CN116243221A - 磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法 - Google Patents

磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法。不管施加的外部磁场的方向，输出信号的线形性均良好的磁传感器包括通过磁场的施加而输出信号的磁检测部和校正从磁检测部输出的信号的信号校正部，磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，信号校正部使用在与灵敏度轴交叉的交叉方向的磁场被施加于磁阻效应元件时能够降低信号所含的失真误差的校正值，来校正信号，生成校正信号。

Description

磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法
技术领域
本发明涉及磁传感器及使用其的电控制装置、以及磁传感器的输出信号的校正方法及磁传感器的制造方法。
背景技术
近年来，用于检测移动体的直线移动所产生的位置、移动量(变化量)、方位等的位置检测装置被用于各种用途中。作为位置检测装置，已知有一种包括通过施加磁场而输出信号的磁传感器部的装置。作为磁传感器部，例如，可举出具有自由层和磁化固定层的层叠体，其具有电阻随着与外部磁场对应的自由层的易磁化轴方向的变化而变化的磁阻效应元件(MR元件)。
上述磁传感器部所具有的磁阻效应元件具有与磁化固定层的磁化方向平行的方向的灵敏度轴，通过对磁阻效应元件施加沿着该灵敏度轴的方向的外部磁场，而输出与该外部磁场的磁场强度对应的信号。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-117184号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
根据所述位置检测装置的使用环境不同，有时对磁阻效应元件施加相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的外部磁场(以下有时称为“倾斜磁场”。)。此时，从磁传感器部输出的信号中所含的三次谐波成分等的高次谐波成分所产生的失真会变大。由此，存在如下问题，对磁阻效应元件施加倾斜磁场时的来自磁传感器部的输出信号的线形性会恶化。
鉴于上述问题，本发明的目的在于，提供不管施加的外部磁场的方向、输出信号的线形性均良好的磁传感器及使用了该磁传感器的电控制装置、以及磁传感器的输出信号的校正方法及磁传感器的制造方法。
用于解决问题的技术手段
为了解决上述问题，本发明提供一种磁传感器，其特征在于，包括：磁检测部，其通过磁场的施加而输出信号；和信号校正部，其校正从所述磁检测部输出的所述信号，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，所述信号校正部，使用在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时可降低从所述磁检测部输出的信号所含的失真误差的校正值，来校正所述信号，生成校正信号。
所述磁传感器中，所述磁检测部也可以包含在第一轴上具有所述灵敏度轴的所述磁阻效应元件。另外，所述磁阻效应元件包含第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件，所述第一磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第一轴平行，所述第二磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第二轴平行，所述第一轴和所述第二轴彼此正交，所述交叉方向只要是相对于所述第一轴和所述第二轴双方倾斜地交叉的方向即可。
所述磁传感器中，所述信号校正部可以对将作为所述校正值的所述失真误差的反失真与所述信号相加，也可以通过下述数学式(1)校正所述信号，生成所述校正信号。
V’＝V+V3×a…(1)
所述数学式(1)中，V表示“从所述磁检测部输出的所述信号”，V’表示“所述校正信号”，a表示“校正系数”。
本发明提供一种电控制装置，其特征在于，包括所述磁传感器。
本发明提供一种校正方法，在包括磁检测部的磁传感器中校正从所述磁检测部输出的信号，其中，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，通过所述磁阻效应元件被施加磁场而输出信号，该校正方法的特征在于，包含：获取从所述磁检测部输出的所述信号的工序；和校正所述工序中所获取的所述信号，以使得在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时降低所述信号所含的失真误差的工序。
本发明提供一种磁传感器的制造方法，该磁传感器包括磁检测部和信号校正部，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，通过所述磁阻效应元件被施加磁场而输出信号，所述信号校正部校正从所述磁检测部输出的所述信号，该制造方法的特征在于，包含：对所述磁检测部施加与所述磁阻效应元件的所述灵敏度轴交叉的方向的试验用磁场的工序；和基于与所述试验用磁场的施加对应地从所述磁检测部输出的试验用信号，求取可降低所述试验用信号所含的失真误差的校正值的工序。
发明效果
根据本发明，能够提供不管施加的外部磁场的方向，输出信号的线形性均良好的磁传感器及使用了该磁传感器的电控制装置、以及磁传感器的输出信号的校正方法及磁传感器的制造方法。
附图说明
图1是表示本发明一实施方式的磁传感器的概略结构的框图。
图2A是表示本发明一实施方式的磁检测部的概略结构的电路图。
图2B是表示本发明一实施方式的磁检测部的另一方式的概略结构的电路图。
图3是表示本发明一实施方式的磁阻效应元件的概略结构的立体图。
图4是表示本发明一实施方式的磁传感器的另一方式的概略结构的框图。
图5是表示试验例1的结果的图表。
图6是表示试验例2的结果的图表。
图7是表示试验例3的结果的图表。
图8是表示试验例3的结果的图表。
具体实施方式
参照附图对本发明实施方式的磁传感器进行说明。此外，本实施方式中，举例说明作为磁传感器的电流传感器，但本实施方式的磁传感器不限定于电流传感器。
在说明本实施方式时，根据需要，在几个附图中，规定“第一轴和第二轴”。在此，第一轴与磁阻效应元件的灵敏度轴平行。第二轴与第一轴正交。此外，在本说明书及附图中，有时将第一轴称为“X轴”，将第二轴称为“Y轴”。在本说明书中，“正交”是如下概念，除了包含成为对象的两个线段、轴、方向等完全以90°交叉的情况之外，还包含大致正交即稍微偏离90°进行交叉(交叉角度为90°±5°的范围内)的情况，另外，“平行”是如下概念，除了包含成为对象的两个线段、轴、方向等为完全的平行状态的情况之外，还包含大致平行(交叉角度为5°以下的范围)的情况。
如图1所示，本实施方式的磁传感器1包括：通过磁场的施加而输出信号S的磁检测部2；和对从磁检测部2输出的信号S进行处理的信号处理部3。本实施方式的磁传感器1可以是将磁检测部2和信号处理部3一体地(整体地)形成并单片化而成的磁传感器，或将磁检测部2和信号处理部3进行树脂密封并单片化而成的磁传感器，也可以是将磁检测部2和信号处理部3分别独立地进行树脂密封而成的磁传感器。
如图2A及图2B所示，磁检测部2例如只要包含多个元件部20(例如第一～第四元件部21～24)即可，但也可以包含一个元件部20。在包含多个元件部20的情况下，磁检测部2也可以通过由多个元件部20形成的惠斯登电桥电路C(由第一～第四元件部21～24形成的全桥电路(参照图2A)或由第一元件部21和第二元件部22形成的半桥电路(参照图2B))构成。图2A所示的惠斯登电桥电路C包含电源端口V、接地端口G、两个输出端口E1、E2、以及第一～第四元件部21～24。第一元件部21及第四元件部24的各一端连接于电源端口V。第一元件部21的另一端连接于第二元件部22的一端和输出端口E1。第四元件部24的另一端连接于第三元件部23的一端和输出端口E2。第二元件部22及第三元件部23的各另一端连接于接地端口G。对电源端口V施加规定大小的电源电压，接地端口G连接于大地。
在本实施方式中，如图3所示，元件部20包含串联连接的多个磁阻效应元件40。多个磁阻效应元件40中的每一个例如为自旋阀型磁阻效应元件。另外，在本实施方式中，元件部20将俯视时为大致椭圆形状的多个磁阻效应元件40经由第一引线电极51及第二引线电极52连接(参照图3)。
自旋阀型的磁阻效应元件40包含从未图示的基板侧依次层叠的反铁磁性层41、磁化固定层42、非磁性层43及自由层44。在图3所示的方式中，自由层44电连接于第一引线电极51，反铁磁性层41电连接于第二引线电极52。反铁磁性层41由反铁磁性材料构成，在与磁化固定层42之间产生交换耦合，由此，发挥固定磁化固定层42的磁化方向的作用。此外，磁阻效应元件40也可以具有从基板侧依次层叠自由层44、非磁性层43、磁化固定层42及反铁磁性层41而成的结构。另外，通过将磁化固定层42设为铁磁性层/非磁性中间层/铁磁性层的层叠亚铁结构，并设为使两铁磁性层进行反铁磁性地耦合而成的、所谓的自销式固定层(Synthetic Ferri Pinned层、SFP层)，也可以省略反铁磁性层41。此外，在图3所示的方式中，磁阻效应元件40可以包含位于自由层44与第一引线电极51之间的覆盖层，也可以包含位于反铁磁性层41与第二引线电极52之间的基底层。自旋阀型的磁阻效应元件40可以是TMR元件，也可以是GMR元件。TMR元件中，非磁性层43为隧道势垒层。GMR元件中，非磁性层43为非磁性导电层。自旋阀型的磁阻效应元件40中，电阻值根据自由层44的磁化方向相对于磁化固定层42的磁化方向构成的角度而变化，该角度为0°时，电阻值成为最小值，该角度为180°时，电阻值成为最大值。
在本实施方式中，磁阻效应元件40的磁化固定层42的磁化方向被固定成与X轴平行的方向。在图2A所示的方式中，第一元件部21及第三元件部23的磁阻效应元件40的磁化固定层42的磁化方向为“+X方向”，第二元件部22及第四元件部24的磁阻效应元件40的磁化固定层42的磁化方向为“－X方向”。此外，图2A中，第一～第四元件部21～24的磁阻效应元件40的磁化固定层42的磁化方向以箭头表示。第一～第四元件部21～24的磁阻效应元件40的磁化固定层42的磁化方向与俯视时为大致椭圆形状或大致长方形状的磁阻效应元件40的短径方向或短边方向平行。即，第一～第四元件部21～24的磁阻效应元件40的灵敏度轴与X轴平行。
在本实施方式中，磁阻效应元件40的自由层44的初始状态(未施加在磁检测部2中成为检测对象的磁场的状态)下的磁化方向与Y轴平行。在图2A所示的方式中，第一元件部21及第四元件部24的磁阻效应元件40的自由层44的易磁化轴方向为“－Y方向”，第二元件部22及第三元件部23的磁阻效应元件40的自由层44的易磁化轴方向为“+Y方向”。在本实施方式中，第一～第四元件部21～24的磁阻效应元件40的自由层44的易磁化轴方向与俯视时为大致椭圆形状的磁阻效应元件40的长径方向平行。此外，第一～第四元件部21～24的磁阻效应元件40的自由层44的易磁化轴方向也可以全部为“+Y方向”或“－Y方向”。磁阻效应元件40的俯视时的形状为俯视时与Y方向平行的方向上较长的形状，例如大致椭圆状、大致长方形状等时，由于形状磁各向异性，自由层44的易磁化轴方向容易成为“+Y方向”或“－Y方向”，但也可以代替形状磁各向异性或除了形状磁各向异性之外，设置硬磁铁等偏置磁场产生部(省略图示)等，通过对自由层44施加偏置磁场，将自由层44的易磁化轴方向设为“+Y方向”或“－Y方向”。
在磁检测部2中，随着磁场向第一～第四元件部21～24的各磁阻效应元件40的施加，输出端口E1、E2的电位差产生变化，未图示的差分检测器将与输出端口E1、E2的电位差对应的信号S作为表示磁场强度的信号输出至信号处理部3。
信号处理部3包含将从磁检测部2输出的模拟信号转换成数字信号的A/D(模拟－数字)转换部31和对由A/D转换部31进行了数字转换的数字信号进行运算处理的运算部32即可。
从磁检测部2输出的信号S(模拟信号)利用A/D转换部31转换成数字信号，并将该数字信号输入运算部32。运算部32执行对通过A/D转换部31从模拟信号转换来的数字信号进行校正的校正处理，输出校正信号，或进行基于该校正信号的运算处理。该运算部32例如由微型计算机、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等构成。在本实施方式中，运算部32或包含运算部32的信号处理部3构成信号校正部。
在具有上述结构的磁传感器1中，当对磁检测部2所具有的磁阻效应元件40施加与该磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)平行的磁场时，从磁检测部2输出的信号S中实际上不包含三次谐波成分等高次谐波成分引起的失真误差。此外，“实际上不包含失真误差”是指允许即使信号S中包含失真误差也以基于该信号S求得的物理量、方位等中不产生误差的程度包含失真误差。另一方面，当施加相对于上述磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)倾斜地交叉的(以超过0°且低于90°的相对于X轴的角度交叉)磁场即与XY平面平行的磁场(倾斜磁场)时，在从磁检测部2输出的信号S中包含三次谐波成分等高次谐波成分引起的失真误差。该信号S所含的失真误差是基于该信号S求得的物理量、方位等中产生不能允许的误差的程度的失真误差。而且，信号S所含的失真误差的大小依赖于倾斜磁场相对于灵敏度轴(X轴)的交叉角度。因此，在对磁阻效应元件40施加上述倾斜磁场时，来自磁传感器1的输出信号会根据倾斜磁场相对于灵敏度轴(X轴)的角度而变化，并且来自磁传感器1的输出信号的线形性可能恶化。
在本实施方式的磁传感器1中，即使在对磁阻效应元件40施加上述倾斜磁场的情况下，从磁检测部2输出的信号S也被信号处理部3的运算部32校正，而输出校正信号S’。因此，能够使来自磁传感器1的输出信号的线形性良好。
对运算部32中的信号的校正处理进行说明。
运算部32使用规定的校正值来校正从磁检测部2输出的信号S，并生成校正信号S’。
上述校正值是在对该磁阻效应元件40施加了相对于磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)倾斜地交叉的(以超过0°且低于90°的相对于X轴的角度交叉)磁场即与XY平面平行的磁场(倾斜磁场)时，可降低信号S所含的失真误差的校正值。具体而言，运算部32例如也可以通过下述数学式(1)校正信号S，并生成校正信号S’。
V’＝V十V3×a…(1)
在上述数学式(1)中，V表示“从磁检测部2输出的信号S”，V’表示“校正信号S’”，a表示“校正系数(校正值)”。
在倾斜磁场相对于磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)以45°交叉的情况下，从磁检测部2输出的信号S所含的失真误差表示出最大值。因此，在上述数学式(1)中表示校正系数的“a”优选设定为能够将对磁阻效应元件40施加相对于磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)以45°交叉的倾斜磁场时的信号S所含的失真误差降低至一半的值。即，以对磁阻效应元件40施加与灵敏度轴(X轴)平行的磁场时的信号S所含的失真误差，与对磁阻效应元件40施加相对于灵敏度轴(X轴)以45°交叉的磁场时的信号S所含的失真误差相同的方式，加上三次谐波成分引起的反失真来校正信号S，生成校正信号S’。设定能够将对磁阻效应元件40施加以45°交叉的倾斜磁场时的信号S所含的失真误差降低至一半的校正系数(校正值)，通过上述数学式(1)生成校正信号S’，由此，无论对磁阻效应元件40施加的磁场相对于磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)以哪种角度交叉，均能够使信号S所含的失真误差稳定。因此，不管施加于磁阻效应元件40的磁场相对于灵敏度轴(X轴)的角度，均能够使来自磁传感器1的输出信号的线形性良好。此外，在加上三次谐波成分引起的反失真来校正信号S的情况下，优选使对磁阻效应元件40施加与灵敏度轴(X轴)平行的磁场时的信号S所含的失真误差，与对磁阻效应元件40施加相对于灵敏度轴(X轴)以45°交叉的磁场时的信号S所含的失真误差相同，但也可以以至少对磁阻效应元件40施加相对于灵敏度轴(X轴)以45°交叉的磁场时的信号S所含的失真误差变小的方式，加上三次谐波成分引起的反失真，来校正信号S。
如图4所示，本实施方式的磁传感器1也可以具备包含第一磁检测部2A及第二磁检测部2B的磁检测部2和信号处理部3。第一磁检测部2A只要具有灵敏度轴与X轴平行的第一磁阻效应元件40即可，第二磁检测部2B只要具有灵敏度轴与Y轴平行的第二磁阻效应元件40即可。第一磁检测部2A用于检测与X轴平行的磁场，第二磁检测部2B用于检测与Y轴平行的磁场，当对第一磁检测部2A及第二磁检测部2B的磁阻效应元件40施加相对于X轴及Y轴双方倾斜地交叉的磁场时，从第一磁检测部2A及第二磁检测部2B中的每一个输出的信号S所含的失真误差会重叠，可能使来自磁传感器1的输出信号的线形性进一步恶化。本实施方式的磁传感器1使用施加倾斜磁场时可降低从第一磁检测部2A及第二磁检测部2B中的每一个输出的信号S所含的失真误差的校正值，校正上述信号S，生成校正信号S’，因此，不管施加于磁阻效应元件40的磁场相对于灵敏度轴的角度，均能够使来自磁传感器1的输出信号的线形性良好。
本实施方式的磁传感器1例如能够如下制造。
首先，在基板上形成第一引线电极51、第二引线电极52及磁阻效应元件40。在形成磁阻效应元件40时，将磁化固定层42的磁化固定为与俯视时为大致椭圆形状的磁阻效应元件40的短径方向平行的方向。
接着，对磁阻效应元件40施加相对于磁阻效应元件40的灵敏度轴(磁化固定层42的磁化方向)以45°交叉的试验用磁场，与试验用磁场的施加对应地获取从磁检测部2输出的试验用信号。该试验用信号中包含随着倾斜磁场的施加而由三次谐波成分引起的失真误差。因此，求取能够将该失真误差降低至一半的校正系数(校正值)。然后，制作储存这样求取的校正系数(校正值)的信号处理部3。由此，可制造本实施方式的磁传感器1。
本实施方式的磁传感器1可设置于电控制装置中。此外，作为本实施方式的电控制装置，例如，可举出磁场强度传感器、高斯计、电子罗盘、线性编码器等。如上所述，本实施方式的磁传感器1不管施加于磁阻效应元件40的磁场相对于灵敏度轴的角度，均能够输出线形性良好的信号。因此，本实施方式的磁传感器1作为用于在XY平面内可施加360°磁场的环境中使用的用途即电子罗盘中检测方位的传感器是特别有用的。
以上说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的方式，不是为了限定本发明而记载的方式。因此，上述实施方式中公开的各要素还包含属于本发明的技术范围内的所有的设计变更及均等物。另外，上述实施方式中公开的各要素的尺寸及设计等为示例，不限定于此。
【实施例】
以下，举出实施例等来更详细地说明本发明，但本发明不被下述的实施例等作任何限定。
[试验例1]
在具备包含磁阻效应元件40(参照图3)的磁检测部2(参照图2A)的、具有图1所示的结构的磁传感器1中，通过模拟求取施加与磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)平行的磁场时的从磁检测部2输出的信号S。将结果在图5中示出。此外，在图5所示的图表中，横轴为施加于磁阻效应元件40的标准化的磁场强度(Standardized Magnetic Field)，纵轴为磁阻效应元件40的输出(Vout)及三次谐波成分引起的失真误差(Delta)。其结果，该信号S不包含三次谐波成分引起的失真误差(Delta＝0)，呈现良好的线形性(参照图5)。
[试验例2]
在试验例1的磁传感器1中，通过模拟求取施加相对于磁阻效应元件40的灵敏度轴(X轴)以45°交叉的磁场时的从磁检测部2输出的信号S。将结果在图6中示出。此外，在图6所示的图表中，横轴为施加于磁阻效应元件40的标准化的磁场强度(Standardized MagneticField)，纵轴为磁阻效应元件40的输出(Vout)及三次谐波成分引起的失真误差(Delta)。其结果，该信号S包含三次谐波成分引起的失真误差，与试验例1中求取的信号S相比，线形性恶化(参照图6)。
[试验例3]
求取能够将试验例2中求取的信号S中所含的失真误差降低至一半的校正系数(校正值)，使用上述数学式(1)，对试验例1中求取的信号S进行校正，求取校正信号S’。同样，对试验例2中求取的信号S进行校正，求取校正信号S’。将结果在图7及图8中示出。此外，在图7及图8所示的图表中，横轴为施加于磁阻效应元件40的标准化的磁场强度(StandardizedMagnetic Field)，纵轴为磁阻效应元件40的输出(Vout)及三次谐波成分引起的失真误差(Delta)。
其结果，校正了试验例1中求取的信号S而得的校正信号S’包含三次谐波成分引起的失真误差，校正了试验例2中求取的信号S而得的校正信号S’包含三次谐波成分引起的失真误差(参照图7)。但是，校正了试验例2中求取的信号S而得的校正信号S’呈现比试验例2中求取的信号S良好的线形性(参照图8)。
求取试验例1中求取的信号S所含的失真误差Er1的最大值MAXEr1(＝0)及试验例2中求取的信号S所含的失真误差Er2的最大值MAXEr2的差分(MAXEr1－MAXEr2)的绝对值ABS、和校正了试验例1中求取的信号S而得的校正信号S’所含的失真误差Er1’的最大值MAXEr1’及校正了试验例2中求取的信号S而得的校正信号S’所含的失真误差Er2’的最大值MAXEr2’的差分(MAXEr1’－MAXEr2’)的绝对值ABS’，比较两者。其结果，绝对值ABS’为绝对值ABS的0.003％。根据其结果判明，通过使用对磁阻效应元件40施加倾斜磁场、优选相对于灵敏度轴(X轴)以45°倾斜交叉的倾斜磁场时能够降低从磁检测部2输出的信号S所含的失真误差的校正值(校正系数a)，来校正该信号，不管施加于磁阻效应元件40的磁场相对于灵敏度轴的角度，均能够使来自磁传感器1的输出信号的线形性良好。
附图标记说明
1…磁传感器
2…磁检测部
2A…第一磁检测部
2B…第二磁检测部
21…第一元件部
22…第二元件部
23…第三元件部
24…第四元件部
3…信号处理部
32…运算部
40…磁阻效应元件
42…磁化固定层
44…自由层

Claims (8)

1.一种磁传感器，其特征在于，包括：
磁检测部，其通过磁场的施加而输出信号；和
信号校正部，其校正从所述磁检测部输出的所述信号，
所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，
所述信号校正部，使用在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时可降低从所述磁检测部输出的信号所含的失真误差的校正值，来校正所述信号，生成校正信号。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁检测部包含在第一轴上具有所述灵敏度轴的所述磁阻效应元件。
3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件包含第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件，
所述第一磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第一轴平行，
所述第二磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第二轴平行，
所述第一轴和所述第二轴彼此正交，
所述交叉方向是相对于所述第一轴和所述第二轴双方倾斜地交叉的方向。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述信号校正部将作为所述校正值的所述失真误差的反失真与所述信号相加。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述信号校正部通过下述的数学式(1)校正所述信号，生成所述校正信号，
V’＝V十V3×a…(1)，
在所述数学式(1)中，V表示从所述磁检测部输出的所述信号，V’表示所述校正信号，a表示校正系数。
6.一种电控制装置，其特征在于，
包括权利要求1～3中任一项所述的磁传感器。
7.一种校正方法，在包括磁检测部的磁传感器中校正从所述磁检测部输出的信号，其中，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，通过所述磁阻效应元件被施加磁场而输出信号，该校正方法的特征在于，包含：
获取从所述磁检测部输出的所述信号的工序；和
校正所述工序中所获取的所述信号，以使得在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时降低所述信号所含的失真误差的工序。
8.一种磁传感器的制造方法，该磁传感器包括磁检测部和信号校正部，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，通过所述磁阻效应元件被施加磁场而输出信号，所述信号校正部校正从所述磁检测部输出的所述信号，该磁传感器的制造方法的特征在于，包含：
对所述磁检测部施加与所述磁阻效应元件的所述灵敏度轴交叉的方向的试验用磁场的工序；和
基于与所述试验用磁场的施加对应地从所述磁检测部输出的试验用信号，求取可降低所述试验用信号所含的失真误差的校正值的工序。
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