JPH11172138A - フタロシアニン組成物およびそれを用いた光記録媒体 - Google Patents
フタロシアニン組成物およびそれを用いた光記録媒体Info
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- JPH11172138A JPH11172138A JP9345454A JP34545497A JPH11172138A JP H11172138 A JPH11172138 A JP H11172138A JP 9345454 A JP9345454 A JP 9345454A JP 34545497 A JP34545497 A JP 34545497A JP H11172138 A JPH11172138 A JP H11172138A
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- C09B67/0033—Blends of pigments; Mixtured crystals; Solid solutions
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- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
- C09B47/06—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide
- C09B47/067—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide from phthalodinitriles naphthalenedinitriles, aromatic dinitriles prepared in situ, hydrogenated phthalodinitrile
- C09B47/0675—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide from phthalodinitriles naphthalenedinitriles, aromatic dinitriles prepared in situ, hydrogenated phthalodinitrile having oxygen or sulfur linked directly to the skeleton
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ６００〜１０００ｎｍの近赤外域において吸
収を有し、溶解性に優れたフタロシアニン組成物および
それを用いた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 （I）群：下記一般式（１） 【化１】 で表されるフタロシアニンの構造式において、１〜１６
の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノキシ基で置換
されており、かつ該フェノキシ基がオルソ位の少なくと
も一方に置換基を持つフタロシアニン化合物、および （II）群：臭素原子を有するフタロシアニン化合物、に
含まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでな
るフタロシアニン組成物。また、該フタロシアニン組成
物を基板上に設けられた記録層に含有してなる光記録媒
体である。
収を有し、溶解性に優れたフタロシアニン組成物および
それを用いた光記録媒体を提供する。 【解決手段】 （I）群：下記一般式（１） 【化１】 で表されるフタロシアニンの構造式において、１〜１６
の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノキシ基で置換
されており、かつ該フェノキシ基がオルソ位の少なくと
も一方に置換基を持つフタロシアニン化合物、および （II）群：臭素原子を有するフタロシアニン化合物、に
含まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでな
るフタロシアニン組成物。また、該フタロシアニン組成
物を基板上に設けられた記録層に含有してなる光記録媒
体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規フタロシアニ
ン組成物およびそれを用いた光記録媒体に関するもので
ある。本発明にかかる新規フタロシアニン組成物は、６
００〜１０００ｎｍの近赤外域に吸収を有し溶解性に優
れているので、半導体レーザーを使う光記録媒体、液晶
表示装置、光学文字読取機等における書き込みあるいは
読み取りのための近赤外吸収色素、近赤外増感剤、感熱
転写、感熱紙・感熱孔版などの光熱変換剤、近赤外線吸
収フィルター、眼精疲労防止剤、光導電材料などとして
用いる近赤外線吸収材料として、あるいは、撮像管に用
いる色分解フィルター、液晶表示素子、カラーブラウン
管選択吸収フィルター、カラートナー、インクジェット
用インク、改ざん偽造防止用バーコード用インク、さら
に微生物不活性化剤、腫瘍治療用感光性色素等に用いる
際に優れた効果を発揮する。
ン組成物およびそれを用いた光記録媒体に関するもので
ある。本発明にかかる新規フタロシアニン組成物は、６
００〜１０００ｎｍの近赤外域に吸収を有し溶解性に優
れているので、半導体レーザーを使う光記録媒体、液晶
表示装置、光学文字読取機等における書き込みあるいは
読み取りのための近赤外吸収色素、近赤外増感剤、感熱
転写、感熱紙・感熱孔版などの光熱変換剤、近赤外線吸
収フィルター、眼精疲労防止剤、光導電材料などとして
用いる近赤外線吸収材料として、あるいは、撮像管に用
いる色分解フィルター、液晶表示素子、カラーブラウン
管選択吸収フィルター、カラートナー、インクジェット
用インク、改ざん偽造防止用バーコード用インク、さら
に微生物不活性化剤、腫瘍治療用感光性色素等に用いる
際に優れた効果を発揮する。
【０００２】特にコンパクトディスク対応の追記型光記
録媒体に用いるための近赤外吸収色素として非常に優れ
た効果を発揮するものである。
録媒体に用いるための近赤外吸収色素として非常に優れ
た効果を発揮するものである。
【０００３】
【従来の技術】近年、半導体レーザーを光源として用い
るコンパクトディスク、レーザーディスク、光メモリー
ディスク、光カード等の光記録媒体の開発が活発であ
る。特に、ＣＤ、ＰＨＯＴＯ−ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍは、大容量、高速アクセスのデジタル記録媒体として
音声、画像、コードデータ等の保存再生に、大量に利用
されている。これらのシステムはいずれも半導体レーザ
ーに感受するいわゆる近赤外吸収色素を必要とし、それ
らの色素に関して特性の良好なものが求められている。
るコンパクトディスク、レーザーディスク、光メモリー
ディスク、光カード等の光記録媒体の開発が活発であ
る。特に、ＣＤ、ＰＨＯＴＯ−ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍは、大容量、高速アクセスのデジタル記録媒体として
音声、画像、コードデータ等の保存再生に、大量に利用
されている。これらのシステムはいずれも半導体レーザ
ーに感受するいわゆる近赤外吸収色素を必要とし、それ
らの色素に関して特性の良好なものが求められている。
【０００４】なかでも光、熱、温度等に対して安定であ
り堅牢性に優れているフタロシアニン系化合物について
は、数多く検討されている。
り堅牢性に優れているフタロシアニン系化合物について
は、数多く検討されている。
【０００５】コンパクトディスク対応の追記型光記録媒
体に用いる際に要求される特性としては、（１）薄膜で
の極大吸収波長が７００〜７３０ｎｍに制御されている
こと（会合によるピークが少なく、そのことにより吸光
度が高く、ピークがシャープであることによって、反射
率などの光学特性に対する主要な構成要因となる）、
（２）スピンコート等の簡便でかつ生産性に優れた方法
で基板上に塗布でき、かつ基板を侵さない溶媒に対して
の溶解性に優れていること、（３）耐熱性、耐光性が良
好であること、（４）熱分解特性が良好であること（感
度に対する主要な構成要因となる）、（５）製造方法な
どにおいて経済性に優れた化合物であること、等が挙げ
られる。
体に用いる際に要求される特性としては、（１）薄膜で
の極大吸収波長が７００〜７３０ｎｍに制御されている
こと（会合によるピークが少なく、そのことにより吸光
度が高く、ピークがシャープであることによって、反射
率などの光学特性に対する主要な構成要因となる）、
（２）スピンコート等の簡便でかつ生産性に優れた方法
で基板上に塗布でき、かつ基板を侵さない溶媒に対して
の溶解性に優れていること、（３）耐熱性、耐光性が良
好であること、（４）熱分解特性が良好であること（感
度に対する主要な構成要因となる）、（５）製造方法な
どにおいて経済性に優れた化合物であること、等が挙げ
られる。
【０００６】例えば、特開昭５８−５６８９２号には、
ペルフルオロフタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。しかしながら、これらの化合物は、有機溶
媒に対しての溶解性に乏しく、また満足できる吸収波長
に制御できない。
ペルフルオロフタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。しかしながら、これらの化合物は、有機溶
媒に対しての溶解性に乏しく、また満足できる吸収波長
に制御できない。
【０００７】特開昭６１−１９２７８０号、特開昭６１
−２４６０９１号、特開昭６３−３７９９１号、特開昭
６４−４２２８３号、特開平２−２７６６７７号、特開
平２−９１３６０号、特開平２−２６５７８８号、特開
平３−２１５４６６号、特開平４−２２６３９０号など
には、フタロシアニン骨格のベンゼン環に酸素を介して
置換基を導入したものが提案されている。しかしなが
ら、これらの化合物は、色素の置換基の種類、数および
位置によっては耐光性が悪かったり、反射率が小さかっ
たり、通常よく用いられているポリカーボネートなどの
基板に直接塗布できる溶剤に溶解しなかったり、あるい
は吸収波長の制御において難点があったりするなどの問
題点を有している。
−２４６０９１号、特開昭６３−３７９９１号、特開昭
６４−４２２８３号、特開平２−２７６６７７号、特開
平２−９１３６０号、特開平２−２６５７８８号、特開
平３−２１５４６６号、特開平４−２２６３９０号など
には、フタロシアニン骨格のベンゼン環に酸素を介して
置換基を導入したものが提案されている。しかしなが
ら、これらの化合物は、色素の置換基の種類、数および
位置によっては耐光性が悪かったり、反射率が小さかっ
たり、通常よく用いられているポリカーボネートなどの
基板に直接塗布できる溶剤に溶解しなかったり、あるい
は吸収波長の制御において難点があったりするなどの問
題点を有している。
【０００８】それらの欠点が比較的解決されたものとし
て特開平５−１２７２号などにはフタロシアニンのα位
にアルコキシ基を４個導入し、残基にハロゲン化合物な
どを一部導入したものが提案されている。しかしなが
ら、α位に置換基を導入したものは、原料とするフタロ
ニトリルからの生産性が悪いなど、経済性の点で問題点
を有している。またこのようなフタロシアニン化合物
も、必ずしもすべての特性を満足すべきものでなく、よ
って更なる良好な特性が望まれている。
て特開平５−１２７２号などにはフタロシアニンのα位
にアルコキシ基を４個導入し、残基にハロゲン化合物な
どを一部導入したものが提案されている。しかしなが
ら、α位に置換基を導入したものは、原料とするフタロ
ニトリルからの生産性が悪いなど、経済性の点で問題点
を有している。またこのようなフタロシアニン化合物
も、必ずしもすべての特性を満足すべきものでなく、よ
って更なる良好な特性が望まれている。
【０００９】また、本出願人らは、これまでに嵩高い置
換基をもつフェノキシ基がβ位に置換されたフタロシア
ニン化合物を提案してきた（特開平５−３４５８６１、
特開平６−１０７６６３、特開平６−３２８８５６、特
開平８−２２５７５１号）。
換基をもつフェノキシ基がβ位に置換されたフタロシア
ニン化合物を提案してきた（特開平５−３４５８６１、
特開平６−１０７６６３、特開平６−３２８８５６、特
開平８−２２５７５１号）。
【００１０】しかしながら、これらの化合物も光記録媒
体において反射率、感度等に問題点を有しており、これ
までに提案されているフタロシアニン化合物は、上記特
性をすべて満足するものではない。
体において反射率、感度等に問題点を有しており、これ
までに提案されているフタロシアニン化合物は、上記特
性をすべて満足するものではない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
有する前記事情に考慮してなされたものである。すなわ
ち、本発明の目的は、６００〜１０００ｎｍの吸収波長
域において目的に応じた吸収制御が可能であり、また用
途に応じた溶媒、例えばアルコール系溶媒等に対して溶
解性に優れ、かつ耐熱性、耐光性の高い新規なフタロシ
アニン組成物を提供することにある。
有する前記事情に考慮してなされたものである。すなわ
ち、本発明の目的は、６００〜１０００ｎｍの吸収波長
域において目的に応じた吸収制御が可能であり、また用
途に応じた溶媒、例えばアルコール系溶媒等に対して溶
解性に優れ、かつ耐熱性、耐光性の高い新規なフタロシ
アニン組成物を提供することにある。
【００１２】また、本発明の他の目的は、光記録媒体、
特にコンパクトディスク対応の光記録媒体として、それ
らに必要な特性である溶解度、吸収波長、感度、反射
率、耐光性、熱分解特性において優れた効果を発揮する
フタロシアニン組成物を用いてなる光記録媒体を提供す
ることにある。
特にコンパクトディスク対応の光記録媒体として、それ
らに必要な特性である溶解度、吸収波長、感度、反射
率、耐光性、熱分解特性において優れた効果を発揮する
フタロシアニン組成物を用いてなる光記録媒体を提供す
ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記特性
を改善するために特願平８−２７１００５号および特願
平９−１２９５３４号で改良されたフタロシアニン化合
物およびそれを用いた光記録媒体を提案している。これ
によれば上記課題を解決するに足りるフタロシアニン化
合物が得られるものである。しかしながら、本発明者ら
は、さらなる改良をめざし鋭意検討した結果、２種以上
のフタロシアニン化合物（好ましくは上記提案のフタロ
シアニン化合物に含まれるもの同士）を混合することに
よって、混合前の単独のフタロシアニン化合物よりも熱
重量分析における熱分解開始温度が下がり、その結果、
光記録媒体にしたときの記録感度が向上することを見出
したものである。
を改善するために特願平８−２７１００５号および特願
平９−１２９５３４号で改良されたフタロシアニン化合
物およびそれを用いた光記録媒体を提案している。これ
によれば上記課題を解決するに足りるフタロシアニン化
合物が得られるものである。しかしながら、本発明者ら
は、さらなる改良をめざし鋭意検討した結果、２種以上
のフタロシアニン化合物（好ましくは上記提案のフタロ
シアニン化合物に含まれるもの同士）を混合することに
よって、混合前の単独のフタロシアニン化合物よりも熱
重量分析における熱分解開始温度が下がり、その結果、
光記録媒体にしたときの記録感度が向上することを見出
したものである。
【００１４】すなわち、上記諸目的は、下記（１）〜
（６）により達成される。
（６）により達成される。
【００１５】（１） 下記（I）群および（II）群に含
まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでなる
フタロシアニン組成物： （I）群：一般式（１）
まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでなる
フタロシアニン組成物： （I）群：一般式（１）
【００１６】
【化４】
【００１７】で表されるフタロシアニンの構造式におい
て、１〜１６の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノ
キシ基で置換されており、かつ該フェノキシ基がオルソ
位の少なくとも一方に置換基を持つフタロシアニン化合
物； （II）群：臭素原子を有するフタロシアニン化合物。
て、１〜１６の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノ
キシ基で置換されており、かつ該フェノキシ基がオルソ
位の少なくとも一方に置換基を持つフタロシアニン化合
物； （II）群：臭素原子を有するフタロシアニン化合物。
【００１８】（２） 前記（I）群のフタロシアニン化
合物のフェノキシ基のオルソ位の置換基が下記（１）〜
（７）群の置換基：
合物のフェノキシ基のオルソ位の置換基が下記（１）〜
（７）群の置換基：
【００１９】
【化５】
【００２０】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ5 は各
々独立に炭素原子数１〜２０個の置換基を有していても
よい直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基または置換基
を有していてもよいアリール基を表わし、ＡはＣＨ基ま
たは窒素原子を表わし、Ｂは酸素原子、硫黄原子、ＣＨ
2 基、ＮＨ基または炭素原子数１〜４個のアルキルアミ
ノ基を表わし、Ｒ4 は置換基を有していてもよいアリー
ル基または炭素原子数３〜１０個のシクロアルキル基を
表わし、ａ、ｂ、ｆおよびｇは１〜５の整数であり、ｃ
およびｋは０〜６の整数であり、ｄおよびｅは各々独立
に１〜４の整数であり、ｌは１〜２０の整数であり、ｍ
はＣl Ｈm なる直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を
飽和するのに必要な水素原子数である。）よりなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の置換基である上記（１）に
記載のフタロシアニン組成物。
々独立に炭素原子数１〜２０個の置換基を有していても
よい直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基または置換基
を有していてもよいアリール基を表わし、ＡはＣＨ基ま
たは窒素原子を表わし、Ｂは酸素原子、硫黄原子、ＣＨ
2 基、ＮＨ基または炭素原子数１〜４個のアルキルアミ
ノ基を表わし、Ｒ4 は置換基を有していてもよいアリー
ル基または炭素原子数３〜１０個のシクロアルキル基を
表わし、ａ、ｂ、ｆおよびｇは１〜５の整数であり、ｃ
およびｋは０〜６の整数であり、ｄおよびｅは各々独立
に１〜４の整数であり、ｌは１〜２０の整数であり、ｍ
はＣl Ｈm なる直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を
飽和するのに必要な水素原子数である。）よりなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の置換基である上記（１）に
記載のフタロシアニン組成物。
【００２１】（３） 前記（II）群の臭素原子を有する
フタロシアニン化合物が、少なくとも一つのアルコシキ
基またはアリールオキシ基で置換されている上記（１）
または（２）に記載のフタロシアニン組成物。
フタロシアニン化合物が、少なくとも一つのアルコシキ
基またはアリールオキシ基で置換されている上記（１）
または（２）に記載のフタロシアニン組成物。
【００２２】（４） 前記（I）群のフタロシアニン化
合物が、一般式（２）
合物が、一般式（２）
【００２３】
【化６】
【００２４】（式中、Ｘは上記（２）に規定した（１）
〜（７）群の置換基よりなる群から選ばれた置換基を表
わし、ＹはＸについて定義した置換基、臭素原子を除く
ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｗは臭素原子を
除くハロゲン原子を表わし、ＺはＹについて定義した置
換基、置換されていてもよい炭素原子数１〜２０個の直
鎖または分岐鎖のアルキル基を有するモノ−もしくはジ
−アルキルアミノ基、置換されていてもよいアニリノ基
またはニトロ基を表わし、ｐおよびｑは０〜３の整数で
あり、Ｍは金属、オキシ金属または金属塩を表わす。）
で表される上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載の
フタロシアニン組成物。
〜（７）群の置換基よりなる群から選ばれた置換基を表
わし、ＹはＸについて定義した置換基、臭素原子を除く
ハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｗは臭素原子を
除くハロゲン原子を表わし、ＺはＹについて定義した置
換基、置換されていてもよい炭素原子数１〜２０個の直
鎖または分岐鎖のアルキル基を有するモノ−もしくはジ
−アルキルアミノ基、置換されていてもよいアニリノ基
またはニトロ基を表わし、ｐおよびｑは０〜３の整数で
あり、Ｍは金属、オキシ金属または金属塩を表わす。）
で表される上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載の
フタロシアニン組成物。
【００２５】（５） 上記（１）〜（４）のいずれか一
つに記載のフタロシアニン組成物を基板上に設けられた
記録層に含有してなる光記録媒体。
つに記載のフタロシアニン組成物を基板上に設けられた
記録層に含有してなる光記録媒体。
【００２６】（６） 透明な樹脂製基板上に設けられた
記録層および金属の反射層を有するコンパクトディスク
対応の追記型光記録媒体において、該記録層が上記
（５）に記載の記録層である光記録媒体。
記録層および金属の反射層を有するコンパクトディスク
対応の追記型光記録媒体において、該記録層が上記
（５）に記載の記録層である光記録媒体。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明に係るフタロシアニン組成
物は、 （I）群：一般式（１）
物は、 （I）群：一般式（１）
【００２８】
【化７】
【００２９】で表されるフタロシアニンの構造式におい
て、１〜１６の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノ
キシ基で置換されており、かつ該フェノキシ基がオルソ
位の少なくとも一方に置換基を持つフタロシアニン化合
物、および （II）群：臭素原子を有するフタロシアニン化合物に含
まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでなる
ものであり、以下、これにつき詳述する。
て、１〜１６の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノ
キシ基で置換されており、かつ該フェノキシ基がオルソ
位の少なくとも一方に置換基を持つフタロシアニン化合
物、および （II）群：臭素原子を有するフタロシアニン化合物に含
まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでなる
ものであり、以下、これにつき詳述する。
【００３０】本発明に係るフタロシアニン組成物のうち
（I）群のフタロシアニン化合物は、上記一般式（１）
で表されるフタロシアニンの構造式において、１〜１６
の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノキシ基で置換
されており、かつ該フェノキシ基がオルソ位の少なくと
も一方に置換基を持つフタロシアニン化合物であり、好
ましくは該フェノキシ基のオルソ位の置換基に含まれる
原子のうちで水素原子を除いた原子の原子半径の総計が
６．０Å以上であることが望ましい。ここで、主な原子
の原子半径は、以下の数字を用いた；炭素＝０．７７、
酸素＝０．７４、窒素＝０．７４、フッ素＝０．７２、
塩素＝０．９９、ケイ素＝１．１７、リン＝１．１０、
硫黄＝１．０４（いずれも単位はÅである）。６．０Å
以上であることによって、該フタロシアニン化合物を混
合したフタロシアニン組成物において、実用上有意な溶
媒溶解性を示すので好ましい。
（I）群のフタロシアニン化合物は、上記一般式（１）
で表されるフタロシアニンの構造式において、１〜１６
の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノキシ基で置換
されており、かつ該フェノキシ基がオルソ位の少なくと
も一方に置換基を持つフタロシアニン化合物であり、好
ましくは該フェノキシ基のオルソ位の置換基に含まれる
原子のうちで水素原子を除いた原子の原子半径の総計が
６．０Å以上であることが望ましい。ここで、主な原子
の原子半径は、以下の数字を用いた；炭素＝０．７７、
酸素＝０．７４、窒素＝０．７４、フッ素＝０．７２、
塩素＝０．９９、ケイ素＝１．１７、リン＝１．１０、
硫黄＝１．０４（いずれも単位はÅである）。６．０Å
以上であることによって、該フタロシアニン化合物を混
合したフタロシアニン組成物において、実用上有意な溶
媒溶解性を示すので好ましい。
【００３１】また、前記（I）群の上記一般式（１）で
表されるフタロシアニンの構造式において、１〜１６の
位置のうちの少なくとも一箇所に置換されてなるフェノ
キシ基のオルソ位の少なくとも一方に置換し得る置換基
としては、下記（１）〜（７）群の置換基：
表されるフタロシアニンの構造式において、１〜１６の
位置のうちの少なくとも一箇所に置換されてなるフェノ
キシ基のオルソ位の少なくとも一方に置換し得る置換基
としては、下記（１）〜（７）群の置換基：
【００３２】
【化８】
【００３３】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ5 は各
々独立に炭素原子数１〜２０個の置換基を有していても
よい直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基または置換基
を有していてもよいアリール基を表わし、ＡはＣＨ基ま
たは窒素原子を表わし、Ｂは酸素原子、硫黄原子、ＣＨ
2 基、ＮＨ基または炭素原子数１〜４個のアルキルアミ
ノ基を表わし、Ｒ4 は置換基を有していてもよいアリー
ル基または炭素原子数３〜１０個のシクロアルキル基を
表わし、ａ、ｂ、ｆおよびｇは１〜５の整数であり、ｃ
およびｋは０〜６の整数であり、ｄおよびｅは各々独立
に１〜４の整数であり、ｌは１〜２０の整数であり、ｍ
はＣl Ｈm なる直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を
飽和するのに必要な水素原子数である。）よりなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の置換基であることが望まし
い。
々独立に炭素原子数１〜２０個の置換基を有していても
よい直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基または置換基
を有していてもよいアリール基を表わし、ＡはＣＨ基ま
たは窒素原子を表わし、Ｂは酸素原子、硫黄原子、ＣＨ
2 基、ＮＨ基または炭素原子数１〜４個のアルキルアミ
ノ基を表わし、Ｒ4 は置換基を有していてもよいアリー
ル基または炭素原子数３〜１０個のシクロアルキル基を
表わし、ａ、ｂ、ｆおよびｇは１〜５の整数であり、ｃ
およびｋは０〜６の整数であり、ｄおよびｅは各々独立
に１〜４の整数であり、ｌは１〜２０の整数であり、ｍ
はＣl Ｈm なる直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を
飽和するのに必要な水素原子数である。）よりなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の置換基であることが望まし
い。
【００３４】上記Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ5 で表され
るものは、炭素原子数１〜２０個の置換基を有していて
もよい直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基または置換
基を有していてもよいアリール基である。
るものは、炭素原子数１〜２０個の置換基を有していて
もよい直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基または置換
基を有していてもよいアリール基である。
【００３５】このうち、炭素原子数１〜２０個の直鎖、
分岐鎖または環状のアルキル基として、好ましくは第２
級以上の炭素原子を２〜４個含み、かつ炭素原子数が５
〜２０個の第２級または第３級のアルキル基であり、特
に好ましくは第２級以上の炭素原子を２〜４個含み、か
つ炭素原子数が６〜１５個の第２級または第３級のアル
キル基である。さらに好ましくは、第２級以上の炭素原
子を２〜４個含み、かつ炭素原子数が６〜１０個の第２
級または第３級のアルキル基である。当該アルキル基中
に第２級以上の炭素原子を２〜４個含んでいることによ
り、熱重量分析装置で測定した時に、熱分解開始直後の
単位時間当たりの重量減少度がより大きくなり、当該
（I）群のフタロシアニン化合物単独よりも（II）群の
フタロシアニン化合物を混合したフタロシアニン組成物
の方が、熱分解開始温度が下がる。その結果、該組成物
を光記録媒体にした時の記録感度がさらに向上すること
となるので好ましい。上記アルキル基としては、具体的
には、３−メチル−２−ブチル基、２，３−ジメチル−
２−ブチル基、３，３−ジメチル−２−ブチル基、２−
メチル−３−ペンチル基、３−メチル−２−ペンチル
基、４−メチル−２−ペンチル基、２，２−ジメチル−
３−ペンチル基、２，３−ジメチル−３−ペンチル基、
２，４−ジメチル−３−ペンチル基、４，４−ジメチル
−２−ペンチル基、２−メチル−３−ヘキシル基、５−
メチル−２−ヘキシル基、２，３，３−トリメチル−２
−ブチル基、３，４−ジメチル−２−ペンチル基、２，
３−ジメチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチル−２
−ペンチル基、３−エチル−２−ペンチル基、４−メチ
ル−３−ヘキシル基、３−メチル−２−ヘキシル基、
２，２−ジメチル−３−ヘキシル基、２，３−ジメチル
−２−ヘキシル基、２，５−ジメチル−２−ヘキシル
基、２，５−ジメチル−３−ヘキシル基、３，４−ジメ
チル−３−ヘキシル基、３，５−ジメチル−３−ヘキシ
ル基、３−エチル−２−メチル−３−ペンチル基、４−
メチル−３−ヘプチル基、５−メチル−２−ヘプチル
基、５−メチル−３−ヘプチル基、６−メチル−２−ヘ
プチル基、６−メチル−３−ヘプチル基、２，３，４−
トリメチル−２−ペンチル基、２，３，４−トリメチル
−３−ペンチル基、２−メチル−３−エチル−２−ペン
チル基、３−エチル−３−メチル−２−ペンチル基、３
−エチル−４−メチル−２−ペンチル基、２−エチル−
３−メチル−２−ペンチル基、２，３−ジメチル−３−
ヘキシル基、２，４−ジメチル−３−ヘキシル基、４，
５−ジメチル−３−ヘキシル基、４−エチル−３−ヘキ
シル基、３−エチル−２−ヘキシル基、３，４−ジメチ
ル−２−ヘキシル基、３，５−ジメチル−２−ヘキシル
基、２−メチル−３−ヘプチル基、３−メチル−２−ヘ
プチル基、３−メチル−４−ヘプチル基、２，６−ジメ
チル−４−ヘプチル基、３−エチル−２，２−ジメチル
−３−ペンチル基、２−メチル−３−オクチル基、３，
５−ジメチル−４−ヘプチル基、２，４−ジメチル−３
−エチル−３−ペンチル基、２，３−ジメチル−４−ヘ
プチル基、４−エチル−２−メチル−３−ヘキシル基、
２，４，５−トリメチル−３−ヘキシル基、３，４，５
−トリメチル−２−ヘキシル基、３−エチル−４−メチ
ル−２−ヘキシル基、４−エチル−３−メチル−２−ヘ
キシル基、２，３−ジメチル−４−ヘプチル基、３，７
−ジメチル−３−オクチル基、３，７−ジメチル−４−
オクチル基、２，６−ジメチル−３−オクチル基、２−
メチル−３−ウンデシル基、７−エチル−２−メチル−
４−ウンデシル基、２−メチル−３−トリデシル基、２
−メチル−４−トリデシル基などである。これらのアル
キル基のうちで好ましくは、第２級以上の炭素原子が２
個以上隣接しているアルキル基であり、特に好ましく
は、第２級以上の炭素原子が３個以上隣接しているアル
キル基である。その具体例としては、２，４−ジメチル
−３−ペンチル基、３，４−ジメチル−２−ペンチル
基、２，３，４−トリメチル−２−ペンチル基、２，
３，４−トリメチル−３−ペンチル基、３−エチル−４
−メチル−２−ペンチル基、２，４−ジメチル−３−ヘ
キシル基、４，５−ジメチル−３−ヘキシル基、３，４
−ジメチル−２−ヘキシル基、３，５−ジメチル−４−
ヘプチル基、２，４−ジメチル−３−エチル−３−ペン
チル基、２，３−ジメチル−４−ヘプチル基、４−エチ
ル−２−メチル−３−ヘキシル基、２，４，５−トリメ
チル−３−ヘキシル基、３，４，５−トリメチル−２−
ヘキシル基、３−エチル−４−メチル−２−ヘキシル
基、４−エチル−３−メチル−２−ヘキシル基、２，３
−ジメチル−４−ヘプチル基などである。第２級以上の
炭素原子が３個以上隣接しているアルキル基であること
によって、該フタロシアニン化合物が熱重量測定した時
に、熱分解開始後の単位時間当たりの重量減少度がより
大きくなる。これは、フタロシアニン化合物が熱に対し
てより速い応答で変化することを意味しており、その結
果、光記録媒体にした時の記録感度が向上するので好ま
しい。
分岐鎖または環状のアルキル基として、好ましくは第２
級以上の炭素原子を２〜４個含み、かつ炭素原子数が５
〜２０個の第２級または第３級のアルキル基であり、特
に好ましくは第２級以上の炭素原子を２〜４個含み、か
つ炭素原子数が６〜１５個の第２級または第３級のアル
キル基である。さらに好ましくは、第２級以上の炭素原
子を２〜４個含み、かつ炭素原子数が６〜１０個の第２
級または第３級のアルキル基である。当該アルキル基中
に第２級以上の炭素原子を２〜４個含んでいることによ
り、熱重量分析装置で測定した時に、熱分解開始直後の
単位時間当たりの重量減少度がより大きくなり、当該
（I）群のフタロシアニン化合物単独よりも（II）群の
フタロシアニン化合物を混合したフタロシアニン組成物
の方が、熱分解開始温度が下がる。その結果、該組成物
を光記録媒体にした時の記録感度がさらに向上すること
となるので好ましい。上記アルキル基としては、具体的
には、３−メチル−２−ブチル基、２，３−ジメチル−
２−ブチル基、３，３−ジメチル−２−ブチル基、２−
メチル−３−ペンチル基、３−メチル−２−ペンチル
基、４−メチル−２−ペンチル基、２，２−ジメチル−
３−ペンチル基、２，３−ジメチル−３−ペンチル基、
２，４−ジメチル−３−ペンチル基、４，４−ジメチル
−２−ペンチル基、２−メチル−３−ヘキシル基、５−
メチル−２−ヘキシル基、２，３，３−トリメチル−２
−ブチル基、３，４−ジメチル−２−ペンチル基、２，
３−ジメチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチル−２
−ペンチル基、３−エチル−２−ペンチル基、４−メチ
ル−３−ヘキシル基、３−メチル−２−ヘキシル基、
２，２−ジメチル−３−ヘキシル基、２，３−ジメチル
−２−ヘキシル基、２，５−ジメチル−２−ヘキシル
基、２，５−ジメチル−３−ヘキシル基、３，４−ジメ
チル−３−ヘキシル基、３，５−ジメチル−３−ヘキシ
ル基、３−エチル−２−メチル−３−ペンチル基、４−
メチル−３−ヘプチル基、５−メチル−２−ヘプチル
基、５−メチル−３−ヘプチル基、６−メチル−２−ヘ
プチル基、６−メチル−３−ヘプチル基、２，３，４−
トリメチル−２−ペンチル基、２，３，４−トリメチル
−３−ペンチル基、２−メチル−３−エチル−２−ペン
チル基、３−エチル−３−メチル−２−ペンチル基、３
−エチル−４−メチル−２−ペンチル基、２−エチル−
３−メチル−２−ペンチル基、２，３−ジメチル−３−
ヘキシル基、２，４−ジメチル−３−ヘキシル基、４，
５−ジメチル−３−ヘキシル基、４−エチル−３−ヘキ
シル基、３−エチル−２−ヘキシル基、３，４−ジメチ
ル−２−ヘキシル基、３，５−ジメチル−２−ヘキシル
基、２−メチル−３−ヘプチル基、３−メチル−２−ヘ
プチル基、３−メチル−４−ヘプチル基、２，６−ジメ
チル−４−ヘプチル基、３−エチル−２，２−ジメチル
−３−ペンチル基、２−メチル−３−オクチル基、３，
５−ジメチル−４−ヘプチル基、２，４−ジメチル−３
−エチル−３−ペンチル基、２，３−ジメチル−４−ヘ
プチル基、４−エチル−２−メチル−３−ヘキシル基、
２，４，５−トリメチル−３−ヘキシル基、３，４，５
−トリメチル−２−ヘキシル基、３−エチル−４−メチ
ル−２−ヘキシル基、４−エチル−３−メチル−２−ヘ
キシル基、２，３−ジメチル−４−ヘプチル基、３，７
−ジメチル−３−オクチル基、３，７−ジメチル−４−
オクチル基、２，６−ジメチル−３−オクチル基、２−
メチル−３−ウンデシル基、７−エチル−２−メチル−
４−ウンデシル基、２−メチル−３−トリデシル基、２
−メチル−４−トリデシル基などである。これらのアル
キル基のうちで好ましくは、第２級以上の炭素原子が２
個以上隣接しているアルキル基であり、特に好ましく
は、第２級以上の炭素原子が３個以上隣接しているアル
キル基である。その具体例としては、２，４−ジメチル
−３−ペンチル基、３，４−ジメチル−２−ペンチル
基、２，３，４−トリメチル−２−ペンチル基、２，
３，４−トリメチル−３−ペンチル基、３−エチル−４
−メチル−２−ペンチル基、２，４−ジメチル−３−ヘ
キシル基、４，５−ジメチル−３−ヘキシル基、３，４
−ジメチル−２−ヘキシル基、３，５−ジメチル−４−
ヘプチル基、２，４−ジメチル−３−エチル−３−ペン
チル基、２，３−ジメチル−４−ヘプチル基、４−エチ
ル−２−メチル−３−ヘキシル基、２，４，５−トリメ
チル−３−ヘキシル基、３，４，５−トリメチル−２−
ヘキシル基、３−エチル−４−メチル−２−ヘキシル
基、４−エチル−３−メチル−２−ヘキシル基、２，３
−ジメチル−４−ヘプチル基などである。第２級以上の
炭素原子が３個以上隣接しているアルキル基であること
によって、該フタロシアニン化合物が熱重量測定した時
に、熱分解開始後の単位時間当たりの重量減少度がより
大きくなる。これは、フタロシアニン化合物が熱に対し
てより速い応答で変化することを意味しており、その結
果、光記録媒体にした時の記録感度が向上するので好ま
しい。
【００３６】また、アリール基としては、フェニル基、
ナフチル基、トルイル基などを挙げることができる。特
に好ましくはフェニル基である。
ナフチル基、トルイル基などを挙げることができる。特
に好ましくはフェニル基である。
【００３７】上記炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖
または環状のアルキル基に場合によっては存在する置換
基は、例えば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルコシ
キ基、その一部が臭素原子以外でハロゲン化されたハロ
ゲン化アルコキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アルコシキカルボニル基などである。また、上
記アリール基に場合によっては存在する置換基は、例え
ば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルキル基、アルコ
シキ基、その一部が臭素原子以外でハロゲン化されたハ
ロゲン化アルキル基、その一部が臭素原子以外でハロゲ
ン化されたハロゲン化アルコキシ基、ニトロ基、アミノ
基、アルキルアミノ基、アルコシキカルボニル基などで
ある。
または環状のアルキル基に場合によっては存在する置換
基は、例えば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルコシ
キ基、その一部が臭素原子以外でハロゲン化されたハロ
ゲン化アルコキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキルア
ミノ基、アルコシキカルボニル基などである。また、上
記アリール基に場合によっては存在する置換基は、例え
ば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルキル基、アルコ
シキ基、その一部が臭素原子以外でハロゲン化されたハ
ロゲン化アルキル基、その一部が臭素原子以外でハロゲ
ン化されたハロゲン化アルコキシ基、ニトロ基、アミノ
基、アルキルアミノ基、アルコシキカルボニル基などで
ある。
【００３８】ここで、上記アルキル基またはアリール基
に場合によっては存在する置換基のうち、臭素原子を除
くハロゲン原子とは、フッ素、塩素およびヨウ素であ
り、この中で好ましくは塩素である。
に場合によっては存在する置換基のうち、臭素原子を除
くハロゲン原子とは、フッ素、塩素およびヨウ素であ
り、この中で好ましくは塩素である。
【００３９】上記アリール基に場合によっては存在する
置換基のうち、アルキル基とは、炭素原子数１〜２０個
の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基であり、好まし
くは炭素原子数１〜８個のアルキル基である。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチ
ル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ラウリル
基、ステアリル基などを示す。
置換基のうち、アルキル基とは、炭素原子数１〜２０個
の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基であり、好まし
くは炭素原子数１〜８個のアルキル基である。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチ
ル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ラウリル
基、ステアリル基などを示す。
【００４０】上記アルキル基またはアリール基に場合に
よっては存在する置換基のうち、アルコキシ基とは、炭
素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルコ
キシ基であり、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルコ
キシ基である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチ
ルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシル
オキシ基などを示す。
よっては存在する置換基のうち、アルコキシ基とは、炭
素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルコ
キシ基であり、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルコ
キシ基である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチ
ルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシル
オキシ基などを示す。
【００４１】上記アリール基に場合によっては存在する
置換基のうち、臭素原子を除くハロゲン化アルキル基と
は、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状の
アルキル基の一部が臭素原子以外でハロゲン化されたも
のであり、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキル基
の一部が臭素原子以外でハロゲン化されたものである。
特に好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキル基の一部
が塩素化されたものである。具体的には、クロロメチル
基、クロロエチル基、クロロプロピル基、クロロブチル
基、クロロペンチル基、クロロヘキシル基、クロロヘプ
チル基、クロロオクチル基等のモノクロロアルキル基、
１，３−ジクロロプロピル基、１，３−ジクロロブチル
基等のジクロロアルキル基などを示す。
置換基のうち、臭素原子を除くハロゲン化アルキル基と
は、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状の
アルキル基の一部が臭素原子以外でハロゲン化されたも
のであり、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキル基
の一部が臭素原子以外でハロゲン化されたものである。
特に好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキル基の一部
が塩素化されたものである。具体的には、クロロメチル
基、クロロエチル基、クロロプロピル基、クロロブチル
基、クロロペンチル基、クロロヘキシル基、クロロヘプ
チル基、クロロオクチル基等のモノクロロアルキル基、
１，３−ジクロロプロピル基、１，３−ジクロロブチル
基等のジクロロアルキル基などを示す。
【００４２】上記アルキル基またはアリール基に場合に
よっては存在する置換基のうち、臭素原子を除くハロゲ
ン化アルコキシ基とは、炭素原子数１〜２０個の直鎖、
分岐鎖または環状のアルコキシ基の一部が臭素原子以外
でハロゲン化されたものであり、好ましくは炭素原子数
１〜８個のアルコキシ基の一部が臭素原子以外でハロゲ
ン化されたものである。特に好ましくは炭素原子数１〜
８個のアルコキシ基の一部が塩素化されたものである。
具体的には、クロロメトキシ基、クロロエトキシ基、ク
ロロプロポキシ基、クロロブトキシ基、クロロペントキ
シ基、クロロヘキシルオキシ基、クロロヘプチルオキシ
基、クロロオクチルオキシ基等のモノクロロアルコキシ
基、１，３−ジクロロプロポキシ基、１，３−ジクロロ
ブトキシ基等のジクロロアルコキシ基等を示す。
よっては存在する置換基のうち、臭素原子を除くハロゲ
ン化アルコキシ基とは、炭素原子数１〜２０個の直鎖、
分岐鎖または環状のアルコキシ基の一部が臭素原子以外
でハロゲン化されたものであり、好ましくは炭素原子数
１〜８個のアルコキシ基の一部が臭素原子以外でハロゲ
ン化されたものである。特に好ましくは炭素原子数１〜
８個のアルコキシ基の一部が塩素化されたものである。
具体的には、クロロメトキシ基、クロロエトキシ基、ク
ロロプロポキシ基、クロロブトキシ基、クロロペントキ
シ基、クロロヘキシルオキシ基、クロロヘプチルオキシ
基、クロロオクチルオキシ基等のモノクロロアルコキシ
基、１，３−ジクロロプロポキシ基、１，３−ジクロロ
ブトキシ基等のジクロロアルコキシ基等を示す。
【００４３】上記アルキル基またはアリール基に場合に
よっては存在する置換基のうち、アルキルアミノ基と
は、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状の
アルキル基を含むアルキルアミノ基であり、好ましくは
炭素原子数１〜８個のアルキル基を含むアルキルアミノ
基である。具体的には、メチルアミノ基、エチルアミノ
基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ
−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−ペ
ンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキシ
ルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキシ
ルアミノ基、およびｎ−デシルアミノ基などが挙げられ
る。
よっては存在する置換基のうち、アルキルアミノ基と
は、炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状の
アルキル基を含むアルキルアミノ基であり、好ましくは
炭素原子数１〜８個のアルキル基を含むアルキルアミノ
基である。具体的には、メチルアミノ基、エチルアミノ
基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ
−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−ペ
ンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキシ
ルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキシ
ルアミノ基、およびｎ−デシルアミノ基などが挙げられ
る。
【００４４】上記アルキル基またはアリール基に場合に
よっては存在する置換基のうち、アルコキシカルボニル
基とは、アルコキシ基のアルキル基部分にヘテロ原子を
含んでもよい炭素原子数１〜８個、好ましくは炭素原子
数１〜５個のアルコキシカルボニル、またはヘテロ原子
を含んでもよい炭素原子数３〜８個、好ましくは炭素原
子数５〜８個の環状アルコキシカルボニルを示す。具体
的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘ
キシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシ
カルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキ
シエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル
基、ジエチルアミノエトキシカルボニル基、メチルチオ
エトキシカルボニル基、メトキシプロピルオキシカルボ
ニル基、（３，６，９−オキサ）デシルオキシカルボニ
ル基、テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル基、ピ
ランオキシカルボニル基、ピペリジノオキシカルボニル
基、ピペリジノエトキシカルボニル基、テトラヒドロピ
ロールオキシカルボニル基、テトラヒドロピランメトキ
シカルボニル基、テトラヒドロチオフェンオキシカルボ
ニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基などを示
す。
よっては存在する置換基のうち、アルコキシカルボニル
基とは、アルコキシ基のアルキル基部分にヘテロ原子を
含んでもよい炭素原子数１〜８個、好ましくは炭素原子
数１〜５個のアルコキシカルボニル、またはヘテロ原子
を含んでもよい炭素原子数３〜８個、好ましくは炭素原
子数５〜８個の環状アルコキシカルボニルを示す。具体
的には、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘ
キシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシ
カルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキ
シエトキシカルボニル基、ブトキシエトキシカルボニル
基、ジエチルアミノエトキシカルボニル基、メチルチオ
エトキシカルボニル基、メトキシプロピルオキシカルボ
ニル基、（３，６，９−オキサ）デシルオキシカルボニ
ル基、テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル基、ピ
ランオキシカルボニル基、ピペリジノオキシカルボニル
基、ピペリジノエトキシカルボニル基、テトラヒドロピ
ロールオキシカルボニル基、テトラヒドロピランメトキ
シカルボニル基、テトラヒドロチオフェンオキシカルボ
ニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基などを示
す。
【００４５】上記Ｂで示される炭素原子数１〜４個のア
ルキルアミノ基とは、炭素原子数１〜４個のアルキル基
を含むアルキルアミノ基である。具体的には、メチルア
ミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソ
プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルアミノ基などが挙げられる。
ルキルアミノ基とは、炭素原子数１〜４個のアルキル基
を含むアルキルアミノ基である。具体的には、メチルア
ミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソ
プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブ
チルアミノ基などが挙げられる。
【００４６】上記Ｒ4 で表されるものは、置換基を有し
ていてもよいアリール基または炭素原子数３〜１０個の
シクロアルキル基である。このうち、置換基を有してい
てもよいアリール基としては、上述したＲ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 およびＲ5 において説明した置換基を有していてもよ
いアリール基と同じものを表すものである。また、炭素
原子数３〜１０個のシクロアルキル基としては、具体的
には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが挙
げられる。
ていてもよいアリール基または炭素原子数３〜１０個の
シクロアルキル基である。このうち、置換基を有してい
てもよいアリール基としては、上述したＲ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 およびＲ5 において説明した置換基を有していてもよ
いアリール基と同じものを表すものである。また、炭素
原子数３〜１０個のシクロアルキル基としては、具体的
には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが挙
げられる。
【００４７】上述した（１）〜（７）群の置換基のう
ち、特に、（１）〜（４）および（６）群の置換基のい
ずれかを少なくとも１個用いるのがより好ましい。ま
た、その際のオルソ位、すなわちフェノキシ基の２位と
６位に置換された置換基の原子数の両位の総計が４以上
あるのが好ましい。
ち、特に、（１）〜（４）および（６）群の置換基のい
ずれかを少なくとも１個用いるのがより好ましい。ま
た、その際のオルソ位、すなわちフェノキシ基の２位と
６位に置換された置換基の原子数の両位の総計が４以上
あるのが好ましい。
【００４８】これらフェノキシ基の２位あるいは６位、
若しくは両位に置換される上記（１）〜（７）群の置換
基としては、以下に具体的に例示されるものが挙げられ
る。なお、本発明はこれらに限定されるものではなく、
上記に規定した範囲に含まれるものであればいかなるも
のでもよい。
若しくは両位に置換される上記（１）〜（７）群の置換
基としては、以下に具体的に例示されるものが挙げられ
る。なお、本発明はこれらに限定されるものではなく、
上記に規定した範囲に含まれるものであればいかなるも
のでもよい。
【００４９】（１）群の置換基：メトキシカルボニル、
エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロ
ポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシ
カルボニル、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したペンチルオ
キシカルボニル、直鎖あるいは分岐したヘキシルオキシ
カルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、直鎖あ
るいは分岐したヘプチルオキシカルボニル、直鎖あるい
は分岐したオクチルオキシカルボニル、直鎖あるいは分
岐したノニルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐した
デシルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したウンデ
シルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したドデシル
オキシカルボニル、シクロヘキサンメトキシカルボニ
ル、シクロヘキサンエトキシカルボニル、３−シクロヘ
キシル−１−プロポキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブチル
シクロヘキシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニ
ル、４−メチルフェノキシカルボニル、４−クロロフェ
ノキシカルボニル、４−シクロヘキシルフェノキシカル
ボニル、４−フェニルフェノキシカルボニル、２−フル
オロフェノキシカルボニル、４−エトキシフェノキシカ
ルボニル。
エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロ
ポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシ
カルボニル、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−
ブトキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したペンチルオ
キシカルボニル、直鎖あるいは分岐したヘキシルオキシ
カルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、直鎖あ
るいは分岐したヘプチルオキシカルボニル、直鎖あるい
は分岐したオクチルオキシカルボニル、直鎖あるいは分
岐したノニルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐した
デシルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したウンデ
シルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐したドデシル
オキシカルボニル、シクロヘキサンメトキシカルボニ
ル、シクロヘキサンエトキシカルボニル、３−シクロヘ
キシル−１−プロポキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブチル
シクロヘキシルオキシカルボニル、フェノキシカルボニ
ル、４−メチルフェノキシカルボニル、４−クロロフェ
ノキシカルボニル、４−シクロヘキシルフェノキシカル
ボニル、４−フェニルフェノキシカルボニル、２−フル
オロフェノキシカルボニル、４−エトキシフェノキシカ
ルボニル。
【００５０】（２）群の置換基：メトキシエトキシカル
ボニル、エトキシエトキシカルボニル、３′，６′−オ
キサヘプチルオキシカルボニル、３′，６′−オキサオ
クチルオキシカルボニル、３′，６′，９′−オキサデ
シルオキシカルボニル、３′，６′，９′，１２′−オ
キサトリデシルオキシカルボニル。
ボニル、エトキシエトキシカルボニル、３′，６′−オ
キサヘプチルオキシカルボニル、３′，６′−オキサオ
クチルオキシカルボニル、３′，６′，９′−オキサデ
シルオキシカルボニル、３′，６′，９′，１２′−オ
キサトリデシルオキシカルボニル。
【００５１】（３）群の置換基：メトキシプロピルオキ
シカルボニル、エトキシプロピルオキシカルボニル、
４′，８′−オキサノニルオキシカルボニル、４′，
８′−オキサデシルオキシカルボニル、４′，８′，１
２′−オキサトリデシルオキシカルボニル。
シカルボニル、エトキシプロピルオキシカルボニル、
４′，８′−オキサノニルオキシカルボニル、４′，
８′−オキサデシルオキシカルボニル、４′，８′，１
２′−オキサトリデシルオキシカルボニル。
【００５２】（４）群の置換基：２−テトラヒドロキシ
フランオキシカルボニル、４−テトラヒドロピラノオキ
シカルボニル、２−ピロリジノオキシカルボニル、２−
ピペリジノオキシカルボニル、２−テトラヒドロチオフ
ェンオキシカルボニル、テトラヒドロフルフリルオキシ
カルボニル、４−テトラヒドロピラノオキシカルボニ
ル、２−モルフォリノエトキシカルボニル、２−ピロリ
ジノエトキシカルボニル、２−ピペラジノエトキシカル
ボニル。
フランオキシカルボニル、４−テトラヒドロピラノオキ
シカルボニル、２−ピロリジノオキシカルボニル、２−
ピペリジノオキシカルボニル、２−テトラヒドロチオフ
ェンオキシカルボニル、テトラヒドロフルフリルオキシ
カルボニル、４−テトラヒドロピラノオキシカルボニ
ル、２−モルフォリノエトキシカルボニル、２−ピロリ
ジノエトキシカルボニル、２−ピペラジノエトキシカル
ボニル。
【００５３】（５）群の置換基：ベンジルオキシカルボ
ニル、フェネチルオキシカルボニル、３−フェニル−１
−プロポキシカルボニル、４−フェニル−１−ブトキシ
カルボニル、５−フェニル−１−ペントキシカルボニ
ル。
ニル、フェネチルオキシカルボニル、３−フェニル−１
−プロポキシカルボニル、４−フェニル−１−ブトキシ
カルボニル、５−フェニル−１−ペントキシカルボニ
ル。
【００５４】（６）群の置換基：メトキシ、エトキシ、
プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキ
シ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、直鎖ある
いは分岐したペンチルオキシ、直鎖あるいは分岐したヘ
キシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、直鎖あるいは分
岐したヘプチルオキシ、直鎖あるいは分岐したオクチル
オキシ、直鎖あるいは分岐したノニルオキシ、直鎖ある
いは分岐したデシルオキシ、直鎖あるいは分岐したウン
デシルオキシ、直鎖あるいは分岐したドデシルオキシ、
直鎖あるいは分岐したヘキサデシルオキシ、メトキシエ
トキシ、エトキシエトキシ、３′，６′−オキサヘプチ
ルオキシ、３′，６′−オキサオクチルオキシ、３′，
６′，９′−オキサデシルオキシ、３′６′，９′，１
２′−オキサトリデシルオキシ、メトキシプロピルオキ
シ、エトキシプロピルオキシ、４′，８′−オキサノニ
ルオキシ、４′，８′−オキサデシルオキシ。
プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキ
シ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、直鎖ある
いは分岐したペンチルオキシ、直鎖あるいは分岐したヘ
キシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、直鎖あるいは分
岐したヘプチルオキシ、直鎖あるいは分岐したオクチル
オキシ、直鎖あるいは分岐したノニルオキシ、直鎖ある
いは分岐したデシルオキシ、直鎖あるいは分岐したウン
デシルオキシ、直鎖あるいは分岐したドデシルオキシ、
直鎖あるいは分岐したヘキサデシルオキシ、メトキシエ
トキシ、エトキシエトキシ、３′，６′−オキサヘプチ
ルオキシ、３′，６′−オキサオクチルオキシ、３′，
６′，９′−オキサデシルオキシ、３′６′，９′，１
２′−オキサトリデシルオキシ、メトキシプロピルオキ
シ、エトキシプロピルオキシ、４′，８′−オキサノニ
ルオキシ、４′，８′−オキサデシルオキシ。
【００５５】（７）群の置換基：メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、直鎖あるい
は分岐したペンチル、直鎖あるいは分岐したヘキシル、
シクロヘキシル、直鎖あるいは分岐したヘプチル、直鎖
あるいは分岐したオクチル、直鎖あるいは分岐したノニ
ル、直鎖あるいは分岐したデシル、直鎖あるいは分岐し
たウンデシル、直鎖あるいは分岐したドデシル、直鎖あ
るいは分岐したヘキサデシル。
ピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、直鎖あるい
は分岐したペンチル、直鎖あるいは分岐したヘキシル、
シクロヘキシル、直鎖あるいは分岐したヘプチル、直鎖
あるいは分岐したオクチル、直鎖あるいは分岐したノニ
ル、直鎖あるいは分岐したデシル、直鎖あるいは分岐し
たウンデシル、直鎖あるいは分岐したドデシル、直鎖あ
るいは分岐したヘキサデシル。
【００５６】なお、上記（１）〜（７）群の置換基以外
にフェノキシ基の２位若しくは６位に導入し得る置換基
としては、臭素原子を除くハロゲン原子が挙げられる。
具体的には、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子であ
り、好ましくは塩素原子である。
にフェノキシ基の２位若しくは６位に導入し得る置換基
としては、臭素原子を除くハロゲン原子が挙げられる。
具体的には、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子であ
り、好ましくは塩素原子である。
【００５７】また、上記（I）群のフタロシアニン化合
物のフェノキシ基のオルソ位（２位および６位）以外の
位置（３〜５位）にも、当該フタロシアニン化合物の溶
解性を向上させたり吸収波長の制御のために、上記
（１）〜（７）群の置換基を有していてもよいほか、新
たな置換基を有していてもよい。これらの置換基として
は、例えば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルコキシ
基が置換されていてもよい炭素原子数１〜２０個の直鎖
または分岐鎖のアルコキシからなるアルコキシカルボニ
ル基、置換されていてもよいアリールオキシカルボニル
基、直鎖または分岐している置換されていてもよい炭素
原子数１〜１２個のアルキル基、置換されていてもよい
直鎖または分岐している炭素原子数１〜１２個のアルコ
キシ基、置換されていてもよい直鎖または分岐している
炭素原子数１〜２０個のモノアルキルアミノ基、置換さ
れていてもよい直鎖または分岐している炭素原子数１〜
２０個のジアルキルアミノ基、シクロヘキシル基、置換
されていてもよいフェノキシ基、置換されていてもよい
アニリノ基またはニトロ基などが挙げられる。
物のフェノキシ基のオルソ位（２位および６位）以外の
位置（３〜５位）にも、当該フタロシアニン化合物の溶
解性を向上させたり吸収波長の制御のために、上記
（１）〜（７）群の置換基を有していてもよいほか、新
たな置換基を有していてもよい。これらの置換基として
は、例えば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルコキシ
基が置換されていてもよい炭素原子数１〜２０個の直鎖
または分岐鎖のアルコキシからなるアルコキシカルボニ
ル基、置換されていてもよいアリールオキシカルボニル
基、直鎖または分岐している置換されていてもよい炭素
原子数１〜１２個のアルキル基、置換されていてもよい
直鎖または分岐している炭素原子数１〜１２個のアルコ
キシ基、置換されていてもよい直鎖または分岐している
炭素原子数１〜２０個のモノアルキルアミノ基、置換さ
れていてもよい直鎖または分岐している炭素原子数１〜
２０個のジアルキルアミノ基、シクロヘキシル基、置換
されていてもよいフェノキシ基、置換されていてもよい
アニリノ基またはニトロ基などが挙げられる。
【００５８】また、上記（I）群の一般式（１）で表さ
れるフタロシアニンの構造式において、１〜１６の位置
には、上記オルソ位の少なくとも一方に置換基を持つフ
ェノキシ基が置換されている以外に、臭素原子を除くハ
ロゲン原子が置換されていてもよく、上記一般式（１）
のフタロシアニン骨格のβ位（２、３、６、７、１０、
１１、１４および１５位）の少なくとも１箇所が、オル
ソ位の少なくとも一方に置換基を持つフェノキシ基で置
換されてなるフタロシアニン化合物の場合には、フタロ
シアニン組成物の溶解性の点からフッ素原子が好ましい
ものである。
れるフタロシアニンの構造式において、１〜１６の位置
には、上記オルソ位の少なくとも一方に置換基を持つフ
ェノキシ基が置換されている以外に、臭素原子を除くハ
ロゲン原子が置換されていてもよく、上記一般式（１）
のフタロシアニン骨格のβ位（２、３、６、７、１０、
１１、１４および１５位）の少なくとも１箇所が、オル
ソ位の少なくとも一方に置換基を持つフェノキシ基で置
換されてなるフタロシアニン化合物の場合には、フタロ
シアニン組成物の溶解性の点からフッ素原子が好ましい
ものである。
【００５９】また、上記（I）群の一般式（１）で表さ
れるフタロシアニンの構造式において、Ｍはフタロシア
ニン化合物の中心金属を表すものである。中心金属Ｍと
しては、金属、オキシ金属または金属塩を用いることが
でき、具体的には例えば、鉄、鉛、マグネシウム、ニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、亜鉛、チタニル、バ
ナジル、塩化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、塩化
インジウム、ヨウ化インジウム、塩化ガリウム、ヨウ化
ガリウム、塩化チタン、塩化ゲルマニウム、塩化バナジ
ウム、塩化錫および塩化珪素等が挙げられ、このうち、
上記一般式（１）のフタロシアニン骨格のβ位（２、
３、６、７、１０、１１、１４および１５位）に、オル
ソ位に置換基を持つフェノキシ置換基で置換されている
場合には、コバルト、銅、亜鉛、バナジルまたは塩化錫
が耐光性が良好である点で好ましく、特に光記録媒体に
したときの光学特性の適合性からバナジルが好ましい。
一方、上記一般式（１）のフタロシアニン骨格のα位
（１、４、５、８、９、１２、１３および１６位）に、
オルソ位に置換基を持つフェノキシ置換基で置換されて
いる場合には、光学特性の適合性から２価の金属原子が
好ましい。
れるフタロシアニンの構造式において、Ｍはフタロシア
ニン化合物の中心金属を表すものである。中心金属Ｍと
しては、金属、オキシ金属または金属塩を用いることが
でき、具体的には例えば、鉄、鉛、マグネシウム、ニッ
ケル、コバルト、銅、パラジウム、亜鉛、チタニル、バ
ナジル、塩化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、塩化
インジウム、ヨウ化インジウム、塩化ガリウム、ヨウ化
ガリウム、塩化チタン、塩化ゲルマニウム、塩化バナジ
ウム、塩化錫および塩化珪素等が挙げられ、このうち、
上記一般式（１）のフタロシアニン骨格のβ位（２、
３、６、７、１０、１１、１４および１５位）に、オル
ソ位に置換基を持つフェノキシ置換基で置換されている
場合には、コバルト、銅、亜鉛、バナジルまたは塩化錫
が耐光性が良好である点で好ましく、特に光記録媒体に
したときの光学特性の適合性からバナジルが好ましい。
一方、上記一般式（１）のフタロシアニン骨格のα位
（１、４、５、８、９、１２、１３および１６位）に、
オルソ位に置換基を持つフェノキシ置換基で置換されて
いる場合には、光学特性の適合性から２価の金属原子が
好ましい。
【００６０】上述した（I）群のフタロシアニン化合物
において、好ましくは、一般式（２）
において、好ましくは、一般式（２）
【００６１】
【化９】
【００６２】（式中、Ｘは上記一般式（１）で表される
フタロシアニンの構造式において、１〜１６の位置のう
ちの少なくとも一箇所に置換されてなるフェノキシ基の
オルソ位の少なくとも一方に置換し得る置換基として規
定した（１）〜（７）群の置換基よりなる群から選ばれ
た置換基を表わし、ＹはＸについて定義した置換基、臭
素原子を除くハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｗ
は臭素原子を除くハロゲン原子を表わし、ＺはＹについ
て定義した置換基、置換されていてもよい炭素原子数１
〜２０個の直鎖または分岐鎖のアルキル基を有するモノ
−もしくはジ−アルキルアミノ基、置換されていてもよ
いアニリノ基またはニトロ基を表わし、ｐおよびｑは０
〜３の整数であり、Ｍは金属、オキシ金属または金属塩
を表わす。）で表わされるフタロシアニン化合物であ
る。
フタロシアニンの構造式において、１〜１６の位置のう
ちの少なくとも一箇所に置換されてなるフェノキシ基の
オルソ位の少なくとも一方に置換し得る置換基として規
定した（１）〜（７）群の置換基よりなる群から選ばれ
た置換基を表わし、ＹはＸについて定義した置換基、臭
素原子を除くハロゲン原子または水素原子を表わし、Ｗ
は臭素原子を除くハロゲン原子を表わし、ＺはＹについ
て定義した置換基、置換されていてもよい炭素原子数１
〜２０個の直鎖または分岐鎖のアルキル基を有するモノ
−もしくはジ−アルキルアミノ基、置換されていてもよ
いアニリノ基またはニトロ基を表わし、ｐおよびｑは０
〜３の整数であり、Ｍは金属、オキシ金属または金属塩
を表わす。）で表わされるフタロシアニン化合物であ
る。
【００６３】この一般式（２）で表わされるフタロシア
ニン化合物は、フタロシアニン骨格に４個のフェノキシ
基を導入し、さらにフェノキシ基のオルソ位に嵩高い置
換基ＸぉよびＹを導入したものであるため、耐光性を維
持しながら溶解性、吸収波長の制御および反射率におい
て優れた特性が得られ、よってかくなるフタロシアニン
化合物を記録層に含有させて用いることで、得られる光
記録媒体においても優れた効果が発揮できるものであ
る。本発明では、これらのフェノキシ基をフタロシアニ
ン骨格のβ位に導入するのが経済性の面で好ましい。
ニン化合物は、フタロシアニン骨格に４個のフェノキシ
基を導入し、さらにフェノキシ基のオルソ位に嵩高い置
換基ＸぉよびＹを導入したものであるため、耐光性を維
持しながら溶解性、吸収波長の制御および反射率におい
て優れた特性が得られ、よってかくなるフタロシアニン
化合物を記録層に含有させて用いることで、得られる光
記録媒体においても優れた効果が発揮できるものであ
る。本発明では、これらのフェノキシ基をフタロシアニ
ン骨格のβ位に導入するのが経済性の面で好ましい。
【００６４】上記一般式（２）において、Ｘで表される
置換基は、上記一般式（１）で表されるフタロシアニン
の構造式において、１〜１６の位置のうちの少なくとも
一箇所に置換されてなるフェノキシ基のオルソ位の少な
くとも一方に置換し得る置換基として規定した（１）〜
（７）群の置換基よりなる群から選ばれた置換基を表わ
す。これら（１）〜（７）群の置換基の詳細な内容およ
び具体的な例示に関しても、上記一般式（１）において
詳細に説明した内容となんら変わるものではなく同じで
ある。
置換基は、上記一般式（１）で表されるフタロシアニン
の構造式において、１〜１６の位置のうちの少なくとも
一箇所に置換されてなるフェノキシ基のオルソ位の少な
くとも一方に置換し得る置換基として規定した（１）〜
（７）群の置換基よりなる群から選ばれた置換基を表わ
す。これら（１）〜（７）群の置換基の詳細な内容およ
び具体的な例示に関しても、上記一般式（１）において
詳細に説明した内容となんら変わるものではなく同じで
ある。
【００６５】上記一般式（２）において、Ｙで表される
上記フェノキシ基上のオルソ位の一方に置換する置換基
のうち、臭素原子を除くハロゲン原子とは、フッ素、塩
素およびヨウ素であり、この中で好ましくは塩素であ
る。
上記フェノキシ基上のオルソ位の一方に置換する置換基
のうち、臭素原子を除くハロゲン原子とは、フッ素、塩
素およびヨウ素であり、この中で好ましくは塩素であ
る。
【００６６】上記置換基ＸおよびＹがフェノキシ基のオ
ルソ位（２、６位）にあることによって、フタロシアニ
ン化合物の薄膜の吸収スペクトルにおける会合体由来の
吸収ピーク（以下、会合体ピークという。）が大きく抑
制され、単量体由来の吸収ピーク（以下、単量体ピーク
という。）がシャープになるため好ましい。さらに、該
フタロシアニン化合物を混合したフタロシアニン組成物
を光記録媒体に用いたときの反射率、記録感度などの光
学特性に優れる。
ルソ位（２、６位）にあることによって、フタロシアニ
ン化合物の薄膜の吸収スペクトルにおける会合体由来の
吸収ピーク（以下、会合体ピークという。）が大きく抑
制され、単量体由来の吸収ピーク（以下、単量体ピーク
という。）がシャープになるため好ましい。さらに、該
フタロシアニン化合物を混合したフタロシアニン組成物
を光記録媒体に用いたときの反射率、記録感度などの光
学特性に優れる。
【００６７】上記一般式（２）において、Ｚで表される
上記フェノキシ基上のオルソ位以外の残りの位置（３、
４、５位）に置換し得る置換基は、フタロシアニン化合
物の溶解性をより一層向上させたり、吸収波長の制御を
行う目的で導入される。当該Ｚで表される置換基のう
ち、炭素原子数１〜２０個の直鎖または分岐鎖のアルキ
ル基を有するモノ−もしくはジ−アルキルアミノ基と
は、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プ
ロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルア
ミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ
基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２
−エチルヘキシルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基などが
挙げられる。
上記フェノキシ基上のオルソ位以外の残りの位置（３、
４、５位）に置換し得る置換基は、フタロシアニン化合
物の溶解性をより一層向上させたり、吸収波長の制御を
行う目的で導入される。当該Ｚで表される置換基のう
ち、炭素原子数１〜２０個の直鎖または分岐鎖のアルキ
ル基を有するモノ−もしくはジ−アルキルアミノ基と
は、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プ
ロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルア
ミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ
基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２
−エチルヘキシルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基などが
挙げられる。
【００６８】上記炭素原子数１〜２０個の直鎖または分
岐鎖のアルキル基を有するモノ−もしくはジ−アルキル
アミノ基に場合によっては存在する置換基としては、例
えば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルコキシ基、そ
の一部が臭素原子以外でハロゲン化されたハロゲン化ア
ルコキシ基、ニトロ基などが挙げられる。
岐鎖のアルキル基を有するモノ−もしくはジ−アルキル
アミノ基に場合によっては存在する置換基としては、例
えば、臭素原子を除くハロゲン原子、アルコキシ基、そ
の一部が臭素原子以外でハロゲン化されたハロゲン化ア
ルコキシ基、ニトロ基などが挙げられる。
【００６９】上記一般式（２）において、Ｚで表される
上記フェノキシ基上のオルソ位以外の残りの位置（３、
４、５位）に置換し得る置換基のうち、アニリノ基に場
合によっては存在する置換基としては、例えば、臭素原
子を除くハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、臭
素原子を除くハロゲン化アルキル基、臭素原子を除くハ
ロゲン化アルコキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキル
アミノ基、アルコキシカルボニル基などである。これら
の置換基の詳細な内容および具体的な例示に関しては、
上記一般式（１）のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ5 で表さ
れるアリール基に場合によっては存在する置換基関して
詳細に説明した内容となんら変わるものではなく同じで
ある。
上記フェノキシ基上のオルソ位以外の残りの位置（３、
４、５位）に置換し得る置換基のうち、アニリノ基に場
合によっては存在する置換基としては、例えば、臭素原
子を除くハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、臭
素原子を除くハロゲン化アルキル基、臭素原子を除くハ
ロゲン化アルコキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキル
アミノ基、アルコキシカルボニル基などである。これら
の置換基の詳細な内容および具体的な例示に関しては、
上記一般式（１）のＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ5 で表さ
れるアリール基に場合によっては存在する置換基関して
詳細に説明した内容となんら変わるものではなく同じで
ある。
【００７０】一般式（２）において、Ｗは臭素原子を除
くハロゲン原子を表わす。臭素原子を除くハロゲン原子
とは、フッ素、塩素およびヨウ素であり、この中で好ま
しくはフッ素である。該置換基Ｗの数ｐは０〜３の整数
であるが、好ましくはＷが３個全て導入されたものが好
ましく、特に、３個導入されたＷがいずれもフッ素原子
であることが好ましい。３個導入されたＷがいずれもフ
ッ素原子であるフタロシアニン化合物では、（II）群の
フタロシアニン化合物と混合する際に用いる溶媒などに
対して優れた溶解性を有する。さらに、当該フタロシア
ニン化合物を混合したフタロシアニン組成物を含有する
溶液は、基板上に光記録媒体用の記録層を形成する際に
優れた造膜性を発現し得るため、有用な光記録媒体用の
材料として利用できる。また、当該フタロシアニン化合
物を混合したフタロシアニン組成物を光記録媒体に用い
たときの反射率、記録感度などの光学特性が特に優れて
いる。このため高速記録タイプのコンパクトディスクに
対応する性能を有しているため特に好ましい。
くハロゲン原子を表わす。臭素原子を除くハロゲン原子
とは、フッ素、塩素およびヨウ素であり、この中で好ま
しくはフッ素である。該置換基Ｗの数ｐは０〜３の整数
であるが、好ましくはＷが３個全て導入されたものが好
ましく、特に、３個導入されたＷがいずれもフッ素原子
であることが好ましい。３個導入されたＷがいずれもフ
ッ素原子であるフタロシアニン化合物では、（II）群の
フタロシアニン化合物と混合する際に用いる溶媒などに
対して優れた溶解性を有する。さらに、当該フタロシア
ニン化合物を混合したフタロシアニン組成物を含有する
溶液は、基板上に光記録媒体用の記録層を形成する際に
優れた造膜性を発現し得るため、有用な光記録媒体用の
材料として利用できる。また、当該フタロシアニン化合
物を混合したフタロシアニン組成物を光記録媒体に用い
たときの反射率、記録感度などの光学特性が特に優れて
いる。このため高速記録タイプのコンパクトディスクに
対応する性能を有しているため特に好ましい。
【００７１】上記一般式（２）において、Ｍで示される
フタロシアニン化合物の中心金属は、金属、オキシ金属
または金属塩であり、詳細な内容および具体的な例示に
関しては上記一般式（１）の中心金属Ｍに関して詳細に
説明した内容となんら変わるものではなく同じである。
フタロシアニン化合物の中心金属は、金属、オキシ金属
または金属塩であり、詳細な内容および具体的な例示に
関しては上記一般式（１）の中心金属Ｍに関して詳細に
説明した内容となんら変わるものではなく同じである。
【００７２】次に、上記（I）群のフタロシアニン化合
物の製造方法としては、特に制限されるものでなく、上
記一般式（１）のフタロシアニン骨格のβ位（２、３、
６、７、１０、１１、１４および１５位）の少なくとも
１箇所が、オルソ位の少なくとも一方に置換基を持つフ
ェノキシ基で置換されてなるフタロシアニン化合物の場
合には、例えば、特開平６−３２８８５６５号公報に記
載の製造方法と同様の製造法などを利用することができ
る。一方、上記一般式（１）のフタロシアニン骨格のα
位（１、４、５、８、９、１２、１３および１６位）の
少なくとも１箇所が、オルソ位の少なくとも一方に置換
基を持つフェノキシ基で置換されてなるフタロシアニン
化合物の場合には、α位のみにＦのあるニトリル化合物
から、従来既知の方法を利用して合成することができ
る。
物の製造方法としては、特に制限されるものでなく、上
記一般式（１）のフタロシアニン骨格のβ位（２、３、
６、７、１０、１１、１４および１５位）の少なくとも
１箇所が、オルソ位の少なくとも一方に置換基を持つフ
ェノキシ基で置換されてなるフタロシアニン化合物の場
合には、例えば、特開平６−３２８８５６５号公報に記
載の製造方法と同様の製造法などを利用することができ
る。一方、上記一般式（１）のフタロシアニン骨格のα
位（１、４、５、８、９、１２、１３および１６位）の
少なくとも１箇所が、オルソ位の少なくとも一方に置換
基を持つフェノキシ基で置換されてなるフタロシアニン
化合物の場合には、α位のみにＦのあるニトリル化合物
から、従来既知の方法を利用して合成することができ
る。
【００７３】上記（I）群のフタロシアニン化合物の具
体例としては、例えば、下記一般式（３）において、式
中の置換基Ａおよび中心金属Ｍが、それぞれ下記表１〜
２に示すもの、および下記一般式（４）において、式中
の置換基Ｂおよび中心金属Ｍがそれぞれ下記表３に示す
ものであるフタロシアニン化合物などが挙げられる。
体例としては、例えば、下記一般式（３）において、式
中の置換基Ａおよび中心金属Ｍが、それぞれ下記表１〜
２に示すもの、および下記一般式（４）において、式中
の置換基Ｂおよび中心金属Ｍがそれぞれ下記表３に示す
ものであるフタロシアニン化合物などが挙げられる。
【００７４】
【化１０】
【００７５】
【化１１】
【００７６】
【表１】
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】一方、本発明に係るフタロシアニン組成物
のうち（II）群のフタロシアニン化合物は、臭素原子を
有するフタロシアニン化合物である。本発明では、従来
知られているフタロシアニン化合物において、その構造
の一部が臭素化されたものを使用することができる。す
なわち、該フタロシアニン化合物中の臭素原子は、フタ
ロシアニン骨格のベンゼン核の置換可能な位置（上記一
般式（１）で表されるフタロシアニンの構造式におい
て、１〜１６の位置）に直接導入されている場合、およ
び／または該ベンゼン核の置換可能な位置に置換されて
いる置換基が臭素原子を有する場合のいずれであっても
よい。好ましくはベンゼン核の置換可能な位置に置換さ
れている置換基（以下、ベンゼン核上の置換基という）
が臭素原子を有する場合である。
のうち（II）群のフタロシアニン化合物は、臭素原子を
有するフタロシアニン化合物である。本発明では、従来
知られているフタロシアニン化合物において、その構造
の一部が臭素化されたものを使用することができる。す
なわち、該フタロシアニン化合物中の臭素原子は、フタ
ロシアニン骨格のベンゼン核の置換可能な位置（上記一
般式（１）で表されるフタロシアニンの構造式におい
て、１〜１６の位置）に直接導入されている場合、およ
び／または該ベンゼン核の置換可能な位置に置換されて
いる置換基が臭素原子を有する場合のいずれであっても
よい。好ましくはベンゼン核の置換可能な位置に置換さ
れている置換基（以下、ベンゼン核上の置換基という）
が臭素原子を有する場合である。
【００８０】また、好ましくは臭素原子を有するフタロ
シアニン化合物が、少なくとも一つのアルコキシ基また
はアリールオキシ基で置換されているものである。
シアニン化合物が、少なくとも一つのアルコキシ基また
はアリールオキシ基で置換されているものである。
【００８１】ここで、アルコキシ基とは、炭素原子数１
〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であ
り、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルコキシ基であ
る。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピ
ルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチ
ルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシル
オキシ基などを示す。
〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であ
り、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルコキシ基であ
る。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピ
ルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、
ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチ
ルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシル
オキシ基などを示す。
【００８２】また、アリールオキシ基とは、フェノキシ
基、ナフトキシ基などであり、好ましくはフェノキシ基
である。
基、ナフトキシ基などであり、好ましくはフェノキシ基
である。
【００８３】本発明の（II）群のフタロシアニン化合物
において、臭素原子は前記ベンゼン核上の置換基に直接
置換されていてもよいし、ベンゼン核上の置換基にさら
に置換されている置換基上にあってもよい。好ましくは
ベンゼン核上の置換基にさらに置換されている置換基上
にある場合である。前記ベンゼン核上の置換基として
は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルコキシカルボニル基などが挙げられ、好まし
くはアリールオキシ基である。アリールオキシ基とは、
フェノキシ基、ナフトキシ基などであり、好ましくはフ
ェノキシ基である。さらに好ましくは、フェノキシ基が
臭素原子を有する置換基およびアリール基で置換されて
いる場合である。さらには、フタロシアニン骨格のベン
ゼン核の置換可能な位置（上記一般式（１）で表される
フタロシアニンの構造式において、１〜１６の位置）の
うちの１〜８個がフェノキシ基で置換されており、かつ
該フェノキシ基の少なくとも一つが置換基を有していて
もよいアリール基および臭素原子を有する置換基で置換
されているものが望ましい。
において、臭素原子は前記ベンゼン核上の置換基に直接
置換されていてもよいし、ベンゼン核上の置換基にさら
に置換されている置換基上にあってもよい。好ましくは
ベンゼン核上の置換基にさらに置換されている置換基上
にある場合である。前記ベンゼン核上の置換基として
は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルコキシカルボニル基などが挙げられ、好まし
くはアリールオキシ基である。アリールオキシ基とは、
フェノキシ基、ナフトキシ基などであり、好ましくはフ
ェノキシ基である。さらに好ましくは、フェノキシ基が
臭素原子を有する置換基およびアリール基で置換されて
いる場合である。さらには、フタロシアニン骨格のベン
ゼン核の置換可能な位置（上記一般式（１）で表される
フタロシアニンの構造式において、１〜１６の位置）の
うちの１〜８個がフェノキシ基で置換されており、かつ
該フェノキシ基の少なくとも一つが置換基を有していて
もよいアリール基および臭素原子を有する置換基で置換
されているものが望ましい。
【００８４】ここで、置換基を有していてもよいアリー
ル基のアリール基とはフェニル基、ナフチル基等を挙げ
ることができる。好ましくはフェニル基である。アリー
ル基に場合によっては存在する置換基は、例えば、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基等で
ある。上記置換基を有していてもよいアリール基は、フ
ェノキシ基のオルソ位にあることが好ましい。置換基を
有していてもよいアリール基がフェノキシ基のオルソ位
にあることによって、該フタロシアニン化合物を混合し
てなるフタロシアニン組成物の薄膜の吸収スペクトルに
おける会合体由来の吸収ピーク（以下、会合体ピークと
いう。）が大きく抑制され、単量体由来の吸収ピーク
（以下、単量体ピークという。）がシャープになるので
好ましい。
ル基のアリール基とはフェニル基、ナフチル基等を挙げ
ることができる。好ましくはフェニル基である。アリー
ル基に場合によっては存在する置換基は、例えば、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、アミ
ノ基、アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基等で
ある。上記置換基を有していてもよいアリール基は、フ
ェノキシ基のオルソ位にあることが好ましい。置換基を
有していてもよいアリール基がフェノキシ基のオルソ位
にあることによって、該フタロシアニン化合物を混合し
てなるフタロシアニン組成物の薄膜の吸収スペクトルに
おける会合体由来の吸収ピーク（以下、会合体ピークと
いう。）が大きく抑制され、単量体由来の吸収ピーク
（以下、単量体ピークという。）がシャープになるので
好ましい。
【００８５】また、上記のフェノキシ基の少なくとも一
つを置換する臭素原子を有する置換基としては、好まし
くは炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状の
アルキル鎖を有する置換基の水素の一部または全部が臭
素原子で置換された置換基が挙げられ、該アルキル鎖と
しては、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキル鎖で
ある。具体的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イ
ソプロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペン
チル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−オクチル、
２−エチルヘキシル、ｎ−デシル、ラウリル、ステアリ
ル、メトキシエチル、エトキシエチル、３′，６′−オ
キサヘプチル、３′，６′−オキサオクチル、３′，
６′，９′−オキサデシル、３′，６′，９′，１２′
−オキサトリデシル等のアルキル鎖が例示される。
つを置換する臭素原子を有する置換基としては、好まし
くは炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状の
アルキル鎖を有する置換基の水素の一部または全部が臭
素原子で置換された置換基が挙げられ、該アルキル鎖と
しては、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキル鎖で
ある。具体的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イ
ソプロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペン
チル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−オクチル、
２−エチルヘキシル、ｎ−デシル、ラウリル、ステアリ
ル、メトキシエチル、エトキシエチル、３′，６′−オ
キサヘプチル、３′，６′−オキサオクチル、３′，
６′，９′−オキサデシル、３′，６′，９′，１２′
−オキサトリデシル等のアルキル鎖が例示される。
【００８６】上記臭素原子を有する置換基は、フェノキ
シ基のオルソ位にあることが好ましい。臭素原子を有す
る置換基がフェノキシ基のオルソ位にあることによっ
て、フタロシアニン化合物の薄膜の吸収スペクトルにお
ける会合体由来の吸収ピーク（以下、会合体ピークとい
う。）が大きく制御され、単量体由来の吸収ピーク（以
下、単量体ピークという。）がシャープになるので好ま
しい。
シ基のオルソ位にあることが好ましい。臭素原子を有す
る置換基がフェノキシ基のオルソ位にあることによっ
て、フタロシアニン化合物の薄膜の吸収スペクトルにお
ける会合体由来の吸収ピーク（以下、会合体ピークとい
う。）が大きく制御され、単量体由来の吸収ピーク（以
下、単量体ピークという。）がシャープになるので好ま
しい。
【００８７】上記臭素原子を有する置換基に含まれる臭
素原子数は、１〜３個であることが好ましい。また、本
発明の（II）群のフタロシアニン化合物中の臭素原子の
総数は１〜１６個であることが好ましく、特に好ましく
は２〜１２個である。
素原子数は、１〜３個であることが好ましい。また、本
発明の（II）群のフタロシアニン化合物中の臭素原子の
総数は１〜１６個であることが好ましく、特に好ましく
は２〜１２個である。
【００８８】上記のアルキル鎖を有する置換基として
は、下記に規定した（i）〜（iii）群
は、下記に規定した（i）〜（iii）群
【００８９】
【化１２】
【００９０】（式中、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 は各々独立
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｒは１〜５の整数であり、ｓは０〜
６の整数である。）から選ばれる置換基が好ましい。よ
って本発明の（II）群のフタロシアニン化合物中の臭素
原子を有する置換基の好ましい例としては、上記（i）
〜（iii）群の置換基の水素原子の一部または全部が臭
素原子で置換された置換基が挙げられる。
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｒは１〜５の整数であり、ｓは０〜
６の整数である。）から選ばれる置換基が好ましい。よ
って本発明の（II）群のフタロシアニン化合物中の臭素
原子を有する置換基の好ましい例としては、上記（i）
〜（iii）群の置換基の水素原子の一部または全部が臭
素原子で置換された置換基が挙げられる。
【００９１】具体的には、（II）群のフタロシアニン化
合物が、一般式（５）
合物が、一般式（５）
【００９２】
【化１３】
【００９３】［ただし、式中、ｗ、ｘ、ｙおよびｚは０
〜３の整数でかつ置換された臭素原子数の総和は２〜１
２の整数であり、またｎは０〜３の整数であり、Ｗは置
換基を有していてもよいアリール基を表わし、Ｖは、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚが１〜３の整数の場合には、下記に規定
した（i）〜（iii）群の置換基
〜３の整数でかつ置換された臭素原子数の総和は２〜１
２の整数であり、またｎは０〜３の整数であり、Ｗは置
換基を有していてもよいアリール基を表わし、Ｖは、
ｗ、ｘ、ｙ、ｚが１〜３の整数の場合には、下記に規定
した（i）〜（iii）群の置換基
【００９４】
【化１４】
【００９５】（式中、Ｒ6 、Ｒ7 およびＲ8 は各々独立
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｒは１〜５の整数であり、ｓは０〜
６の整数である。）の臭素置換残基から選ばれる少なく
とも１種の置換基を表わし、ｗ、ｘ、ｙ、ｚが０の場合
（すなわち、臭素置換されていない場合）には、上記
（i）〜（iii）群の置換基から選ばれる少なくとも１種
の置換基を表わし、Ｍは金属、オキシ金属または金属塩
を表わす。］で表されるものである。
に炭素原子数１〜２０個の直鎖、分岐鎖または環状のア
ルキル基を表わし、ｒは１〜５の整数であり、ｓは０〜
６の整数である。）の臭素置換残基から選ばれる少なく
とも１種の置換基を表わし、ｗ、ｘ、ｙ、ｚが０の場合
（すなわち、臭素置換されていない場合）には、上記
（i）〜（iii）群の置換基から選ばれる少なくとも１種
の置換基を表わし、Ｍは金属、オキシ金属または金属塩
を表わす。］で表されるものである。
【００９６】上記一般式（５）において、Ｍで表される
詳細な内容および具体的な例示に関しては、上記一般式
（１）でＭに関して詳細に説明した内容となんら変わる
ものではなく同じである。
詳細な内容および具体的な例示に関しては、上記一般式
（１）でＭに関して詳細に説明した内容となんら変わる
ものではなく同じである。
【００９７】一般式（５）において、Ｕで表わされるフ
ェノキシ基上の置換基は、置換基を有していてもよいア
リール基を表わす。当該アリール基の例としては、フェ
ニル基、ナフチル基、トルイル基等を挙げることができ
る。特に好ましくはフェニル基である。該アリール基に
場合によっては存在する置換基は、例えば、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコシキ基、ニトロ基、アミノ基、
アルキルアミノ基、アルコシキカルボニル基等である。
ェノキシ基上の置換基は、置換基を有していてもよいア
リール基を表わす。当該アリール基の例としては、フェ
ニル基、ナフチル基、トルイル基等を挙げることができ
る。特に好ましくはフェニル基である。該アリール基に
場合によっては存在する置換基は、例えば、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコシキ基、ニトロ基、アミノ基、
アルキルアミノ基、アルコシキカルボニル基等である。
【００９８】ここで、上記アリール基に場合によっては
存在する置換基のうち、ハロゲン原子とは、フッ素、塩
素、臭素およびヨウ素であり、この中で好ましくは臭素
もしくは塩素であり、特に好ましくは臭素である。
存在する置換基のうち、ハロゲン原子とは、フッ素、塩
素、臭素およびヨウ素であり、この中で好ましくは臭素
もしくは塩素であり、特に好ましくは臭素である。
【００９９】アルキル基とは、炭素原子数１〜２０個の
直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基であり、好ましく
は炭素原子数１〜８個のアルキル基である。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチ
ル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ラウリル
基、ステアリル基等を示す。
直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基であり、好ましく
は炭素原子数１〜８個のアルキル基である。具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチ
ル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ラウリル
基、ステアリル基等を示す。
【０１００】アルコキシ基とは、炭素原子数１〜２０個
の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であり、好ま
しくは炭素原子数１〜８個のアルコキシ基である。具体
的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ
基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ
−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオ
キシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ
基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基
などを示す。
の直鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であり、好ま
しくは炭素原子数１〜８個のアルコキシ基である。具体
的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ
基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ
−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオ
キシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ
基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基
などを示す。
【０１０１】アルキルアミノ基とは、炭素原子数１〜２
０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を含むもの
であり、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキルアミ
ノ基である。具体的には、メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、
ｎ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−
ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキ
シルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキ
シルアミノ基およびｎ−デシルアミノ基などが挙げられ
る。
０個の直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を含むもの
であり、好ましくは炭素原子数１〜８個のアルキルアミ
ノ基である。具体的には、メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、
ｎ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ｎ−
ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、シクロヘキ
シルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、２−エチルヘキ
シルアミノ基およびｎ−デシルアミノ基などが挙げられ
る。
【０１０２】アルコキシカルボニル基とは、アルコキシ
基のアルキル基部分にヘテロ原子を含んでもよい炭素原
子数１〜８個、好ましくは炭素原子数１〜５個のアルコ
キシカルボニル、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素
原子数３〜８個、好ましくは炭素原子数５〜８個の環状
アルコキシカルボニルを示す。具体的には、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカル
ボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペン
チルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニ
ル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、メトキ
シエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、ブトキシエトキシカルボニル基、ジエチルアミノエ
トキシカルボニル基、メチルチオエトキシカルボニル
基、メトキシプロピルオキシカルボニル基、（３，６，
９−オキサ）デシルオキシカルボニル基、テトラヒドロ
フルフリルオキシカルボニル基、ピランオキシカルボニ
ル基、ピペリジノオキシカルボニル基、ピペリジノエト
キシカルボニル基、テトラヒドロピロールオキシカルボ
ニル基、テトラヒドロピランメトキシカルボニル基、テ
トラヒドロチオフェンオキシカルボニル基、シクロヘキ
シルオキシカルボニル基等を示す。
基のアルキル基部分にヘテロ原子を含んでもよい炭素原
子数１〜８個、好ましくは炭素原子数１〜５個のアルコ
キシカルボニル、またはヘテロ原子を含んでもよい炭素
原子数３〜８個、好ましくは炭素原子数５〜８個の環状
アルコキシカルボニルを示す。具体的には、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカル
ボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペン
チルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニ
ル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、メトキ
シエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、ブトキシエトキシカルボニル基、ジエチルアミノエ
トキシカルボニル基、メチルチオエトキシカルボニル
基、メトキシプロピルオキシカルボニル基、（３，６，
９−オキサ）デシルオキシカルボニル基、テトラヒドロ
フルフリルオキシカルボニル基、ピランオキシカルボニ
ル基、ピペリジノオキシカルボニル基、ピペリジノエト
キシカルボニル基、テトラヒドロピロールオキシカルボ
ニル基、テトラヒドロピランメトキシカルボニル基、テ
トラヒドロチオフェンオキシカルボニル基、シクロヘキ
シルオキシカルボニル基等を示す。
【０１０３】一般式（５）において、Ｖ−（Ｂｒ）
ｗ（もしくはｘ，ｙ，ｚ）で表わされるフェノキシ基上
の置換基は、ｗ、ｘ、ｙ、ｚが１〜３の整数の場合には
臭素原子を有する置換基を表わし、その際、Ｖは上記
（i）〜（iii）群のアルキル鎖を有する置換基の臭素置
換残基から選ばれる少なくとも１種である。このような
臭素原子を有する置換基の具体例としては、例えば、下
記の（iv）〜（vi）群の置換基群が例示される。
ｗ（もしくはｘ，ｙ，ｚ）で表わされるフェノキシ基上
の置換基は、ｗ、ｘ、ｙ、ｚが１〜３の整数の場合には
臭素原子を有する置換基を表わし、その際、Ｖは上記
（i）〜（iii）群のアルキル鎖を有する置換基の臭素置
換残基から選ばれる少なくとも１種である。このような
臭素原子を有する置換基の具体例としては、例えば、下
記の（iv）〜（vi）群の置換基群が例示される。
【０１０４】（iv）群の置換基：ブロモメチル、ジブロ
モメチル、トリブロモメチル、１−ブロモエチル、２−
ブロモエチル、１，２−ジブロモエチル、１，１−ジブ
ロモエチル、２，２−ジブロモエチル、１，１，２−ト
リブロモエチル、１，２，２−トリブロモエチル、１−
ブロモプロピル、２−ブロモ−１−プロピル、３−ブロ
モ−１−プロピル、１−ブロモ−２−プロピル、２，３
−ジブロモ−１プロピル、１，３−ジブロモ−２−プロ
ピル、４−ブロモ−１−ブチル、１−ブロモ−１−ブチ
ル、１−ブロモ−２−ブチル、２−ブロモ−１−ブチ
ル、１，４−ジブロモ−２−ブチル、５−ブロモ−１−
ペンチル、１−ブロモ−１−ペンチル、６−ブロモ−１
−ヘキシル、１−ブロモ−１−ヘキシル、７−ブロモ−
１−ヘプチル、１−ブロモ−１−ヘプチル、８−ブロモ
−１−オクチル、１−ブロモ−１−オクチル、９−ブロ
モ−１−ノニル、１−ブロモ−１−ノニル、１０−ブロ
モ−１−デシル、１−ブロモ−１−デシル、１１−ブロ
モ−１−ウンデシル、１−ブロモ−１−ウンデシル、１
２−ブロモ−１−ドデシル、１−ブロモ−１−ドデシ
ル。
モメチル、トリブロモメチル、１−ブロモエチル、２−
ブロモエチル、１，２−ジブロモエチル、１，１−ジブ
ロモエチル、２，２−ジブロモエチル、１，１，２−ト
リブロモエチル、１，２，２−トリブロモエチル、１−
ブロモプロピル、２−ブロモ−１−プロピル、３−ブロ
モ−１−プロピル、１−ブロモ−２−プロピル、２，３
−ジブロモ−１プロピル、１，３−ジブロモ−２−プロ
ピル、４−ブロモ−１−ブチル、１−ブロモ−１−ブチ
ル、１−ブロモ−２−ブチル、２−ブロモ−１−ブチ
ル、１，４−ジブロモ−２−ブチル、５−ブロモ−１−
ペンチル、１−ブロモ−１−ペンチル、６−ブロモ−１
−ヘキシル、１−ブロモ−１−ヘキシル、７−ブロモ−
１−ヘプチル、１−ブロモ−１−ヘプチル、８−ブロモ
−１−オクチル、１−ブロモ−１−オクチル、９−ブロ
モ−１−ノニル、１−ブロモ−１−ノニル、１０−ブロ
モ−１−デシル、１−ブロモ−１−デシル、１１−ブロ
モ−１−ウンデシル、１−ブロモ−１−ウンデシル、１
２−ブロモ−１−ドデシル、１−ブロモ−１−ドデシ
ル。
【０１０５】（v）群の置換基：ブロモメトキシカルボ
ニル、２−ブロモエトキシカルボニル、３−ブロモ−１
−プロポキシカルボニル、２−ブロモ−１−プロポキシ
カルボニル、１−ブロモ−２−プロポキシカルボニル、
２，３，ジブロモ−１−プロポキシカルボニル、１，３
−ジブロモ−２−プロポキシカルボニル、１−ブロモ−
２−ブトキシカルボニル、２−ブロモ−１−ブトキシカ
ルボニル、４−ブロモ−１−ブトキシカルボニル、１，
４−ジブロモ−２−ブトキシカルボニル、５−ブロモ−
１−ペンチルオキシカルボニル、６−ブロモ−１−ヘキ
シルオキシカルボニル、７−ブロモ−１−ヘプチルオキ
シカルボニル、８−ブロモ−１−オクチルオキシカルボ
ニル、９−ブロモ−１−ノニルオキシカルボニル、１０
−ブロモ−１−デシルオキシカルボニル、１１−ブロモ
−１−ウンデシルオキシカルボニル、１２−ブロモ−１
−ドデシルオキシカルボニル。
ニル、２−ブロモエトキシカルボニル、３−ブロモ−１
−プロポキシカルボニル、２−ブロモ−１−プロポキシ
カルボニル、１−ブロモ−２−プロポキシカルボニル、
２，３，ジブロモ−１−プロポキシカルボニル、１，３
−ジブロモ−２−プロポキシカルボニル、１−ブロモ−
２−ブトキシカルボニル、２−ブロモ−１−ブトキシカ
ルボニル、４−ブロモ−１−ブトキシカルボニル、１，
４−ジブロモ−２−ブトキシカルボニル、５−ブロモ−
１−ペンチルオキシカルボニル、６−ブロモ−１−ヘキ
シルオキシカルボニル、７−ブロモ−１−ヘプチルオキ
シカルボニル、８−ブロモ−１−オクチルオキシカルボ
ニル、９−ブロモ−１−ノニルオキシカルボニル、１０
−ブロモ−１−デシルオキシカルボニル、１１−ブロモ
−１−ウンデシルオキシカルボニル、１２−ブロモ−１
−ドデシルオキシカルボニル。
【０１０６】（vi）群の置換基：ブロモメトキシ、ジブ
ロモメトキシ、トリブロモメトキシ、１−ブロモエトキ
シ、２−ブロモエトキシ、１，２−ジブロモエトキシ、
１，１−ジブロモエトキシ、２，２−ジブロモエトキ
シ、１，１，２−トリブロモエトキシ、１，２，２−ト
リブロモエトキシ、１−ブロモプロポキシ、２−ブロモ
−１−プロポキシ、３−ブロモ−１−プロポキシ、１−
ブロモ−２−プロポキシ、２，３−ジブロモ−１−プロ
ポキシ、１，３−ジブロモ−２−プロポキシ、４−ブロ
モ−１−ブトキシ、１−ブロモ−１−ブトキシ、１−ブ
ロモ−２−ブトキシ、２−ブロモ−１−ブトキシ、１，
４−ジブロモ−２−ブトキシ、５−ブロモ−１−ペンチ
ルオキシ、１−ブロモ−１−ペンチルオキシ、６−ブロ
モ−１−ヘキシルオキシ、１−ブロモ−１−ヘキシルオ
キシ、７−ブロモ−１−ヘプチルオキシ、１−ブロモ−
１−ヘプチルオキシ、８−ブロモ−１−オクチルオキ
シ、１−ブロモ−１−オクチルオキシ、９−ブロモ−１
−ノニルオキシ、１−ブロモ−１−ノニルオキシ、１０
−ブロモ−１−デシルオキシ、１−ブロモ−１−デシル
オキシ、１１−ブロモ−１−ウンデシルオキシ、１−ブ
ロモ−１−ウンデシルオキシ、１２−ブロモ−１−ドデ
シルオキシ、１−ブロモ−１−ドデシルオキシ、ブロモ
メトキシエトキシ、１−ブロモエトキシエトキシ、１−
ブロモ−３′，６′−オキサヘプチルオキシ、１−ブロ
モ−３′，６′−オキサオクチルオキシ、１−ブロモ−
３′，６′，９′−オキサデシルオキシ、１−ブロモ−
３′，６′，９′，１２′−オキサトリデシルオキシ、
ブロモメトキシプロポキシ、１−ブロモエトキシプロポ
キシ、１−ブロモ−４′，８′−オキサノニルオキシ、
１−ブロモ−４′，８′−オキサデシルオキシ。
ロモメトキシ、トリブロモメトキシ、１−ブロモエトキ
シ、２−ブロモエトキシ、１，２−ジブロモエトキシ、
１，１−ジブロモエトキシ、２，２−ジブロモエトキ
シ、１，１，２−トリブロモエトキシ、１，２，２−ト
リブロモエトキシ、１−ブロモプロポキシ、２−ブロモ
−１−プロポキシ、３−ブロモ−１−プロポキシ、１−
ブロモ−２−プロポキシ、２，３−ジブロモ−１−プロ
ポキシ、１，３−ジブロモ−２−プロポキシ、４−ブロ
モ−１−ブトキシ、１−ブロモ−１−ブトキシ、１−ブ
ロモ−２−ブトキシ、２−ブロモ−１−ブトキシ、１，
４−ジブロモ−２−ブトキシ、５−ブロモ−１−ペンチ
ルオキシ、１−ブロモ−１−ペンチルオキシ、６−ブロ
モ−１−ヘキシルオキシ、１−ブロモ−１−ヘキシルオ
キシ、７−ブロモ−１−ヘプチルオキシ、１−ブロモ−
１−ヘプチルオキシ、８−ブロモ−１−オクチルオキ
シ、１−ブロモ−１−オクチルオキシ、９−ブロモ−１
−ノニルオキシ、１−ブロモ−１−ノニルオキシ、１０
−ブロモ−１−デシルオキシ、１−ブロモ−１−デシル
オキシ、１１−ブロモ−１−ウンデシルオキシ、１−ブ
ロモ−１−ウンデシルオキシ、１２−ブロモ−１−ドデ
シルオキシ、１−ブロモ−１−ドデシルオキシ、ブロモ
メトキシエトキシ、１−ブロモエトキシエトキシ、１−
ブロモ−３′，６′−オキサヘプチルオキシ、１−ブロ
モ−３′，６′−オキサオクチルオキシ、１−ブロモ−
３′，６′，９′−オキサデシルオキシ、１−ブロモ−
３′，６′，９′，１２′−オキサトリデシルオキシ、
ブロモメトキシプロポキシ、１−ブロモエトキシプロポ
キシ、１−ブロモ−４′，８′−オキサノニルオキシ、
１−ブロモ−４′，８′−オキサデシルオキシ。
【０１０７】上記（iv）〜（vi）群の置換基のうちで、
特に（v）群であることが好ましい。特に１−ブロモ−
２−プロポキシカルボニル、１，３−ジブロモ−２−プ
ロポキシカルボニル等の臭素化された２級以上のアルキ
ル基を持つアルコキシカルボニル基が好ましい。臭素化
された２級以上のアルキル基を持つアルコキシカルボニ
ル基が置換基であるフタロシアニン化合物を用いること
によって、当該フタロシアニン化合物を混合したフタロ
シアニン組成物を光記録媒体に用いたときの反射率およ
び記録感度などの光学特性、特に記録感度に優れている
点から好ましい。
特に（v）群であることが好ましい。特に１−ブロモ−
２−プロポキシカルボニル、１，３−ジブロモ−２−プ
ロポキシカルボニル等の臭素化された２級以上のアルキ
ル基を持つアルコキシカルボニル基が好ましい。臭素化
された２級以上のアルキル基を持つアルコキシカルボニ
ル基が置換基であるフタロシアニン化合物を用いること
によって、当該フタロシアニン化合物を混合したフタロ
シアニン組成物を光記録媒体に用いたときの反射率およ
び記録感度などの光学特性、特に記録感度に優れている
点から好ましい。
【０１０８】一般式（５）において、フェノキシ基のオ
ルソ位および場合によってはメタ位やパラ位にも臭素原
子を有する置換基が置換可能であるが、このとき上記一
般式（５）におけるＶは、フタロシアニン骨格上で必ず
しも全て同一である必要はなく、それぞれが上記（i）
〜（iii）群のアルキル鎖を有する置換基の臭素置換残
基から選ばれる１種であればよい。
ルソ位および場合によってはメタ位やパラ位にも臭素原
子を有する置換基が置換可能であるが、このとき上記一
般式（５）におけるＶは、フタロシアニン骨格上で必ず
しも全て同一である必要はなく、それぞれが上記（i）
〜（iii）群のアルキル鎖を有する置換基の臭素置換残
基から選ばれる１種であればよい。
【０１０９】また、一般式（５）において、Ｖ−（Ｂ
ｒ）ｗ（もしくはｘ，ｙ，ｚ）で表わされるフェノキシ
基上の置換基において、ｗ（もしくはｘ，ｙ，ｚ）が０
の場合（すなわち、臭素置換されていない場合）には、
Ｖが上記（i）〜（iii）群のアルキル鎖を有する置換基
から選ばれる少なくとも１種である。このような置換基
Ｖの具体例としては、例えば、下記のものが挙げられ
る。
ｒ）ｗ（もしくはｘ，ｙ，ｚ）で表わされるフェノキシ
基上の置換基において、ｗ（もしくはｘ，ｙ，ｚ）が０
の場合（すなわち、臭素置換されていない場合）には、
Ｖが上記（i）〜（iii）群のアルキル鎖を有する置換基
から選ばれる少なくとも１種である。このような置換基
Ｖの具体例としては、例えば、下記のものが挙げられ
る。
【０１１０】（i）群のアルキル鎖を有する置換基：メ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピ
ル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−
ブチル、直鎖あるいは分岐したペンチル、直鎖あるいは
分岐したヘキシル、シクロヘキシル、直鎖あるいは分岐
したヘプチル、直鎖あるいは分岐したオクチル、直鎖あ
るいは分岐したノニル、直鎖あるいは分岐したデシル、
直鎖あるいは分岐したウンデシル、直鎖あるいは分岐し
たドデシル。
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピ
ル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−
ブチル、直鎖あるいは分岐したペンチル、直鎖あるいは
分岐したヘキシル、シクロヘキシル、直鎖あるいは分岐
したヘプチル、直鎖あるいは分岐したオクチル、直鎖あ
るいは分岐したノニル、直鎖あるいは分岐したデシル、
直鎖あるいは分岐したウンデシル、直鎖あるいは分岐し
たドデシル。
【０１１１】（ii）群のアルキル鎖を有する置換基：メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカ
ルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボ
ニル、イソブトキシカルボニル、ｓｅｃ−ブトキシカル
ボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、直鎖あるいは
分岐したペンチルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐
したヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシ
カルボニル、直鎖あるいは分岐したヘプチルオキシカル
ボニル、直鎖あるいは分岐したオクチルオキシカルボニ
ル、直鎖あるいは分岐したノニルオキシカルボニル、直
鎖あるいは分岐したデシルオキシカルボニル、直鎖ある
いは分岐したウンデシルオキシカルボニル、直鎖あるい
は分岐したドデシルオキシカルボニル、シクロヘキサン
メトキシカルボニル、シクロヘキサンエトキシカルボニ
ル、３−シクロヘキシル−１−プロポキシカルボニル、
ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル。
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカ
ルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボ
ニル、イソブトキシカルボニル、ｓｅｃ−ブトキシカル
ボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、直鎖あるいは
分岐したペンチルオキシカルボニル、直鎖あるいは分岐
したヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシ
カルボニル、直鎖あるいは分岐したヘプチルオキシカル
ボニル、直鎖あるいは分岐したオクチルオキシカルボニ
ル、直鎖あるいは分岐したノニルオキシカルボニル、直
鎖あるいは分岐したデシルオキシカルボニル、直鎖ある
いは分岐したウンデシルオキシカルボニル、直鎖あるい
は分岐したドデシルオキシカルボニル、シクロヘキサン
メトキシカルボニル、シクロヘキサンエトキシカルボニ
ル、３−シクロヘキシル−１−プロポキシカルボニル、
ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル。
【０１１２】（iii）群のアルキル鎖を有する置換基：
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブ
トキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−
ブトキシ、直鎖あるいは分岐したペンチルオキシ、直鎖
あるいは分岐したヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキ
シ、直鎖あるいは分岐したヘプチルオキシ、直鎖あるい
は分岐したオクチルオキシ、直鎖あるいは分岐したノニ
ルオキシ、直鎖あるいは分岐したデシルオキシ、直鎖あ
るいは分岐したウンデシルオキシ、直鎖あるいは分岐し
たドデシルオキシ、メトキシエトキシ、エトキシエトキ
シ、３′，６′−オキサヘプチルオキシ、３′，６′−
オキサオクチルオキシ、３′，６′，９′−オキサデシ
ルオキシ、３′６′，９′，１２′−オキサトリデシル
オキシ、メトキシプロピルオキシ、エトキシプロピルオ
キシ、４′，８′−オキサノニルオキシ、４′，８′−
オキサデシルオキシ。
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブ
トキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−
ブトキシ、直鎖あるいは分岐したペンチルオキシ、直鎖
あるいは分岐したヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキ
シ、直鎖あるいは分岐したヘプチルオキシ、直鎖あるい
は分岐したオクチルオキシ、直鎖あるいは分岐したノニ
ルオキシ、直鎖あるいは分岐したデシルオキシ、直鎖あ
るいは分岐したウンデシルオキシ、直鎖あるいは分岐し
たドデシルオキシ、メトキシエトキシ、エトキシエトキ
シ、３′，６′−オキサヘプチルオキシ、３′，６′−
オキサオクチルオキシ、３′，６′，９′−オキサデシ
ルオキシ、３′６′，９′，１２′−オキサトリデシル
オキシ、メトキシプロピルオキシ、エトキシプロピルオ
キシ、４′，８′−オキサノニルオキシ、４′，８′−
オキサデシルオキシ。
【０１１３】前記フェノキシ基に上記（i）〜（vi）群
の置換基、置換基を有していてもよいアリール基を導入
した残りの位置には、さらに溶解性を向上させたり、吸
収波長の制御のために新たな置換基を導入してもよい。
これらの置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基
が置換されていてもよい炭素原子数１〜２０個の直鎖ま
たは分岐鎖のアルコキシからなるアルコキシカルボニ
ル、置換されていてもよいアリールオキシカルボニル
基、直鎖または分岐している置換されていてもよい炭素
原子数１〜１２個のアルキル基、直鎖または分岐してい
る炭素原子数１〜１２個のアルコキシル基、直鎖または
分岐している炭素原子数１〜２０個のモノアルキルアミ
ノ基、直鎖または分岐している炭素原子数１〜２０個の
ジアルキルアミノ基、シクロヘキシル基、置換されてい
てもよいフェノキシ基、置換されていてもよいアニリノ
基またはニトロ基などが挙げられる。
の置換基、置換基を有していてもよいアリール基を導入
した残りの位置には、さらに溶解性を向上させたり、吸
収波長の制御のために新たな置換基を導入してもよい。
これらの置換基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基
が置換されていてもよい炭素原子数１〜２０個の直鎖ま
たは分岐鎖のアルコキシからなるアルコキシカルボニ
ル、置換されていてもよいアリールオキシカルボニル
基、直鎖または分岐している置換されていてもよい炭素
原子数１〜１２個のアルキル基、直鎖または分岐してい
る炭素原子数１〜１２個のアルコキシル基、直鎖または
分岐している炭素原子数１〜２０個のモノアルキルアミ
ノ基、直鎖または分岐している炭素原子数１〜２０個の
ジアルキルアミノ基、シクロヘキシル基、置換されてい
てもよいフェノキシ基、置換されていてもよいアニリノ
基またはニトロ基などが挙げられる。
【０１１４】さらに、上記（i）〜（vi）群の置換基が
カルボニル基に２級以上のアルキル基が直接結合したア
ルコキシカルボニル基およびこれの一部を臭素化したも
のであることによって、溶解性に優れているため造膜性
に優れている。また、このフタロシアニン化合物を混合
したフタロシアニン組成物を光記録媒体に用いたときの
反射率、記録感度などの光学特性が特に優れている。こ
のため高速記録タイプのコンパクトディスクに対応する
性能を有しているため特に好ましい。
カルボニル基に２級以上のアルキル基が直接結合したア
ルコキシカルボニル基およびこれの一部を臭素化したも
のであることによって、溶解性に優れているため造膜性
に優れている。また、このフタロシアニン化合物を混合
したフタロシアニン組成物を光記録媒体に用いたときの
反射率、記録感度などの光学特性が特に優れている。こ
のため高速記録タイプのコンパクトディスクに対応する
性能を有しているため特に好ましい。
【０１１５】上記（II）群のフタロシアニン化合物とし
ては、具体的に、例えば、 （II）−１：テトラキス（４−（２−ブロモエトキシカ
ルボニル）−２−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロ
バナジルフタロシアニン、 （II）−２：ビス（２−（２−ブロモエトキシカルボニ
ル）−６−フェニルフェノキシ）ビス（２−エトキシカ
ルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン、 （II）−３：テトラキス（２−（１，３−ジブロモ−２
−プロポキシカルボニル）−６−フェニルフェノキシ）
ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−４：テトラキス（２，４−ジ（６−ブロモヘキ
シルオキシカルボニル）−６−フェニルフェノキシ）ド
デカフルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−５：テトラキス（２−（２−ブロモエチル）−
６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタ
ロシアニン、 （II）−６：テトラキス（４−（２−ブロモエトキシ）
−２−イソプロポキシカルボニル−６−フェニルフェノ
キシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−７：テトラキス（２−（２−ブロモエトキシ）
−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフ
タロシアニン、 （II）−８：テトラキス（２−（２−ブロモエトキシ）
カルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロ
バナジルフタロシアニン、 （II）−９：テトラキス（２−（１−ブロモ−２−プロ
ポキシカルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデカフ
ルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−１０：テトラキス（２−（２−ブロモエチル）
−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフ
タロシアニン、 （II）−１１：テトラキス（４−（６−ブロモヘキシ
ル）−２−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジ
ルフタロシアニン、 （II）−１２：テトラキス（２−（２−ブロモエトキシ
カルボニル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオ
ロバナジルフタロシアニン、 （II）−１３：テトラキス（２−（２，３−ジブロモ−
１−プロポキシ）カルボニル−６−フェニルフェノキ
シ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、 などを挙げることができる。
ては、具体的に、例えば、 （II）−１：テトラキス（４−（２−ブロモエトキシカ
ルボニル）−２−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロ
バナジルフタロシアニン、 （II）−２：ビス（２−（２−ブロモエトキシカルボニ
ル）−６−フェニルフェノキシ）ビス（２−エトキシカ
ルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン、 （II）−３：テトラキス（２−（１，３−ジブロモ−２
−プロポキシカルボニル）−６−フェニルフェノキシ）
ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−４：テトラキス（２，４−ジ（６−ブロモヘキ
シルオキシカルボニル）−６−フェニルフェノキシ）ド
デカフルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−５：テトラキス（２−（２−ブロモエチル）−
６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタ
ロシアニン、 （II）−６：テトラキス（４−（２−ブロモエトキシ）
−２−イソプロポキシカルボニル−６−フェニルフェノ
キシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−７：テトラキス（２−（２−ブロモエトキシ）
−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフ
タロシアニン、 （II）−８：テトラキス（２−（２−ブロモエトキシ）
カルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロ
バナジルフタロシアニン、 （II）−９：テトラキス（２−（１−ブロモ−２−プロ
ポキシカルボニル−６−フェニルフェノキシ）ドデカフ
ルオロバナジルフタロシアニン、 （II）−１０：テトラキス（２−（２−ブロモエチル）
−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフ
タロシアニン、 （II）−１１：テトラキス（４−（６−ブロモヘキシ
ル）−２−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバナジ
ルフタロシアニン、 （II）−１２：テトラキス（２−（２−ブロモエトキシ
カルボニル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオ
ロバナジルフタロシアニン、 （II）−１３：テトラキス（２−（２，３−ジブロモ−
１−プロポキシ）カルボニル−６−フェニルフェノキ
シ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、 などを挙げることができる。
【０１１６】次に、上記（II）群のフタロシアニン化合
物の製造方法としては、特に制限されるものでなく、例
えば、フェノキシ基で置換されてなり、該フェノキシ基
が置換基を有していてもよいアリール基および臭素原子
を有する置換基で置換されているフタロニトリル化合物
単独あるいは該フェノキシ基で置換されていないフタロ
ニトリル化合物との混合物と金属化合物とを反応させる
ことにより合成してもよいほか、臭素原子を持たないフ
ェノキシ基で置換されたフタロニトリル化合物から一旦
臭素原子を持たないフタロシアニン化合物を合成した
後、臭素化することにより合成してもよい。
物の製造方法としては、特に制限されるものでなく、例
えば、フェノキシ基で置換されてなり、該フェノキシ基
が置換基を有していてもよいアリール基および臭素原子
を有する置換基で置換されているフタロニトリル化合物
単独あるいは該フェノキシ基で置換されていないフタロ
ニトリル化合物との混合物と金属化合物とを反応させる
ことにより合成してもよいほか、臭素原子を持たないフ
ェノキシ基で置換されたフタロニトリル化合物から一旦
臭素原子を持たないフタロシアニン化合物を合成した
後、臭素化することにより合成してもよい。
【０１１７】以上、上述した（I）群および（II）群に
含まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでな
るフタロシアニン組成物中の（I）群と（II）群のフタ
ロシアニン化合物との組成比率は、特に制限されるもの
でなく、任意の比率に調整することができるものである
が、好ましくは、フタロシアニン組成物中の（I）群の
フタロシアニン化合物の割合が５〜９５重量％であり、
（II）群のフタロシアニン化合物の割合が５〜９５重量
％である。より好ましくは（II）群のフタロシアニン化
合物の割合が５〜５０重量％である。これらフタロシア
ニン化合物を混合した組成物を用いることによって、こ
れらフタロシアニン化合物単独の場合に比して、熱重量
分析における熱分解開始温度が下がる。例えば、例示化
合物（I）−１４（単独の熱分解開始温度：３５０℃）
と（II）−５（単独の熱分解開始温度：３５０℃）を５
０重量％ずつ混合して得られる組成物では、熱分解開始
温度が３３５℃と単独の場合に比べて１５℃低下する。
このような熱分解開始温度の低下効果によって光記録媒
体に用いた時の記録感度が向上する。したがって、記録
感度が向上し得る最適の範囲に、実際に使用するフタロ
シアニン化合物の組み合わせに応じて、（I）群と（I
I）群のフタロシアニン化合物との組成比率を適宜調整
することが望ましい。
含まれるフタロシアニン化合物を各１種類以上含んでな
るフタロシアニン組成物中の（I）群と（II）群のフタ
ロシアニン化合物との組成比率は、特に制限されるもの
でなく、任意の比率に調整することができるものである
が、好ましくは、フタロシアニン組成物中の（I）群の
フタロシアニン化合物の割合が５〜９５重量％であり、
（II）群のフタロシアニン化合物の割合が５〜９５重量
％である。より好ましくは（II）群のフタロシアニン化
合物の割合が５〜５０重量％である。これらフタロシア
ニン化合物を混合した組成物を用いることによって、こ
れらフタロシアニン化合物単独の場合に比して、熱重量
分析における熱分解開始温度が下がる。例えば、例示化
合物（I）−１４（単独の熱分解開始温度：３５０℃）
と（II）−５（単独の熱分解開始温度：３５０℃）を５
０重量％ずつ混合して得られる組成物では、熱分解開始
温度が３３５℃と単独の場合に比べて１５℃低下する。
このような熱分解開始温度の低下効果によって光記録媒
体に用いた時の記録感度が向上する。したがって、記録
感度が向上し得る最適の範囲に、実際に使用するフタロ
シアニン化合物の組み合わせに応じて、（I）群と（I
I）群のフタロシアニン化合物との組成比率を適宜調整
することが望ましい。
【０１１８】また、本発明に係るフタロシアニン組成物
は、上記（I）群および（II）群に含まれるフタロシア
ニン化合物各１種類以上を適当な手段を用いて混合する
ことにより得ることができる。混合の方法としては、例
えば、混合するフタロシアニン化合物を粉体のままで混
合する方法、適当な溶媒に溶解させて混合する方法など
があるが、好ましくは適当な溶媒に溶解させて混合する
方法である。溶解させる溶媒として具体的には、ヘキサ
ン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族、脂環式炭
化水素系の溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素系溶媒、メチルアルコール、エチルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、アリルアルコール、２−メトキ
シエタノール、２−エトキシエタノール、ジアセトンア
ルコールなどのアルコール系の溶媒、塩化メチレン、ク
ロロホルムなどのハロゲン系溶媒、１，４−ジオキサ
ン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル系溶媒などを挙げることができる。本発明のフタロシ
アニン組成物は、上記溶媒を用いて溶解させた混合フタ
ロシアニン化合物の溶液から、溶媒を除去することによ
って得られる。ただし、上記溶媒のうちで、光記録媒体
の基板を侵さない溶媒については、溶媒を除去せずに、
その溶液をそのまま基板の塗布に用いても構わない。
は、上記（I）群および（II）群に含まれるフタロシア
ニン化合物各１種類以上を適当な手段を用いて混合する
ことにより得ることができる。混合の方法としては、例
えば、混合するフタロシアニン化合物を粉体のままで混
合する方法、適当な溶媒に溶解させて混合する方法など
があるが、好ましくは適当な溶媒に溶解させて混合する
方法である。溶解させる溶媒として具体的には、ヘキサ
ン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族、脂環式炭
化水素系の溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素系溶媒、メチルアルコール、エチルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、アリルアルコール、２−メトキ
シエタノール、２−エトキシエタノール、ジアセトンア
ルコールなどのアルコール系の溶媒、塩化メチレン、ク
ロロホルムなどのハロゲン系溶媒、１，４−ジオキサ
ン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル系溶媒などを挙げることができる。本発明のフタロシ
アニン組成物は、上記溶媒を用いて溶解させた混合フタ
ロシアニン化合物の溶液から、溶媒を除去することによ
って得られる。ただし、上記溶媒のうちで、光記録媒体
の基板を侵さない溶媒については、溶媒を除去せずに、
その溶液をそのまま基板の塗布に用いても構わない。
【０１１９】次に、本発明に係る光記録媒体について詳
細に説明する。
細に説明する。
【０１２０】本発明に係る光記録媒体は、上記フタロシ
アニン組成物を基板上に設けられた記録層に含有してな
るものである。より好ましくは、透明な樹脂製基板上に
設けられた記録層および金属の反射層を有するコンパク
トディスク対応の追記型光記録媒体において、該記録層
が上記フタロシアニン組成物を含有してなるものである
光記録媒体が望ましい。
アニン組成物を基板上に設けられた記録層に含有してな
るものである。より好ましくは、透明な樹脂製基板上に
設けられた記録層および金属の反射層を有するコンパク
トディスク対応の追記型光記録媒体において、該記録層
が上記フタロシアニン組成物を含有してなるものである
光記録媒体が望ましい。
【０１２１】本発明に係るフタロシアニン組成物を基板
上に設けられた記録層に含有してなる光記録媒体では、
当該フタロシアニン組成物の特性（属性）により、該組
成物を含有する薄膜（記録層）の吸収スペクトルにおけ
る会合ピークが大きく抑制され、単量体ピークがシャー
プになる。また、記録層が熱分解特性に優れる。したが
って、該フタロシアニン組成物を用いた本発明の光記録
媒体では、反射率、記録感度に優れる。
上に設けられた記録層に含有してなる光記録媒体では、
当該フタロシアニン組成物の特性（属性）により、該組
成物を含有する薄膜（記録層）の吸収スペクトルにおけ
る会合ピークが大きく抑制され、単量体ピークがシャー
プになる。また、記録層が熱分解特性に優れる。したが
って、該フタロシアニン組成物を用いた本発明の光記録
媒体では、反射率、記録感度に優れる。
【０１２２】本発明の光記録媒体に用いられる基板とし
ては、信号の記録または読みだしを行なうための光が透
過するものが好ましい。光の透過率としては８５％以上
であってかつ光学異方性の小さいものが望ましい。該基
板としては、例えば、ガラス、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂などか
らなる基板が挙げられる。これらの中で光学特性、成形
のしやすさあるいは機械的強度などからポリカーボネー
ト樹脂からなる基板が好ましい。
ては、信号の記録または読みだしを行なうための光が透
過するものが好ましい。光の透過率としては８５％以上
であってかつ光学異方性の小さいものが望ましい。該基
板としては、例えば、ガラス、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂などか
らなる基板が挙げられる。これらの中で光学特性、成形
のしやすさあるいは機械的強度などからポリカーボネー
ト樹脂からなる基板が好ましい。
【０１２３】本発明に係る光記録媒体の製造法の一例
（概略）を示せば次の通りである。上記基板上に色素
（前記したフタロシアニン組成物）を含む記録層がまず
形成されて、その上に金属の反射膜層が形成される。反
射膜層として使用する金属はアルミニウム、銀、金、
銅、白金などが挙げられ、この反射膜層は通常、真空蒸
着、スパッター法などの方法により形成される。
（概略）を示せば次の通りである。上記基板上に色素
（前記したフタロシアニン組成物）を含む記録層がまず
形成されて、その上に金属の反射膜層が形成される。反
射膜層として使用する金属はアルミニウム、銀、金、
銅、白金などが挙げられ、この反射膜層は通常、真空蒸
着、スパッター法などの方法により形成される。
【０１２４】本発明の光記録媒体において、色素（前記
したフタロシアニン組成物）を含む記録層を基板上に成
膜させるためには、通常塗布法を用いるのがよい。方法
としてはスピンコート法、ディップ法あるいはロールコ
ート法によって可能であり、特にスピンコート法が好ま
しい。その際使用する有機溶剤は、基板を侵さないもの
を用いる。例えば、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサ
ンなどの脂肪族、脂環式炭化水素系の溶媒あるいはメチ
ルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、アリルアルコール、２−メトキシエタノール、２
−エトキシエタノール、ジアセトンアルコールなどのア
ルコール系の溶媒が好ましい。本発明の前記色素（フタ
ロシアニン組成物）は、アルコール系溶媒に特に良く溶
解するのでこれらの溶媒を用いるのがよい。
したフタロシアニン組成物）を含む記録層を基板上に成
膜させるためには、通常塗布法を用いるのがよい。方法
としてはスピンコート法、ディップ法あるいはロールコ
ート法によって可能であり、特にスピンコート法が好ま
しい。その際使用する有機溶剤は、基板を侵さないもの
を用いる。例えば、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサ
ンなどの脂肪族、脂環式炭化水素系の溶媒あるいはメチ
ルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、アリルアルコール、２−メトキシエタノール、２
−エトキシエタノール、ジアセトンアルコールなどのア
ルコール系の溶媒が好ましい。本発明の前記色素（フタ
ロシアニン組成物）は、アルコール系溶媒に特に良く溶
解するのでこれらの溶媒を用いるのがよい。
【０１２５】本発明の光記録媒体の１種であるＣＤは、
プレーヤーに対しての互換性の観点から基板を通しての
読み出しレーザー光に対する反射率は６０％以上である
ことが必要とされている。これらはそれぞれの色素（フ
タロシアニン組成物）に合わせて膜厚を最適化すること
によって可能であり、通常５０ｎｍ〜３００ｎｍ、特に
８０ｎｍ〜２００ｎｍがよい。
プレーヤーに対しての互換性の観点から基板を通しての
読み出しレーザー光に対する反射率は６０％以上である
ことが必要とされている。これらはそれぞれの色素（フ
タロシアニン組成物）に合わせて膜厚を最適化すること
によって可能であり、通常５０ｎｍ〜３００ｎｍ、特に
８０ｎｍ〜２００ｎｍがよい。
【０１２６】上記により、本発明に係るフタロシアニン
組成物およびそれを用いた光記録媒体を得ることができ
る。さらに詳細に説明するため、実施例において具体的
数値を挙げ説明する。
組成物およびそれを用いた光記録媒体を得ることができ
る。さらに詳細に説明するため、実施例において具体的
数値を挙げ説明する。
【０１２７】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【０１２８】実施例１ テトラキス（２−（２−メトキシエトキシカルボニル）
−６−メチルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタ
ロシアニン５０重量％、およびテトラキス（２−（２−
ブロモエチル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフル
オロバナジルフタロシアニン５０重量％からなるフタロ
シアニン組成物の製造 １００ｍｌのナスフラスコ中に、テトラキス（２−（２
−メトキシエトキシカルボニル）−６−メチルフェノキ
シ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン１．００ｇ
（０．６１ミリモル）、テトラキス（２−（２−ブロモ
エチル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン１．００ｇ（０．５３ミリモル）
およびアセトン２０ｍｌを仕込み２５℃で１時間撹拌し
た。アセトンを留去し、目的物の緑色のケーキ［テトラ
キス（２−（２−メトキシエトキシカルボニル）−６−
メチルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシア
ニン５０重量％、およびテトラキス（２−（２−ブロモ
エチル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン５０重量％からなるフタロシアニ
ン組成物］を得た。得られた目的物の可視吸収スペクト
ル、溶解度の分析結果を下記表４に示す。
−６−メチルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタ
ロシアニン５０重量％、およびテトラキス（２−（２−
ブロモエチル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフル
オロバナジルフタロシアニン５０重量％からなるフタロ
シアニン組成物の製造 １００ｍｌのナスフラスコ中に、テトラキス（２−（２
−メトキシエトキシカルボニル）−６−メチルフェノキ
シ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン１．００ｇ
（０．６１ミリモル）、テトラキス（２−（２−ブロモ
エチル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン１．００ｇ（０．５３ミリモル）
およびアセトン２０ｍｌを仕込み２５℃で１時間撹拌し
た。アセトンを留去し、目的物の緑色のケーキ［テトラ
キス（２−（２−メトキシエトキシカルボニル）−６−
メチルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシア
ニン５０重量％、およびテトラキス（２−（２−ブロモ
エチル）−６−フェニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン５０重量％からなるフタロシアニ
ン組成物］を得た。得られた目的物の可視吸収スペクト
ル、溶解度の分析結果を下記表４に示す。
【０１２９】
【表４】
【０１３０】実施例２ 深さ８０ｎｍ、ピッチ１．６μｍの螺旋状の案内溝を有
する厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に実施例１のフタロシアニ
ン組成物を２−メトキシエタノールに５重量％の濃度で
溶解した塗液をスピンコーターを用いて１２０ｎｍに成
膜した。次に、このようにして得られた塗布膜の上に金
を膜厚７５ｎｍで真空蒸着により成膜した。さらに、こ
の上に紫外線硬化型の樹脂からなる保護コート膜を設け
て、光記録媒体を作製した。このようにして得られた光
記録媒体の反射率を測定したところ、７７０ｎｍ〜８０
０ｎｍの波長域で８１％であり、安定した光学特性が得
られた。
する厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に実施例１のフタロシアニ
ン組成物を２−メトキシエタノールに５重量％の濃度で
溶解した塗液をスピンコーターを用いて１２０ｎｍに成
膜した。次に、このようにして得られた塗布膜の上に金
を膜厚７５ｎｍで真空蒸着により成膜した。さらに、こ
の上に紫外線硬化型の樹脂からなる保護コート膜を設け
て、光記録媒体を作製した。このようにして得られた光
記録媒体の反射率を測定したところ、７７０ｎｍ〜８０
０ｎｍの波長域で８１％であり、安定した光学特性が得
られた。
【０１３１】さらに、この光記録媒体を用いて波長７８
０ｎｍの半導体レーザーを使用し、５．２ｍＷの出力で
線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を記録したところ、記録
が可能であり、エラーレートは、０．２％未満であっ
た。得られた信号を解析した結果、市販のＣＤプレーヤ
ーで再生できるレベルであった。
０ｎｍの半導体レーザーを使用し、５．２ｍＷの出力で
線速１．４ｍ／ｓでＥＦＭ信号を記録したところ、記録
が可能であり、エラーレートは、０．２％未満であっ
た。得られた信号を解析した結果、市販のＣＤプレーヤ
ーで再生できるレベルであった。
【０１３２】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明のフタロシア
ニン組成物は、従来知られているフタロシアニン化合物
に比べ吸収特性、溶解性、耐光性、熱分解特性および経
済性に優れており、また６５０〜９００ｎｍの近赤外域
に吸収を有するので、近赤外吸収色素として実用的に使
用できる。特にＣＤ、ＰＨＯＴＯ−ＣＤまたはＣＤ−Ｒ
ＯＭのプレーヤーに対して互換性、共有性を有する追記
型光記録媒体に用いる際に優れた効果を発揮できる。
ニン組成物は、従来知られているフタロシアニン化合物
に比べ吸収特性、溶解性、耐光性、熱分解特性および経
済性に優れており、また６５０〜９００ｎｍの近赤外域
に吸収を有するので、近赤外吸収色素として実用的に使
用できる。特にＣＤ、ＰＨＯＴＯ−ＣＤまたはＣＤ−Ｒ
ＯＭのプレーヤーに対して互換性、共有性を有する追記
型光記録媒体に用いる際に優れた効果を発揮できる。
【０１３３】本発明の光記録媒体は、その記録層に本発
明のフタロシアニン組成物を含有してなるために、反射
率および記録感度などの光学特性、特に記録感度に優れ
た効果を奏するものである。
明のフタロシアニン組成物を含有してなるために、反射
率および記録感度などの光学特性、特に記録感度に優れ
た効果を奏するものである。
Claims (6)
- 【請求項１】 下記（I）群および（II）群に含まれる
フタロシアニン化合物を各１種類以上含んでなるフタロ
シアニン組成物： （I）群：一般式（１） 【化１】 で表されるフタロシアニンの構造式において、１〜１６
の位置のうちの少なくとも一箇所がフェノキシ基で置換
されており、かつ該フェノキシ基がオルソ位の少なくと
も一方に置換基を持つフタロシアニン化合物； （II）群：臭素原子を有するフタロシアニン化合物。 - 【請求項２】 前記（I）群のフタロシアニン化合物の
フェノキシ基のオルソ位の置換基が下記（１）〜（７）
群の置換基： 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ5 は各々独立に炭素
原子数１〜２０個の置換基を有していてもよい直鎖、分
岐鎖または環状のアルキル基または置換基を有していて
もよいアリール基を表わし、ＡはＣＨ基または窒素原子
を表わし、Ｂは酸素原子、硫黄原子、ＣＨ2 基、ＮＨ基
または炭素原子数１〜４個のアルキルアミノ基を表わ
し、Ｒ4 は置換基を有していてもよいアリール基または
炭素原子数３〜１０個のシクロアルキル基を表わし、
ａ、ｂ、ｆおよびｇは１〜５の整数であり、ｃおよびｋ
は０〜６の整数であり、ｄおよびｅは各々独立に１〜４
の整数であり、ｌは１〜２０の整数であり、ｍはＣl Ｈ
m なる直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を飽和する
のに必要な水素原子数である。）よりなる群から選ばれ
た少なくとも１種の置換基である請求項１に記載のフタ
ロシアニン組成物。 - 【請求項３】 前記（II）群の臭素原子を有するフタロ
シアニン化合物が、少なくとも一つのアルコシキ基また
はアリールオキシ基で置換されている請求項１または２
に記載のフタロシアニン組成物。 - 【請求項４】 前記（I）群のフタロシアニン化合物
が、一般式（２） 【化３】 （式中、Ｘは請求項２に規定した（１）〜（７）群の置
換基よりなる群から選ばれた置換基を表わし、ＹはＸに
ついて定義した置換基、臭素原子を除くハロゲン原子ま
たは水素原子を表わし、Ｗは臭素原子を除くハロゲン原
子を表わし、ＺはＹについて定義した置換基、置換され
ていてもよい炭素原子数１〜２０個の直鎖または分岐鎖
のアルキル基を有するモノ−もしくはジ−アルキルアミ
ノ基、置換されていてもよいアニリノ基またはニトロ基
を表わし、ｐおよびｑは０〜３の整数であり、Ｍは金
属、オキシ金属または金属塩を表わす。）で表される請
求項１〜３のいずれか１項に記載のフタロシアニン組成
物。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一つに記載のフ
タロシアニン組成物を基板上に設けられた記録層に含有
してなる光記録媒体。 - 【請求項６】 透明な樹脂製基板上に設けられた記録層
および金属の反射層を有するコンパクトディスク対応の
追記型光記録媒体において、該記録層が請求項５に記載
の記録層である光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34545497A JP4169380B2 (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | フタロシアニン組成物およびそれを用いた光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34545497A JP4169380B2 (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | フタロシアニン組成物およびそれを用いた光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172138A true JPH11172138A (ja) | 1999-06-29 |
| JP4169380B2 JP4169380B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=18376709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34545497A Expired - Fee Related JP4169380B2 (ja) | 1997-12-15 | 1997-12-15 | フタロシアニン組成物およびそれを用いた光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4169380B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008050599A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Nippon Shokubai Co Ltd | フタロシアニン化合物 |
| JP2008201952A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | フタロシアニン化合物 |
| WO2011010733A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン化合物 |
-
1997
- 1997-12-15 JP JP34545497A patent/JP4169380B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008050599A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Nippon Shokubai Co Ltd | フタロシアニン化合物 |
| JP2008201952A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | フタロシアニン化合物 |
| WO2011010733A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン化合物 |
| CN102575110A (zh) * | 2009-07-24 | 2012-07-11 | 株式会社日本触媒 | 酞菁化合物 |
| JP5814120B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2015-11-17 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン化合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4169380B2 (ja) | 2008-10-22 |
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