JPH1117110A - 過熱検出回路 - Google Patents
過熱検出回路Info
- Publication number
- JPH1117110A JPH1117110A JP17008097A JP17008097A JPH1117110A JP H1117110 A JPH1117110 A JP H1117110A JP 17008097 A JP17008097 A JP 17008097A JP 17008097 A JP17008097 A JP 17008097A JP H1117110 A JPH1117110 A JP H1117110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- comparator
- mosfet
- channel type
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップサイズの小型化及び検出温度のばらつ
きの低減をはかる。 【解決手段】 パワー素子の温度が上昇するにつれ、Ｐ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴ１７，１８とＮチャネル型ＭＯ
ＳＦＥＴ２７，２８と共に電流源１５を構成する抵抗１
６と、電源ラインを基準として比較器１１の正相入力に
順方向電圧を減算供給する第１ダイオード回路１４及び
接地ラインを基準として比較器１１の負相入力に順方向
電圧を加算供給する第２ダイオード回路２４も温度が上
昇する。抵抗１６は正の温度係数を有するためその抵抗
値が大きくなってダイオード回路１４，２４に流れる電
流が小さくなる。またダイオード回路１４，２４の順方
向電圧も低くなる。このとき、比較器１１の正相入力の
電圧ＶB は正の傾きで変化しその温度勾配は温度上昇に
伴い大きくなっていき、負相入力の電圧ＶA は負の傾き
で変化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなり、Ｖ
A ＜ＶB となったとき過熱検出信号を出力する。
きの低減をはかる。 【解決手段】 パワー素子の温度が上昇するにつれ、Ｐ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴ１７，１８とＮチャネル型ＭＯ
ＳＦＥＴ２７，２８と共に電流源１５を構成する抵抗１
６と、電源ラインを基準として比較器１１の正相入力に
順方向電圧を減算供給する第１ダイオード回路１４及び
接地ラインを基準として比較器１１の負相入力に順方向
電圧を加算供給する第２ダイオード回路２４も温度が上
昇する。抵抗１６は正の温度係数を有するためその抵抗
値が大きくなってダイオード回路１４，２４に流れる電
流が小さくなる。またダイオード回路１４，２４の順方
向電圧も低くなる。このとき、比較器１１の正相入力の
電圧ＶB は正の傾きで変化しその温度勾配は温度上昇に
伴い大きくなっていき、負相入力の電圧ＶA は負の傾き
で変化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなり、Ｖ
A ＜ＶB となったとき過熱検出信号を出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、過熱検出回路に関
し、特にパワー素子と同一の半導体基板に形成され、パ
ワー素子を熱的破壊から防止するためその異常温度を検
出し保護回路にその検出信号を送出する過熱検出回路に
関する。
し、特にパワー素子と同一の半導体基板に形成され、パ
ワー素子を熱的破壊から防止するためその異常温度を検
出し保護回路にその検出信号を送出する過熱検出回路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の過熱検出回路を図３及び図４を参
照して説明する。図３に示すように、比較器１の正相入
力と接地ラインＧnd間に安定化基準電圧源２を接続し、
比較器１の負相入力と接地ラインＧnd間に複数個の直列
接続されたダイオード３，…，３からなるダイオード回
路４を順方向接続し、負の温度依存性を有する電流源５
によりダイオード回路４に順方向電流を流すことにより
比較器１の出力を過熱検出信号としている。電流源５は
正の温度係数を有する抵抗６と一対のＰチャネル型ＭＯ
ＳＦＥＴ７，８で構成され、抵抗６はＰチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ７のドレインと接地ラインＧnd間に接続され、Ｐ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴ７はソースが電源ラインＶD に
接続され、ゲートがドレインに接続され、ＭＯＳＦＥＴ
８はＭＯＳＦＥＴ７とゲートが共通接続され、ソース及
びドレインが電源ラインＶD と比較器１の第２の入力間
に接続されている。
照して説明する。図３に示すように、比較器１の正相入
力と接地ラインＧnd間に安定化基準電圧源２を接続し、
比較器１の負相入力と接地ラインＧnd間に複数個の直列
接続されたダイオード３，…，３からなるダイオード回
路４を順方向接続し、負の温度依存性を有する電流源５
によりダイオード回路４に順方向電流を流すことにより
比較器１の出力を過熱検出信号としている。電流源５は
正の温度係数を有する抵抗６と一対のＰチャネル型ＭＯ
ＳＦＥＴ７，８で構成され、抵抗６はＰチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ７のドレインと接地ラインＧnd間に接続され、Ｐ
チャネル型ＭＯＳＦＥＴ７はソースが電源ラインＶD に
接続され、ゲートがドレインに接続され、ＭＯＳＦＥＴ
８はＭＯＳＦＥＴ７とゲートが共通接続され、ソース及
びドレインが電源ラインＶD と比較器１の第２の入力間
に接続されている。
【０００３】上記構成の過熱検出回路は検出対象である
パワー素子と同一半導体基板に形成されており、そのパ
ワー素子の温度が上昇するにつれ同一半導体基板に形成
された抵抗３の抵抗値が大きくなってダイオード回路４
に流れる電流値が小さくなりダイオード回路４の各ダイ
オード３，…，３の順方向電圧はその順方向の電流値に
対応して低くなると共に、各ダイオード３，…，３の順
方向電圧は温度上昇に対して負の依存性を有しその順方
向の電流値に対して更に低くなり、図４に示すように負
相入力の電圧ＶA は温度上昇に伴い負の傾きで変化する
と共に、その温度勾配も大きくなっていき、温度上昇に
対し一定である比較器１の正相入力の電圧ＶB と比較さ
れ、ＶA ＜ＶB となったとき過熱検出信号を出力する。
パワー素子と同一半導体基板に形成されており、そのパ
ワー素子の温度が上昇するにつれ同一半導体基板に形成
された抵抗３の抵抗値が大きくなってダイオード回路４
に流れる電流値が小さくなりダイオード回路４の各ダイ
オード３，…，３の順方向電圧はその順方向の電流値に
対応して低くなると共に、各ダイオード３，…，３の順
方向電圧は温度上昇に対して負の依存性を有しその順方
向の電流値に対して更に低くなり、図４に示すように負
相入力の電圧ＶA は温度上昇に伴い負の傾きで変化する
と共に、その温度勾配も大きくなっていき、温度上昇に
対し一定である比較器１の正相入力の電圧ＶB と比較さ
れ、ＶA ＜ＶB となったとき過熱検出信号を出力する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の過熱検出回路は、比較器１の正相入力に安定化基準電
圧源２を接続しており、その分半導体集積回路内に占め
る過熱検出回路の面積が大きくなりチップサイズが大き
くなるという問題があった。また、上記の従来の過熱検
出回路より検出温度のばらつきを更に低減させたいとい
う要求があった。本発明は上記問題点及び要求に鑑み、
安定化基準電圧源を不要とし、比較器の第１の入力に温
度上昇に伴い正の傾きで変化すると共に温度勾配も大き
くなる電圧、第２の入力に温度上昇に伴い負の傾きで変
化すると共に温度勾配も大きくなる電圧をそれぞれ入力
するようにして検出温度のばらつきを改良した過熱検出
回路を提供することを目的とする。
の過熱検出回路は、比較器１の正相入力に安定化基準電
圧源２を接続しており、その分半導体集積回路内に占め
る過熱検出回路の面積が大きくなりチップサイズが大き
くなるという問題があった。また、上記の従来の過熱検
出回路より検出温度のばらつきを更に低減させたいとい
う要求があった。本発明は上記問題点及び要求に鑑み、
安定化基準電圧源を不要とし、比較器の第１の入力に温
度上昇に伴い正の傾きで変化すると共に温度勾配も大き
くなる電圧、第２の入力に温度上昇に伴い負の傾きで変
化すると共に温度勾配も大きくなる電圧をそれぞれ入力
するようにして検出温度のばらつきを改良した過熱検出
回路を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の過熱検出回路
は、第１及び第２の入力をもつ比較器と、電源ラインを
基準に順方向電圧を前記比較器の第１の入力に減算供給
する第１ダイオード回路と、接地ラインを基準に順方向
電圧を前記比較器の第２の入力に加算供給する第２ダイ
オード回路と、負の温度依存性を有し前記第１及び第２
ダイオード回路に順方向電流を供給する電流源とを具備
した構成としている。また本発明の過熱検出回路は、比
較器と、電源ラインと前記比較器の第１の入力間に順方
