JPH11186004A - サーミスタ用組成物 - Google Patents
サーミスタ用組成物Info
- Publication number
- JPH11186004A JPH11186004A JP35123397A JP35123397A JPH11186004A JP H11186004 A JPH11186004 A JP H11186004A JP 35123397 A JP35123397 A JP 35123397A JP 35123397 A JP35123397 A JP 35123397A JP H11186004 A JPH11186004 A JP H11186004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- thermistor
- composition
- main component
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サーミスタにおける素体の抗折強度の
向上。 【解決手段】 マンガン、コバルト及び銅のそれぞれ
の元素の酸化物からなる主成分に、酸化チタン0.5〜
5モル%と、ニオブ、タンタル及びタングステンのそれ
ぞれの元素の酸化物のうちの少なくとも1種を、その元
素に換算して、前記主成分の元素に対して0.005〜
0.1モル%添加する。
向上。 【解決手段】 マンガン、コバルト及び銅のそれぞれ
の元素の酸化物からなる主成分に、酸化チタン0.5〜
5モル%と、ニオブ、タンタル及びタングステンのそれ
ぞれの元素の酸化物のうちの少なくとも1種を、その元
素に換算して、前記主成分の元素に対して0.005〜
0.1モル%添加する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度測定用サーミ
スタ、温度補償用サーミスタ等に用いるサーミスタ用組
成物に関する。
スタ、温度補償用サーミスタ等に用いるサーミスタ用組
成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のサーミスタ用組成物とし
て、マンガン、コバルト、ニッケル、鉄、銅等の遷移金
属の酸化物のうち2種以上を選択し、所定の配合比で混
合した原料を900〜1400℃で焼成して得られた複
合酸化物セラミックスが知られている。
て、マンガン、コバルト、ニッケル、鉄、銅等の遷移金
属の酸化物のうち2種以上を選択し、所定の配合比で混
合した原料を900〜1400℃で焼成して得られた複
合酸化物セラミックスが知られている。
【0003】また、この種のサーミスタ用組成物におい
ては、比抵抗の低いサーミスタ用組成物が要望されてお
り、特に、マンガン(Mn)に対して原子価制御を目的
に銅(Cu)を添加することにより低抵抗化したMn−
Cu系酸化物を主成分とするもの、例えばMn−Co−
Cu系酸化物、Mn−Ni−Cu系酸化物、Mn−Co
−Ni−Cu系酸化物が多く使用されている。
ては、比抵抗の低いサーミスタ用組成物が要望されてお
り、特に、マンガン(Mn)に対して原子価制御を目的
に銅(Cu)を添加することにより低抵抗化したMn−
Cu系酸化物を主成分とするもの、例えばMn−Co−
Cu系酸化物、Mn−Ni−Cu系酸化物、Mn−Co
−Ni−Cu系酸化物が多く使用されている。
【0004】これらの組成より成るサーミスタは、抵抗
値の高温放置(125℃、1000時間)による経時変
化が大きかったが、この点を改良するために、これらの
組成に、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、タングス
テン(W)の酸化物を含有させて該経時変化率を5%以
下に低下させるという提案がなされている(公告特許第
2572310号公報)。
値の高温放置(125℃、1000時間)による経時変
化が大きかったが、この点を改良するために、これらの
組成に、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、タングス
テン(W)の酸化物を含有させて該経時変化率を5%以
下に低下させるという提案がなされている(公告特許第
2572310号公報)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
許第2572310号の場合、ニオブ、タンタル、タン
グステンの酸化物は酸化数が多いため、過剰酸素を与え
るので、焼結性がよくなく、その結果、素体の抗折強度
が低くなるという現象を生じた。一般に、サーミスタに
おいて素体に求められる抗折強度のボーダーラインは、
電子部品が自動マウンターにかかる時に必要とされる機
械的強度の点から、650kg/cm2である。このこ
とからサーミスタを作製するにあたり、素体の抗折強度
の一層の向上が望まれていた。
許第2572310号の場合、ニオブ、タンタル、タン
グステンの酸化物は酸化数が多いため、過剰酸素を与え
るので、焼結性がよくなく、その結果、素体の抗折強度
が低くなるという現象を生じた。一般に、サーミスタに
おいて素体に求められる抗折強度のボーダーラインは、
電子部品が自動マウンターにかかる時に必要とされる機
械的強度の点から、650kg/cm2である。このこ
とからサーミスタを作製するにあたり、素体の抗折強度
の一層の向上が望まれていた。
【0006】本発明の目的はかかる問題点を解消したサ
ーミスタ用組成物を提供することにある。
ーミスタ用組成物を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のサーミスタ用組
成物は、マンガン、コバルト、銅のそれぞれの元素の酸
化物からなる主成分に、酸化チタン0.5〜5モル%
と、ニオブ、タンタル及びタングステンのそれぞれの元
素の酸化物のうち少なくとも1種を、その元素に換算し
て、前記主成分の元素に対して0.005〜0.1モル
%添加することからなる。
成物は、マンガン、コバルト、銅のそれぞれの元素の酸
化物からなる主成分に、酸化チタン0.5〜5モル%
と、ニオブ、タンタル及びタングステンのそれぞれの元
素の酸化物のうち少なくとも1種を、その元素に換算し
て、前記主成分の元素に対して0.005〜0.1モル
%添加することからなる。
【0008】酸化チタンの添加に加えて、ニオブ、タン
タル及びタングステンのそれぞれの元素の酸化物のうち
の少なくとも1種をさらに含有させることにより、Mn
−Co−Cu系複合酸化物中の特にCuの還元を抑制
し、抗折強度の高いサーミスタを作製することができ
る。
タル及びタングステンのそれぞれの元素の酸化物のうち
の少なくとも1種をさらに含有させることにより、Mn
−Co−Cu系複合酸化物中の特にCuの還元を抑制
し、抗折強度の高いサーミスタを作製することができ
る。
【0009】酸化チタンの添加割合を前記範囲内(0.
5〜5モル%)としたのは、この範囲外では、いずれも
抗折強度が低くなるとともに、抵抗値の経時変化も大き
くなり、サーミスタ用組成物として好ましくないからで
ある。また、ニオブ、タンタル及びタングステンのそれ
ぞれの元素の酸化物のうちの少なくとも1種の添加割合
を前記範囲内(0.005〜0.1モル%)としたの
は、その上限の添加割合より多いと抗折強度が低くな
り、その下限の添加割合より少ないと抵抗値の経時変化
が大きくなり、サーミスタ用組成物として好ましくない
からである。
5〜5モル%)としたのは、この範囲外では、いずれも
抗折強度が低くなるとともに、抵抗値の経時変化も大き
くなり、サーミスタ用組成物として好ましくないからで
ある。また、ニオブ、タンタル及びタングステンのそれ
ぞれの元素の酸化物のうちの少なくとも1種の添加割合
を前記範囲内(0.005〜0.1モル%)としたの
は、その上限の添加割合より多いと抗折強度が低くな
り、その下限の添加割合より少ないと抵抗値の経時変化
が大きくなり、サーミスタ用組成物として好ましくない
からである。
【0010】
【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例を参照して
説明する。これらの例は本発明を単に説明するために挙
げたもので、本発明を何ら制限するものではない。
説明する。これらの例は本発明を単に説明するために挙
げたもので、本発明を何ら制限するものではない。
【0011】まず、原料として、純度99.9%以上の
酸化マンガン(Mn3O4)、酸化コバルト(Co3O4)
及び酸化銅(CuO)、酸化チタン(TiO2)、五酸
化ニオブ(Nb2O5)、五酸化タンタル(Ta2O5)、
三酸化タングステン(WO3)をそれぞれ用意した。
酸化マンガン(Mn3O4)、酸化コバルト(Co3O4)
及び酸化銅(CuO)、酸化チタン(TiO2)、五酸
化ニオブ(Nb2O5)、五酸化タンタル(Ta2O5)、
三酸化タングステン(WO3)をそれぞれ用意した。
【0012】試料の作製にあたって、各原料を表1に示
す組成比(組成比:各酸化物中の金属元素のモル数とし
た)となるように秤量した。
す組成比(組成比:各酸化物中の金属元素のモル数とし
た)となるように秤量した。
【0013】次に、これらの原料をウレタンボールを玉
石としたボールミルによって15時間湿式混合した。こ
の混合物を磁製ルツボ中で温度900℃で2時間仮焼し
た後、再度、前記ボールミルにより湿式粉砕し、粉砕後
の粉末にバインダーとしてポリビニルアルコールを加え
て混合造粒し、これを乾式成型プレスを用いて直径6m
m、厚さ1mmの円板状に成型した。得られた成形体を
アルミナセッター上で、温度950〜1050℃で2時
間の焼成を施し、サーミスタ磁器を作製した。作製され
たサーミスタ磁器の表裏面にAg−Pd電極材料ペース
トを塗布した後、温度850℃で焼き付けて電極を形成
し、該電極上に共晶半田にてリード線付けを行なった。
石としたボールミルによって15時間湿式混合した。こ
の混合物を磁製ルツボ中で温度900℃で2時間仮焼し
た後、再度、前記ボールミルにより湿式粉砕し、粉砕後
の粉末にバインダーとしてポリビニルアルコールを加え
て混合造粒し、これを乾式成型プレスを用いて直径6m
m、厚さ1mmの円板状に成型した。得られた成形体を
アルミナセッター上で、温度950〜1050℃で2時
間の焼成を施し、サーミスタ磁器を作製した。作製され
たサーミスタ磁器の表裏面にAg−Pd電極材料ペース
トを塗布した後、温度850℃で焼き付けて電極を形成
し、該電極上に共晶半田にてリード線付けを行なった。
【0014】こうして作製された表裏面に電極を備えた
各サーミスタ素子の夫々について、温度25℃における
抵抗値(R25)と、温度85℃における抵抗値(R85)
とを測定し、これらの測定値から比抵抗、サーミスタ定
数B、抵抗変化率(経時特性)を求めたところ、表1に
示すような結果が得られた。
各サーミスタ素子の夫々について、温度25℃における
抵抗値(R25)と、温度85℃における抵抗値(R85)
とを測定し、これらの測定値から比抵抗、サーミスタ定
数B、抵抗変化率(経時特性)を求めたところ、表1に
示すような結果が得られた。
【0015】尚、比抵抗は温度25℃における抵抗値
(R25)と焼結体の形状(直径、厚み)とにより求め
た。
(R25)と焼結体の形状(直径、厚み)とにより求め
た。
【0016】また、サーミスタ定数Bは温度25℃にお
ける抵抗値(R25)と、温度85℃における抵抗値(R
85)とから次式により求めた。
ける抵抗値(R25)と、温度85℃における抵抗値(R
85)とから次式により求めた。
【0017】 また、抵抗変化率(経時特性)は、温度25℃で抵抗値
(R25A)を測定した試料を温度125℃に維持した恒
温槽中に1000時間放置した後、該試料の抵抗値(R
25B)を温度25℃で再度測定し、放置前後の抵抗値の
変化率として次式により求めた。
(R25A)を測定した試料を温度125℃に維持した恒
温槽中に1000時間放置した後、該試料の抵抗値(R
25B)を温度25℃で再度測定し、放置前後の抵抗値の
変化率として次式により求めた。
【0018】
【0019】
【表1】
【0020】上記表1において、*印を付した試料は本
発明の範囲外の例であり、その他の試料は本発明の範囲
内の例である。表1から明らかなように、酸化チタンの
添加割合を0.5〜5モル%の範囲内、並びに、ニオ
ブ、タンタル及びタングステンのそれぞれの元素の酸化
物のうちの少なくとも1種の添加割合を、その元素に換
算して、主成分の元素(マンガン、コバルト及び銅)に
対して0.005〜0.1モル%の範囲内とした場合
(試料No.1〜9、12〜16、20〜22及び24
〜29)には、いずれの試料も、抗折強度が650kg
/cm2以上ありかつ抵抗変化率が5%以下であるの
で、サーミスタ用組成物として実用性に適していること
がわかる。一方、酸化チタンの添加割合が前記範囲外で
ある場合(試料No.18、19、23、30及び3
1)には、いずれの試料も抗折強度が650kg/cm
2より低くかつ抵抗変化率が5%より高いので、また、
ニオブ、タンタル及びタングステンの酸化物の添加割合
が前記範囲内の上限より多い場合(試料No.17)に
は抗折強度が650kg/cm2より低く、その下限よ
り少ない場合(試料No.10及び11)には抵抗変化
率が5%より高いので、これらの試料はサーミスタ用組
成物として実用性に乏しい。
発明の範囲外の例であり、その他の試料は本発明の範囲
内の例である。表1から明らかなように、酸化チタンの
添加割合を0.5〜5モル%の範囲内、並びに、ニオ
ブ、タンタル及びタングステンのそれぞれの元素の酸化
物のうちの少なくとも1種の添加割合を、その元素に換
算して、主成分の元素(マンガン、コバルト及び銅)に
対して0.005〜0.1モル%の範囲内とした場合
(試料No.1〜9、12〜16、20〜22及び24
〜29)には、いずれの試料も、抗折強度が650kg
/cm2以上ありかつ抵抗変化率が5%以下であるの
で、サーミスタ用組成物として実用性に適していること
がわかる。一方、酸化チタンの添加割合が前記範囲外で
ある場合(試料No.18、19、23、30及び3
1)には、いずれの試料も抗折強度が650kg/cm
2より低くかつ抵抗変化率が5%より高いので、また、
ニオブ、タンタル及びタングステンの酸化物の添加割合
が前記範囲内の上限より多い場合(試料No.17)に
は抗折強度が650kg/cm2より低く、その下限よ
り少ない場合(試料No.10及び11)には抵抗変化
率が5%より高いので、これらの試料はサーミスタ用組
成物として実用性に乏しい。
【0021】前記実施例では、原料酸化物として、酸化
マンガン(Mn3O4)、酸化コバルト(Co3O4)、酸
化銅(CuO)、酸化チタン(TiO2)、五酸化ニオ
ブ(Nb2O5)、五酸化タンタル(Ta2O5)、及び三
酸化タングステン(WO3)を用いたが、本発明ではこ
れらの酸化物の使用に制限されるのではなく、例えば、
マンガンの酸化物として二酸化マンガン(MnO2)を
用いてもよい。
マンガン(Mn3O4)、酸化コバルト(Co3O4)、酸
化銅(CuO)、酸化チタン(TiO2)、五酸化ニオ
ブ(Nb2O5)、五酸化タンタル(Ta2O5)、及び三
酸化タングステン(WO3)を用いたが、本発明ではこ
れらの酸化物の使用に制限されるのではなく、例えば、
マンガンの酸化物として二酸化マンガン(MnO2)を
用いてもよい。
【0022】
【発明の効果】本発明のサーミスタ用組成物によれば、
抗折強度が650kg/cm2以上を示し、抵抗値の経
時変化は良好の範囲とされる5%以下の保持が可能であ
った。
抗折強度が650kg/cm2以上を示し、抵抗値の経
時変化は良好の範囲とされる5%以下の保持が可能であ
った。
Claims (1)
- 【請求項1】 マンガン、コバルト及び銅のそれぞれの
元素の酸化物からなる主成分に、酸化チタン0.5〜5
モル%と、ニオブ、タンタル及びタングステンのそれぞ
れの元素の酸化物のうちの少なくとも1種を、その元素
に換算して、前記主成分の元素に対して0.005〜
0.1モル%添加したことを特徴とするサーミスタ用組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35123397A JPH11186004A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | サーミスタ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35123397A JPH11186004A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | サーミスタ用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11186004A true JPH11186004A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18415958
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35123397A Withdrawn JPH11186004A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | サーミスタ用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11186004A (ja) |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35123397A patent/JPH11186004A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7764161B2 (en) | Barium titanate-based semiconductor porcelain composition and PTC element including the same | |
JP2000044341A (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
JPH0719485B2 (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
JP2572310B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
JP2572312B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
JP2572313B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
JPH11186004A (ja) | サーミスタ用組成物 | |
JPH10233303A (ja) | Ntcサーミスタ | |
JP4003920B2 (ja) | 圧電磁器組成物、圧電磁器焼結体および電子部品 | |
JP2000072540A (ja) | 誘電体材料 | |
JP2005150289A (ja) | サーミスタ用組成物及びサーミスタ素子 | |
JP3555395B2 (ja) | チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物 | |
JPH1112033A (ja) | チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物 | |
JP4553301B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
JP3213647B2 (ja) | 負特性サーミスタ組成物および負特性サーミスタ | |
JPS63169780A (ja) | チタン酸ジルコン酸鉛系圧電体用組成物 | |
JP3167560B2 (ja) | 酸化物磁性材料 | |
JPH1072252A (ja) | メッキ用フェライト材料 | |
JP2003335578A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体 | |
JP2023117898A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS63315549A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
JPH03190176A (ja) | チタン酸ジルコン酸鉛系圧電体用組成物 | |
JPH0648641B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
JP3711916B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体 | |
JP3469911B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |