JPH11211409A - 磁気式検出器 - Google Patents
磁気式検出器Info
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- JPH11211409A JPH11211409A JP10032086A JP3208698A JPH11211409A JP H11211409 A JPH11211409 A JP H11211409A JP 10032086 A JP10032086 A JP 10032086A JP 3208698 A JP3208698 A JP 3208698A JP H11211409 A JPH11211409 A JP H11211409A
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- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Abstract
(57)【要約】
【課題】 移動磁界用磁石３の磁界変化を検出する磁気
抵抗素子を使用した磁気式検出器において、バイアス磁
界用磁石２１，２２，２３，２４を取り付けるための位
置決め冶具を使用しないでバイアス磁界用磁石２１，２
２，２３，２４を取り付けることができ、しかも、バイ
アス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の取り付けミス
を防止し、プリント基板４の部品実装密度を向上させ、
磁気検出器の品質の向上と小形化を図ることを目的とす
る。 【解決手段】 磁気低抗素子の検出部１１，１２，１
３，１４の形状寸法とバイアス磁界用磁石２１，２２，
２３，２４の形状寸法を同一にして、磁気抵抗素子を取
り付けるプリント基板４には、磁気抵抗素子の検出部１
１，１２，１３，１４とバイアス磁界用磁石２１，２
２，２３，２４を同時に位置決めするための位置決め部
４１を設ける。
抵抗素子を使用した磁気式検出器において、バイアス磁
界用磁石２１，２２，２３，２４を取り付けるための位
置決め冶具を使用しないでバイアス磁界用磁石２１，２
２，２３，２４を取り付けることができ、しかも、バイ
アス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の取り付けミス
を防止し、プリント基板４の部品実装密度を向上させ、
磁気検出器の品質の向上と小形化を図ることを目的とす
る。 【解決手段】 磁気低抗素子の検出部１１，１２，１
３，１４の形状寸法とバイアス磁界用磁石２１，２２，
２３，２４の形状寸法を同一にして、磁気抵抗素子を取
り付けるプリント基板４には、磁気抵抗素子の検出部１
１，１２，１３，１４とバイアス磁界用磁石２１，２
２，２３，２４を同時に位置決めするための位置決め部
４１を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗素子を使
用した磁気式検出器において、磁気抵抗素子とバイアス
磁界用磁石の取り付け構造に関する。
用した磁気式検出器において、磁気抵抗素子とバイアス
磁界用磁石の取り付け構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気式検出器は、図６の検出機構
部と図８の検出回路を組み合わせて構成されている。図
６は、１回転あたり１パルスの矩形波信号で、かつ、回
転方向を検出するため９０度位相差の２信号が得られる
磁気式検出器の検出機構部の斜視図を示した。プリント
基板４の表面にバイアス磁界用磁石２を固定し、プリン
ト基板４の裏面に磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４
（点線にて表示）を固定している。移動磁界用磁石３
は、磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４に対向して回
転する検出機構になっている。図７は各部品の取り付け
位置関係を示した断面図である。１５は、磁気抵抗素子
１１，１２，１３，１４のリード部である。図７におい
て、移動磁界用磁石３と磁気抵抗素子１１，１２，１
３，１４は、所定のギャップをもって対向しており、４
個の磁気抵抗素子のリード部１５は、プリント基板４を
使用した取り付け部品にハンダ付けで固定されている。
プリント基板４を挟んだ反対面には、環状のバイアス磁
界用磁石２が固定してある。環状のバイアス磁界用磁石
２は、磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４に必要なバ
イアス磁界を与えることにより、図８の検出回路で１回
転に１パルスの矩形波信号７２，７３が得られる構成に
なっている。１パルスの矩形波信号７２，７３は、お互
いの矩形波信号が電気的に９０度位相差があり、この位
相差を検出することにより回転方向を検出することがで
きる。図８は、検出回路７の回路構成を示した図であ
る。移動磁界用磁石３が回転することにより発生する磁
界の変化を、対向した４個の磁気抵抗素子１１，１２，
１３，１４で検出し、検出回路７で矩形波信号７２，７
３を得る構成である。Ｒは抵抗、ＶＲは可変抵抗を示し
ている。７１は、磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４
の信号を矩形波に波形整形するための演算増幅器であ
る。
部と図８の検出回路を組み合わせて構成されている。図
６は、１回転あたり１パルスの矩形波信号で、かつ、回
転方向を検出するため９０度位相差の２信号が得られる
磁気式検出器の検出機構部の斜視図を示した。プリント
基板４の表面にバイアス磁界用磁石２を固定し、プリン
ト基板４の裏面に磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４
（点線にて表示）を固定している。移動磁界用磁石３
は、磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４に対向して回
転する検出機構になっている。図７は各部品の取り付け
位置関係を示した断面図である。１５は、磁気抵抗素子
１１，１２，１３，１４のリード部である。図７におい
て、移動磁界用磁石３と磁気抵抗素子１１，１２，１
３，１４は、所定のギャップをもって対向しており、４
個の磁気抵抗素子のリード部１５は、プリント基板４を
使用した取り付け部品にハンダ付けで固定されている。
プリント基板４を挟んだ反対面には、環状のバイアス磁
界用磁石２が固定してある。環状のバイアス磁界用磁石
２は、磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４に必要なバ
イアス磁界を与えることにより、図８の検出回路で１回
転に１パルスの矩形波信号７２，７３が得られる構成に
なっている。１パルスの矩形波信号７２，７３は、お互
いの矩形波信号が電気的に９０度位相差があり、この位
相差を検出することにより回転方向を検出することがで
きる。図８は、検出回路７の回路構成を示した図であ
る。移動磁界用磁石３が回転することにより発生する磁
界の変化を、対向した４個の磁気抵抗素子１１，１２，
１３，１４で検出し、検出回路７で矩形波信号７２，７
３を得る構成である。Ｒは抵抗、ＶＲは可変抵抗を示し
ている。７１は、磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４
の信号を矩形波に波形整形するための演算増幅器であ
る。
【０００３】図８は、回転方向も検出できる構成となっ
ているため、検出回路７を２組使用している。磁気抵抗
素子の両端に電圧を印加し、移動磁界用磁石３の回転に
よって変化した磁界の変化とバイアス磁界用磁石２の磁
気変化のベクトル和を磁気抵抗素子で検出し、磁気抵抗
素子の中点端子Ｂに発生する検出信号電圧を演算増幅器
７１で波形整形して矩形波信号７２、７３を得ている。
なお、外部雑音、電圧変動、温度変化に対しての影響を
排除する目的で、１８０度位相差の電気信号が得られる
磁気抵抗素子１１と磁気抵抗素子１３、磁気抵抗素子１
２と磁気抵抗素子１４を組み合わせ、各磁気抵抗素子が
検出した差信号を波形整形する回路構成になっている。
図９は、磁気抵抗素子の内部構成の詳細を示した図であ
る。磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４は、樹脂で整
形された磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３
Ａ，１４Ａと磁気抵抗素子のリード部１５にて構成され
ている。磁気抵抗素子本体は、２組の櫛形状磁気抵抗パ
ターンで構成されたチップ１０を使用し、Ｃ１は、チッ
プ１０の中心を示している。Ａ，Ｂ，Ｃは、磁気抵抗素
子のリード部１５の端子番号名で、端子Ｂより検出信号
が出力される。
ているため、検出回路７を２組使用している。磁気抵抗
素子の両端に電圧を印加し、移動磁界用磁石３の回転に
よって変化した磁界の変化とバイアス磁界用磁石２の磁
気変化のベクトル和を磁気抵抗素子で検出し、磁気抵抗
素子の中点端子Ｂに発生する検出信号電圧を演算増幅器
７１で波形整形して矩形波信号７２、７３を得ている。
なお、外部雑音、電圧変動、温度変化に対しての影響を
排除する目的で、１８０度位相差の電気信号が得られる
磁気抵抗素子１１と磁気抵抗素子１３、磁気抵抗素子１
２と磁気抵抗素子１４を組み合わせ、各磁気抵抗素子が
検出した差信号を波形整形する回路構成になっている。
図９は、磁気抵抗素子の内部構成の詳細を示した図であ
る。磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４は、樹脂で整
形された磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３
Ａ，１４Ａと磁気抵抗素子のリード部１５にて構成され
ている。磁気抵抗素子本体は、２組の櫛形状磁気抵抗パ
ターンで構成されたチップ１０を使用し、Ｃ１は、チッ
プ１０の中心を示している。Ａ，Ｂ，Ｃは、磁気抵抗素
子のリード部１５の端子番号名で、端子Ｂより検出信号
が出力される。
【０００４】図１０は、磁気抵抗素子１１，１２，１
３，１４と環状のバイアス磁界用磁石２の位置関係を示
した図である。磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，
１３Ａ，１４Ａのチップ１０の中心Ｃ１と環状のバイア
ス磁界用磁石２のＮ極とＳ極の境界部が一致するように
位置決めしてある。環状のバイアス磁界用磁石２は、プ
リント基板４を挟んだ反対面に磁気抵抗素子１１，１
２，１３，１４と同一の円周上に固定してある。図１１
は、従来例に使用している移動磁界用磁石３のＮ極とＳ
極の磁極構成を示した平面図である。磁気抵抗素子は、
Ｎ極とＳ極の磁気境界部で磁気変化を検出する性質があ
るため、バイアス磁界用磁石を使用しないと１回転に２
パルスの矩形波信号を検出することになる。そこで、１
回転に１パルスを得るには、図１１に示した回転側の移
動磁界用磁石３の磁極構成と図１０に示した固定側のバ
イアス磁界用磁石２の磁極構成を採用し、この組み合わ
せによる磁気変化のベクトル和を磁気抵抗素子で検出す
ることにより、１回転に１パルスの矩形波信号７２，７
３を得ることができる構成になっている。
３，１４と環状のバイアス磁界用磁石２の位置関係を示
した図である。磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，
１３Ａ，１４Ａのチップ１０の中心Ｃ１と環状のバイア
ス磁界用磁石２のＮ極とＳ極の境界部が一致するように
位置決めしてある。環状のバイアス磁界用磁石２は、プ
リント基板４を挟んだ反対面に磁気抵抗素子１１，１
２，１３，１４と同一の円周上に固定してある。図１１
は、従来例に使用している移動磁界用磁石３のＮ極とＳ
極の磁極構成を示した平面図である。磁気抵抗素子は、
Ｎ極とＳ極の磁気境界部で磁気変化を検出する性質があ
るため、バイアス磁界用磁石を使用しないと１回転に２
パルスの矩形波信号を検出することになる。そこで、１
回転に１パルスを得るには、図１１に示した回転側の移
動磁界用磁石３の磁極構成と図１０に示した固定側のバ
イアス磁界用磁石２の磁極構成を採用し、この組み合わ
せによる磁気変化のベクトル和を磁気抵抗素子で検出す
ることにより、１回転に１パルスの矩形波信号７２，７
３を得ることができる構成になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来技術で
は、環状のバイアス磁界用磁石２をプリント基板４を挟
んだ反対面に同一円周上で、かつ、磁気抵抗素子のチッ
プ１０の中心Ｃ１と位置決めして固定するには、環状の
バイアス磁界用磁石２が円周方向に位置決め機能がな
く、しかも、環状のバイアス磁界用磁石２の磁極位置が
目視では見えないため、位置決め治具（図示せず。）に
よって取り付ける必要があった。さらに、環状のバイア
ス磁界用磁石２のため、磁気抵抗素子１１，１２，１
３，１４が配置されていないプリント基板４の反対面の
同一円周上に他の部品が実装できず、部品実装密度が低
下し、プリント基板外形寸法が大きくなって磁気式検出
器が小形化できないという問題があった。そこで、本発
明は、位置決め冶具を使用しないでバイアス磁界用磁石
２を取り付けることができ、しかも、バイアス磁界用磁
石２の取り付けミスを防止し、プリント基板の部品実装
密度を向上させることにより、検出器の品質の向上と小
形化を目的とした磁気式検出器を得るものである。
は、環状のバイアス磁界用磁石２をプリント基板４を挟
んだ反対面に同一円周上で、かつ、磁気抵抗素子のチッ
プ１０の中心Ｃ１と位置決めして固定するには、環状の
バイアス磁界用磁石２が円周方向に位置決め機能がな
く、しかも、環状のバイアス磁界用磁石２の磁極位置が
目視では見えないため、位置決め治具（図示せず。）に
よって取り付ける必要があった。さらに、環状のバイア
ス磁界用磁石２のため、磁気抵抗素子１１，１２，１
３，１４が配置されていないプリント基板４の反対面の
同一円周上に他の部品が実装できず、部品実装密度が低
下し、プリント基板外形寸法が大きくなって磁気式検出
器が小形化できないという問題があった。そこで、本発
明は、位置決め冶具を使用しないでバイアス磁界用磁石
２を取り付けることができ、しかも、バイアス磁界用磁
石２の取り付けミスを防止し、プリント基板の部品実装
密度を向上させることにより、検出器の品質の向上と小
形化を目的とした磁気式検出器を得るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するた
め、本発明は、検出部およびリード部で構成された磁気
抵抗素子と、バイアス磁界用磁石と、移動磁界用磁石
と、前記磁気抵抗素子を取り付けるための取り付け部品
と、前記磁気抵抗素子で検出した信号を波形整形するた
めの検出回路とで構成された磁気式検出器において、前
記取り付け部品は、前記磁気抵抗素子と前記バイアス磁
界用磁石を同時に位置決めするための位置決め部を配設
している。また、前記バイアス磁界用磁石に誤取り付け
防止部を設けるともに、磁極の境界を認識するための印
を付けたことを特徴としている。
め、本発明は、検出部およびリード部で構成された磁気
抵抗素子と、バイアス磁界用磁石と、移動磁界用磁石
と、前記磁気抵抗素子を取り付けるための取り付け部品
と、前記磁気抵抗素子で検出した信号を波形整形するた
めの検出回路とで構成された磁気式検出器において、前
記取り付け部品は、前記磁気抵抗素子と前記バイアス磁
界用磁石を同時に位置決めするための位置決め部を配設
している。また、前記バイアス磁界用磁石に誤取り付け
防止部を設けるともに、磁極の境界を認識するための印
を付けたことを特徴としている。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図に基づ
いて説明する。本実施例の磁気検出器は、図１の検出機
構部と図８の従来例と同一の検出回路で構成されてい
る。図１は、本発明の磁気抵抗素子とバイアス磁界用磁
石の取り付け構成の実施例を示す検出機構部の斜視図で
ある。磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４を取り付け
るための取り付け部品としては、プリント基板４を使用
している。従来のバイアス磁界用磁石２を分割し、バイ
アス磁界用磁石２１，２２，２３，２４をそれぞれ磁気
抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａの上
に固定した状態を示している。図２は、実施例の各部品
の位置関係を示した断面図である。プリント基板４に磁
気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ
と、バイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４を同時
に取り付けるための位置決め部４１（プリント基板４に
あけられた穴部）を４カ所配設し、磁気抵抗素子の検出
部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａとバイアス磁界用磁
石２１，２２，２３，２４を取り付けた状態を示した図
である。
いて説明する。本実施例の磁気検出器は、図１の検出機
構部と図８の従来例と同一の検出回路で構成されてい
る。図１は、本発明の磁気抵抗素子とバイアス磁界用磁
石の取り付け構成の実施例を示す検出機構部の斜視図で
ある。磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４を取り付け
るための取り付け部品としては、プリント基板４を使用
している。従来のバイアス磁界用磁石２を分割し、バイ
アス磁界用磁石２１，２２，２３，２４をそれぞれ磁気
抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａの上
に固定した状態を示している。図２は、実施例の各部品
の位置関係を示した断面図である。プリント基板４に磁
気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ
と、バイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４を同時
に取り付けるための位置決め部４１（プリント基板４に
あけられた穴部）を４カ所配設し、磁気抵抗素子の検出
部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａとバイアス磁界用磁
石２１，２２，２３，２４を取り付けた状態を示した図
である。
【０００８】環状の移動磁界用磁石３と磁気抵抗素子１
１，１２，１３，１４は対向しており、４個の磁気抵抗
素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａをプリン
ト基板４の位置決め部４１に挿入し、磁気抵抗素子の各
リード部１５は、プリント基板４にハンダ付けにて固定
している。磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４と移動
磁界用磁石３の関係および構成は、従来例と同一であ
る。バイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の形状
寸法は、磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３
Ａ，１４Ａの形状寸法と同一である。
１，１２，１３，１４は対向しており、４個の磁気抵抗
素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａをプリン
ト基板４の位置決め部４１に挿入し、磁気抵抗素子の各
リード部１５は、プリント基板４にハンダ付けにて固定
している。磁気抵抗素子１１，１２，１３，１４と移動
磁界用磁石３の関係および構成は、従来例と同一であ
る。バイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の形状
寸法は、磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３
Ａ，１４Ａの形状寸法と同一である。
【０００９】プリント基板４の位置決め部４１に磁気抵
抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａを挿入
して、磁気抵抗素子の各リード部１５をハンダ付けによ
り固定し、その後、磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２
Ａ，１３Ａ，１４Ａの裏面に接着剤を塗布し、位置決め
部４１を利用してバイアス磁界用磁石２１，２２，２
３，２４を接着固定すればバイアス磁界用磁石の取り付
けは完了する。バイアス磁界用磁石２１，２２，２３，
２４のＮ極とＳ極の磁極境界線と磁気抵抗素子１１，１
２，１３，１４の中点部Ｃ１とが一致するようにバイア
ス磁界用磁石２１，２２，２３，２４が予め着磁されて
いるので、機械的な位置決めのみで磁気抵抗素子１１，
１２，１３，１４に適切なバイアス磁界を与えることが
できる。位置決め部４１の寸法は、磁気抵抗素子の検出
部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａの形状寸法およびバ
イアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の形状寸法と
ほぼ同一で、磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１
３Ａ，１４Ａとバイアス磁界用磁石２１，２２，２３，
２４がなめらかに挿入できる寸法を採用している。
抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａを挿入
して、磁気抵抗素子の各リード部１５をハンダ付けによ
り固定し、その後、磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２
Ａ，１３Ａ，１４Ａの裏面に接着剤を塗布し、位置決め
部４１を利用してバイアス磁界用磁石２１，２２，２
３，２４を接着固定すればバイアス磁界用磁石の取り付
けは完了する。バイアス磁界用磁石２１，２２，２３，
２４のＮ極とＳ極の磁極境界線と磁気抵抗素子１１，１
２，１３，１４の中点部Ｃ１とが一致するようにバイア
ス磁界用磁石２１，２２，２３，２４が予め着磁されて
いるので、機械的な位置決めのみで磁気抵抗素子１１，
