JP2004069655A - 磁気センサのオフセット調整方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】新規な方法にて、磁性体等の磁気発生源によるセンサ出力のオフセットを調整することができる磁気センサを提供すること。
【解決手段】仮配置した際に、MR素子3,4に印加される理想的な磁気ベクトルBが、磁性体等の磁気発生源によって磁気ベクトルB1のようにずれていた場合、オフセット特性検出工程にて、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を検出する方法と同様の方法を用いて、この磁気ベクトルB1と理想的な磁気ベクトルBとの差分B2を検出する。そして、磁気センサを配置位置から一旦移動させた後に、オフセット特性調整工程にて、移動させた磁気センサ若しくは別の磁気センサの磁気ベクトルBを差分B2だけずらしておき、磁気センサを所定の配置位置に再び配置する。
【選択図】 図1
【解決手段】仮配置した際に、MR素子3,4に印加される理想的な磁気ベクトルBが、磁性体等の磁気発生源によって磁気ベクトルB1のようにずれていた場合、オフセット特性検出工程にて、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を検出する方法と同様の方法を用いて、この磁気ベクトルB1と理想的な磁気ベクトルBとの差分B2を検出する。そして、磁気センサを配置位置から一旦移動させた後に、オフセット特性調整工程にて、移動させた磁気センサ若しくは別の磁気センサの磁気ベクトルBを差分B2だけずらしておき、磁気センサを所定の配置位置に再び配置する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、この発明は半導体磁気センサ、特に、磁気抵抗素子を用いた磁気センサに係り、詳しくは、センサ出力のオフセットを調整する技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、特開平3−195970号公報等に開示されているように、磁気抵抗素子を利用したギヤ近接方式の回転センサが知られている。
【0003】
このセンサは、図4に示されるように、基板50に磁気抵抗素子51,52が蒸着され、この基板50がバイアス磁石53の着磁面53aに垂直に取り付けられている。この基板50が磁性体よりなるギヤ54に対向配置され、バイアス磁石53からギヤ54に向けてバイアス磁界を発生させる。
【0004】
そして、ギヤ54の回転に伴いバイアス磁界の変化(磁気ベクトルBの向きの変化)を抵抗変化として検出する。つまり、ギヤ54における1つの歯55が基板50の前方を通過する度に磁気ベクトルBの向きが変化し、それを電気信号として取り出す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、本来、ギヤ54の歯55(山/谷)の通過により磁気ベクトルBの向きが変化することにより素子51,52の中点αでの電圧が変化し、比較器56にて基準電圧Vref との比較にて2値化信号を得るものであるが、センサ配置時にセンサの近傍に磁性体等の磁気発生源が存在すると、この磁気発生源の影響を受けて磁気ベクトルBや信号オフセット等が変化してしまう。
【0006】
このために、磁性体等の磁気発生源の影響により発生する磁気抵抗素子出力のオフセット対策として、CMOSを用いた自動補正回路、およびピーク・ボトムホールド回路等、複雑な回路方式を用いてオフセットを許容していた。
【0007】
しかしながら、この方式ではバイポーラチップの他に、処理回路用CMOSチップが必要であり、小型化が困難であるという問題が生じる。
【0008】
そこで、本発明の目的は、上記問題に鑑み、新規な方法にて、磁性体等の磁気発生源によるセンサ出力のオフセットを調整することができる磁気センサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の磁気センサは、基板の上に磁気抵抗素子を配置するとともに基板の後方にバイアス磁石を配置し、バイアス磁石によるバイアス磁界内に磁気抵抗素子を位置させ、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を磁気抵抗素子にて検出するようにした磁気センサのオフセット調整方法において、予め磁気センサを所定の配置位置に配置し、被検出対象以外の磁気発生源によって磁気抵抗素子に発生するオフセット特性の誤差を検出しておき、この検出した誤差分だけ磁気抵抗素子のオフセット特性をずらして磁気センサを配置位置に再び配置することで、磁気抵抗素子に対するオフセット特性を補正するようにしたことを特徴としている。
【0010】
