JPH11203963A - 導電膜のエッチング方法 - Google Patents
導電膜のエッチング方法Info
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- JPH11203963A JPH11203963A JP744898A JP744898A JPH11203963A JP H11203963 A JPH11203963 A JP H11203963A JP 744898 A JP744898 A JP 744898A JP 744898 A JP744898 A JP 744898A JP H11203963 A JPH11203963 A JP H11203963A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/07—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process being removed electrolytically
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Abstract
(57)【要約】
【課題】酸化錫透明導電膜の電極加工は、亜鉛粉末を散
布した酸化錫膜表面に塩酸を接触させ、発生期の水素に
より還元溶解して行っていたが、とりわけ大きな面積の
基板に被覆された酸化錫膜の電極加工は、場所によりオ
ーバーエッチングや微小の膜残りが生じやすく、電極の
寸法精度と電気絶縁性の確実な確保が困難であった。 【解決手段】塩酸のエッチング液中に正電極を漬け、酸
化錫膜表面に負電極を接続して、正負両電極間に電圧を
印加しながら酸化錫膜を被覆した基板を塩酸のエッチン
グ液に徐々に浸漬していき、エッチング液に漬けた部分
の酸化錫膜をエッチングする。このときガラス基板をエ
ッチング液中に沈めていく過程で、負電極と酸化錫の接
触点からエッチング液面までの距離を一定に維持する。
布した酸化錫膜表面に塩酸を接触させ、発生期の水素に
より還元溶解して行っていたが、とりわけ大きな面積の
基板に被覆された酸化錫膜の電極加工は、場所によりオ
ーバーエッチングや微小の膜残りが生じやすく、電極の
寸法精度と電気絶縁性の確実な確保が困難であった。 【解決手段】塩酸のエッチング液中に正電極を漬け、酸
化錫膜表面に負電極を接続して、正負両電極間に電圧を
印加しながら酸化錫膜を被覆した基板を塩酸のエッチン
グ液に徐々に浸漬していき、エッチング液に漬けた部分
の酸化錫膜をエッチングする。このときガラス基板をエ
ッチング液中に沈めていく過程で、負電極と酸化錫の接
触点からエッチング液面までの距離を一定に維持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用基板、
特に表示素子用基板等に用いられるガラス基板上に形成
された導電膜をエッチングする方法に関し、とりわけ大
きな基板に被覆された酸化錫透明導電膜を所定の形状に
電極加工するのに適した方法に関する。
特に表示素子用基板等に用いられるガラス基板上に形成
された導電膜をエッチングする方法に関し、とりわけ大
きな基板に被覆された酸化錫透明導電膜を所定の形状に
電極加工するのに適した方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤやＰＤＰ等のフラットディスプレ
イでは、透明導電膜を電極として用いている。透明導電
膜としてはＩＴＯ膜や酸化錫膜などがあり、それぞれの
膜が有する長所を生かして用いられている。すなわちＩ
ＴＯの電極形成には、ケミカルウェットエッチング法が
確立されて透明電極として広く用いられているが、化学
的耐久性が弱く、また高温プロセスを経ると抵抗等の膜
の特性が大きく変化してしまい、その製造工程で高温プ
ロセスを経るディスプレイでは、そのプロセス条件を制
約することになっている。
イでは、透明導電膜を電極として用いている。透明導電
膜としてはＩＴＯ膜や酸化錫膜などがあり、それぞれの
膜が有する長所を生かして用いられている。すなわちＩ
ＴＯの電極形成には、ケミカルウェットエッチング法が
確立されて透明電極として広く用いられているが、化学
的耐久性が弱く、また高温プロセスを経ると抵抗等の膜
の特性が大きく変化してしまい、その製造工程で高温プ
ロセスを経るディスプレイでは、そのプロセス条件を制
約することになっている。
【０００３】したがって高温プロセスを経るディスプレ
イや透明電極として耐薬品性が重要な場合は、化学的に
安定で高温プロセスにも特性の変化が小さい酸化錫膜が
用いられる。しかしながら、酸化錫膜はその化学的安定
性のため、単に酸によるケミカルウエットエッチングで
は電極加工をすることが困難である。そのため酸化錫膜
表面に亜鉛を塗布した後塩酸と反応させ、発生した水素
を用いて酸化錫膜を還元するエッチング方法が用いられ
ている。
イや透明電極として耐薬品性が重要な場合は、化学的に
安定で高温プロセスにも特性の変化が小さい酸化錫膜が
用いられる。しかしながら、酸化錫膜はその化学的安定
性のため、単に酸によるケミカルウエットエッチングで
は電極加工をすることが困難である。そのため酸化錫膜
表面に亜鉛を塗布した後塩酸と反応させ、発生した水素
を用いて酸化錫膜を還元するエッチング方法が用いられ
ている。
【０００４】また、亜鉛粉末を用いない方法として、酸
化錫膜上に低抵抗の金属膜をあらかじめバスラインとし
て形成し、これにより酸化錫膜による電圧降下を防止し
た電気分解法によるエッチング方法が、特開平６−３４
９３５１号公報に開示されている。
化錫膜上に低抵抗の金属膜をあらかじめバスラインとし
て形成し、これにより酸化錫膜による電圧降下を防止し
た電気分解法によるエッチング方法が、特開平６−３４
９３５１号公報に開示されている。
【０００５】さらに、特開昭５２−３８５２４号公報に
は、エッチング液として塩酸を用いた電気分解法が開示
されており、エッチング液と接触する部分で酸化錫膜を
エッチングし、酸化錫膜を被覆した基板を徐々にエッチ
ング液中に沈めていく方法が開示されている。
は、エッチング液として塩酸を用いた電気分解法が開示
されており、エッチング液と接触する部分で酸化錫膜を
エッチングし、酸化錫膜を被覆した基板を徐々にエッチ
ング液中に沈めていく方法が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術で亜鉛
と塩酸を用いるエッチング方法は、亜鉛粉末の均一な塗
布が難しく、とりわけ大きな基板に被覆された酸化錫膜
を、均一にかつ微小のエッチング残りがないようにエッ
チング除去するには細心の注意が必要であるという問題
点があり、また亜鉛粉末を取り扱うことにより発生する
粉塵対策として、室内環境を維持するための設備が必要
であるいう経済的に不利な点があった。
と塩酸を用いるエッチング方法は、亜鉛粉末の均一な塗
布が難しく、とりわけ大きな基板に被覆された酸化錫膜
を、均一にかつ微小のエッチング残りがないようにエッ
チング除去するには細心の注意が必要であるという問題
点があり、また亜鉛粉末を取り扱うことにより発生する
粉塵対策として、室内環境を維持するための設備が必要
であるいう経済的に不利な点があった。
【０００７】また特開平６−３４９３５１号公報に開示
されている方法は、酸化錫膜の電極加工をするにあた
り、金属膜を被覆するという工程を付加しなければなら
ないという経済的に不利な点を有していた。
されている方法は、酸化錫膜の電極加工をするにあた
り、金属膜を被覆するという工程を付加しなければなら
ないという経済的に不利な点を有していた。
【０００８】さらに、特開昭５２−３８５２４号公報に
は、上記の経済性の問題点が解決されたが、エッチング
途中での酸化錫膜の抵抗による電圧降下が無視できず、
基板を徐々に降下するに従いエッチング液と接触する部
分の酸化錫膜の電位が変化してしまうという問題点があ
った。すなわち、エッチングが進行している部分の酸化
錫膜の電位が一定にならないために、単位時間当たりの
エッチング量（エッチング速度）が変化するという問題
点があった。とりわけ大きな基板に被覆された酸化錫膜
のほぼ全体にわたって電極加工をするときには、エッチ
ング量に場所による不揃いが生じ、これによりエッチン
グ残りが生じるという問題点があった。
は、上記の経済性の問題点が解決されたが、エッチング
途中での酸化錫膜の抵抗による電圧降下が無視できず、
基板を徐々に降下するに従いエッチング液と接触する部
分の酸化錫膜の電位が変化してしまうという問題点があ
った。すなわち、エッチングが進行している部分の酸化
錫膜の電位が一定にならないために、単位時間当たりの
エッチング量（エッチング速度）が変化するという問題
点があった。とりわけ大きな基板に被覆された酸化錫膜
のほぼ全体にわたって電極加工をするときには、エッチ
ング量に場所による不揃いが生じ、これによりエッチン
グ残りが生じるという問題点があった。
【０００９】このことは電気絶縁性の高い微細な電極を
形成する上で重要な克服すべき課題となっていた。本発
明はこの技術的課題を解決するためになされたものであ
る。
形成する上で重要な克服すべき課題となっていた。本発
明はこの技術的課題を解決するためになされたものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板表面に形
成された導電膜の一部を、酸を含むエッチング液に接触
させるとともに前記エッチング液を正電極に接触させ、
かつ前記導電膜のエッチング液に接触させない他部を負
電極に電気的に接続させて前記正電極と負電極の間に電
圧を印加して導電膜を還元してエッチングする方法にお
いて、前記導電膜と前記負電極の接続点から前記導電膜
がエッチング液に接触させた部分までの最短距離をほぼ
一定に維持しつつ、前記導電膜の一部がエッチングされ
るにしたがい、前記導電膜の他部をエッチング液に接触
させていくことを特徴とする導電膜のエッチング方法で
ある。
成された導電膜の一部を、酸を含むエッチング液に接触
させるとともに前記エッチング液を正電極に接触させ、
かつ前記導電膜のエッチング液に接触させない他部を負
電極に電気的に接続させて前記正電極と負電極の間に電
圧を印加して導電膜を還元してエッチングする方法にお
いて、前記導電膜と前記負電極の接続点から前記導電膜
がエッチング液に接触させた部分までの最短距離をほぼ
一定に維持しつつ、前記導電膜の一部がエッチングされ
るにしたがい、前記導電膜の他部をエッチング液に接触
させていくことを特徴とする導電膜のエッチング方法で
ある。
【００１１】本発明は、負電極と導電膜との接続点か
ら、電気分解反応によりエッチングが進行する部分（エ
ッチング液と酸化錫膜が接触している部分）までの距離
を、エッチングの進行中ほぼ一定にすることを特徴とし
ている。この距離は、導電膜の電気抵抗、エッチングの
速度、導電膜が被覆されている基板の大きさなどによ
り、また形成する電極の線幅、線間隔等の形状等により
選ばれ、通常１００ｍｍ以下、たとえば１〜１００ｍｍ
の範囲内の一定の距離とするのが好ましい。
ら、電気分解反応によりエッチングが進行する部分（エ
ッチング液と酸化錫膜が接触している部分）までの距離
を、エッチングの進行中ほぼ一定にすることを特徴とし
ている。この距離は、導電膜の電気抵抗、エッチングの
速度、導電膜が被覆されている基板の大きさなどによ
り、また形成する電極の線幅、線間隔等の形状等により
選ばれ、通常１００ｍｍ以下、たとえば１〜１００ｍｍ
の範囲内の一定の距離とするのが好ましい。
【００１２】本発明のエッチング液としては、酸または
酸の水溶液を用いることができる。とりわけ塩酸、硫
酸、硝酸、リン酸、ピロリン酸あるいはこれら鉱酸の混
合物が好んで用いられる。なかでも塩酸は酸化錫膜をエ
ッチングする速度が大きいので好ましい。また、ピロリ
ン酸はエッチング液に溶解した錫を保持し、錫イオンの
エッチング速度の低下を抑え、エッチング液と基板との
濡れ性を向上させるので、酸化錫膜を均一にエッチング
する作用がある。このためエッチング液の酸として、塩
酸とピロリン酸の混合酸を用いるのが好ましい。
酸の水溶液を用いることができる。とりわけ塩酸、硫
酸、硝酸、リン酸、ピロリン酸あるいはこれら鉱酸の混
合物が好んで用いられる。なかでも塩酸は酸化錫膜をエ
ッチングする速度が大きいので好ましい。また、ピロリ
ン酸はエッチング液に溶解した錫を保持し、錫イオンの
エッチング速度の低下を抑え、エッチング液と基板との
濡れ性を向上させるので、酸化錫膜を均一にエッチング
する作用がある。このためエッチング液の酸として、塩
酸とピロリン酸の混合酸を用いるのが好ましい。
【００１３】エッチング速度を実用的な速度以上とする
ために、負電極と正電極の間に印加する電圧は４Ｖ以上
とするのが好ましく、１０Ｖ以上がより好ましく、さら
に３０Ｖ以上が好ましい。また、８０Ｖを越えて電圧を
印加すると、レジストに絶縁破壊が生じるので好ましく
ない。したがって、印加電圧の上限値は、８０Ｖ以下と
するのが好ましく、さらに５０Ｖ以下とするのがより好
ましい。
ために、負電極と正電極の間に印加する電圧は４Ｖ以上
とするのが好ましく、１０Ｖ以上がより好ましく、さら
に３０Ｖ以上が好ましい。また、８０Ｖを越えて電圧を
印加すると、レジストに絶縁破壊が生じるので好ましく
ない。したがって、印加電圧の上限値は、８０Ｖ以下と
するのが好ましく、さらに５０Ｖ以下とするのがより好
ましい。
【００１４】本発明に用いることのできる導電膜として
は、酸化錫膜、錫ドープ酸化インジウム膜（ＩＴＯ
膜）、アルミ含有酸化亜鉛膜（ＡＺＯ膜）、インジウム
含有酸化亜鉛膜（ＩＺＯ膜）などの透明導電膜、さらに
たとえばＩＴＯ膜と酸化錫膜を積層した積層構造の導電
膜、金属膜等が挙げられる。
は、酸化錫膜、錫ドープ酸化インジウム膜（ＩＴＯ
膜）、アルミ含有酸化亜鉛膜（ＡＺＯ膜）、インジウム
含有酸化亜鉛膜（ＩＺＯ膜）などの透明導電膜、さらに
たとえばＩＴＯ膜と酸化錫膜を積層した積層構造の導電
膜、金属膜等が挙げられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１および
図２を用いて説明する。容器１内に塩酸、硫酸、ピロリ
ン酸などの酸またはその水溶液のエッチング液２をい
れ、白金の正電極６をエッチング液２中に浸漬させる。
酸化錫膜５がＣＶＤ法またはスパッタリング法等により
ガラス基板４の表面上に被覆された酸化錫膜付き基板３
をエッチング液２中に一部浸漬する。
図２を用いて説明する。容器１内に塩酸、硫酸、ピロリ
ン酸などの酸またはその水溶液のエッチング液２をい
れ、白金の正電極６をエッチング液２中に浸漬させる。
酸化錫膜５がＣＶＤ法またはスパッタリング法等により
ガラス基板４の表面上に被覆された酸化錫膜付き基板３
をエッチング液２中に一部浸漬する。
【００１６】負電極７として、たとえばロール状電極や
ブラシ状電極が好ましく用いられる。ロール表面は、導
電性ゴムのように導電性でかつ弾力性がある材質のもの
が用いられる。ロール状電極の表面は、その弾性的性質
により凹んだ酸化錫膜の表面にも接触し、多くの酸化錫
膜上で電気的導通が確保される。
ブラシ状電極が好ましく用いられる。ロール表面は、導
電性ゴムのように導電性でかつ弾力性がある材質のもの
が用いられる。ロール状電極の表面は、その弾性的性質
により凹んだ酸化錫膜の表面にも接触し、多くの酸化錫
膜上で電気的導通が確保される。
【００１７】ロール状電極の軸方向はエッチング液面に
ほぼ平行に配置され、酸化錫膜５表面に回転または非回
転の状態で常時接触され、エッチング液２の表面からロ
ール状電極７と酸化錫膜５の接触点１２までの高さＨ
は、ガラス基板の最下端部をエッチング液に漬けてか
ら、最上端部をエッチング液に漬ける少し前まで、ほぼ
一定に維持される。高さＨは、１００ｍｍ以下の一定値
にするのが好ましい。
ほぼ平行に配置され、酸化錫膜５表面に回転または非回
転の状態で常時接触され、エッチング液２の表面からロ
ール状電極７と酸化錫膜５の接触点１２までの高さＨ
は、ガラス基板の最下端部をエッチング液に漬けてか
ら、最上端部をエッチング液に漬ける少し前まで、ほぼ
一定に維持される。高さＨは、１００ｍｍ以下の一定値
にするのが好ましい。
【００１８】浸漬する酸化錫膜付き基板３は、ガラス基
板４の全面に酸化錫膜が被覆されており、図２（ａ）お
よび図２（ｂ）（図２（ａ）のＡ−Ａ断面図にロール状
電極の押圧状況が示されている）に示すように、フォト
リソグラフィー法によりパターン化された酸不溶性のマ
スキングレジスト１１が、酸化錫膜５の表面上に被覆さ
れている。両電極間に電源９により電圧を印加すると、
酸化錫膜５の露出部分でエッチング液に接触している部
分がエッチングされる。この酸化錫膜付き基板３をエッ
チング液２中に、マスキングレジストの長さ方向がエッ
チング液面にほぼ直角になるようにして、搬送ローラー
８を含む上下方向に移動させる移動手段（図示されな
い）により一定速度でエッチング液２中に徐々に沈めて
いく。
板４の全面に酸化錫膜が被覆されており、図２（ａ）お
よび図２（ｂ）（図２（ａ）のＡ−Ａ断面図にロール状
電極の押圧状況が示されている）に示すように、フォト
リソグラフィー法によりパターン化された酸不溶性のマ
スキングレジスト１１が、酸化錫膜５の表面上に被覆さ
れている。両電極間に電源９により電圧を印加すると、
酸化錫膜５の露出部分でエッチング液に接触している部
分がエッチングされる。この酸化錫膜付き基板３をエッ
チング液２中に、マスキングレジストの長さ方向がエッ
チング液面にほぼ直角になるようにして、搬送ローラー
８を含む上下方向に移動させる移動手段（図示されな
い）により一定速度でエッチング液２中に徐々に沈めて
いく。
【００１９】以上により、ガラス基板をエッチング液中
に浸漬していく過程で、電気分解により還元溶解する部
分の酸化錫膜のエッチング液に対する電位は、ほぼ一定
に維持され、これによりエッチング速度が一定となる。
に浸漬していく過程で、電気分解により還元溶解する部
分の酸化錫膜のエッチング液に対する電位は、ほぼ一定
に維持され、これによりエッチング速度が一定となる。
【００２０】図３は、本発明の他の実施の形態を模式的
に示した図である。ガラス基板４上に酸化錫膜５が被覆
された酸化錫膜付きガラス基板３をほぼ水平に台（図示
しない）に載置し、エッチング液２を酸化錫膜の端部に
エッチング液供給部１０から滴下しつつ供給し、酸化錫
膜５とガラス基板４の表面の境界部に、エッチング液２
のプールを形成する。
に示した図である。ガラス基板４上に酸化錫膜５が被覆
された酸化錫膜付きガラス基板３をほぼ水平に台（図示
しない）に載置し、エッチング液２を酸化錫膜の端部に
エッチング液供給部１０から滴下しつつ供給し、酸化錫
膜５とガラス基板４の表面の境界部に、エッチング液２
のプールを形成する。
【００２１】酸化錫膜５の表面に負電極７を接触させ、
正電極６と負電極７との間に電源９により電圧を印加す
る。エッチング液２と接触する部分で酸化錫膜は発生期
の水素により還元溶解される。エッチングが進行し、エ
ッチングが行われる領域が図３の右方向に移動するとと
ともに、エッチング液２と酸化錫膜５とが接触する部分
から負電極と酸化錫膜の接触点までの距離をほぼ一定に
なるように、電極系を図３の右方向に移動させる。
正電極６と負電極７との間に電源９により電圧を印加す
る。エッチング液２と接触する部分で酸化錫膜は発生期
の水素により還元溶解される。エッチングが進行し、エ
ッチングが行われる領域が図３の右方向に移動するとと
ともに、エッチング液２と酸化錫膜５とが接触する部分
から負電極と酸化錫膜の接触点までの距離をほぼ一定に
なるように、電極系を図３の右方向に移動させる。
【００２２】これにより、負電極と酸化錫膜の接触点か
らエッチングが行われる部分までの酸化錫膜に基づく電
圧降下が一定になり、酸化錫膜のエッチングが行われる
部分で電位が常にほぼ一定になる。これにより、酸化錫
膜のエッチング速度を一定にすることができる。本発明
においては、電極系を移動する代わりに、ガラス基板を
図３の左方向に移動して上記の電圧降下を一定にするよ
うに操作してもよい。
らエッチングが行われる部分までの酸化錫膜に基づく電
圧降下が一定になり、酸化錫膜のエッチングが行われる
部分で電位が常にほぼ一定になる。これにより、酸化錫
膜のエッチング速度を一定にすることができる。本発明
においては、電極系を移動する代わりに、ガラス基板を
図３の左方向に移動して上記の電圧降下を一定にするよ
うに操作してもよい。
【００２３】負電極としては、上記の導電性ゴムからな
るロール状電極や細い金属線を束ねたブラシ状電極を用
いることができる。これらの電極は、マスキングレジス
トが被覆されていない酸化錫膜が露出された狭い幅の凹
部に押圧することにより電気的導通を確実にする上で好
ましい。
るロール状電極や細い金属線を束ねたブラシ状電極を用
いることができる。これらの電極は、マスキングレジス
トが被覆されていない酸化錫膜が露出された狭い幅の凹
部に押圧することにより電気的導通を確実にする上で好
ましい。
【００２４】以下に本発明を実施例で説明する。 実施例１ ガラス基板（１５ｃｍ×１５ｃｍ）上に全面に成膜され
た膜厚２００ｎｍの酸化錫膜（面積抵抗１０Ω／□）上
にマスキングレジストとしてフォトレジスト（商品名東
京応化ＰＭＥＲＰ−４００）を図２に示すような形状
（ストライプ状電極幅３００μｍ、電極間（被エッチン
グ部分の幅）１００μｍに形成した。その後、図１に示
した装置を用いてエッチングを行った。負電極の押圧部
分はフォトレジストの厚み以上に変形し酸化錫膜に接触
可能な導電性ゴムからなるロール状電極を用い、エッチ
ング液からの距離を３０ｍｍとした。酸化錫膜付き基板
を搬送ローラーにより６Ｎ（規定）塩酸のエッチング液
に浸漬していった。印加電圧を４０Ｖ、基板の浸漬速度
を２０ｃｍ／分とした。このとき、エッチング液の表面
付近で気体の発生をともないながら酸化錫膜の溶解が起
こった。電極膜残りの有無とフォトレジストで隠蔽され
た部分におけるエッチングの有無（オーバエッチングの
有無）について調べた結果を表１に示す。
た膜厚２００ｎｍの酸化錫膜（面積抵抗１０Ω／□）上
にマスキングレジストとしてフォトレジスト（商品名東
京応化ＰＭＥＲＰ−４００）を図２に示すような形状
（ストライプ状電極幅３００μｍ、電極間（被エッチン
グ部分の幅）１００μｍに形成した。その後、図１に示
した装置を用いてエッチングを行った。負電極の押圧部
分はフォトレジストの厚み以上に変形し酸化錫膜に接触
可能な導電性ゴムからなるロール状電極を用い、エッチ
ング液からの距離を３０ｍｍとした。酸化錫膜付き基板
を搬送ローラーにより６Ｎ（規定）塩酸のエッチング液
に浸漬していった。印加電圧を４０Ｖ、基板の浸漬速度
を２０ｃｍ／分とした。このとき、エッチング液の表面
付近で気体の発生をともないながら酸化錫膜の溶解が起
こった。電極膜残りの有無とフォトレジストで隠蔽され
た部分におけるエッチングの有無（オーバエッチングの
有無）について調べた結果を表１に示す。
【００２５】実施例２〜５ エッチングパラメーターを変えて、実施例１と同じ方法
で電極加工をした。エッチング条件及び電極加工の結果
を表１に示す。得られた実施例１〜５のサンプルは、い
ずれもフォトレジストの寸法に合った電極加工ができ、
またエッチング残りは認められなかった。さらに、ガラ
ス基板の全体にわたって均一にエッチングができてい
た。
で電極加工をした。エッチング条件及び電極加工の結果
を表１に示す。得られた実施例１〜５のサンプルは、い
ずれもフォトレジストの寸法に合った電極加工ができ、
またエッチング残りは認められなかった。さらに、ガラ
ス基板の全体にわたって均一にエッチングができてい
た。
【００２６】
【表１】 表１ 実施例 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ サンプルＮｏ． １ ２ ３ ４ ５ ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー （エッチング条件） 膜厚（ｎｍ） １００ １００ ２００ ２００ ７００ 距離Ｈ（ｍｍ） ３０ ５ １００ ５ ２５ 電圧（Ｖ） ４０ ２０ ８０ ５０ ３０ 浸漬速度（ｃｍ／分） ２０ ２５ １０ １００ ５０ エッチング液 (1) ６Ｎ塩酸 ３Ｎ塩酸 ２Ｎ塩酸 １Ｎ塩酸 ６Ｎ塩酸 (2) − ヒ゜ロリン酸 ヒ゜ロリン酸 ヒ゜ロリン酸 ヒ゜ロリン酸 (1)：(2)の重量比 − １：２０ １：５ １：１０ １：１ ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー （エッチング結果） 膜残り 無し 無し 無し 無し 無し オーバーエッチ 無し 無し 無し 無し 無し ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００２７】比較例１ 図２で示される酸化錫膜の露出部分の上部に金属クリッ
プの負電極を固定して実施例１と同じようにガラス基板
をその下端部からエッチング液に漬けていった。結果を
表２に示す。得られた比較サンプル１では、ガラス基板
の上部の酸化錫膜は、加工された電極間（スペース部）
においてエッチング残りが認められず、また、オーバー
エッチも認められなかったが、ガラス基板の下端部の酸
化錫膜は、完全にエッチングがされず、多数の微小エッ
チング残りが認められ、ガラス基板全体にわたって均一
なエッチングができなかった。
プの負電極を固定して実施例１と同じようにガラス基板
をその下端部からエッチング液に漬けていった。結果を
表２に示す。得られた比較サンプル１では、ガラス基板
の上部の酸化錫膜は、加工された電極間（スペース部）
においてエッチング残りが認められず、また、オーバー
エッチも認められなかったが、ガラス基板の下端部の酸
化錫膜は、完全にエッチングがされず、多数の微小エッ
チング残りが認められ、ガラス基板全体にわたって均一
なエッチングができなかった。
【００２８】比較例２ 負電極の取り付け方を比較例１と同じようにして電極加
工を行った。この比較サンプル２では、ガラス基板の下
端部の酸化錫膜はオーバーエッチングがない電極加工が
できたが、ガラス基板の上部の酸化錫膜はオーバーエッ
チングが生じ電極幅の顕著なやせ細りが認められ、基板
全体にわたって均一にエッチングすることができなかっ
た。
工を行った。この比較サンプル２では、ガラス基板の下
端部の酸化錫膜はオーバーエッチングがない電極加工が
できたが、ガラス基板の上部の酸化錫膜はオーバーエッ
チングが生じ電極幅の顕著なやせ細りが認められ、基板
全体にわたって均一にエッチングすることができなかっ
た。
【００２９】比較例３〜４ 負電極の付け方を比較例１と同じようにして表２に示す
エッチング条件で電極加工した結果を表２に示す。電極
間（スペース部）中央に膜残りが認められ、電極間の絶
縁抵抗は不十分であった。
エッチング条件で電極加工した結果を表２に示す。電極
間（スペース部）中央に膜残りが認められ、電極間の絶
縁抵抗は不十分であった。
【００３０】
【表２】 表２ 比較例 ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 比較サンプルＮｏ． １ ２ ３ ４ ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー （エッチング条件） 膜厚（ｎｍ） ２００ ２００ １００ ３００ 距離Ｈ（ｍｍ） 変化 変化 変化 変化 電圧（Ｖ） ４０ ８０ ３ ２ 浸漬速度（ｃｍ／分） ２０ ５ １０ ５ エッチング液 ６Ｎ塩酸 ３Ｎ塩酸 ２Ｎ塩酸 ２Ｎ塩酸 ーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーーー （エッチング結果） 膜残り 有り 無し 有り 有り オーバーエッチ 無し 有り 無し 無し ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ 注）距離Ｈは、エッチングの進行にしたがって小さくなっていく。
【００３１】以上から、本発明によれば、酸化錫膜のガ
ラス基板全体にわたって、エッチング残りとオーバエッ
チングを発生させることなく微細寸法の電極加工をでき
ることが分かる。
ラス基板全体にわたって、エッチング残りとオーバエッ
チングを発生させることなく微細寸法の電極加工をでき
ることが分かる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、エッチングが進行して
いる導電膜の位置が移動しても、その位置と負電極との
距離が常に一定に維持されているので、エッチングは、
酸化錫膜による電圧降下を受けることなくエッチング液
に対して一定の電位で行われる。これにより、導電膜全
体について一定のエッチング速度でエッチングを行うこ
とができ、電極加工を膜残りやオーバーエッチが生じる
ことなく均一に行うことができる。
いる導電膜の位置が移動しても、その位置と負電極との
距離が常に一定に維持されているので、エッチングは、
酸化錫膜による電圧降下を受けることなくエッチング液
に対して一定の電位で行われる。これにより、導電膜全
体について一定のエッチング速度でエッチングを行うこ
とができ、電極加工を膜残りやオーバーエッチが生じる
ことなく均一に行うことができる。
【００３３】また本発明のエッチング液を、酸として塩
酸とピロリン酸を含む液とすることにより、エッチング
液と酸化錫膜との濡れ性が向上するので酸化錫膜をより
均一にエッチングすることができる。
酸とピロリン酸を含む液とすることにより、エッチング
液と酸化錫膜との濡れ性が向上するので酸化錫膜をより
均一にエッチングすることができる。
【００３４】また導電膜と負電極との接続点から酸化錫
膜がエッチング液に接触する位置までの距離を１００ｍ
ｍ以下とすることにより、酸化錫膜に起因する電圧降下
を小さくでき、印加電圧を低くすることができる。
膜がエッチング液に接触する位置までの距離を１００ｍ
ｍ以下とすることにより、酸化錫膜に起因する電圧降下
を小さくでき、印加電圧を低くすることができる。
【００３５】またエッチング液と導電膜の間に印加する
電圧を４〜８０Ｖとすることにより、レジストの絶縁破
壊を生じることなくエッチング速度を大きくすることが
できる。
電圧を４〜８０Ｖとすることにより、レジストの絶縁破
壊を生じることなくエッチング速度を大きくすることが
できる。
【図１】本発明の一実施例を説明する図である。
【図２】本発明の一実施例で用いたロール状電極と酸化
錫膜の接触状態を説明する図である。
錫膜の接触状態を説明する図である。
【図３】本発明の他の実施例を説明する図である。
１・・・容器 ２・・・エッチング液 ３・・・酸化錫膜付き基板 ４・・・ガラス基板 ５・・・酸化錫膜 ６・・・正電極 ７・・・負電極 ８・・・搬送ローラー ９・・・電源 １０・・エッチング液供給部 １１・・マスキングレジスト １２・・負電極と酸化錫膜との接触点
Claims (7)
- 【請求項１】基板表面に形成された導電膜の一部を、酸
を含むエッチング液に接触させるとともに前記エッチン
グ液を正電極に接触させ、前記導電膜のエッチング液に
接触させない他部を、負電極に電気的に接続させて、前
記正電極と負電極の間に電圧を印加して導電膜を還元し
てエッチングする方法において、前記導電膜と前記負電
極の接続点から前記導電膜がエッチング液に接触させた
部分までの最短距離をほぼ一定に維持しつつ、前記導電
膜の一部がエッチングされるにしたがい、前記導電膜の
他部をエッチング液に接触させていくことを特徴とする
導電膜のエッチング方法。 - 【請求項２】前記エッチング液は、酸として塩酸を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜のエッチング
方法。 - 【請求項３】前記エッチング液は、酸として塩酸とピロ
リン酸を含むことを特徴とする請求項１または２に記載
の導電膜のエッチング方法。 - 【請求項４】前記印加する電圧を４Ｖ以上とした請求項
１〜３のいずれかに記載の導電膜のエッチング方法。 - 【請求項５】前記導電膜と前記負電極の接続点から前記
導電膜がエッチング液に接触する部分までの最短距離を
１００ｍｍ以下とした請求項１〜４のいずれかに記載の
導電膜のエッチング方法。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の道電膜の
エッチング方法を行う前後に、それぞれ導電膜上にマス
キングレジストを塗布して所定形状の導電膜を露出させ
ること、およびそのマスキングレジストを除去すること
を行う導電膜のエッチング方法。 - 【請求項７】前記印加する電圧を４〜８０Ｖの範囲とす
る請求項６に記載の導電膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP744898A JPH11203963A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 導電膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP744898A JPH11203963A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 導電膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11203963A true JPH11203963A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11666131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP744898A Pending JPH11203963A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 導電膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11203963A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015030115A1 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | 東レ株式会社 | パターン化された導電積層体およびその製造方法 |
| CN108417490A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蚀刻金属工件的方法和显示面板的制作方法 |
-
1998
- 1998-01-19 JP JP744898A patent/JPH11203963A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015030115A1 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | 東レ株式会社 | パターン化された導電積層体およびその製造方法 |
| CN108417490A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蚀刻金属工件的方法和显示面板的制作方法 |
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