１２，１３，１４に適切なバイアス磁界を与えることが
できる。位置決め部４１の寸法は、磁気抵抗素子の検出
部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａの形状寸法およびバ
イアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の形状寸法と
ほぼ同一で、磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１
３Ａ，１４Ａとバイアス磁界用磁石２１，２２，２３，
２４がなめらかに挿入できる寸法を採用している。
【００１０】バイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２
４を磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１
４Ａと同一寸法にした結果、環状のバイアス磁界用磁石
２がなくなり、プリント基板４に実装部品を効率よく取
り付けることができる。図３は実施例に使用したプリン
ト基板４の位置決め部４１の形状の詳細を示した図であ
る。磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１
４Ａとバイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の位
置決め部品としてプリント基板４に設けた位置決め部４
１を使用している。図４は、本実施例の磁気抵抗素子１
１，１２，１３，１４とバイアス磁界用磁石２１，２
２，２３，２４の取り付けの関係を示した図である。バ
イアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４のＮ極とＳ極
の磁極境界線が、プリント基板４の裏面にある磁気抵抗
素子１１，１２，１３，１４（リード部のみ点線で表
示）の中点部Ｃ１に一致するように配置されている。
４を磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１
４Ａと同一寸法にした結果、環状のバイアス磁界用磁石
２がなくなり、プリント基板４に実装部品を効率よく取
り付けることができる。図３は実施例に使用したプリン
ト基板４の位置決め部４１の形状の詳細を示した図であ
る。磁気抵抗素子の検出部１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１
４Ａとバイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の位
置決め部品としてプリント基板４に設けた位置決め部４
１を使用している。図４は、本実施例の磁気抵抗素子１
１，１２，１３，１４とバイアス磁界用磁石２１，２
２，２３，２４の取り付けの関係を示した図である。バ
イアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４のＮ極とＳ極
の磁極境界線が、プリント基板４の裏面にある磁気抵抗
素子１１，１２，１３，１４（リード部のみ点線で表
示）の中点部Ｃ１に一致するように配置されている。
【００１１】その他の実施例を図５に示した。本実施例
のバイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４を磁気抵
抗素子１１，１２，１３，１４上に貼付する場合、バイ
アス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の一部に凸部１
１５を設け、外形形状を変化させた例である。図４に示
したようにバイアス磁界用磁石の着磁状態は、バイアス
磁界用磁石２１，２３とバイアス磁界用磁石２２，２４
の２種類必要となる。バイアス磁界用磁石２１，２２，
２３，２４の外形形状が矩形で磁気抵抗素子１１，１
２，１３，１４上に取り付ける場合、着磁状態が目視で
判別できないため、取り付けミスをする可能性がある。
そこで、図５のバイアス磁界用磁石１１１，１１２，１
１３，１１４のように外形形状を変化させることで誤取
り付けを防ぎ、さらに、磁石の片面に磁極のＮ極とＳ極
の境界にケガキ線１１６による印を付けることにより判
別が明確になり、確実にバイアス磁界用磁石１１１，１
１２，１１３，１１４を取り付けることができる。
のバイアス磁界用磁石２１，２２，２３，２４を磁気抵
抗素子１１，１２，１３，１４上に貼付する場合、バイ
アス磁界用磁石２１，２２，２３，２４の一部に凸部１
１５を設け、外形形状を変化させた例である。図４に示
したようにバイアス磁界用磁石の着磁状態は、バイアス
磁界用磁石２１，２３とバイアス磁界用磁石２２，２４
の２種類必要となる。バイアス磁界用磁石２１，２２，
２３，２４の外形形状が矩形で磁気抵抗素子１１，１
２，１３，１４上に取り付ける場合、着磁状態が目視で
判別できないため、取り付けミスをする可能性がある。
そこで、図５のバイアス磁界用磁石１１１，１１２，１
１３，１１４のように外形形状を変化させることで誤取
り付けを防ぎ、さらに、磁石の片面に磁極のＮ極とＳ極
の境界にケガキ線１１６による印を付けることにより判
別が明確になり、確実にバイアス磁界用磁石１１１，１
１２，１１３，１１４を取り付けることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、磁
気抵抗素子を取り付けるための取り付け部品には、磁気
抵抗素子とバイアス磁界用磁石を同時に位置決めするた
めの位置決め部を配設したことにより、従来の位置決め
冶具による取り付けが不要となり、取り付け時間が減少
することになる。また、今まで環状のバイアス磁界用磁
石により実装ができなかったプリント基板部に他の部品
が実装でき、プリント基板の部品実装率が向上する結
果、プリント基板の外形寸法が小さくなり、検出器が小
形になるという効果が発生する。バイアス磁界用磁石の
形状寸法を磁気抵抗素子の形状寸法と同一寸法にするこ
とにより、バイアス磁界用磁石も小形化し、バイアス磁
界用磁石のコストも低減する。さらに、バイアス磁界用
磁石の一部に凸部等の誤取り付け防止部を設けるととも
に、バイアス磁界用磁石の片面に磁極のＮ極とＳ極の磁
極境界を示す印を付けてバイアス磁界用磁石を固定する
ことにより、バイアス磁界用磁石の取り付けミスがなく
なり、品質が向上するという効果が発生する。なお、本
発明の実施例として、回転形磁気検出器について説明し
たが、磁気抵抗素子とバイアス磁界用磁石を同時に位置
決めする構造は、回転形磁気検出器に限定されるもので
はなく、直線形磁気検出器にも適用できることは説明す
るまでもない。
気抵抗素子を取り付けるための取り付け部品には、磁気
抵抗素子とバイアス磁界用磁石を同時に位置決めするた
めの位置決め部を配設したことにより、従来の位置決め
冶具による取り付けが不要となり、取り付け時間が減少
することになる。また、今まで環状のバイアス磁界用磁
石により実装ができなかったプリント基板部に他の部品
が実装でき、プリント基板の部品実装率が向上する結
果、プリント基板の外形寸法が小さくなり、検出器が小
形になるという効果が発生する。バイアス磁界用磁石の
形状寸法を磁気抵抗素子の形状寸法と同一寸法にするこ
とにより、バイアス磁界用磁石も小形化し、バイアス磁
界用磁石のコストも低減する。さらに、バイアス磁界用
磁石の一部に凸部等の誤取り付け防止部を設けるととも
に、バイアス磁界用磁石の片面に磁極のＮ極とＳ極の磁
極境界を示す印を付けてバイアス磁界用磁石を固定する
ことにより、バイアス磁界用磁石の取り付けミスがなく
なり、品質が向上するという効果が発生する。なお、本
発明の実施例として、回転形磁気検出器について説明し
たが、磁気抵抗素子とバイアス磁界用磁石を同時に位置
決めする構造は、回転形磁気検出器に限定されるもので
はなく、直線形磁気検出器にも適用できることは説明す
るまでもない。
【図１】本発明の磁気式検出器の検出機構部の斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明の検出部の各部品位置関係を示した断面
図である。
図である。
【図３】本発明のプリント基板に配設した位置決め部の
形状の詳細を示す図である。
形状の詳細を示す図である。
【図４】本発明の磁気抵抗素子とバイアス磁界用磁石の
取り付け状態を示す図である。
取り付け状態を示す図である。
【図５】その他の実施例の磁気抵抗素子とバイアス磁界
用磁石の取り付け状態を示す図である。
用磁石の取り付け状態を示す図である。
【図６】従来の磁気式検出器の検出機構部の斜視図であ
る。
る。
【図７】従来の検出部の各部品位置関係を示した断面図
である。
である。
【図８】従来の検出回路を示す図である。
【図９】従来の磁気抵抗素子の内部構成の詳細を示した
図である。
図である。
【図１０】従来の磁気抵抗素子と環状のバイアス磁界用
磁石の取り付け状態を示す図である。
磁石の取り付け状態を示す図である。
【図１１】移動磁界用磁石の形状と着磁状態を示す図で
ある。
ある。
１０ チップ １１，１２，１３，１４ 磁気低抗素子 １１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ 磁気低抗素子の検出
部 １５ 磁気抵抗素子のリード部 Ｃ１ 磁気抵抗素子中点部 ２，２１，２２，２３，２４，１１１，１１２，１１
３，１１４ バイアス磁界用磁石 ３ 移動磁界用磁石 ４ プリント基板（取り付け部品） ４１ 位置決め部 ７ 検出回路 ７１ 演算増幅器 ７２，７３ 矩形波信号 １１５ 凸部 １１６ ケガキ線
部 １５ 磁気抵抗素子のリード部 Ｃ１ 磁気抵抗素子中点部 ２，２１，２２，２３，２４，１１１，１１２，１１
３，１１４ バイアス磁界用磁石 ３ 移動磁界用磁石 ４ プリント基板（取り付け部品） ４１ 位置決め部 ７ 検出回路 ７１ 演算増幅器 ７２，７３ 矩形波信号 １１５ 凸部 １１６ ケガキ線
Claims (2)
- 【請求項１】 検出部およびリード部で構成された磁気
抵抗素子と、バイアス磁界用磁石と、移動磁界用磁石
と、前記磁気抵抗素子を取り付けるための取り付け部品
と、前記磁気抵抗素子で検出した信号を波形整形するた
めの検出回路とで構成された磁気式検出器において、 前記取り付け部品は、前記磁気抵抗素子と前記バイアス
磁界用磁石を同時に位置決めするための位置決め部を配
設したことを特徴とする磁気式検出器。 - 【請求項２】 前記バイアス磁界用磁石に誤取り付け防
止部を設けるとともに、磁極の境界を認識するための印
を付けたことを特徴とする請求項１記載の磁気式検出
器。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP03208698A JP3941082B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 磁気式検出器 |
| DE69903921T DE69903921T2 (de) | 1998-01-28 | 1999-01-04 | Magnetoresistiver detektor |
| KR1020007008170A KR100567728B1 (ko) | 1998-01-28 | 1999-01-04 | 자기식 검출기 |
| PCT/JP1999/000003 WO1999039157A1 (fr) | 1998-01-28 | 1999-01-04 | Detecteur magnetoresistant |
| EP99900033A EP1052474B1 (en) | 1998-01-28 | 1999-01-04 | Magnetoresistive detector |
| US09/601,209 US6356074B1 (en) | 1998-01-28 | 1999-01-04 | Magnetoresistive detector with multiple bias magnets for biasing its magnetoresistive elements |
| CNB99804587XA CN1174215C (zh) | 1998-01-28 | 1999-01-04 | 磁阻式检测器 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03208698A JP3941082B2 (ja) | 1998-01-28 | 1998-01-28 | 磁気式検出器 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211409A true JPH11211409A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3941082B2 JP3941082B2 (ja) | 2007-07-04 |
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ID=12349081
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1052474B1 (ja) |
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| KR (1) | KR100567728B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69903921T2 (ja) |
| WO (1) | WO1999039157A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009175073A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Yaskawa Electric Corp | 磁気式エンコーダ |
| JP2009204340A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Tokai Rika Co Ltd | 位置検出装置及びシフトレバー装置 |
| JP2012042259A (ja) * | 2010-08-17 | 2012-03-01 | Hamamatsu Koden Kk | 磁気センサのための補正方法及び磁気センサの評価方法 |
| JP2012098242A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Yaskawa Electric Corp | 磁気式エンコーダ、サーボモータ及びサーボユニット |
| WO2016056179A1 (ja) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356764B1 (en) * | 1999-03-09 | 2002-03-12 | Micron Technology, Inc. | Wireless communication systems, interrogators and methods of communicating within a wireless communication system |
| US6603391B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator |
| US7592898B1 (en) * | 1999-03-09 | 2009-09-22 | Keystone Technology Solutions, Llc | Wireless communication systems, interrogators and methods of communicating within a wireless communication system |
| DE10104453A1 (de) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Philips Corp Intellectual Pty | Anordnung zum Messen der magnetischen Feldstärke |
| JP3877998B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2007-02-07 | 株式会社山武 | 角度センサの温度情報検出装置および位置検出装置 |
| US20040017192A1 (en) * | 2002-04-15 | 2004-01-29 | Clymer Technologies, Llc | 3-axis magnetic angular orientation sensor |
| US6850136B2 (en) * | 2002-09-04 | 2005-02-01 | Honeywell International Inc. | Magnetoresistive based electronic switch |
| JP4317855B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2009-08-19 | 三菱電機株式会社 | 磁気検出装置 |
| US20100294603A1 (en) * | 2006-12-22 | 2010-11-25 | St Clair Kenneth A | Brake with field responsive material |
| CN102841324A (zh) * | 2012-09-05 | 2012-12-26 | 复旦大学 | 一种各向异性磁阻器件的电路结构 |
| US9784715B2 (en) * | 2013-04-19 | 2017-10-10 | Zetec, Inc. | Eddy current inspection probe based on magnetoresistive sensors |
| WO2015146043A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 磁気センサ |
| US10359478B2 (en) * | 2015-05-15 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetic sensor |
| DE102016124948B4 (de) | 2016-12-20 | 2019-05-29 | Infineon Technologies Ag | Magnetische Winkelsensorvorrichtung und Betriebsverfahren |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5613244B2 (ja) * | 1974-07-31 | 1981-03-27 | ||
| EP0057766A3 (en) | 1981-02-07 | 1984-07-18 | Hitachi, Ltd. | Magnetoelectrical transducer |
| JPS59142417A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-15 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気検出装置 |
| JPH07112080B2 (ja) * | 1988-03-04 | 1995-11-29 | 株式会社日本オートメーション | 磁気抵抗素子 |
| JPH0368882A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気センサとその製造方法 |
| JPH04108373A (ja) | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 培地の供給装置並びに苗切片等の自動置床装置 |
| JPH04108373U (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-18 | 長野日本電産株式会社 | モータ |
| JPH04309801A (ja) | 1991-04-06 | 1992-11-02 | Aisan Ind Co Ltd | 回転角度センサ |
| JP2527856B2 (ja) | 1991-06-18 | 1996-08-28 | 三菱電機株式会社 | 磁気センサ |
| JPH08204254A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-09 | Sony Corp | モータ |
| JP3056674B2 (ja) | 1995-10-12 | 2000-06-26 | 株式会社三協精機製作所 | 回転検出装置 |
-
1998
- 1998-01-28 JP JP03208698A patent/JP3941082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-01-04 KR KR1020007008170A patent/KR100567728B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-01-04 DE DE69903921T patent/DE69903921T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-04 CN CNB99804587XA patent/CN1174215C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-04 WO PCT/JP1999/000003 patent/WO1999039157A1/ja active IP Right Grant
- 1999-01-04 US US09/601,209 patent/US6356074B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-04 EP EP99900033A patent/EP1052474B1/en not_active Expired - Lifetime
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| DE69903921D1 (de) | 2002-12-19 |
| DE69903921T2 (de) | 2003-07-10 |
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