向接続された第１ダイオード回路と、前記比較器の第２
の入力と接地ライン間に順方向接続された第２ダイオー
ド回路と、前記第１及び第２ダイオード回路に順方向電
流を流す負の温度依存性を有する電流源とを具備した構
成としている。本構成の過熱検出回路によれば、比較器
の第１の入力に安定化基準電圧源が不要なため回路構成
が簡単となると共に、比較器の正相入力の電圧は電源ラ
インを基準として第１ダイオード回路の順方向電圧を減
算供給するので抵抗と第１ダイオード回路の温度の上昇
に伴い順方向電圧降下分だけ正の傾きで変化すると共に
その温度勾配も大きくなっていき、負相入力の電圧は接
地ラインを基準として第２ダイオード回路の順方向電圧
を加算供給するので抵抗と第２ダイオード回路の温度上
昇に伴い順方向電圧降下分だけ負の傾きで変化すると共
にその温度勾配も大きくなるので従来の過熱検出回路よ
り検出温度のばらつきの低減が可能となる。前記電流源
は具体的には、電源ラインにソースが接続されダイオー
ド接続されたＰチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴと、接地ラ
インにソースが接続されダイオード接続されたＮチャネ
ル型第１ＭＯＳＦＥＴと、前記両第１ＭＯＳＦＥＴのド
レイン間に接続された正の温度係数を有する抵抗と、電
源ラインと前記比較器の第２の入力間にソース及びドレ
インが接続され前記Ｐチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴとベ
ースが共通接続されたＰチャネル型第２ＭＯＳＦＥＴ
と、前記比較器の第１の入力と接地ライン間にドレイン
及びソースが接続され前記Ｎチャネル型第１ＭＯＳＦＥ
Ｔとベースが共通接続されたＮチャネル型第２ＭＯＳＦ
ＥＴと、からなる。本構成の電流源によれば、両第１Ｍ
ＯＳＦＥＴ間に接続される正の温度係数を有する１個の
抵抗で第１及び第２ダイオード回路へ供給される電流に
負の温度依存性を持たすことができ、回路構成が簡単と
なる。前記第１及び第２ダイオード回路は具体的には複
数個の直列接続されたダイオードからなる。また、本発
明の過熱検出回路は過熱検出対象のパワー素子が形成さ
れた同一半導体基板に形成される。本構成によれば、安
定化基準電源が不要なので半導体基板に形成される過熱
検出回路の面積は小さくできる。
は、第１及び第２の入力をもつ比較器と、電源ラインを
基準に順方向電圧を前記比較器の第１の入力に減算供給
する第１ダイオード回路と、接地ラインを基準に順方向
電圧を前記比較器の第２の入力に加算供給する第２ダイ
オード回路と、負の温度依存性を有し前記第１及び第２
ダイオード回路に順方向電流を供給する電流源とを具備
した構成としている。また本発明の過熱検出回路は、比
較器と、電源ラインと前記比較器の第１の入力間に順方
向接続された第１ダイオード回路と、前記比較器の第２
の入力と接地ライン間に順方向接続された第２ダイオー
ド回路と、前記第１及び第２ダイオード回路に順方向電
流を流す負の温度依存性を有する電流源とを具備した構
成としている。本構成の過熱検出回路によれば、比較器
の第１の入力に安定化基準電圧源が不要なため回路構成
が簡単となると共に、比較器の正相入力の電圧は電源ラ
インを基準として第１ダイオード回路の順方向電圧を減
算供給するので抵抗と第１ダイオード回路の温度の上昇
に伴い順方向電圧降下分だけ正の傾きで変化すると共に
その温度勾配も大きくなっていき、負相入力の電圧は接
地ラインを基準として第２ダイオード回路の順方向電圧
を加算供給するので抵抗と第２ダイオード回路の温度上
昇に伴い順方向電圧降下分だけ負の傾きで変化すると共
にその温度勾配も大きくなるので従来の過熱検出回路よ
り検出温度のばらつきの低減が可能となる。前記電流源
は具体的には、電源ラインにソースが接続されダイオー
ド接続されたＰチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴと、接地ラ
インにソースが接続されダイオード接続されたＮチャネ
ル型第１ＭＯＳＦＥＴと、前記両第１ＭＯＳＦＥＴのド
レイン間に接続された正の温度係数を有する抵抗と、電
源ラインと前記比較器の第２の入力間にソース及びドレ
インが接続され前記Ｐチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴとベ
ースが共通接続されたＰチャネル型第２ＭＯＳＦＥＴ
と、前記比較器の第１の入力と接地ライン間にドレイン
及びソースが接続され前記Ｎチャネル型第１ＭＯＳＦＥ
Ｔとベースが共通接続されたＮチャネル型第２ＭＯＳＦ
ＥＴと、からなる。本構成の電流源によれば、両第１Ｍ
ＯＳＦＥＴ間に接続される正の温度係数を有する１個の
抵抗で第１及び第２ダイオード回路へ供給される電流に
負の温度依存性を持たすことができ、回路構成が簡単と
なる。前記第１及び第２ダイオード回路は具体的には複
数個の直列接続されたダイオードからなる。また、本発
明の過熱検出回路は過熱検出対象のパワー素子が形成さ
れた同一半導体基板に形成される。本構成によれば、安
定化基準電源が不要なので半導体基板に形成される過熱
検出回路の面積は小さくできる。
【０００６】
【実施の形態】以下、この発明の１例について図１及び
図２を参照して説明する。図１に示す過熱検出回路は検
出対象であるパワー素子を含む半導体集積回路内に含ま
れ、パワー素子と同一半導体基板に形成される。図１に
示すように、外部からの定電圧が供給される電源ライン
ＶD と比較器１１の第１の入力である正相入力間に複数
個の直列接続されたダイオード１３，…，１３からなる
第１ダイオード回路１４を順方向接続し、比較器１１の
第２の入力である負相入力と接地ラインＧnd間に複数個
の直列接続されたダイオード２３，…，２３からなる第
２ダイオード回路２４を順方向接続し、負の温度依存性
を有する電流源１５により第１及び第２ダイオード回路
１４，２４に順方向電流を流すことにより比較器１１の
出力を過熱検出信号としている。電流源１５は正の温度
係数を有する抵抗１６と一対のＰチャネル型ＭＯＳＦＥ
Ｔ１７，１８と一対のＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ２７，
２８で構成されている。抵抗１６はＭＯＳＦＥＴ１７と
ＭＯＳＦＥＴ２７のドレイン間に接続され、ＭＯＳＦＥ
Ｔ１７はダイオード接続されると共にソースが電源ライ
ンＶD に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２７はダイオード接続
されると共にソースが接地ラインＧndに接続されてい
る。ＭＯＳＦＥＴ１８はＭＯＳＦＥＴ１７とゲートが共
通接続され、ソース及びドレインが電源ラインＶD と比
較器１１の負相入力間に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２８は
ＭＯＳＦＥＴ２７とゲートが共通接続され、ドレイン及
びソースが比較器１１の正相入力と接地ラインＧnd間に
接続されている。尚、図面では示さないが、半導体基板
に不純物拡散して抵抗１５を形成する場合、そのＰＮ接
合の抵抗側に生じる空乏層が温度に対して大きく変化す
るようにその不純物拡散の不純物濃度を低くしたほうが
温度係数が大となり好都合である。
図２を参照して説明する。図１に示す過熱検出回路は検
出対象であるパワー素子を含む半導体集積回路内に含ま
れ、パワー素子と同一半導体基板に形成される。図１に
示すように、外部からの定電圧が供給される電源ライン
ＶD と比較器１１の第１の入力である正相入力間に複数
個の直列接続されたダイオード１３，…，１３からなる
第１ダイオード回路１４を順方向接続し、比較器１１の
第２の入力である負相入力と接地ラインＧnd間に複数個
の直列接続されたダイオード２３，…，２３からなる第
２ダイオード回路２４を順方向接続し、負の温度依存性
を有する電流源１５により第１及び第２ダイオード回路
１４，２４に順方向電流を流すことにより比較器１１の
出力を過熱検出信号としている。電流源１５は正の温度
係数を有する抵抗１６と一対のＰチャネル型ＭＯＳＦＥ
Ｔ１７，１８と一対のＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ２７，
２８で構成されている。抵抗１６はＭＯＳＦＥＴ１７と
ＭＯＳＦＥＴ２７のドレイン間に接続され、ＭＯＳＦＥ
Ｔ１７はダイオード接続されると共にソースが電源ライ
ンＶD に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２７はダイオード接続
されると共にソースが接地ラインＧndに接続されてい
る。ＭＯＳＦＥＴ１８はＭＯＳＦＥＴ１７とゲートが共
通接続され、ソース及びドレインが電源ラインＶD と比
較器１１の負相入力間に接続され、ＭＯＳＦＥＴ２８は
ＭＯＳＦＥＴ２７とゲートが共通接続され、ドレイン及
びソースが比較器１１の正相入力と接地ラインＧnd間に
接続されている。尚、図面では示さないが、半導体基板
に不純物拡散して抵抗１５を形成する場合、そのＰＮ接
合の抵抗側に生じる空乏層が温度に対して大きく変化す
るようにその不純物拡散の不純物濃度を低くしたほうが
温度係数が大となり好都合である。
【０００７】以上の構成の過熱検出回路の動作を図２を
併用して説明する。検出対象であるパワー素子の温度が
上昇するにつれ同一半導体基板に形成された抵抗１６と
第１及び第２ダイオード回路１４，２４の各ダイオード
１３，２３も温度が上昇する。このとき抵抗１６は正の
温度係数を有するためその抵抗値が大きくなって電流源
１５のＭＯＳＦＥＴ１８，２８から供給される電流が小
さくなり、第１及び第２ダイオード回路１４，２４に流
れる電流値が小さくなり第１及び第２ダイオード回路１
４，２４の各ダイオード１３，２３の順方向電圧はその
順方向の電流値に対応して低くなると共に、各ダイオー
ド１３，２３の順方向電圧は温度上昇に対して負の依存
性を有しその順方向の電流値に対して更に低くなる。比
較器１１の正相入力の電圧ＶB は電源ラインＶD を基準
として第１ダイオード回路１４の順方向電圧を減算供給
するので温度の上昇に伴い順方向電圧降下分だけ正の傾
きで変化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなって
いき、負相入力の電圧ＶA は接地ラインＧndを基準とし
て第２ダイオード回路２４の順方向電圧を加算供給する
ので温度上昇に伴い順方向電圧降下分だけ負の傾きで変
化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなり、ＶA ＜
ＶB となったとき過熱検出信号を出力する。従来の過熱
検出回路は比較器の正相入力に安定化基準電源を接続し
ているため、正相入力の電圧ＶB が温度上昇に対して変
化しない（傾きを有していない）のに対して、本発明の
過熱検出回路は比較器１１の正相入力の電圧ＶB が温度
上昇に対して正の傾きで変化すると共にその温度勾配も
大きくなっていくので、検出温度のばらつきは従来より
改良される。また本発明の過熱検出回路は比較器の正相
入力に安定化基準電源が不要であることと、電流源の負
の温度依存性を持たすための抵抗が１個で済むことか
ら、回路構成が簡単となり、半導体集積回路内に占める
面積を小さくできる。
併用して説明する。検出対象であるパワー素子の温度が
上昇するにつれ同一半導体基板に形成された抵抗１６と
第１及び第２ダイオード回路１４，２４の各ダイオード
１３，２３も温度が上昇する。このとき抵抗１６は正の
温度係数を有するためその抵抗値が大きくなって電流源
１５のＭＯＳＦＥＴ１８，２８から供給される電流が小
さくなり、第１及び第２ダイオード回路１４，２４に流
れる電流値が小さくなり第１及び第２ダイオード回路１
４，２４の各ダイオード１３，２３の順方向電圧はその
順方向の電流値に対応して低くなると共に、各ダイオー
ド１３，２３の順方向電圧は温度上昇に対して負の依存
性を有しその順方向の電流値に対して更に低くなる。比
較器１１の正相入力の電圧ＶB は電源ラインＶD を基準
として第１ダイオード回路１４の順方向電圧を減算供給
するので温度の上昇に伴い順方向電圧降下分だけ正の傾
きで変化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなって
いき、負相入力の電圧ＶA は接地ラインＧndを基準とし
て第２ダイオード回路２４の順方向電圧を加算供給する
ので温度上昇に伴い順方向電圧降下分だけ負の傾きで変
化しその温度勾配は温度上昇に伴い大きくなり、ＶA ＜
ＶB となったとき過熱検出信号を出力する。従来の過熱
検出回路は比較器の正相入力に安定化基準電源を接続し
ているため、正相入力の電圧ＶB が温度上昇に対して変
化しない（傾きを有していない）のに対して、本発明の
過熱検出回路は比較器１１の正相入力の電圧ＶB が温度
上昇に対して正の傾きで変化すると共にその温度勾配も
大きくなっていくので、検出温度のばらつきは従来より
改良される。また本発明の過熱検出回路は比較器の正相
入力に安定化基準電源が不要であることと、電流源の負
の温度依存性を持たすための抵抗が１個で済むことか
ら、回路構成が簡単となり、半導体集積回路内に占める
面積を小さくできる。
【０００８】
【発明の効果】以上のように、この発明の過熱検出回路
は、安定化基準電源のかわりに電源ラインと比較器の正
相入力間にダイオード回路を接続し、このダイオード回
路に負の温度依存性を有する電流源を接続し、この電流
源は１導電型の第１及び第２ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル
型の第１及び第２ＭＯＳＦＥＴと正の温度係数を有する
抵抗とで構成されるので、回路構成が簡単となり半導体
集積回路化するときチップ面積が小さくでき、また検出
温度のばらつきも小さくすることが可能となる。
は、安定化基準電源のかわりに電源ラインと比較器の正
相入力間にダイオード回路を接続し、このダイオード回
路に負の温度依存性を有する電流源を接続し、この電流
源は１導電型の第１及び第２ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル
型の第１及び第２ＭＯＳＦＥＴと正の温度係数を有する
抵抗とで構成されるので、回路構成が簡単となり半導体
集積回路化するときチップ面積が小さくでき、また検出
温度のばらつきも小さくすることが可能となる。
【図１】 本発明の１実施例の回路図
【図２】 図１に示す過熱検出回路の過熱検出用電圧の
温度特性図
温度特性図
【図３】 従来例の過熱検出回路の回路図
【図４】 図３に示す過熱検出回路の過熱検出用電圧の
温度特性図
温度特性図
ＶD 電源ライン Ｇnd 接地ライン １１ 比較器 １３ ダイオード １４ 第１ダイオード回路 ２３ ダイオード ２４ 第２ダイオード回路 １５ 電流源 １６ 抵抗 １７ Ｐチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴ １８ Ｐチャネル型第２ＭＯＳＦＥＴ ２７ Ｎチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴ ２８ Ｎチャネル型第２ＭＯＳＦＥＴ
Claims (6)
- 【請求項１】第１及び第２の入力をもつ比較器と、電源
ラインを基準に順方向電圧を前記比較器の第１の入力に
減算供給する第１ダイオード回路と、接地ラインを基準
に順方向電圧を前記比較器の第２の入力に加算供給する
第２ダイオード回路と、負の温度依存性を有し前記第１
及び第２ダイオード回路に順方向電流を供給する電流源
とを具備した過熱検出回路。 - 【請求項２】第１及び第２の入力をもつ比較器と、電源
ラインと前記比較器の第１の入力間に順方向接続された
第１ダイオード回路と、前記比較器の第２の入力と接地
ライン間に順方向接続された第２ダイオード回路と、前
記第１及び第２ダイオード回路に順方向電流を流す負の
温度依存性を有する電流源とを具備した過熱検出回路。 - 【請求項３】前記電流源は、電源ラインにソースが接続
されダイオード接続されたＰチャネル型第１ＭＯＳＦＥ
Ｔと、接地ラインにソースが接続されダイオード接続さ
れたＮチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴと、前記両第１ＭＯ
ＳＦＥＴのドレイン間に接続された正の温度係数を有す
る抵抗と、電源ラインと前記比較器の第２の入力間にソ
ース及びドレインが接続され前記Ｐチャネル型第１ＭＯ
ＳＦＥＴとベースが共通接続されたＰチャネル型第２Ｍ
ＯＳＦＥＴと、前記比較器の第１の入力と接地ライン間
にドレイン及びソースが接続され前記Ｎチャネル型第１
ＭＯＳＦＥＴとベースが共通接続されたＮチャネル型第
２ＭＯＳＦＥＴとからなる請求項１記載の過熱検出回
路。 - 【請求項４】前記第１及び第２ダイオード回路が複数個
の直列接続されたダイオードからなる請求項１記載の過
熱検出回路。 - 【請求項５】過熱検出対象のパワー素子が形成された同
一半導体基板に形成された請求項１記載の過熱検出回
路。 - 【請求項６】電源ラインにソースが接続されダイオード
接続されたＰチャネル型第１ＭＯＳＦＥＴと、接地ライ
ンにソースが接続されダイオード接続されたＮチャネル
型第１ＭＯＳＦＥＴと、前記両第１ＭＯＳＦＥＴのドレ
イン間に接続された正の温度係数を有する抵抗と、電源
ラインにソースが接続され前記Ｐチャネル型第１ＭＯＳ
ＦＥＴとベースが共通接続されたＰチャネル型第２ＭＯ
ＳＦＥＴと、接地ラインにソースが接続され前記Ｎチャ
ネル型第１ＭＯＳＦＥＴとベースが共通接続されたＮチ
ャネル型第２ＭＯＳＦＥＴと、電源ラインと前記Ｎチャ
ネル型第２ＭＯＳＦＥＴ間に順方向接続された第１ダイ
オード回路と、前記Ｐチャネル型第２ＭＯＳＦＥＴのド
レインと接地ライン間に順方向接続された第２ダイオー
ド回路と、前記Ｐチャネル型第２ＭＯＳＦＥＴと前記第
２ダイオード回路との接続点を負相入力とし、前記第１
ダイオード回路と前記Ｎチャネル型第２ＭＯＳＦＥＴと
の接続点を正相入力とした比較器とを具備した過熱検出
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17008097A JPH1117110A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 過熱検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17008097A JPH1117110A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 過熱検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117110A true JPH1117110A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15898278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17008097A Pending JPH1117110A (ja) | 1997-06-26 | 1997-06-26 | 過熱検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1117110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9551602B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-01-24 | Azbil Corporation | Electromagnetic flow meter and magnetic excitation control method |
-
1997
- 1997-06-26 JP JP17008097A patent/JPH1117110A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9551602B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-01-24 | Azbil Corporation | Electromagnetic flow meter and magnetic excitation control method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100471521B1 (ko) | 온도센서회로를구비한파워반도체장치 | |
| JP5547429B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3164065B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0774550A (ja) | 過熱検出回路 | |
| US5892647A (en) | Overcurrent detection circuit | |
| JP3131129B2 (ja) | 集積回路上の温度検出器 | |
| JPS63208324A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US7808762B2 (en) | Semiconductor device performing overheat protection efficiently | |
| US8461819B2 (en) | Current detector for guarding against negative potential of an output node thereof | |
| JP2531818B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2007173823A (ja) | 入力電圧感知回路 | |
| US5223728A (en) | Optical switch integrated circuit | |
| US6759891B2 (en) | Thermal shutdown circuit with hysteresis and method of using | |
| JP3132587B2 (ja) | パワーデバイスの過熱検出回路 | |
| JP4467963B2 (ja) | レギュレータ装置およびそれに用いる逆流防止ダイオード回路 | |
| JP2696808B2 (ja) | 過熱検出回路 | |
| JPH1117110A (ja) | 過熱検出回路 | |
| JPH06216738A (ja) | フォトカプラ装置 | |
| JPH09213893A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3680036B2 (ja) | 半導体回路、及び、フォトカップラー | |
| JP3995043B2 (ja) | 熱保護機能付き半導体集積回路 | |
| JP3776586B2 (ja) | 熱保護回路 | |
| JP2005122753A (ja) | 温度検知回路および加熱保護回路、ならびにこれらの回路を組み込んだ各種電子機器 | |
| JPH05241671A (ja) | 基準電圧発生装置および過電流防止機能付半導体装置 | |
| JPH06242176A (ja) | 半導体素子用温度検出回路装置 |