JPH11214156A - ジエン化合物を含有するエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 高輝度で白色発光可能な、経時安定性に優れ
るエレクトロルミネッセンス素子を提供する。 【解決手段】 一般式（１）のジエン化合物を少なくと
も１つ含有するエレクトロルミネッセンス素子。一般式
（１）で表される化合物は発光材料である。 （Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４は芳香族基またはシアノ基ま
たはカルボニル基を表し、Ｒ^５，Ｒ^６は水素原子または
置換基を表す。但し、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４の少なく
とも１つは芳香族ヘテロ環基またはシアノ基またはカル
ボニル基を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特定のジエン化合
物を含有するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発であり、中でも、有機ＥＬ素子は、低電圧で高輝
度の発光を得ることができ、有望な表示素子として注目
されている。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜
を形成するＥＬ素子が知られている（アプライド フィ
ジックス レターズ、５１巻、９１３項、１９８７
年）。上記に記載の有機ＥＬ素子は電子輸送材料と正孔
輸送材料の積層構造を有し、従来の単層型素子に比べて
その発光特性が大幅に向上している。

【０００３】上記積層型ＥＬ素子の発光効率を改良する
手段として、蛍光色素をドープする方法が知られてい
る。例えば、ジャーナルオブアプライドフィジックス６
５巻３６１０項１９８９年に記載のクマリン色素をドー
プした有機ＥＬ素子は、ドープしない素子に比べて発光
効率が大幅に向上している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】有機ＥＬ素子において
は、用途によって求められる発光色が異なるが、用いる
蛍光色素の種類を変えることにより所望の波長の光を取
り出すことが可能である。例えば、バックライト等へと
適用可能な白色の発光を取り出したい場合、青、緑、赤
など複数の色素から同時に発光させれば良い。

【０００５】しかしながら、上記複数の色素をブレンド
する手法では、色素配合比の微妙なバランスにより所望
の白色発光を得ているため、経時で色素が分解すると発
光色の色度が大きくずれてしまう欠点が有った。これら
解決の手法として、単一の色素で白色発光を得る手法が
考えられるが、高輝度で白色発光可能な色素は見出され
ておらず、開発が望まれていた。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記〜の発明により達成された。 一般式（１）で表される化合物を少なくとも一つ含有
するエレクトロルミネッセンス素子。

【０００７】

【化２】

【０００８】（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は芳香族基ま
たはシアノ基またはカルボニル基を表し、Ｒ⁵、Ｒ⁶は水
素原子または置換基を表す。但し、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴
の少なくとも１つは芳香族ヘテロ環基またはシアノ基ま
たはカルボニル基を表す。） 一般式（１）で表される化合物が発光材料であること
を特徴とするに記載のエレクトロルミネッセンス素
子。 Ｒ¹、Ｒ²がアリール基を表し、Ｒ³、Ｒ⁴が芳香族ヘテ
ロ環基を表し、かつ、Ｒ ⁵、Ｒ⁶が水素原子を表すことを
特徴とする、に記載のエレクトロルミネッセンス素
子。 発光色の色度がＣＩＥ色度図上白色であることを特徴
とする、、に記載のエレクトロルミネッセンス素
子。

【０００９】

【発明の実施の形態】一般式（１）で表される化合物に
関して詳細に説明する。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は芳香族基
またはシアノ基またはカルボニル基を表し、Ｒ ¹、Ｒ²、
Ｒ³、Ｒ⁴の少なくとも１つは芳香族ヘテロ環基またはシ
アノ基またはカルボニル基である。好ましくはＲ¹、
Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴の少なくとも２つが芳香族ヘテロ環基ま
たはシアノ基またはカルボニル基である。芳香族基とし
ては、例えば、アリール基（好ましくは炭素数６〜３
０、特に好ましくは炭素数６〜２０、さらに好ましくは
炭素数６〜１２、例えばフェニル基、ナフチル基、アン
トラセニル基、ピレニル基など）、芳香族ヘテロ環基
（ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫
黄原子があげられ、好ましくは炭素数１〜３０、特に好
ましくは炭素数２〜２０、さらに好ましくは炭素数２〜
１５、例えばトリアゾリル基、ベンズオキサゾリル基、
チオフェニル基、ピリジル基、ベンズチアゾリル基、イ
ンドリル基、カルバゾリル基など）などが挙げられる。
これらの芳香族基はさらに置換基を有していても良い。

【００１０】置換カルボニル基としては、例えば、オキ
シカルボニル基（好ましくは炭素数１〜３０、特に好ま
しくは炭素数２〜２０、さらに好ましくは炭素数２〜１
０、例えばメトキシカルボニル基、イソプロピルオキシ
カルボニル基、フェノキシカルボニル基、ヒドロキシカ
ルボニル基など）、アミノカルボニル基（好ましくは炭
素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０、さらに
好ましくは炭素数３〜１０、例えばジメチルアミノカル
ボニル基、エチルアミノカルボニル基、フェニルアミノ
カルボニル基、モルホニルカルボニル基など）、アルキ
ルカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、特に好ま
しくは炭素数２〜２０、さらに好ましくは炭素数２〜１
０、例えばメチルカルボニル基、メトキシメチルカルボ
ニル基など）、芳香族基置換カルボニル基（好ましくは
炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０、さら
に好ましくは炭素数２〜１０、例えばフェニルカルボニ
ル基、ブロモフェニルカルボニル基、ナフチルカルボニ
ル基、チエニルカルボニル基など）、ホルミル基などが
挙げられる。これらの基はさらに置換基を有しても良
い。

【００１１】Ｒ¹、Ｒ²は好ましくは置換または無置換の
アリール基であり、特に好ましくは置換または無置換の
フェニル基、ナフチル基であり、さらに好ましくはフェ
ニル基である。Ｒ³、Ｒ⁴は好ましくは置換または無置換
の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、置換また
は無置換のベンズアゾリル基（例えばベンズイミダゾリ
ル基、ベンズチアゾリル基、ベンズオキサゾリル基）、
トリアゾリル基、チオフェニル基、インドレニル基、カ
ルバゾリル基、カルバゾリル基であり、さらに好ましく
は、置換または無置換のベンズアゾール基、トリアゾリ
ル基である。

【００１２】Ｒ⁵、Ｒ⁶は水素原子または置換基を表す。
置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素
数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ま
しくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉ
ｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ
−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロ
ペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アル
ケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは
炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、
例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル
などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素
数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ま
しくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−
ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好まし
くは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、
特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニ
ル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられ
る。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２
０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メ
トキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチ
ルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、など
が挙げられる。）、置換アミノ基（好ましくは炭素数１
〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましく
は炭素数１〜１２であり、例えばジメチルアミノ、メチ
ルカルバモイル、エチルスルフォニルアミノ、ジメチル
アミノカルボニルアミノ基、フタルイミド基などが挙げ
られる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２
０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げ
られる。）、スルホ基、カルボキシル基、ヘテロ環基
（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１
〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば
イミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホ
リノ、ベンズオキサゾリル、トリアゾリル基などが挙げ
られる。）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（好ましくは
炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に
好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメトキシ基、
ベンジルオキシ基等が挙げられる。）、アリールオキシ
基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数
６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例え
ばフェノキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられ
る。）、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、よう素原子）、チオール基、アルキルチ
オ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素
数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例
えばメチルチオ基等が挙げられる）、アリールチオ基
（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６
〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば
フェニルチオ基などが挙げられる）、シアノ基などが挙
げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。Ｒ
⁵、Ｒ⁶として好ましくは、水素原子、シアノ基、置換ま
たは無置換のアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環
基であり、特に好ましくは、水素原子、置換または無置
換のアルキル基、アリール基である。さらに好ましくは
水素原子である。

【００１３】一般式（１）で表される化合物は低分子量
化合物であっても良いし、一般式（１）で表される残基
がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましく
は重量平均分子量１０００〜５００００００、特に好ま
しくは５０００〜２００００００、さらに好ましくは１
００００〜１００００００）もしくは、一般式（１）の
骨格を主鎖にもつ高分子量化合物（好ましくは重量平均
分子量１０００〜５００００００、特に好ましくは５０
００〜２００００００、さらに好ましくは１００００〜
１００００００）であってもよい。高分子量化合物の場
合は、ホモポリマーであっても良いし、他のモノマーと
の共重合体であっても良い。一般式（１）で表される化
合物としては、好ましくは、低分子量化合物である。

【００１４】一般式（１）の化合物例を次に示すが、本
発明はこれに限定されない。

【００１５】

【化３】

【００１６】

【化４】

【００１７】

【化５】

【００１８】一般式（１）の化合物は公知の方法により
容易に作成され、例えば、化合物（１−１）は、市販の
β−フェニルシンナムアルデヒドと活性メチレン含有化
合物（ベンゾチアゾリル−ｔ−ブチルトリアゾリルメタ
ン）を酢酸−酢酸ナトリウム系で還流下反応させ、得る
ことができる。他の化合物も同様の方法で得ることがで
きる。

【００１９】また、本発明の一般式（１）で表されるＥ
Ｌ素子用材料は、例えば、電荷輸送材料、電荷注入材
料、発光材料として用いることができるが、中でも発光
材料であることが好ましい。なお、本発明において、発
光材料とは電圧印加時にＥＬ発光する化合物をいう。

【００２０】次に、本発明のジエン化合物を含有するＥ
Ｌ素子に関して説明する。本発明のＥＬ素子は、発光色
の色度がＣＩＥ色度図上白色であることが好ましい。Ｃ
ＩＥ色度図上の白色域は、例えば、コロナ社「色再現工
学の基礎」（大田登）でその範囲が図示されている。

【００２１】本発明のジエン化合物を含有するＥＬ素子
の有機層の形成方法は、特に限定されるものではない
が、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子
積層法、コーティング法などの方法が用いられ、特性
面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法が好まし
い。

【００２２】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。

【００２３】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは
１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００２４】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましく
は０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場
合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。

【００２５】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属
（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、
鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそ
れらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそ
れらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの
混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属
等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料
であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アル
ミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−
銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記
化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及
び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜
厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜
５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍ
である。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング
法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用い
られ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時
に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に
蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあ
らかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰
極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が
好ましい。

【００２６】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。好ましくは発光層に本発明のジエン化合物
を含有するものであるが、他の発光材料を用いることも
できる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミ
ダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベ
ンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジ
エン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタ
ルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペ
リノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘
導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、
ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導
体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導
体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導
体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘
導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体
等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレン
ビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光層の
膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５
μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜
１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍで
ある。発光層の形成方法は、特に限定されるものではな
いが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分
子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト
法、ディップコート法など）、ＬＢ法などの方法が用い
られ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法であ
る。

【００２７】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー、本発明のジエン化合物等が挙げ
られる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定され
るものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが
好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に
好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、
正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からな
る単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成
の複数層からなる多層構造であってもよい。正孔注入
層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ
法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させて
コーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、
ディップコート法など）が用いられる。コーティング法
の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することがで
き、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリス
ルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポ
リ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロー
ス、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキ
シ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。

【００２８】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体、本発明のジエン化合物等が挙げられる。電子
注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではな
いが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１
０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は
上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造で
あってもよいし、同一組成または異種組成の複数層から
なる多層構造であってもよい。電子注入層、電子輸送層
の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注
入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングす
る方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート
法など）などが用いられる。コーティング法の場合、樹
脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分
としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したもの
が適用できる。

【００２９】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇ
ｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、Ｃ
ａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレ
ア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフル
オロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロ
ロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレン
との共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１
種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて
得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フ
ッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率
０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形
成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、
イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起
イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザ
ーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法を適用で
きる。

【００３０】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本
発明の実施の態様はこれらに限定されない。 （１−１）の合成 アルデヒドＡ１．０ｇとヘテロ環化合物Ｂ１．３ｇを酢
酸１０ｍｌに溶解し、３時間還流攪拌した。反応液に水
１００ｍｌを添加した後、析出した固体を瀘別した。カ
ラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル系）で
精製し、（１−１）０．４ｇを得た。

【００３１】

【化６】

【００３２】〔ＥＬ素子の作製、評価〕 （比較例１）ポリビニルカルバゾール４０ｍｇ、ＰＢＤ
（ｐ−ｔ−ブチルフェニルビフェニルオキサジアゾー
ル）１２ｍｇ、テトラフェニルブタジエン１ｍｇをジク
ロロエタン３ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にス
ピンコートした。生成した有機薄膜の膜厚は、約１２０
ｎｍであった。有機薄膜上にパターニングしたマスク
（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、
蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共
蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。東陽テクニカ製ソ
ースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧
をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の
輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペ
クトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。そ
の結果、１２Ｖで最高輝度２８０ｃｄ／ｍ²を示した。
発光のλｍａｘは４５０ｎｍの青色発光であった。

【００３３】（比較例２）ポリビニルカルバゾール２０
０ｍｇ、ＰＢＤ（ｐ−ｔ−ブチルフェニルビフェニルオ
キサジアゾール）６０ｍｇ、テトラフェニルブタジエン
１０ｍｇ、ナイルレッド０．１ｍｇ、ＤＣＭ（４−（ジ
シアノメチレン）−２−メチル−６−（４−ジメチルア
ミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）０．５ｍｇをジクロロ
エタン１５ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピ
ンコートした。生成した有機薄膜の膜厚は、約１３０ｎ
ｍであった。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発
光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着
装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着
した後、銀５０ｎｍを蒸着した。作製した素子は２２Ｖ
でＣＩＥ色度図上（ｘ，ｙ）＝（０．４３，０．４６）
の黄白色発光を得たが、２日間放置した素子は発光の色
バランスの変化が見られ、（ｘ，ｙ）＝（０．３５，
０．５２）となった。

