の整数であり、
【０１２８】
【化１２９】
【０１２９】
【化１３０】
【０１３０】Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、
【０１３１】
【化１３１】
【０１３２】式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリ
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数である。
ールアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは
繰り返し単位の数を表す整数である。
【０１３３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の画像形成部材の
１つの実施の形態を概略的に示している。具体的には、
図１は光導電性画像形成部材を示しており、この部材
は、導電性基板１、樹脂バインダ組成物４中に分散した
光発生化合物２を含有する光発生層３、及び樹脂バイン
ダ組成物９中に分散した電荷輸送分子７を含有する電荷
輸送層５を含む。樹脂バインダ組成物４及び９のうちの
少なくとも１つは、本明細書に示される特定の式からな
るポリマーを含む。
１つの実施の形態を概略的に示している。具体的には、
図１は光導電性画像形成部材を示しており、この部材
は、導電性基板１、樹脂バインダ組成物４中に分散した
光発生化合物２を含有する光発生層３、及び樹脂バイン
ダ組成物９中に分散した電荷輸送分子７を含有する電荷
輸送層５を含む。樹脂バインダ組成物４及び９のうちの
少なくとも１つは、本明細書に示される特定の式からな
るポリマーを含む。
【０１３４】図２は、図１に示されるものと本質的に同
一の部材を概略的に示しているが、電荷輸送層は導電性
基板と光発生層との間に位置している。より具体的に
は、図２は光導電性画像形成部材を示しており、この部
材は、導電性基板２１、樹脂バインダ組成物２５中に分
散した電荷輸送組成物２４を含有する電荷輸送層２３、
及び樹脂バインダ組成物２９中に分散した光発生化合物
２８を含有する光発生層２７を含む。樹脂バインダ組成
物２５及び２９のうちの少なくとも１つは、本明細書に
示される特定の式からなるポリマーを含む。
一の部材を概略的に示しているが、電荷輸送層は導電性
基板と光発生層との間に位置している。より具体的に
は、図２は光導電性画像形成部材を示しており、この部
材は、導電性基板２１、樹脂バインダ組成物２５中に分
散した電荷輸送組成物２４を含有する電荷輸送層２３、
及び樹脂バインダ組成物２９中に分散した光発生化合物
２８を含有する光発生層２７を含む。樹脂バインダ組成
物２５及び２９のうちの少なくとも１つは、本明細書に
示される特定の式からなるポリマーを含む。
【０１３５】図３は本発明の光導電性画像形成部材を概
略的に示しており、この部材は、導電性基板３１、任意
の帯電ブロッキング酸化金属層３３、任意の接着層３
５、樹脂バインダ組成物３７ｂ中に分散した光発生化合
物３７ａを含有する光発生層３７、樹脂バインダ３９ｂ
中に分散した電荷輸送化合物３９ａを含有する電荷輸送
層３９、任意のカール防止バッキング層３６、及び任意
の保護上塗り層３８を含む。これらの層３５、３６、３
７、３８及び３９のうちの少なくとも１つは、本明細書
に示される特定の式からなるポリマーを含む。
略的に示しており、この部材は、導電性基板３１、任意
の帯電ブロッキング酸化金属層３３、任意の接着層３
５、樹脂バインダ組成物３７ｂ中に分散した光発生化合
物３７ａを含有する光発生層３７、樹脂バインダ３９ｂ
中に分散した電荷輸送化合物３９ａを含有する電荷輸送
層３９、任意のカール防止バッキング層３６、及び任意
の保護上塗り層３８を含む。これらの層３５、３６、３
７、３８及び３９のうちの少なくとも１つは、本明細書
に示される特定の式からなるポリマーを含む。
【０１３６】図４は本発明の光導電性画像形成部材を概
略的に示しており、この部材は、導電性基板４１、及び
樹脂バインダ組成物４４中に分散した光発生化合物４２
を含有する光発生層４３を含む。樹脂バインダ組成物４
４は、本明細書に示される特定の式からなるポリマーを
含む。必要に応じて、電荷輸送物質４５をバインダ４４
中に分散させてもよい。
略的に示しており、この部材は、導電性基板４１、及び
樹脂バインダ組成物４４中に分散した光発生化合物４２
を含有する光発生層４３を含む。樹脂バインダ組成物４
４は、本明細書に示される特定の式からなるポリマーを
含む。必要に応じて、電荷輸送物質４５をバインダ４４
中に分散させてもよい。
【０１３７】基板は全体が電気伝導性材料で調製される
ことができる。あるいは、基板は電気伝導性表面を有す
る絶縁材料であってもよい。基板は一般に約１００ミル
までの有効厚さを有し、好ましくは約１〜約５０ミルで
あるが、厚さはこの範囲外であってもよい。基板層の厚
さは、経済的及び機械的要件を含む多くの因子に依存す
る。従って、この層は、例えば１００ミルを越える実質
的な厚さであってもよいし、システムに逆効果を及ぼさ
なければ最小の厚さでもよい。同様に、基板は剛性又は
フレキシブルのいずれでもよい。特に好ましい実施例で
は、この層の厚さは約３ミル〜約１０ミルである。フレ
キシブルベルト画像形成部材では、例えば１９ｍｍ直径
の小径ローラの回りを循環される場合、最適なたわみ性
及び最小の伸びのために、好ましい基板の厚さは約６５
〜約１５０μｍであり、更に好ましくは約７５〜約１０
０μｍである。
ことができる。あるいは、基板は電気伝導性表面を有す
る絶縁材料であってもよい。基板は一般に約１００ミル
までの有効厚さを有し、好ましくは約１〜約５０ミルで
あるが、厚さはこの範囲外であってもよい。基板層の厚
さは、経済的及び機械的要件を含む多くの因子に依存す
る。従って、この層は、例えば１００ミルを越える実質
的な厚さであってもよいし、システムに逆効果を及ぼさ
なければ最小の厚さでもよい。同様に、基板は剛性又は
フレキシブルのいずれでもよい。特に好ましい実施例で
は、この層の厚さは約３ミル〜約１０ミルである。フレ
キシブルベルト画像形成部材では、例えば１９ｍｍ直径
の小径ローラの回りを循環される場合、最適なたわみ性
及び最小の伸びのために、好ましい基板の厚さは約６５
〜約１５０μｍであり、更に好ましくは約７５〜約１０
０μｍである。
【０１３８】基板は不透明でも実質的に透明でもよく、
所望の機械特性を有する多数の適切な材料を含むことが
できる。基板全体は電気伝導性表面と同一の材料を含む
ことができる。あるいは、電気伝導性表面は単に基板上
のコーティングであってもよい。適切な電気伝導性材料
を使用することができる。典型的な電気伝導性材料に
は、銅、真鍮、ニッケル、亜鉛、クロム、ステンレス
鋼、導電性プラスチック及びゴム、アルミニウム、半透
明アルミニウム、鋼、カドミウム、銀、金、ジルコニウ
ム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ハフニウム、チタ
ン、ニッケル、クロム、タングステン、モリブデン、適
切な材料を中に含有することによって、又は材料を導電
性にするのに十分な含水量の存在を保証するために湿潤
な大気中で調節して導電性にされた紙、インジウム、ス
ズ、金属酸化物（酸化スズ及びインジウムスズ酸化物を
含む）等が含まれる。導電性層の厚さは、光導電性部材
の所望される用途によって、実質的に広い範囲にわたっ
て変えることができる。一般的に、導電性層の厚さは約
５０Å〜多数ｃｍの範囲であるが、厚さはこの範囲外で
あってもよい。フレキシブル電子写真式画像形成部材が
所望される場合、電気伝導性、たわみ性、及び光透過性
の最適な組み合わせのためには、導電性層の厚さは、典
型的には約２０Å〜約７５０Åであり、好ましくは約１
００〜約２００Åである。選択された基板が非導電性ベ
ースを含み、電気伝導性層がその上にコーティングされ
ている場合、基板は有機及び無機材料を含む他の従来の
材料でもよい。典型的な基板材料には、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリウレタン、紙、ガラス、プラスチ
ック、及びマイラー（Mylar)又はメリネックス（Meline
x)４４７のようなポリエステル等を含むこの目的のため
に既知の種々の樹脂のような絶縁性の非導電性材料が含
まれる。導電性層は、真空蒸着等の適切なコーティング
技法によってベース層上にコーティングできる。所望さ
れるなら、基板は、チタン化又はアルミ化マイラー等の
メタライズプラスチックを含むことができる。ここで、
メタライズ表面は光発生層と接触する、あるいは基板及
び光発生層間に位置される他の層と接触する。被覆又は
非被覆基板はフレキシブルでも剛性でもよく、プレー
ト、円柱ドラム、渦形、又は無端フレキシブルベルト等
の多数の形状を有することができる。基板の外表面は、
酸化アルミニウム、酸化ニッケル、又は酸化チタン等の
金属酸化物を含んでもよい。
所望の機械特性を有する多数の適切な材料を含むことが
できる。基板全体は電気伝導性表面と同一の材料を含む
ことができる。あるいは、電気伝導性表面は単に基板上
のコーティングであってもよい。適切な電気伝導性材料
を使用することができる。典型的な電気伝導性材料に
は、銅、真鍮、ニッケル、亜鉛、クロム、ステンレス
鋼、導電性プラスチック及びゴム、アルミニウム、半透
明アルミニウム、鋼、カドミウム、銀、金、ジルコニウ
ム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ハフニウム、チタ
ン、ニッケル、クロム、タングステン、モリブデン、適
切な材料を中に含有することによって、又は材料を導電
性にするのに十分な含水量の存在を保証するために湿潤
な大気中で調節して導電性にされた紙、インジウム、ス
ズ、金属酸化物（酸化スズ及びインジウムスズ酸化物を
含む）等が含まれる。導電性層の厚さは、光導電性部材
の所望される用途によって、実質的に広い範囲にわたっ
て変えることができる。一般的に、導電性層の厚さは約
５０Å〜多数ｃｍの範囲であるが、厚さはこの範囲外で
あってもよい。フレキシブル電子写真式画像形成部材が
所望される場合、電気伝導性、たわみ性、及び光透過性
の最適な組み合わせのためには、導電性層の厚さは、典
型的には約２０Å〜約７５０Åであり、好ましくは約１
００〜約２００Åである。選択された基板が非導電性ベ
ースを含み、電気伝導性層がその上にコーティングされ
ている場合、基板は有機及び無機材料を含む他の従来の
材料でもよい。典型的な基板材料には、ポリカーボネー
ト、ポリアミド、ポリウレタン、紙、ガラス、プラスチ
ック、及びマイラー（Mylar)又はメリネックス（Meline
x)４４７のようなポリエステル等を含むこの目的のため
に既知の種々の樹脂のような絶縁性の非導電性材料が含
まれる。導電性層は、真空蒸着等の適切なコーティング
技法によってベース層上にコーティングできる。所望さ
れるなら、基板は、チタン化又はアルミ化マイラー等の
メタライズプラスチックを含むことができる。ここで、
メタライズ表面は光発生層と接触する、あるいは基板及
び光発生層間に位置される他の層と接触する。被覆又は
非被覆基板はフレキシブルでも剛性でもよく、プレー
ト、円柱ドラム、渦形、又は無端フレキシブルベルト等
の多数の形状を有することができる。基板の外表面は、
酸化アルミニウム、酸化ニッケル、又は酸化チタン等の
金属酸化物を含んでもよい。
【０１３９】光導電性画像形成部材は、任意に、導電性
基板と光発生層との間に位置される電荷ブロッキング層
を含むことができる。一般的に、正に帯電した受光体の
ための電子ブロッキング層は受光体の画像形成表面から
の正孔が導電性層へ向かって移動するのを可能にし、負
に帯電した受光体のための正孔ブロッキング層は受光体
の画像形成表面からの電子が導電性層へ向かって移動す
るのを可能にする。この層には、酸化アルミニウム等の
金属酸化物や、あるいは米国特許第４，２９１，１１０
号、同第４，３３８，３８７号、同第４，２８６，０３
３号及び同第４，２９１，１１０号などに開示されるよ
うにトリメトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解
トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、Ｎ−ベ
ータ−（アミノエチル）ガンマ−アミノ−プロピルトリ
メトキシシラン、イソプロピル４−アミノベンゼンスル
ホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニル）チタネー
ト、イソプロピルジ（４−アミノベンゾイル）イソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−エチルア
ミノ−エチルアミノ）チタネート、イソプロピルトリア
ントラニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−エチルアミノ）チタネート、チタニウム−４−
アミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニ
ウム４−アミノベンゾアートイソステアレートオキシア
セテート、〔Ｈ 2 Ｎ（ＣＨ2 ）4 〕ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ
3 ）2 、（ガンマ−アミノブチル）メチルジエトキシシ
ラン、及び〔Ｈ2 Ｎ（ＣＨ2 ）3 〕ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ
3 ）2 （ガンマ−アミノプロピル）メチルジエトキシシ
ラン等のシラン及びナイロン、窒素含有シロキサン、又
は窒素含有チタン化合物のような材料等が含まれる。適
切な材料の更なる例には、水及びメタノールに溶解され
たゼラチン、および／又はカルボセット（Carboset）５
１５）、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ガンマ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、ポリメタクリル酸
イソブチル、スチレン／メタクリル酸ｎ−ブチルのよう
なスチレンとアクリル酸エステルの共重合体、スチレン
及びビニルトルエンの共重合体、ポリカーボネート、ア
ルキル置換ポリスチレン、スチレン−オレフィン共重合
体、ポリエステル、ポリウレタン、ポリテルペン、シリ
コンエラストマー、その混合物又はブレンド、及びその
共重合体等が含まれる。好ましいブロッキング層は、加
水分解シランと金属接地面層の酸化表面との間の反応生
成物を含む。酸化表面は、蒸着後に空気にさらされる
と、たいていの金属接地面層の外表面に本来的に形成さ
れる。この層の主な目的は、帯電中及び帯電後に基板か
らの電荷注入を防止することである。この層は、典型的
には５０Å以下〜約１０μｍの厚さを有し、好ましくは
約２μｍ以下であり、更に好ましくは約０．２μｍ以下
であるが、厚さはこれらの範囲外であってもよい。
基板と光発生層との間に位置される電荷ブロッキング層
を含むことができる。一般的に、正に帯電した受光体の
ための電子ブロッキング層は受光体の画像形成表面から
の正孔が導電性層へ向かって移動するのを可能にし、負
に帯電した受光体のための正孔ブロッキング層は受光体
の画像形成表面からの電子が導電性層へ向かって移動す
るのを可能にする。この層には、酸化アルミニウム等の
金属酸化物や、あるいは米国特許第４，２９１，１１０
号、同第４，３３８，３８７号、同第４，２８６，０３
３号及び同第４，２９１，１１０号などに開示されるよ
うにトリメトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解
トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、Ｎ−ベ
ータ−（アミノエチル）ガンマ−アミノ−プロピルトリ
メトキシシラン、イソプロピル４−アミノベンゼンスル
ホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニル）チタネー
ト、イソプロピルジ（４−アミノベンゾイル）イソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−エチルア
ミノ−エチルアミノ）チタネート、イソプロピルトリア
ントラニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−エチルアミノ）チタネート、チタニウム−４−
アミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニ
ウム４−アミノベンゾアートイソステアレートオキシア
セテート、〔Ｈ 2 Ｎ（ＣＨ2 ）4 〕ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ
3 ）2 、（ガンマ−アミノブチル）メチルジエトキシシ
ラン、及び〔Ｈ2 Ｎ（ＣＨ2 ）3 〕ＣＨ3 Ｓｉ（ＯＣＨ
3 ）2 （ガンマ−アミノプロピル）メチルジエトキシシ
ラン等のシラン及びナイロン、窒素含有シロキサン、又
は窒素含有チタン化合物のような材料等が含まれる。適
切な材料の更なる例には、水及びメタノールに溶解され
たゼラチン、および／又はカルボセット（Carboset）５
１５）、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ガンマ−
アミノプロピルトリエトキシシラン、ポリメタクリル酸
イソブチル、スチレン／メタクリル酸ｎ−ブチルのよう
なスチレンとアクリル酸エステルの共重合体、スチレン
及びビニルトルエンの共重合体、ポリカーボネート、ア
ルキル置換ポリスチレン、スチレン−オレフィン共重合
体、ポリエステル、ポリウレタン、ポリテルペン、シリ
コンエラストマー、その混合物又はブレンド、及びその
共重合体等が含まれる。好ましいブロッキング層は、加
水分解シランと金属接地面層の酸化表面との間の反応生
成物を含む。酸化表面は、蒸着後に空気にさらされる
と、たいていの金属接地面層の外表面に本来的に形成さ
れる。この層の主な目的は、帯電中及び帯電後に基板か
らの電荷注入を防止することである。この層は、典型的
には５０Å以下〜約１０μｍの厚さを有し、好ましくは
約２μｍ以下であり、更に好ましくは約０．２μｍ以下
であるが、厚さはこれらの範囲外であってもよい。
【０１４０】ブロッキング層は、スプレーイング、ディ
ップコーティング、ドローバーコーティング、グラビア
コーティング、シルクスクリーニング、エアナイフコー
ティング、リバースロールコーティング、真空蒸着、又
は化学処理等の適切な従来の技法によって塗布できる。
薄層を得るのに便利なため、ブロッキング層は希薄溶液
の形で塗布され、溶媒はコーティング付着後に減圧や加
熱等の従来の技法によって除去されるのが好ましい。
ップコーティング、ドローバーコーティング、グラビア
コーティング、シルクスクリーニング、エアナイフコー
ティング、リバースロールコーティング、真空蒸着、又
は化学処理等の適切な従来の技法によって塗布できる。
薄層を得るのに便利なため、ブロッキング層は希薄溶液
の形で塗布され、溶媒はコーティング付着後に減圧や加
熱等の従来の技法によって除去されるのが好ましい。
【０１４１】ある場合には、接着を改良するために基板
と次に塗布された層との間に中間接着層が所望されるこ
ともある。このような接着層が利用される場合、乾燥し
た厚さは約０．１μｍ〜約５μｍであるのが好ましい
が、厚さはこの範囲外であってもよい。典型的な接着層
は、ポリエステル、ポリビニルブチラル、ポリビニルピ
ロリドン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリメタ
クリル酸メチル、デュポン（du Pont)４９，０００、及
びバイテル（Vitel)ＰＥ１００等、並びにその混合物等
の膜形成ポリマーを含む。また、本発明の高性能ポリマ
ーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像形成部
材の接着層に使用することができる。基板の表面は電荷
ブロッキング層又は接着層なので、ここで使用される
「基板」という表現は、電荷ブロッキング層上の接着層
を有する又は有さない電荷ブロッキング層を含むように
意図される。典型的な接着層の厚さは約０．０５μｍ
（５００Å）〜約０．３μｍ（３，０００Å）である
が、厚さはこの範囲外でもよい。基板へ接着層コーティ
ング混合物を塗布するための従来の技法には、スプレー
イング、ディップコーティング、ロールコーティング、
ワイヤワウンドロッドコーティング、グラビアコーティ
ング、バード・バー塗布器コーティング等が含まれる。
付着されたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外
輻射乾燥、又は空気乾燥等の従来の適切な技法によって
行われる。
と次に塗布された層との間に中間接着層が所望されるこ
ともある。このような接着層が利用される場合、乾燥し
た厚さは約０．１μｍ〜約５μｍであるのが好ましい
が、厚さはこの範囲外であってもよい。典型的な接着層
は、ポリエステル、ポリビニルブチラル、ポリビニルピ
ロリドン、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリメタ
クリル酸メチル、デュポン（du Pont)４９，０００、及
びバイテル（Vitel)ＰＥ１００等、並びにその混合物等
の膜形成ポリマーを含む。また、本発明の高性能ポリマ
ーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像形成部
材の接着層に使用することができる。基板の表面は電荷
ブロッキング層又は接着層なので、ここで使用される
「基板」という表現は、電荷ブロッキング層上の接着層
を有する又は有さない電荷ブロッキング層を含むように
意図される。典型的な接着層の厚さは約０．０５μｍ
（５００Å）〜約０．３μｍ（３，０００Å）である
が、厚さはこの範囲外でもよい。基板へ接着層コーティ
ング混合物を塗布するための従来の技法には、スプレー
イング、ディップコーティング、ロールコーティング、
ワイヤワウンドロッドコーティング、グラビアコーティ
ング、バード・バー塗布器コーティング等が含まれる。
付着されたコーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外
輻射乾燥、又は空気乾燥等の従来の適切な技法によって
行われる。
【０１４２】任意に、耐摩耗性を改良するために上塗り
層を利用することもできる。ある場合には、ウェブ形状
の受光体が製造される際に平坦性及び／又は耐摩耗性を
提供するために、光導電性層を支持する面と反対の基板
表面へカール防止バックコーティングが塗布される。こ
れらの上塗り層及びカール防止バックコーティング層は
当該技術においてよく知られており、電気絶縁性又は僅
かに半導性の熱可塑性有機ポリマー又は無機ポリマーを
含むことができる。上塗り層は連続的であり、典型的に
は約１０μｍより薄い厚さを有するが、厚さはこの範囲
外であってもよい。カール防止バッキング層の厚さは、
一般的には、基板層の反対側の層（単数又は複数）の全
体の力と実質的に釣り合うのに十分な厚さである。カー
ル防止バッキング層の例は米国特許第４，６５４，２８
４号に記載されている。約７０〜約１６０μｍの厚さが
フレキシブル受光体のための典型的な範囲であるが、厚
さはこの範囲外であってもよい。また、下記に示される
式のポリマーも上塗り層及びカール防止バックコーティ
ング層として使用するのに適する。
層を利用することもできる。ある場合には、ウェブ形状
の受光体が製造される際に平坦性及び／又は耐摩耗性を
提供するために、光導電性層を支持する面と反対の基板
表面へカール防止バックコーティングが塗布される。こ
れらの上塗り層及びカール防止バックコーティング層は
当該技術においてよく知られており、電気絶縁性又は僅
かに半導性の熱可塑性有機ポリマー又は無機ポリマーを
含むことができる。上塗り層は連続的であり、典型的に
は約１０μｍより薄い厚さを有するが、厚さはこの範囲
外であってもよい。カール防止バッキング層の厚さは、
一般的には、基板層の反対側の層（単数又は複数）の全
体の力と実質的に釣り合うのに十分な厚さである。カー
ル防止バッキング層の例は米国特許第４，６５４，２８
４号に記載されている。約７０〜約１６０μｍの厚さが
フレキシブル受光体のための典型的な範囲であるが、厚
さはこの範囲外であってもよい。また、下記に示される
式のポリマーも上塗り層及びカール防止バックコーティ
ング層として使用するのに適する。
【０１４３】光発生層は、無機又は有機組成物等から成
る単一又は多数の層を含むことができる。発生層の一例
は米国特許第３，１２１，００６号に記載されており、
光導電性無機化合物の微細分割粒子が電気絶縁性有機樹
脂バインダ中に分散される。多重光発生層組成物は、光
導電性層が光発生層の特性を増大又は低下させる場合に
利用できる。このタイプの構成の例は米国特許第４，４
１５，６３９号に記載される。少なくとも２つの電気作
用層を有する感光性部材の更なる例には、米国特許第
４，２６５，９９０号、同第４，２３３，３８４号、同
第４，３０６，００８号、及び同第４，２９９，８９７
号に開示された電荷発生層及びジアミン含有輸送層部
材、米国特許第３，８９５，９４４号に開示されるよう
な染料発生層並びにオキサジアゾール、ピラザロン、イ
ミダゾール、ブロモピレン、ニトロフルオレン及びニト
ロナフタルイミド誘導体含有電荷輸送層部材、米国特許
第４，１５０，９８７号に開示された発生層及びヒドラ
ゾン含有電荷輸送層部材、米国特許第３，８３７，８５
１号に開示されたような発生層及びトリアリールピラゾ
リン化合物含有電荷輸送層部材等が含まれる。
る単一又は多数の層を含むことができる。発生層の一例
は米国特許第３，１２１，００６号に記載されており、
光導電性無機化合物の微細分割粒子が電気絶縁性有機樹
脂バインダ中に分散される。多重光発生層組成物は、光
導電性層が光発生層の特性を増大又は低下させる場合に
利用できる。このタイプの構成の例は米国特許第４，４
１５，６３９号に記載される。少なくとも２つの電気作
用層を有する感光性部材の更なる例には、米国特許第
４，２６５，９９０号、同第４，２３３，３８４号、同
第４，３０６，００８号、及び同第４，２９９，８９７
号に開示された電荷発生層及びジアミン含有輸送層部
材、米国特許第３，８９５，９４４号に開示されるよう
な染料発生層並びにオキサジアゾール、ピラザロン、イ
ミダゾール、ブロモピレン、ニトロフルオレン及びニト
ロナフタルイミド誘導体含有電荷輸送層部材、米国特許
第４，１５０，９８７号に開示された発生層及びヒドラ
ゾン含有電荷輸送層部材、米国特許第３，８３７，８５
１号に開示されたような発生層及びトリアリールピラゾ
リン化合物含有電荷輸送層部材等が含まれる。
【０１４４】光発生又は光導電性層は、所望される又は
適切な光導電性材料を含む。光導電性層（単数又は複
数）は無機又は有機の光導電性材料を含むことができ
る。典型的な無機光導電性材料には、アモルファスセレ
ン、三方晶セレン、セレンとテルルや砒素等の元素との
合金、アモルファスシリコン、スルホセレン化カドミウ
ム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、酸化亜鉛、
二酸化チタン等が含まれる。無機光導電性材料は、所望
されるなら、膜形成ポリマーバインダ中に分散されるこ
とができる。
適切な光導電性材料を含む。光導電性層（単数又は複
数）は無機又は有機の光導電性材料を含むことができ
る。典型的な無機光導電性材料には、アモルファスセレ
ン、三方晶セレン、セレンとテルルや砒素等の元素との
合金、アモルファスシリコン、スルホセレン化カドミウ
ム、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、酸化亜鉛、
二酸化チタン等が含まれる。無機光導電性材料は、所望
されるなら、膜形成ポリマーバインダ中に分散されるこ
とができる。
【０１４５】典型的な有機光導電体には、米国特許第
３，３５７，９８９号に開示されるＸ型の無金属フタロ
シアニンやバナジルフタロシアニン及び銅フタロシアニ
ン等の金属フタロシアニンのような種々のフタロシアニ
ン顔料、キナクリドン（モナストラルレッド、モナスト
ラルバイオレット及びモナストラルレッドＹとしてデュ
ポン（du Pont)社から入手可能なものを含む）、米国特
許第３，４４２，７８１号に開示されたような置換２，
４−ジアミノ−トリアジン、多核芳香族キノン、インド
ファストバイオレットレイクＢ、インドファストブリリ
アントスカーレット、インドファストオレンジ、ジブロ
モアントアントロン（デュポン（du Pont)社からバット
オレンジ１及びバットオレンジ３として入手可能なもの
等）、スクアリリウム、ピラゾロン、ポリビニルカルバ
ゾール−２，４，７−トリニトロフルオレノン、アント
ラセン、ベンズイミダゾールペリレン、多核芳香族キノ
ン（インドファストダブルスカーレット、インドファス
トバイオレットレイクＢ、インドファストブリリアント
スカーレット及びインドファストオレンジの商標名で得
られる）などが含まれる。また、多くの有機光導電性材
料は、樹脂バインダ中に分散された粒子としても使用さ
れることができる。
３，３５７，９８９号に開示されるＸ型の無金属フタロ
シアニンやバナジルフタロシアニン及び銅フタロシアニ
ン等の金属フタロシアニンのような種々のフタロシアニ
ン顔料、キナクリドン（モナストラルレッド、モナスト
ラルバイオレット及びモナストラルレッドＹとしてデュ
ポン（du Pont)社から入手可能なものを含む）、米国特
許第３，４４２，７８１号に開示されたような置換２，
４−ジアミノ−トリアジン、多核芳香族キノン、インド
ファストバイオレットレイクＢ、インドファストブリリ
アントスカーレット、インドファストオレンジ、ジブロ
モアントアントロン（デュポン（du Pont)社からバット
オレンジ１及びバットオレンジ３として入手可能なもの
等）、スクアリリウム、ピラゾロン、ポリビニルカルバ
ゾール−２，４，７−トリニトロフルオレノン、アント
ラセン、ベンズイミダゾールペリレン、多核芳香族キノ
ン（インドファストダブルスカーレット、インドファス
トバイオレットレイクＢ、インドファストブリリアント
スカーレット及びインドファストオレンジの商標名で得
られる）などが含まれる。また、多くの有機光導電性材
料は、樹脂バインダ中に分散された粒子としても使用さ
れることができる。
【０１４６】光導電性材料のために適切なバインダの例
には、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート
を含むポリエステル、ポリウレタン、ポリスチレン、ポ
リブタジエン、ポリスルホン、ポリアリールエーテル、
ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチ
ラル、ポリシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリ
ビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹
脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェ
ノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチ
レン及びアクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、
ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−ビニルピロリジノ
ン）、塩化ビニル及び酢酸ビニル共重合体、アクリル酸
エステル共重合体、アルキド樹脂、セルロース膜形成
体、ポリ（アミドイミド）、スチレン−ブタジエン共重
合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニ
ル−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド樹
脂、ポリビニルカルバゾール等の熱可塑性及び熱硬化性
樹脂が含まれる。これらのポリマーは、ブロック、ラン
ダム又は交互共重合体でよい。また、本発明の高性能ポ
リマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像形
成部材の光導電性層に使用することができる。
には、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート
を含むポリエステル、ポリウレタン、ポリスチレン、ポ
リブタジエン、ポリスルホン、ポリアリールエーテル、
ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリフ
ェニレンスルフィド、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチ
ラル、ポリシロキサン、ポリアクリル酸エステル、ポリ
ビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹
脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェ
ノキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチ
レン及びアクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、
ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−ビニルピロリジノ
ン）、塩化ビニル及び酢酸ビニル共重合体、アクリル酸
エステル共重合体、アルキド樹脂、セルロース膜形成
体、ポリ（アミドイミド）、スチレン−ブタジエン共重
合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニ
ル−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド樹
脂、ポリビニルカルバゾール等の熱可塑性及び熱硬化性
樹脂が含まれる。これらのポリマーは、ブロック、ラン
ダム又は交互共重合体でよい。また、本発明の高性能ポ
リマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像形
成部材の光導電性層に使用することができる。
【０１４７】光発生材料がバインダ材料中に存在する場
合、光発生組成物又は顔料は、適切な又は所望される量
だけ膜形成ポリマーバインダ組成物中に存在できる。例
えば、約１０体積％〜約６０体積％の光発生顔料は、約
４０体積％〜約９０体積％の膜形成ポリマーバインダ組
成物中に分散される。好ましくは、約２０体積％〜約３
０体積％の光発生顔料は、約７０体積％〜約８０体積％
の膜形成ポリマーバインダ組成物中に分散される。典型
的には、光導電性材料は約５〜約８０重量％、好ましく
は約２５〜約７５重量％の量で光発生層中に存在し、バ
インダは約２０〜約９５重量％、好ましくは約２５〜約
７５重量％の量で存在するが、相対量はこれらの範囲外
であってもよい。
合、光発生組成物又は顔料は、適切な又は所望される量
だけ膜形成ポリマーバインダ組成物中に存在できる。例
えば、約１０体積％〜約６０体積％の光発生顔料は、約
４０体積％〜約９０体積％の膜形成ポリマーバインダ組
成物中に分散される。好ましくは、約２０体積％〜約３
０体積％の光発生顔料は、約７０体積％〜約８０体積％
の膜形成ポリマーバインダ組成物中に分散される。典型
的には、光導電性材料は約５〜約８０重量％、好ましく
は約２５〜約７５重量％の量で光発生層中に存在し、バ
インダは約２０〜約９５重量％、好ましくは約２５〜約
７５重量％の量で存在するが、相対量はこれらの範囲外
であってもよい。
【０１４８】光導電性組成物及び／又は顔料の粒子サイ
ズは付着及び凝固した層の厚さよりも小さいのが好まし
く、更に好ましくは、コーティングのより優れた均一性
を容易にするために約０．０１μｍと約０．５μｍの間
である。
ズは付着及び凝固した層の厚さよりも小さいのが好まし
く、更に好ましくは、コーティングのより優れた均一性
を容易にするために約０．０１μｍと約０．５μｍの間
である。
【０１４９】光導電性組成物及び樹脂バインダ材料を含
有する光発生層の厚さの範囲は、一般的に約０．０５μ
ｍ〜約１０μｍ又はそれ以上であり、好ましくは約０．
１μｍ〜約５μｍであり、更に好ましくは約０．３μｍ
〜約３μｍであるが、厚さはこれらの範囲外でもよい。
光発生層の厚さは光発生化合物及びバインダの相対量に
関係し、光発生材料は約５〜約１００重量％の量で存在
することが多い。バインダ含量がより高い組成物は、一
般的に、光発生のためにより厚い層を必要とする。一般
的には、画像様又は印刷露光の工程でこの層に向けられ
て入射した放射の約９０％以上を吸収するのに十分な厚
さでこの層を提供することが望ましい。この層の最大の
厚さは、主として、機械的問題、選択された特定の光発
生化合物、他層の厚さ、及びフレキシブル光導電性画像
形成部材が所望されるか否か、等の因子に依存する。
有する光発生層の厚さの範囲は、一般的に約０．０５μ
ｍ〜約１０μｍ又はそれ以上であり、好ましくは約０．
１μｍ〜約５μｍであり、更に好ましくは約０．３μｍ
〜約３μｍであるが、厚さはこれらの範囲外でもよい。
光発生層の厚さは光発生化合物及びバインダの相対量に
関係し、光発生材料は約５〜約１００重量％の量で存在
することが多い。バインダ含量がより高い組成物は、一
般的に、光発生のためにより厚い層を必要とする。一般
的には、画像様又は印刷露光の工程でこの層に向けられ
て入射した放射の約９０％以上を吸収するのに十分な厚
さでこの層を提供することが望ましい。この層の最大の
厚さは、主として、機械的問題、選択された特定の光発
生化合物、他層の厚さ、及びフレキシブル光導電性画像
形成部材が所望されるか否か、等の因子に依存する。
【０１５０】光発生層は、所望される又は適切な方法に
よって下側の層へ塗布できる。光発生層コーティング混
合物を混合し、その後塗布するために適切な技法が利用
できる。典型的な塗布技法には、スプレーイング、ディ
ップコーティング、ロールコーティング、ワイヤワウン
ドロッドコーティング等が含まれる。付着されたコーテ
ィングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、空気乾
燥等の適切な技法により行うことができる。
よって下側の層へ塗布できる。光発生層コーティング混
合物を混合し、その後塗布するために適切な技法が利用
できる。典型的な塗布技法には、スプレーイング、ディ
ップコーティング、ロールコーティング、ワイヤワウン
ドロッドコーティング等が含まれる。付着されたコーテ
ィングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、空気乾
燥等の適切な技法により行うことができる。
【０１５１】また、他の適切な多層光導電体も、本発明
の画像形成部材で使用できる。いくつかの多層光導電体
は、少なくとも２つの電気作用層と、光発生又は電荷発
生層と、電荷輸送層と、を含む。電荷発生層及び電荷輸
送層は他の層と同様に、正又は負のいずれかに帯電する
受光体をつくるために適切な順序で塗布できる。例え
ば、米国特許第４，２６５，９９０号に示されるように
電荷発生層は電荷輸送層の前に塗布できる。あるいは、
米国特許第４，３４６，１５８号に示されるように、電
荷輸送層は電荷発生層より前に塗布できる。
の画像形成部材で使用できる。いくつかの多層光導電体
は、少なくとも２つの電気作用層と、光発生又は電荷発
生層と、電荷輸送層と、を含む。電荷発生層及び電荷輸
送層は他の層と同様に、正又は負のいずれかに帯電する
受光体をつくるために適切な順序で塗布できる。例え
ば、米国特許第４，２６５，９９０号に示されるように
電荷発生層は電荷輸送層の前に塗布できる。あるいは、
米国特許第４，３４６，１５８号に示されるように、電
荷輸送層は電荷発生層より前に塗布できる。
【０１５２】任意の電荷輸送層は、存在する際、適切な
電荷輸送材料を含む。活性電荷輸送層は、全体が所望の
電荷輸送材料から成ることができる。あるいは、活性電
荷輸送層は、電気的に不活性な高分子材料中に分散され
てこれらの材料を電気的に活性にする添加剤として有用
な活性化化合物を含むことができる。これらの化合物
は、発生材料から光発生された正孔の注入を支援でき
ず、これらの正孔の輸送を可能にできない高分子材料へ
添加でき、これにより、電気的に不活性な高分子材料
は、発生材料から光発生した正孔の注入を支援でき、活
性層の表面電荷を放電するためにこれらの正孔の活性層
を通る輸送を可能にできる材料へ転換される。特に好ま
しい輸送層は、約２５重量％〜約７５重量％の少なくと
も１つの電荷輸送化合物と、約７５重量％〜約２５重量
％の芳香族アミンが可溶な高分子膜形成樹脂と、を含
む。
電荷輸送材料を含む。活性電荷輸送層は、全体が所望の
電荷輸送材料から成ることができる。あるいは、活性電
荷輸送層は、電気的に不活性な高分子材料中に分散され
てこれらの材料を電気的に活性にする添加剤として有用
な活性化化合物を含むことができる。これらの化合物
は、発生材料から光発生された正孔の注入を支援でき
ず、これらの正孔の輸送を可能にできない高分子材料へ
添加でき、これにより、電気的に不活性な高分子材料
は、発生材料から光発生した正孔の注入を支援でき、活
性層の表面電荷を放電するためにこれらの正孔の活性層
を通る輸送を可能にできる材料へ転換される。特に好ま
しい輸送層は、約２５重量％〜約７５重量％の少なくと
も１つの電荷輸送化合物と、約７５重量％〜約２５重量
％の芳香族アミンが可溶な高分子膜形成樹脂と、を含
む。
【０１５３】電荷輸送材料の例には、純セレン、セレン
−砒素合金、セレン−砒素−ハロゲン合金、セレン−ハ
ロゲン等が含まれる。一般的に、ハロゲンドープされた
セレン電荷輸送層には、約１０重量ｐｐｍ〜約２００重
量ｐｐｍのハロゲンが存在するが、量はこの範囲外でも
よい。砒素を含まないハロゲンドープ化輸送層が利用さ
れる場合、ハロゲン含量は、好ましくは約２０重量ｐｐ
ｍよりも少ない。輸送層は当該技術においてよく知られ
ている。典型的な輸送層は、例えば米国特許第４，６０
９，６０５号及び同第４，２９７，４２４号に記載され
ている。
−砒素合金、セレン−砒素−ハロゲン合金、セレン−ハ
ロゲン等が含まれる。一般的に、ハロゲンドープされた
セレン電荷輸送層には、約１０重量ｐｐｍ〜約２００重
量ｐｐｍのハロゲンが存在するが、量はこの範囲外でも
よい。砒素を含まないハロゲンドープ化輸送層が利用さ
れる場合、ハロゲン含量は、好ましくは約２０重量ｐｐ
ｍよりも少ない。輸送層は当該技術においてよく知られ
ている。典型的な輸送層は、例えば米国特許第４，６０
９，６０５号及び同第４，２９７，４２４号に記載され
ている。
【０１５４】また有機電荷輸送材料も使用することがで
きる。典型的な電荷輸送材料には、次のようなものが含
まれる。
きる。典型的な電荷輸送材料には、次のようなものが含
まれる。
【０１５５】米国特許第４，３０６，００８号、同第
４，３０４，８２９号、同第４，２３３，３８４号、同
第４，１１５，１１６号、同第４，２９９，８９７号、
同第４，２６５，９９０号、及び同第４，０８１，２７
４号に記載されたタイプのジアミン輸送分子。典型的な
ジアミン輸送分子には、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ′−ビス（３″−メチルフェニル）−（１，１′−ビ
フェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−（１，
１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（２−メチルフェニル）−
（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−エチルフェニ
ル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチ
ルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−
ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−
４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（３−クロロフェニル）−（１，１′−ビフェニ
ル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス（４−クロロフェニル）−（１，１′−
ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニルメチル）−（１，１′
−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラフェニル−（２，２′−ジメチル−１，
１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラ−（４−メチルフェニル）−（２，
２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−４，４′−
ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４
−メチルフェニル）−（２，２′−ジメチル−１，１′
−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（２−メチルフェニル）−
（２，２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−４，
４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３−メチルフェニル）−（２，２′−ジメチル−
１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−ピレニル−１，６−ジアミン等が含まれる。
４，３０４，８２９号、同第４，２３３，３８４号、同
第４，１１５，１１６号、同第４，２９９，８９７号、
同第４，２６５，９９０号、及び同第４，０８１，２７
４号に記載されたタイプのジアミン輸送分子。典型的な
ジアミン輸送分子には、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ′−ビス（３″−メチルフェニル）−（１，１′−ビ
フェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−メチルフェニル）−（１，
１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（２−メチルフェニル）−
（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−エチルフェニ
ル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４−エチ
ルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−
ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−
４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（３−クロロフェニル）−（１，１′−ビフェニ
ル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス（４−クロロフェニル）−（１，１′−
ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニルメチル）−（１，１′
−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，
Ｎ′−テトラフェニル−（２，２′−ジメチル−１，
１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ′，Ｎ′−テトラ−（４−メチルフェニル）−（２，
２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−４，４′−
ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（４
−メチルフェニル）−（２，２′−ジメチル−１，１′
−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（２−メチルフェニル）−
（２，２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−４，
４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビ
ス（３−メチルフェニル）−（２，２′−ジメチル−
１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−ピレニル−１，６−ジアミン等が含まれる。
【０１５６】米国特許第４，３１５，９８２号、米国特
許第４，２７８，７４６号及び同第３，８３７，８５１
号に開示されたようなピラゾリン輸送分子。典型的なピ
ラゾリン輸送分子には、１−〔レピジル−（２）〕−３
−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔キノリル−
（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピ
リジル−（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−〔６−メトキシピリジル−（２）〕−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジメチルアミノス
チリル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）ピラゾリン等が含まれる。
許第４，２７８，７４６号及び同第３，８３７，８５１
号に開示されたようなピラゾリン輸送分子。典型的なピ
ラゾリン輸送分子には、１−〔レピジル−（２）〕−３
−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔キノリル−
（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピ
リジル−（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−〔６−メトキシピリジル−（２）〕−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジ
メチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジメチルアミノス
チリル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）ピラゾリン等が含まれる。
【０１５７】米国特許第４，２４５，０２１号に記載さ
れたような置換フルオレン電荷輸送分子。典型的なフル
オレン電荷輸送分子には、９−（４′−ジメチルアミノ
ベンジリデン）フルオレン、９−（４′−メトキシベン
ジリデン）フルオレン、９−（２′，４′−ジメトキシ
ベンジリデン）フルオレン、２−ニトロ−９−ベンジリ
デン−フルオレン、２−ニトロ−９−（４′−ジエチル
アミノベンジリデン）フルオレン等が含まれる。
れたような置換フルオレン電荷輸送分子。典型的なフル
オレン電荷輸送分子には、９−（４′−ジメチルアミノ
ベンジリデン）フルオレン、９−（４′−メトキシベン
ジリデン）フルオレン、９−（２′，４′−ジメトキシ
ベンジリデン）フルオレン、２−ニトロ−９−ベンジリ
デン−フルオレン、２−ニトロ−９−（４′−ジエチル
アミノベンジリデン）フルオレン等が含まれる。
【０１５８】２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール、ピラゾリン、イ
ミダゾール、トリアゾール等のオキサジアゾール輸送分
子。他の典型的なオキサジアゾール輸送分子は、例え
ば、独国特許第１，０５８，８３６号、同第１，０６
０，２６０号及び同第１，１２０，８７５号に記載され
ている。
ル）−１，３，４−オキサジアゾール、ピラゾリン、イ
ミダゾール、トリアゾール等のオキサジアゾール輸送分
子。他の典型的なオキサジアゾール輸送分子は、例え
ば、独国特許第１，０５８，８３６号、同第１，０６
０，２６０号及び同第１，１２０，８７５号に記載され
ている。
【０１５９】ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−エトキシ−ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾ
ン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジメ
チルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾ
ン）、１−ナフタレンカルバルデヒド１−メチル−１−
フェニルヒドラゾン、１−ナフタレンカルバルデヒド
１、１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン
−１−カルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラ
ゾン等のヒドラゾン輸送分子。他の典型的なヒドラゾン
輸送分子は、例えば、米国特許第４，１５０，９８７
号、同第４，３８５，１０６号、同第４，３３８，３８
８号及び同第４，３８７，１４７号に記載されている。
（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−エトキシ−ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾ
ン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジメ
チルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾ
ン）、１−ナフタレンカルバルデヒド１−メチル−１−
フェニルヒドラゾン、１−ナフタレンカルバルデヒド
１、１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン
−１−カルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラ
ゾン等のヒドラゾン輸送分子。他の典型的なヒドラゾン
輸送分子は、例えば、米国特許第４，１５０，９８７
号、同第４，３８５，１０６号、同第４，３３８，３８
８号及び同第４，３８７，１４７号に記載されている。
【０１６０】９−メチルカルバゾール−３−カルバルデ
ヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、９−エチルカル
バゾール−３−カルバルデヒド−１−メチル−１−フェ
ニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバ
ルデヒド−１−エチル−１−フェニルヒドラゾン、９−
エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−エチル
−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチル
カルバゾール−３−カルバルデヒド−１，１−ジフェニ
ルヒドラゾン等のカルバゾールフェニルヒドラゾン輸送
分子。他の典型的なカルバゾールフェニルヒドラゾン輸
送分子は、例えば、米国特許第４，２５６，８２１号及
び同第４，２９７，４２６号に記載されている。
ヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、９−エチルカル
バゾール−３−カルバルデヒド−１−メチル−１−フェ
ニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバ
ルデヒド−１−エチル−１−フェニルヒドラゾン、９−
エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−エチル
−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチル
カルバゾール−３−カルバルデヒド−１，１−ジフェニ
ルヒドラゾン等のカルバゾールフェニルヒドラゾン輸送
分子。他の典型的なカルバゾールフェニルヒドラゾン輸
送分子は、例えば、米国特許第４，２５６，８２１号及
び同第４，２９７，４２６号に記載されている。
【０１６１】ポリビニルアントラセン、ポリアセナフチ
レン、ホルムアルデヒドと種々の芳香族との縮合生成物
（ホルムアルデヒド及び３−ブロモピレンの縮合物
等）、２，４，７−トリニトロフルオレノン、及び３，
６−ジニトロ−Ｎ−ｔ−ブチルナフタルイミド（例え
ば、米国特許第３，９７２，７１７号に記載される）等
のビニル−芳香族ポリマー。
レン、ホルムアルデヒドと種々の芳香族との縮合生成物
（ホルムアルデヒド及び３−ブロモピレンの縮合物
等）、２，４，７−トリニトロフルオレノン、及び３，
６−ジニトロ−Ｎ−ｔ−ブチルナフタルイミド（例え
ば、米国特許第３，９７２，７１７号に記載される）等
のビニル−芳香族ポリマー。
【０１６２】米国特許第３，８９５，９４４号に記載さ
れる２，５−ビス−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−
オキサジアゾール−１，３，４等のオキサジアゾール誘
導体。
れる２，５−ビス−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−
オキサジアゾール−１，３，４等のオキサジアゾール誘
導体。
【０１６３】米国特許第３，８２０，９８９号（その開
示は参照によってここに完全に組み込まれる）に記載さ
れるようなアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ
アリール）メタン、シクロアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルアミノアリール）メタン、及びシクロアルケニ
ル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタン
等の三置換メタン。
示は参照によってここに完全に組み込まれる）に記載さ
れるようなアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ
アリール）メタン、シクロアルキル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ
アルキルアミノアリール）メタン、及びシクロアルケニ
ル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタン
等の三置換メタン。
【０１６４】次の式を有する９−フルオレニリデンメチ
レン誘導体。ここで、Ｘ及びＹはシアノ基又はアルコキ
シカルボニル基であり、Ａ、Ｂ及びＷは、アシル、アル
コキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニル
及びその誘導体から成る群より独立的に選択される電子
求引基である。ｍは０〜２の数であり、ｎは０又は１の
数である（米国特許第４，４７４，８６５号に記載され
ている）。
レン誘導体。ここで、Ｘ及びＹはシアノ基又はアルコキ
シカルボニル基であり、Ａ、Ｂ及びＷは、アシル、アル
コキシカルボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニル
及びその誘導体から成る群より独立的に選択される電子
求引基である。ｍは０〜２の数であり、ｎは０又は１の
数である（米国特許第４，４７４，８６５号に記載され
ている）。
【０１６５】
【化１３２】
【０１６６】上記の式に包含される典型的な９−フルオ
レニリデンメチレン誘導体には、（４−ｎ−ブトキシカ
ルボニル−９−フルオレニリデン）マロノニトリル、
（４−フェネトキシカルボニル−９−フルオレニリデ
ン）マロノニトリル、（４−カルビトキシ−９−フルオ
レニリデン）マロノニトリル、（４−ｎ−ブトキシカル
ボニル−２，７−ジニトロ−９−フルオレニリデン）マ
ロネート等が含まれる。
レニリデンメチレン誘導体には、（４−ｎ−ブトキシカ
ルボニル−９−フルオレニリデン）マロノニトリル、
（４−フェネトキシカルボニル−９−フルオレニリデ
ン）マロノニトリル、（４−カルビトキシ−９−フルオ
レニリデン）マロノニトリル、（４−ｎ−ブトキシカル
ボニル−２，７−ジニトロ−９−フルオレニリデン）マ
ロネート等が含まれる。
【０１６７】他の電荷輸送材料には、ポリ−１−ビニル
ピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−
（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポリ−９−（５−
ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレンピレン、ポリ
−１−（ピレニル）−ブタジエン、アルキル、ニトロ、
アミノ、ハロゲン及びヒドロキシ置換ポリマー等のポリ
マー（ポリ−３−アミノカルバゾール、１，３−ジブロ
モ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、３，６−ジブロモ
−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等）、並びに米国特許
第３，８７０，５１６号に記載されるような多数の他の
透明有機高分子又は非高分子輸送材料が含まれる。ま
た、電荷輸送材料として適切なのは、無水フタル酸、無
水テトラクロロフタル酸、ベンジル、無水メリト酸、Ｓ
−トリシアノベンゼン、塩化ピクリル、２，４−ジニト
ロクロロベンゼン、２，４−ジニトロブロモベンゼン、
４−ニトロビフェニル、４，４−ジニトロフェニル、
２，４，６−トリニトロアニソール、トリクロロトリニ
トロベンゼン、トリニトロ−ｏ−トルエン、４，６−ジ
クロロ−１，３−ジニトロベンゼン、４，６−ジブロモ
−１，３−ジニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン、
クロラニル、ブロマニル及びその混合物、２，４，７−
トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テト
ラニトロフルオレノン、トリニトロアントラセン、ジニ
トロアクリデン、テトラシアノピレン、ジニトロアント
ラキノン、１つより多い強電子求引性の置換基（ニト
ロ、スルホネート、スルホニル、カルボキシル、又はシ
アノ等）が付いた芳香族又はヘテロ環式基を有するポリ
マー（ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポ
リウレタン、及びエポキシ、並びに芳香族部分を含むブ
ロック、グラフト又はランダム共重合体を含む）等、並
びにその混合物（米国特許第４，０８１，２７４号に記
載される）である。
ピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−
（４−ペンテニル）−カルバゾール、ポリ−９−（５−
ヘキシル）−カルバゾール、ポリメチレンピレン、ポリ
−１−（ピレニル）−ブタジエン、アルキル、ニトロ、
アミノ、ハロゲン及びヒドロキシ置換ポリマー等のポリ
マー（ポリ−３−アミノカルバゾール、１，３−ジブロ
モ−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、３，６−ジブロモ
−ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等）、並びに米国特許
第３，８７０，５１６号に記載されるような多数の他の
透明有機高分子又は非高分子輸送材料が含まれる。ま
た、電荷輸送材料として適切なのは、無水フタル酸、無
水テトラクロロフタル酸、ベンジル、無水メリト酸、Ｓ
−トリシアノベンゼン、塩化ピクリル、２，４−ジニト
ロクロロベンゼン、２，４−ジニトロブロモベンゼン、
４−ニトロビフェニル、４，４−ジニトロフェニル、
２，４，６−トリニトロアニソール、トリクロロトリニ
トロベンゼン、トリニトロ−ｏ−トルエン、４，６−ジ
クロロ−１，３−ジニトロベンゼン、４，６−ジブロモ
−１，３−ジニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン、
クロラニル、ブロマニル及びその混合物、２，４，７−
トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テト
ラニトロフルオレノン、トリニトロアントラセン、ジニ
トロアクリデン、テトラシアノピレン、ジニトロアント
ラキノン、１つより多い強電子求引性の置換基（ニト
ロ、スルホネート、スルホニル、カルボキシル、又はシ
アノ等）が付いた芳香族又はヘテロ環式基を有するポリ
マー（ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポ
リウレタン、及びエポキシ、並びに芳香族部分を含むブ
ロック、グラフト又はランダム共重合体を含む）等、並
びにその混合物（米国特許第４，０８１，２７４号に記
載される）である。
【０１６８】また、例えば米国特許第３，２４０，５９
７号及び同第３，１８０，７３０号に開示されるよう
に、次式のトリトリルアミンを含むトリアリールアミン
のような電荷輸送材料も適切である。
７号及び同第３，１８０，７３０号に開示されるよう
に、次式のトリトリルアミンを含むトリアリールアミン
のような電荷輸送材料も適切である。
【０１６９】
【化１３３】
【０１７０】また、例えば米国特許第４，０８２，５５
１号、米国特許第３，７５５，３１０号、米国特許第
３，６４７，４３１号、英国特許第９８４，９６５号、
英国特許第９８０，８７９号、及び英国特許第１，１４
１，６６６号に開示されるように、次式のビス（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタンを
含む置換ジアリールメタン及びトリアリールメタン化合
物等の電荷輸送材料も適切である。
１号、米国特許第３，７５５，３１０号、米国特許第
３，６４７，４３１号、英国特許第９８４，９６５号、
英国特許第９８０，８７９号、及び英国特許第１，１４
１，６６６号に開示されるように、次式のビス（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタンを
含む置換ジアリールメタン及びトリアリールメタン化合
物等の電荷輸送材料も適切である。
【０１７１】
【化１３４】
【０１７２】特に好ましい電荷輸送分子は、次の一般式
を有するものである。
を有するものである。
【０１７３】
【化１３５】
【０１７４】上の式において、Ｘ、Ｙ及びＺはそれぞ
れ、他とは独立的に、水素、１〜約２０個の炭素原子を
有するアルキル基、又は塩素である。またここで、Ｘ、
Ｙ及びＺのうちの少なくとも１つは、１〜約２０個の炭
素原子を有するアルキル基又は塩素であるように独立的
に選択される。Ｙ及びＺが水素の場合、化合物はＮ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニ
ル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン
と命名できる。ここで、アルキルは、例えばメチル、エ
チル、プロピル、又はｎ−ブチル等である。あるいは、
化合物は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ク
ロロフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′
−ジアミンでもよい。このクラスの中で特に好ましいも
のは、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−
メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，
４′−ジアミン（米国特許第４，２６５，９９０号に開
示されたように調製される）である。
れ、他とは独立的に、水素、１〜約２０個の炭素原子を
有するアルキル基、又は塩素である。またここで、Ｘ、
Ｙ及びＺのうちの少なくとも１つは、１〜約２０個の炭
素原子を有するアルキル基又は塩素であるように独立的
に選択される。Ｙ及びＺが水素の場合、化合物はＮ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニ
ル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン
と命名できる。ここで、アルキルは、例えばメチル、エ
チル、プロピル、又はｎ−ブチル等である。あるいは、
化合物は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ク
ロロフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，４′
−ジアミンでもよい。このクラスの中で特に好ましいも
のは、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−
メチルフェニル）−（１，１′−ビフェニル）−４，
４′−ジアミン（米国特許第４，２６５，９９０号に開
示されたように調製される）である。
【０１７５】電荷輸送層コーティング混合物を混合し、
その後電荷発生層へ塗布するために、適切な従来の技法
を利用できる。典型的な塗布技法には、スプレーイン
グ、ディップコーティング、ロールコーティング、ワイ
ヤワウンドロッドコーティング等が含まれる。付着した
コーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、
空気乾燥等の適切な従来の技法によって行うことができ
る。
その後電荷発生層へ塗布するために、適切な従来の技法
を利用できる。典型的な塗布技法には、スプレーイン
グ、ディップコーティング、ロールコーティング、ワイ
ヤワウンドロッドコーティング等が含まれる。付着した
コーティングの乾燥は、オーブン乾燥、赤外輻射乾燥、
空気乾燥等の適切な従来の技法によって行うことができ
る。
【０１７６】電荷輸送材料は、一般的に約５〜約９０重
量％、好ましくは約２０〜約７５重量％、より好ましく
は約２０〜約６０重量％、更により好ましくは約３０〜
約６０重量％の有効量で電荷輸送層中に存在するが、量
はこれらの範囲外であってもよい。
量％、好ましくは約２０〜約７５重量％、より好ましく
は約２０〜約６０重量％、更により好ましくは約３０〜
約６０重量％の有効量で電荷輸送層中に存在するが、量
はこれらの範囲外であってもよい。
【０１７７】輸送層のための高絶縁性透明樹脂成分又は
不活性バインダ樹脂材料の例には、米国特許第３，１２
１，００６号に記載されたような材料が含まれる。適切
な有機樹脂材料の特定の例には、ポリカーボネート、ア
クリル酸エステルポリマー、ビニルポリマー、セルロー
スポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミ
ド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリーレート、
ポリエーテル、ポリスルホン、及びエポキシ、並びにそ
のブロック、ランダム又は交互共重合体が含まれる。好
ましい電気不活性バインダ材料には、約２０，０００〜
約１００，０００の数平均分子量を有するポリカーボネ
ート樹脂が含まれ、約５０，０００〜約１００，０００
の範囲の分子量が特に好ましい。また、本発明の高性能
ポリマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像
形成部材の電荷輸送層に使用することができる。一般的
に、電荷輸送層は、約５〜約９０重量％、好ましくは約
２０〜約７５重量％の量で電荷輸送材料を含むが、バイ
ンダ及び輸送材料の相対量はこれらの範囲外であっても
よい。
不活性バインダ樹脂材料の例には、米国特許第３，１２
１，００６号に記載されたような材料が含まれる。適切
な有機樹脂材料の特定の例には、ポリカーボネート、ア
クリル酸エステルポリマー、ビニルポリマー、セルロー
スポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミ
ド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリーレート、
ポリエーテル、ポリスルホン、及びエポキシ、並びにそ
のブロック、ランダム又は交互共重合体が含まれる。好
ましい電気不活性バインダ材料には、約２０，０００〜
約１００，０００の数平均分子量を有するポリカーボネ
ート樹脂が含まれ、約５０，０００〜約１００，０００
の範囲の分子量が特に好ましい。また、本発明の高性能
ポリマーも、単独で又は他の材料と組み合わせて、画像
形成部材の電荷輸送層に使用することができる。一般的
に、電荷輸送層は、約５〜約９０重量％、好ましくは約
２０〜約７５重量％の量で電荷輸送材料を含むが、バイ
ンダ及び輸送材料の相対量はこれらの範囲外であっても
よい。
【０１７８】一般的に、電荷輸送層の厚さは約１０〜約
５０μｍであるが、この範囲外の厚さが使用されること
もできる。好ましくは、電荷発生層に対する電荷輸送層
の厚さの比率は約２：１〜２００：１に保持され、ある
場合には、４００：１にもなる。
５０μｍであるが、この範囲外の厚さが使用されること
もできる。好ましくは、電荷発生層に対する電荷輸送層
の厚さの比率は約２：１〜２００：１に保持され、ある
場合には、４００：１にもなる。
【０１７９】本発明の感光性画像形成部材において、例
えば接着層、保護上塗り層、光発生層、電荷輸送層など
のうち少なくとも１つの層は、本明細書に示す特定の式
からなるポリマーを含む。好適なポリマー材料の具体的
な例として、以下の（ａ）及び（ｂ）が挙げられる。
（ａ）は以下の一般式Ｉ、III 、IV、VII 又はVIIIから
なり、
えば接着層、保護上塗り層、光発生層、電荷輸送層など
のうち少なくとも１つの層は、本明細書に示す特定の式
からなるポリマーを含む。好適なポリマー材料の具体的
な例として、以下の（ａ）及び（ｂ）が挙げられる。
（ａ）は以下の一般式Ｉ、III 、IV、VII 又はVIIIから
なり、
【０１８０】
【化１３６】
【０１８１】
【化１３７】
【０１８２】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以
下の式又はこれらの混合物であり、
下の式又はこれらの混合物であり、
【０１８３】
【化１３８】
【０１８４】
【化１３９】
【０１８５】Ｂは以下の式、他の同様のビスフェノール
誘導体又はこれらの混合物であり、
誘導体又はこれらの混合物であり、
【０１８６】
【化１４０】
【０１８７】
【化１４１】
【０１８８】
【化１４２】
【０１８９】式中、ｖは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０１９０】
【化１４３】
【０１９１】式中、ｔは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０１９２】
【化１４４】
【０１９３】式中、ｚは２〜約２０、好ましくは２〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０１９４】
【化１４５】
【０１９５】式中、ｕは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０１９６】
【化１４６】
【０１９７】式中、ｗは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０１９８】
【化１４７】
【０１９９】
【化１４８】
【０２００】Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、
【０２０１】
【化１４９】
【０２０２】式中、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の炭
素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル
基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換ア
リール基を含むアリール基、好ましくは７〜約３０個の
炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリー
ルアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰
り返し単位の数を表す整数であり；及び（ｂ）は以下の
一般式II、Ｖ、VI、IX又はＸからなり、
素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル
基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換ア
リール基を含むアリール基、好ましくは７〜約３０個の
炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリー
ルアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰
り返し単位の数を表す整数であり；及び（ｂ）は以下の
一般式II、Ｖ、VI、IX又はＸからなり、
【０２０３】
【化１５０】
【０２０４】
【化１５１】
【０２０５】
【化１５２】
【０２０６】
【化１５３】
【０２０７】式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以
下の式又はこれらの混合物であり、
下の式又はこれらの混合物であり、
【０２０８】
【化１５４】
【０２０９】
【化１５５】
【０２１０】Ｂは以下の式、他の同様のビスフェノール
誘導体又はこれらの混合物であり、
誘導体又はこれらの混合物であり、
【０２１１】
【化１５６】
【０２１２】
【化１５７】
【０２１３】式中、ｖは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２１４】
【化１５８】
【０２１５】式中、ｔは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２１６】
【化１５９】
【０２１７】式中、ｚは２〜約２０、好ましくは２〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２１８】
【化１６０】
【０２１９】式中、ｕは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２２０】
【化１６１】
【０２２１】
【化１６２】
【０２２２】式中、ｗは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２２３】
【化１６３】
【０２２４】
【化１６４】
【０２２５】Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、
【０２２６】
【化１６５】
【０２２７】式中、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の炭
素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル
基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換ア
リール基を含むアリール基、好ましくは７〜約３０個の
炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリー
ルアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰
り返し単位の数を表す整数である。
素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル
基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換ア
リール基を含むアリール基、好ましくは７〜約３０個の
炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリー
ルアルキル基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰
り返し単位の数を表す整数である。
【０２２８】本発明の他の実施の形態では、一般式Ｉ、
III 、IV、VII 及びVIIIのポリマーにおいて、Ａ基は以
下の式であり、
III 、IV、VII 及びVIIIのポリマーにおいて、Ａ基は以
下の式であり、
【０２２９】
【化１６６】
【０２３０】Ｂ基は以下の式、他の同様のビスフェノー
ル誘導体又はこれらの混合物であり、
ル誘導体又はこれらの混合物であり、
【０２３１】
【化１６７】
【０２３２】
【化１６８】
【０２３３】式中、ｖは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２３４】
【化１６９】
【０２３５】式中、ｔは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２３６】
【化１７０】
【０２３７】式中、ｚは２〜約２０、好ましくは２〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２３８】
【化１７１】
【０２３９】式中、ｕは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２４０】
【化１７２】
【０２４１】式中、ｗは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２４２】
【化１７３】
【０２４３】
【化１７４】
【０２４４】本発明の他の実施の形態では、一般式Ｉ、
III 、IV、VII 及びVIIIのポリマーにおいて、Ａ基は以
下の式であり、
III 、IV、VII 及びVIIIのポリマーにおいて、Ａ基は以
下の式であり、
【０２４５】
【化１７５】
【０２４６】Ｂ基は以下の式、他の同様のビスフェノー
ル誘導体又はこれらの混合物であり、
ル誘導体又はこれらの混合物であり、
【０２４７】
【化１７６】
【０２４８】
【化１７７】
【０２４９】式中、ｖは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２５０】
【化１７８】
【０２５１】式中、ｔは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２５２】
【化１７９】
【０２５３】式中、ｚは２〜約２０、好ましくは２〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２５４】
【化１８０】
【０２５５】式中、ｕは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２５６】
【化１８１】
【０２５７】
【化１８２】
【０２５８】式中、ｗは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２５９】
【化１８３】
【０２６０】
【化１８４】
【０２６１】本発明の他の実施の形態では、一般式Ｉ、
III 、IV、VII 及びVIIIのポリマーにおいて、Ａ基は以
下の式であり、
III 、IV、VII 及びVIIIのポリマーにおいて、Ａ基は以
下の式であり、
【０２６２】
【化１８５】
【０２６３】Ｂ基は以下の式、他の同様のビスフェノー
ル誘導体又はこれらの混合物であり、
ル誘導体又はこれらの混合物であり、
【０２６４】
【化１８６】
【０２６５】
【化１８７】
【０２６６】
【化１８８】
【０２６７】式中、ｖは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２６８】
【化１８９】
【０２６９】式中、ｔは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２７０】
【化１９０】
【０２７１】式中、ｚは２〜約２０、好ましくは２〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２７２】
【化１９１】
【０２７３】式中、ｕは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２７４】
【化１９２】
【０２７５】式中、ｗは１〜約２０、好ましくは１〜約
１０の整数であり、
１０の整数であり、
【０２７６】
【化１９３】
【０２７７】
【化１９４】
【０２７８】１つの好ましい実施例では、「Ａ」基のま
わりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、ｘは
０である。その結果、次式のポリマーとなる。
わりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、ｘは
０である。その結果、次式のポリマーとなる。
【０２７９】
【化１９５】
【０２８０】
【化１９６】
【０２８１】
【化１９７】
【０２８２】
【化１９８】
【０２８３】
【化１９９】
【０２８４】
【化２００】
【０２８５】もう１つの好ましい実施例では、「Ａ」基
のまわりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、
ｘは１であり、Ａは次式であり、
のまわりの２つのフェニル基は過フッ素化されており、
ｘは１であり、Ａは次式であり、
【０２８６】
【化２０１】
【０２８７】以下の式のポリマーが生成する。
【０２８８】
【化２０２】
【０２８９】
【化２０３】
【０２９０】
【化２０４】
【０２９１】
【化２０５】
【０２９２】
【化２０６】
【０２９３】
【化２０７】
【０２９４】ｍ及びｎの値は、材料の数平均分子量が約
１０，０００〜約１００，０００、より好ましくは約３
０，０００〜約１００，０００、更に好ましくは約３
０，０００〜約６０，０００であり（Ｍn はこれらの範
囲外であってもよい）、材料の重量平均分子量が好まし
くは約２０，０００〜約３５０，０００、更に好ましく
は約１００，０００〜約２５０，０００である（Ｍw は
これらの範囲外であってもよい）ような値であるのが好
ましい。多分散性（Ｍw ／Ｍn ）は典型的には約２〜約
９であり、好ましくは約３であるが、これより高い又は
低い多分散性値も使用できる。また、フェニル基並びに
Ａ、Ｂ、及び／又はＣ基は置換されていてもよい。適切
な置換基の例には、好ましくは１〜約６個の炭素原子を
有するアルキル基（飽和、不飽和及び環状アルキル基を
含む）、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有する置換
アルキル基（飽和、不飽和及び環状置換アルキル基を含
む）、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を有するアリ
ール基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を有する置
換アリール基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を有
するアリールアルキル基、好ましくは７〜約３０個の炭
素原子を有する置換アリールアルキル基、好ましくは１
〜約６個の炭素原子を有するアルコキシ基、好ましくは
１〜約６個の炭素原子を有する置換アルコキシ基、好ま
しくは６〜約２４個の炭素原子を有するアリールオキシ
基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を有する置換ア
リールオキシ基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を
有するアリールアルキルオキシ基、好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキルオキシ
基、ヒドロキシ基、シアノ基、ピリジン基、ピリジニウ
ム基、エーテル基、エステル基、アミド基、カルボニル
基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エ
ステル基、スルフィド基、スルホキシド基、リン酸エス
テル基、スルホン基、アシル基等が含まれ（しかし、こ
れらに限定されない）、２つ又はそれ以上の置換基は互
いに結合されて環を形成することができる。ここで、置
換アルキル基、置換アリール基、置換アリールアルキル
基、置換アルコキシ基、置換アリールオキシ基及び置換
アリールアルキルオキシ基の置換基は、ヒドロキシ基、
アンモニウム基、シアノ基、ピリジン基、ピリジニウム
基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、エステル
基、アミド基、カルボン酸基、カルボニル基、硫酸エス
テル基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホ
キシド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エス
テル基、シアノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニトロ
ソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホン基、アシル
基、及びその混合物などであり（しかしこれらに限定さ
れない）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに結合され
て環を形成することができる。ポリマーは、約５０〜約
３００℃、更に好ましくは約１５０〜約２６０℃のガラ
ス転移温度を有するのが好ましいが、Ｔg はこれらの範
囲外でもよい。電荷輸送層を形成するための電荷輸送分
子のように、ポリマーが取り込まれる感光性画像形成部
材の他の成分とポリマーが混合される場合、ポリマー含
有混合物は、約５０〜約１００℃、更に好ましくは約７
０℃のガラス転移温度を有するのが好ましいが、混合物
のＴ g はこの範囲外であってもよい。これらの材料の調
製プロセスは既知である。
１０，０００〜約１００，０００、より好ましくは約３
０，０００〜約１００，０００、更に好ましくは約３
０，０００〜約６０，０００であり（Ｍn はこれらの範
囲外であってもよい）、材料の重量平均分子量が好まし
くは約２０，０００〜約３５０，０００、更に好ましく
は約１００，０００〜約２５０，０００である（Ｍw は
これらの範囲外であってもよい）ような値であるのが好
ましい。多分散性（Ｍw ／Ｍn ）は典型的には約２〜約
９であり、好ましくは約３であるが、これより高い又は
低い多分散性値も使用できる。また、フェニル基並びに
Ａ、Ｂ、及び／又はＣ基は置換されていてもよい。適切
な置換基の例には、好ましくは１〜約６個の炭素原子を
有するアルキル基（飽和、不飽和及び環状アルキル基を
含む）、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有する置換
アルキル基（飽和、不飽和及び環状置換アルキル基を含
む）、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を有するアリ
ール基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を有する置
換アリール基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を有
するアリールアルキル基、好ましくは７〜約３０個の炭
素原子を有する置換アリールアルキル基、好ましくは１
〜約６個の炭素原子を有するアルコキシ基、好ましくは
１〜約６個の炭素原子を有する置換アルコキシ基、好ま
しくは６〜約２４個の炭素原子を有するアリールオキシ
基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を有する置換ア
リールオキシ基、好ましくは７〜約３０個の炭素原子を
有するアリールアルキルオキシ基、好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキルオキシ
基、ヒドロキシ基、シアノ基、ピリジン基、ピリジニウ
ム基、エーテル基、エステル基、アミド基、カルボニル
基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸エ
ステル基、スルフィド基、スルホキシド基、リン酸エス
テル基、スルホン基、アシル基等が含まれ（しかし、こ
れらに限定されない）、２つ又はそれ以上の置換基は互
いに結合されて環を形成することができる。ここで、置
換アルキル基、置換アリール基、置換アリールアルキル
基、置換アルコキシ基、置換アリールオキシ基及び置換
アリールアルキルオキシ基の置換基は、ヒドロキシ基、
アンモニウム基、シアノ基、ピリジン基、ピリジニウム
基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、エステル
基、アミド基、カルボン酸基、カルボニル基、硫酸エス
テル基、スルホン酸エステル基、スルフィド基、スルホ
キシド基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エス
テル基、シアノ基、ニトリル基、メルカプト基、ニトロ
ソ基、ハロゲン原子、ニトロ基、スルホン基、アシル
基、及びその混合物などであり（しかしこれらに限定さ
れない）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに結合され
て環を形成することができる。ポリマーは、約５０〜約
３００℃、更に好ましくは約１５０〜約２６０℃のガラ
ス転移温度を有するのが好ましいが、Ｔg はこれらの範
囲外でもよい。電荷輸送層を形成するための電荷輸送分
子のように、ポリマーが取り込まれる感光性画像形成部
材の他の成分とポリマーが混合される場合、ポリマー含
有混合物は、約５０〜約１００℃、更に好ましくは約７
０℃のガラス転移温度を有するのが好ましいが、混合物
のＴ g はこの範囲外であってもよい。これらの材料の調
製プロセスは既知である。
【０２９５】本発明のために好ましいポリマーの３つの
例は、以下のような式を有するものである。
例は、以下のような式を有するものである。
【０２９６】
【化２０８】
【０２９７】ここで、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約２５〜約６２０、好ましくは約７４〜
約１５０であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっても
よい。ある特定の実施例では約１５５℃のガラス転移温
度を有する。
し、典型的には約２５〜約６２０、好ましくは約７４〜
約１５０であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっても
よい。ある特定の実施例では約１５５℃のガラス転移温
度を有する。
【０２９８】
【化２０９】
【０２９９】ここで、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約２０〜約４７５、好ましくは約５５〜
約１１４であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっても
よい。ある特定の実施例では約２４０℃のガラス転移温
度を有する。
し、典型的には約２０〜約４７５、好ましくは約５５〜
約１１４であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっても
よい。ある特定の実施例では約２４０℃のガラス転移温
度を有する。
【０３００】
【化２１０】
【０３０１】ここで、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約１０〜約６２０、好ましくは約５５〜
約１１４であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっても
よい。
し、典型的には約１０〜約６２０、好ましくは約５５〜
約１１４であるが、ｎの値はこれらの範囲外であっても
よい。
【０３０２】また、次の式のポリマー及びこの部分を含
むオリゴマーも、電荷輸送分子等の受光体成分材料を比
較的高濃度で溶解できるといった利点のために好まし
い。
むオリゴマーも、電荷輸送分子等の受光体成分材料を比
較的高濃度で溶解できるといった利点のために好まし
い。
【０３０３】
【化２１１】
【０３０４】これらのポリマーは結晶化の可能性も少な
い。更には、これらのポリマーに溶解された電荷輸送分
子等の材料は、結晶化を示す可能性が少ない。これらの
ポリマーを含む層は、コーティング溶液が比較的高い濃
度の層成分を含む溶媒コーティングプロセスによって、
画像形成部材へ塗布できる。また、これらのポリマーを
含む層は、比較的高濃度の電荷輸送分子等の受光体成分
材料を含むことができる。
い。更には、これらのポリマーに溶解された電荷輸送分
子等の材料は、結晶化を示す可能性が少ない。これらの
ポリマーを含む層は、コーティング溶液が比較的高い濃
度の層成分を含む溶媒コーティングプロセスによって、
画像形成部材へ塗布できる。また、これらのポリマーを
含む層は、比較的高濃度の電荷輸送分子等の受光体成分
材料を含むことができる。
【０３０５】必須ではないが、ポリマーが特に選択され
た基で末端官能基化されれば、ポリマーの最終特性に関
して有利であろう。いくつかの場合には、ポリマーの末
端基は、ポリマー合成の化学量論により選択できる。例
えば、ポリマーがＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド中で炭
酸カリウムの存在下、４，４′−ジクロロベンゾフェノ
ン及びビスフェノールＡの反応により調製される場合、
ビスフェノールＡが約７．５〜８モル％過剰に存在すれ
ば、得られるポリマーは一般的にビスフェノールＡ末端
である（ビスフェノールＡ部分は１つ又はそれ以上のヒ
ドロキシ基を有しても有さなくてもよい）。これに対し
て、４，４′−ジクロロベンゾフェノンが約７．５〜８
モル％過剰に存在すれば、反応時間はビスフェノールＡ
が過剰の反応で必要な時間のおよそ半分であり、得られ
るポリマーは一般的にベンゾフェノン末端である（ベン
ゾフェノン部分は１つ又はそれ以上の塩素原子を有して
も有さなくてもよい）。同様に、ポリマーがＮ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド中で炭酸カリウムの存在下、４，
４′−ジフルオロベンゾフェノンと９，９′−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレン又はビスフェノール
Ａのいずれかとの反応により調製される場合、４，４′
−ジフルオロベンゾフェノン反応物が過剰に存在すれ
ば、得られるポリマーは一般的にベンゾフェノン末端基
（１つ又はそれ以上のフッ素原子を有しても有さなくて
もよい）を有する。良く知られたカラザーズの式は、所
望の分子量を得るのに必要とされる化学量論的オフセッ
トを計算するために使用できる。更に一般的に言って、
本発明の次式及び他の式を有するようなポリマーの調製
の間、ポリマー合成反応の化学量論は、ポリマーの末端
基が「Ａ」基から誘導されるよう、あるいは「Ｂ」基か
ら誘導されるように調整できる。
た基で末端官能基化されれば、ポリマーの最終特性に関
して有利であろう。いくつかの場合には、ポリマーの末
端基は、ポリマー合成の化学量論により選択できる。例
えば、ポリマーがＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド中で炭
酸カリウムの存在下、４，４′−ジクロロベンゾフェノ
ン及びビスフェノールＡの反応により調製される場合、
ビスフェノールＡが約７．５〜８モル％過剰に存在すれ
ば、得られるポリマーは一般的にビスフェノールＡ末端
である（ビスフェノールＡ部分は１つ又はそれ以上のヒ
ドロキシ基を有しても有さなくてもよい）。これに対し
て、４，４′−ジクロロベンゾフェノンが約７．５〜８
モル％過剰に存在すれば、反応時間はビスフェノールＡ
が過剰の反応で必要な時間のおよそ半分であり、得られ
るポリマーは一般的にベンゾフェノン末端である（ベン
ゾフェノン部分は１つ又はそれ以上の塩素原子を有して
も有さなくてもよい）。同様に、ポリマーがＮ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド中で炭酸カリウムの存在下、４，
４′−ジフルオロベンゾフェノンと９，９′−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）フルオレン又はビスフェノール
Ａのいずれかとの反応により調製される場合、４，４′
−ジフルオロベンゾフェノン反応物が過剰に存在すれ
ば、得られるポリマーは一般的にベンゾフェノン末端基
（１つ又はそれ以上のフッ素原子を有しても有さなくて
もよい）を有する。良く知られたカラザーズの式は、所
望の分子量を得るのに必要とされる化学量論的オフセッ
トを計算するために使用できる。更に一般的に言って、
本発明の次式及び他の式を有するようなポリマーの調製
の間、ポリマー合成反応の化学量論は、ポリマーの末端
基が「Ａ」基から誘導されるよう、あるいは「Ｂ」基か
ら誘導されるように調整できる。
【０３０６】
【化２１２】
【０３０７】また、「Ａ」又は「Ｂ」基の芳香環に付い
てフェノール部分を形成するヒドロキシ基や、「Ａ」又
は「Ｂ」基へ付いたハロゲン原子等のような、特定の官
能基がこれらの末端「Ａ」基又は「Ｂ」基上に存在でき
る。
てフェノール部分を形成するヒドロキシ基や、「Ａ」又
は「Ｂ」基へ付いたハロゲン原子等のような、特定の官
能基がこれらの末端「Ａ」基又は「Ｂ」基上に存在でき
る。
【０３０８】ベンゾフェノン基又はハロゲン化ベンゾフ
ェノン基等の「Ａ」基から誘導される末端基を有するポ
リマーは、ビスフェノールＡ基（その芳香環に１つ又は
それ以上のヒドロキシ基を有する）又は他のフェノール
基等の「Ｂ」基から誘導される末端基を有するポリマー
と比較して、合成及びこれらの材料の幾つかの置換基配
置反応の両方の制御が容易であり、また、例えば、コス
ト、分子量、分子量範囲、及び多分散性（Ｍw ／Ｍn ）
に関して良い結果が得られるので、いくつかの応用で好
ましい。
ェノン基等の「Ａ」基から誘導される末端基を有するポ
リマーは、ビスフェノールＡ基（その芳香環に１つ又は
それ以上のヒドロキシ基を有する）又は他のフェノール
基等の「Ｂ」基から誘導される末端基を有するポリマー
と比較して、合成及びこれらの材料の幾つかの置換基配
置反応の両方の制御が容易であり、また、例えば、コス
ト、分子量、分子量範囲、及び多分散性（Ｍw ／Ｍn ）
に関して良い結果が得られるので、いくつかの応用で好
ましい。
【０３０９】また、ポリマーの末端ヒドロキシ基又はハ
ロゲン化物基は、更に反応されることができる。例え
ば、過剰の４，４′−ジフルオロベンゾフェノンと例え
ばビスフェノールＡ又は９，９′−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレンとを反応させて得られるポリマ
ーのようにハロゲン化物末端基を有するポリマーは、炭
酸カリウムの存在下でフェノールと反応させて−Ｆ末端
基を−φ基で置き換えることができる。同様に、ヒドロ
キシ末端基を有するポリマーは、典型的には約２０〜約
６０℃の温度において水及び塩化メチレン中で水酸化ナ
トリウム等の塩基の存在下、式ＮＲ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 の第
４級アンモニウム塩と反応させてヒドロキシ基を対応の
アルコキシ基で置き換えることができる。ここで、
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ 3 及びＲ4 はそれぞれ、他とは独立的
に、好ましくは１〜約５０個の炭素原子を有するアルキ
ル基、好ましくは６〜約５０個の炭素原子を有するアリ
ール基、好ましくは７〜約５０個の炭素原子を有するア
リールアルキル基、もしくは置換アルキル、アリール又
はアリールアルキル基である。
ロゲン化物基は、更に反応されることができる。例え
ば、過剰の４，４′−ジフルオロベンゾフェノンと例え
ばビスフェノールＡ又は９，９′−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレンとを反応させて得られるポリマ
ーのようにハロゲン化物末端基を有するポリマーは、炭
酸カリウムの存在下でフェノールと反応させて−Ｆ末端
基を−φ基で置き換えることができる。同様に、ヒドロ
キシ末端基を有するポリマーは、典型的には約２０〜約
６０℃の温度において水及び塩化メチレン中で水酸化ナ
トリウム等の塩基の存在下、式ＮＲ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 の第
４級アンモニウム塩と反応させてヒドロキシ基を対応の
アルコキシ基で置き換えることができる。ここで、
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ 3 及びＲ4 はそれぞれ、他とは独立的
に、好ましくは１〜約５０個の炭素原子を有するアルキ
ル基、好ましくは６〜約５０個の炭素原子を有するアリ
ール基、好ましくは７〜約５０個の炭素原子を有するア
リールアルキル基、もしくは置換アルキル、アリール又
はアリールアルキル基である。
【０３１０】更に、オリゴマーは、ここに示される式の
ポリマーを生成するためにカップリング剤と反応させら
れる。式Ｉのポリマーが式III 又は式IVのポリマーを形
成するためにカップリングされる以下に説明される一般
的な反応式は、次の通りである。
ポリマーを生成するためにカップリング剤と反応させら
れる。式Ｉのポリマーが式III 又は式IVのポリマーを形
成するためにカップリングされる以下に説明される一般
的な反応式は、次の通りである。
【０３１１】
【化２１３】
【０３１２】
【化２１４】
【０３１３】ここで、ｍは少なくとも約１の整数であ
り、繰返し単位の数を表す。ｍの値は、得られた結合ポ
リマーが溶媒中に溶解でき、画像形成部材上へ塗布でき
るような値である。好ましくは、ｍは、ポリマーの重量
平均分子量が約３００，０００未満、更に好ましくは約
１５０，０００未満であるような値である。
り、繰返し単位の数を表す。ｍの値は、得られた結合ポ
リマーが溶媒中に溶解でき、画像形成部材上へ塗布でき
るような値である。好ましくは、ｍは、ポリマーの重量
平均分子量が約３００，０００未満、更に好ましくは約
１５０，０００未満であるような値である。
【０３１４】適切な「Ｃ」基の例には、ポリカーボネー
トに基づく基が含まれ、この場合「Ｃ」は以下の（イ）
であり、従ってポリマーは（ロ）結合を含む。また、ポ
リウレタン及びポリイソシアナートに基づく基が含ま
れ、この場合「Ｃ」は一般式（ハ）を有し、従ってポリ
マーは（ニ）結合を含む。
トに基づく基が含まれ、この場合「Ｃ」は以下の（イ）
であり、従ってポリマーは（ロ）結合を含む。また、ポ
リウレタン及びポリイソシアナートに基づく基が含ま
れ、この場合「Ｃ」は一般式（ハ）を有し、従ってポリ
マーは（ニ）結合を含む。
【０３１５】
【化２１５】
【０３１６】
【化２１６】
【０３１７】
【化２１７】
【０３１８】
【化２１８】
【０３１９】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な「Ｃ」基の例にはポリエステルに基づく基が
含まれ、この場合「Ｃ」は一般式（ホ）を有し、従って
ポリマーは（ヘ）結合を含む。
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な「Ｃ」基の例にはポリエステルに基づく基が
含まれ、この場合「Ｃ」は一般式（ホ）を有し、従って
ポリマーは（ヘ）結合を含む。
【０３２０】
【化２１９】
【０３２１】
【化２２０】
【０３２２】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な「Ｃ」基の例には二無水物に基づく基が含ま
れ、この場合「Ｃ」は一般式（ト）を有し、従ってポリ
マーは（チ）結合を含む。
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な「Ｃ」基の例には二無水物に基づく基が含ま
れ、この場合「Ｃ」は一般式（ト）を有し、従ってポリ
マーは（チ）結合を含む。
【０３２３】
【化２２１】
【０３２４】
【化２２２】
【０３２５】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な「Ｃ」基の例にはジエポキシに基づく基が含
まれ、この場合、「Ｃ」は一般式（リ）を有し、従って
ポリマーは（ヌ）結合を含む。
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ま
た、適切な「Ｃ」基の例にはジエポキシに基づく基が含
まれ、この場合、「Ｃ」は一般式（リ）を有し、従って
ポリマーは（ヌ）結合を含む。
【０３２６】
【化２２３】
【０３２７】
【化２２４】
【０３２８】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基並びに高分子
基を含むアルキル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原
子を有する置換アリール基を含むアリール基、又は好ま
しくは７〜約３０個の炭素原子を有する置換アリールア
ルキル基を含むアリールアルキル基、もしくはその混合
物等である。上記の全ての「Ｒ」基について、適切な置
換基の例には、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有す
るアルコキシ基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を
有するアリールオキシ基、好ましくは７〜約３０個の炭
素原子を有するアリールアルキルオキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、アンモニウム基、シアノ基、ピリジ
ン基、ピリジニウム基、ニトリル基、メルカプト基、ニ
トロソ基、ニトロ基、エーテル基、アルデヒド基、ケト
ン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、カルボニ
ル基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸
エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、スルホン
基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル
基、アシル基等が含まれ（しかし、これらに限定されな
い）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに結合して環を
形成することができる。
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基並びに高分子
基を含むアルキル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原
子を有する置換アリール基を含むアリール基、又は好ま
しくは７〜約３０個の炭素原子を有する置換アリールア
ルキル基を含むアリールアルキル基、もしくはその混合
物等である。上記の全ての「Ｒ」基について、適切な置
換基の例には、好ましくは１〜約６個の炭素原子を有す
るアルコキシ基、好ましくは６〜約２４個の炭素原子を
有するアリールオキシ基、好ましくは７〜約３０個の炭
素原子を有するアリールアルキルオキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、アンモニウム基、シアノ基、ピリジ
ン基、ピリジニウム基、ニトリル基、メルカプト基、ニ
トロソ基、ニトロ基、エーテル基、アルデヒド基、ケト
ン基、エステル基、アミド基、カルボン酸基、カルボニ
ル基、チオカルボニル基、硫酸エステル基、スルホン酸
エステル基、スルフィド基、スルホキシド基、スルホン
基、ホスフィン基、ホスホニウム基、リン酸エステル
基、アシル基等が含まれ（しかし、これらに限定されな
い）、２つ又はそれ以上の置換基は互いに結合して環を
形成することができる。
【０３２９】例えば、ヒドロキシ末端オリゴマーはホス
ゲン又はその等価物（水素化リチウム及び炭酸ジフェニ
ル、もしくは以下の（ル）、（ヲ）又は（ワ）等）と反
応して、以下に説明されるようにオリゴマーをポリカー
ボネート基でカップリングさせることができる。
ゲン又はその等価物（水素化リチウム及び炭酸ジフェニ
ル、もしくは以下の（ル）、（ヲ）又は（ワ）等）と反
応して、以下に説明されるようにオリゴマーをポリカー
ボネート基でカップリングさせることができる。
【０３３０】
【化２２５】
【０３３１】
【化２２６】
【０３３２】式Ｉのポリマーは、次のように、式III 又
は式IVのポリマーを形成するためにカップリングされ
る。
は式IVのポリマーを形成するためにカップリングされ
る。
【０３３３】
【化２２７】
【０３３４】ここに示される特定の式を有するポリマー
とのこの縮合反応のための条件は、例えばW.R.ソレンソ
ン（W.R. Sorenson)及びT.W.キャンベル（T.W. Campbel
l)著「ポリマー化学の合成方法」（第２版、ジョンウィ
リー＆サンズ、ニューヨーク１９６１、１９６８）の例
えば１２２、１２３、１４０及び１４１頁に開示される
ビスフェノールＡとホスゲンの反応で使用される条件と
同様である。
とのこの縮合反応のための条件は、例えばW.R.ソレンソ
ン（W.R. Sorenson)及びT.W.キャンベル（T.W. Campbel
l)著「ポリマー化学の合成方法」（第２版、ジョンウィ
リー＆サンズ、ニューヨーク１９６１、１９６８）の例
えば１２２、１２３、１４０及び１４１頁に開示される
ビスフェノールＡとホスゲンの反応で使用される条件と
同様である。
【０３３５】もう１つの例では、ヒドロキシ末端オリゴ
マーはジイソシアナートと反応して（ヒドロキシ基１モ
ル当量当たりイソシアナート基１モル当量）、以下に説
明されるように、オリゴマーをイソシアナート基でカッ
プリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマー
は、次のように、式III 又は式IVのポリマーを形成する
ためにカップリングされる。
マーはジイソシアナートと反応して（ヒドロキシ基１モ
ル当量当たりイソシアナート基１モル当量）、以下に説
明されるように、オリゴマーをイソシアナート基でカッ
プリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマー
は、次のように、式III 又は式IVのポリマーを形成する
ためにカップリングされる。
【０３３６】
【化２２８】
【０３３７】
【化２２９】
【０３３８】適切なジイソシアナート反応物の他の特定
の例（典型的には、一般式
の例（典型的には、一般式
【０３３９】
【化２３０】
【０３４０】を有し、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である）に
は、式（カ）のトルエンジイソシアナート、式（ヨ）の
トリメチロールプロパントルエンジイソシアナート付加
物（モベイケミカル社、ピッツバーグ、ペンシルバニア
州から商業的に入手可能なＣＢ−７５等）、式（タ）の
ようなペンタエリトリトールトルエンジイソシアナート
付加物等が含まれる。
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である）に
は、式（カ）のトルエンジイソシアナート、式（ヨ）の
トリメチロールプロパントルエンジイソシアナート付加
物（モベイケミカル社、ピッツバーグ、ペンシルバニア
州から商業的に入手可能なＣＢ−７５等）、式（タ）の
ようなペンタエリトリトールトルエンジイソシアナート
付加物等が含まれる。
【０３４１】
【化２３１】
【０３４２】
【化２３２】
【０３４３】
【化２３３】
【０３４４】ジイソシアナート（１当量のイソシアナー
ト基）は２５℃の塩化メチレン溶液中でヒドロキシ末端
オリゴマー（１当量のヒドロキシ基）と混合でき、その
後できるだけ速く反応混合物をコーティングする。膜は
放置すると鎖延長する。膜は次に、溶媒を除去するため
に９０℃へ加熱して乾燥される。この温度より高い温度
では、反応の熱逆転が起こる。
ト基）は２５℃の塩化メチレン溶液中でヒドロキシ末端
オリゴマー（１当量のヒドロキシ基）と混合でき、その
後できるだけ速く反応混合物をコーティングする。膜は
放置すると鎖延長する。膜は次に、溶媒を除去するため
に９０℃へ加熱して乾燥される。この温度より高い温度
では、反応の熱逆転が起こる。
【０３４５】別の例では、ヒドロキシ末端オリゴマー
は、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物（ヒドロキ
シ基１モル当量当たり１モル当量のエステル、酸塩化
物、又は無水物基）と反応して、以下に説明されるよう
に、オリゴマーをエステル、酸塩化物、又は無水物基で
カップリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマ
ーは、次のように、式III 又は式IVのポリマーを形成す
るためにカップリングされる。
は、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物（ヒドロキ
シ基１モル当量当たり１モル当量のエステル、酸塩化
物、又は無水物基）と反応して、以下に説明されるよう
に、オリゴマーをエステル、酸塩化物、又は無水物基で
カップリングさせることができる。ここで式Ｉのポリマ
ーは、次のように、式III 又は式IVのポリマーを形成す
るためにカップリングされる。
【０３４６】
【化２３４】
【０３４７】典型的なジエステル及び二酸塩化物反応物
は次の一般式を有する。
は次の一般式を有する。
【０３４８】
【化２３５】
【０３４９】
【化２３６】
【０３５０】ここで、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ、
他とは独立的に、好ましくは１〜約３０個の炭素原子を
有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好ま
しくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換アリール基
を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３０個の炭素
原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリールア
ルキル基、もしくはその混合物である。典型的な二無水
物反応物は次の一般式を有する。
他とは独立的に、好ましくは１〜約３０個の炭素原子を
有する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好ま
しくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換アリール基
を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３０個の炭素
原子を有する置換アリールアルキル基を含むアリールア
ルキル基、もしくはその混合物である。典型的な二無水
物反応物は次の一般式を有する。
【０３５１】
【化２３７】
【０３５２】ここで、Ｒは、好ましくは１〜約３０個の
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ヒド
ロキシ末端オリゴマー膜は、ポリマーを鎖延長させるた
めに、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物（例え
ば、フタル酸ジエステル又は二無水物）と共に、約３０
分間１５０℃まで加熱される。
炭素原子を有する環状及び置換アルキル基を含むアルキ
ル基、好ましくは６〜約３０個の炭素原子を有する置換
アリール基を含むアリール基、又は好ましくは７〜約３
０個の炭素原子を有する置換アリールアルキル基を含む
アリールアルキル基、もしくはその混合物である。ヒド
ロキシ末端オリゴマー膜は、ポリマーを鎖延長させるた
めに、ジエステル、二酸塩化物、又は二無水物（例え
ば、フタル酸ジエステル又は二無水物）と共に、約３０
分間１５０℃まで加熱される。
【０３５３】別の例では、ヒドロキシ末端オリゴマーは
ジエポキシ化合物又は二無水物と反応して、以下に説明
されるように、オリゴマーをエポキシ基誘導体でカップ
リングさせることができる。ここで式Ｉのポリマーは、
次のように、式III 又は式IVのポリマーを形成するため
にカップリングされる。
ジエポキシ化合物又は二無水物と反応して、以下に説明
されるように、オリゴマーをエポキシ基誘導体でカップ
リングさせることができる。ここで式Ｉのポリマーは、
次のように、式III 又は式IVのポリマーを形成するため
にカップリングされる。
【０３５４】
【化２３８】
【０３５５】
【化２３９】
【０３５６】典型的なジエポキシ反応物は次の一般式を
有する。
有する。
【０３５７】
【化２４０】
【０３５８】ここで、Ｒ、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ、他
とは独立的に、好ましくは１〜約３０個の炭素原子を有
する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好まし
くは６〜約３０個の炭素原子を有する置換アリール基を
含むアリール基、又は好ましくは７〜約３０個の炭素原
子を有する置換アリールアルキル基を含むアリールアル
キル基、もしくはその混合物である。また、Ｒは高分子
でもよく、得られるジエポキシはモノマー又はポリマー
である。特定の適切なジエポキシ反応物には、ＥＰＯＮ
