JPH11199950A - ＳｉＣ粒子の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ粒子の製造方法Info
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- JPH11199950A JPH11199950A JP10006585A JP658598A JPH11199950A JP H11199950 A JPH11199950 A JP H11199950A JP 10006585 A JP10006585 A JP 10006585A JP 658598 A JP658598 A JP 658598A JP H11199950 A JPH11199950 A JP H11199950A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、金属基複合材料の強化材としての
ＳｉＣ粒子の製造方法に関し、特に、ＡｌまたはＡｌ合
金粉末と、Ｃおよび／またはＳｉの粉末を混合・成形後
に直接的に固体反応させることによって生成する微細な
ＳｉＣ粒子の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミニウム系複合材料の強化材として
のＳｉＣ粒子の製造方法であって、ＡｌまたはＡｌ合金
粉末とＳｉ粉末とＣ粉末を混合する工程と、前記混合物
を圧縮することにより成形する工程と、前記成形体を不
活性雰囲気中で加熱する工程からなることを特徴とし、
また、Ａｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ合金粉末とＣ粉末を
混合する工程と、前記混合物を圧縮することにより成形
する工程と、前記成形体を不活性雰囲気中で加熱する工
程からなることを特徴とする。
ＳｉＣ粒子の製造方法に関し、特に、ＡｌまたはＡｌ合
金粉末と、Ｃおよび／またはＳｉの粉末を混合・成形後
に直接的に固体反応させることによって生成する微細な
ＳｉＣ粒子の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミニウム系複合材料の強化材として
のＳｉＣ粒子の製造方法であって、ＡｌまたはＡｌ合金
粉末とＳｉ粉末とＣ粉末を混合する工程と、前記混合物
を圧縮することにより成形する工程と、前記成形体を不
活性雰囲気中で加熱する工程からなることを特徴とし、
また、Ａｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ合金粉末とＣ粉末を
混合する工程と、前記混合物を圧縮することにより成形
する工程と、前記成形体を不活性雰囲気中で加熱する工
程からなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属基複合材料の
強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法に関し、特に、Ａ
ｌまたはＡｌ合金粉末と、Ｃおよび／またはＳｉの粉末
を混合・成形後に直接的に固体反応させることによって
生成される微細なＳｉＣ粒子を得る製造方法に関する。
強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法に関し、特に、Ａ
ｌまたはＡｌ合金粉末と、Ｃおよび／またはＳｉの粉末
を混合・成形後に直接的に固体反応させることによって
生成される微細なＳｉＣ粒子を得る製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属基複合材料として、マトリックス中
にＳｉＣ等の硬質な微細粒子を分散させた粒子分散型複
合材料は、分散粒としてのセラミックス本来の特性と、
さらに粒子を均一分散させることによる材料の破壊強度
の向上、特に高温破壊特性の改善が可能となる。この内
アルミニウムおよびその合金をベースとするものでは、
粉末冶金法による製造が主体であったが、この方法で
は、切削工程が無くかなり複雑な製品を作ることは出来
るが、強度的には低いものであり、かつ製造効率の点に
おいて問題があった。その他、レオキャスティング法に
よって半溶融スラリー状にて強化材を添加し攪拌する方
法、またはメカニカルアロイング法等があるが、これら
においても均質性および製造工程の複雑さからコスト上
昇は避けられない。
にＳｉＣ等の硬質な微細粒子を分散させた粒子分散型複
合材料は、分散粒としてのセラミックス本来の特性と、
さらに粒子を均一分散させることによる材料の破壊強度
の向上、特に高温破壊特性の改善が可能となる。この内
アルミニウムおよびその合金をベースとするものでは、
粉末冶金法による製造が主体であったが、この方法で
は、切削工程が無くかなり複雑な製品を作ることは出来
るが、強度的には低いものであり、かつ製造効率の点に
おいて問題があった。その他、レオキャスティング法に
よって半溶融スラリー状にて強化材を添加し攪拌する方
法、またはメカニカルアロイング法等があるが、これら
においても均質性および製造工程の複雑さからコスト上
昇は避けられない。
【０００３】特に、マトリックスがＡｌまたはＡｌ合金
で強化材としてＳｉＣである場合においては、元来Ａｌ
の反応性が良いために、ＡｌはＳｉより優先してＣと反
応する傾向にあり、所望のＳｉＣが得られず、むしろそ
の複合材としての特性を低下させることにもなりかねな
い。このため、安定してその強度向上効果を得ることは
かなりの困難性が存在していた。この分野の公知技術と
して、例えば特開平６−１０８１８０号公報には、Ｓ
ｉ：８〜１６％のＡｌ合金の溶湯にセラミックス粒等を
添加してＣと反応させてＳｉＣを形成する方法が開示さ
れている。しかし、この方法でも添加可能なＳｉ量がＡ
ｌ量によって制約を受け、生成するＳｉＣ粒子が粗大で
あるという問題があった。そこでＡｌ系金属基複合材料
において、強度向上に安定して機能させるためのＳｉＣ
粒子を均一に分散させた粒子分散型複合材料をコスト的
に有利に製造を可能とする技術開発が望まれていた。
で強化材としてＳｉＣである場合においては、元来Ａｌ
の反応性が良いために、ＡｌはＳｉより優先してＣと反
応する傾向にあり、所望のＳｉＣが得られず、むしろそ
の複合材としての特性を低下させることにもなりかねな
い。このため、安定してその強度向上効果を得ることは
かなりの困難性が存在していた。この分野の公知技術と
して、例えば特開平６−１０８１８０号公報には、Ｓ
ｉ：８〜１６％のＡｌ合金の溶湯にセラミックス粒等を
添加してＣと反応させてＳｉＣを形成する方法が開示さ
れている。しかし、この方法でも添加可能なＳｉ量がＡ
ｌ量によって制約を受け、生成するＳｉＣ粒子が粗大で
あるという問題があった。そこでＡｌ系金属基複合材料
において、強度向上に安定して機能させるためのＳｉＣ
粒子を均一に分散させた粒子分散型複合材料をコスト的
に有利に製造を可能とする技術開発が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ａｌ
系金属基複合材料にＳｉＣを均一に分散させる方法を検
討し、出発原料粉としてＡｌまたはＡｌ合金粉末、Ｓｉ
粉末、Ｃ粉末を混合して成形後、この成形体を加熱処理
することによって、ＳｉＣを生成・分散させ、この成形
体を溶融ＡｌまたはＡｌ合金に添加することによりＡｌ
系金属基複合材料を製造することを可能とする、強化材
としてのＳｉＣ粒子の製造方法を提供することにある。
系金属基複合材料にＳｉＣを均一に分散させる方法を検
討し、出発原料粉としてＡｌまたはＡｌ合金粉末、Ｓｉ
粉末、Ｃ粉末を混合して成形後、この成形体を加熱処理
することによって、ＳｉＣを生成・分散させ、この成形
体を溶融ＡｌまたはＡｌ合金に添加することによりＡｌ
系金属基複合材料を製造することを可能とする、強化材
としてのＳｉＣ粒子の製造方法を提供することにある。
【０００５】また、本発明の他の目的は、前記ＳｉＣを
均一に分散させる方法として、出発原料粉としてＡｌ−
ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ合金粉末、Ｃ粉末を混合して成形
後、前記工程によってＳｉＣを生成・分散させ、この成
形体を溶融Ａｌ金属または合金に添加することによりＡ
ｌ系金属基複合材料を製造することを可能とする、強化
材としてのＳｉＣ粒子の製造方法を提供することにあ
る。さらに、本発明の他の目的は、前記ＳｉＣを均一に
分散させ高強度化したＡｌまたはＡｌ合金基複合材料
を、内燃機関等の構成部材に適用する際にコスト的に有
利となるＡｌ系金属基複合材料を製造することを可能と
する、強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法を提供する
ことにある。
均一に分散させる方法として、出発原料粉としてＡｌ−
ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ合金粉末、Ｃ粉末を混合して成形
後、前記工程によってＳｉＣを生成・分散させ、この成
形体を溶融Ａｌ金属または合金に添加することによりＡ
ｌ系金属基複合材料を製造することを可能とする、強化
材としてのＳｉＣ粒子の製造方法を提供することにあ
る。さらに、本発明の他の目的は、前記ＳｉＣを均一に
分散させ高強度化したＡｌまたはＡｌ合金基複合材料
を、内燃機関等の構成部材に適用する際にコスト的に有
利となるＡｌ系金属基複合材料を製造することを可能と
する、強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、アルミニ
ウム系複合材料の強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法
であって、ＡｌまたはＡｌ合金粉末と、Ｓｉ粉末とＣ粉
末を混合する工程と、前記混合物を圧縮することにより
成形する工程と、前記成形体を不活性雰囲気中で加熱す
る工程からなることを特徴とするＳｉＣ粒子の製造方法
によって達成される。また、上記の目的は、アルミニウ
ム系複合材料の強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法で
あって、Ａｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ合金粉末と、Ｃ粉
末を混合する工程と、前記混合物を圧縮することにより
成形する工程と、前記成形体を不活性雰囲気中で加熱す
る工程からなることを特徴とするＳｉＣ粒子の製造方法
によっても達成される。
ウム系複合材料の強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法
であって、ＡｌまたはＡｌ合金粉末と、Ｓｉ粉末とＣ粉
末を混合する工程と、前記混合物を圧縮することにより
成形する工程と、前記成形体を不活性雰囲気中で加熱す
る工程からなることを特徴とするＳｉＣ粒子の製造方法
によって達成される。また、上記の目的は、アルミニウ
ム系複合材料の強化材としてのＳｉＣ粒子の製造方法で
あって、Ａｌ−ＳｉまたはＡｌ−Ｓｉ合金粉末と、Ｃ粉
末を混合する工程と、前記混合物を圧縮することにより
成形する工程と、前記成形体を不活性雰囲気中で加熱す
る工程からなることを特徴とするＳｉＣ粒子の製造方法
によっても達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明によれば、アルミニウム系
複合材料の強化材としてのＳｉＣ粒子を生成することが
でき、必要な量をＡｌ溶湯に添加することにより、Ｓｉ
Ｃ複合Ａｌ合金を得ることができる。第一発明では、
（Ａｌ粉末またはＡｌ合金粉末）＋Ｓｉ粉末＋Ｃ粉末
で、第二発明では、（Ａｌ−Ｓｉ粉末またはＡｌ−Ｓｉ
合金粉末）＋Ｃ粉末で混合した粉末を成形し成形体とな
し、前記成形体を不活性雰囲気にて加熱してこの中にＳ
ｉＣ粒子を生成させる。この初期の混合・成形工程で
は、混合のためにはダブルコーンブレンダまたはＶ字形
混合機等が使用され、常圧下での成形法としては、プレ
ス法、遠心力法、押出し法または静水圧法等を適用す
る。その他いかなる混合・成形装置も適用でき、要する
に原料粉体が攪拌混合された状態で成形されるものであ
ればよく、このことによって本発明の効果はいささかも
影響されるものではない。
複合材料の強化材としてのＳｉＣ粒子を生成することが
でき、必要な量をＡｌ溶湯に添加することにより、Ｓｉ
Ｃ複合Ａｌ合金を得ることができる。第一発明では、
（Ａｌ粉末またはＡｌ合金粉末）＋Ｓｉ粉末＋Ｃ粉末
で、第二発明では、（Ａｌ−Ｓｉ粉末またはＡｌ−Ｓｉ
合金粉末）＋Ｃ粉末で混合した粉末を成形し成形体とな
し、前記成形体を不活性雰囲気にて加熱してこの中にＳ
ｉＣ粒子を生成させる。この初期の混合・成形工程で
は、混合のためにはダブルコーンブレンダまたはＶ字形
混合機等が使用され、常圧下での成形法としては、プレ
ス法、遠心力法、押出し法または静水圧法等を適用す
る。その他いかなる混合・成形装置も適用でき、要する
に原料粉体が攪拌混合された状態で成形されるものであ
ればよく、このことによって本発明の効果はいささかも
影響されるものではない。
【０００８】また、前記不活性雰囲気には、Ａｒ，Ｈ
ｅ，Ｎ2 等を使用してもよいが、ＡｌおよびＣとの反応
がおこさないためには、好ましくはＡｒまたはＨｅ雰囲
気とする。また、本発明の合成法はＳｉのＣによる直接
的炭化反応を利用する。この反応は発熱反応であるため
温度管理には十分にこの発熱量を考慮して雰囲気制御を
する必要がある。この反応においてＡｌは、前記炭化反
応の反応助剤として、また反応の安定化の作用をするも
ので、このため、さらに好ましくはＳｉ単独よりはＳｉ
を含有した合金粉末を使用する。なお、各原料粉の添加
量は、後述の実施例にあるとおりＣ／Ｓｉは化学量論的
当量比として、Ａｌについては前記効果が期待できる量
として、生成ＳｉＣの少なくとも１重量部以上となるよ
うにする。
ｅ，Ｎ2 等を使用してもよいが、ＡｌおよびＣとの反応
がおこさないためには、好ましくはＡｒまたはＨｅ雰囲
気とする。また、本発明の合成法はＳｉのＣによる直接
的炭化反応を利用する。この反応は発熱反応であるため
温度管理には十分にこの発熱量を考慮して雰囲気制御を
する必要がある。この反応においてＡｌは、前記炭化反
応の反応助剤として、また反応の安定化の作用をするも
ので、このため、さらに好ましくはＳｉ単独よりはＳｉ
を含有した合金粉末を使用する。なお、各原料粉の添加
量は、後述の実施例にあるとおりＣ／Ｓｉは化学量論的
当量比として、Ａｌについては前記効果が期待できる量
として、生成ＳｉＣの少なくとも１重量部以上となるよ
うにする。
【０００９】その後、前記成形体の所要量をＡｌまたは
Ａｌ合金の溶湯中に溶解してＳｉＣを分散させるもので
ある。この前記成形体を添加するＡｌ合金としては、一
般的なＳｉを含有するＡｌ合金、例えばＡｌ−Ｓｉ，Ａ
ｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金への適用が好ましく、その他構造
用Ａｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ，Ａｌ−Ｍ
ｇ，Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ等）で
もＳｉの許容量までの添加によって高強度化が可能であ
る。特に、内燃機関のピストン、軸受け等の部材への適
用によって、前記ＳｉＣの分散強化による高温強度のさ
らなる改善が可能となる。以下、本発明について実施例
に基づいてさらに詳述する。
Ａｌ合金の溶湯中に溶解してＳｉＣを分散させるもので
ある。この前記成形体を添加するＡｌ合金としては、一
般的なＳｉを含有するＡｌ合金、例えばＡｌ−Ｓｉ，Ａ
ｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金への適用が好ましく、その他構造
用Ａｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ，Ａｌ−Ｍ
ｇ，Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｇ等）で
もＳｉの許容量までの添加によって高強度化が可能であ
る。特に、内燃機関のピストン、軸受け等の部材への適
用によって、前記ＳｉＣの分散強化による高温強度のさ
らなる改善が可能となる。以下、本発明について実施例
に基づいてさらに詳述する。
【００１０】
【実施例】実施例１ 本実施例では、図２（ａ）〜（ｄ）の製造工程によって
ＳｉＣを製造したものである。先ず、混合工程では、図
２（ａ）の原料粉末槽１〜３から４．５ｇのＳｉ粉末
と、２ｇの炭素粉末および１０ｇのアルミニウム粉末を
図２（ｂ）のダブルコーンブレンダの混合機４に供給
し、これらを均一に混合した。次に、図２（ｃ）の加圧
成形工程では、上下金型６内に前記混合粉末を入れ、上
下パンチ６によって加圧するプレス法によって、直径３
０ｍｍ、高さ１０ｍｍの寸法を有する円盤状の成形体７
に成形した。次に、この成形体７を加熱装置８に入れ、
アルゴン雰囲気９内で外熱式のヒーター１０によって１
２００℃まで加熱し、この時発熱反応を十分に生じさせ
る時間保持した後、装置内で室温まで冷却した。この冷
却後の成形体について、成形体組織調査のため調査用サ
ンプルを切り出し、顕微鏡によって内部組織観察を実施
した。その結果、成形体の内部には多数の微細な粒子が
析出しており、これらの析出粒子をＸ線回折法により同
定したところ炭化珪素であることが確認できた。
ＳｉＣを製造したものである。先ず、混合工程では、図
２（ａ）の原料粉末槽１〜３から４．５ｇのＳｉ粉末
と、２ｇの炭素粉末および１０ｇのアルミニウム粉末を
図２（ｂ）のダブルコーンブレンダの混合機４に供給
し、これらを均一に混合した。次に、図２（ｃ）の加圧
成形工程では、上下金型６内に前記混合粉末を入れ、上
下パンチ６によって加圧するプレス法によって、直径３
０ｍｍ、高さ１０ｍｍの寸法を有する円盤状の成形体７
に成形した。次に、この成形体７を加熱装置８に入れ、
アルゴン雰囲気９内で外熱式のヒーター１０によって１
２００℃まで加熱し、この時発熱反応を十分に生じさせ
る時間保持した後、装置内で室温まで冷却した。この冷
却後の成形体について、成形体組織調査のため調査用サ
ンプルを切り出し、顕微鏡によって内部組織観察を実施
した。その結果、成形体の内部には多数の微細な粒子が
析出しており、これらの析出粒子をＸ線回折法により同
定したところ炭化珪素であることが確認できた。
【００１１】実施例２ 本実施例では、実施例１と同様にして良好に合成するこ
とが出来た成形体としての炭化珪素粒子分散アルミニウ
ムペレットを、８５０℃のアルミニウム溶湯およびアル
ミニウム−５ｗｔ％Ｃｕ溶湯中に入れたところ、このペ
レットは容易に溶解して、金型に凝固後室温に持ちきた
り組織観察およびＸ線回折法を行った。その結果炭化珪
素粒子が均一に分散した複合材料が得られたことを確認
し、本実施例によって直接溶湯添加による製造が可能で
あることがわかった。
とが出来た成形体としての炭化珪素粒子分散アルミニウ
ムペレットを、８５０℃のアルミニウム溶湯およびアル
ミニウム−５ｗｔ％Ｃｕ溶湯中に入れたところ、このペ
レットは容易に溶解して、金型に凝固後室温に持ちきた
り組織観察およびＸ線回折法を行った。その結果炭化珪
素粒子が均一に分散した複合材料が得られたことを確認
し、本実施例によって直接溶湯添加による製造が可能で
あることがわかった。
【００１２】実施例３ 本実施例では、製造工程は図２（ａ）〜（ｄ）と同様と
して、原料粉末を変更して本発明ＳｉＣを製造したもの
である。すなわち、混合工程で図２（ａ）の原料粉末槽
１、２から、２０ｇのＡｌ−１２ｗｔ％Ｓｉ−３ｗｔ％
Ｃｕ粉末と、１ｇの炭素粉末を図２（ｂ）のダブルコー
ンブレンダの混合機４に供給し、これらを均一に混合し
た。その後、図２（ｃ）の加圧成形工程では、上下金型
６内に混合粉末を入れ、上下パンチ６によって加圧する
プレス法によって、直径３０ｍｍ、高さ１０ｍｍの寸法
を有する円盤状の成形体７に成形した。次に、この成形
体７を加熱装置８に入れ、アルゴン雰囲気９内でヒータ
ー１０によって、１０００〜１８００℃まで１００℃間
隔で加熱温度を変えて加熱し、この時に発熱反応を生じ
させた後、装置内で室温まで冷却した。
して、原料粉末を変更して本発明ＳｉＣを製造したもの
である。すなわち、混合工程で図２（ａ）の原料粉末槽
１、２から、２０ｇのＡｌ−１２ｗｔ％Ｓｉ−３ｗｔ％
Ｃｕ粉末と、１ｇの炭素粉末を図２（ｂ）のダブルコー
ンブレンダの混合機４に供給し、これらを均一に混合し
た。その後、図２（ｃ）の加圧成形工程では、上下金型
６内に混合粉末を入れ、上下パンチ６によって加圧する
プレス法によって、直径３０ｍｍ、高さ１０ｍｍの寸法
を有する円盤状の成形体７に成形した。次に、この成形
体７を加熱装置８に入れ、アルゴン雰囲気９内でヒータ
ー１０によって、１０００〜１８００℃まで１００℃間
隔で加熱温度を変えて加熱し、この時に発熱反応を生じ
させた後、装置内で室温まで冷却した。
【００１３】この冷却後の成形体について、成形体から
調査用のサンプルを切り出し内部組織観察を実施した。
その結果、成形体の内部には多数の微細な粒子が析出し
ており、これらの析出粒子をＸ線回折法により同定した
ところ炭化珪素であることが確認できた。これらの粒子
の平均粒度と加熱温度との関係を図１に示す。いずれの
成形体においても析出した炭化珪素粒子は微細であった
が、特に１０００〜１２００℃の温度では２μｍ以下の
粒径であり、好ましい範囲にあった。次いで、良好に合
成することのできた炭化珪素粒子分散アルミニウムペレ
ットを、７５０℃のアルミニウム溶湯およびアルミニウ
ム−３ｗｔ％Ｃｕ溶湯中に入れたところ、このペレット
は溶湯に溶解して、炭化珪素粒子が均一に分散した金属
基複合材料を製造することができた。
調査用のサンプルを切り出し内部組織観察を実施した。
その結果、成形体の内部には多数の微細な粒子が析出し
ており、これらの析出粒子をＸ線回折法により同定した
ところ炭化珪素であることが確認できた。これらの粒子
の平均粒度と加熱温度との関係を図１に示す。いずれの
成形体においても析出した炭化珪素粒子は微細であった
が、特に１０００〜１２００℃の温度では２μｍ以下の
粒径であり、好ましい範囲にあった。次いで、良好に合
成することのできた炭化珪素粒子分散アルミニウムペレ
ットを、７５０℃のアルミニウム溶湯およびアルミニウ
ム−３ｗｔ％Ｃｕ溶湯中に入れたところ、このペレット
は溶湯に溶解して、炭化珪素粒子が均一に分散した金属
基複合材料を製造することができた。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、金属基複合材料のＳｉ
Ｃ粒子をＡｌ溶湯に所要の量添加することによって、効
率よくＳｉＣ複合Ａｌ合金が得られる。また、固体反応
による合成であるので、常温成形および不活性雰囲気加
熱による製造工程の簡略化が図られ、かつ粒子径の安定
化が可能となる。
Ｃ粒子をＡｌ溶湯に所要の量添加することによって、効
率よくＳｉＣ複合Ａｌ合金が得られる。また、固体反応
による合成であるので、常温成形および不活性雰囲気加
熱による製造工程の簡略化が図られ、かつ粒子径の安定
化が可能となる。
【図１】本発明の実施例３に係る加熱温度と平均粒子径
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図２】本発明の実施例１および３のＳｉＣ粒子の製造
工程を示す概要図である。
工程を示す概要図である。
１、２、３…原料粉末槽 ４…混合機 ５…金型 ６…パンチ ７…成形体 ８…加熱装置 ９…不活性雰囲気 １０…ヒーター
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム系複合材料の強化材として
のＳｉＣ粒子の製造方法であって、ＡｌまたはＡｌ合金
粉末と、Ｓｉ粉末とＣ粉末を混合する工程と、該混合物
を圧縮することにより成形する工程と、該成形体を不活
性雰囲気中で加熱する工程からなることを特徴とするＳ
ｉＣ粒子の製造方法。 - 【請求項２】 アルミニウム系複合材料の強化材として
のＳｉＣ粒子の製造方法であって、Ａｌ−ＳｉまたはＡ
ｌ−Ｓｉ合金粉末と、Ｃ粉末を混合する工程と、該混合
物を圧縮することにより成形する工程と、該成形体を不
活性雰囲気中で加熱する工程からなることを特徴とする
ＳｉＣ粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00658598A JP4126742B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | ＳｉＣ粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00658598A JP4126742B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | ＳｉＣ粒子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11199950A true JPH11199950A (ja) | 1999-07-27 |
| JP4126742B2 JP4126742B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=11642416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00658598A Expired - Fee Related JP4126742B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | ＳｉＣ粒子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4126742B2 (ja) |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP00658598A patent/JP4126742B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4126742B2 (ja) | 2008-07-30 |
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