JP3043529B2 - 回転角度センサ - Google Patents
回転角度センサInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シャフトの回転角度を
検出する回転角度センサに関し、特に強磁性磁気抵抗素
子を用いた無接触型の回転角度センサに係る。
検出する回転角度センサに関し、特に強磁性磁気抵抗素
子を用いた無接触型の回転角度センサに係る。
【０００２】
【従来の技術】近時、回転角度あるいは回転位置を検出
するセンサに関し、無接触機構を構成し、あるいはシャ
フトの慣性損失を小さくする等の要請から磁気センサの
利用が注目されている。この磁気センサには磁気抵抗素
子が用いられ、素子の板面がシャフトの先端に装着され
た永久磁石に対向するように配置されている。
するセンサに関し、無接触機構を構成し、あるいはシャ
フトの慣性損失を小さくする等の要請から磁気センサの
利用が注目されている。この磁気センサには磁気抵抗素
子が用いられ、素子の板面がシャフトの先端に装着され
た永久磁石に対向するように配置されている。
【０００３】上記磁気抵抗素子としては半導体磁気抵抗
素子と強磁性磁気抵抗素子が知られている。前者は半導
体の電気抵抗が磁界中で変化する性質を利用したもので
ある。後者は磁界中の強磁性体に関し磁化方向と電流方
向のなす角度によって抵抗が異方的に変化する性質を利
用したものである。これは異方性磁気抵抗効果と呼ば
れ、磁界の大きさによる負性磁気抵抗効果と区別され
る。即ち、通常の強磁性体にあっては、異方性磁気抵抗
効果により電流と磁化方向が平行になった時に抵抗が最
大となり、直交した時に最小となる。而して、この効果
を利用すべく基板の板面に薄膜の強磁性金属が折線状に
付着されて強磁性磁気抵抗素子が構成され、例えば特開
昭６２−２３７３０２号公報に記載のように、強磁性磁
気抵抗素子がシャフトの端面とこの端面の対向位置の何
れか一方に設けられ、他方に永久磁石が設けられた回転
位置検出装置が知られている。
素子と強磁性磁気抵抗素子が知られている。前者は半導
体の電気抵抗が磁界中で変化する性質を利用したもので
ある。後者は磁界中の強磁性体に関し磁化方向と電流方
向のなす角度によって抵抗が異方的に変化する性質を利
用したものである。これは異方性磁気抵抗効果と呼ば
れ、磁界の大きさによる負性磁気抵抗効果と区別され
る。即ち、通常の強磁性体にあっては、異方性磁気抵抗
効果により電流と磁化方向が平行になった時に抵抗が最
大となり、直交した時に最小となる。而して、この効果
を利用すべく基板の板面に薄膜の強磁性金属が折線状に
付着されて強磁性磁気抵抗素子が構成され、例えば特開
昭６２−２３７３０２号公報に記載のように、強磁性磁
気抵抗素子がシャフトの端面とこの端面の対向位置の何
れか一方に設けられ、他方に永久磁石が設けられた回転
位置検出装置が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記公報に記載の磁気
センサに関し、強磁性磁気抵抗素子に対する永久磁石の
位置、即ち両者間の間隙を所定の値に設定する手段は開
示されておらず、実際に製造する場合には、基板の支持
部の公差、シャフト長さの公差、軸受長さの公差、軸受
の支持部の公差等が重畳されることになるので、上記の
間隙を所定の値に設定することは極めて困難でありバラ
ツキが生ずる。このような強磁性磁気抵抗素子と永久磁
石との間の間隙のバラツキは前者に対する磁束密度のバ
ラツキとなり、結局製品の性能のバラツキを惹起する。
センサに関し、強磁性磁気抵抗素子に対する永久磁石の
位置、即ち両者間の間隙を所定の値に設定する手段は開
示されておらず、実際に製造する場合には、基板の支持
部の公差、シャフト長さの公差、軸受長さの公差、軸受
の支持部の公差等が重畳されることになるので、上記の
間隙を所定の値に設定することは極めて困難でありバラ
ツキが生ずる。このような強磁性磁気抵抗素子と永久磁
石との間の間隙のバラツキは前者に対する磁束密度のバ
ラツキとなり、結局製品の性能のバラツキを惹起する。
【０００５】そこで、本発明は強磁性磁気抵抗素子を有
する無接触型の回転角度センサにおいて、磁石部材の強
磁性磁気抵抗素子に対する相対位置精度を良好なものと
し、安定した出力特性を確保することを目的とする。
する無接触型の回転角度センサにおいて、磁石部材の強
磁性磁気抵抗素子に対する相対位置精度を良好なものと
し、安定した出力特性を確保することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の回転角度センサは、基板の板面に強磁性磁
気抵抗素子を付着した検出素子と、該検出素子に対して
相対的に回転するシャフトと、該シャフトの端部に対し
軸方向に移動可能に装着し所定位置で前記シャフトに固
定する蓋体と、該蓋体と前記シャフトの端面との間に収
容し前記蓋体に密着させ、少くとも前記強磁性磁気抵抗
素子を含む磁界を形成する磁石部材とを備え、該磁石部
材と前記強磁性磁気抵抗素子との間の前記シャフトの軸
方向における所定の間隙に応じて前記蓋体を前記シャフ
トに圧入し、前記シャフトの軸方向の所定位置で固定す
るようにしたものである。
め、本発明の回転角度センサは、基板の板面に強磁性磁
気抵抗素子を付着した検出素子と、該検出素子に対して
相対的に回転するシャフトと、該シャフトの端部に対し
軸方向に移動可能に装着し所定位置で前記シャフトに固
定する蓋体と、該蓋体と前記シャフトの端面との間に収
容し前記蓋体に密着させ、少くとも前記強磁性磁気抵抗
素子を含む磁界を形成する磁石部材とを備え、該磁石部
材と前記強磁性磁気抵抗素子との間の前記シャフトの軸
方向における所定の間隙に応じて前記蓋体を前記シャフ
トに圧入し、前記シャフトの軸方向の所定位置で固定す
るようにしたものである。
【０００７】上記回転角度センサにおいて、更に、前記
磁石部材と前記シャフトの端面との間に介装し前記磁石
部材を前記蓋体方向に付勢する弾性部材を設けることと
してもよい。
磁石部材と前記シャフトの端面との間に介装し前記磁石
部材を前記蓋体方向に付勢する弾性部材を設けることと
してもよい。
【０００８】
【作用】上記の構成になる回転角度センサにおいては、
シャフトが回転すると、磁石部材が検出素子に対して相
対的に回転する。この相対的な回転に応じ、検出素子の
強磁性磁気抵抗素子に対してこれを含む平行磁束の磁界
が変化するのでその抵抗値が変化し、検出素子からシャ
フトの回転に応じた信号が出力される。この場合におい
て、磁石部材は蓋体とシャフトの端面との間に収容さ
れ、例えば接着剤によって蓋体に密着され、この蓋体が
磁石部材と強磁性磁気抵抗素子との間のシャフトの軸方
向における所定の間隙に応じてシャフトに圧入され、シ
ャフトの軸方向の所定位置で固定されるように構成され
ているので、磁石部材の強磁性磁気抵抗素子に対する固
定位置が適切に調整され、相対位置精度は良好なものと
なる。而して、磁石部材の強磁性磁気抵抗素子に対する
相対位置変化に起因する誤差は小さく抑えられ、所期の
出力特性が得られる。
シャフトが回転すると、磁石部材が検出素子に対して相
対的に回転する。この相対的な回転に応じ、検出素子の
強磁性磁気抵抗素子に対してこれを含む平行磁束の磁界
が変化するのでその抵抗値が変化し、検出素子からシャ
フトの回転に応じた信号が出力される。この場合におい
て、磁石部材は蓋体とシャフトの端面との間に収容さ
れ、例えば接着剤によって蓋体に密着され、この蓋体が
磁石部材と強磁性磁気抵抗素子との間のシャフトの軸方
向における所定の間隙に応じてシャフトに圧入され、シ
ャフトの軸方向の所定位置で固定されるように構成され
ているので、磁石部材の強磁性磁気抵抗素子に対する固
定位置が適切に調整され、相対位置精度は良好なものと
なる。而して、磁石部材の強磁性磁気抵抗素子に対する
相対位置変化に起因する誤差は小さく抑えられ、所期の
出力特性が得られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の回転角度センサを内燃機関の
スロットルポジションセンサに適用した実施例について
図面を参照して説明する。電子制御燃料噴射装置を搭載
した内燃機関においては、スロットルポジションセンサ
が装着され、その出力信号が燃料噴射制御等に供されて
いる。このスロットルポジションセンサはスロットルバ
ルブシャフトに連結され、通常、スロットルバルブ開度
（以下、スロットル開度という）に応じて変化するスロ
ットル開度信号と、アイドル域か出力域かによりオンオ
フするアイドル信号が出力される。このスロットルポジ
ションセンサとして、無接触型の回転角度センサが用い
られている。
スロットルポジションセンサに適用した実施例について
図面を参照して説明する。電子制御燃料噴射装置を搭載
した内燃機関においては、スロットルポジションセンサ
が装着され、その出力信号が燃料噴射制御等に供されて
いる。このスロットルポジションセンサはスロットルバ
ルブシャフトに連結され、通常、スロットルバルブ開度
（以下、スロットル開度という）に応じて変化するスロ
ットル開度信号と、アイドル域か出力域かによりオンオ
フするアイドル信号が出力される。このスロットルポジ
ションセンサとして、無接触型の回転角度センサが用い
られている。
【００１０】図１は本発明の一実施例に係るスロットル
ポジションセンサ１を示すもので、図示しないスロット
ルボデーに装着され、シャフト２が図示しないスロット
ルシャフトに連動して回動するように支持されている。
即ち、スロットルポジションセンサ１は隣接する二つの
凹部３ａ，３ｂを有する合成樹脂製のハウジング３を備
え、これらの凹部３ａ，３ｂ間の隔壁３ｃに、軸受４を
介してシャフト２が回動自在に支持されている。尚、軸
受４はハウジング３と一体的に形成されて所定位置に固
定されており、凹部３ａ内の軸受４回りにはカラー２４
が配設されている。
ポジションセンサ１を示すもので、図示しないスロット
ルボデーに装着され、シャフト２が図示しないスロット
ルシャフトに連動して回動するように支持されている。
即ち、スロットルポジションセンサ１は隣接する二つの
凹部３ａ，３ｂを有する合成樹脂製のハウジング３を備
え、これらの凹部３ａ，３ｂ間の隔壁３ｃに、軸受４を
介してシャフト２が回動自在に支持されている。尚、軸
受４はハウジング３と一体的に形成されて所定位置に固
定されており、凹部３ａ内の軸受４回りにはカラー２４
が配設されている。
【００１１】シャフト２の一端にはハウジング３の一方
の凹部３ａ内に収容されたレバー５が固着されており、
レバー５は図示しないスロットルシャフトに連結されて
いる。ハウジング３とレバー５との間にはリターンスプ
リング６が介装されており、レバー５が所定の初期位置
方向に付勢されている。従って、図示しないスロットル
バルブの開作動に伴い、スロットルシャフトに連動する
レバー５がリターンスプリング６の付勢力に抗して駆動
され、シャフト２が回動するように構成されている。シ
ャフト２の他端には本発明にいう磁石部材たるロータマ
グネット２０が装着されている。尚、このロータマグネ
ット２０の取付構造については後述する。
の凹部３ａ内に収容されたレバー５が固着されており、
レバー５は図示しないスロットルシャフトに連結されて
いる。ハウジング３とレバー５との間にはリターンスプ
リング６が介装されており、レバー５が所定の初期位置
方向に付勢されている。従って、図示しないスロットル
バルブの開作動に伴い、スロットルシャフトに連動する
レバー５がリターンスプリング６の付勢力に抗して駆動
され、シャフト２が回動するように構成されている。シ
ャフト２の他端には本発明にいう磁石部材たるロータマ
グネット２０が装着されている。尚、このロータマグネ
ット２０の取付構造については後述する。
【００１２】また、ハウジング３の他方の凹部３ｂ内に
おいて、ロータマグネット２０に対向する位置に、磁気
センサ１０が配設されている。磁気センサ１０は、矩形
の素子基板１１を有し、その一方の面（図１の下方側の
面）に帯状のＮｉ−Ｃｏ合金等の薄膜強磁性合金から成
る強磁性磁気抵抗素子１２（以下、単に磁気抵抗素子１
２という）が付着されている。この磁気抵抗素子１２
は、その抵抗値変化率が、所定の磁束密度、例えば１０
ｍＴで飽和する性質を有する。尚、素子基板１１の形状
は矩形に限らず、どのような形状であってもよい。
おいて、ロータマグネット２０に対向する位置に、磁気
センサ１０が配設されている。磁気センサ１０は、矩形
の素子基板１１を有し、その一方の面（図１の下方側の
面）に帯状のＮｉ−Ｃｏ合金等の薄膜強磁性合金から成
る強磁性磁気抵抗素子１２（以下、単に磁気抵抗素子１
２という）が付着されている。この磁気抵抗素子１２
は、その抵抗値変化率が、所定の磁束密度、例えば１０
ｍＴで飽和する性質を有する。尚、素子基板１１の形状
は矩形に限らず、どのような形状であってもよい。
【００１３】磁気抵抗素子１２は高抵抗化を図るため帯
状の薄膜強磁性合金が折曲され、例えば図４に示すよう
なパターン形状に形成されている。磁気抵抗素子１２の
パターンは長手方向が水平な素子を中心とするブロック
と長手方向が垂直な素子を中心とするブロックとが交互
に接続され、四つのブロックが構成されている。そし
て、各ブロック間の接続点には端子１２ａ乃至１２ｄが
形成されている。端子１２ａ，１２ｂは所謂電流端子
で、端子１２ａは電源に接続され、端子１２ｂは接地さ
れている。端子１２ｃ，１２ｄは所謂電圧端子であり、
これらから検出信号が出力される。更に、素子基板１１
の他方の面（図１の上方側の面）には図１に示すバイア
スマグネット１３が接着剤によって所定位置に固定され
ている。
状の薄膜強磁性合金が折曲され、例えば図４に示すよう
なパターン形状に形成されている。磁気抵抗素子１２の
パターンは長手方向が水平な素子を中心とするブロック
と長手方向が垂直な素子を中心とするブロックとが交互
に接続され、四つのブロックが構成されている。そし
て、各ブロック間の接続点には端子１２ａ乃至１２ｄが
形成されている。端子１２ａ，１２ｂは所謂電流端子
で、端子１２ａは電源に接続され、端子１２ｂは接地さ
れている。端子１２ｃ，１２ｄは所謂電圧端子であり、
これらから検出信号が出力される。更に、素子基板１１
の他方の面（図１の上方側の面）には図１に示すバイア
スマグネット１３が接着剤によって所定位置に固定され
ている。
【００１４】上記のように構成された磁気センサ１０
は、図１に示すようにハイブリッドＩＣ基板３０（以
下、単にＩＣ基板３０という）に実装され、その端部に
は複数のターミナル７が接続されている。ターミナル７
はハウジング３内に埋設されており、側方に延出してハ
ウジング３と一体にコネクタ８が形成されている。ＩＣ
基板３０はハウジング３の凹部３ｂ内に収容され、この
凹部３ｂはゴム製のシール部材１９を介して合成樹脂製
のカバー９により密閉されている。そして、磁気センサ
１０はＩＣ基板３０の一方の面に付着されるが、更にＩ
Ｃ基板３０全体を合成樹脂によりモールドすることとし
てもよい。而して、磁気抵抗素子１２にはロータマグネ
ット２０とバイアスマグネット１３の両マグネットの合
成磁界が印加されるところとなる。尚、ＩＣ基板３０に
は磁気センサ１０の出力信号を処理する検出回路素子等
が実装されているが、周知であるので説明は省略する。
は、図１に示すようにハイブリッドＩＣ基板３０（以
下、単にＩＣ基板３０という）に実装され、その端部に
は複数のターミナル７が接続されている。ターミナル７
はハウジング３内に埋設されており、側方に延出してハ
ウジング３と一体にコネクタ８が形成されている。ＩＣ
基板３０はハウジング３の凹部３ｂ内に収容され、この
凹部３ｂはゴム製のシール部材１９を介して合成樹脂製
のカバー９により密閉されている。そして、磁気センサ
１０はＩＣ基板３０の一方の面に付着されるが、更にＩ
Ｃ基板３０全体を合成樹脂によりモールドすることとし
てもよい。而して、磁気抵抗素子１２にはロータマグネ
ット２０とバイアスマグネット１３の両マグネットの合
成磁界が印加されるところとなる。尚、ＩＣ基板３０に
は磁気センサ１０の出力信号を処理する検出回路素子等
が実装されているが、周知であるので説明は省略する。
【００１５】上記ロータマグネット２０はシャフト２に
対し以下に説明するように装着され、シャフト２と一体
となって回転するように構成されている。即ち、シャフ
ト２の先端部には軸方向に凹部２ａが形成されており、
シャフト２の他方の端部にレバー５等が組付けられた
後、軸受４内に挿入され、レバー５がカラー２４に当接
した状態で支持される。シャフト２がこのように支持さ
れた状態で、凹部２ａに圧縮スプリング２１が収容さ
れ、その上にロータマグネット２０が収容される。ま
た、環状の皿ばね２３がシャフト２回りに嵌合され軸受
４に着座する。そして、ロータマグネット２０の頂部に
嫌気性の接着剤が塗布された後、有底筒体形状の蓋体２
２がシャフト２に圧入される。これにより、ロータマグ
ネット２０は圧縮スプリング２１によって蓋体２２の底
面に押圧された状態となり、蓋体２２に強固に接着され
る。
対し以下に説明するように装着され、シャフト２と一体
となって回転するように構成されている。即ち、シャフ
ト２の先端部には軸方向に凹部２ａが形成されており、
シャフト２の他方の端部にレバー５等が組付けられた
後、軸受４内に挿入され、レバー５がカラー２４に当接
した状態で支持される。シャフト２がこのように支持さ
れた状態で、凹部２ａに圧縮スプリング２１が収容さ
れ、その上にロータマグネット２０が収容される。ま
た、環状の皿ばね２３がシャフト２回りに嵌合され軸受
４に着座する。そして、ロータマグネット２０の頂部に
嫌気性の接着剤が塗布された後、有底筒体形状の蓋体２
２がシャフト２に圧入される。これにより、ロータマグ
ネット２０は圧縮スプリング２１によって蓋体２２の底
面に押圧された状態となり、蓋体２２に強固に接着され
る。
【００１６】この場合において、ハウジング３に固着さ
れた軸受４回りにはカラー２４が装着され、蓋体２２と
軸受４との間には皿ばね２３が介装されているので、蓋
体２２の圧入によりシャフト２は、レバー５及びカラー
２４を介して、ハウジング３に対する軸方向の移動が規
制されると共に、皿ばね２３によって、軸受４ひいては
ハウジング３に対し、これから離隔する方向（図１の上
方）に付勢された状態となる。
れた軸受４回りにはカラー２４が装着され、蓋体２２と
軸受４との間には皿ばね２３が介装されているので、蓋
体２２の圧入によりシャフト２は、レバー５及びカラー
２４を介して、ハウジング３に対する軸方向の移動が規
制されると共に、皿ばね２３によって、軸受４ひいては
ハウジング３に対し、これから離隔する方向（図１の上
方）に付勢された状態となる。
【００１７】而して、ＩＣ基板３０を例えば所定厚さの
シム板（図示せず）を介して、蓋体２２の頂面が支持面
３ｄと同一面となるまで、即ちＩＣ基板３０がハウジン
グ３の支持面３ｄに当接するまで押圧し、蓋体２２をシ
ャフト２に圧入することにより、蓋体２２の頂面とＩＣ
基板３０の下面との間隙が上記シム板の所定厚さと等し
い値となる位置で蓋体２２がシャフト２に固定される。
このとき、例えば軸受２等の寸法にばらつきがあっても
圧縮スプリング２１によって吸収されるので、蓋体２２
とＩＣ基板３０との間隙、ひいてはロータマグネット２
０と磁気抵抗素子１２との間隙は所定の値に保持され
る。
シム板（図示せず）を介して、蓋体２２の頂面が支持面
３ｄと同一面となるまで、即ちＩＣ基板３０がハウジン
グ３の支持面３ｄに当接するまで押圧し、蓋体２２をシ
ャフト２に圧入することにより、蓋体２２の頂面とＩＣ
基板３０の下面との間隙が上記シム板の所定厚さと等し
い値となる位置で蓋体２２がシャフト２に固定される。
このとき、例えば軸受２等の寸法にばらつきがあっても
圧縮スプリング２１によって吸収されるので、蓋体２２
とＩＣ基板３０との間隙、ひいてはロータマグネット２
０と磁気抵抗素子１２との間隙は所定の値に保持され
る。
【００１８】このように、本実施例によれば特別な治具
を必要とすることなく、蓋体２２をＩＣ基板３０に対し
所定の間隙を以て対峙するように配設することができ
る。尚、圧縮スプリング２１を設けることなく、予め接
着剤によってロータマグネット２０を蓋体２２の底部に
接着しておくこととしてもよい。
を必要とすることなく、蓋体２２をＩＣ基板３０に対し
所定の間隙を以て対峙するように配設することができ
る。尚、圧縮スプリング２１を設けることなく、予め接
着剤によってロータマグネット２０を蓋体２２の底部に
接着しておくこととしてもよい。
【００１９】以上の構成になる本実施例のスロットルポ
ジションセンサ１において、図示しないスロットルバル
ブに連動して図１に示すレバー５が駆動されシャフト２
が軸受４内で回動する。このシャフト２の回動に伴いロ
ータマグネット２０による磁界も回転し、磁気抵抗素子
１２に対してこれを含む平行磁束の磁界の方向が変化す
る。即ち、ロータマグネット２０の磁界とバイアスマグ
ネット１３のバイアス磁界との合成磁界の方向が変化す
る。
ジションセンサ１において、図示しないスロットルバル
ブに連動して図１に示すレバー５が駆動されシャフト２
が軸受４内で回動する。このシャフト２の回動に伴いロ
ータマグネット２０による磁界も回転し、磁気抵抗素子
１２に対してこれを含む平行磁束の磁界の方向が変化す
る。即ち、ロータマグネット２０の磁界とバイアスマグ
ネット１３のバイアス磁界との合成磁界の方向が変化す
る。
【００２０】而して、異方性磁気抵抗効果により磁気抵
抗素子１２の四つのブロックの抵抗値Ｒ１乃至Ｒ４が変
化し、磁気センサ１０からシャフト２の回転に応じた信
号が出力され、シャフト２の回転角に対する磁気センサ
１０の出力特性は、広範囲のリニアリティを有する特性
となる。特に本実施例によれば、蓋体２２のシャフト２
に対する軸方向の圧入固定位置が、ロータマグネット２
０と磁気抵抗素子１２との間のシャフト２の軸方向の所
定の間隙に応じて調整されるので、ロータマグネット２
０の磁気抵抗素子１２に対する相対位置変化に起因する
誤差は小さく抑えられ、所期の出力特性が得られる。
抗素子１２の四つのブロックの抵抗値Ｒ１乃至Ｒ４が変
化し、磁気センサ１０からシャフト２の回転に応じた信
号が出力され、シャフト２の回転角に対する磁気センサ
１０の出力特性は、広範囲のリニアリティを有する特性
となる。特に本実施例によれば、蓋体２２のシャフト２
に対する軸方向の圧入固定位置が、ロータマグネット２
０と磁気抵抗素子１２との間のシャフト２の軸方向の所
定の間隙に応じて調整されるので、ロータマグネット２
０の磁気抵抗素子１２に対する相対位置変化に起因する
誤差は小さく抑えられ、所期の出力特性が得られる。
【００２１】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で以下に記載の効果を奏する。即ち、本発明の回転角度
センサにおいては、磁石部材が蓋体に密着され、磁石部
材と強磁性磁気抵抗素子との間のシャフトの軸方向にお
ける所定の間隙に応じて蓋体がシャフトに圧入され、シ
ャフトの軸方向の所定位置で固定されるように構成され
ているので、磁石部材の強磁性磁気抵抗素子に対する相
対位置精度は良好なものとなる。而して、磁石部材の装
着位置の変動による出力特性の変化を防止することがで
き、安定した出力特性が得られる。
で以下に記載の効果を奏する。即ち、本発明の回転角度
センサにおいては、磁石部材が蓋体に密着され、磁石部
材と強磁性磁気抵抗素子との間のシャフトの軸方向にお
ける所定の間隙に応じて蓋体がシャフトに圧入され、シ
ャフトの軸方向の所定位置で固定されるように構成され
ているので、磁石部材の強磁性磁気抵抗素子に対する相
対位置精度は良好なものとなる。而して、磁石部材の装
着位置の変動による出力特性の変化を防止することがで
き、安定した出力特性が得られる。
【図１】本発明の回転角度センサの一実施例に係るスロ
ットルポジションセンサの縦断面図である。
ットルポジションセンサの縦断面図である。
【図２】本発明の一実施例に用いられる蓋体の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の一実施例におけるシャフト先端部の拡
大断面図である。
大断面図である。
【図４】本発明の一実施例における素子基板に実装され
た強磁性磁気抵抗素子の平面図である。
た強磁性磁気抵抗素子の平面図である。
２ シャフト １０ 磁気センサ（検出素子） １１ 素子基板（基板） １２ 強磁性磁気抵抗素子 １３ バイアスマグネット ２０ ロータマグネット（磁石部材） ２１ 圧縮スプリング ２２ 蓋体 ２３ 皿ばね ３０ ハイブリットＩＣ基板
Claims (1)
- 【請求項１】 基板の板面に強磁性磁気抵抗素子を付着
した検出素子と、該検出素子に対して相対的に回転する
シャフトと、該シャフトの端部に対し軸方向に移動可能
に装着し所定位置で前記シャフトに固定する蓋体と、該
蓋体と前記シャフトの端面との間に収容し前記蓋体に密
着させ、少くとも前記強磁性磁気抵抗素子を含む磁界を
形成する磁石部材とを備え、該磁石部材と前記強磁性磁
気抵抗素子との間の前記シャフトの軸方向における所定
の間隙に応じて前記蓋体を前記シャフトに圧入し、前記
シャフトの軸方向の所定位置で固定するようにしたこと
を特徴とする回転角度センサ。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4296333A JP3043529B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 回転角度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296333A JP3043529B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 回転角度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06117807A JPH06117807A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3043529B2 true JP3043529B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=17832185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4296333A Expired - Fee Related JP3043529B2 (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 回転角度センサ |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3043529B2 (ja) |
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-
1992
- 1992-10-08 JP JP4296333A patent/JP3043529B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06117807A (ja) | 1994-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |