JPH11212864A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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Publication number
JPH11212864A
JPH11212864A JP10016931A JP1693198A JPH11212864A JP H11212864 A JPH11212864 A JP H11212864A JP 10016931 A JP10016931 A JP 10016931A JP 1693198 A JP1693198 A JP 1693198A JP H11212864 A JPH11212864 A JP H11212864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data
memories
processing
divided
Prior art date
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Pending
Application number
JP10016931A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Matsui
大 松井
Fumiaki Nagao
文昭 長尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP10016931A priority Critical patent/JPH11212864A/ja
Priority to US09/235,842 priority patent/US6260122B1/en
Publication of JPH11212864A publication Critical patent/JPH11212864A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K13/00Conveying record carriers from one station to another, e.g. from stack to punching mechanism
    • G06K13/02Conveying record carriers from one station to another, e.g. from stack to punching mechanism the record carrier having longitudinal dimension comparable with transverse dimension, e.g. punched card
    • G06K13/06Guiding cards; Checking correct operation of card-conveying mechanisms

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリの容量を小さくする。 【解決手段】 9つの複数のメモリ10a〜10iを設
け、この中の5つを現在の処理のためのメモリとする。
一方、残りの4つを処理中に入力されてくるデータを受
け入れ記憶するメモリにする。そして、1サウンドグル
ープ(SG)の期間毎に入力されてくる入力データを受
け入れたメモリ10a〜10iを処理用に切り替え、処
理用であったメモリ10a〜10iを入力データ受け入
れ用とするが、処理用のメモリの中の一番新しいデータ
を記憶していたメモリ10a〜10iを処理用に残す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、前段からのデータ
が書き込まれ、後段の処理状況に応じて読み出されるメ
モリ装置、特に必要なメモリ容量を複数の分割メモリに
分割して利用するメモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、オーディオデータや画像デー
タなどの記録や送信においては、符号化・圧縮処理が行
われ、再生や受信においては伸張・復号化処理が行われ
ている。
【0003】例えば、MD(ミニ・ディスク)の記録に
おいては、音声信号をデジタルデータに変換(A/D変
換)した後、QMF(Quadrature Mirr
orFilter)と称されるデジタルフィルタにより
低域、中域、高域3つの帯域(周波数帯域)毎に分割し
た後、MDCT(Modified Discrete
Cosine Transform)処理、量子化処
理などが行われ、得られたデータがMDに書き込まれ
る。そこで、再生の際には、逆量子化、IMDCT(I
nverse MDCT)処理、IQMF(Inver
se QMF)による逆フィルタ処理、D/A変換など
の逆の処理が行われる。
【0004】このような処理を行う場合、処理の過程に
おいて、処理途中のデータを蓄積するメモリが必要とな
る。例えば、MDCT処理を行う場合には、前段のQM
Fから送られてくるデータを処理するが、QMFからは
LチャンネルのデータとRチャンネルのデータが交互に
時系列で送られてくる。一方、MDCT処理は、Lチャ
ンネルとRチャンネルのデータを別々に処理する。
【0005】従って、処理に必要なデータを蓄積してお
き、処理対象となるデータがそろった段階で、処理を開
始することになる。そこで、処理対象となるデータを記
憶するとともに、その処理を行っている間に入力されて
くるデータを記憶するメモリが必要になる。さらに、M
DCTの計算は、繰り返し演算であり、処理途中のデー
タを記憶するためのメモリも必要になる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このように、MDCT
の処理のためには、大量のデータを記憶する必要があ
り、大容量のメモリ(通常SRAM)が必要になるとい
う問題点があった。
【0007】また、MDCTにおいては、データを1
1.6msec毎の1SG(サウンド・グループ)に分
割して処理を行う。そして、SG同士の境目において
は、データを若干重複して利用する。このため、この重
複するデータは、2SGに対するMDCTにおいて利用
される。そこで、この2回利用するデータについては、
次のデータによって、オーバーライトされるのを防止し
なければならない。
【0008】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、効率的な利用が行えるメモリ装置を提供すること
を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、所定量のデー
タの処理に必要なメモリ容量を複数の分割メモリに分割
して利用するメモリ装置において、上記複数の分割メモ
リは、所定の処理期間中に処理されるデータを記憶して
いる第1のメモリグループと、この処理期間中に入力さ
れてくるデータを書き込んで記憶する第2のメモリグル
ープと、を所定の処理期間が経過した時点で、少なくと
も1つの分割メモリを除いて交互に切り換えることを特
徴とする。このように、一部を残しながらメモリの役割
を切り替えるため、入力されてくるデータを受け入れる
と共に、処理に利用するデータを効率的に保持すること
ができる。従って、メモリ容量を小さくして処理が可能
となる。
【0010】本発明の好適な態様においては、上記第1
のメモリグループが、上記第2のメモリグループよりも
上記分割メモリが多く割り当てられるものである。
【0011】また、他の好適な態様は、上記第2のメモ
リグループに対して多く設定される上記第1のメモリグ
ループの分割メモリが、所定の処理期間が経過した後も
継続してデータを保持するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態(以下
実施形態という)について、図面に基づいて説明する。
【0013】図1は、本実施形態のメモリ装置の構成を
示す図であり、それぞれ256ワードの容量の9つのメ
モリ10a〜10iを有している。そして、このメモリ
10a〜10iには、ロジック回路12を介し、信号が
入出力される。すなわち、このロジック回路12には、
クロック信号CK、アドレス信号ad、入力データi
n、出力データout、セレクト信号selについての
5つのラインが接続されている。そして、ロジック回路
12からはクロック信号CK、アドレス信号ad、入力
データin、出力データoutの信号ラインが各メモリ
10a〜10iに接続されている。
【0014】ここで、セレクト信号selは、メモリ1
0a〜10iのいずれをアクセスするかを示す信号であ
り、メモリアドレスの上位ビットに対応する。そして、
このセレクト信号selによって指定されたメモリ10
a〜10iの中の1つにクロック信号CK、アドレス信
号adが供給され、入力データinが書き込まれるかま
たはこここから出力データoutが出力される。なお、
書き込みか読み出しかは、コントロール信号として各メ
モリ10a〜10iに供給されているライトイネーブル
信号及びリードイネーブル信号によって制御される。
【0015】そこで、セレクト信号sel及びアドレス
信号adによって指定されたメモリ10a〜10iのい
ずれか1つの特定アドレスにデータが書き込まれるか、
またはその特定アドレスからデータが読み出される。
【0016】なお、各メモリ10a〜10iは、256
ワード(1ワード:26ビット)で構成されている。そ
こで、メモリアドレスは、例えば0〜2303である。
そして、上位4ビットがセレクト信号、下位8ビットが
アドレス信号となる。
【0017】そして、本実施形態のメモリ装置は、MD
へのデータ記録時におけるMDCT処理に利用される。
QMFからの出力は、メモリ10a〜10iに記憶さ
れ、ここから読み出されたデータがMDCT処理を受け
る。また、MDCT処理の途中において発生するデータ
及び処理後のデータもこのメモリ10a〜10iに記憶
される。
【0018】ここで、QMFは、Lチャンネル及びRチ
ャンネルのデータを交互に時系列で出力する。MDCT
は、1SG毎にLチャンネル、Rチャンネルに分けて計
算を行う。1SGは、Lチャンネル、Rチャンネル共に
512サンプルから構成される。従って、1SGの期間
に1024サンプルのデータがQMFから出力される。
【0019】一方、MDCTでは、SGの境目におい
て、データを若干ダブらせて処理を行う。すなわち、
L,Rチャンネルのそれぞれにおいて、1SGの期間の
512サンプルのデータに前の期間の96サンプルのデ
ータを加えたデータを処理対象とする。
【0020】ここで、1SGの期間の処理対象となる
(512+96)×2サンプルのデータを記憶するとと
もに、この演算処理中のデータを記憶するメモリを第1
のメモリグループRAM1とし、この演算期間中に入力
されてくる512×2サンプルのデータを記憶するメモ
リを第2のメモリグループRAM2と表す。この場合
に、本実施形態では、1SG毎に、メモリ10a〜10
iをこのRAM1と、RAM2に切り替えて利用する。
【0021】すなわち、各メモリ10a〜10iの9つ
のメモリをA〜Iと表した場合、図2に示すように、最
初の1SGにおいてはA〜EをRAM1として利用し、
F〜IをRAM2として利用する。次の1SGでは、4
つずれてE〜IをRAM1として利用し、A〜DをRA
M2として利用する。このとき、EのみをRAM1のま
ま利用する。さらに、次の1SGではさらに4つずれて
I,A〜DをRAM1、E〜HをRAM2として利用す
る。このように、RAM1として利用したRAMの中の
一番後のデータを記憶しているRAMを次のSGにおい
て、そのままRAM1として利用し、残りのRAMにつ
いて、RAM2とRAM1とを置き換えるようにする。
【0022】ここで、実際の演算の際の動作を説明する
と、図2における上から2番目の1SGにおいては、前
のSG期間においてデータが蓄積されたメモリF〜Iに
記憶されているデータとその前のSG期間において蓄積
され前のSG期間において処理に利用されたメモリEに
記憶されているデータが処理対象となる。そして、メモ
リA〜Dが新たに入力されてくるデータを受け入れ蓄積
するメモリとして機能する。
【0023】MDCT処理を行う時には、メモリE〜H
及びIからデータを読み出して処理を開始し、処理途中
のデータは、メモリE〜Hに書き込むことで、メモリI
のデータはそのまま維持しておく。そこで、次のSGに
おいて、メモリIのデータをもう一度利用することがで
きる。なお、2度目の利用においては、メモリIに記憶
されているデータ全てではなく、その中の192サンプ
ルのデータのみである。
【0024】なお、この例において、1ワードは26ビ
ットであり、1サンプルが1ワードに対応するようにな
っている。
【0025】このように、本実施形態によれば、メモリ
の役割を1SG毎に切り替えて利用する。従って、メモ
リの有効利用を図ることができ、メモリ容量を小さくし
てMDCT処理に用いることができる。また、メモリA
〜I(10a〜10i)をアクセスする回路も特別な回
路は必要なく、簡単な回路で実現できる。また、本実施
形態において、メモリ10a〜10iを独立したメモリ
で構成することにより、アクセスする際には、各メモリ
毎に独立してアクセスが行われる。従って、アクセス対
象となるメモリは1つに限定され、1回のアクセスで流
れる電流を小さくすることができ、小消費電力のメモリ
装置を得ることができる。
【0026】なお、上述の例では、メモリ9つの個別の
メモリを利用したが、1つのメモリの中を9つのブロッ
クに分け、上述と同様の処理を行うことも可能である。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
メモリを切り替えて利用し、かつ一部を切り替えずにそ
のまま利用するため、メモリの有効利用を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態の構成を示す図である。
【図2】 メモリの切替状態を示す図である。
【符号の説明】
10 メモリ、12 ロジック回路。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定量のデータの処理に必要なメモリ容
    量を複数の分割メモリに分割して利用するメモリ装置に
    おいて、 上記複数の分割メモリは、所定の処理期間中に処理され
    るデータを記憶している第1のメモリグループと、この
    処理期間中に入力されてくるデータを書き込んで記憶す
    る第2のメモリグループと、を所定の処理期間が経過し
    た時点で、少なくとも1つの分割メモリを除いて交互に
    切り換えることを特徴とするメモリ装置。
  2. 【請求項2】 上記第1のメモリグループは、上記第2
    のメモリグループよりも上記分割メモリが多く割り当て
    られることを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
  3. 【請求項3】 上記第2のメモリグループに対して多く
    設定される上記第1のメモリグループの分割メモリは、
    所定の処理期間が経過した後も継続してデータを保持す
    ることを特徴とする請求項2に記載のメモリ装置。
JP10016931A 1998-01-29 1998-01-29 メモリ装置 Pending JPH11212864A (ja)

Priority Applications (2)

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JP10016931A JPH11212864A (ja) 1998-01-29 1998-01-29 メモリ装置
US09/235,842 US6260122B1 (en) 1998-01-29 1999-01-22 Memory device

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Publications (1)

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Also Published As

Publication number Publication date
US6260122B1 (en) 2001-07-10

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