【００３４】（実施例１）ポリビニルカルバゾール４０
ｍｇ、ＰＢＤ（ｐ−ｔ−ブチルフェニルビフェニルオキ
サジアゾール）１２ｍｇ、本発明の化合物（１−１）１
ｍｇをジクロロエタン３ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ
基板上にスピンコートした。生成した有機薄膜の膜厚
は、約１２０ｎｍであった。有機薄膜上にパターニング
したマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）
を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を
５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。素子を
評価した結果、２１Ｖで最高輝度１０１ｃｄ／ｍ²を示
した。λｍａｘ＝５１０ｎｍのブロードな発光を示し、
ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．３８）の白色
発光であった。２日間放置した素子も発光の色バランス
変化が見られなかった。

【００３５】（実施例２）ポリビニルカルバゾール４０
ｍｇ、本発明の化合物（１−１）１ｍｇをジクロロエタ
ン３ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピンコー
トした。この基板を蒸着装置内に入れ、ＴＡＺ（１−フ
ェニル−２（ｔ−ブチルフェニル）−５−ビフェニル−
１、３、４−トリアゾール）を２０ｎｍ蒸着し、この上
にＡｌｑ３（Ａｌ−ｏｘｉｎｅ）を３０ｎｍ蒸着した。
その後、有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面
積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置
内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した
後、銀５０ｎｍを蒸着した。素子を評価した結果、１４
Ｖで輝度３８２ｃｄ／ｍ²を示した。λｍａｘ＝５１０
ｎｍのブロードな発光を示し、ＣＩＥ色度（ｘ，ｙ）＝
（０．３１，０．３８）の白色発光であった。２日間放
置した素子も発光の色バランス変化が見られなかった。
上記結果から、本発明のジエン化合物を用いると白色発
光ＥＬ素子を作製可能であり、かつ、経時での色バラン
ス変化が少ないことが分かる。

【００３６】

【発明の効果】本発明のジエン化合物を含有する有機Ｅ
Ｌ素子は、色相の経時安定性に優れる。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年４月９日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】Ｒ¹、Ｒ²は好ましくは置換または無置換の
アリール基であり、特に好ましくは置換または無置換の
フェニル基、ナフチル基であり、さらに好ましくはフェ
ニル基である。Ｒ³、Ｒ⁴は好ましくは置換または無置換
の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、置換また
は無置換のベンズアゾリル基（例えばベンズイミダゾリ
ル基、ベンズチアゾリル基、ベンズオキサゾリル基）、
トリアゾリル基、チオフェニル基、インドレニル基、カ
ルバゾリル基であり、さらに好ましくは、置換または無
置換のベンズアゾリル基、トリアゾリル基である。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】一般式（１）の化合物は公知の方法により
容易に作成され、例えば、化合物（１−１）は、市販の
β−フェニルシンナムアルデヒドと活性メチレン含有化
合物（ベンゾチアゾリル−ｔ−ブチルトリアゾリルメタ
ン）を酢酸系もしくは酢酸−酢酸ナトリウム系で還流下
反応させ、得ることができる。他の化合物も同様の方法
で得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６５５ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６５５

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（１）で表される化合物を少なくと
   も１つ含有するエレクトロルミネッセンス素子。 【化１】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴は芳香族基またはシアノ基
   またはカルボニル基を表し、Ｒ⁵，Ｒ⁶は水素原子または
   置換基を表す。但し、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴の少なくとも
   １つは芳香族ヘテロ環基またはシアノ基またはカルボニ
   ル基を表す。）
2. 【請求項２】一般式（１）で表される化合物が発光材料
   であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロル
   ミネッセンス素子。
3. 【請求項３】Ｒ¹、Ｒ²がアリール基を表し、Ｒ³、Ｒ⁴が
   芳香族ヘテロ環基を表し、かつ、Ｒ ⁵、Ｒ⁶が水素原子を
   表すことを特徴とする請求項１、２に記載のエレクトロ
   ルミネッセンス素子。
4. 【請求項４】発光色の色度がＣＩＥ色度図上白色である
   ことを特徴とする請求項１、２、３に記載のエレクトロ
   ルミネッセンス素子。