請求項1に記載の発明によれば、磁気センサを配置した際に、磁気センサの近傍に磁気発生源が存在すると磁気抵抗素子のオフセット特性は変化してしまうが、予めオフセット特性の誤差だけ磁気抵抗素子のオフセット特性をずらして配置したことにより、磁気抵抗素子のオフセット特性を得ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態を、図面に従って説明する。図1には、本発明の一実施形態に係る磁気センサの平面図を示し、図2には、磁気センサの電気的構成を示す図である。尚、本発明の磁気センサは車載用回転センサとして用いられるものであって、具体的には、カム角センサ、クランク角センサ、車速センサ、自動変速機に組み込まれる回転センサ、車輪速センサ等に使用されるものである。
【0012】
まず、図1に示されるように、センサハウジング1の内部には基板2が配置されており、この基板2の上には、磁気抵抗素子(以下、MR素子という)3,4が配置されている。尚、MR素子3,4の材料としては、Ni−Co系やNi−Fe系を挙げることができ、蒸着法にて基板2上に堆積しパターニングしたものである。また、MR素子3,4は、その表面を保護膜(図示せず)にて覆われている。
【0013】
MR素子3,4は帯状をなしており、MR素子3の一端が接地されるとともに、他端がMR素子4の一端と接続され、MR素子4の他端が電源16と接続されている。このようにして、MR素子3,4は電源16とグランド(GND)間に直列にブリッジ接続されており、2つのMR素子3,4による直列回路に所定電圧Vrを印加したときの両素子間の中点αでの電圧がセンシング信号として取り出される。
【0014】
一方、基板2の後方において、基板2から離間してバイアス磁石5が配置されており、バイアス磁石5はN極に着磁されたN極面6とS極に着磁されたS極面7を有し、N極面6が基板2側を向いている。そして、このバイアス磁石5のN極面6にてMR素子3,4に向く磁界(磁気ベクトルBbias)が形成されており、このバイアス磁石5によるバイアス磁界内にMR素子3,4が位置している。
【0015】
また、図2に示されるように、センサハウジング1は、磁性体よりなるギヤ8に対向して設けられている。詳しくは、MR素子3,4がギヤ8の外周の歯9と所定の間隔をおいて配設されている。
【0016】
このギヤ8は回転軸(エンジンのクランクシャフト等)に固定され、エンジンの駆動に伴うクランクシャフト等の回転に同期して回転する。そして、被検出対象であるギヤ8の回転に伴う歯9(山と谷)の通過によってバイアス磁界(磁気ベクトル)Bの向きが変化する。このバイアス磁界Bの向きが変化すると、MR素子3,4の抵抗値も変化する。その結果、中点αの電圧も変化する。
【0017】
図2において、中点αの電圧がオペアンプ10にて増幅され、比較器11にて基準電圧Vrefと比較され、その大小関係にて比較器11から2値化された信号が送出される。この2値化信号の周期がギヤ8の回転速度に対応する。よって、この2値化信号の周期からギヤ8の回転速度が求められる。具体的には、2値化信号(パルス信号)の周期の測定、あるいは、所定時間当たりのパルス数の計数にてギヤ8の回転速度が求められる。このように、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化をMR素子3,4にて検出することができる。
【0018】
ここで、本来、ギヤ8の歯9(山と谷)の通過により磁気ベクトルBの向きが変化することにより中点αの電圧が変化し回転速度を検出することができるわけであるが、センサ配置時にセンサの近傍に磁性体等の磁気発生源が存在すると、この磁気発生源の影響を受けて磁気ベクトルBやオフセット電圧等が変化してしまう。
【0019】
そこで、本実施形態においては、予めMR素子3,4のオフセット特性をずらして配置することで、MR素子3,4に対するオフセット特性を補正するようにしている。
【0020】
詳しくは、本発明におけるMR素子3,4のオフセット調整手順を示す図3を用いて説明する。
【0021】
まず、磁気センサを所定の配置位置に配置する(仮配置工程)。
【0022】
次に、上記仮配置した際に、磁性体等の磁気発生源によってMR素子3,4に発生するオフセット特性の誤差を検出する(オフセット特性検出工程)。
【0023】
次に、上記オフセット特性検出工程にて検出した誤差分だけ、MR素子3,4のオフセット特性をずらす(オフセット特性調整工程)。
【0024】
最後に、磁気センサを再び配置する(本配置工程)。
【0025】
即ち、例えば磁気ベクトルBのオフセット調整手順について説明すると、図1に示されるように、上記仮配置した際に、MR素子3,4に印加される理想的な磁気ベクトルBが、磁性体等の磁気発生源によって磁気ベクトルB1のようにずれていた場合、上記オフセット特性検出工程にて、上記被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を検出する方法と同様の方法を用いて、この磁気ベクトルB1と理想的な磁気ベクトルBとの差分B2を検出する。そして、磁気センサを配置位置から一旦移動させた後に、上記オフセット特性調整工程にて、移動させた磁気センサ若しくは別の磁気センサの磁気ベクトルBを差分B2だけずらしておき、磁気センサを所定の配置位置に再び配置する。
【0026】
その結果、再び配置された磁気センサの磁気ベクトルはB1となっており、この状態で磁性体等の磁気発生源の影響を受けると、磁気ベクトルは差分B2だけずれて磁気ベクトルBと変化するため、本来欲しい理想的な磁気ベクトルを得ることができる。
【0027】
このように、予めMR素子3,4のオフセット特性をずらして配置することにより、磁性体等の磁気発生源によって生じるセンサ出力のオフセットを調整することができる。
【0028】
尚、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、様々な態様に適用可能である。
【0029】
例えば、上記実施形態では、MR素子3,4の配置形状をハの字形状としたが、これに限られるものではなく、MR素子の配置形状はハの字形状でなくてもよい。
【0030】
また、上記実施形態では、オフセット特性の調整手順として磁気ベクトルBを用いて説明したが、これに限られるものではなく、信号オフセットや信号しきい値等のオフセット特性においても上記調整手順を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における磁気回転センサの平面図を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態における磁気回転センサの電気的構成を示す図である。
【図3】本発明における磁気抵抗素子のオフセットを調整する手順を示すフロー図である。
【図4】従来技術における磁気回転センサの平面図を示す図である。
【符号の説明】
1…センサハウジング、
2…基板、
3,4…MR素子、
5…バイアス磁石、
6…N極面、
7…S極面、
8…ギア、
9…歯、
10…オペアンプ、
11…比較器。
【発明の属する技術分野】
本発明は、この発明は半導体磁気センサ、特に、磁気抵抗素子を用いた磁気センサに係り、詳しくは、センサ出力のオフセットを調整する技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、特開平3−195970号公報等に開示されているように、磁気抵抗素子を利用したギヤ近接方式の回転センサが知られている。
【0003】
このセンサは、図4に示されるように、基板50に磁気抵抗素子51,52が蒸着され、この基板50がバイアス磁石53の着磁面53aに垂直に取り付けられている。この基板50が磁性体よりなるギヤ54に対向配置され、バイアス磁石53からギヤ54に向けてバイアス磁界を発生させる。
【0004】
そして、ギヤ54の回転に伴いバイアス磁界の変化(磁気ベクトルBの向きの変化)を抵抗変化として検出する。つまり、ギヤ54における1つの歯55が基板50の前方を通過する度に磁気ベクトルBの向きが変化し、それを電気信号として取り出す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、本来、ギヤ54の歯55(山/谷)の通過により磁気ベクトルBの向きが変化することにより素子51,52の中点αでの電圧が変化し、比較器56にて基準電圧Vref との比較にて2値化信号を得るものであるが、センサ配置時にセンサの近傍に磁性体等の磁気発生源が存在すると、この磁気発生源の影響を受けて磁気ベクトルBや信号オフセット等が変化してしまう。
【0006】
このために、磁性体等の磁気発生源の影響により発生する磁気抵抗素子出力のオフセット対策として、CMOSを用いた自動補正回路、およびピーク・ボトムホールド回路等、複雑な回路方式を用いてオフセットを許容していた。
【0007】
しかしながら、この方式ではバイポーラチップの他に、処理回路用CMOSチップが必要であり、小型化が困難であるという問題が生じる。
【0008】
そこで、本発明の目的は、上記問題に鑑み、新規な方法にて、磁性体等の磁気発生源によるセンサ出力のオフセットを調整することができる磁気センサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の磁気センサは、基板の上に磁気抵抗素子を配置するとともに基板の後方にバイアス磁石を配置し、バイアス磁石によるバイアス磁界内に磁気抵抗素子を位置させ、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を磁気抵抗素子にて検出するようにした磁気センサのオフセット調整方法において、予め磁気センサを所定の配置位置に配置し、被検出対象以外の磁気発生源によって磁気抵抗素子に発生するオフセット特性の誤差を検出しておき、この検出した誤差分だけ磁気抵抗素子のオフセット特性をずらして磁気センサを配置位置に再び配置することで、磁気抵抗素子に対するオフセット特性を補正するようにしたことを特徴としている。
【0010】
請求項1に記載の発明によれば、磁気センサを配置した際に、磁気センサの近傍に磁気発生源が存在すると磁気抵抗素子のオフセット特性は変化してしまうが、予めオフセット特性の誤差だけ磁気抵抗素子のオフセット特性をずらして配置したことにより、磁気抵抗素子のオフセット特性を得ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態を、図面に従って説明する。図1には、本発明の一実施形態に係る磁気センサの平面図を示し、図2には、磁気センサの電気的構成を示す図である。尚、本発明の磁気センサは車載用回転センサとして用いられるものであって、具体的には、カム角センサ、クランク角センサ、車速センサ、自動変速機に組み込まれる回転センサ、車輪速センサ等に使用されるものである。
【0012】
まず、図1に示されるように、センサハウジング1の内部には基板2が配置されており、この基板2の上には、磁気抵抗素子(以下、MR素子という)3,4が配置されている。尚、MR素子3,4の材料としては、Ni−Co系やNi−Fe系を挙げることができ、蒸着法にて基板2上に堆積しパターニングしたものである。また、MR素子3,4は、その表面を保護膜(図示せず)にて覆われている。
【0013】
MR素子3,4は帯状をなしており、MR素子3の一端が接地されるとともに、他端がMR素子4の一端と接続され、MR素子4の他端が電源16と接続されている。このようにして、MR素子3,4は電源16とグランド(GND)間に直列にブリッジ接続されており、2つのMR素子3,4による直列回路に所定電圧Vrを印加したときの両素子間の中点αでの電圧がセンシング信号として取り出される。
【0014】
一方、基板2の後方において、基板2から離間してバイアス磁石5が配置されており、バイアス磁石5はN極に着磁されたN極面6とS極に着磁されたS極面7を有し、N極面6が基板2側を向いている。そして、このバイアス磁石5のN極面6にてMR素子3,4に向く磁界(磁気ベクトルBbias)が形成されており、このバイアス磁石5によるバイアス磁界内にMR素子3,4が位置している。
【0015】
また、図2に示されるように、センサハウジング1は、磁性体よりなるギヤ8に対向して設けられている。詳しくは、MR素子3,4がギヤ8の外周の歯9と所定の間隔をおいて配設されている。
【0016】
このギヤ8は回転軸(エンジンのクランクシャフト等)に固定され、エンジンの駆動に伴うクランクシャフト等の回転に同期して回転する。そして、被検出対象であるギヤ8の回転に伴う歯9(山と谷)の通過によってバイアス磁界(磁気ベクトル)Bの向きが変化する。このバイアス磁界Bの向きが変化すると、MR素子3,4の抵抗値も変化する。その結果、中点αの電圧も変化する。
【0017】
図2において、中点αの電圧がオペアンプ10にて増幅され、比較器11にて基準電圧Vrefと比較され、その大小関係にて比較器11から2値化された信号が送出される。この2値化信号の周期がギヤ8の回転速度に対応する。よって、この2値化信号の周期からギヤ8の回転速度が求められる。具体的には、2値化信号(パルス信号)の周期の測定、あるいは、所定時間当たりのパルス数の計数にてギヤ8の回転速度が求められる。このように、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化をMR素子3,4にて検出することができる。
【0018】
ここで、本来、ギヤ8の歯9(山と谷)の通過により磁気ベクトルBの向きが変化することにより中点αの電圧が変化し回転速度を検出することができるわけであるが、センサ配置時にセンサの近傍に磁性体等の磁気発生源が存在すると、この磁気発生源の影響を受けて磁気ベクトルBやオフセット電圧等が変化してしまう。
【0019】
そこで、本実施形態においては、予めMR素子3,4のオフセット特性をずらして配置することで、MR素子3,4に対するオフセット特性を補正するようにしている。
【0020】
詳しくは、本発明におけるMR素子3,4のオフセット調整手順を示す図3を用いて説明する。
【0021】
まず、磁気センサを所定の配置位置に配置する(仮配置工程)。
【0022】
次に、上記仮配置した際に、磁性体等の磁気発生源によってMR素子3,4に発生するオフセット特性の誤差を検出する(オフセット特性検出工程)。
【0023】
次に、上記オフセット特性検出工程にて検出した誤差分だけ、MR素子3,4のオフセット特性をずらす(オフセット特性調整工程)。
【0024】
最後に、磁気センサを再び配置する(本配置工程)。
【0025】
即ち、例えば磁気ベクトルBのオフセット調整手順について説明すると、図1に示されるように、上記仮配置した際に、MR素子3,4に印加される理想的な磁気ベクトルBが、磁性体等の磁気発生源によって磁気ベクトルB1のようにずれていた場合、上記オフセット特性検出工程にて、上記被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を検出する方法と同様の方法を用いて、この磁気ベクトルB1と理想的な磁気ベクトルBとの差分B2を検出する。そして、磁気センサを配置位置から一旦移動させた後に、上記オフセット特性調整工程にて、移動させた磁気センサ若しくは別の磁気センサの磁気ベクトルBを差分B2だけずらしておき、磁気センサを所定の配置位置に再び配置する。
【0026】
その結果、再び配置された磁気センサの磁気ベクトルはB1となっており、この状態で磁性体等の磁気発生源の影響を受けると、磁気ベクトルは差分B2だけずれて磁気ベクトルBと変化するため、本来欲しい理想的な磁気ベクトルを得ることができる。