（登録商標）８２８樹脂等のＲが次の式（レ）であるも
の、Ｒが式（ソ）であるもの、およびＲが式（ツ）であ
るもの等が含まれる。
とは独立的に、好ましくは１〜約３０個の炭素原子を有
する環状及び置換アルキル基を含むアルキル基、好まし
くは６〜約３０個の炭素原子を有する置換アリール基を
含むアリール基、又は好ましくは７〜約３０個の炭素原
子を有する置換アリールアルキル基を含むアリールアル
キル基、もしくはその混合物である。また、Ｒは高分子
でもよく、得られるジエポキシはモノマー又はポリマー
である。特定の適切なジエポキシ反応物には、ＥＰＯＮ
（登録商標）８２８樹脂等のＲが次の式（レ）であるも
の、Ｒが式（ソ）であるもの、およびＲが式（ツ）であ
るもの等が含まれる。
【０３５９】
【化２４１】
【０３６０】
【化２４２】
【０３６１】
【化２４３】
【０３６２】上記の式において、ｎは繰返しモノマー単
位の数を表し、ＥＰＯＮ（登録商標）シリーズの他の樹
脂のように典型的には約１〜約２６である。また上記の
式（ツ）において、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約１〜約２６である。ヒドロキシ末端オ
リゴマー膜は、ポリマーを鎖延長させるためにエポキシ
樹脂（ＥＰＯＮ８２８）及び二無水物又はトリエチルア
ミン（１０重量％）と共に１３５℃で３０分間加熱され
る。
位の数を表し、ＥＰＯＮ（登録商標）シリーズの他の樹
脂のように典型的には約１〜約２６である。また上記の
式（ツ）において、ｎは繰返しモノマー単位の数を表
し、典型的には約１〜約２６である。ヒドロキシ末端オ
リゴマー膜は、ポリマーを鎖延長させるためにエポキシ
樹脂（ＥＰＯＮ８２８）及び二無水物又はトリエチルア
ミン（１０重量％）と共に１３５℃で３０分間加熱され
る。
【０３６３】また、次の一般式のポリマーもこれらの方
法でカップリングすることができ、式IV、Ｖ、VI、VII
、VIII、IX、及びＸのポリマーもこれらの方法により
調製することができる。
法でカップリングすることができ、式IV、Ｖ、VI、VII
、VIII、IX、及びＸのポリマーもこれらの方法により
調製することができる。
【０３６４】
【化２４４】
【０３６５】また、受光体の電気伝導性層の接地又は電
気的バイアスへの接続を容易にするために導電性層、ブ
ロッキング層、接着層又は電荷発生層と接触するベルト
の一端に沿った従来の電気伝導性接地片のような他の層
が含まれてもよい。接地片は良く知られており、通常、
膜形成バインダ中に分散された導電性粒子を含む。
気的バイアスへの接続を容易にするために導電性層、ブ
ロッキング層、接着層又は電荷発生層と接触するベルト
の一端に沿った従来の電気伝導性接地片のような他の層
が含まれてもよい。接地片は良く知られており、通常、
膜形成バインダ中に分散された導電性粒子を含む。
【０３６６】耐摩耗性を改良するために、任意に、上塗
り層が利用されてもよい。いくつかの場合には、平坦性
及び／又は耐摩耗性を提供するために光導電性層を支持
する面と反対の基板表面へカール防止バックコーティン
グが塗布されてもよい。これらの上塗り及びカール防止
バックコーティング層は当該技術において良く知られて
おり、電気絶縁性又は僅かに半導性の熱可塑性有機ポリ
マー又は無機ポリマーを含むことができる。上塗りは連
続的であり、一般的に約１０μｍより薄い厚さを有す
る。カール防止バッキング層の厚さは、支持基板層の反
対側の層（単数又は複数）の全体の力と実質的に釣り合
うのに十分でなければならない。全体の力は、全ての層
が乾燥された後にベルトが顕著なカール傾向を示さない
場合に、実質的に釣り合う。例えば、画像形成部材の受
光体側のコーティング厚の大部分が、厚さ約７６μｍの
マイラー基板上の厚さ約２４μｍの主にポリカーボネー
ト樹脂を含む輸送層である電子写真式画像形成部材で
は、約９９重量％のポリカーボネート樹脂と、約１重量
％のポリエステルと、約５〜約２０％のカップリング剤
処理された結晶性粒子と、を含む１３．５μｍ厚のカー
ル防止層を用いれば、十分な力の釣り合いが達成でき
る。カール防止バッキング層の例は、米国特許第４，６
５４，２８４号に記載されている。約７０μｍと約１６
０μｍの間の厚さは、フレキシブル受光体にとって満足
できる範囲である。
り層が利用されてもよい。いくつかの場合には、平坦性
及び／又は耐摩耗性を提供するために光導電性層を支持
する面と反対の基板表面へカール防止バックコーティン
グが塗布されてもよい。これらの上塗り及びカール防止
バックコーティング層は当該技術において良く知られて
おり、電気絶縁性又は僅かに半導性の熱可塑性有機ポリ
マー又は無機ポリマーを含むことができる。上塗りは連
続的であり、一般的に約１０μｍより薄い厚さを有す
る。カール防止バッキング層の厚さは、支持基板層の反
対側の層（単数又は複数）の全体の力と実質的に釣り合
うのに十分でなければならない。全体の力は、全ての層
が乾燥された後にベルトが顕著なカール傾向を示さない
場合に、実質的に釣り合う。例えば、画像形成部材の受
光体側のコーティング厚の大部分が、厚さ約７６μｍの
マイラー基板上の厚さ約２４μｍの主にポリカーボネー
ト樹脂を含む輸送層である電子写真式画像形成部材で
は、約９９重量％のポリカーボネート樹脂と、約１重量
％のポリエステルと、約５〜約２０％のカップリング剤
処理された結晶性粒子と、を含む１３．５μｍ厚のカー
ル防止層を用いれば、十分な力の釣り合いが達成でき
る。カール防止バッキング層の例は、米国特許第４，６
５４，２８４号に記載されている。約７０μｍと約１６
０μｍの間の厚さは、フレキシブル受光体にとって満足
できる範囲である。
【０３６７】また本発明は、ここに開示される光導電性
画像形成部材を用いて画像を発生させる方法も包含す
る。その方法は、本発明の光導電性画像形成部材上に静
電潜像を生成するステップと、潜像を現像するステップ
と、現像された静電画像を基体へ転写するステップと、
を含む。任意に、転写された画像は基体へ永久的に定着
されることができる。画像の現像は、カスケード、タッ
チダウン、パウダー雲、磁気ブラシ等の多数の方法によ
り達成することができる。現像画像の基体への転写は、
コロトロン又はバイアス帯電ロールを使用する方法を含
むどの方法で行ってもよい。定着ステップは、輻射フラ
ッシュ溶融、加熱溶融、加圧溶融、蒸気溶融等の適切な
方法によって実行することができる。紙又は透明材料等
のゼログラフィ複写機及びプリンタで使用される材料
は、基体として使用できる。
画像形成部材を用いて画像を発生させる方法も包含す
る。その方法は、本発明の光導電性画像形成部材上に静
電潜像を生成するステップと、潜像を現像するステップ
と、現像された静電画像を基体へ転写するステップと、
を含む。任意に、転写された画像は基体へ永久的に定着
されることができる。画像の現像は、カスケード、タッ
チダウン、パウダー雲、磁気ブラシ等の多数の方法によ
り達成することができる。現像画像の基体への転写は、
コロトロン又はバイアス帯電ロールを使用する方法を含
むどの方法で行ってもよい。定着ステップは、輻射フラ
ッシュ溶融、加熱溶融、加圧溶融、蒸気溶融等の適切な
方法によって実行することができる。紙又は透明材料等
のゼログラフィ複写機及びプリンタで使用される材料
は、基体として使用できる。
【０３６８】
【実施例】［実施例Ｉ］Ａ 次式のポリアリーレンエーテルケトン（以下、ポリ（４
−ＣＰＫ−ＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製され
た。
−ＣＰＫ−ＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製され
た。
【０３６９】
【化２４５】
【０３７０】ここで、ｎは約６〜約３０である。ディー
ン−スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカ
ルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた
１リットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバ
ス中に配置された。４，４′−ジクロロベンゾフェノン
（５０ｇ）、ビスフェノールＡ（４８．９６ｇ）、炭酸
カリウム（６５．５６ｇ）、無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド（３００ｍｌ）、及びトルエン（５５ｍｌ）は
フラスコへ添加されて１７５℃（オイルバス温度）へ加
熱され、揮発性トルエン成分は捕集及び除去された。連
続的に攪拌しながら１７５℃で２４時間加熱した後、メ
タノール中に沈殿された一定量の反応生成物は、ゲル浸
透クロマトグラフィ（ｇｐｃ）（溶離溶媒はテトラヒド
ロフラン）により分析され、次の結果を与えた：Ｍ
n ４，４６４、Ｍpeak７，５８３、Ｍ w ７，９２７、Ｍ
z １２，３３１及びＭz+1 １６，９８０。連続的に攪拌
しながら１７５℃で４８時間後、反応混合物は炭酸カリ
ウムを除去するために濾過され、メタノール（２ガロ
ン）中に沈殿された。ポリマー（ポリ（４−ＣＰＫ−Ｂ
ＰＡ））は、濾過及び真空乾燥後に８６％の収率で分離
された。ＧＰＣ分析は次の通りであった：Ｍn ５，３４
７、Ｍpeak１６，１２６、Ｍw １５，５９６、Ｍz２
９，２０９及びＭz+1 ４２，７１０。２０℃／分の加熱
速度で示差走査熱量測定を用いて決定された、ポリマー
のガラス転移温度は約１２０±１０℃であった。塩化メ
チレンからの溶液キャスト膜は、透明、強靱、且つフレ
キシブルであった。反応で使用される化学量論の結果、
このポリマーはビスフェノールＡから誘導される末端基
を有するものと信じられる。Ｂ 次式のポリアリーレンエーテルケトン（以下、ポリ（４
−ＦＰＫ−ＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製され
た。
ン−スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカ
ルスターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた
１リットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバ
ス中に配置された。４，４′−ジクロロベンゾフェノン
（５０ｇ）、ビスフェノールＡ（４８．９６ｇ）、炭酸
カリウム（６５．５６ｇ）、無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミド（３００ｍｌ）、及びトルエン（５５ｍｌ）は
フラスコへ添加されて１７５℃（オイルバス温度）へ加
熱され、揮発性トルエン成分は捕集及び除去された。連
続的に攪拌しながら１７５℃で２４時間加熱した後、メ
タノール中に沈殿された一定量の反応生成物は、ゲル浸
透クロマトグラフィ（ｇｐｃ）（溶離溶媒はテトラヒド
ロフラン）により分析され、次の結果を与えた：Ｍ
n ４，４６４、Ｍpeak７，５８３、Ｍ w ７，９２７、Ｍ
z １２，３３１及びＭz+1 １６，９８０。連続的に攪拌
しながら１７５℃で４８時間後、反応混合物は炭酸カリ
ウムを除去するために濾過され、メタノール（２ガロ
ン）中に沈殿された。ポリマー（ポリ（４−ＣＰＫ−Ｂ
ＰＡ））は、濾過及び真空乾燥後に８６％の収率で分離
された。ＧＰＣ分析は次の通りであった：Ｍn ５，３４
７、Ｍpeak１６，１２６、Ｍw １５，５９６、Ｍz２
９，２０９及びＭz+1 ４２，７１０。２０℃／分の加熱
速度で示差走査熱量測定を用いて決定された、ポリマー
のガラス転移温度は約１２０±１０℃であった。塩化メ
チレンからの溶液キャスト膜は、透明、強靱、且つフレ
キシブルであった。反応で使用される化学量論の結果、
このポリマーはビスフェノールＡから誘導される末端基
を有するものと信じられる。Ｂ 次式のポリアリーレンエーテルケトン（以下、ポリ（４
−ＦＰＫ−ＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製され
た。
【０３７１】
【化２４６】
【０３７２】ここで、ｎは約１２３である。ディーン−
スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルス
ターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた１リ
ットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバス中
に配置された。４，４′−ジフルオロベンゾフェノン
（２１．８２ｇ）、ビスフェノールＡ（２２．６４
ｇ）、炭酸カリウム（４０．０ｇ）、無水Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド（３００ｍｌ）、及びトルエン（５２
ｍｌ）はフラスコへ添加されて１７５℃（オイルバス温
度）へ加熱され、揮発性トルエン成分は捕集及び除去さ
れた。連続的に攪拌しながら１７５℃で５時間加熱した
後、フェノール（５ｇ）が添加され、攪拌しながら１７
０℃の加熱が３０分以上継続された。２５℃へ冷却した
後、反応混合物は５００ｇの塩化メチレンと共に攪拌さ
れ、炭酸カリウムを除去するために濾過された。濾液は
メタノール（３ガロン）へ添加された。沈殿物は濾過に
より捕集され、２．５ガロンの水で洗浄された後、１ガ
ロンのメタノールで洗浄された。ポリマー（ポリ（４−
ＦＰＫ−ＢＰＡ））は、濾過及び真空乾燥後に９０％の
収率で分離された。ＧＰＣ分析は次の通りであった：Ｍ
n ３０，０００、Ｍw ７５，０００。２０℃／分の加熱
速度で示差走査熱量測定を用いて決定された、ポリマー
のガラス転移温度は約１４０℃であった。反応で使用さ
れる化学量論の結果、このポリマーはオキシフェニル基
から誘導される末端基を有するものと信じられる。１０
重量固体％で塩化メチレン中に溶解されたポリマーは、
ポリマーを再沈殿させるためにワーリングブレンダを用
いてメタノール（１ガロン）へ添加された。次にポリマ
ーは濾過及び真空乾燥により分離された。この材料は、
次に受光体の輸送層として使用された。 ［実施例II］次式のポリマー（以下、ポリ（４−ＦＰＫ
−ＦＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製された。
スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルス
ターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた１リ
ットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバス中
に配置された。４，４′−ジフルオロベンゾフェノン
（２１．８２ｇ）、ビスフェノールＡ（２２．６４
ｇ）、炭酸カリウム（４０．０ｇ）、無水Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド（３００ｍｌ）、及びトルエン（５２
ｍｌ）はフラスコへ添加されて１７５℃（オイルバス温
度）へ加熱され、揮発性トルエン成分は捕集及び除去さ
れた。連続的に攪拌しながら１７５℃で５時間加熱した
後、フェノール（５ｇ）が添加され、攪拌しながら１７
０℃の加熱が３０分以上継続された。２５℃へ冷却した
後、反応混合物は５００ｇの塩化メチレンと共に攪拌さ
れ、炭酸カリウムを除去するために濾過された。濾液は
メタノール（３ガロン）へ添加された。沈殿物は濾過に
より捕集され、２．５ガロンの水で洗浄された後、１ガ
ロンのメタノールで洗浄された。ポリマー（ポリ（４−
ＦＰＫ−ＢＰＡ））は、濾過及び真空乾燥後に９０％の
収率で分離された。ＧＰＣ分析は次の通りであった：Ｍ
n ３０，０００、Ｍw ７５，０００。２０℃／分の加熱
速度で示差走査熱量測定を用いて決定された、ポリマー
のガラス転移温度は約１４０℃であった。反応で使用さ
れる化学量論の結果、このポリマーはオキシフェニル基
から誘導される末端基を有するものと信じられる。１０
重量固体％で塩化メチレン中に溶解されたポリマーは、
ポリマーを再沈殿させるためにワーリングブレンダを用
いてメタノール（１ガロン）へ添加された。次にポリマ
ーは濾過及び真空乾燥により分離された。この材料は、
次に受光体の輸送層として使用された。 ［実施例II］次式のポリマー（以下、ポリ（４−ＦＰＫ
−ＦＢＰＡ）と称す）は、以下のように調製された。
【０３７３】
【化２４７】
【０３７４】ここで、ｎは約１３０である。ディーン−
スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルス
ターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた１リ
ットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバス中
に配置された。４，４′−ジフルオロベンゾフェノン
（４３．４７ｇ、０．１９９２モル）、９，９′−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フルオレノン（７５．０６
ｇ、０．２１４５モル）、炭酸カリウム（６５．５６
ｇ）、無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（３００ｍ
ｌ）、及びトルエン（５２ｍｌ）はフラスコへ添加され
て１７５℃（オイルバス温度）へ加熱され、揮発性トル
エン成分は捕集及び除去された。連続的に攪拌しながら
１７５℃で５時間加熱した後、反応混合物は２５℃へ冷
却された。凝固した塊は酢酸（酢）で処理され、塩化メ
チレンで抽出され、濾過され、ポリマーを沈殿させるた
めにメタノールへ添加された。このポリマーは濾過によ
り捕集され、水で洗浄された後、メタノールで洗浄され
た。真空乾燥された生成物のポリ（４−ＦＰＫ−ＦＢＰ
Ａ）の収量は７１．７ｇであった。ポリマーはゲル浸透
クロマトグラフィ（ｇｐｃ）（溶離溶媒はテトラヒドロ
フラン）により分析され、次の結果を与えた：Ｍn ５
９，１００、Ｍpeak１４４，０００、Ｍw １３６，１０
０、Ｍz ２１１，３５０及びＭz+1 ２８６，１００。２
０℃／分の加熱速度で示差走査熱量測定を用いて決定さ
れた、報告されたポリマーのガラス転移温度は２４０℃
であった。塩化メチレンからの溶液キャスト膜は、透
明、強靱、且つフレキシブルであった。反応で使用され
る化学量論の結果、このポリマーはフルオレノンビスフ
ェノールから誘導されるヒドロキシル末端基を有するも
のと信じられる。 ［実施例 III］実施例ＩＡ及びIIで調製した各ポリマー
（各例において２．００ｇ）を、塩化メチレン（各例に
おいて２２．４４ｇ）及びＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（３”−メチルフェニル）−（１，１’−ビ
フェニル）−４，４’−ジアミン（各例において２．０
０ｇ)(米国特許第４，２６５，９９０号に開示されるよ
うに調製した電荷輸送物質）と共に琥珀色のガラスボト
ル内でロール練りした。比較のために、第３の電荷輸送
溶液を開示されたように調製したが、本発明のポリマー
の代わりに、マクロロン（Makrolon、登録商標名、分子
量約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボネー
ト樹脂）２．００ｇを用いた。得られた各溶液を、画像
形成部材の光発生層の上に被覆した。この部材は、厚さ
３ミルのポリエチレンテレフタレート基板、真空蒸着し
た厚さ約２００Åの酸化チタンコーティング、厚さ３０
０Åの３−アミノプロピルトリエトキシシラン帯電ブロ
ッキング層、厚さ４９μｍのポリエステル接着層約４０
０Å厚、及び厚さ２．５μｍの光発生層を含んだ。この
光発生層は、三方晶セレン７．５容量％、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３”−メチルフェニル）−
（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン２５容
量％、及びポリビニルカルバゾールバインダ６７．５容
量％を含有した。ポリビニルカルバゾール８ｇ、ならび
に容量比が１：１であるテトラヒドロフラン及びトルエ
ンの混合物１４０ｍｌを容量２０オンスの琥珀色のボト
ル内に添加することにより、各例における光発生層を調
製した。この溶液に、三方晶セレン８ｇ及び直径１／８
インチ（３．２ｍｍ）のステンレススチールショット
１，０００ｇを添加した。次に、この混合物をボールミ
ル上に９６時間配置した。続いて、得られたスラリー５
０ｇを、容量比１：１のテトロヒドロフラン／トルエン
７５ｍｌ中に溶解したポリビニルカルバゾール３．６ｇ
及びＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３”−メ
チルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’
−ジアミン２０ｇの溶液に添加した。次に、このスラリ
ーを振盪器上に１０分間配置した。この後に、得られた
スラリーを押出被覆によって接着界面に塗布し、湿潤厚
さ０．５ミル（１２．７μｍ）の層を形成した。この光
発生層を、強制空気オーブン内で１３５℃で５分間乾燥
させ、乾燥厚さ２．０μｍの層を形成した。（光発生層
を形成するこの方法は、米国特許第５，３０８，７２５
号にも開示されている。）次に、このようにして調製し
た光発生層の上に電荷輸送層を塗布した。各例におい
て、電荷輸送溶液は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３”−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェ
ニル）−４，４’−ジアミン２．００ｇ、光発生層のバ
インダとして使用したものと同じポリマー（即ち、一つ
は実施例ＩＡのポリマーで、一つは実施例IIのポリマー
で、及び一つはポリカーボネートで）２．００ｇ、及び
塩化メチレン２２．４４ｇを琥珀色のガラスボトルに添
加し、これらの内容物を混合することによって調製し
た。間隙８ミルのバード（Bird）塗布器を用いて電荷輸
送溶液を光発生層の上に塗布し、コーティングを形成し
た。このコーティングを、３０分を越える時間４０℃〜
１００℃で加熱し、この層を乾燥させた。画像形成部材
上にこのように塗布した電荷輸送層の乾燥コーティング
厚さは、約２５μｍであった。
スターク（バレット）トラップ、冷却器、メカニカルス
ターラ、アルゴン注入口、及び栓が備えつけられた１リ
ットルの三つ口丸底フラスコは、シリコンオイルバス中
に配置された。４，４′−ジフルオロベンゾフェノン
（４３．４７ｇ、０．１９９２モル）、９，９′−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）フルオレノン（７５．０６
ｇ、０．２１４５モル）、炭酸カリウム（６５．５６
ｇ）、無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（３００ｍ
ｌ）、及びトルエン（５２ｍｌ）はフラスコへ添加され
て１７５℃（オイルバス温度）へ加熱され、揮発性トル
エン成分は捕集及び除去された。連続的に攪拌しながら
１７５℃で５時間加熱した後、反応混合物は２５℃へ冷
却された。凝固した塊は酢酸（酢）で処理され、塩化メ
チレンで抽出され、濾過され、ポリマーを沈殿させるた
めにメタノールへ添加された。このポリマーは濾過によ
り捕集され、水で洗浄された後、メタノールで洗浄され
た。真空乾燥された生成物のポリ（４−ＦＰＫ−ＦＢＰ
Ａ）の収量は７１．７ｇであった。ポリマーはゲル浸透
クロマトグラフィ（ｇｐｃ）（溶離溶媒はテトラヒドロ
フラン）により分析され、次の結果を与えた：Ｍn ５
９，１００、Ｍpeak１４４，０００、Ｍw １３６，１０
０、Ｍz ２１１，３５０及びＭz+1 ２８６，１００。２
０℃／分の加熱速度で示差走査熱量測定を用いて決定さ
れた、報告されたポリマーのガラス転移温度は２４０℃
であった。塩化メチレンからの溶液キャスト膜は、透
明、強靱、且つフレキシブルであった。反応で使用され
る化学量論の結果、このポリマーはフルオレノンビスフ
ェノールから誘導されるヒドロキシル末端基を有するも
のと信じられる。 ［実施例 III］実施例ＩＡ及びIIで調製した各ポリマー
（各例において２．００ｇ）を、塩化メチレン（各例に
おいて２２．４４ｇ）及びＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（３”−メチルフェニル）−（１，１’−ビ
フェニル）−４，４’−ジアミン（各例において２．０
０ｇ)(米国特許第４，２６５，９９０号に開示されるよ
うに調製した電荷輸送物質）と共に琥珀色のガラスボト
ル内でロール練りした。比較のために、第３の電荷輸送
溶液を開示されたように調製したが、本発明のポリマー
の代わりに、マクロロン（Makrolon、登録商標名、分子
量約５０，０００〜約１００，０００のポリカーボネー
ト樹脂）２．００ｇを用いた。得られた各溶液を、画像
形成部材の光発生層の上に被覆した。この部材は、厚さ
３ミルのポリエチレンテレフタレート基板、真空蒸着し
た厚さ約２００Åの酸化チタンコーティング、厚さ３０
０Åの３−アミノプロピルトリエトキシシラン帯電ブロ
ッキング層、厚さ４９μｍのポリエステル接着層約４０
０Å厚、及び厚さ２．５μｍの光発生層を含んだ。この
光発生層は、三方晶セレン７．５容量％、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３”−メチルフェニル）−
（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン２５容
量％、及びポリビニルカルバゾールバインダ６７．５容
量％を含有した。ポリビニルカルバゾール８ｇ、ならび
に容量比が１：１であるテトラヒドロフラン及びトルエ
ンの混合物１４０ｍｌを容量２０オンスの琥珀色のボト
ル内に添加することにより、各例における光発生層を調
製した。この溶液に、三方晶セレン８ｇ及び直径１／８
インチ（３．２ｍｍ）のステンレススチールショット
１，０００ｇを添加した。次に、この混合物をボールミ
ル上に９６時間配置した。続いて、得られたスラリー５
０ｇを、容量比１：１のテトロヒドロフラン／トルエン
７５ｍｌ中に溶解したポリビニルカルバゾール３．６ｇ
及びＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３”−メ
チルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’
−ジアミン２０ｇの溶液に添加した。次に、このスラリ
ーを振盪器上に１０分間配置した。この後に、得られた
スラリーを押出被覆によって接着界面に塗布し、湿潤厚
さ０．５ミル（１２．７μｍ）の層を形成した。この光
発生層を、強制空気オーブン内で１３５℃で５分間乾燥
させ、乾燥厚さ２．０μｍの層を形成した。（光発生層
を形成するこの方法は、米国特許第５，３０８，７２５
号にも開示されている。）次に、このようにして調製し
た光発生層の上に電荷輸送層を塗布した。各例におい
て、電荷輸送溶液は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３”−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェ
ニル）−４，４’−ジアミン２．００ｇ、光発生層のバ
インダとして使用したものと同じポリマー（即ち、一つ
は実施例ＩＡのポリマーで、一つは実施例IIのポリマー
で、及び一つはポリカーボネートで）２．００ｇ、及び
塩化メチレン２２．４４ｇを琥珀色のガラスボトルに添
加し、これらの内容物を混合することによって調製し
た。間隙８ミルのバード（Bird）塗布器を用いて電荷輸
送溶液を光発生層の上に塗布し、コーティングを形成し
た。このコーティングを、３０分を越える時間４０℃〜
１００℃で加熱し、この層を乾燥させた。画像形成部材
上にこのように塗布した電荷輸送層の乾燥コーティング
厚さは、約２５μｍであった。
【０３７５】このように調製したこれら３つの画像形成
部材の電気的特性を、直径２４２．６ｍｍ（９．５５イ
ンチ）の円筒状アルミニウムドラムを含むゼログラフィ
ック（電子写真）テストスキャナーを用いて測定し、光
電的完全性を評価した。テスト試料をテープでドラムの
上に留めた。ドラムを回転させると、これらの試料を保
持するドラムは７６．３ｃｍ（３０インチ）／秒の一定
の表面速度を生じた。直流のピンコロトロン、露光用の
光、消去光、及び５つのエレクトロメータープローブ
を、取り付けた受光体試料の円周の周りに配置した。試
料の帯電時間は３３ミリ秒であった。露光用の光及び消
去光は共にバンド幅の広い白色光（４００〜７００ｎ
ｍ）出力であり、３００Ｗの出力キセノンアーク灯によ
ってそれぞれ供給された。これらのプローブ及び光の相
対位置を以下の表に示す。
部材の電気的特性を、直径２４２．６ｍｍ（９．５５イ
ンチ）の円筒状アルミニウムドラムを含むゼログラフィ
ック（電子写真）テストスキャナーを用いて測定し、光
電的完全性を評価した。テスト試料をテープでドラムの
上に留めた。ドラムを回転させると、これらの試料を保
持するドラムは７６．３ｃｍ（３０インチ）／秒の一定
の表面速度を生じた。直流のピンコロトロン、露光用の
光、消去光、及び５つのエレクトロメータープローブ
を、取り付けた受光体試料の円周の周りに配置した。試
料の帯電時間は３３ミリ秒であった。露光用の光及び消
去光は共にバンド幅の広い白色光（４００〜７００ｎ
ｍ）出力であり、３００Ｗの出力キセノンアーク灯によ
ってそれぞれ供給された。これらのプローブ及び光の相
対位置を以下の表に示す。
【０３７６】
【表１】
【０３７７】まず、これらのテスト試料を少なくとも６
０分間暗室に置き、２１．１℃及び相対湿度４０．０％
のテスト条件で平衡状態に達することを確実にした。次
に、各試料を暗室内で約９００Ｖの現像電位に負帯電し
た。各試料の帯電許容度、及び４００エルグ／ｃｍ2 で
の正面消去露光による放電後の各試料の残留電位を記録
した。このテスト手順を繰り返し、２０エルグ／ｃｍ2
までの様々な光エネルギーによる各試料の光誘導放電特
性（ＰＩＤＣ）を測定した。処理速度は、１分当たり画
像形成サイクル６０．０回であった。フラッド露光後、
本発明のポリマーバインダを含有する電荷輸送層を有す
る画像形成部材の残留電圧は、ポリカーボネートバイン
ダを含有する電荷輸送層を有する画像形成部材の残留電
圧よりもわずかに高かったが、後続のテスト及び老化の
あいだに、本発明のポリマーバインダを含有する画像形
成部材の残留電圧は徐々に減少した。本発明のポリマー
の末端のヒドロキシ基をオキシ−フェニル基などの他の
末端基に置換することにより、これらの初期残留電圧は
更に減少すると考えられる。より具体的には、実施例II
において調製した化合物を含有する画像形成部材の残留
電圧は、画像形成サイクル４２０回の後は６８Ｖ、画像
形成サイクル１０，４０２回の後は１５Ｖであり、ポリ
カーボネートバインダを含有する画像形成部材の残留電
圧は、画像形成サイクル４２０回の後は３８Ｖ、画像形
成サイクル１０，４０２回の後は３３Ｖであった。本発
明のポリマーを含有する層の薄膜剥離強さ及び機械的特
性は、手動操作によって測定されたが良好であった。 ［実施例IV］以下の式からなり、式中ｎは約１２０であ
るポリアリーレンエーテルケトン（以後ポリ（４−ＤＦ
ＢＰ−ＨＦＢＰＡ）と呼ぶ）を次のように調製した。
０分間暗室に置き、２１．１℃及び相対湿度４０．０％
のテスト条件で平衡状態に達することを確実にした。次
に、各試料を暗室内で約９００Ｖの現像電位に負帯電し
た。各試料の帯電許容度、及び４００エルグ／ｃｍ2 で
の正面消去露光による放電後の各試料の残留電位を記録
した。このテスト手順を繰り返し、２０エルグ／ｃｍ2
までの様々な光エネルギーによる各試料の光誘導放電特
性（ＰＩＤＣ）を測定した。処理速度は、１分当たり画
像形成サイクル６０．０回であった。フラッド露光後、
本発明のポリマーバインダを含有する電荷輸送層を有す
る画像形成部材の残留電圧は、ポリカーボネートバイン
ダを含有する電荷輸送層を有する画像形成部材の残留電
圧よりもわずかに高かったが、後続のテスト及び老化の
あいだに、本発明のポリマーバインダを含有する画像形
成部材の残留電圧は徐々に減少した。本発明のポリマー
の末端のヒドロキシ基をオキシ−フェニル基などの他の
末端基に置換することにより、これらの初期残留電圧は
更に減少すると考えられる。より具体的には、実施例II
において調製した化合物を含有する画像形成部材の残留
電圧は、画像形成サイクル４２０回の後は６８Ｖ、画像
形成サイクル１０，４０２回の後は１５Ｖであり、ポリ
カーボネートバインダを含有する画像形成部材の残留電
圧は、画像形成サイクル４２０回の後は３８Ｖ、画像形
成サイクル１０，４０２回の後は３３Ｖであった。本発
明のポリマーを含有する層の薄膜剥離強さ及び機械的特
性は、手動操作によって測定されたが良好であった。 ［実施例IV］以下の式からなり、式中ｎは約１２０であ
るポリアリーレンエーテルケトン（以後ポリ（４−ＤＦ
ＢＰ−ＨＦＢＰＡ）と呼ぶ）を次のように調製した。
【０３７８】
【化２４８】
【０３７９】ディーン−スターク（バレット）トラッ
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口及び
栓を装備した５００ｍｌの三つ口丸底フラスコをシリコ
ーンオイルバス中に配置した。デカフルオロビフェニル
５ｇ、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）
ジフェノール５．０８ｇ、炭酸カリウム１２．３ｇ、ト
ルエン１０ｍｌ及び無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
７５ｍｌをフラスコに添加し、連続的に攪拌しながら１
３５℃（オイルバス温度）で３０分間加熱した。この
後、得られた反応混合物を２５℃に冷却した。次に、こ
の反応混合物をテトラヒドロフラン２５０ｇと共に攪拌
し、ろ過して炭酸カリウムを除去し、回転蒸発器を用い
て濃縮し、メタノール（１ガロン）中に沈殿させた。ろ
過によって沈殿物を収集し、水２．５ガロンで洗浄し、
次にメタノール１ガロンで洗浄した。ろ過し、真空中で
乾燥させた後、ポリマー（ポリ（４−ＤＦＢＰ−ＨＦＢ
ＰＡ))を９０％の収率で単離した。反応に使用した化学
量論の結果、このポリマーはＨＦＢＰＡ基から誘導され
た末端基を有すると考えられた。固体分１０％でテトラ
ヒドロフラン中に溶解したポリマーを、ワーリング（Wa
ring) ブレンダーを用いてメタノール（１ガロン）に添
加し、ポリマーを再び沈殿させた。次にろ過によってこ
のポリマーを単離し、真空乾燥させた。この材料を受光
体の輸送層として使用し、実施例VIIIに記載のように評
価した。 ［実施例Ｖ］バインダ発生体層の調製 ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料粒子を含む幾つ
かの発生体層は、ポリエチレンテレフタレート膜上に真
空蒸着チタン層を含む基板の上に、従来のコーティング
技法を用いてコーティングを形成することによって調製
された。第１コーティングは、厚さ０．００５μｍ（５
０Å）の加水分解ガンマ−アミノプロピルトリエトキシ
シランから形成されたシロキサン障壁層であった。この
膜は次のように被覆された。３−アミノプロピルトリエ
トキシシランは１：５０の体積比でエタノール中に混合
された。得られた溶液の膜は、マルチクリアランスフィ
ルム塗布器により湿潤な厚さが０．５ミルで基板へ塗布
された。次に障壁層は室温で５分間乾燥された後、強制
エアオーブン中１１０℃で１０分間硬化された。第２コ
ーティングは厚さ０．００５μｍ（５０Å）のポリエス
テル樹脂の接着層であり、次のように被覆された。０．
５ｇの４９，０００ポリエステル樹脂は、７０ｇのテト
ラヒドロフラン及び２９．５ｇのシクロヘキサノン中に
溶解された。得られた溶液の膜は０．５ミルのバーによ
り障壁層上へ被覆され、強制エアオーブン中で１０分間
硬化された。接着界面層は、その後、４０体積％のヒド
ロキシガリウムフタロシアニン及び６０体積％のスチレ
ン（８２％）／４−ビニルピリジン（１８％）ブロック
共重合体（Ｍw は１１，９００）を含む光発生層で被覆
された。この光発生コーティング組成物は、１．５ｇの
スチレン／４−ビニルピリジンブロック共重合体を４２
ｍｌのトルエン中に溶解することによって調製された。
１．３３ｇのヒドロキシガリウムフタロシアニン及び３
００ｇの１／８インチ直径のステンレス鋼ショットがこ
の溶液へ添加された。次にこの混合物は、ロールミル上
に２０時間配置された。得られたスラリーはその後バー
ド・バー塗布器を用いて接着層へ塗布され、湿潤な厚さ
が０．２５ミルの層を形成した。この光発生層は強制エ
アオーブン中１３５℃で５分間乾燥され、乾燥した厚さ
が０．４μｍの層を形成した。 ［実施例VI］マクロロン（Makloron(登録商標)) コントロール輸送層
の調製 実施例Ｖに記載のように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上に電荷輸送層を
被覆した。バード塗布器を用いて、塩化メチレン溶媒１
１．５ｇ中に溶解したＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチル−フェニル）−（１，１’−ビフェ
ニル）−４，４’−ジアミン１ｇ及びポリカーボネート
樹脂ポリ（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン
カーボネート１ｇを含有する溶液を塗布することによ
り、この輸送層を形成した。Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−
ビフェニル）−４，４’−ジアミンは電気的に活性の芳
香族ジアミン電荷輸送小型分子であり、ポリカーボネー
ト樹脂は電気的に不活性の薄膜形成バインダである。被
覆されたデバイスを強制空気オーブン内で８０℃で３０
分間乾燥させ、厚さ２５μｍの乾燥した電荷輸送層を形
成した。 ［実施例 VII］実施例Ｉ及び実施例IIのポリマーによる電荷輸送層の調
製 実施例Ｖに記載のように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上に電荷輸送層を
被覆した。バード塗布器を用いて、塩化メチレン１１．
２２ｇ中にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチル−フェニル）−（１，１’−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン１ｇ及び実施例IIのバインダ１ｇを
含有する溶液を塗布することにより、この輸送層を形成
した。Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メ
チル−フェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミンは電気的に活性の芳香族ジアミン電荷輸
送小型分子であり、実施例IIのバインダ樹脂は電気的に
不活性の薄膜形成バインダである。被覆されたデバイス
を強制空気オーブン内で８０℃で０．５時間乾燥させ、
厚さ２５μｍの乾燥した電荷輸送層を形成した。同一の
処理によって、実施例ＩＡ及びＩＢのポリマーでデバイ
スを調製した。 ［実施例VIII］実施例VI及び VIIに記載のように調製
し、実施例ＩＡ、ＩＢ及びIIのバインダ樹脂ならびにコ
ントロールのマクロロンポリカーボネートバインダ樹脂
を含有する画像形成部材を、シャフトで回転する円筒状
のアルミニウムドラムの上に取り付けた。ドラムの円周
に沿って配置されるコロトロンにより、薄膜を帯電し
た。シャフトの周りの様々な位置に配置されたいくつか
の容量結合プローブによって、表面電位を時間の関数と
して測定した。既知の電位をドラムの基体に印加するこ
とによってプローブを較正した。次に、ドラムの周りの
適切な位置に位置する光源によってドラム上の薄膜を露
光及び消去露光した。この測定は、一定の電流又は電圧
モードで受光体デバイスを帯電することからなる。ドラ
ムを回転させ、プローブ１によって初期帯電電位を測定
した。ドラムを更に回転させて露光ステーションに進
め、ここで受光体デバイスを既知の強度の単色放射光で
露光した。露光後の表面電位をプローブ２及び３で測定
した。最後に、これらのデバイスを適切な強度の消去ラ
ンプで露光し、残留電位をプローブ４で測定した。次の
サイクルの際に、露光量を自動的に変えながらこの処理
を繰り返した。プローブ２及び３の電位を露光の関数と
してプロットすることにより、光誘導放電特性曲線を得
た。この放電曲線の初期勾配を（Ｖ×ｃｍ2 ／エルグ）
単位のＳとし、消去ステップ後の残留電位をＶｒとす
る。これらのデバイスに対して帯電、露光及び消去ステ
ップのサイクルを連続的に１０，０００回行い、サイク
ルの安定性を測定した。輸送層に電荷が閉じ込められる
と、サイクルアップとして知られる残留電位の蓄積が生
じる。これら４つの試料の感度データ及び残留サイクル
アップを下記の表に示す。Ｓは、光誘導放電特性（ＰＩ
ＤＣ）の初期勾配を表し、これはデバイスの感度の目安
である。サイクルアップは、１０，０００回のサイクル
の連続的な動作における残留電位の増加である。デバイ
スがサイクル動作を行ったところ、発生層内の顔料の感
度が増加し、負の数の残留サイクルアップが生じた。こ
れらの数は、本発明のバインダ中に分散したＮ，Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）
−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンの輸
送層がトラップがないことを示している。トラップがな
いということは、ジアミンがこれら３つのバインダの全
てにおいて非常に良く分散したことを示唆している。
プ、冷却器、メカニカルスターラ、アルゴン注入口及び
栓を装備した５００ｍｌの三つ口丸底フラスコをシリコ
ーンオイルバス中に配置した。デカフルオロビフェニル
５ｇ、４，４’−（ヘキサフルオロイソプロピリデン）
ジフェノール５．０８ｇ、炭酸カリウム１２．３ｇ、ト
ルエン１０ｍｌ及び無水Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
７５ｍｌをフラスコに添加し、連続的に攪拌しながら１
３５℃（オイルバス温度）で３０分間加熱した。この
後、得られた反応混合物を２５℃に冷却した。次に、こ
の反応混合物をテトラヒドロフラン２５０ｇと共に攪拌
し、ろ過して炭酸カリウムを除去し、回転蒸発器を用い
て濃縮し、メタノール（１ガロン）中に沈殿させた。ろ
過によって沈殿物を収集し、水２．５ガロンで洗浄し、
次にメタノール１ガロンで洗浄した。ろ過し、真空中で
乾燥させた後、ポリマー（ポリ（４−ＤＦＢＰ−ＨＦＢ
ＰＡ))を９０％の収率で単離した。反応に使用した化学
量論の結果、このポリマーはＨＦＢＰＡ基から誘導され
た末端基を有すると考えられた。固体分１０％でテトラ
ヒドロフラン中に溶解したポリマーを、ワーリング（Wa
ring) ブレンダーを用いてメタノール（１ガロン）に添
加し、ポリマーを再び沈殿させた。次にろ過によってこ
のポリマーを単離し、真空乾燥させた。この材料を受光
体の輸送層として使用し、実施例VIIIに記載のように評
価した。 ［実施例Ｖ］バインダ発生体層の調製 ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料粒子を含む幾つ
かの発生体層は、ポリエチレンテレフタレート膜上に真
空蒸着チタン層を含む基板の上に、従来のコーティング
技法を用いてコーティングを形成することによって調製
された。第１コーティングは、厚さ０．００５μｍ（５
０Å）の加水分解ガンマ−アミノプロピルトリエトキシ
シランから形成されたシロキサン障壁層であった。この
膜は次のように被覆された。３−アミノプロピルトリエ
トキシシランは１：５０の体積比でエタノール中に混合
された。得られた溶液の膜は、マルチクリアランスフィ
ルム塗布器により湿潤な厚さが０．５ミルで基板へ塗布
された。次に障壁層は室温で５分間乾燥された後、強制
エアオーブン中１１０℃で１０分間硬化された。第２コ
ーティングは厚さ０．００５μｍ（５０Å）のポリエス
テル樹脂の接着層であり、次のように被覆された。０．
５ｇの４９，０００ポリエステル樹脂は、７０ｇのテト
ラヒドロフラン及び２９．５ｇのシクロヘキサノン中に
溶解された。得られた溶液の膜は０．５ミルのバーによ
り障壁層上へ被覆され、強制エアオーブン中で１０分間
硬化された。接着界面層は、その後、４０体積％のヒド
ロキシガリウムフタロシアニン及び６０体積％のスチレ
ン（８２％）／４−ビニルピリジン（１８％）ブロック
共重合体（Ｍw は１１，９００）を含む光発生層で被覆
された。この光発生コーティング組成物は、１．５ｇの
スチレン／４−ビニルピリジンブロック共重合体を４２
ｍｌのトルエン中に溶解することによって調製された。
１．３３ｇのヒドロキシガリウムフタロシアニン及び３
００ｇの１／８インチ直径のステンレス鋼ショットがこ
の溶液へ添加された。次にこの混合物は、ロールミル上
に２０時間配置された。得られたスラリーはその後バー
ド・バー塗布器を用いて接着層へ塗布され、湿潤な厚さ
が０．２５ミルの層を形成した。この光発生層は強制エ
アオーブン中１３５℃で５分間乾燥され、乾燥した厚さ
が０．４μｍの層を形成した。 ［実施例VI］マクロロン（Makloron(登録商標)) コントロール輸送層
の調製 実施例Ｖに記載のように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上に電荷輸送層を
被覆した。バード塗布器を用いて、塩化メチレン溶媒１
１．５ｇ中に溶解したＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチル−フェニル）−（１，１’−ビフェ
ニル）−４，４’−ジアミン１ｇ及びポリカーボネート
樹脂ポリ（４，４’−イソプロピリデン−ジフェニレン
カーボネート１ｇを含有する溶液を塗布することによ
り、この輸送層を形成した。Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−
ビフェニル）−４，４’−ジアミンは電気的に活性の芳
香族ジアミン電荷輸送小型分子であり、ポリカーボネー
ト樹脂は電気的に不活性の薄膜形成バインダである。被
覆されたデバイスを強制空気オーブン内で８０℃で３０
分間乾燥させ、厚さ２５μｍの乾燥した電荷輸送層を形
成した。 ［実施例 VII］実施例Ｉ及び実施例IIのポリマーによる電荷輸送層の調
製 実施例Ｖに記載のように調製した画像形成部材のヒドロ
キシガリウムフタロシアニン発生層の上に電荷輸送層を
被覆した。バード塗布器を用いて、塩化メチレン１１．
２２ｇ中にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３
−メチル−フェニル）−（１，１’−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン１ｇ及び実施例IIのバインダ１ｇを
含有する溶液を塗布することにより、この輸送層を形成
した。Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メ
チル−フェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミンは電気的に活性の芳香族ジアミン電荷輸
送小型分子であり、実施例IIのバインダ樹脂は電気的に
不活性の薄膜形成バインダである。被覆されたデバイス
を強制空気オーブン内で８０℃で０．５時間乾燥させ、
厚さ２５μｍの乾燥した電荷輸送層を形成した。同一の
処理によって、実施例ＩＡ及びＩＢのポリマーでデバイ
スを調製した。 ［実施例VIII］実施例VI及び VIIに記載のように調製
し、実施例ＩＡ、ＩＢ及びIIのバインダ樹脂ならびにコ
ントロールのマクロロンポリカーボネートバインダ樹脂
を含有する画像形成部材を、シャフトで回転する円筒状
のアルミニウムドラムの上に取り付けた。ドラムの円周
に沿って配置されるコロトロンにより、薄膜を帯電し
た。シャフトの周りの様々な位置に配置されたいくつか
の容量結合プローブによって、表面電位を時間の関数と
して測定した。既知の電位をドラムの基体に印加するこ
とによってプローブを較正した。次に、ドラムの周りの
適切な位置に位置する光源によってドラム上の薄膜を露
光及び消去露光した。この測定は、一定の電流又は電圧
モードで受光体デバイスを帯電することからなる。ドラ
ムを回転させ、プローブ１によって初期帯電電位を測定
した。ドラムを更に回転させて露光ステーションに進
め、ここで受光体デバイスを既知の強度の単色放射光で
露光した。露光後の表面電位をプローブ２及び３で測定
した。最後に、これらのデバイスを適切な強度の消去ラ
ンプで露光し、残留電位をプローブ４で測定した。次の
サイクルの際に、露光量を自動的に変えながらこの処理
を繰り返した。プローブ２及び３の電位を露光の関数と
してプロットすることにより、光誘導放電特性曲線を得
た。この放電曲線の初期勾配を（Ｖ×ｃｍ2 ／エルグ）
単位のＳとし、消去ステップ後の残留電位をＶｒとす
る。これらのデバイスに対して帯電、露光及び消去ステ
ップのサイクルを連続的に１０，０００回行い、サイク
ルの安定性を測定した。輸送層に電荷が閉じ込められる
と、サイクルアップとして知られる残留電位の蓄積が生
じる。これら４つの試料の感度データ及び残留サイクル
アップを下記の表に示す。Ｓは、光誘導放電特性（ＰＩ
ＤＣ）の初期勾配を表し、これはデバイスの感度の目安
である。サイクルアップは、１０，０００回のサイクル
の連続的な動作における残留電位の増加である。デバイ
スがサイクル動作を行ったところ、発生層内の顔料の感
度が増加し、負の数の残留サイクルアップが生じた。こ
れらの数は、本発明のバインダ中に分散したＮ，Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチル−フェニル）
−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンの輸
送層がトラップがないことを示している。トラップがな
いということは、ジアミンがこれら３つのバインダの全
てにおいて非常に良く分散したことを示唆している。
【０３８０】
【表２】
【０３８１】
【図１】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。
図である。
【図２】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。
図である。
【図３】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。
図である。
【図４】本発明の光導電性画像形成部材の一例の略断面
図である。
図である。
１、２１、３１、４１ 基板 ２、２８、３７ａ、４２ 光発生化合物 ３、２７、３７、４３ 光発生層 ４、９、２５、２９、３７ｂ、３９ｂ、４４ 樹脂バ
インダ組成物 ５、２３、３９ 電荷輸送層 ７、３９ａ 電荷輸送分子 ２４ 電荷輸送組成物 ３３ 帯電ブロッキング酸化金属層 ３５ 接着層 ３６ カール防止バッキング層 ３８ 保護上塗り層 ４５ 電荷輸送物質
インダ組成物 ５、２３、３９ 電荷輸送層 ７、３９ａ 電荷輸送分子 ２４ 電荷輸送組成物 ３３ 帯電ブロッキング酸化金属層 ３５ 接着層 ３６ カール防止バッキング層 ３８ 保護上塗り層 ４５ 電荷輸送物質
フロントページの続き (72)発明者 レオン エー．チュースチャー アメリカ合衆国 14221 ニューヨーク州 ウィリアムズビル フランクホーザー ロード 94 (72)発明者 ジョン エフ．ヤヌス アメリカ合衆国 14580 ニューヨーク州 ウェブスター リトル バードフィール ド ロード 924 (72)発明者 ダモダー エム．パイ アメリカ合衆国 14450 ニューヨーク州 フェアポート シャグバーク ウェイ 72 (72)発明者 キャスリーン エム．カーマイケル アメリカ合衆国 14589 ニューヨーク州 ウィリアムソン ピーズ ロード 5689 (72)発明者 エドワード エフ．グラボースキー アメリカ合衆国 14580 ニューヨーク州 ウェブスター シャーボーン ロード 479 (72)発明者 ポール エフ．ズコスキー アメリカ合衆国 14467 ニューヨーク州 ヘンリエッタ フォックス チャペル ロード 154
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性基板と、光発生材料と、（ａ）〜
（ｅ）から選択されるポリマーを含有するバインダとを
含む画像形成部材であって、（ａ）は以下の一般式Ｉ、
III 、IV、VII 又はVIIIからなり、 【化１】 【化２】 式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以下の式又はこ
れらの混合物であり、 【化３】 【化４】 Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化５】 【化６】 【化７】 式中、ｖは１〜約２０の整数であり、 【化８】 式中、ｔは１〜約２０の整数であり、 【化９】 式中、ｚは２〜約２０の整数であり、 【化１０】 式中、ｕは１〜約２０の整数であり、 【化１１】 式中、ｗは１〜約２０の整数であり、 【化１２】 【化１３】 Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化１４】 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル
基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰り返し単位
の数を表す整数であり；（ｂ）は以下の一般式II、Ｖ、
VI、IX又はＸからなり、 【化１５】 【化１６】 【化１７】 【化１８】 式中、ｘは０又は１の整数であり、Ａは以下の式又はこ
れらの混合物であり、 【化１９】 【化２０】 Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化２１】 【化２２】 式中、ｖは１〜約２０の整数であり、 【化２３】 式中、ｔは１〜約２０の整数であり、 【化２４】 式中、ｚは２〜約２０の整数であり、 【化２５】 式中、ｕは１〜約２０の整数であり、 【化２６】 式中、ｗは１〜約２０の整数であり、 【化２７】 【化２８】 Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化２９】 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル
基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰り返し単位
の数を表す整数であり；（ｃ）式中、ｘは０又は１の整
数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII 又はVIIIからな
り、Ａは以下の式であり、 【化３０】 Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化３１】 式中、ｖは１〜約２０の整数であり、 【化３２】 式中、ｔは１〜約２０の整数であり、 【化３３】 式中、ｚは２〜約２０の整数であり、 【化３４】 式中、ｕは１〜約２０の整数であり、 【化３５】 式中、ｗは１〜約２０の整数であり、 【化３６】 【化３７】 Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化３８】 【化３９】 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル
基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰り返し単位
の数を表す整数であり；（ｄ）式中、ｘは０又は１の整
数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII 又はVIIIからな
り、Ａは以下の式であり、 【化４０】 Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化４１】 【化４２】 【化４３】 式中、ｖは１〜約２０の整数であり、 【化４４】 式中、ｔは１〜約２０の整数であり、 【化４５】 式中、ｚは２〜約２０の整数であり、 【化４６】 式中、ｕは１〜約２０の整数であり、 【化４７】 式中、ｗは１〜約２０の整数であり、 【化４８】 【化４９】 Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化５０】 【化５１】 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル
基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰り返し単位
の数を表す整数であり；又は（ｅ）式中、ｘは０又は１
の整数である、一般式Ｉ、III 、IV、VII 又はVIIIから
なり、Ａは以下の式であり、 【化５２】 Ｂは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化５３】 【化５４】 【化５５】 式中、ｖは１〜約２０の整数であり、 【化５６】 式中、ｔは１〜約２０の整数であり、 【化５７】 式中、ｚは２〜約２０の整数であり、 【化５８】 式中、ｕは１〜約２０の整数であり、 【化５９】 式中、ｗは１〜約２０の整数であり、 【化６０】 【化６１】 Ｃは以下の式又はこれらの混合物であり、 【化６２】 【化６３】 式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アリールアルキル
基又はこれらの混合物であり、ｍ及びｎは繰り返し単位
の数を表す整数である、画像形成部材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/976,004 US5814426A (en) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | Imaging members containing high performance polymers |
| US976004 | 1997-11-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11218943A true JPH11218943A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=25523616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10328925A Withdrawn JPH11218943A (ja) | 1997-11-21 | 1998-11-19 | 画像形成部材 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5814426A (ja) |
| EP (1) | EP0918257A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11218943A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001166521A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
| US6716956B2 (en) | 2002-01-09 | 2004-04-06 | Xerox Corporation | Process for preparing polyarylene ethers |
| JP2005154775A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Xerox Corp | 分枝ポリアリーレンエーテル類の調製プロセス |
| JP2005154776A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Xerox Corp | 分枝ポリアリーレンエーテル類およびそれらの調製プロセス |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874192A (en) * | 1997-11-21 | 1999-02-23 | Xerox Corporation | Imaging members with charge transport layers containing high performance polymer blends |
| US6132912A (en) * | 1999-05-27 | 2000-10-17 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members |
| US6200715B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-03-13 | Xerox Corporation | Imaging members containing arylene ether alcohol polymers |
| US6927273B2 (en) | 2002-12-17 | 2005-08-09 | Xerox Corporation | Process for preparing substituted polyarylene ethers |
| US7001978B2 (en) * | 2003-11-19 | 2006-02-21 | Xerox Corporation | Unsaturated ester substituted polymers with reduced halogen content |
| US7449268B2 (en) * | 2005-05-27 | 2008-11-11 | Xerox Corporation | Polymers of napthalene tetracarboxylic diimide dimers |
| US7811728B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-10-12 | Xerox Corporation | Imaging members and process for preparing same |
| WO2012050064A1 (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-19 | 日産化学工業株式会社 | ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3900693A (en) * | 1973-05-21 | 1975-08-19 | Ici America Inc | Dielectric resins |
| JPS63247757A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JPS63259571A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-26 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
| US4935487A (en) * | 1987-06-10 | 1990-06-19 | Xerox Corporation | Carbonate-arylamine polymer |
| US4806444A (en) * | 1987-06-10 | 1989-02-21 | Xerox Corporation | Arylamine polymers and systems utilizing arylamine polymers |
| US4806443A (en) * | 1987-06-10 | 1989-02-21 | Xerox Corporation | Polyarylamine compounds and systems utilizing polyarylamine compounds |
| US4801517A (en) * | 1987-06-10 | 1989-01-31 | Xerox Corporation | Polyarylamine compounds and systems utilizing polyarylamine compounds |
| US4818650A (en) * | 1987-06-10 | 1989-04-04 | Xerox Corporation | Arylamine containing polyhydroxy ether resins and system utilizing arylamine containing polyhydroxyl ether resins |
| US4956440A (en) * | 1987-06-10 | 1990-09-11 | Xerox Corporation | Arylamine containing polyhydroxyether resins |
| JP2676528B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1997-11-17 | 出光興産株式会社 | 電子写真感光体 |
| JP2593348B2 (ja) * | 1988-10-18 | 1997-03-26 | コニカ株式会社 | 感光体 |
| US5030532A (en) * | 1990-04-20 | 1991-07-09 | Xerox Corporation | Electrophotographic imaging member utilizing polyarylamine polymers |
| DE69101338T2 (de) * | 1990-05-25 | 1994-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lichtempfindliche Materialien, die organische photoleitfähige Substanzen enthalten in einem polymeren Bindemittel, das aromatische Ringe umfasst, die mit OH-Gruppen und Bromatomen verbunden sind. |
| JPH04271356A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| EP0534479B1 (en) * | 1991-09-27 | 1998-12-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrophotographic material for color proofing |
| EP0550161B1 (en) * | 1991-12-30 | 2000-06-07 | Xerox Corporation | Single layer photoreceptor |
| DE69614206T2 (de) * | 1995-09-12 | 2002-05-16 | Mitsubishi Chemical Corp., Tokio/Tokyo | Elektrophotographischer Photorezeptor |
-
1997
- 1997-11-21 US US08/976,004 patent/US5814426A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-11-13 EP EP98121521A patent/EP0918257A3/en not_active Withdrawn
- 1998-11-19 JP JP10328925A patent/JPH11218943A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001166521A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |
| US6716956B2 (en) | 2002-01-09 | 2004-04-06 | Xerox Corporation | Process for preparing polyarylene ethers |
| JP2005154775A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Xerox Corp | 分枝ポリアリーレンエーテル類の調製プロセス |
| JP2005154776A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Xerox Corp | 分枝ポリアリーレンエーテル類およびそれらの調製プロセス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5814426A (en) | 1998-09-29 |
| EP0918257A2 (en) | 1999-05-26 |
| EP0918257A3 (en) | 2000-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2591793B2 (ja) | アリールアミン化合物 | |
| JP3224031B2 (ja) | ポリアリールアミンポリマーを利用するシステム | |
| JP2596589B2 (ja) | ポリアリールアミン化合物 | |
| EP0295127B1 (en) | Arylamine polymers | |
| JP3183353B2 (ja) | ポリアリールアミン重合体 | |
| US7648811B2 (en) | Branched polyarylene ethers and processes for the preparation thereof | |
| JPH0710912B2 (ja) | アリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂 | |
| JPH011728A (ja) | アリールアミン含有ポリヒドロキシエーテル樹脂 | |
| US6174636B1 (en) | Imaging members containing arylene ether alcohol polymers | |
| KR100233633B1 (ko) | 히드록시갈륨 프탈로시아닌 화합물, 그의 제조 방법 및 그를 사용한 전자사진 감광 부재 | |
| JPH11223955A (ja) | 画像形成部材 | |
| JPH11218943A (ja) | 画像形成部材 | |
| US6790573B2 (en) | Multilayered imaging member having a copolyester-polycarbonate adhesive layer | |
| US6200715B1 (en) | Imaging members containing arylene ether alcohol polymers | |
| EP0918256A2 (en) | Imaging members containing high performance charge transporting polymers | |
| US5952140A (en) | Bipolar charge transport materials useful in electrophotography | |
| US5698359A (en) | Method of making a high sensitivity visible and infrared photoreceptor | |
| US4933244A (en) | Phenolic epoxy polymer or polyester and charge transporting small molecule at interface between a charge generator layer and a charge transport layer | |
| US6068960A (en) | Methods to prepare photoreceptors with delayed discharge | |
| JP4800468B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2920315B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH10254151A (ja) | 電荷減少に耐性の電子写真画像形成部材 | |
| US6291125B1 (en) | Terpolymer imaging member and imaging process | |
| JP2741449B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JP2001255674A (ja) | 電子写真感光体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |