JPS60189939A - 薄層電気回路の形成法 - Google Patents
薄層電気回路の形成法Info
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- JPS60189939A JPS60189939A JP60030682A JP3068285A JPS60189939A JP S60189939 A JPS60189939 A JP S60189939A JP 60030682 A JP60030682 A JP 60030682A JP 3068285 A JP3068285 A JP 3068285A JP S60189939 A JPS60189939 A JP S60189939A
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- layer
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/08—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by electric discharge, e.g. by spark erosion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
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- H05K2201/0326—Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
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- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0121—Patterning, e.g. plating or etching by moving electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔利用分野〕
本発明は、電気絶縁性基体上に被覆した薄い導体層また
は半導体層から成る電気回路の形成に関する。
は半導体層から成る電気回路の形成に関する。
上記のタイプの電気回路の形成については多くの方法が
知られている。
知られている。
公知の方法では、ある範囲について薄い導体層または半
導体層を保護でき且つ所定のパターンにもとづき腐食で
きるマスクを使用する。このプロセスは、多くの場合、
写真技術を利用する。しかしながら、回路の作製操作は
、比較的複雑であり、マスクの作製に依存する回路の作
製にはフレキシビリティに欠けている。
導体層を保護でき且つ所定のパターンにもとづき腐食で
きるマスクを使用する。このプロセスは、多くの場合、
写真技術を利用する。しかしながら、回路の作製操作は
、比較的複雑であり、マスクの作製に依存する回路の作
製にはフレキシビリティに欠けている。
更に良好な結果を得ることができる別の公知の方法では
、基体に被覆した薄い導体層または半導体層の所望の範
囲を除去するためレーザ技術を利用する。この技術は、
回路を正確に作製できるが、尚価な装置を必要とすると
云う欠点がある。
、基体に被覆した薄い導体層または半導体層の所望の範
囲を除去するためレーザ技術を利用する。この技術は、
回路を正確に作製できるが、尚価な装置を必要とすると
云う欠点がある。
更に、絶縁性基体に被覆した薄い金属層に形成したプリ
ント導体回路を加工できる材料除去技術（例えば、電食
技術）も公知である。この技術は、導電性の薄層（一般
に、銅層）に限定され、切除部分の特性を正確に足める
こともできず、上記切除部分の゛両側の絶縁性を強化す
ることもできない。
ント導体回路を加工できる材料除去技術（例えば、電食
技術）も公知である。この技術は、導電性の薄層（一般
に、銅層）に限定され、切除部分の特性を正確に足める
こともできず、上記切除部分の゛両側の絶縁性を強化す
ることもできない。
本発明の自重は、簡単且つ安価で操作容易な装置によっ
て、品質（特に、絶縁性）の優れた、所望のすべての形
状の電気回路を作製することにある。
て、品質（特に、絶縁性）の優れた、所望のすべての形
状の電気回路を作製することにある。
このため、連続の薄層を基体上に被覆し、次いで、上記
薄層を切除、腐食または除去して電気回路を形成する形
式の、電気絶縁性基体上に被覆した薄い導体層ま九は半
導体層から成る電気回路の形成法は、本発明にもとづき
、上記の切除操作。
薄層を切除、腐食または除去して電気回路を形成する形
式の、電気絶縁性基体上に被覆した薄い導体層ま九は半
導体層から成る電気回路の形成法は、本発明にもとづき
、上記の切除操作。
腐食操作または除去操作を適切な組成の媒体中で電食技
術で行なって、上記媒体中の電食工具の先端と主記薄い
導体層との間に生ずる微小アークの作用により、予定の
範囲に新しい電気絶縁性化合物を生成させることを特徴
とする。
術で行なって、上記媒体中の電食工具の先端と主記薄い
導体層との間に生ずる微小アークの作用により、予定の
範囲に新しい電気絶縁性化合物を生成させることを特徴
とする。
即ち、使用する薄い導体層または半導体層に関連して媒
体と電気化学物に且つ防電的に適切に選択することによ
って、操作が極めて簡単な電食技術を利用して、上記薄
層に所望のすべての形状の回路を形成でき、かくして適
所に形成された絶縁ゾーンによって完全な絶縁を達成で
きる。
体と電気化学物に且つ防電的に適切に選択することによ
って、操作が極めて簡単な電食技術を利用して、上記薄
層に所望のすべての形状の回路を形成でき、かくして適
所に形成された絶縁ゾーンによって完全な絶縁を達成で
きる。
実施例を示す添付の図面を参照して以下に本発明の詳細
な説明する。
な説明する。
第１図に示した実施例にもとづき、プレート２を槽１の
内部に設置し、誘電性液または電解質から成る媒体３中
に浸漬する。プレート２は、例えば、薄い導体層または
半導体層（例えば、ＳｎＯ＊。
内部に設置し、誘電性液または電解質から成る媒体３中
に浸漬する。プレート２は、例えば、薄い導体層または
半導体層（例えば、ＳｎＯ＊。
スズをドープした酸化インジウム−略号： ＩＴＯ（’
ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ ” ） ）を被
覆したガラス基体から成るプレートである。上記層の厚
さは、例えば、７００〜８．０００ 、ｔ ｙゲストｏ
−Ａ（Ａ ） （即ち、７Ｘ１０ 〜８Ｘ１０ ｍｓ
）である。
ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ ” ） ）を被
覆したガラス基体から成るプレートである。上記層の厚
さは、例えば、７００〜８．０００ 、ｔ ｙゲストｏ
−Ａ（Ａ ） （即ち、７Ｘ１０ 〜８Ｘ１０ ｍｓ
）である。
被覆操作は、すべての適切な手段（例えば、化学的沈析
、コーテング、真空スパッタリング、蒸着、スプレー、
など）によって行うことができる。
、コーテング、真空スパッタリング、蒸着、スプレー、
など）によって行うことができる。
−万、電食工具（例えば、導電性針４）は、槽または被
加工層にアースした発電機Ｇの負側端子−■に接続する
。
加工層にアースした発電機Ｇの負側端子−■に接続する
。
図示の実施例の場合、反応が行われる媒体は水である。
薄い導体層または半導体層を電食加工する場合、電＆４
の先端をプレートに当接させ、所望の通路、例えば、−
辺から他辺へプレートを横切る直線５、プレートの何れ
かの端面に交互に達する直線６または別の所望のパター
ンに沿ってプレート上を移動式せる。かくして、独立の
平行な回路または直列の回路が得られる。図示の実施例
の場合、直線５．６の部分は、複雑な化学的性質を有し
、抵抗が常に２Ｘ １０’Ωよりも大きい絶縁性リボン
乃至ゾーンを構成する。比表面抵抗が１０〜５０Ωの層
の場合、最少電圧（閾値電圧）は、平均値として、４０
Ｖのオーダであり、作動電流は３０〜１５０ｍＡでちる
。
の先端をプレートに当接させ、所望の通路、例えば、−
辺から他辺へプレートを横切る直線５、プレートの何れ
かの端面に交互に達する直線６または別の所望のパター
ンに沿ってプレート上を移動式せる。かくして、独立の
平行な回路または直列の回路が得られる。図示の実施例
の場合、直線５．６の部分は、複雑な化学的性質を有し
、抵抗が常に２Ｘ １０’Ωよりも大きい絶縁性リボン
乃至ゾーンを構成する。比表面抵抗が１０〜５０Ωの層
の場合、最少電圧（閾値電圧）は、平均値として、４０
Ｖのオーダであり、作動電流は３０〜１５０ｍＡでちる
。
比表面抵抗が５００よりも大きい層の場合、閾値電圧は
、６０〜１５０■であるが、作動電流は、同じく、 ３
０〜１５０ｍＡである。
、６０〜１５０■であるが、作動電流は、同じく、 ３
０〜１５０ｍＡである。
条溝の幅は、直接、加工電圧、移；動速度および工具形
状に依存する。上記の幅は、一般に、５０〜２００ Ｉ
ｔであり、層の比表面抵抗が大きければ大きい程、細い
条溝が得られる。
状に依存する。上記の幅は、一般に、５０〜２００ Ｉ
ｔであり、層の比表面抵抗が大きければ大きい程、細い
条溝が得られる。
生成した絶縁ゾーンによって条溝の両側に得られる絶縁
強度は、被加工材料の種類に藺・係なく、２×１００よ
りも太きい。
強度は、被加工材料の種類に藺・係なく、２×１００よ
りも太きい。
電解質または誘電性液または被加工層を十分に濡らすゲ
ルまたは乾いたフィルムを使用する場合、電食が行われ
る媒体が、導体層′または半導体層のレベルにおける絶
縁性リボン乃至ゾーンの形成を促進さえすれば、槽を使
用する必要はない、 Ｉｉ’ｉｌち一上記フイルムのレ
ベルにおいて、電食アークが安定化され、２に、被処理
層の性質を変更する化学反応が、電食によって作られた
切除部分のレベルにおけ為絶縁性リボンの形成に寄与す
ると考えられる。
ルまたは乾いたフィルムを使用する場合、電食が行われ
る媒体が、導体層′または半導体層のレベルにおける絶
縁性リボン乃至ゾーンの形成を促進さえすれば、槽を使
用する必要はない、 Ｉｉ’ｉｌち一上記フイルムのレ
ベルにおいて、電食アークが安定化され、２に、被処理
層の性質を変更する化学反応が、電食によって作られた
切除部分のレベルにおけ為絶縁性リボンの形成に寄与す
ると考えられる。
媒体としては、被加工層を十分に濡らす被膜を形成する
水／エチルアルコール混合物を使用できる。この場合、
発電機Ｇの１つの端子（例えば、アース）を被加工材料
に接続し、発電機Ｇの別の端子を先端をプレートに当接
させた工具４に接続すればよい。工具先端に生じた微小
アークが、上記範囲における電解質、即ち、水／エチル
アルコールとの反応によって、薄い半導体層を食刻し、
所望の回路が得られる。
水／エチルアルコール混合物を使用できる。この場合、
発電機Ｇの１つの端子（例えば、アース）を被加工材料
に接続し、発電機Ｇの別の端子を先端をプレートに当接
させた工具４に接続すればよい。工具先端に生じた微小
アークが、上記範囲における電解質、即ち、水／エチル
アルコールとの反応によって、薄い半導体層を食刻し、
所望の回路が得られる。
もちろん、複数の工具を併行して使用できる。
工具は、任意の形状、例えば、ワイヤ、プレートまたは
加工すべき導体層または半導体層のある長さに当接させ
ることができる断面の小さい別の導体であってよい。
加工すべき導体層または半導体層のある長さに当接させ
ることができる断面の小さい別の導体であってよい。
第２図および第３図に、工具の特に好ましい実施例を示
した。
した。
全体として１０で示した工具は、本質的に、送出ボビン
１３と巻取ボビン１４との間で緊張された金属ワイヤ１
２が通過する電気絶縁性ローラ１１を含む。金属今ワイ
ヤ１３の断面およびローラ１１のミゾ１５の断面は、第
３図に示した如く、ワイヤ１２がローラ１１の下面から
突出するよう選択する。ワイヤは、ローラ１１の入口お
よび出口においてワイヤガイド１６．１７によって案内
するのが有利である。ワイヤと役割ニブレート２の表面
とがなす角度α、βは、例えば、３０’であればよい。
１３と巻取ボビン１４との間で緊張された金属ワイヤ１
２が通過する電気絶縁性ローラ１１を含む。金属今ワイ
ヤ１３の断面およびローラ１１のミゾ１５の断面は、第
３図に示した如く、ワイヤ１２がローラ１１の下面から
突出するよう選択する。ワイヤは、ローラ１１の入口お
よび出口においてワイヤガイド１６．１７によって案内
するのが有利である。ワイヤと役割ニブレート２の表面
とがなす角度α、βは、例えば、３０’であればよい。
１つの実施例では、金属ワイヤの径は、０，０８〜０．
１２聾であり、径の約１／２が、ローラ１１の表面から
突出する。
１２聾であり、径の約１／２が、ローラ１１の表面から
突出する。
ローラ１１およびボビン１３，１４から成るユニットは
、支持プレート（図示してない）に取付けである。加工
時に、工具を押圧してワイヤ１２をプレート２に当接さ
せ、ワイヤの長さ方向、即ち、矢印１８または１９の方
向へ工具を移させて、プレート２に絶縁性条溝を形成す
る。ワイヤの供給方式にもとづき、条溝形成毎にワイヤ
を１／２〜１鱈だけ送出して新しい工具先端を得ること
ができる。当接圧力は、１００〜７００２であればよく
、ワイヤの張力は、５０〜５００ｆに保持すればよい。
、支持プレート（図示してない）に取付けである。加工
時に、工具を押圧してワイヤ１２をプレート２に当接さ
せ、ワイヤの長さ方向、即ち、矢印１８または１９の方
向へ工具を移させて、プレート２に絶縁性条溝を形成す
る。ワイヤの供給方式にもとづき、条溝形成毎にワイヤ
を１／２〜１鱈だけ送出して新しい工具先端を得ること
ができる。当接圧力は、１００〜７００２であればよく
、ワイヤの張力は、５０〜５００ｆに保持すればよい。
ローラ３ｆｃ通過する工具の先端を湾曲すれば、工具の
利用度が向上され、基体の弁子両性を補償することがで
きる。ｓｎｏｗ層を被覆したプレート２の場合、工具先
端に１０面の電圧を印加し、誘電性反応媒体として薄い
水膜を使用すれば、良い結果が得られる。加工電流は１
００ｍＡのオーダである。
利用度が向上され、基体の弁子両性を補償することがで
きる。ｓｎｏｗ層を被覆したプレート２の場合、工具先
端に１０面の電圧を印加し、誘電性反応媒体として薄い
水膜を使用すれば、良い結果が得られる。加工電流は１
００ｍＡのオーダである。
第１図は本発明の実施例の略図、第２図は本発明の形成
法の実施に適した工具の略図、笹゛３図は第２図の■−
■線に沿う工具先端の断面図である。 １・・―Ｓ槽、２・拳・・プレート、３１１・・・媒体
、４・・・・導電性針、１ｏ・・・・器具、１１・・・
・ローラ、１２１・・金属ワイヤ、１３・・・・送出ボ
ビン、１４１・−巻取ボビン。 特許出願人 ソルム・ニス・アー
法の実施に適した工具の略図、笹゛３図は第２図の■−
■線に沿う工具先端の断面図である。 １・・―Ｓ槽、２・拳・・プレート、３１１・・・媒体
、４・・・・導電性針、１ｏ・・・・器具、１１・・・
・ローラ、１２１・・金属ワイヤ、１３・・・・送出ボ
ビン、１４１・−巻取ボビン。 特許出願人 ソルム・ニス・アー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）電気絶縁性基体上に被覆した薄い導体層または半
導体層から成る電気回路の形成法であって、連続の薄層
を基体上に被覆し、次いで、上記薄層を切除、腐食また
は除去して上記回路を形成するものにおいて、上記の切
除操作、腐食操作、または除去操作を適切な組成の媒体
中で電食技術によって行なって、上記媒体中の電食工具
（４）の先端と上記薄い導体層との間に生ずる微小アー
クの作用により、予定の範囲に新しい電気絶縁性化合物
を生成させることを特徴とする薄層電気回路の形成法。 （２）上記媒体が、上記化合物の生成を促進する電解質
または誘電性液であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の形成法。 （３）回路の所望のパターン（５，６）を得るため、基
体な）と電食工具（４）とを相対運動させることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の形成法
。 （４）導体層の比表面抵抗に依存して工具に加工電圧を
加えることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項
の何れか１項に記載の形成法。 （５）薄層の比表面抵抗、工具の形状、工具の移動速度
および腐食電圧を変更することにより、工具によって上
記薄層に形成される条溝または切除部分の幅を調節する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項の何れ
か１項に記載の形成法。 （６）薄層としてＳｎＯ！またはＩＴＯ（スズをドープ
した酸化インジウム）を使用することを特徴とする特許
請求の範囲第１項〜第５項の何れか１項に記載の形成法
。 （力薄層の厚さは、約７×ｌＯ″〜８ Ｘ １０−’
ｗｎであることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第
６項の何れか１項に記載の形成法。 （８）薄層は、絶縁性基体（例えば、ガラス）に被覆す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第８項の何
れか１項に記載の形成法。 （９）上記媒体として、本質的に、場合によっては少量
のエチルアルコールを添加した水を使用することを特徴
とする特許請求の範囲第１項〜第８項の何れか１項に記
載の形成法。 ０〔約４０〜１５０ｖの加工電圧および３０〜１５０ｍ
Ａの電源強度を使用することを特徴とする特許請求の範
囲第１項〜第９項の何れか１項に記載の形成法。 ０］）特許請求の範囲ｇ１項〜第１０項の何れか１項に
記載の方法を実施する装置において、少くとも１つのロ
ーラを含んでおり、金属ワイヤが、送出ボビンと巻取ボ
ビンとの間で緊張された状態で、上記ローラの表面を通
過し、ワイヤの長さに平行に上記電食先端を形成するこ
とを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8402490 | 1984-02-20 | ||
| FR8402490A FR2559960B1 (fr) | 1984-02-20 | 1984-02-20 | Procede de formation de circuits electriques en couche mince et produits obtenus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189939A true JPS60189939A (ja) | 1985-09-27 |
Family
ID=9301166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030682A Pending JPS60189939A (ja) | 1984-02-20 | 1985-02-20 | 薄層電気回路の形成法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4634826A (ja) |
| EP (1) | EP0154572B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60189939A (ja) |
| DE (1) | DE3571910D1 (ja) |
| FR (1) | FR2559960B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2874986B2 (ja) * | 1990-09-03 | 1999-03-24 | 出光興産株式会社 | 電極のパターン形成方法 |
| US5149404A (en) * | 1990-12-14 | 1992-09-22 | At&T Bell Laboratories | Fine line scribing of conductive material |
| DE69320856T2 (de) * | 1992-03-30 | 1999-02-04 | Seiko Instr Co Ltd | Verfahren zur elektrochemischen Feinbearbeitung |
| WO2004013900A2 (en) * | 2002-08-05 | 2004-02-12 | Research Foundation Of The State University Of New York | System and method for manufacturing embedded conformal electronics |
| US8397374B2 (en) * | 2009-07-16 | 2013-03-19 | National Taipei University Of Technology | Micro spherical stylus manufacturing machine |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US2248057A (en) * | 1939-01-25 | 1941-07-08 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical cutting device |
| FR977587A (fr) * | 1942-08-20 | 1951-04-03 | Procédé de décapage d'objets métallisés, notamment pour la fabrication de condensateurs électriques | |
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| GB805291A (en) * | 1953-12-02 | 1958-12-03 | Philco Corp | Improvements in methods of electrolytically etching or plating bodies of semiconductive material |
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