【0027】
このように、予めMR素子3,4のオフセット特性をずらして配置することにより、磁性体等の磁気発生源によって生じるセンサ出力のオフセットを調整することができる。
【0028】
尚、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、様々な態様に適用可能である。
【0029】
例えば、上記実施形態では、MR素子3,4の配置形状をハの字形状としたが、これに限られるものではなく、MR素子の配置形状はハの字形状でなくてもよい。
【0030】
また、上記実施形態では、オフセット特性の調整手順として磁気ベクトルBを用いて説明したが、これに限られるものではなく、信号オフセットや信号しきい値等のオフセット特性においても上記調整手順を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態における磁気回転センサの平面図を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態における磁気回転センサの電気的構成を示す図である。
【図3】本発明における磁気抵抗素子のオフセットを調整する手順を示すフロー図である。
【図4】従来技術における磁気回転センサの平面図を示す図である。
【符号の説明】
1…センサハウジング、
2…基板、
3,4…MR素子、
5…バイアス磁石、
6…N極面、
7…S極面、
8…ギア、
9…歯、
10…オペアンプ、
11…比較器。
Claims (1)
- 基板の上に磁気抵抗素子を配置するとともに当該基板の後方にバイアス磁石を配置し、前記バイアス磁石によるバイアス磁界内に前記磁気抵抗素子を位置させ、被検出対象の運動に伴うバイアス磁界の向きの変化を前記磁気抵抗素子にて検出するようにした磁気センサのオフセット調整方法において、
予め前記磁気センサを所定の配置位置に配置し、前記被検出対象以外の磁気発生源によって前記磁気抵抗素子に発生するオフセット特性の誤差を検出しておき、この検出した誤差分だけ前記磁気抵抗素子のオフセット特性をずらして前記磁気センサを前記配置位置に再び配置することで、前記磁気抵抗素子に対するオフセット特性を補正するようにしたことを特徴とする磁気センサのオフセット調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002233102A JP2004069655A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 磁気センサのオフセット調整方法 |
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ID=32018321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2002233102A Pending JP2004069655A (ja) | 2002-08-09 | 2002-08-09 | 磁気センサのオフセット調整方法 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2004069655A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006047113A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Denso Corp | 回転検出装置の製造方法 |
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-
2002
- 2002-08-09 JP JP2002233102A patent/JP2004069655A/ja active Pending
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US10852163B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-12-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Rotation angle detection device and rotation angle detection method |
CN113495231A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-10-12 | 深圳市柯雷科技开发有限公司 | 无零偏温漂直流磁场测量系统和方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040909 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061106 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |