JPH11147904A - オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法 - Google Patents

オレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体の製造方法

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JPH11147904A
JPH11147904A JP31310397A JP31310397A JPH11147904A JP H11147904 A JPH11147904 A JP H11147904A JP 31310397 A JP31310397 A JP 31310397A JP 31310397 A JP31310397 A JP 31310397A JP H11147904 A JPH11147904 A JP H11147904A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オレフィン重合体を高い活性で製造するのに
適し、機械的強度や耐摩耗性に優れ、安定運転の阻害と
なる粒子の破壊や微粉等の生成も抑制され、また嵩密度
が高く、流動性に優れ高い生産性でオレフィン重合体が
得られる重合用触媒成分、触媒ならびに該触媒を用いた
オレフィン重合法の提供。 【解決手段】 下記の成分(A)および成分(B)から
なるオレフィン重合用触媒。 成分 成分(A)メタロセン系遷移金属化合物 成分(B)スメクタイト族層状珪酸塩と雲母族層状珪酸
塩とからなり、スメクタイト族の層状珪酸塩を0.1〜
50重量%含有する層状珪酸塩粒子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オレフィン重合用
触媒ならびにオレフィン重合体の製造法に関し、さらに
詳しくは、オレフィン重合体を高い活性で製造するのに
適し、特定の層状珪酸塩粒子を用いた場合には、機械的
強度や耐摩耗性に優れ、安定運転の阻害となる粒子の破
壊や微粉等の生成も抑制され、また嵩密度が高く、流動
性に優れていることから、高い生産性でオレフィン重合
体が得られる重合用触媒ならびに該触媒を用いたオレフ
ィン重合法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】オレフィンを(1)メタロセンおよび
(2)アルミノキサンからなる触媒の存在下に重合して
オレフィン重合体を製造することは知られている(特公
平4−12283号公報および特開昭60−35007
号公報)。しかしながら、これらの触媒系は、一般に反
応系に可溶性であることが多く、これを反映して、スラ
リー重合あるいは気相重合で得られるオレフィン重合体
は粒子形状が不定形で嵩密度が小さく、微粉が多い等粒
子性状の極めて悪いものであり、製造工程上の問題点を
有している。
【0003】一方、これらの問題点を解消するために
は、遷移金属化合物および有機アルミニウム化合物の一
方あるいは両方をシリカ、アルミナ等の無機酸化物もし
くは有機物に担持させた触媒でオレフィンの重合を行う
方法も提案されている(特開昭60−35007号公
報、同61−31404号公報、同61−108610
号公報、同61−276805号公報および同61−2
96008号公報等)。しかし、これらの方法によって
得られた重合体は、微粉、粗粒が多く見られ、また、嵩
密度も低い等粒子性状の不良なものが多く、更には、固
体成分あたりの重合活性が低い等の新たな問題があるよ
うである。
【0004】また、スメクタイトにメタロセン化合物と
アルミノキサンを担持した触媒を用いる方法(特開平5
−25214号公報)や、メタロセン化合物と金属酸化
物または金属酸化物前駆体で処理した後焼成して得た層
状粘土鉱物および有機アルミノキサンとを用いるオレフ
ィンの重合用触媒(特開平7−33814号公報)が報
告されている。
【0005】本発明者らは、これらの諸問題を解決する
ため、先に特定の条件下で処理を行った層状珪酸塩を造
粒することで、微粉、粗粒が少なく、嵩密度が高い等の
良好な粒子が得られることを見いだした(特開平5−3
01917号公報、特開平7−228621号公報)。
しかしながら、雲母族層状珪酸塩のような板状で比較的
粒子形の大きなものを用いた場合は、造粒したとき嵩密
度が小さく、また粒子強度が十分ではない場合があるの
で、オレフィン重合用触媒成分として用いたときの生産
性や微粉の発生の点で、上述の改良方法は必ずしも満足
できるものではなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】オレフィン重合体を高
い活性で製造するのに適し、機械的強度や耐摩耗性に優
れ、安全運転の阻害となる粒子の破壊や微粉等の生成も
抑制され、また嵩密度が高く、流動性に優れ、高い生産
性でオレフィン重合体を得ることができる重合用触媒な
らびに該触媒を用いたオレフィン重合法を提供するもの
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来技術
の問題点に解決を与えようとするものであって、メタロ
セン系遷移金属化合物と、性質の異なる層状珪酸塩の所
定の混合物とを用いたオレフィン重合用触媒を用いた場
合には、微粉が少なく、嵩密度が高い粉体性状の良好な
オレフィン重合体が得られる、という知見に基づくもの
である。すなわち、本発明は、下記の成分(A)および
成分(B)からなるオレフィン重合用触媒を提供するも
のである。 成分 成分(A)メタロセン系遷移金属化合物 成分(B)スメクタイト族層状珪酸塩と雲母族層状珪酸
塩とからなり、スメクタイト族の層状珪酸塩を0.1〜
50重量%含有する層状珪酸塩粒子。 また、本発明によるオレフィン重合用触媒は、有機アル
ミニウム化合物と上記のオレフィン重合用触媒との組み
合わせからなるものである。また、本発明によるオレフ
ィン重合体の製造法は、上記のオレフィン重合用触媒に
オレフィンを接触させて重合させることからなるもので
ある。
【0008】
【発明の実施の形態】[オレフィン重合用触媒]本発明
による重合用触媒は、成分(A)および成分(B)から
なるものである。 <成分(A)>この成分(A)は、メタロセン系遷移金
属化合物である。このメタロセン系遷移金属化合物は、
好ましくは置換されていてもよい1個もしくは2個のシ
クロペンタジエニル系配位子、すなわち置換基が結合し
て縮合環を形成していてもよい1から2個のシクロペン
タジエニル環含有配位子、と長周期表の3、4、5また
は6族の遷移金属とからなる有機金属化合物、あるいは
それらのカチオン型錯体である。(ここで、原子の周期
律は、1989年にIUPACにより推奨された18族
方式に基づくものである。) このようなメタロセン系遷移金属化合物として好ましい
ものは、下記一般式[1]もしくは[2]で表される化
合物である。
【0009】
【化1】 (CpR1 a 5-a p (CpR2 b 5-b q MR3 r …[1] [(CpR1 a 5-a p (CpR2 b 5-b q MR3 r m n+[R4 n- …[2]
【0010】(ここで、CpR1 a 5-a およびCpR
2 b 5-b は、シクロペンタジエニル(Cp)基または
その誘導体、すなわち、シクロペンタジエニルのR1
たはR 2 置換体、を示す。R1 およびR2 は、それぞ
れ、炭素数1から30の置換されていてもよい、炭化水
素基、ケイ素含有炭化水素基、リン含有炭化水素基、窒
素含有炭化水素基、または酸素含有炭化水素基であっ
て、各々同一でも異なっていてもよい。)
【0011】aおよびbは、それぞれ0〜5の整数であ
る。また、p、qおよびrは、それぞれMの価数をVと
した時に、メタロセン系遷移金属化合物が式[1]の場
合には、p+q+r=Vを満たす0または正の整数であ
り、メタロセン系遷移金属化合物が式[2]の場合に
は、p+q+r=V−nを満たす0または正の整数であ
る。通常pおよびqは0〜3の整数で、好ましくは0又
は1である。rは0〜3の整数で、好ましくは1又は2
である。nは0≦n≦Vを満たす整数である。R1 およ
び(または)R2 が置換されたものである場合、その置
換基としては、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数6
〜30のアリール基、ハロゲンが好ましい。
【0012】R1 およびR2 の具体例としては、(イ)
炭化水素基、例えば(i)炭素数1〜30、好ましくは
炭素数1〜10、のアルキル基、例えばメチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ
チル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシ
ル基等、(ii)炭素数6〜30、好ましくは炭素数6〜
20、のアリール基、例えばフェニル基、p−トリル
基、o−トリル基、m−トリル基等、(ロ)上記炭化水
素のハロ置換体、例えばフルオロメチル基、フルオロエ
チル基、フルオロフェニル基、クロロメチル基、クロロ
エチル基、クロロフェニル基、ブロモメチル基、ブロモ
エチル基、ブロモフェニル基、ヨードメチル基、ヨード
エチル基、ヨードフェニル基等、(ハ)炭素数1〜3
0、好ましくは炭素数1〜10、のケイ素含有炭化水素
基、例えばトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、
トリフェニルシリル基等、(ニ)炭素数1〜30、好ま
しくは炭素数1〜12、のリン含有炭化水素基、例えば
ジメチルフォスフィノ基、ジエチルフォスフィノ基、ジ
フェニルフォスフィノ基等、(ホ)炭素数1〜30、好
ましくは炭素数1〜10、の窒素含有炭化水素基、例え
ばジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピ
ルアミノ基等、(ヘ)炭素数1〜30、好ましくは炭素
数1〜20、の酸素含有炭化水素基、例えば(i)アル
コキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、
t−ブトキシ基等、(ii) アリールオキシ基、例えばフ
ェノキシ、メチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキ
シ基、p−トリルオキシ基、m−トリルオキシ基、o−
トリルオキシ基等が挙げられる。
【0013】これらのうちで特に好ましいものは、炭素
数1〜4のアルキル基、就中メチル基、エチル基、プロ
ピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t
−ブチル基等、アルキル(好ましくは炭素数1〜4のも
の)置換のケイ素含有基、就中トリメチルシリル基、炭
素数1〜4のアルコキシ基、就中メトキシ基、アリール
オキシ基、就中フェノキシ基等である。
【0014】また、2つのシクロペンタジエニル(C
p)基は、架橋基を介して互いに結合してもよい。その
ような架橋基の具体例としては、(イ)炭素数1〜3
0、好ましくは1〜20、のアルキレン基、例えばメチ
レン基、エチレン基、(ロ)炭素数1〜20のアルキリ
デン基、例えばエチリデン基、プロピリデン基、イソプ
ロピリデン基、フェニルメチリデン基、ジフェニルメチ
リデン基、(ハ)炭素数1〜20のケイ素含有架橋基、
例えばジメチルシリレン基、ジエチルシリレン基、ジプ
ロピルシリレン基、ジイソプロピルシリレン基、ジフェ
ニルシリレン基、メチルエチルシリレン基、メチルフェ
ニルシリレン基、メチルイソプロピルシリレン基、メチ
ル−t−ブチルシリレン基、(ニ)炭素数1〜20のゲ
ルマニウム含有架橋基、例えばジメチルゲルミレン基、
ジエチルゲルミレン基、ジプロピルゲルミレン基、ジイ
ソプロピルゲルミレン基、ジフェニルゲルミレン基、メ
チルエチルゲルミレン基、メチルフェニルゲルミレン
基、メチルイソプロピルゲルミレン基、メチル−t−ブ
チルゲルミレン基等、(ホ)窒素含有基、例えばアミノ
基等、(ヘ)ホウ素含有基、例えばホスフィニル基等が
あげられる。
【0015】同一のシクロペンタジエニル(Cp)基に
複数のR1 が存在する場合、あるいは複数のR2 が存在
する場合には、R1 どうし、またはR2 どうしがそのω
−端で互いに結合して環を形成してもよい。具体的に
は、インデニル基、テトラヒドロインデニル基、フルオ
レニル基、オクタヒドロフルオレニル基等が好ましくあ
げられ、これらは置換されていてもよい。この場合の置
換基としては、例えばメチル基、エチル基およびインデ
ニル基が好ましい。
【0016】R3 は、炭素数1から20の置換されてい
てもよい炭化水素基、水素、ハロゲン、ケイ素含有置換
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミド基、また
はチオアルコキシ基である。具体的には、(イ)アルキ
ル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペ
ンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基等、(ロ)アリール
基、例えばフェニル基、p−トリル基、o−トリル基、
m−トリル基等、(ハ)ハロ置換炭化水素、例えばフル
オロメチル基、フルオロエチル基、フルオロフェニル
基、クロロメチル基、クロロエチル基、クロロフェニル
基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、ブロモフェニル
基、ヨードメチル基、ヨードエチル基、ヨードフェニル
基等、(ニ)ハロゲン、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素等、(ホ)ケイ素含有基、例えばトリメチルシリル
基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基等、
(ヘ)アルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブ
トキシ基、t−ブトキシ基等、(ト)アリールオキシ
基、例えばフェノキシ、メチルフェノキシ、ペンタメチ
ルフェノキシ基、p−トリルオキシ基、m−トリルオキ
シ基、o−トリルオキシ基等、(チ)アミド基、例えば
ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミ
ド基、ジイソプロピルアミド基、エチル−t−ブチルア
ミド基、ビス(トリメチルシリル)アミド基等、(リ)
チオアルコキシ基、例えばメチルチオアルコキシ基、エ
チルチオアルコキシ基、プロピルチオアルコキシ基、ブ
チルチオアルコキシ基、t−ブチルチオアルコキシ基、
フェニルチオアルコキシ基等、および(ヌ)水素があげ
られる。これらのうちで好ましいものは、水素、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、フェニル基、塩素等のハロゲン、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ジメチルア
ミド基、メチルチオアルコキシ基があげられ、水素、メ
チル基および塩素が特に好ましい。
【0017】また、このR3 は、R1 もしくはR2 もし
くはCpと結合していてもよく、このような配位子の具
体例として、CpH4 (CH2 n O−(1≦n≦
5)、CpMe4 (CH2 n O−(1≦n≦5)、C
pH4 (Me2 Si)(t−Bu)N−、CpMe
4 (Me2 Si)(t−Bu)N−等(Cpはシクロペ
ンタジエニル基、Meはメチル、Buはブチル基を示
す)があげられる。さらに、R3 が複数存在する場合に
は、このうちの2つが相互に結合して二座配位子を形成
してもよい。このようなR3 の具体例としては、−OC
2 O−、−OCH2 CH2 O−、−O(o−C
6 4 )O−等があげられる。
【0018】Mは、周期律表第3、4、5または6族の
遷移金属原子であり、具体的には、スカンジウム、イッ
トリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジ
ム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビ
ウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリ
ウム、イッテルビウム、ルテチウム、アクチニウム、ト
リウム、プロトアクチニウム、ウラン、チタニウム、ジ
ルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタ
ル、クロム、モリブデン、タングステンがあげられる。
これらのうち、4族のチタニウム、ジルコニウム、ハフ
ニウムが好ましく用いられる。また、これらは混合して
用いてもよい。
【0019】Lは、電気的に中性な配位子を、mはその
個数で0以上の整数を示し、具体的にはジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサンのようなエーテル
類、アセトニトリルのようなニトリル類、ジメチルホル
ムアミドのようなアミド類、トリメチルホスフィンのよ
うなホスフィン類、トリメチルアミンのようなアミン類
をあげることができる。好ましくはテトラヒドロフラ
ン、トリメチルホスフィン、トリメチルアミンである。
【0020】[R4 n-は、カチオンを中和する1個ま
たは2個以上のアニオンであり、具体的には、テトラフ
ェニルボレート、テトラ(p−トリル)ボレート、カル
バドデカボレート、ジカルバウンデカボレート、テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、テトラフル
オロボレート、ヘキサフルオロフォスフェート等をあげ
ることができる。好ましくは、テトラフェニルボレー
ト、テトラ(p−トリル)ボレート、テトラフルオロボ
レート、ヘキサフルオロフォスフェートである。
【0021】上述のメタロセン系遷移金属化合物は、具
体的には、ジルコニウムを例にとれば、式[1]に相当
するものとしては、(1)ビス(メチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、(2)ビス(エチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
(3)ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジメチル、(4)ビス(エチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジメチル、(5)ビス(メチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、(6)ビス
(エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化
物、(7)ビス(ジメチルシクロペンタジエニル)ジル
コニウムジクロライド、(8)ビス(トリメチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(9)ビ
ス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、(10)ビス(エチルテトラメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(1
1)ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、
(12)ビス(ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジメチル、(13)ビス(トリメチルシクロペン
タジエニル)ジルコニウムジメチル、(14)ビス(テ
トラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチ
ル、(15)ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジメチル、(16)ビス(インデ
ニル)ジルコニウムジメチル、(17)ビス(ジメチル
シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、(1
8)ビス(トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウム二水素化物、(19)ビス(エチルテトラメチルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、(2
0)ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジメチル、(21)ビス(トリメチルシリル
シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、(2
2)ビス(トリフルオロメチルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロライド、(23)ビス(トリフルオ
ロメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチ
ル、(24)ビス(トリフルオロメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウム二水素化物、(25)イソプロピ
リデン−ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライ
ド、(26)イソプロピリデン−ビス(インデニル)ジ
ルコニウムジメチル、(27)イソプロピリデン−ビス
(インデニル)ジルコニウム二水素化物、(28)ペン
タメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、(29)ペンタメチル
シクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジメチル、(30)ペンタメチルシクロペンタジ
エニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化
物、(31)エチルテトラメチルシクロペンタジエニル
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、
(32)イソプロピリデン(シクロペンタジエニル)
(フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、(33)
イソプロピリデン(シクロペンタジエニル)(フルオレ
ニル)ジルコニウムジメチル、(34)ジメチルシリル
(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウ
ムジメチル、(35)イソプロピリデン(シクロペンタ
ジエニル)(フルオレニル)ジルコニウム二水素化物、
(36)ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロライド、(37)ビス(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジメチル、(38)ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジエチル、(39)ビス(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジプロピル、(40)ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、
(41)メチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、(42)エチルシ
クロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジクロライド、(43)メチルシクロペンタジエニ
ル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
(44)エチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジメチル、(45)メチルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
二水素化物、(46)エチルシクロペンタジエニル(シ
クロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、(4
7)ジメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロライド、(48)トリメチル
シクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、(49)テトラメチルシクロペン
タジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロライド、(50)ビス(ペンタメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、(51)テトラメ
チルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロライド、(52)インデニル(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(53)
ジメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジメチル、(54)トリメチルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジメチル、(55)テトラメチルシクロペンタジエニル
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、(5
6)ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジメチル、(57)エチルテトラメチルシクロペ
ンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
メチル、(58)インデニル(シクロペンタジエニル)
ジルコニウムジメチル、(59)ジメチルシクロペンタ
ジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素
化物、(60)トリメチルシクロペンタジエニル(シク
ロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、(61)
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム二水素化物、(62)インデニル(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム二水素化物、(63)トリメチルシ
リルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジメチル、(64)トリメチルシリルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
二水素化物、(65)トリフルオロメチルシクロペンタ
ジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロ
ライド、(66)トリフルオロメチルシクロペンタジエ
ニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
(67)トリフルオロメチルシクロペンタジエニル(シ
クロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、(6
8)ビス(シクロペンタジエニル)(トリメチルシリ
ル)(メチル)ジルコニウム、(69)ビス(シクロペ
ンタジエニル)(トリフェニルシリル)(メチル)ジル
コニウム、(70)ビス(シクロペンタジエニル)[ト
リス(トリメチルシリル)シリル](メチル)ジルコニ
ウム、(71)ビス(シクロペンタジエニル)[ビス
(メチルシリル)シリル](メチル)ジルコニウム、
(72)ビス(シクロペンタジエニル)(トリメチルシ
リル)(トリメチルシリルメチル)ジルコニウム、(7
3)ビス(シクロペンタジエニル)(トリメチルシリ
ル)(ベンジル)ジルコニウム、(74)メチレン−ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、(75)エチレン−ビス(シクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロライド、(76)イソプロピリデン
−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロラ
イド、(77)ジメチルシリル−ビス(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、(78)メチレン
−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチ
ル、(79)エチレン−ビス(シクロペンタジエニル)
ジルコニウムジメチル、(80)イソプロピリデン−ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
(81)ジメチリシリル−ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジメチル、(82)メチレン−ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、
(83)エチレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム二水素化物、(84)イソプロピリデン−ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム二水素化物、
(85)ジメチリシリル−ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム二水素化物、(86)ビス(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムビス(メタンスルホナ
ト)、(87)ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムビス(p−トルエンスルホナト)、(88)ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムビス(トリフル
オロメタンスルホナト)、(89)ビス(シクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムトリフルオロメタンスルホナト
クロライド、(90)ビス(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムビス(ベンゼンスルホナト)、(91)ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウムビス(ペンタフ
ルオロベンゼンスルホナト)、(92)ビス(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムベンゼンスルホナトクロラ
イド、(93)ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウム(エトキシ)トリフルオロメタンスルホナト、(9
4)ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムビス(トリフルオロメタンスルホナト)、(9
5)ビス(インデニル)ジルコニウムビス(トリフルオ
ロメタンスルホナト)、(96)エチレンビス(インデ
ニル)ジルコニウムビス(トリフルオロメタンスルホナ
ト)、(97)イソプロピリデン−ビス(インデニル)
ジルコニウムビス(トリフルオロメタンスルホナト)、
(98)(第3級ブチルアミド)ジメチル(テトラメチ
ルシクロペンタジエニル)シランジベンジルジルコニウ
ム(第3級ブチルアミド)ジメチル(2,3,4,5−
テトラメチルシクロペンタジエニル)シランジベンジル
ジルコニウム、(99)インデニルジルコニウムトリス
(ジメチルアミド)、(100)インデニルジルコニウ
ムトリス(ジエチルアミド)、(101)インデニルジ
ルコニウムトリス(ジ−n−プロピルアミド)、(10
2)シクロペンタジエニルジルコニウムトリス(ジメチ
ルアミド)、(103)メチルシクロペンタジエニルジ
ルコニウムトリス(ジメチルアミド)、(104)(第
3級ブチルアミド)(テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)−1,2−エタンジイルジルコニウムジクロライ
ド、(105)(メチルアミド)−(テトラメチルシク
ロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルジルコニウ
ムジクロライド、(106)(エチルアミド)(テトラ
メチルシクロペンタジエニル)メチレンジルコニウムジ
クロライド、(107)(第3級ブチルアミド)ジメチ
ル−(テトラメチルシクロペンタジエニル)シランジル
コニウムジクロライド、(108)(ベンジルアミド)
ジメチル(テトラメチルシクロペンタジエニル)シラン
ジルコニウムジクロライド、(109)(フィニルホス
フィド)ジメチル(テトラメチルシクロペンタジエニ
ル)シランジルコニウムジベンジル、(110)(フェ
ニルアミド)ジメチル(テトラメチルシクロペンタジエ
ニル)シランジルコニウムジクロライド、(111)
(2−メトキシフェニルアミド)ジメチル(テトラメチ
ルシクロペンタジエニル)シランジルコニウムジクロラ
イド、(112)(4−フルオロフェニルアミド)ジメ
チル(テトラメチルシクロペンタジエニル)シランジル
コニウムジクロライド、(113)((2,6−ジ(1
−メチルエチル)フェニル)アミド)ジメチル(テトラ
メチルシクロペンタジエニル)アミドジルコニウムジク
ロライド、等がある。
【0022】(114)ビス(1,3−ジメチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(115)
ビス(1−エチル−3−メチルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロリド、(116)ビス(1−n−プ
ロピル−3−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロリド、(117)ビス(1−i−プロピル−3
−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリ
ド、(118)ビス(1−n−ブチル−3−メチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、(11
9)ビス(1−i−ブチル−3−メチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロリド、(120)ビス(1
−シクロヘキシル−3−メチルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロリド、(121)ビス(1,3−ジ
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
(122)ビス(1−エチル−3−メチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジメチル、(123)ビス(1
−n−プロピル−3−メチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジメチル、(124)ビス(1−n−ブチル
−3−メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメ
チル、(125)ビス(1,3−ジメチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムビス(ジエチルアミド)、(1
26)ビス(1−エチル−3−メチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムビス(ジエチルアミド)、(12
7)ビス(1−n−ブチル−3−メチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムビス(ジエチルアミド)、
【0023】また、一般式[2]に相当するものとして
は、(1)ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウム(クロライド)(テトラフェニルボレート)テト
ラヒドロフラン錯体、(2)ビス(エチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(3)ビス(メ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(4)ビス(エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、(5)ビス(メチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、(6)ビス(エチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラ
フェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(7)ビ
ス(ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(ク
ロライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、(8)ビス(トリメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、(9)ビス(テトラメ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライ
ド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、(10)ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニル
ボレート)テトラヒドロフラン錯体、(11)ビス(イ
ンデニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(12)ビス
(ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチ
ル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、(13)ビス(トリメチルシクロペンタジエニル)
ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テ
トラヒドロフラン錯体、(14)ビス(テトラメチルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラ
フェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(15)
ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジエニル)ジル
コニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラ
ヒドロフラン錯体、(16)ビス(インデニル)ジルコ
ニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒ
ドロフラン錯体、(17)ビス(ジメチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニル
ボレート)テトラヒドロフラン錯体、(18)ビス(ト
リメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリ
ド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、(19)ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、(20)ビス(トリ
メチルシリルシクロペンタジエニル)ジルコニウム(メ
チル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン
錯体、(21)ビス(トリメチルシリルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、(22)ビス(トリ
フルオロメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、(23)ビス(トリフルオロメチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェ
ニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(24)イソ
プロピリデン−ビス(インデニル)ジルコニウム(クロ
ライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラ
ン錯体、(25)イソプロピリデン−ビス(インデニ
ル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、(26)イソプロピリデ
ン−ビス(インデニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(2
7)ペンタメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタ
ジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(28)エチル
テトラメチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、(29)ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラ
ヒドロフラン錯体、(30)エチルテトラメチルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、(31)ペンタメチルシクロペンタジエニル
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(32)エチルテトラメチルシクロペンタジエニル(シ
クロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テト
ラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(3
3)イソプロピリデン(シクロペンタジエニル)(フル
オレニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(34)イソプ
ロピリデン(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)
ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テ
トラヒドロフラン錯体、(35)イソプロピリデン(シ
クロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウム
(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、(36)ビス(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボレート)
テトラヒドロフラン錯体、(37)ビス(シクロペンタ
ジエニル)(メチル)ジルコニウム(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、(38)ビス(シク
ロペンタジエニル)(エチル)ジルコニウム(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(39)ビ
ス(シクロペンタジエニル)(プロピル)ジルコニウム
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(40)ビス(シクロペンタジエニル)(フェニル)ジ
ルコニウム(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、(41)メチルシクロペンタジエニル(シク
ロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テト
ラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(4
2)エチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、(43)ビス(エチル
シクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(44)メチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジ
エニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレ
ート)テトラヒドロフラン錯体、(45)エチルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、(46)メチルシクロペンタジエニル(シク
ロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラ
フェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(47)
エチルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)
ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)
テトラヒドロフラン錯体、(48)ジメチルシクロペン
タジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ク
ロライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、(49)トリメチルシクロペンタジエニル
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(50)テトラメチルシクロペンタジエニル(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(51)ビ
ス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
(クロライド)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、(52)インデニル(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、(53)ジメチルシ
クロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、(54)トリメチルシクロペンタジエニ
ル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(55)テトラメチルシクロペンタジエニル(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(56)ビス
(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフ
ラン錯体、(57)シクロペンタジエニル(インデニ
ル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、(58)ジメチルシクロ
ペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、(59)トリメチルシクロペンタジエニル
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(60)ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テ
トラヒドロフラン錯体、(61)インデニル(シクロペ
ンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフェ
ニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(62)トリ
メチルシリルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、(63)トリメチルシリ
ルシクロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テト
ラヒドロフラン錯体、(64)トリフルオロメチルシク
ロペンタジエニル(シクロペンタジエニル)ジルコニウ
ム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒド
ロフラン錯体、(65)ビス(シクロペンタジエニル)
(トリメチルシリル)ジルコニウム(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、(66)ビス(シク
ロペンタジエニル)(トリフェニルシリル)ジルコニウ
ム(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、(67)ビス(シクロペンタジエニル)[トリス
(トリメチルシリル)シリル]ジルコニウム(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(68)ビ
ス(シクロペンタジエニル)(トリメチルシリルメチ
ル)ジルコニウム(テトラフェニルボレート)テトラヒ
ドロフラン錯体、(69)ビス(シクロペンタジエニ
ル)(ベンジル)ジルコニウム(テトラフェニルボレー
ト)テトラヒドロフラン錯体、(70)メチレン−ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライド)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(71)エチレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(クロライド)(テトラフェニルボレート)テ
トラヒドロフラン錯体、(72)イソプロピリデン−ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(クロライ
ド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯
体、(73)ジメチルシリル−ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウム(クロライド)(テトラフェニルボ
レート)テトラヒドロフラン錯体、(74)メチレン−
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)
(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、
(75)エチレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テトラ
ヒドロフラン錯体、(76)イソプロピリデン−ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(メチル)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(7
7)ジメチルシリル−ビス(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム(メチル)(テトラフェニルボレート)テト
ラヒドロフラン錯体、(78)メチレン−ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(79)エ
チレン−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム
(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、(80)イソプロピリデン−ビス(シクロ
ペンタジエニル)ジルコニウム(ヒドリド)(テトラフ
ェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(81)ジ
メチルシリル−ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニ
ウム(ヒドリド)(テトラフェニルボレート)テトラヒ
ドロフラン錯体、(82)ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウム(メタンスルホナト)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(83)ビス
(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(p−トルエン
スルホナト)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、(84)ビス(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム(トリフルオロメタンスルホナト)(テトラ
フェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(85)
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウム(ベンゼン
スルホナト)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロ
フラン錯体、(86)ビス(シクロペンタジエニル)ジ
ルコニウム(ペンタフルオロベンゼンスルホナト)(テ
トラフェニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(8
7)ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウム(トリフルオロメタンスルホナト)(テトラフェ
ニルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(88)ビス
(インデニル)ジルコニウム(トリフルオロメタンスル
ホナト)(テトラフェニルボレート)テトラヒドロフラ
ン錯体、(89)エチレンビス(インデニル)ジルコニ
ウム(トリフルオロメタンスルホナト)(テトラフェニ
ルボレート)テトラヒドロフラン錯体、(90)イソプ
ロピリデン−ビス(インデニル)ジルコニウム(トリフ
ルオロメタンスルホナト)(テトラフェニルボレート)
テトラヒドロフラン錯体、等がある。
【0024】また、チタニウム化合物、ハフニウム化合
物等の他の第3、4、5、6族金属化合物についても、
上記と同様の化合物が挙げられる。更にこれらの化合物
の混合物を用いてもよい。 <成分(B)> 層状珪酸塩粒子 <一般的説明>本発明による成分(B)層状珪酸塩粒子
は、スメクタイト族の層状珪酸塩および雲母族の層状珪
酸塩からなる混合物であって、このスメクタイト族の層
状珪酸塩を0.1〜50重量%含有するものである。こ
こで、[からなる]とは、スメクタイト族の層状珪酸塩
および雲母族の層状珪酸塩のみからなるもの、即ち、ス
メクタイト族の層状珪酸塩0.1〜50重量%と雲母族
の層状珪酸塩50〜99.9重量%のものの外に、これ
らのスメクタイト族の層状珪酸塩および雲母族の層状珪
酸塩以外の合目的的もしくは不可避的に存在することに
なる成分を少量、例えば上記両族の層状珪酸塩の0.1
〜30重量%程度、含むものをも意味する。
【0025】そして、本発明による層状珪酸塩粒子は、
上記に加えて、下記の特定の条件(イ)〜(ハ)を同時
に充足することも好ましい。 条件(イ):平均粒径が20μm以上、1000μm以
下であり、かつ粒径10μm以下の粒子の数が全粒子数
の20%以下であること、 条件(ロ):微小圧縮試験器で測定した粒子の圧壊強度
が0.5MPa以上であること、 条件(ハ):粒子の嵩密度が0.6g/cm3 以上であ
ること。
【0026】ここで、条件(イ)とは、本発明による層
状珪酸塩粒子の平均粒径および粒径が10μm以下の存
在比率に関するものであって、具体的には、平均粒径が
20μm以上1000μm以下であり、かつ10μm以
下の粒子の数が全粒子の20%以下であること、という
ものである。本発明では、平均粒径が20μm以上50
μm以下、特に20μm以上100μm以下、のものが
好ましく、粒径10μm以下の粒子が全粒子の15%以
下、特に10%未満、であるものが好ましい。従って、
条件(イ)は、平均粒径および粒子径10μm未満の粒
子の存在量に関する上記の好ましい条件の両方を満たす
ものが本発明では好ましい。
【0027】ここで、粒子の測定は、具体的には(株)
セイシン企業社のレーザー回折法による粒度分布測定装
置(「LMS−24」、光源:半導体レーザー(波長6
70nm))を用いて行ったときのものである。測定
は、エタノールを分散媒として用い、屈折率1.33、
形状係数1.0として粒径分布および平均粒径を算出し
た。
【0028】条件(ロ)は、本発明による層状珪酸塩粒
子の強度に関するものであって、具体的には微小圧縮試
験器で測定した粒子の圧壊強度が0.5MPa以上であ
ること、というものである。本発明で好ましい条件
(ロ)は、圧壊強度が1.0MPa以上であること、と
いうものである。上限は40MPa程度である。ここ
で、圧壊強度は、具体的には、島津製作所社製微小圧縮
試験器「MCTM−500」を用いて、任意の10個以
上の粒子の圧縮強度を測定し、その平均値を圧壊強度と
して求めたときのものである。
【0029】条件(ハ)は、本発明による層状珪酸塩粒
子の嵩密度に関するものであって、具体的にはその値が
0.6g/cm3 以上、好ましくは0.7g/cm3
上、であること、というものである。上限は1.5g/
cm3 程度である。 <スメクタイト族の層状珪酸塩>本発明による層状珪酸
塩粒子を得るために用いられるスメクタイト族の層状珪
酸塩とは、2:1型層構造をもつ層状珪酸塩のうち、ス
メクタイト族に属する層状珪酸塩をいうものである。代
表的なものとしては、一般にはモンモリロナイト、バイ
デライト、サポナイト、ノントロナイト、ヘクトライ
ト、ソーコナイト等がある。本発明では、天然品または
合成品いずれも使用可能である。「クニピア」、「スメ
クトン」(いずれもクニミネ工業社製)、「モンモリロ
ナイトK10」(アルドリッチ社製、ジュートヘミー社
製)、「K−Catalystsシリーズ」(ジュート
ヘミー社製)等の市販品を利用することもできる。本発
明の実施にあたっては、これらを単独で用いても、2種
以上を任意に混合して用いることもできる。
【0030】このようなスメクタイト族の層状珪酸塩
は、必要に応じて、粉砕処理することができる。目的と
する本発明による層状珪酸塩粒子を、例えばスラリー状
態を経て製造する方法(詳細後記)によって得る場合に
は、このような粉砕処理に付することによってスメクタ
イト族の層状珪酸塩をスラリー分散媒に高分散させるこ
とができる。よって、上記の方法によって製造する場合
には、スメクタイト族の層状珪酸塩は粉砕処理に付すこ
とが好ましい。この際の粉砕方法は特に限定されるもの
ではないが、高速の気流による粒子同士の衝突あるいは
粒子と粉砕装置壁との衝突により粉砕する方法は、工業
的規模で容易に実施可能な方法の一つである。使用可能
な具体的な装置としては、ジェットミルおよびシングル
トラックミル等が挙げられる。粉砕後の粒子の大きさ
は、好ましくは0.01〜50μm、特に好ましくは
0.01〜30μm、である。なお、粉砕処理後のこの
スメクタイト族の層状珪酸塩粒子の直径および粒径分布
は、それを本発明による層状珪酸塩粒子としたときに
は、上記の条件(イ)を満たすものであることは言うま
でもない。
【0031】<雲母族の層状珪酸塩>本発明による層状
珪酸塩粒子を得るために用いられる雲母族の層状珪酸塩
とは、2:1型層構造をもつ雲母族に属する層状珪酸塩
をいうものである。代表的なものとしては、白雲母、パ
ラゴナイト、金雲母、黒雲母、レピドライト等がある。
本発明では、天然品または合成品いずれも使用可能であ
る。市販品の「合成雲母ソマシフ」(コープケミカル社
製)、「フッ素金雲母」、「フッ素四ケイ素雲母」、
「テニオライト」(いずれもトピー工業社製)等は、本
発明において特に好ましいものの代表例である。本発明
では、これらを単独で用いることも、2種以上を混合し
て用いることもできる。
【0032】<具体的説明>本発明による層状珪酸塩粒
子は、上記の雲母族の層状珪酸塩とスメクタイト族の層
状珪酸塩からなる混合物である。スメクタイト族層状珪
酸塩の含量は、0.1〜50重量%、好ましくは1〜3
0重量%、である。スメクタイト族層状珪酸塩の含量が
この範囲より少なすぎると圧壊強度又は嵩密度が低下す
るという問題が、また逆に多すぎると噴霧造粒法により
層状珪酸塩粒子を製造する際、水スラリーの粘度が高過
ぎノズルの目詰まり等を起こし、逆に適当なスラリー粘
度にするため濃度を下げると平均粒径が小さくなり、条
件(イ)を満たさなくなるという問題が生じる。
【0033】また、本発明では、スメクタイト族の層状
珪酸塩および雲母族の層状珪酸塩の両者とも、イオン交
換性(ないし膨潤性)であることが好ましい。ここで、
「イオン交換性」とは、層状珪酸塩の層間陽イオンが交
換可能なことを意味する。また、「膨潤性」とは、層状
珪酸塩が水と共存するとその層間域に水分子を取り込ん
で底面間隔が拡大することを意味する。底面間隔拡大の
割合は、少なくとも1.2倍、好ましくは1.5倍、以
上である。また「層状」というのは層構造を有すること
を意味する。
【0034】一般に、天然品は、非イオン交換性(非膨
潤性)であることが多く、その場合は、好ましいイオン
交換性(ないし膨潤性)を有するものとするために、イ
オン交換性(ないし膨潤性)を付与するための処理を行
うことが好ましい。そのような処理のうちで特に好まし
いものとしては、次のような化学処理があげられる。す
なわち、これらの両珪酸塩は、化学処理を施したもので
あることが好ましい。ここで、化学処理とは、表面に付
着している不純物を除去する表面処理と、層状珪酸塩の
結晶構造、化学組成に影響を与える処理のいずれをも用
いることができる。具体的には、(イ)酸処理、(ロ)
アルカリ処理、(ハ)塩類処理、(ニ)有機物処理等が
挙げられる。これらの処理は、表面の不純物を取り除
く、層間の陽イオンを交換する、結晶構造のAl、S
i、Mg等の陽イオンを溶出させ、その結果、イオン複
合体、分子複合体、有機複合体等を形成し、表面積や層
間距離、固体酸性度等をかえることができる。これらの
処理は単独で行ってもよいし、2つ以上の処理を組み合
わせてもよい。なお、この「化学処理」の結果として、
両珪酸塩の一方または両方のイオン交換性(ないし膨潤
性)の付与あるいは向上が見られる場合、この「化学処
理」は、前記の「イオン交換性(ないし膨潤性)を付与
するための処理」と捉えることもできる。これらの化学
処理は、スメクタイト族層状珪酸塩および雲母族層状珪
酸塩に対して、両者の混合前にどちらか一方にまたは両
方に行ってもよいし、混合の後に両者に対して同時に行
ってもよい。
【0035】化学処理に用いられる(イ)酸としては、
合目的的な無機酸あるいは有機酸、好ましくは、例え
ば、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、シュウ酸等が挙げられ、
(ロ)アルカリとしては、NaOH、KOH、NH3
挙げられる。(ハ)塩類としては、2族から14族原子
からなる群より選ばれた少なくとも一種の原子を含む陽
イオンと、ハロゲン原子または無機酸もしくは有機酸由
来の陰イオンからなる群より選ばれた少なくとも一種の
陰イオン、とからなる化合物が好ましい。更に好ましい
ものは、Al、Mg、Ti、Zr、Hf、Cr、Zn、
Sn、Cu、Ni、Fe、NbまたはTa由来のイオン
を陽イオンとするもの、Cl、SO4 、NO3 、OH、
2 4 およびPO4 由来のイオンを陰イオンとするも
の、である。(ニ)有機物としては、アルコール(炭素
数1〜4の脂肪族アルコール、好ましくは例えばメタノ
ール、エタノール、プロパノール、エチレングリコー
ル、グリセリン、炭素数6〜8の芳香族アルコール、好
ましくは例えばフェノール)、高級炭化水素(炭素数5
〜10、好ましくは5〜8、のもの、好ましくは例えば
ヘキサン、ヘプタン等が挙げられる。また、ホルムアミ
ド、ヒドラジン、ジメチルスルホキシド、N−メチルホ
ルムアミド、N,N−ジメチルアニリン等が好ましくあ
げられる。ここで、原子の周期律は、1989年にIU
PACにより推奨された18族方式に基づくものであ
る。
【0036】層状珪酸塩粒子が、上記の条件(イ)〜
(ハ)を同時に充足していない場合、あるいは同時に充
足しているときであってもより好ましいものとするため
に、本発明では、例えば、造粒、分粒、分別等によって
粒子の性状を制御することができる。その方法は合目的
的な任意のものでありうる。特に、造粒法について示せ
ば、例えば噴霧造粒法、転動造粒法、圧縮造粒法、撹拌
造粒法、ブリケッティング法、コンパクティング法、押
し出し造粒法、流動層造粒法、乳化造粒法および液中造
粒法等が挙げられる。特に好ましい造粒法は、上記のう
ち、噴霧造粒法、転動造粒法および圧縮造粒法である。
【0037】このような粒子性状の制御を行なう場合に
は、スメクタイト族の層状珪酸塩粒子と雲母族の層状珪
酸塩からなる混合物を、その制御方法に適するような形
態にあらかじめしておくことが出来る。例えば粒子性状
の制御の方法として噴霧造粒法を採用する場合には、前
記混合物を分散媒に分散させてスラリー状としておくこ
とができ、かつ好ましい。
【0038】噴霧造粒で用いられる分散媒としては、水
あるいは有機物、(例えばメタノール、エタノール、ク
ロロホルム、塩化メチレン、ペンタン、ヘキサン、ヘプ
タン、トルエン、キシレン)の単独または混合溶液が好
ましい。これらの中で特に好ましいものは水である。ス
ラリー濃度は5〜70重量%、好ましくは10〜50重
量%、更に好ましくは20〜40重量%、である。最適
なスラリー濃度は、スラリー粘度を考慮して適宜選ばれ
る。具体的には6000cps以下、好ましくは10〜
5000cps、特に好ましくは1000〜3000c
ps、である。
【0039】本発明において、スラリー粘度とは、B型
粘度計で温度30℃、6rpmで測定した値を示す。こ
の粘度が6000cps超過であると噴霧ノズルへの液
の送りが難しく、また、ノズルの目詰まり等が生じる傾
向があり、逆に粘度を下げるためにスラリー濃度を下げ
ると粒子形の小さな造粒品しか得られない傾向がある。
造粒粒子の粒子径は噴霧速度にもよるが、スラリー濃度
が5%未満では10μm以上の粒子を得ることは難し
い。噴霧に際しては、ディスクタイプや加圧ノズル式、
2流体ノズル式などの一般的な噴霧乾燥方法が適用でき
る。いずれの場合も噴霧時の熱風の入口温度は150℃
から300℃程度の広い温度範囲で設定できる。また、
排気温度はノズルからの噴霧流量などによって規定され
るが、おおむね100℃前後がよい。
【0040】したがって、本発明による層状珪酸塩粒子
の代表的かつ簡便で経済的な製造法の一つとしては、雲
母族の層状珪酸塩およびスメクタイト族の層状珪酸塩の
混合粉体を、イオン交換処理に付し、得られたイオン交
換体を分散媒に分散させてスラリーとし、次いで、この
スラリーを噴霧造粒処理に付すことからなる方法を挙げ
ることができる。この場合、スメクタイト族層状珪酸塩
の含量は、0.1〜50重量%、好ましくは0.5〜4
0重量%、特に好ましくは1〜30重量%添加、混合す
ることが望ましい。
【0041】また、他の代表的かつ簡便で経済的な構造
法としては、イオン交換処理に付した雲母族の層状珪酸
塩を分散媒に分散させてスラリーとし、ここにイオン交
換処理を行わないスメクタイト族の層状珪酸塩のスラリ
ーを添加、混合したスラリーを噴霧造粒処理に付す方法
が挙げられる。成分(A)メタロセン系遷移金属化合
物、および成分(B)層状珪酸塩粒子との組合わせ物
は、そのままでもオレフィンの重合活性を示すものであ
ることが普通であるが、場合により、有機アルミニウム
化合物をさらに組合わせることによって、より好適なオ
レフィン重合用触媒とすることができる。従って、本発
明は、また、このようなメタロセン系遷移金属化合物お
よび有機アルミニウム化合物と前記の層状珪酸塩粒子と
を組み合わせてなるオレフィン重合用触媒をも包含する
ものである。ここで、「組み合わせてなる」とは、上記
の三成分以外の合目的的な他の成分との組み合わせ物を
も包含する。
【0042】<有機アルミニウム化合物>本発明におい
て用いられる有機アルミニウム化合物は、重合系に存在
する水分等による触媒活性の低下を抑制し、この添加に
より触媒活性の向上にも寄与しているものと思われる。
したがって、有機アルミニウム化合物の添加は望まし態
様の一つである。本発明において用いられる有機アルミ
ニウム化合物の例は、
【化2】AlR6 j 3-j
【0043】(式中、R6 は炭素数1〜20、好ましく
は1〜10、の炭化水素基を示し、Xは水素、ハロゲン
またはアルコキシ基を示す、jは0<j≦3の数)で示
されるものである。特にトリアルキルアルミニウム、例
えばトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミ
ニウム等、ハロゲンもしくはアルコキシ含有アルキルア
ルミニウム、例えばジエチルアルミニウムモノクロライ
ド、ジエチルアルミニウムメトキシド等、が好ましい。
またこの他、メチルアルミノキサン等のアルミノキサン
等も使用できる。これらのうちでも特にトリアルキルア
ルミニウムが好ましい。
【0044】前記の層状珪酸塩粒子およびメタロセン系
遷移金属化合物および有機アルミニウム化合物等の各触
媒成分の接触方法は特に限定されない。また、この触媒
各成分の接触に際し、前記以外の触媒成分、例えばポリ
エチレン、ポリプロピレン等の重合体、シリカ、アルミ
ナ等の無機酸化物の固体を共存させ、あるいは接触させ
ることもできる。
【0045】接触は、窒素ガス等の不活性ガス中、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、キシレン等の不
活性炭化水素溶媒中で行うことができる。接触温度は、
−20℃から溶媒の沸点の間、特に室温から溶媒の沸点
の間、で行うのが好ましい。触媒成分の使用量は、触媒
担体1g当たり、メタロセン系化合物成分が0.000
1〜10mmol、好ましくは0.001〜1mmol
であり、必要に応じて使用される有機アルミニウム成分
が使用されるときは、その使用量は10000mmol
以下、好ましくは0.0001〜100mmol、であ
る。また、配合量をメタロセン系化合物中の遷移金属と
有機アルミニウム中のアルミニウムの原子比で示すと、
1:1,000,000以下、好ましくは1:0.1〜
10000、である。
【0046】このようにして得られた触媒は、洗浄せず
に用いてもよく、また洗浄した後に用いてもよい。この
ようにしてなる本発明によるオレフィン重合用触媒は、
それに炭素数2〜20、好ましくは2〜10、のオレフ
ィンを少量接触させることからなる予備重合工程に付し
たもの(予備重合処理済触媒)としてオレフィンの重合
に使用することができる。予備重合工程におけるオレフ
ィンとしては、例えばエチレン、プロピレン、1−ブテ
ン、1−ヘキセン、1−オクテン、4−メチル−1−ペ
ンテン、3−メチル−1−ブテン、ビニルシクロアルカ
ン、スチレン等がある。
【0047】この予備重合工程では、必要に応じて、有
機アルミニウム成分化合物(好ましくは前記したもの)
を組み合わせて用いることができる。この際に用いられ
る有機アルミニウム成分の量は、メタロセン系化合物中
の遷移金属に対する有機アルミニウム化合物中のアルミ
ニウム原子比で1:0〜10000になるように選ばれ
る。この予備重合は、不活性溶媒中で緩和な条件で行う
ことが好ましく、固体触媒1g当たり、0.01〜10
00g、好ましくは0.1〜100g、の重合体が生成
するように行うことが望ましい。予備重合処理済触媒
は、必要に応じて、洗浄することができる。
【0048】<オレフィン重合用触媒の使用/オレフィ
ンの重合>上記の本発明による層状珪酸塩粒子とメタロ
セン系遷移金属化合物と(および必要に応じてさらに有
機アルミニウム化合物)を組合わせてなる触媒、あるい
は必要に応じて他の適当な処理(例えば予備重合処理あ
るいは洗浄処理)を経て得られた本発明によるオレフィ
ン重合用触媒は、炭素数2〜20、好ましくは2〜1
0、のα−オレフィン、あるいはこれと共重合可能な他
の単量体と接触させることによって、上記単量体を重合
(単独重合および共重合(ランダムおよびブロック、重
合法によってはランダム共重合)を含む)させることが
できる。
【0049】重合に用いられるオレフィンの特に好まし
い具体例としては、エチレン、プロピレン、1−ブテ
ン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテン、3−メ
チル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン、ビニル
シクロアルカン、スチレンあるいはこれらの誘導体等が
ある。重合反応は、ブタン、ペンテン、ヘキサン、ヘプ
タン、トルエン、シクロヘキサン等の不活性炭化水素や
液化α−オレフィン等の溶媒存在下、あるいは不存在下
に行われる。温度は、−50℃〜250℃好ましくは0
〜200℃であり、圧力は特に制限されないが、好まし
くは常圧〜2000kg/cm2 の範囲である。また、
重合系内に分子量調節剤として水素を存在させることも
できる。
【0050】
【実施例】次に実施例によって本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限りこれら
実施例によって制約を受けるものではない。実施例およ
び比較例においてメルト・フロー・インデックス(以下
「MFR」という)はJIS−6758にもとづき、温
度が190℃、荷重2.16kgの条件で測定した。 <実施例1> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(ソマシフME−100、コープ
ケミカル社製、平均粒径7μm)400gと市販の親水
性スメクタイト(SWN、コープケミカル社製、平均粒
径5μm)100gとを混合し、これを2.0wt%硝
酸クロム水溶液2.8リットル中に分散させ、常温で2
時間撹拌した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得ら
れた固体部に水を添加し、20.0wt%水スラリーに
調製し、噴霧乾燥処理を行った。この結果、平均粒径5
4μmの粒子が450g得られた。粒径10μm以下の
粒子の数は全粒子の4%であり、圧壊強度は2.0MP
a、嵩密度は0.75g/ccであった。
【0051】(2)オレフィン重合用触媒の調製 得られた層状珪酸塩粒子を50gをフラスコに入れ、減
圧下(1〜2mmHg)200℃で2時間減圧加熱乾燥
を行った。加熱乾燥体を、窒素雰囲気下で、内容積20
0mlフラスコに2.0g取り、そこにトルエン62m
l入れ撹拌した。あらかじめ調製しておいたビス(ノル
マルブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロ
ライドのトルエン溶液(20μmol/ml)を8ml
添加し、室温で10分間撹拌し、オレフィン重合用触媒
を得た。
【0052】(3)エチレン重合 窒素置換した1リットルのオートクレーブにヘプタン5
00ml、トリエチルアルミニウム0.5mmolを順
次仕込み、65℃に昇温した。エチレンを導入して7k
g/cm2 に保ち、(1)で得られた触媒を80mg仕
込み重合を開始した。90分間重合を続けた。気相中の
ガスをパージして重合を停止させた。得られたエチレン
重合体は30gであり、ふるいによる粒径測定の結果、
平均粒径は680μm、105μm以下の微粉は0.5
%、嵩密度は0.35g/ccであった。
【0053】<比較例1> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(ソマシフME−100、コープ
ケミカル社製、平均粒径7μm)500gを2.0wt
%硝酸クロム水溶液2.5リットル中に分散させ、常温
で2時間撹拌した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。
得られた固体部に水を添加し、20.0wt%水スラリ
ーに調製し、噴霧乾燥処理を行った。この結果、平均粒
径60μmの粒子が400g得られた。粒径10μm以
下の粒子の数は全粒子の10%であり、圧壊強度は0.
1MPa、嵩密度は0.55g/ccであった。
【0054】(2)オレフィン重合用触媒およびエチレ
ン重合 上記で得られた層状珪酸塩粒子を用いる以外は、実施例
1と同様の方法で触媒を製造し、その触媒を用いて実施
例1と同様にしてエチレン重合を行った。その結果、得
られたエチレン重合体は30gであり、嵩密度は0.1
4g/cc、平均粒径は750μm、105μm以下の
微粉は15%であった。
【0055】<実施例2> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(ソマシフME−100、コープ
ケミカル社製、平均粒径7μm)250gと市販の親水
性スメクタイト(SWN、コープケミカル社製、平均粒
径5μm)250gとを混合し、これを4.0wt%硝
酸クロム水溶液3.0リットル中に分散させ、常温で2
時間撹拌した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得ら
れた固体部に水を添加し、20.0wt%水スラリーに
調製し、噴霧乾燥処理を行った。この結果、平均粒径6
0μmの粒子が420g得られた。粒径10μm以下の
粒子の数は全粒子の2%であり、圧壊強度は9.4MP
a、嵩密度は0.85g/ccであった。
【0056】(2)オレフィン重合用触媒の製造 上記層状珪酸塩粒子50gを、フラスコに入れ、減圧下
(1〜2mmHg)200℃で2時間の減圧加熱乾燥を
行った。加熱処理担体を、窒素雰囲気下で、内容積20
0mlフラスコに2.0g取り、そこにトルエンを62
ml入れ撹拌した。あらかじめ調製しておいたジメチル
シリル−ビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド
のトルエン溶液(20μmol/ml)を8ml添加、
室温で10分間撹拌し、オレフィン重合用触媒とした。
【0057】(3)エチレン−ブテン共重合 窒素置換した1リットルのオートクレーブにヘプタン5
00ml、1−ブテン30ml、トリエチルアルミニウ
ム0.5mmolを順次仕込み、65℃に昇温した。エ
チレンを導入して22kg/cm2 Gに保ち、(2)で
得られた触媒を30mg仕込み重合を開始した。90分
間重合を続けた。気相中のガスをパージして重合を停止
させた。得られたエチレン−ブテン共重合体は45gで
あり、嵩密度は0.34g/cc、平均粒径は860μ
m、105μm以下の微粉は1.2%であった。また、
得られたエチレン−ブテン共重合体は、MFR=2.
5、密度0.927g/ccであった。
【0058】<比較例2>比較例1(1)の層状珪酸塩
粒子を用いる以外は、実施例2と同様にして、触媒の製
造およびエチレン−ブテン共重合を行った。その結果、
得られたエチレン−ブテン共重合体は40gであり、嵩
密度は0.12g/cc、平均粒径は900μm、10
5μm以下の微粉は23%であり、微粉が反応器壁に付
着した。得られた重合体は、MFR=1.5、密度0.
921g/ccであった。
【0059】<実施例3> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(ソマシフME−100、コープ
ケミカル社製、平均粒径7μm)350gと市販の親水
性スメクタイト(SWN、コープケミカル社製、平均粒
径5μm)150gとを混合し、これを3.0wt%硫
酸4.0リットル中に分散させ、常温で2時間撹拌し
た。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得られた固体部
に水を添加し、15.0wt%水スラリーに調製し、噴
霧乾燥処理を行った。この結果、平均粒径40μmの粒
子が410g得られた。粒径10μm以下の粒子の数は
全粒子の3%であり、圧壊強度は2.7MPa、嵩密度
は0.76g/ccであった。
【0060】(2)オレフィン重合用触媒の製造 上記層状珪酸塩粒子50gを、フラスコに入れ、減圧下
(1〜2mmHg)200℃で2時間の減圧加熱乾燥を
行った。加熱処理担体を、窒素雰囲気下で、内容積20
0mlフラスコに2.0g取り、そこにトルエンを62
ml入れ撹拌した。あらかじめ調製しておいたビス(ノ
ルマルブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロライドのトルエン溶液(20μmol/ml)を8m
l添加、室温で10分間撹拌し、オレフィン重合用触媒
とした。
【0061】(3)エチレン−ブテン共重合 窒素置換した1リットルのオートクレーブにヘプタン5
00ml、1−ブテン60ml、トリエチルアルミニウ
ム0.5mmolを順次仕込み、65℃に昇温した。エ
チレンを導入して22kg/cm2 Gに保ち、(2)で
得られた触媒を30mg仕込み重合を開始した。90分
間重合を続けた。気相中のガスをパージして重合を停止
させた。得られたエチレン−ブテン共重合体は45gで
あり、嵩密度は0.32g/cc、平均粒径は700μ
m、105μm以下の微粉は0.8%であった。
【0062】<比較例3> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(ソマシフME−100、コープ
ケミカル社製、平均粒径7μm)500gを3.0wt
%硫酸4.0リットル中に分散させ、常温で2時間撹拌
した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得られた固体
部に水を添加し、15.0wt%水スラリーに調製し、
噴霧乾燥処理を行った。この結果、平均粒径60μmの
粒子が370g得られた。粒径10μm以下の粒子の数
は全粒子の12%であり、圧壊強度は0.5MPa、嵩
密度は0.40g/ccであった。 (2)オレフィン重合用触媒およびエチレン−ブテン共
重合 上記で得られた層状珪酸塩粒子を用いる以外は、実施例
3と同様の方法で触媒を製造し、その触媒を用いて実施
例3と同様にしてエチレン重合を行った。その結果、得
られたエチレン重合体は30gであり、嵩密度は0.2
2g/cc、平均粒径は900μm、105μm以下の
微粉は4.2%であった。
【0063】<実施例4> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(Na−テニオライト、トピー工
業社製、平均粒径10μm)200gを4.0wt%硝
酸クロム水溶液1.0リットル中に分散させ、常温で2
時間撹拌した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得ら
れた固体部に水を添加し、30.0wt%水スラリーに
調製した。そのスラリーに市販の親水性スメクタイト
(SWN、コープケミカル社製、平均粒径12μm)の
1.5wt%水スラリーを400ml添加し、噴霧乾燥
処理を行った。このとき親水性スメクタイトの含量は3
wt%であった。この結果、平均粒径65μmの粒子が
150g得られた。粒径10μm以下の粒子の数は0%
であり、圧壊強度は3.5MPa、嵩密度は0.88g
/ccであった。
【0064】(2)オレフィン重合用触媒およびエチレ
ン−ブテン共重合 上記層状珪酸塩を用いる以外は、実施例3と同様の方法
で触媒を製造し、その触媒を用いて実施例3と同様にし
てエチレン−ブテン共重合を行った。その結果、得られ
たエチレン−ブテン共重合体は28gであり、嵩密度は
0.36g/cc、平均粒径は650μm、105μm
以下の微粉は0.2%であった。
【0065】<比較例4> (1)層状珪酸塩の製造 市販の膨潤性合成雲母(Na−テニオライト、トピー工
業社製、平均粒径10μm)200gを4.0wt%硝
酸クロム水溶液1.0リットル中に分散させ、常温で2
時間撹拌した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得ら
れた固体部に水を添加し、30.0wt%水スラリーに
調製し、噴霧乾燥処理を行った。この結果、平均粒径7
0μmの粒子が180g得られた。粒径10μm以下の
粒子の数は10%であり、圧壊強度は0.2MPa、嵩
密度は0.40g/ccであった。
【0066】(2)オレフィン重合用触媒およびエチレ
ン−ブテン共重合 上記層状珪酸塩粒子を用いる以外は、実施例3と同様に
してオレフィン重合用触媒の製造およびエチレン−ブテ
ン共重合を行った。その結果、得られたエチレン−ブテ
ン共重合体は25gであり、嵩密度は0.22g/c
c、平均粒径は820μm、105μm以下の微粉は
7.3%であった。
【0067】<比較例5> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(Na−テニオライト、トピー工
業社製、平均粒径10μm)200gを4.0wt%硝
酸クロム水溶液1.0リットル中に分散させ、常温で2
時間撹拌した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得ら
れた固体部に水を添加し、30.0wt%水スラリーに
調製した。そのスラリーに市販のシリカゾル(Cata
loid−S S−2L、触媒化成工業社製、平均粒径
0.02μm、SiO2 20〜21wt%)を300
g添加し、噴霧乾燥処理を行った。このときスラリー濃
度は27wt%、シリカの含量は23wt%であった。
この結果、平均粒径70μmの粒子が180g得られ
た。粒径10μm以下の粒子の数は10%であり、圧壊
強度は0.8MPa、嵩密度は0.57g/ccであっ
た。
【0068】(2)オレフィン重合用触媒およびエチレ
ン−ブテン共重合 上記層状珪酸塩粒子を用いる以外は、実施例3と同様に
してオレフィン重合用触媒の製造およびエチレン−ブテ
ン共重合を行った。その結果、得られたエチレン−ブテ
ン共重合体は20gであり、嵩密度は0.24g/c
c、平均粒径は780μm、105μm以下の微粉は
3.2%であった。
【0069】<比較例6> (1)層状珪酸塩粒子の製造 市販の膨潤性合成雲母(Na−テニオライト、トピー工
業社製、平均粒径10μm)200gを4.0wt%硫
酸亜鉛水溶液1.0リットル中に分散させ、常温で2時
間撹拌した。これを脱塩水にて濾過・洗浄した。得られ
た固体部に水を添加し、30.0wt%水スラリーに調
製した。そのスラリーに市販のセラミック用バインダー
「SMR」(SMR−10M、信越化学工業社製、PV
A系バインダー)の5.0wt%水溶液を400g添加
し、噴霧乾燥処理を行った。このときバインダー含量は
9wt%であった。この結果、平均粒径58μmの粒子
が170g得られた。粒径10μm以下の粒子の数は2
5%であり、圧壊強度は0.6MPa、嵩密度は0.4
8g/ccであった。
【0070】(2)オレフィン重合用触媒およびエチレ
ン−ブテン共重合 上記層状珪酸塩粒子を用いる以外は、実施例3と同様に
してオレフィン重合用触媒の製造およびエチレン−ブテ
ン共重合を行った。その結果、得られたエチレン−ブテ
ン共重合体は20gであり、嵩密度は0.19g/c
c、平均粒径は710μm、105μm以下の微粉は1
0%であった。
【0071】<実施例5> (1)オレフィン重合用触媒の調製 実施例1(1)で得られた層状珪酸塩粒子を50gをフ
ラスコに入れ、減圧下(1〜2mmHg)200℃で2
時間減圧加熱乾燥を行った。加熱乾燥体を、窒素雰囲気
下で、内容積200mlフラスコに2.0g取り、そこ
にトルエン62ml入れ撹拌した。次いで、トリエチル
アルミニウムを12mmol添加し、室温で2時間撹拌
した。その後トルエンでデカンテーションにより洗浄し
た。あらかじめ調製しておいたジメチルシリル−ビス
(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウム
ジクロライドのトルエン溶液(20μmol/ml)を
37.5ml添加、さらにトリイソブチルアルミニウム
を7.5mmol添加し、室温で30分間撹拌し、オレ
フィン重合用触媒を得た。
【0072】(2)プロピレン−バルク重合 窒素置換した1リットルのオートクレーブにプロピレン
500ml、トリイソブチルアルミニウム0.5mol
を順次仕込み、750℃に昇温した。触媒成分を層状珪
酸塩粒子あたり15mg仕込み重合を開始した。2時間
重合を続けた。エタノールを圧入することで重合を停止
させた。得られたプロピレン重合体は32gであり、ふ
るいによる粒径測定の結果、平均粒径は720μm、1
05μm以下の微粉は0.5%、嵩密度は0.45g/
ccであった。
【0073】
【表1】
【0074】
【表2】
【0075】
【表3】
【0076】
【発明の効果】本発明によれば、粒径の整った、強度が
高く、嵩密度が高く、微粉や粗粒が少ない等の粒子性状
に優れたオレフィン重合用触媒およびオレフィン重合体
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の理解を助けるためのフローチャート
図。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の成分(A)および成分(B)から
    なるオレフィン重合用触媒。 成分 成分(A)メタロセン系遷移金属化合物 成分(B)スメクタイト族層状珪酸塩と雲母族層状珪酸
    塩とからなり、スメクタイト族の層状珪酸塩を0.1〜
    50重量%含有する層状珪酸塩粒子。
  2. 【請求項2】 成分(B)層状珪酸塩粒子が下記条件
    (イ)〜(ハ)を同時に充足する請求項1に記載のオレ
    フィン重合用触媒。 条件(イ):平均粒径が20μm以上、1000μm以
    下であり、かつ粒径10μm以下の粒子の数が全粒子数
    の20%以下であること、 条件(ロ):微小圧縮試験器で測定した粒子の圧壊強度
    が0.5MPa以上であること、 条件(ハ):粒子の嵩密度が0.6g/cm3 以上であ
    ること。
  3. 【請求項3】 雲母族の層状珪酸塩が、イオン交換性で
    ある、請求項1または2に記載のオレフィン重合用触
    媒。
  4. 【請求項4】 成分(B)層状珪酸塩粒子が、雲母族層
    状珪酸塩に含有される交換性陽イオンの30%以上を周
    期律表の第2族から第14族の陽イオンまたはH+ に交
    換してなるものである、請求項1から3いずれかに記載
    のオレフィン重合用触媒。
  5. 【請求項5】 成分(B)層状珪酸塩粒子が、それに含
    有される交換性陽イオンの30%以上を周期律表の第2
    族から第14族の陽イオンまたはH+ に交換してなるも
    のである、請求項1から3いずれかに記載のオレフィン
    重合用触媒。
  6. 【請求項6】 スメクタイト族の層状珪酸塩の平均粒径
    が、0.01μmから50μmである請求項1から4の
    いずれかに記載のオレフィン重合用触媒。
  7. 【請求項7】 スメクタイト族の層状珪酸塩が、モンモ
    リロナイトである、請求項1から6のいずれか1項に記
    載のオレフィン重合用触媒。
  8. 【請求項8】 スメクタイト族の層状珪酸塩が、ヘクト
    ライトである、請求項1から6のいずれか1項に記載の
    オレフィン重合用触媒。
  9. 【請求項9】 請求項1から8に記載のオレフィン重合
    用触媒に有機アルミニウム化合物を組み合わせてなる、
    オレフィン重合用触媒。
  10. 【請求項10】 請求項9に記載のオレフィン重合用触
    媒にオレフィンを接触させて重合させることを特徴とす
    るオレフィン重合体の製造方法。
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JP2008184498A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Japan Polypropylene Corp プロピレン系ブロック共重合体の製造方法
JP2020063434A (ja) * 2018-10-12 2020-04-23 日本ポリエチレン株式会社 エチレン系重合触媒、及びエチレン系重合体の製造方法

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