JP2012042259A - 磁気センサのための補正方法及び磁気センサの評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 外部磁界が2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態での磁気センサ10の出力電圧Voutを取得するとともに、出力電圧Voutのオフセット電圧Os1を取得する。オフセット電圧Os1の場合と同一温度Trtにおいて、外部磁界を2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。出力振幅中心値のオフセット電圧Os2とオフセット電圧Os1との差Os2−Os1を取得して、予め用意された比例定数Aを用いて、磁気センサの温度がTである条件下で、外部磁界の印加によって前記磁気センサから出力される出力電圧を、式Oa(T)=A・(Os2−Os1)・(T−Trt)+Os1によって規定される補正値Oa(T)で補正する。
【選択図】 図15
Description
以下、本発明の実施形態について説明するが、本発明は、バイアス磁界を印加した磁気センサにおいては、室温(例えば、25℃)の2条件での測定値がオフセット温度ドリフトと相関があることの発見に基づくものであり、まず、磁気センサ及びこの相関関係について説明しておく。
磁気センサ10は、図1に示すように、モールドパッケージ11内にてリードフレーム12の下面及び上面にバイアス磁石13及びシリコン基板14をそれぞれ接着させている。モールドパッケージ11はエポキシ樹脂からなり、リードフレーム12は導電体(例えば、銅)からなる。シリコン基板14上には、図2及び図3に示すように、互いに延設方向を90度異ならせたミアンダライン状の磁気抵抗効果素子15,16が設けられている。この磁気抵抗効果素子15,16は、鉄FeとニッケルNiからなる合金とする異方性磁気抵抗効果素子(AMR素子)で構成されている。これらの磁気抵抗効果素子15,16は、直列に接続されており、その両端は接地用端子17a及び電源用端子17bにそれぞれ接続されている。磁気抵抗効果素子15,16の中間接続点は出力用端子17cに接続されている。接地用端子17a、電源用端子17b及び出力用端子17cは、複数のリード線18を介して複数の外部接続端子19にそれぞれ接続されている。
この磁気センサ10において、外部磁界Hrが「0」すなわち外部磁界Hrを印加してない状態での静オフセット電圧を第1のオフセット電圧Os1(出力電圧Voutから電圧Vcc/2を減算した電圧)として測定した。電源電圧Vccは5Vであるので、出力電圧Voutは、理想的にはVcc/2すなわち2500mVであるが、室温(25℃)という温度条件下で磁気抵抗効果素子(R1,R2)15,16の抵抗値の違いにより前記電圧Vcc/2(2500mV)からずれ、5.1mVである第1の静オフセット電圧Os1が観測された。
次に、外部磁界の強さと温度ドリフトとの関係について説明する。上記説明では、温度が25℃、50℃、75℃、100℃及び125℃の環境下で、外部磁界を印加しない状態での静オフセット電圧Os1と、20mTの外部磁界を1回転させたときの静オフセット電圧Os2を測定した。ここでは、前記温度の環境化で上記と同じ磁気センサ10について、外部磁界をさらに10mT、15mT、25mT、30mT及び35mTに変化させて、静オフセット電圧Os2を測定した。測定結果を、上記外部磁界を印加しない場合及び上記外部磁界が20mTの場合を加えて、下記表3に示す。前記いずれの場合も、オフセット温度ドリフト係数は、上記外部磁界を印加しない場合及び上記外部磁界が20mTの場合と同様に、20μV/℃であった。そして、温度Tに対するオフセット電圧Os1,Os2の関係を、外部磁界が0mT(外部磁界を印加しない状態)〜35mTにわたって5mTごとに図11に示している。
次に、他の磁気センサによる温度ドリフトに関して、上述した相関関係(数3の関係)が成立するかを調べた結果を示す。他の磁気センサは、図12に示すように、フルブリッジ構成の磁気センサ30である。この磁気センサ30は、シリコン基板31上に、ミアンダライン状の磁気抵抗効果素子32,33,34,35を備えている。これらの磁気抵抗効果素子32,33,34,35は、鉄FeとニッケルNiとコバルトCoからなる合金とする異方性磁気抵抗効果素子(AMR素子)で構成されている。磁気抵抗効果素子32,33は延設方向を互いに90度異ならせているとともに、磁気抵抗効果素子34,35も延設方向を互いに90度異ならせている。磁気抵抗効果素子32,35の延設方向は同じであり、磁気抵抗効果素子33,34の延設方向も同じである。この磁気センサ30も上記磁気センサ10と同様な図示しないバイアス磁石を備えており、磁気抵抗効果素子32,33,34,35の各延設方向に対して45度の方向から上記磁気センサ10と同様な25mTのバイアス磁界が付与されている(図示矢印参照)。
上記ハーフブリッジ構成の磁気センサ10に対しても、フルブリッジ構成の磁気センサ30に対しても、25℃(室温)から125℃の範囲についての測定結果について説明した。しかし、従来から知られているように、オフセット温度ドリフトは温度の広い範囲において、直線的に変化することが分かっているが、念のために、広い温度範囲における特性について測定した。上記フルブリッジの磁気センサ30と同一仕様の異なる40個の磁気センサにおいて、外部磁界Hrが「0」すなわち外部磁界Hrを印加してない状態での25℃、−30℃、110℃における静オフセット電圧Os1(25),Os1(−30),Os1(110)を測定して、温度ドリフトOd1(−30)=Os1(−30)−Os1(25),Od1(110)=Os1(110)−Os1(25)を計算した。そして、25℃を基準として温度ドリフトOd1,Od2を40個の磁気センサごとにプロットして、磁気センサごとに3点を結ぶと、図14に示すように、前記3点は直線で結ばれた。これにより、上記特性例の説明とも合わせると、上記数3の関係は広い温度範囲で適用されることも分かる。
次に、本発明の実施形態に係る温度ドリフトの補正方法及び補正装置について説明する。この温度ドリフトの補正においては、上述した同一製造工程で製造した磁気センサすなわち同一仕様(同一種類)の磁気センサに関する共通の比例定数Aの検出、磁気センサごとの第1及び第2の静オフセット電圧Os1,Os2の取得、及び磁気センサごとの出力電圧Voutの補正が行われる。
まず、比例定数Aの検出に関して説明すると、作業者が、電圧計及び温度計などの測定器を用いて電圧及び温度を測定して、測定結果をコンピュータ装置などに入力するようにしてもよいが、コンピュータ装置によるプログラム処理を併用するようにした方が効率的であるので、コンピュータ装置を用いた方法について説明する。
次に、第1及び第2の静オフセット電圧Os1,Os2の取得について説明すると、この場合も、電圧計及び温度計などの測定器を用いて電圧及び温度を測定して、測定結果をコンピュータ装置などに入力するようにしてもよいが、前述した図15に示すようなコンピュータ装置40を含む装置を用いるとよい。この場合、コンピュータ装置40は、第1及び第2の静オフセット電圧Os1,Os2を取得するための静オフセット電圧取得プログラムを記憶している。コンピュータ装置40は、作業者による静オフセット電圧取得プログラムの開始の指示により、図17のステップS20にて静オフセット電圧取得プログラムの実行を開始する。ただし、この場合の第1及び第2のオフセット電圧Os1,Os2の取得は、個々の磁気センサ10に対するものである。
次に、出力電圧Voutの補正について説明する。この場合には、磁気センサ10を使用する検出装置内に、図15に示すようなコンピュータ装置40が組み込まれる。コンピュータ装置40は、出力電圧Voutを補正するための出力電圧補正プログラムを記憶している。この場合、コンピュータ装置40は、前記検出装置に検出対象物理量を検出するためのコンピュータ装置と一体化されており、磁気センサ10を用いた検出装置の作動に連動して、出力電圧補正プログラムを実行する。なお、この場合、図15の加熱及び冷却装置44は不要である。
次に、磁気センサ10の選定について説明すると、この場合も、電圧計及び温度計などの測定器を用いて電圧及び温度を測定して、測定結果をコンピュータ装置などに入力するようにしてもよいが、前述した図15に示すようなコンピュータ装置40を含む装置を用いるとよい。この場合、コンピュータ装置40は、磁気センサ10を選定(選別)するためのセンサ選定プログラムを記憶している。コンピュータ装置40は、作業者によるセンサ選定プログラムの開始の指示により、図19のステップS40にてセンサ選定プログラムの実行を開始する。ただし、この場合の磁気センサ10も、個々の磁気センサ10である。
次に、上記図19のセンサ選定プログラムに従った磁気センサの選定の変形例ついて説明する。この場合、コンピュータ装置40は、図20のセンサ選定プログラムを実行する。このセンサ選定プログラムのステップS51〜S55の処理は、上記図19のセンサ選定プログラムのステップS41〜S45の処理と同じである。ステップS51〜S55の処理後、コンピュータ装置40は、ステップS56にて、下記数8の演算の実行によってオフセット温度ドリフト係数Ktを計算する。なお、下記数8中の差電圧(Os2−Os1)はステップS55の演算結果であり、比例定数Aは、同一仕様の磁気センサに共通の値であって、上記図16の比例定数検出プログラムの処理によって得られるものである。
上記d,eでは、ハーフブリッジ構成の磁気センサ10のオフセット温度ドリフトの補正及び磁気センサ10の選定について説明した。しかし、上述のように、フルブリッジ構成の磁気センサ30に関しても、磁気センサ10と同様な特性を有するとともに、上記数3が成立する。したがって、フルブリッジ構成の磁気センサ30に関しても、その出力電圧の補正及びその選定は上記「d.温度ドリフトの補正」及び「e.磁気センサの選定」と同様な装置及び方法により実行される。ただし、フルブリッジ構成の磁気センサ30は、上述のように、本来的には基準電圧0Vを中心に正弦波状に変化する電圧を出力するものであるので、オフセット電圧の計算においては、出力電圧Voutすなわち差動増幅器37の出力電圧をそのまま用いる。
上記実施形態及び変形例においては、外部磁界が印加されていない状態で第1の静オフセット電圧Os1を取得するようにしたが、次のようの方法も採用できる。上記図5に示すように、外部磁界Hrと、磁気センサ10の磁気抵抗効果素子15(R1)と磁気抵抗効果素子16(R2)との機械的位置関係が明確になっている状態であれば、図7及び図8の波形図からも分かるように、外部磁界Hrの回転角が0度及び180度(π)であるとき、外部磁界Hrが印加されていない状態の静オフセット電圧Os1と一致する。すなわち、外部磁界Hrの回転角が0度及び180度(π)である状態は、ブリッジを構成する磁気抵抗効果素子15,16(磁気抵抗効果素子32,33と34,35)の抵抗値に影響を与える磁界の強さ、すなわち磁気抵抗効果素子15,16(磁気抵抗効果素子32,33と34,35)の延設方向に直角な方向の磁界の強さに差がない状態である。これにより、第1のオフセット電圧Os1を、外部磁界Hbの回転方向が0度及び180度(π)であるとき、すなわち外部磁界Hbの回転方向がバイアス磁界Hbと同一又は反対方向であるとき、磁気センサ10,30の出力電圧Voutを取得して、出力電圧Voutから電源電圧Vccの半分の電圧Vcc/2を減算して第1の静オフセット電圧Os1を取得するようにしてもよい。
前記「g.オフセット電圧取得の第1変形例」では、ブリッジを構成する磁気抵抗効果素子15,16(磁気抵抗効果素子32,33と34,35)の抵抗値に影響を与える磁界の強さに差がない状態である、すなわち外部磁界Hrの回転角が0度及び180度における出力電圧Voutからのオフセット電圧Os1を取得するようにした。しかし、これとは逆に、一方の磁気抵抗効果素子16(磁気抵抗効果素子33,35)の抵抗値をそれぞれ最大及び最小にする両角度45,225度における出力電圧Vout1,Vout2の中央値すなわち平均値(Vout1+Vout2)/2から印加電圧Vccの半分の電圧Vcc/2を減算することにより、第1のオフセット電圧Os1を取得することも考えられる。また、同様に、他方の磁気抵抗効果素子15(磁気抵抗効果素子32,34)の抵抗値をそれぞれ最大及び最小にする両角度135,315度における出力電圧Vout1,Vout2の平均値(Vout1+Vout2)/2から印加電圧Vccの半分の電圧Vcc/2を減算することにより、第1のオフセット電圧Os1を取得することも考えられる。これによれば、外部磁界Hrがブリッジを構成する磁気抵抗効果素子15,16(磁気抵抗効果素子32,33と34,35)のうちの一方の磁気抵抗効果素子にのみ関与して、同関与した磁気抵抗効果素子の抵抗値に与える影響が打ち消されることになる。したがって、前述のようにして、第1の静オフセット電圧Vs1を取得するようにしてもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の実施にあたっては、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の変形も可能である。
Claims (10)
- 90度異なる方向に延設して直列に接続した少なくとも2つの磁気抵抗効果素子と、
前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の両延設方向に挟まれた中央方向にバイアス磁界を印加するバイアス手段とを備え、
前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の両端に直流電圧を印加した状態で、前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の接続点から、前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転する外部磁界に対して基準電圧を中心に正弦波状に変化する電圧を出力する磁気センサに適用され、前記磁気センサからの出力電圧を補正する磁気センサのための補正方法において、
外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における前記磁気センサの出力電圧を取得する第1出力電圧取得手順と、
前記第1出力電圧取得手順で取得した出力電圧の前記基準電圧からのずれ量を表す第1オフセット電圧を取得するオフセット電圧取得手順と、
前記第1出力電圧取得手順で前記磁気センサから出力電圧を入力したときと同一温度において、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの前記磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して、前記計算した中央値を出力振幅中心値として取得する第1出力振幅中心値取得手順と、
前記計算した出力振幅中心値の前記基準電圧からのずれ量を表す第2オフセット電圧と前記第1オフセット電圧との差を表すオフセット電圧差を、前記第1出力振幅中心値取得手順によって取得した出力振幅中心値から前記第1出力電圧取得手順によって取得した出力電圧を減算することにより、又は前記第1出力振幅中心値取得手順によって取得した出力振幅中心値から前記基準電圧及び前記第1オフセット電圧を減算することにより取得し、予め用意された比例定数をAとし、前記第1オフセット電圧をOs1とし、前記取得したオフセット電圧差を(Os2−Os1)とし、前記第1出力電圧取得手順及び前記第1出力振幅中心値取得手順で前記磁気センサからの出力電圧を入力したときの前記磁気センサの温度をTrtとし、かつ前記磁気センサの温度がTである条件下で、外部磁界の印加によって前記磁気センサから出力される出力電圧を、式Oa(T)=A・(Os2−Os1)・(T−Trt)+Os1によって規定される補正値Oa(T)で補正する補正手順と
を設けたことを特徴とする磁気センサのための補正方法。 - 前記請求項1に記載した磁気センサのための補正方法において、前記第1出力電圧取得手順、前記オフセット電圧取得手順、前記第1出力振幅中心値取得手順及び前記補正手順とは独立していて、前記比例定数Aを用意するために、さらに、
異なる2つの温度条件下で、外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における前記磁気センサからの出力電圧をそれぞれ入力して、前記磁気センサからの出力電圧を入力したときの温度をそれぞれT1,T2とし、前記入力した出力電圧をそれぞれV1,V2とし、かつ温度ドリフト係数をKtとしたとき、式Kt=(V2−V1)/(T2−T1)の演算の実行により、温度ドリフト係数Ktを計算する温度ドリフト係数計算手順と、
外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における磁気センサからの出力電圧をそれぞれ取得する第2出力電圧取得手順と、
前記第2出力電圧取得手順で前記磁気センサから出力電圧を入力したときと同一温度において、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの前記磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して、前記計算した中央値を出力振幅中心値として取得する第2出力振幅中心値取得手順と、
前記第2出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値と前記第2出力電圧取得手順で取得した出力電圧とを用いて、前記出力振幅中心値と前記出力電圧との電圧差をオフセット電圧差として取得し、前記取得したオフセット電圧差を(Os2−Os1)として、前記比例定数Aを、式A=Kt/(Os2−Os1)の演算の実行により計算する比例定数計算手順と
を設けたことを特徴とする磁気センサのための補正方法。 - 前記請求項1に記載した磁気センサのための補正方法において、前記第1出力電圧取得手順、前記オフセット電圧取得手順、前記第1出力振幅中心値取得手順及び前記補正手順とは独立していて、前記比例定数Aを用意するために、さらに、
異なる2つの温度条件下で、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対してそれぞれ回転させて前記磁気センサから出力電圧をそれぞれ入力し、前記異なる2つの温度条件下でそれぞれ入力した出力電圧の最大値と最小値との各中央値をそれぞれ出力振幅中心値として取得し、前記磁気センサからの出力電圧を入力したときの温度をそれぞれT1,T2とし、前記取得した出力振幅中心値をそれぞれV1,V2とし、かつ温度ドリフト係数をKtとしたとき、式Kt=(V2−V1)/(T2−T1)の演算の実行により、温度ドリフト係数Ktを計算する温度ドリフト係数計算手順と、
外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における磁気センサからの出力電圧をそれぞれ取得する第2出力電圧取得手順と、
前記第2出力電圧取得手順で前記磁気センサから出力電圧を入力したときと同一温度において、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの前記磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して、前記計算した中央値を出力振幅中心値として取得する第2出力振幅中心値取得手順と、
前記第2出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値と前記第2出力電圧取得手順で取得した出力電圧とを用いて、前記出力振幅中心値と前記出力電圧との電圧差をオフセット電圧差として取得し、前記取得したオフセット電圧差を(Os2−Os1)として、前記比例定数Aを、式A=Kt/(Os2−Os1)の演算の実行により計算する比例定数計算手順と
を設けたことを特徴とする磁気センサのための補正方法。 - 請求項1乃至3のうちのいずれか一つに記載した磁気センサのための補正方法において、
前記第1出力電圧取得手順は、外部磁界を前記磁気センサに印加しない状態で前記磁気センサから出力電圧を入力するようにした磁気センサのための補正方法。 - 請求項1乃至3のうちのいずれか一つに記載した磁気センサのための補正方法において、
前記第1出力電圧取得手順は、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の延設方向に挟まれた中央方向又はその反対方向に印加した状態で前記磁気センサから出力電圧を入力するようにした磁気センサのための補正方法。 - 請求項1乃至3のうちのいずれか一つに記載した磁気センサのための補正方法において、
前記第1出力電圧取得手順は、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子のいずれか一方の延設方向及びその反対方向に印加した状態で前記磁気センサから出力電圧をそれぞれ入力して、前記入力した出力電圧の中央値を、前記外部磁界が少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における磁気センサの出力電圧として取得するようにした磁気センサのための補正方法。 - 90度異なる方向に延設して直列に接続した少なくとも2つの磁気抵抗効果素子と、
前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の両延設方向に挟まれた中央方向にバイアス磁界を印加するバイアス手段とを備え、
前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の両端に直流電圧を印加した状態で、前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の接続点から、前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転する外部磁界に対して基準電圧を中心に正弦波状に変化する電圧を出力する磁気センサに適用され、選別のために前記磁気センサを評価する磁気センサの評価方法において、
外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における前記磁気センサの出力電圧を取得する第1出力電圧取得手順と、
前記第1出力電圧取得手順で前記磁気センサから出力電圧を入力したときと同一温度において、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの前記磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して、前記計算した中央値を出力振幅中心値として取得する第1出力振幅中心値取得手順と、
前記第1出力電圧取得手順で取得した出力電圧の前記基準電圧からのずれ量を表す第1オフセット電圧と、前記第1出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値の前記基準電圧からのずれ量を表す第2オフセット電圧との電圧差を、少なくとも前記第1出力電圧取得手順で取得した出力電圧と前記第1出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値とを用いた計算によってオフセット電圧差として取得するオフセット電圧差取得手順と、
前記取得したオフセット電圧差を用いて前記磁気センサを評価する評価手順と
を設けたことを特徴とする磁気センサの評価方法。 - 90度異なる方向に延設して直列に接続した少なくとも2つの磁気抵抗効果素子と、
前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の両延設方向に挟まれた中央方向にバイアス磁界を印加するバイアス手段とを備え、
前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の両端に直流電圧を印加した状態で、前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の接続点から、前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転する外部磁界に対して基準電圧を中心に正弦波状に変化する電圧を出力する磁気センサに適用され、選別のために前記磁気センサを評価する磁気センサの評価方法において、
外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における前記磁気センサの出力電圧を取得する第1出力電圧取得手順と、
前記第1出力電圧取得手順で前記磁気センサから出力電圧を入力したときと同一温度において、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの前記磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して、前記計算した中央値を出力振幅中心値として取得する第1出力振幅中心値取得手順と、
前記第1出力電圧取得手順で取得した出力電圧の前記基準電圧からのずれ量を表す第1オフセット電圧と、前記第1出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値の前記基準電圧からのずれ量を表す第2オフセット電圧との電圧差を、少なくとも前記第1出力電圧取得手順で取得した出力電圧と前記第1出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値とを用いた計算によってオフセット電圧差として取得し、予め用意されて同一種類の磁気センサに共通な比例定数をAとし、かつ前記取得したオフセット電圧差をOs2−Os1として、磁気センサの温度ドリフト係数Ktを、式Kt=A・(Os2−Os1)の演算により取得する温度ドリフト係数取得手順と、
前記取得した温度ドリフト係数Ktを用いて前記磁気センサを評価する評価手順と
を設けたことを特徴とする磁気センサの評価方法。 - 前記請求項8に記載した磁気センサの評価方法において、前記第1出力電圧取得手順、前記第1出力振幅中心値取得手順、前記温度ドリフト係数計算手順及び前記評価手順とは独立していて、前記比例定数Aを用意するために、さらに、
異なる2つの温度条件下で、外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における前記磁気センサからの出力電圧をそれぞれ入力して、前記磁気センサからの出力電圧を入力したときの温度をそれぞれT1,T2とし、前記入力した出力電圧をそれぞれV1,V2とし、かつ温度ドリフト係数をKtとしたとき、式Kt=(V2−V1)/(T2−T1)の演算の実行により、温度ドリフト係数Ktを計算する温度ドリフト係数計算手順と、
外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における磁気センサからの出力電圧をそれぞれ取得する第2出力電圧取得手順と、
前記第2出力電圧取得手順で前記磁気センサから出力電圧を入力したときと同一温度において、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの前記磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して、前記計算した中央値を出力振幅中心値として取得する第2出力振幅中心値取得手順と、
前記第2出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値と前記第2出力電圧取得手順で取得した出力電圧とを用いて、前記出力振幅中心値と前記出力電圧との電圧差をオフセット電圧差として取得し、前記取得したオフセット電圧差を(Os2−Os1)として、前記比例定数Aを、式A=Kt/(Os2−Os1)の演算の実行により計算する比例定数計算手順と
を設けたことを特徴とする磁気センサの評価方法。 - 前記請求項8に記載した磁気センサの評価方法において、前記第1出力電圧取得手順、前記第1出力振幅中心値取得手順、前記温度ドリフト係数計算手順及び前記評価手順とは独立していて、前記比例定数Aを用意するために、さらに、
異なる2つの温度条件下で、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対してそれぞれ回転させて前記磁気センサから出力電圧をそれぞれ入力し、前記異なる2つの温度条件下でそれぞれ入力した出力電圧の最大値と最小値との各中央値をそれぞれ出力振幅中心値として取得し、前記磁気センサからの出力電圧を入力したときの温度をそれぞれT1,T2とし、前記取得した出力振幅中心値をそれぞれV1,V2とし、かつ温度ドリフト係数をKtとしたとき、式Kt=(V2−V1)/(T2−T1)の演算の実行により、温度ドリフト係数Ktを計算する温度ドリフト係数計算手順と、
外部磁界が前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態における磁気センサからの出力電圧をそれぞれ取得する第2出力電圧取得手順と、
前記第2出力電圧取得手順で前記磁気センサから出力電圧を入力したときと同一温度において、外部磁界を前記少なくとも2つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの前記磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して、前記計算した中央値を出力振幅中心値として取得する第2出力振幅中心値取得手順と、
前記第2出力振幅中心値取得手順で取得した出力振幅中心値と前記第2出力電圧取得手順で取得した出力電圧とを用いて、前記出力振幅中心値と前記出力電圧との電圧差をオフセット電圧差として取得し、前記取得したオフセット電圧差を(Os2−Os1)として、前記比例定数Aを、式A=Kt/(Os2−Os1)の演算の実行により計算する比例定数計算手順と
を設けたことを特徴とする磁気センサのための補正方法。
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