JPH04309801A - 回転角度センサ - Google Patents
回転角度センサInfo
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- JPH04309801A JPH04309801A JP10195391A JP10195391A JPH04309801A JP H04309801 A JPH04309801 A JP H04309801A JP 10195391 A JP10195391 A JP 10195391A JP 10195391 A JP10195391 A JP 10195391A JP H04309801 A JPH04309801 A JP H04309801A
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シャフトの回転角度を
検出する回転角度センサに関し、特に磁気抵抗素子を用
いた無接触型の回転角度センサに係る。
検出する回転角度センサに関し、特に磁気抵抗素子を用
いた無接触型の回転角度センサに係る。
【0002】
【従来の技術】近時、回転角度あるいは回転位置を検出
するセンサに関し、無接触機構を構成し、あるいはシャ
フトの慣性損失を小さくする等の要請から磁気センサの
利用が注目されている。この磁気センサには磁気抵抗素
子が用いられ、素子の板面がシャフトの先端に装着され
た永久磁石に対向するように配置されている。
するセンサに関し、無接触機構を構成し、あるいはシャ
フトの慣性損失を小さくする等の要請から磁気センサの
利用が注目されている。この磁気センサには磁気抵抗素
子が用いられ、素子の板面がシャフトの先端に装着され
た永久磁石に対向するように配置されている。
【0003】上記磁気抵抗素子としては半導体磁気抵抗
素子と強磁性磁気抵抗素子が知られている。前者は半導
体の電気抵抗が磁界中で変化する性質を利用したもので
ある。後者は磁界中の強磁性体に関し磁化方向と電流方
向のなす角度によって抵抗が異方的に変化する性質を利
用したものである。これは異方性磁気抵抗効果と呼ばれ
、磁界の大きさによる負性磁気抵抗効果と区別される。 即ち、通常の強磁性体にあっては、異方性磁気抵抗効果
により電流と磁化方向が平行になった時に抵抗が最大と
なり、直交した時に最小となる。而して、この効果を利
用すべく基板の板面に薄膜の強磁性金属が折線状に付着
されて強磁性磁気抵抗素子が構成され、例えば特開昭6
2−237302号公報に記載のように、強磁性磁気抵
抗素子がシャフトの端面とこの端面の対向位置の何れか
一方に設けられ、他方に永久磁石が設けられた回転位置
検出装置が知られている。
素子と強磁性磁気抵抗素子が知られている。前者は半導
体の電気抵抗が磁界中で変化する性質を利用したもので
ある。後者は磁界中の強磁性体に関し磁化方向と電流方
向のなす角度によって抵抗が異方的に変化する性質を利
用したものである。これは異方性磁気抵抗効果と呼ばれ
、磁界の大きさによる負性磁気抵抗効果と区別される。 即ち、通常の強磁性体にあっては、異方性磁気抵抗効果
により電流と磁化方向が平行になった時に抵抗が最大と
なり、直交した時に最小となる。而して、この効果を利
用すべく基板の板面に薄膜の強磁性金属が折線状に付着
されて強磁性磁気抵抗素子が構成され、例えば特開昭6
2−237302号公報に記載のように、強磁性磁気抵
抗素子がシャフトの端面とこの端面の対向位置の何れか
一方に設けられ、他方に永久磁石が設けられた回転位置
検出装置が知られている。
【0004】更に、バイアスマグネットを備えた検出素
子が知られており、強磁性磁気抵抗素子にバイアス磁界
を加えることにより良好なリニアリティを確保すること
ができる。例えば、実開昭63−193866号公報に
は、センサ部に作用する被検出体からの磁界に対し所定
の方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段
を設け、被検出体からの磁界とバイアス磁界との合成磁
界の方向変化を利用して被検出体の変位方向を検出する
磁気センサが提案されている。
子が知られており、強磁性磁気抵抗素子にバイアス磁界
を加えることにより良好なリニアリティを確保すること
ができる。例えば、実開昭63−193866号公報に
は、センサ部に作用する被検出体からの磁界に対し所定
の方向にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加手段
を設け、被検出体からの磁界とバイアス磁界との合成磁
界の方向変化を利用して被検出体の変位方向を検出する
磁気センサが提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記公報に記載の変位
検出手段としての磁気センサにおいては、バイアス磁界
印加手段たるバイアスマグネットを所定位置に配置する
ことが困難である。磁気抵抗素子に対する所定の取付位
置に対し、ずれた状態でバイアスマグネットが固定され
ると、所期の出力特性が得られなくなる。
検出手段としての磁気センサにおいては、バイアス磁界
印加手段たるバイアスマグネットを所定位置に配置する
ことが困難である。磁気抵抗素子に対する所定の取付位
置に対し、ずれた状態でバイアスマグネットが固定され
ると、所期の出力特性が得られなくなる。
【0006】そこで、本発明は磁気抵抗素子を有する無
接触型の回転角度センサにおいて、バイアス磁界を付与
する磁石部材を確実に所定の位置に配置し安定した出力
特性を確保することを目的とする。
接触型の回転角度センサにおいて、バイアス磁界を付与
する磁石部材を確実に所定の位置に配置し安定した出力
特性を確保することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は基板の板面に磁気抵抗素子を付着した検出
素子を備え、該検出素子に対するシャフトの回転に伴う
磁束変化により該シャフトの回転角度を検出する回転角
度センサにおいて、前記シャフトの端部に装着し少くと
も前記磁気抵抗素子を含む磁界を形成する第1の磁石部
材と、前記第1の磁石部材と対向する位置に配置し前記
基板に嵌合して固定した第2の磁石部材とを備え、該第
2の磁石部材により前記磁気抵抗素子に対しバイアス磁
界を付与するようにしたものである。
め、本発明は基板の板面に磁気抵抗素子を付着した検出
素子を備え、該検出素子に対するシャフトの回転に伴う
磁束変化により該シャフトの回転角度を検出する回転角
度センサにおいて、前記シャフトの端部に装着し少くと
も前記磁気抵抗素子を含む磁界を形成する第1の磁石部
材と、前記第1の磁石部材と対向する位置に配置し前記
基板に嵌合して固定した第2の磁石部材とを備え、該第
2の磁石部材により前記磁気抵抗素子に対しバイアス磁
界を付与するようにしたものである。
【0008】前記回転角度センサにおいて、前記第2の
磁石部材を略コ字状に形成し、前記第2の磁石部材の対
向する腕部を前記基板の側面に嵌合して固定するように
するとよい。
磁石部材を略コ字状に形成し、前記第2の磁石部材の対
向する腕部を前記基板の側面に嵌合して固定するように
するとよい。
【0009】
【作用】上記の構成になる回転角度センサにおいては、
シャフトが回転すると、第1の磁石部材が検出素子に対
して相対的に回転する。この相対的な回転に応じ、検出
素子の磁気抵抗素子に対してこれを含む平行磁束の磁界
が変化するので抵抗値が変化し、検出素子からシャフト
の回転に応じた信号が出力される。このとき、磁気抵抗
素子には第2の磁石部材によりバイアス磁界が付与され
ているので、第1の磁石部材の磁界との合成磁界が形成
され、シャフトの回転角度に対する検出素子の出力特性
は、広範囲のリニアリティを有するものとなる。
シャフトが回転すると、第1の磁石部材が検出素子に対
して相対的に回転する。この相対的な回転に応じ、検出
素子の磁気抵抗素子に対してこれを含む平行磁束の磁界
が変化するので抵抗値が変化し、検出素子からシャフト
の回転に応じた信号が出力される。このとき、磁気抵抗
素子には第2の磁石部材によりバイアス磁界が付与され
ているので、第1の磁石部材の磁界との合成磁界が形成
され、シャフトの回転角度に対する検出素子の出力特性
は、広範囲のリニアリティを有するものとなる。
【0010】バイアス磁界を付与する上記の第2の磁石
部材は、例えば略コ字状に形成され、磁気抵抗素子が付
着された基板に嵌合固定されているので、第2の磁石部
材が確実に所定位置に取付けられ、使用時にも変動する
ことはない。従って、磁気抵抗素子に対するバイアス磁
界が取付時あるいは使用時に変動することはなく、常に
安定した出力特性となる。
部材は、例えば略コ字状に形成され、磁気抵抗素子が付
着された基板に嵌合固定されているので、第2の磁石部
材が確実に所定位置に取付けられ、使用時にも変動する
ことはない。従って、磁気抵抗素子に対するバイアス磁
界が取付時あるいは使用時に変動することはなく、常に
安定した出力特性となる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の回転角度センサを内燃機関の
スロットルポジションセンサに適用した実施例について
図面を参照して説明する。電子制御燃料噴射装置を搭載
した内燃機関においては、スロットルポジションセンサ
が装着され、その出力信号が燃料噴射制御等に供されて
いる。このスロットルポジションセンサはスロットルバ
ルブシャフトに連結され、通常、スロットルバルブ開度
(以下、スロットル開度という)に応じて変化するスロ
ットル開度信号と、アイドル域か出力域かによりオンオ
フするアイドル信号が出力される。このスロットルポジ
ションセンサとして、無接触型の回転角度センサが用い
られている。
スロットルポジションセンサに適用した実施例について
図面を参照して説明する。電子制御燃料噴射装置を搭載
した内燃機関においては、スロットルポジションセンサ
が装着され、その出力信号が燃料噴射制御等に供されて
いる。このスロットルポジションセンサはスロットルバ
ルブシャフトに連結され、通常、スロットルバルブ開度
(以下、スロットル開度という)に応じて変化するスロ
ットル開度信号と、アイドル域か出力域かによりオンオ
フするアイドル信号が出力される。このスロットルポジ
ションセンサとして、無接触型の回転角度センサが用い
られている。
【0012】図1は本発明の一実施例に係るスロットル
ポジションセンサ1を示すもので、図示しないスロット
ルボデーに装着され、シャフト2が図示しないスロット
ルシャフトに連動して回動するように支持されている。 即ち、スロットルポジションセンサ1は隣接する二つの
凹部3a,3bを有する合成樹脂製のハウジング3を備
え、これら凹部3a,3b間の隔壁3cに、軸受4を介
してシャフト2が回動自在に支持されている。
ポジションセンサ1を示すもので、図示しないスロット
ルボデーに装着され、シャフト2が図示しないスロット
ルシャフトに連動して回動するように支持されている。 即ち、スロットルポジションセンサ1は隣接する二つの
凹部3a,3bを有する合成樹脂製のハウジング3を備
え、これら凹部3a,3b間の隔壁3cに、軸受4を介
してシャフト2が回動自在に支持されている。
【0013】シャフト2の一端にはハウジング3の一方
の凹部3a内に収容されたレバー5が固着されており、
レバー5は図示しないスロットルシャフトに連結されて
いる。ハウジング3とレバー5との間にはリターンスプ
リング6が介装されており、レバー5が所定の初期位置
方向に付勢されている。従って、図示しないスロットル
バルブの開作動に伴い、スロットルシャフトに連動する
レバー5がリターンスプリング6の付勢力に抗して駆動
され、シャフト2が回動するように構成されている。
の凹部3a内に収容されたレバー5が固着されており、
レバー5は図示しないスロットルシャフトに連結されて
いる。ハウジング3とレバー5との間にはリターンスプ
リング6が介装されており、レバー5が所定の初期位置
方向に付勢されている。従って、図示しないスロットル
バルブの開作動に伴い、スロットルシャフトに連動する
レバー5がリターンスプリング6の付勢力に抗して駆動
され、シャフト2が回動するように構成されている。
【0014】シャフト2の他端には本発明にいう第1の
磁石部材たるロータマグネット20が固着され、ハウジ
ング3の他方の凹部3b内に収容されている。ロータマ
グネット20は円板状の永久磁石でシャフト2の先端部
に固着され、シャフト2と一体となって回転する。
磁石部材たるロータマグネット20が固着され、ハウジ
ング3の他方の凹部3b内に収容されている。ロータマ
グネット20は円板状の永久磁石でシャフト2の先端部
に固着され、シャフト2と一体となって回転する。
【0015】そして、ロータマグネット20に対向する
ように磁気センサ10が配設されている。磁気センサ1
0は、略正方形の素子基板11を有し、その板面に帯状
のNi−Co合金等の薄膜強磁性合金から成る強磁性磁
気抵抗素子12(以下、単に磁気抵抗素子12という)
が付着されている。尚、素子基板11の形状は正方形に
限らず、どのような形状であってもよい。
ように磁気センサ10が配設されている。磁気センサ1
0は、略正方形の素子基板11を有し、その板面に帯状
のNi−Co合金等の薄膜強磁性合金から成る強磁性磁
気抵抗素子12(以下、単に磁気抵抗素子12という)
が付着されている。尚、素子基板11の形状は正方形に
限らず、どのような形状であってもよい。
【0016】磁気抵抗素子12は高抵抗化を図るため帯
状の薄膜強磁性合金が折曲され、図4に示すようなパタ
ーン形状に形成されている。磁気抵抗素子12のパター
ンは長手方向が水平な素子を中心とするブロックと長手
方向が垂直な素子を中心とするブロックとが交互に接続
され、四つのブロックが構成されている。そして、各ブ
ロック間の接続点には端子12a乃至12dが形成され
ている。端子12a,12bは所謂電流端子で、端子1
2aは電源Vcに接続され、端子12bは接地されてい
る。端子12c,12dは所謂電圧端子であり、これら
から検出信号が出力される。
状の薄膜強磁性合金が折曲され、図4に示すようなパタ
ーン形状に形成されている。磁気抵抗素子12のパター
ンは長手方向が水平な素子を中心とするブロックと長手
方向が垂直な素子を中心とするブロックとが交互に接続
され、四つのブロックが構成されている。そして、各ブ
ロック間の接続点には端子12a乃至12dが形成され
ている。端子12a,12bは所謂電流端子で、端子1
2aは電源Vcに接続され、端子12bは接地されてい
る。端子12c,12dは所謂電圧端子であり、これら
から検出信号が出力される。
【0017】磁気センサ10はハイブリッドIC基板3
0(以下、単にIC基板30という)に実装され、その
端部には複数のターミナル7が接続されている。ターミ
ナル7はハウジング3内に埋設されており、側方に延出
してハウジング3と一体にコネクタ8が形成されている
。IC基板30はハウジング3の凹部3b内に収容され
、この凹部3bはゴム製のシール部材19を介して合成
樹脂製のカバー9により密閉されている。尚、IC基板
30には磁気センサ10の出力信号を処理する検出回路
素子等が実装されているが、周知であるので説明は省略
する。
0(以下、単にIC基板30という)に実装され、その
端部には複数のターミナル7が接続されている。ターミ
ナル7はハウジング3内に埋設されており、側方に延出
してハウジング3と一体にコネクタ8が形成されている
。IC基板30はハウジング3の凹部3b内に収容され
、この凹部3bはゴム製のシール部材19を介して合成
樹脂製のカバー9により密閉されている。尚、IC基板
30には磁気センサ10の出力信号を処理する検出回路
素子等が実装されているが、周知であるので説明は省略
する。
【0018】磁気センサ10は図2及び図3に拡大して
示したように、IC基板30の一方の面に付着されてお
り、その素子基板11にバイアスマグネット13が嵌合
される。バイアスマグネット13はロータマグネット2
0と同一材料で形成され、夫々N極及びS極に着磁され
た腕部13a,13bを有し略コ字状に形成されている
。そして、これらの腕部13a,13bが素子基板11
の側面に嵌合され、接着等によってIC基板30に接合
される。尚、この後IC基板30全体を合成樹脂により
モールドすることとしてもよい。而して、バイアスマグ
ネット13は磁気抵抗素子12に対して所定位置に固定
され、磁気抵抗素子12にはロータマグネット20とバ
イアスマグネット13の両マグネットの合成磁界が加え
られる。
示したように、IC基板30の一方の面に付着されてお
り、その素子基板11にバイアスマグネット13が嵌合
される。バイアスマグネット13はロータマグネット2
0と同一材料で形成され、夫々N極及びS極に着磁され
た腕部13a,13bを有し略コ字状に形成されている
。そして、これらの腕部13a,13bが素子基板11
の側面に嵌合され、接着等によってIC基板30に接合
される。尚、この後IC基板30全体を合成樹脂により
モールドすることとしてもよい。而して、バイアスマグ
ネット13は磁気抵抗素子12に対して所定位置に固定
され、磁気抵抗素子12にはロータマグネット20とバ
イアスマグネット13の両マグネットの合成磁界が加え
られる。
【0019】以上の構成になる本実施例のスロットルポ
ジションセンサ1において、図示しないスロットルバル
ブに連動して図1に示すレバー5が駆動されシャフト2
が軸受4内で回動する。このシャフト2の回動に伴いロ
ータマグネット20による磁界も回転し、磁気抵抗素子
12に対してこれを含む平行磁束の磁界が変化する。而
して、異方性磁気抵抗効果により磁気抵抗素子12の抵
抗値R1乃至R4が変化し、磁気センサ10からシャフ
ト2の回転に応じた信号が出力される。
ジションセンサ1において、図示しないスロットルバル
ブに連動して図1に示すレバー5が駆動されシャフト2
が軸受4内で回動する。このシャフト2の回動に伴いロ
ータマグネット20による磁界も回転し、磁気抵抗素子
12に対してこれを含む平行磁束の磁界が変化する。而
して、異方性磁気抵抗効果により磁気抵抗素子12の抵
抗値R1乃至R4が変化し、磁気センサ10からシャフ
ト2の回転に応じた信号が出力される。
【0020】そして、バイアスマグネット13によりバ
イアス磁界が形成されているので、上述のようにロータ
マグネット20の磁界との合成磁界が形成され、シャフ
ト2の回転角に対する磁気センサ10の出力特性は、図
5に実線で示すように広範囲のリニアリティを有する特
性となる。
イアス磁界が形成されているので、上述のようにロータ
マグネット20の磁界との合成磁界が形成され、シャフ
ト2の回転角に対する磁気センサ10の出力特性は、図
5に実線で示すように広範囲のリニアリティを有する特
性となる。
【0021】バイアスマグネット13の取付位置にズレ
が生じた場合には、図5に破線で示すような出力特性と
なり所期の出力特性と異なることとなるが、上記実施例
においては、バイアスマグネット13は素子基板11に
嵌合されて固定されるので、磁気抵抗素子12に対して
所定位置に、容易に且つ精度よく配設される。
が生じた場合には、図5に破線で示すような出力特性と
なり所期の出力特性と異なることとなるが、上記実施例
においては、バイアスマグネット13は素子基板11に
嵌合されて固定されるので、磁気抵抗素子12に対して
所定位置に、容易に且つ精度よく配設される。
【0022】上記のようにバイアスマグネット13を磁
気抵抗素子12に対し所定位置に配設するには両者を嵌
合することが適切であるが、以下のように種々の態様が
考えられる。
気抵抗素子12に対し所定位置に配設するには両者を嵌
合することが適切であるが、以下のように種々の態様が
考えられる。
【0023】例えば図6に示した実施例においては、素
子基板11の両側部を立上げて突起11a,11bを設
け、これらの間に磁気抵抗素子12と略同形のバイアス
マグネット13xを嵌合したものである。バイアスマグ
ネット13xの面積を磁気抵抗素子12より大とすべき
であれば、図7のバイアスマグネット13yのように図
3のバイアスマグネット13と同様の平面形状とし、両
側端に予め磁性体14a,14bを付着しておき、これ
らを磁気抵抗素子12に嵌合するように構成することが
できる。更に、これらのバイアスマグネット13,13
x,13yを取付ける際、磁極の方向性を特定する必要
がある場合には、何れか一方の側端を切欠き、溝を形成
し、あるいは塗料を付着することにより容易に識別可能
となる。
子基板11の両側部を立上げて突起11a,11bを設
け、これらの間に磁気抵抗素子12と略同形のバイアス
マグネット13xを嵌合したものである。バイアスマグ
ネット13xの面積を磁気抵抗素子12より大とすべき
であれば、図7のバイアスマグネット13yのように図
3のバイアスマグネット13と同様の平面形状とし、両
側端に予め磁性体14a,14bを付着しておき、これ
らを磁気抵抗素子12に嵌合するように構成することが
できる。更に、これらのバイアスマグネット13,13
x,13yを取付ける際、磁極の方向性を特定する必要
がある場合には、何れか一方の側端を切欠き、溝を形成
し、あるいは塗料を付着することにより容易に識別可能
となる。
【0024】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で以下に記載の効果を奏する。即ち、本発明の回転角度
センサによれば、バイアス磁界を付与する第2の磁石部
材は、磁気抵抗素子が付着された基板に嵌合固定されて
いるので、磁気抵抗素子に対するバイアス磁界が取付時
あるいは使用時に変動することはなく、従って常に安定
した出力特性が得られる。
で以下に記載の効果を奏する。即ち、本発明の回転角度
センサによれば、バイアス磁界を付与する第2の磁石部
材は、磁気抵抗素子が付着された基板に嵌合固定されて
いるので、磁気抵抗素子に対するバイアス磁界が取付時
あるいは使用時に変動することはなく、従って常に安定
した出力特性が得られる。
【0025】例えば第2の磁石部材を略コ字状に形成す
ることにより、その腕部を基板の側面に容易に嵌合する
ことができ、確実に所定位置に配置することができる。
ることにより、その腕部を基板の側面に容易に嵌合する
ことができ、確実に所定位置に配置することができる。
【図1】本発明の回転角度センサの一実施例に係るスロ
ットルポジションセンサの縦断面図である。
ットルポジションセンサの縦断面図である。
【図2】本発明の一実施例におけるIC基板に実装され
た磁気センサ及びバイアスマグネットの拡大横断面図で
ある。
た磁気センサ及びバイアスマグネットの拡大横断面図で
ある。
【図3】本発明の一実施例におけるIC基板に実装され
た磁気センサ及びバイアスマグネットの平面図である。
た磁気センサ及びバイアスマグネットの平面図である。
【図4】本発明の一実施例に係るスロットルポジション
センサに用いられる磁気センサの平面図である。
センサに用いられる磁気センサの平面図である。
【図5】本発明の一実施例における磁気センサの出力特
性図である。
性図である。
【図6】本発明の一実施例におけるバイアスマグネット
の取付構造の他の実施例を示す断面図である。
の取付構造の他の実施例を示す断面図である。
【図7】本発明の一実施例におけるバイアスマグネット
の取付構造の更に他の実施例を示す断面図である。
の取付構造の更に他の実施例を示す断面図である。
1 スロットルポジションセンサ(回転角度センサ)
2 シャフト 3 ハウジング 10 磁気センサ(検出素子) 11 素子基板(基板) 12 磁気抵抗素子 13 バイアスマグネット(第2の磁石部材)13a
,13b 腕部 20 ロータマグネット(第1の磁石部材)30
ハイブリットIC基板
2 シャフト 3 ハウジング 10 磁気センサ(検出素子) 11 素子基板(基板) 12 磁気抵抗素子 13 バイアスマグネット(第2の磁石部材)13a
,13b 腕部 20 ロータマグネット(第1の磁石部材)30
ハイブリットIC基板
Claims (2)
- 【請求項1】 基板の板面に磁気抵抗素子を付着した
検出素子を備え、該検出素子に対するシャフトの回転に
伴う磁束変化により該シャフトの回転角度を検出する回
転角度センサにおいて、前記シャフトの端部に装着し少
くとも前記磁気抵抗素子を含む磁界を形成する第1の磁
石部材と、前記第1の磁石部材と対向する位置に配置し
前記基板に嵌合して固定した第2の磁石部材とを備え、
該第2の磁石部材により前記磁気抵抗素子に対しバイア
ス磁界を付与するようにしたことを特徴とする回転角度
センサ。 - 【請求項2】 前記第2の磁石部材を略コ字状に形成
し、前記第2の磁石部材の対向する腕部を前記基板の側
面に嵌合して固定したことを特徴とする請求項1記載の
回転角度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10195391A JPH04309801A (ja) | 1991-04-06 | 1991-04-06 | 回転角度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10195391A JPH04309801A (ja) | 1991-04-06 | 1991-04-06 | 回転角度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04309801A true JPH04309801A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=14314252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10195391A Pending JPH04309801A (ja) | 1991-04-06 | 1991-04-06 | 回転角度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04309801A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999039157A1 (fr) * | 1998-01-28 | 1999-08-05 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Detecteur magnetoresistant |
JP2009008458A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nikon Corp | 磁気式エンコーダ及びモータ |
JP2010074965A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Tamagawa Seiki Co Ltd | 磁極位置調整構造、これを備えたモータ、および磁極位置調整方法 |
-
1991
- 1991-04-06 JP JP10195391A patent/JPH04309801A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999039157A1 (fr) * | 1998-01-28 | 1999-08-05 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Detecteur magnetoresistant |
US6356074B1 (en) | 1998-01-28 | 2002-03-12 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Magnetoresistive detector with multiple bias magnets for biasing its magnetoresistive elements |
JP2009008458A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nikon Corp | 磁気式エンコーダ及びモータ |
JP2010074965A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Tamagawa Seiki Co Ltd | 磁極位置調整構造、これを備えたモータ、および磁極位置調整方法 |
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