JP2018115928A - 電流センサの信号補正方法、及び電流センサ - Google Patents
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Abstract
Description
(電流センサの構成)
図1は、第1の実施の形態に係る電流センサ1の構成を概略的に示すブロック図である。電流センサ1は、第1の磁気検知部11、第2の磁気検知部12、差動出力部13、及び信号補正部14を有する電流検出部10と、電圧測定部21、式選択部22、フィッティング係数演算部23、係数制御部24、及び定電圧源25を有する制御部20と、を有する。
図3は、第1の実施の形態に係る電流センサ1の信号補正処理の流れを示すフローチャートである。
第2の実施の形態は、フィッティング処理用の式を選択する手段において、第1の実施の形態と異なる。なお、第1の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
図7は、第2の実施の形態に係る電流センサ2の構成を概略的に示すブロック図である。電流センサ2の制御部30は、電流センサ1の制御部20と比較して、第1の電圧測定部31と第2の電圧測定部32をさらに有する点、及び式選択部22の代わりに式選択部33を有する点において異なる。
図8は、第2の実施の形態に係る電流センサ2の信号補正処理の流れを示すフローチャートである。このフローチャートにおいては、図3に示される第1の実施の形態に係るフローチャートと同じ処理を示す部分は省略されている。また、第1の実施の形態と第2の実施の形態でステップの番号は共通であり、同じ番号のステップでは同じ処理を行う。
上記第1及び第2の実施の形態によれば、被測定電流により生じる磁界の差動検知(勾配検知)によって外乱の影響を抑制しつつ、かつ出力電圧の線形補正により大電流領域までの広範囲に渡り電流を高精度に計測することができる。さらに、磁気検出素子の設置位置の影響を大きく受けることなく、精度よく電流を測定することができるため、磁気検出素子の設置位置の自由度を高めることができる。
次に、前述の実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
10…電流検出部
11…第1の磁気検知部
12…第2の磁気検知部
13…差動出力部
14…信号補正部
22、33…式選択部
23…フィッティング係数演算部
Claims (10)
- 磁気検知部を有する電流センサの信号補正方法であって、
被測定磁界を検知した2つの前記磁気検知部から出力される第1の出力電圧と第2の出力電圧の差動をとることにより、差動出力電圧を取得するステップと、
前記第1の出力電圧と前記第2の出力電圧の符号の組み合わせ、又は前記差動出力電圧が前記被測定磁界に対して単調増加しているか否かに基づいて、複数のフィッティング係数を含むフィッティング処理用の式を選択するステップと、
前記差動出力電圧に対して、前記式を用いたフィッティング処理を実施し、前記複数のフィッティング係数を算出するステップと、
算出された前記複数のフィッティング係数を用いて、新たに取得した前記差動出力電圧を前記被測定磁界に対して略線形となるように線形補正し、補正出力電圧を取得するステップと、
を含む、電流センサの信号補正方法。 - 前記式が、下記の式1、式2、又は式3であり、
前記複数のフィッティング係数が、前記式1、前記式2及び前記式3の出力オフセット係数Voff、バイアス磁界強度係数Bb、被測定磁界方向の角度ずれ係数φ、及びバイアス磁界方向の角度ずれ係数α、前記式1の飽和出力係数Vsat、並びに前記式2及び前記式3の実効飽和出力係数Veであり、
前記第1の出力電圧と前記第2の出力電圧が異符号又は前記第1の出力電圧V1の絶対値と前記第2の出力電圧V2の絶対値の小さい方を大きい方で除した値が0.01以下である場合に、前記式1が選択され、
前記第1の出力電圧と前記第2の出力電圧が同符号である場合(前記第1の出力電圧V1の絶対値と前記第2の出力電圧V2の絶対値の小さい方を大きい方で除した値が0.01以下である場合を除く)に、前記式2又は前記式3が選択され、
前記式の出力電圧Vfを前記差動出力電圧にフィッティングさせて、前記複数のフィッティング係数を算出する、
請求項1に記載の電流センサの信号補正方法。
- 前記式が、下記の式1、式2、又は式3であり、
前記複数のフィッティング係数が、前記式1、前記式2及び前記式3の出力オフセット係数Voff、バイアス磁界強度係数Bb、被測定磁界方向の角度ずれ係数φ、及びバイアス磁界方向の角度ずれ係数α、前記式1の飽和出力係数Vsat、並びに前記式2及び前記式3の実効飽和出力係数Veであり、
前記差動出力電圧が前記被測定磁界に対して単調増加する場合に、前記式1が選択され、
前記差動出力電圧が前記被測定磁界に対して単調増加しない場合に、前記式2又は前記式3が選択され、
前記式の出力電圧Vfを前記差動出力電圧にフィッティングさせて、前記複数のフィッティング係数を算出する、
請求項1に記載の電流センサの信号補正方法。
- 検知した被測定磁界に対応して第1の出力電圧を出力する第1の磁気検知部と、
検知した被測定磁界に対応して第2の出力電圧を出力する第2の磁気検知部と、
前記第1の出力電圧と前記第2の出力電圧の差動をとり、差動出力電圧を出力する差動出力部と、
前記第1の出力電圧と前記第2の出力電圧の符号の組み合わせ、又は前記差動出力電圧が前記被測定磁界に対して単調増加しているか否かに基づいて、複数のフィッティング係数を含むフィッティング処理用の式を選択する式選択部と、
前記差動出力電圧に対して、前記式を用いたフィッティング処理を実施し、前記複数のフィッティング係数を算出するフィッティング係数演算部と、
算出された前記複数のフィッティング係数を用いて、新たに取得した前記差動出力電圧を前記被測定磁界に対して略線形となるように線形補正し、補正出力電圧を出力する信号補正部と、
を有する電流センサ。 - 前記式が、下記の式1、式2、又は式3であり、
前記複数のフィッティング係数が、前記式1、前記式2及び前記式3の出力オフセット係数Voff、バイアス磁界強度係数Bb、被測定磁界方向の角度ずれ係数φ、及びバイアス磁界方向の角度ずれ係数α、前記式1の飽和出力係数Vsat、並びに前記式2及び前記式3の実効飽和出力係数Veであり、
前記第1の出力電圧と前記第2の出力電圧が異符号又は前記第1の出力電圧V1の絶対値と前記第2の出力電圧V2の絶対値の小さい方を大きい方で除した値が0.01以下である場合に、前記式1が前記式選択部において選択され、
前記第1の出力電圧と前記第2の出力電圧が同符号である場合(前記第1の出力電圧V1の絶対値と前記第2の出力電圧V2の絶対値の小さい方を大きい方で除した値が0.01以下である場合を除く)に、前記式2又は前記式3が前記式選択部において選択され、
前記フィッティング係数演算部が、前記式の出力電圧Vfを前記差動出力電圧にフィッティングさせて、前記複数のフィッティング係数を算出する、
請求項6に記載の電流センサ。
- 前記式が、下記の式1、式2、又は式3であり、
前記複数のフィッティング係数が、前記式1、前記式2及び前記式3の出力オフセット係数Voff、バイアス磁界強度係数Bb、被測定磁界方向の角度ずれ係数φ、及びバイアス磁界方向の角度ずれ係数α、前記式1の飽和出力係数Vsat、並びに前記式2及び前記式3の実効飽和出力係数Veであり、
前記差動出力電圧が前記被測定磁界に対して単調増加する場合に、前記式1が前記式選択部において選択され、
前記差動出力電圧が前記被測定磁界に対して単調増加しない場合に、前記式2又は前記式3が前記式選択部において選択され、
前記フィッティング係数演算部が、前記式の出力電圧Vfを前記差動出力電圧にフィッティングさせて、前記複数のフィッティング係数を算出する、
請求項6に記載の電流センサ。
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