JPH11145280A

JPH11145280A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11145280A
Application number: JP30380997A
Authority: JP
Inventors: Kazumi Sugai; 和己菅井
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-11-06
Filing date: 1997-11-06
Publication date: 1999-05-28
Anticipated expiration: 2017-11-06
Also published as: JP3147835B2

Abstract

(57)【要約】【課題】微細で信頼性が高いエアギャップ配線を高精
度で形成することができる半導体装置の製造方法を提供
する。【解決手段】電極２が選択的に形成された基板１上
に、第１の感光性ポリイミド膜を形成する。次に、第１
の感光性ポリイミド膜にｉ線を選択的に照射し、これを
パターニングすることにより、第１の感光性ポリイミド
膜パターン３が形成される。次いで、これらの上に、第
２の感光性ポリイミド膜４を塗布した後、ｉ線を選択的
に照射して、これをパターニングすることにより、第２
の感光性ポリイミド膜パターン５が形成される。その
後、これらの上面にアルミニウム膜を堆積させ、その表
面を研磨して第２の感光性ポリイミド膜パターン５の上
面を露出させた後、有機溶媒により感光性ポリイミド膜
パターンを剥離することにより、電極２間に跨るアルミ
ニウム膜からなるエアギャップ配線が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は層間絶縁膜を使用し
ないエアギャップ配線を有する半導体装置の製造方法に
関し、特に、高精度で信頼性が高い半導体装置の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近時、ＬＳＩの動作の高速化のために、
層間絶縁膜を使用しないエアギャップ配線を有する半導
体装置が使用されており、これに伴って、容易にエアギ
ャップ配線を形成することができる形成方法が提案され
ている（特開平２−２１９２５６号公報）。図６（ａ）
及び（ｂ）及び図７（ａ）乃至（ｃ）は従来の半導体装
置の製造方法を工程順に示す断面図である。図６（ａ）
に示すように、半導体基板１上に電極２が選択的に形成
されている。

【０００３】この２つの電極２に跨るエアギャップ配線
を形成する場合、図６（ｂ）に示すように、電極２が形
成された半導体基板１上に、レジスト膜１１ａをスピン
コーティングする。そして、これらの上方に、露光用光
透過層２２を配置する。この光透過層２２における電極
２間の上方に位置する領域には、半透過層２４が接着さ
れている。また、光透過層２２における電極２の上方に
位置する領域及び半透過層２４が接着された領域を除く
領域には、遮蔽層２３が接着されている。このように構
成された露光用光透過層２２を介して、上方からレジス
ト膜１１ａに露光用光２１を照射する。

【０００４】そうすると、光透過層２２における半透過
層２４及び遮蔽層２３が形成されていない領域を透過し
た光２１は、電極２の表面に到達する。また、半透過層
２４を透過した光２１は、半透過層２４を透過すること
により、その強度が弱められて、レジスト膜１１ａの膜
厚の中央付近に到達する。なお、遮蔽層２３の上方から
照射された光２１は、遮蔽層２３により完全に遮蔽され
るので、レジスト膜１１ａまで到達しない。

【０００５】光２１を照射した後、レジスト膜１１ａを
エッチングすることにより、図７（ａ）に示すように、
配線２間に、この配線よりも厚い膜厚のレジスト膜パタ
ーン１１ｂが形成されると共に、配線２間と配線２が形
成された領域とを除く領域に、レジスト膜パターン１１
ｂよりも厚い膜厚のレジスト膜パターン１１ｃが形成さ
れる。

【０００６】その後、図７（ｂ）に示すように、これら
の上方に蒸着によりアルミニウム膜１２を形成する。そ
の後、図７（ｃ）に示すように、所定のエッチング液を
使用して、レジスト膜パターン１１ｂ及び１１ｃを除去
する。これにより、レジスト膜パターン１１ｃの上面に
形成されたアルミニウム膜はレジスト膜パターン１１ｃ
と共に除去されて、電極２及びレジスト膜パターン１１
ｂの上面に形成されたアルミニウム膜のみが残存する。
その結果、電極２間に跨るアルミニウム膜からなる配線
１４が形成される。

【０００７】このように、レジスト膜１１ｂ及び１１ｃ
を仮の層間絶縁膜として使用し、配線となるアルミニウ
ム膜を形成した後、レジスト膜１１ｂ及び１１ｃを除去
することにより、エアギャップを有する配線１４を形成
することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６及
び図７に示す従来の製造方法を使用して、半導体装置を
製造すると、以下に示す問題点が発生する。即ち、従来
の製造方法においては、仮の層間絶縁膜としてレジスト
膜を使用しているが、このレジスト膜は耐熱性が低く、
例えば、良好な被覆性が得られる金属膜の成膜方法であ
る高温スパッタリング法及びリフロースパッタリング法
等のスパッタリング方法を使用することができない。そ
こで、蒸着により金属膜を形成すると、電極２間に形成
される金属膜の膜厚が極めて薄くなるので、微細で信頼
性が高いエアギャップ配線を形成することが困難とな
る。

【０００９】また、半導体基板上にレジスト膜を多層に
塗布する場合には、上層のレジスト膜を形成するときに
下層のレジスト膜が溶出するので、レジスト膜の膜厚
は、レジスト膜材料の粘度とスピンコーティングの回転
数によって決定される。従って、所望の厚さのレジスト
膜を形成することができず、多層配線の形成が困難とな
る。更に、従来の製造方法によると、光透過層２２及び
半透過層２４を透過する光２１の強度によって、配線１
４の厚さが決定されるので、信頼性が高い配線１４を高
精度で形成することができない。

【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、微細で信頼性が高いエアギャップ配線を高
精度で形成することができる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、基板上に２以上の導電層を選択的に形成
する工程と、前記基板上及び前記導電層上に、第１の感
光性耐熱高分子層を形成する工程と、前記第１の感光性
耐熱高分子層を選択的に露光して、前記導電層の上方に
おける第１の感光性耐熱高分子層を選択的に除去する工
程と、前記導電層及び第１の感光性耐熱高分子層を覆う
第２の感光性耐熱高分子層を形成する工程と、前記第２
の感光性耐熱高分子層を選択的に露光して、これを除去
することにより前記第１の感光性耐熱高分子層を選択的
に露出させる配線形成用溝を形成する工程と、全面に第
１の金属膜を堆積する工程と、前記配線形成用溝の内部
以外の領域に形成された前記第１の金属膜を除去する工
程と、前記第１及び第２の感光性耐熱高分子層を除去し
て、前記導電層に跨る形状の第１の金属膜からなる第１
の配線を形成する工程と、を有することを特徴とする。

【００１２】これらの感光性耐熱高分子層は、感光性ポ
リイミド、ポリアミド酸エステル及びポリベンゾイミダ
ゾールからなる群から選択された１種の高分子からなる
ことが好ましい。また、前記感光性耐熱高分子層を露光
する工程においては、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエ
キシマレーザ、ｉ線及びｇ線からなる群から選択された
１種を使用することができる。

【００１３】更に、前記金属膜は、アルミニウム及び銅
からなる群から選択された１種の金属からなることが好
ましく、これらは、化学気相成長法、メッキ法、物理気
相化学成長法及びスパッタリング法からなる群から選択
された１種の形成方法により形成することができる。更
にまた、感光性耐熱高分子層を除去する工程は、プラズ
マアッシング処理及び有機溶剤を使用したウエット処理
からなる群から選択された少なくとも１種の処理方法を
使用することができる。

【００１４】本発明に係る半導体装置の製造方法は、全
面に第３の感光性耐熱高分子層を形成する工程と、前記
第３の感光性耐熱高分子層を選択的に露光して、これを
除去する工程と、前記第３の感光性耐熱高分子層を覆う
第４の感光性耐熱高分子層を形成する工程と、前記第２
の感光性耐熱高分子層を選択的に露光して、これを除去
することにより前記第３の感光性耐熱高分子層を選択的
に露出させる配線形成用溝を形成する工程と、全面に第
２の金属膜を堆積する工程と、前記配線形成用溝の内部
以外の領域に形成された前記第２の金属膜を除去する工
程と、からなる一連の工程を、前記金属膜を除去する工
程と、前記第１及び第２の感光性耐熱高分子層を除去す
る工程との間に１又は２回以上繰り返して実施すること
ができ、この場合、前記第１及び第２の感光性耐熱高分
子層を除去する工程においては、全ての感光性耐熱高分
子層を除去することが好ましい。

【００１５】本発明においては、第１の感光性耐熱高分
子層を形成し、これを所定の形状にパターニングした
後、更にこれらの上に第２の感光性耐熱高分子層を形成
して、これをパターニングする。このとき、パターニン
グされた第１の感光性耐熱高分子層は硬化しているの
で、露光領域を調整することにより、第１及び第２の感
光性耐熱高分子層が積層された部分（積層膜）が形成さ
れると共に、この積層膜の間に、第１の感光性耐熱高分
子層のみが残存する部分が形成される。このようにし
て、前記積層膜の間に、配線形成用溝が形成される。そ
して、配線形成用溝を埋設する金属膜を形成し、この配
線形成用溝以外の領域に形成された金属膜を除去した
後、感光性耐熱高分子層を除去することにより、エアギ
ャップを有する金属膜からなる配線を形成することがで
きる。

【００１６】このように、本発明においては、配線の高
さは前記積層膜の高さに依存し、配線の膜厚は、前記積
層膜の高さと前記第１の感光性耐熱高分子層の高さとの
差、即ち、第２の感光性耐熱高分子層の膜厚に依存す
る。従って、配線の高さ及び膜厚を容易に調整すること
ができ、信頼性が高い配線を高精度に形成することがで
きる。

【００１７】また、配線形成用溝以外の領域に形成され
た金属膜を除去し、上述の方法と同様に、２層の感光性
耐熱高分子層の形成及びパターニングを順次実施して、
金属膜を形成した後、全ての耐熱高分子層を除去する
と、エアギャップを有する配線を任意の層数で容易に形
成することができる。また、本発明においては、感光性
耐熱高分子層を使用しており、この耐熱高分子層はレジ
スト膜と比較して耐熱性が高いので、配線を形成するた
めの金属膜を形成する方法として、被覆性が良好である
高温スパッタリング法等により形成することができる。
更に、耐熱高分子層を積層する場合に、下層の耐熱高分
子層を形成した後に、上層の耐熱高分子層を形成して
も、熱により下層が溶出されることがないので、任意の
厚さで耐熱高分子層が形成される。従って、微細で信頼
性が高いエアギャップ配線を形成することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係る半導
体装置の製造方法について、添付の図面を参照して具体
的に説明する。図１（ａ）乃至（ｄ）及び図２（ａ）乃
至（ｃ）は、本発明の実施例に係る半導体装置の製造方
法を工程順に示す断面図である。図１（ａ）に示すよう
に、例えば８インチの半導体基板１上には、絶縁膜（図
示せず）を介してアルミニウムからなる電極（導電層）
２が選択的に形成されている。

【００１９】図１（ｂ）に示すように、スピナー（図示
せず）を使用して、基板１上に第１の感光性ポリイミド
膜（感光性耐熱高分子層，図示せず）を塗布する。具体
的には、基板１をスピナーに設置し、基板１の表面上に
例えば感光性ポリイミド液を滴下した後、基板１を例え
ば２０００乃至５０００回転で４０秒間保持する。これ
により、基板１上に５０００乃至１００００Åの膜厚で
第１の感光性ポリイミド膜を形成することができる。次
に、この第１の感光性ポリイミド膜を６０乃至１８０℃
の温度でベーキングした後、電極２の上方に位置する第
１の感光性ポリイミド膜のみがエッチング除去されるよ
うに、水銀ランプのｉ線を５０乃至５００（ｍＪ／ｃｍ
²）の強度で選択的に照射する。次いで、第１の感光性
ポリイミド膜を６０乃至１３０℃の温度で３０乃至１８
０分間ベーキングした後、現像液に浸漬し、２５０℃の
温度でこれを硬化させることにより、基板１上の電極２
が形成されていない領域に、電極２よりも厚い均一な膜
厚の第１の感光性ポリイミド膜パターン３が形成され
る。

【００２０】その後、図１（ｃ）に示すように、第１の
感光性ポリイミド膜を形成した場合と同様にして、電極
２上及び第１の感光性ポリイミド膜パターン３上に、第
２の感光性ポリイミド膜４を塗布し、これをベーキング
する。

【００２１】その後、図１（ｄ）に示すように、電極２
の上方及び電極２間の第１の感光性ポリイミド膜パター
ン３の上方に形成された第２の感光性ポリイミド膜４の
みがエッチング除去されるように、水銀ランプのｉ線を
選択的に照射し、これをパターニングする。このとき、
電極２の上方及び電極２間の第１の感光性ポリイミド膜
パターン３の上方に形成された第２の感光性ポリイミド
膜４は除去されるが、電極２間の第１の感光性ポリイミ
ド膜パターン３は既に硬化しているので、エッチングに
より除去されず、残存する。また、基板１上の電極２間
を除く領域においては、第１の感光性ポリイミド膜パタ
ーン３上に第２の感光性ポリイミド膜４が積層されるの
で、第１の感光性ポリイミド膜パターン３よりも厚い膜
厚の第２の感光性ポリイミド膜パターン５が形成され
る。本実施例においては、第２の感光性ポリイミド膜パ
ターン５間の領域が、配線形成用溝となる。

【００２２】その後、図２（ａ）に示すように、これら
の上面にＴｉ及びＴｉＮ等の高融点金属膜（図示せず）
をスパッタリングにより形成した後、全面に化学気相成
長法により第１のアルミニウム膜（第１の金属膜）６を
堆積させる。具体的には、ジメチルアルミニウムハイド
ライド（ＤＭＡＨ：（ＣＨ₃）２ＡｌＨ）を使用すると
共に、Ｈ₂ガスをキャリアガスとして、流量を３０乃至
３０００ｓｃｃｍとし、基板温度を１００乃至２４０
℃、ＤＭＡＨの分圧を０．０１乃至３０Ｔｏｒｒとし
て、気相成長することにより、第１のアルミニウム膜６
を形成することができる。

【００２３】その後、図２（ｂ）に示すように、第１の
アルミニウム膜６の表面をスラリーを使用した化学機械
研磨（ＣＭＰ）により研磨することにより、第２の感光
性ポリイミド膜パターン５の上面を露出させる。

【００２４】その後、図２（ｃ）に示すように、アセト
ン、エタノール及びメタノール等の有機溶媒を使用し
て、感光性ポリイミド膜パターン３及び５を剥離除去す
ることにより、電極２の上面及び感光性ポリイミド膜パ
ターン３の上面に形成されたアルミニウム膜のみが残存
する。その結果、電極２間に跨るアルミニウム膜からな
るエアギャップを有する配線７が形成される。なお、感
光性ポリイミド膜パターン３及び５は、有機溶媒を使用
したウエット処理のみでも十分に剥離することができる
が、プラズマアッシングを使用してもよい。また、図１
（ａ）に示す工程において、現像液に浸漬した後の第１
の感光性ポリイミド膜を硬化させる温度は、化学気相成
長時の温度よりも高い温度であれば、パターンが崩れな
い範囲で任意に設定することができる。

【００２５】このように、本実施例によれば、配線７が
形成される高さ及び膜厚が、第２のポリイミド膜４の膜
厚によって決定されるので、信頼性が高い配線７を高精
度に形成することができる。

【００２６】図３（ａ）乃至（ｃ）、図４（ａ）及び
（ｂ）並びに図５（ａ）乃至（ｃ）は本発明を利用して
多層配線を形成する場合の半導体装置の製造方法を工程
順に示す断面図である。図３乃至図５において、図１及
び図２と同一物には同一符号を付して、その詳細な説明
は省略する。先ず、図２（ｂ）に示す工程までと同様
に、基板１上に感光性ポリイミド膜パターン３及び５を
形成すると共に、電極２上及び電極２間の感光性ポリイ
ミド膜パターン３の上に、配線７を形成する。このと
き、第２の感光性ポリイミド膜パターン５の上面と、配
線７の上面とは、平坦な表面となっている。

【００２７】次に、図３（ｂ）に示すように、これらの
上面に、スピナー（図示せず）を使用して、第３の感光
性ポリイミド膜８ａを塗布する。具体的には、基板１を
スピナーに設置し、第２の感光性ポリイミド膜パターン
５及び配線７の上面に、例えば感光性ポリイミド液を滴
下した後、基板１を例えば２０００乃至５０００回転で
４０秒間保持する。これにより、表面に５０００乃至１
００００Åの膜厚で第３の感光性ポリイミド膜８ａを均
一に形成することができる。

【００２８】次いで、図３（ｃ）に示すように、この第
３の感光性ポリイミド膜８ａを６０乃至１８０℃の温度
でベーキングした後、電極２の上方に位置する第３の感
光性ポリイミド膜８ａのみがエッチング除去されるよう
に、水銀ランプのｉ線を５０乃至５００（ｍＪ／ｃ
ｍ²）の強度で選択的に照射する。次いで、第３の感光
性ポリイミド膜８ａを６０乃至１３０℃の温度で３０乃
至１８０分間ベーキングした後、現像液に浸漬し、２５
０乃至４５０℃の温度でこれを硬化させることにより、
第２の感光性ポリイミド膜パターン５の上及び第１の感
光性ポリイミド膜パターン３の上方における配線７上
に、均一な膜厚の第３の感光性ポリイミド膜パターン８
が形成される。

【００２９】その後、図４（ａ）に示すように、第３の
感光性ポリイミド膜８ａを形成した場合と同様にして、
配線７上及び第３の感光性ポリイミド膜パターン８上
に、第４の感光性ポリイミド膜１６を塗布し、これをベ
ーキングする。

【００３０】その後、図４（ｂ）に示すように、配線７
の上方に形成された第４の感光性ポリイミド膜１６のみ
がエッチング除去されるように、水銀ランプのｉ線を選
択的に照射し、これをパターニングする。このとき、配
線７の上方における第４の感光性ポリイミド膜１６は除
去されるが、配線７上に形成された第３の感光性ポリイ
ミド膜パターン８は既に硬化しているので、エッチング
により除去されず、残存する。また、第２の感光性ポリ
イミド膜パターン５上においては、第３の感光性ポリイ
ミド膜パターン８上に第４の感光性ポリイミド膜１６が
積層されるので、第３の感光性ポリイミド膜パターン８
よりも厚い膜厚の第４の感光性ポリイミド膜パターン１
５が形成される。

【００３１】その後、図５（ａ）に示すように、４３０
℃の高温スパッタリング法により、全面に第２のアルミ
ニウム膜９を堆積させる。

【００３２】その後、図５（ｂ）に示すように、第２の
アルミニウム膜９の表面をスラリーを使用した化学機械
研磨により研磨することにより、第２の感光性ポリイミ
ド膜パターン５の上面を露出させる。

【００３３】その後、図５（ｃ）に示すように、１００
Ｗ乃至２ｋＷのプラズマアッシングを実施することによ
り、第１、第２、第３及び第４の感光性ポリイミド膜パ
ターン３、５、８及び１５を全て剥離除去する。これに
より、電極２間に跨る形状で、アルミニウム膜からなり
エアギャップを有する配線７が形成されると共に、配線
７の上にアルミニウム膜からなりエアギャップを有する
配線１０が形成される。なお、感光性ポリイミド膜パタ
ーンの剥離工程においては、プラズマアッシングの使用
に、有機溶媒を使用したウエット処理を併用してもよ
い。

【００３４】このように、図３（ｂ）に示す感光性ポリ
イミド膜の塗布工程から、図５（ｂ）に示す化学機械研
磨による研磨工程までを順次繰り返し、最後に全ての感
光性ポリイミド膜パターンを剥離することにより、エア
ギャップを有する配線を任意の層数で容易に形成するこ
とができる。なお、感光性ポリイミド膜はレジスト膜と
比較して耐熱性が高いので、配線７及び１０を形成する
ためのアルミニウム膜を形成する方法が限定されず、ア
ルミニウム膜を形成する方法として、例えば被覆性が良
好である高温スパッタリング法等を使用することができ
る。更に、感光性ポリイミド膜を積層する場合に、下層
の感光性ポリイミド膜を形成した後に、上層の感光性ポ
リイミド膜を形成しても、熱により下層が溶出されるこ
とがなく、任意の厚さで感光性ポリイミド膜を形成する
ことができる。従って、微細で信頼性が高いエアギャッ
プ配線が形成される。

【００３５】なお、上述した実施例においては、仮の層
間絶縁膜として、感光性ポリイミド膜を使用したが、本
発明においては、感光性耐熱高分子層であればよく、例
えば、ポリアミド酸エステル及びポリベンゾイミダゾー
ル等の高分子層を使用することができる。

【００３６】また、本実施例においては、アルミニウム
膜を形成するための原料ガスとして、ジメチルアルミニ
ウムハイドライド（ＤＭＡＨ）を使用したが、本発明は
これに限定されるものではない。例えば、トリイソブチ
ルアルミニウム等のアルキルアルミニウムからなる原料
ガス、及びアルミニウムハイドライドアミンアダクツか
らなる原料ガス等を使用しても、同様にアルミニウム膜
を形成することができる。

【００３７】更に、本発明においては、配線の原料とし
てはアルミニウムに限定されず、Ｃｕ膜からなる配線を
形成することができる。この場合には、ヘキサフロロア
セチアルアセトナート銅トリメチルビニルシラン等の原
料を使用した化学気相成長法により、Ｃｕ膜を形成する
ことができる。更にまた、配線を形成するための金属膜
の堆積方法としては、化学気相成長法の他に、メッキ又
は物理気相成長法を使用してもよい。

【００３８】更にまた、本実施例においては、水銀ラン
プのｉ線を使用したリソグラフィにより、感光性ポリイ
ミド膜パターンを形成したが、本発明においてはこれに
限定されず、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエ
キシマレーザ及びｇ線を使用したリソグラフィにより、
感光性耐熱高分子層をパターニングすることができる。

【００３９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
配線の高さ及び膜厚が露光強度により決定されるのでは
なく、第２の感光性耐熱高分子層の膜厚によって決定さ
れるので、信頼性が高い配線を高精度に形成することが
できる。また、一連の配線を形成する工程を順次繰り返
し、最後に全ての耐熱高分子層を剥離することにより、
エアギャップを有する配線を任意の層数で容易に形成す
ることができる。更に、耐熱高分子層はレジスト膜と比
較して耐熱性が高いので、配線を形成するための金属膜
を形成する方法が制限されず、例えば、被覆性が良好で
ある高温スパッタリング法等により金属膜を形成するこ
とができる。更にまた、感光性耐熱高分子層を積層して
も、熱により下層の高分子層が溶出されることがなく、
任意の厚さで耐熱高分子層が形成されるので、微細で信
頼性が高いエアギャップ配線を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の実施例に係る半
導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。

【図２】（ａ）乃至（ｃ）は、図１の次工程を工程順に
示す断面図である。

【図３】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明を利用して多層配
線を形成する場合の半導体装置の製造方法を工程順に示
す断面図である。

【図４】（ａ）及び（ｂ）は、図３の次工程を工程順に
示す断面図である。

【図５】（ａ）乃至（ｃ）は、図４の次工程を工程順に
示す断面図である。

【図６】（ａ）及び（ｂ）は、従来の半導体装置の製造
方法を工程順に示す断面図である。

【図７】（ａ）乃至（ｃ）は、図６の次工程を工程順に
示す断面図である。

【符号の説明】

１；半導体基板２；電極３，５，８，１５；感光性ポリイミド膜パターン４，８ａ，１６；感光性ポリイミド膜６，９，１２；アルミニウム膜７，１０，１４；配線１１ａ；レジスト膜１１ｂ，１１ｃ；レジスト膜パターン２１；光２２；光透過層２３；遮蔽層２４；半透過層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に２以上の導電層を選択的に形成
する工程と、前記基板上及び前記導電層上に、第１の感
光性耐熱高分子層を形成する工程と、前記第１の感光性
耐熱高分子層を選択的に露光して、前記導電層の上方に
おける第１の感光性耐熱高分子層を選択的に除去する工
程と、前記導電層及び第１の感光性耐熱高分子層を覆う
第２の感光性耐熱高分子層を形成する工程と、前記第２
の感光性耐熱高分子層を選択的に露光して、これを除去
することにより前記第１の感光性耐熱高分子層を選択的
に露出させる配線形成用溝を形成する工程と、全面に第
１の金属膜を堆積する工程と、前記配線形成用溝の内部
以外の領域に形成された前記第１の金属膜を除去する工
程と、前記第１及び第２の感光性耐熱高分子層を除去し
て、前記導電層に跨る形状の第１の金属膜からなる第１
の配線を形成する工程と、を有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
【請求項２】前記第１及び第２の感光性耐熱高分子層
は、感光性ポリイミド、ポリアミド酸エステル及びポリ
ベンゾイミダゾールからなる群から選択された１種の高
分子からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項３】前記第１及び第２の感光性耐熱高分子層
を露光する工程においては、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ、ｉ線及びｇ線からなる群から選択
された１種が使用されることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記第１の金属膜は、アルミニウム及び
銅からなる群から選択された１種の金属からなることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記第１の金属膜は、化学気相成長法、
メッキ法、物理気相化学成長法及びスパッタリング法か
らなる群から選択された１種の形成方法により形成され
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項６】前記第１及び第２の感光性耐熱高分子層
を除去する工程は、プラズマアッシング処理及び有機溶
剤を使用したウエット処理からなる群から選択された少
なくとも１種の処理方法を使用することを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】全面に第３の感光性耐熱高分子層を形成
する工程と、前記第３の感光性耐熱高分子層を選択的に
露光して、これを除去する工程と、前記第３の感光性耐
熱高分子層を覆う第４の感光性耐熱高分子層を形成する
工程と、前記第２の感光性耐熱高分子層を選択的に露光
して、これを除去することにより前記第３の感光性耐熱
高分子層を選択的に露出させる配線形成用溝を形成する
工程と、全面に第２の金属膜を堆積する工程と、前記配
線形成用溝の内部以外の領域に形成された前記第２の金
属膜を除去する工程と、からなる一連の工程を、前記金
属膜を除去する工程と、前記第１及び第２の感光性耐熱
高分子層を除去する工程との間に１又は２回以上繰り返
して実施し、前記第１及び第２の感光性耐熱高分子層を
除去する工程においては、全ての感光性耐熱高分子層を
除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
の製造方法。