JPH1154615A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH1154615A JPH1154615A JP9206252A JP20625297A JPH1154615A JP H1154615 A JPH1154615 A JP H1154615A JP 9206252 A JP9206252 A JP 9206252A JP 20625297 A JP20625297 A JP 20625297A JP H1154615 A JPH1154615 A JP H1154615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- photosensitive member
- opening
- exposure
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚膜のレジストに順テーパー形状の開孔を形
成する。 【解決手段】 被処理基板である半導体基板１０上に、
１．５μｍ以上の厚膜のレジスト２０を塗布する。次
に、このレジスト２０を露光して開孔２２を形成する
が、その際、露光時の焦点位置をレジスト２０のボトム
側へデフォーカスさせる。これにより、厚膜のレジスト
２０に順テーパー形状の開孔２２を形成することがき、
アンダーメタル３０蒸着時のステップカバーレッジが良
好となり、アンダーメタルの段切れが生じない。
成する。 【解決手段】 被処理基板である半導体基板１０上に、
１．５μｍ以上の厚膜のレジスト２０を塗布する。次
に、このレジスト２０を露光して開孔２２を形成する
が、その際、露光時の焦点位置をレジスト２０のボトム
側へデフォーカスさせる。これにより、厚膜のレジスト
２０に順テーパー形状の開孔２２を形成することがき、
アンダーメタル３０蒸着時のステップカバーレッジが良
好となり、アンダーメタルの段切れが生じない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に、感光部材として１．５μｍ以上の厚膜
のレジストを用いたエアーブリッジプロセスに適用する
のに好適な、高精度のレジストパターンを形成するため
の半導体装置の製造方法に関する。
法に関し、特に、感光部材として１．５μｍ以上の厚膜
のレジストを用いたエアーブリッジプロセスに適用する
のに好適な、高精度のレジストパターンを形成するため
の半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの高速化には多層
配線技術が必須である。この多層配線技術では、接続さ
れる配線相互間の負荷容量が、デバイス全体の性能を大
きく左右する。このため、配線層の間の絶縁膜として、
ＳｉＯ2等ではなく、空気が用いられている。すなわ
ち、配線層の間の絶縁性を確保するために、ＳｉＯ2等
の絶縁膜では誘電率が高いため、より誘電率の小さい空
気が用いられている。このように配線層の間の絶縁に空
気を用いたもの、つまり、配線層の間に空間を形成した
ものを、エアーブリッジと呼んでいる。このエアーブリ
ッジは、配線層相互間における容量の低下に極めて有効
な構造であるといわれている。このエアーブリッジの製
造工程においては、パターニングされたレジスト上に、
メッキ用の下地電極としてのアンダーメタルを形成する
工程が含まれている。
配線技術が必須である。この多層配線技術では、接続さ
れる配線相互間の負荷容量が、デバイス全体の性能を大
きく左右する。このため、配線層の間の絶縁膜として、
ＳｉＯ2等ではなく、空気が用いられている。すなわ
ち、配線層の間の絶縁性を確保するために、ＳｉＯ2等
の絶縁膜では誘電率が高いため、より誘電率の小さい空
気が用いられている。このように配線層の間の絶縁に空
気を用いたもの、つまり、配線層の間に空間を形成した
ものを、エアーブリッジと呼んでいる。このエアーブリ
ッジは、配線層相互間における容量の低下に極めて有効
な構造であるといわれている。このエアーブリッジの製
造工程においては、パターニングされたレジスト上に、
メッキ用の下地電極としてのアンダーメタルを形成する
工程が含まれている。
【０００３】図７乃至図１０は、このような従来の半導
体装置の製造工程の一部を説明する図であり、半導体基
板４０上にレジスト５０を塗布してパターニングした
後、アンダーメタル６０を形成する工程を説明する断面
図である。
体装置の製造工程の一部を説明する図であり、半導体基
板４０上にレジスト５０を塗布してパターニングした
後、アンダーメタル６０を形成する工程を説明する断面
図である。
【０００４】図７からわかるように、被処理基板として
の半導体基板４０に、感光部材として、厚膜のレジスト
５０を塗布する。このレジスト５０は、アンダーレジス
トと呼ばれるものである。次に、このレジスト５０に露
光光線を当てることにより、露光を行う。この露光の際
の露光光線の焦点位置は、レジスト５０のトップ側とボ
トム側との中間位置である。
の半導体基板４０に、感光部材として、厚膜のレジスト
５０を塗布する。このレジスト５０は、アンダーレジス
トと呼ばれるものである。次に、このレジスト５０に露
光光線を当てることにより、露光を行う。この露光の際
の露光光線の焦点位置は、レジスト５０のトップ側とボ
トム側との中間位置である。
【０００５】次に図８からわかるように、現像処理をす
ることにより、開孔５２を形成する。すなわち、前述の
露光により露光光線が当たった部分のレジスト５０を除
去することにより、開孔５２を形成する。このときの開
孔５２の側壁５２ａは、ほぼ垂直に切り立っている。
ることにより、開孔５２を形成する。すなわち、前述の
露光により露光光線が当たった部分のレジスト５０を除
去することにより、開孔５２を形成する。このときの開
孔５２の側壁５２ａは、ほぼ垂直に切り立っている。
【０００６】次に図９からわかるように、高温ベーク処
理を行う。この高温ベーク処理により、開孔５２の角部
を丸めて、順テーパー形状の開孔５２を形成する。すな
わち、高温ベーク処理によるレジストフロー、つまり、
レジストの流れだしにより、開孔５２の角部を溶かし出
して、順テーパー形状の側壁５２ｂを形成する。
理を行う。この高温ベーク処理により、開孔５２の角部
を丸めて、順テーパー形状の開孔５２を形成する。すな
わち、高温ベーク処理によるレジストフロー、つまり、
レジストの流れだしにより、開孔５２の角部を溶かし出
して、順テーパー形状の側壁５２ｂを形成する。
【０００７】次に図１０からわかるように、このレジス
ト５０上に、金（Ａｕ）等からなるアンダーメタル６０
を蒸着する。このアンダーメタル６０をパターニングす
ることにより、メッキ用の下地電極が得られる。
ト５０上に、金（Ａｕ）等からなるアンダーメタル６０
を蒸着する。このアンダーメタル６０をパターニングす
ることにより、メッキ用の下地電極が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のような半導体装
置の製造方法においては、レジスト５０に形成した開孔
５２におけるアンダーメタル６０のステップカバーレッ
ジが極めて重要な要素となる。このため、パターニング
後のレジスト５０に高温ベーク処理を施すことにより、
順テーパー形状の開孔５２を形成していた。このような
高温ベーク処理によれば、レジスト５０の膜厚が、通常
１．３μｍ以下であれば良好な順テーパー形状の開孔５
２が得られていた。しかし、レジスト５０の膜厚が１．
５μｍ以上になると、必ずしも良好な順テーパー形状の
開孔５２が得られなかった。すなわち、図１１からわか
るように、１．５μｍ以上の厚膜のレジスト５０に高温
ベーク処理を施すと、開孔５２の中央部分が膨らんだボ
ウィング形状の開孔５２となってしまう場合があった。
置の製造方法においては、レジスト５０に形成した開孔
５２におけるアンダーメタル６０のステップカバーレッ
ジが極めて重要な要素となる。このため、パターニング
後のレジスト５０に高温ベーク処理を施すことにより、
順テーパー形状の開孔５２を形成していた。このような
高温ベーク処理によれば、レジスト５０の膜厚が、通常
１．３μｍ以下であれば良好な順テーパー形状の開孔５
２が得られていた。しかし、レジスト５０の膜厚が１．
５μｍ以上になると、必ずしも良好な順テーパー形状の
開孔５２が得られなかった。すなわち、図１１からわか
るように、１．５μｍ以上の厚膜のレジスト５０に高温
ベーク処理を施すと、開孔５２の中央部分が膨らんだボ
ウィング形状の開孔５２となってしまう場合があった。
【０００９】この場合、図１２からわかるように、この
レジスト５０にアンダーメタル６０を蒸着すると、アン
ダーメタル６０に段切れが生じるおそれがあった。すな
わち、アンダーメタル６０の蒸着時にステップカバーレ
ッジ不良が生じ、アンダーメタル６０の段切れの要因と
なっていた。
レジスト５０にアンダーメタル６０を蒸着すると、アン
ダーメタル６０に段切れが生じるおそれがあった。すな
わち、アンダーメタル６０の蒸着時にステップカバーレ
ッジ不良が生じ、アンダーメタル６０の段切れの要因と
なっていた。
【００１０】そこで本発明はこれらの課題を解決するた
めになされたものであり、感光部材としてのレジスト５
０が厚膜なものであっても、このレジスト５０に良好な
順テーパー形状の開孔５２を形成することのできる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。すなわ
ち、アンダーメタル６０の蒸着時のステップカバーレッ
ジを良好なものとして、アンダーメタル６０の段切れの
生じない高精度のレジストパターンを形成することので
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
めになされたものであり、感光部材としてのレジスト５
０が厚膜なものであっても、このレジスト５０に良好な
順テーパー形状の開孔５２を形成することのできる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。すなわ
ち、アンダーメタル６０の蒸着時のステップカバーレッ
ジを良好なものとして、アンダーメタル６０の段切れの
生じない高精度のレジストパターンを形成することので
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係る半導体装置の製造方法は、被処理基板上に
感光部材を塗布する工程と、前記感光部材に、前記感光
部材のボトム側へ向かうにしたがって狭まる露光光線を
当てることにより、前記感光部材を所望のパターンに露
光する工程と、前記感光部材を現像処理することにより
前記感光部材における前記露光光線を当てた部分を除去
して、前記感光部材に前記ボトム側へ向かって狭まる順
テーパー形状の開孔を形成する工程と、を備えたことを
特徴とするものである。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、被処理基板上に
感光部材を塗布する工程と、前記感光部材に、前記感光
部材のボトム側へ向かうにしたがって狭まる露光光線を
当てることにより、前記感光部材を所望のパターンに露
光する工程と、前記感光部材を現像処理することにより
前記感光部材における前記露光光線を当てた部分を除去
して、前記感光部材に前記ボトム側へ向かって狭まる順
テーパー形状の開孔を形成する工程と、を備えたことを
特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に図面に基づいて、本発明の
一実施形態を説明する。本実施形態は、１．５μｍ以上
の厚膜のレジストに順テーパー形状の開孔を形成すべ
く、露光時の焦点位置をレジストのボトム側へデフォー
カスさせてパターン露光し、その後、現像処理をするこ
ととしたものである。そしてこれにより、アンダーメタ
ル蒸着時のステップカバーレッジを良好なものとして、
アンダーメタルの段切れが生じない高精度のレジストパ
ターンを形成するものである。より詳しくを図１乃至図
６に基づいて説明する。
一実施形態を説明する。本実施形態は、１．５μｍ以上
の厚膜のレジストに順テーパー形状の開孔を形成すべ
く、露光時の焦点位置をレジストのボトム側へデフォー
カスさせてパターン露光し、その後、現像処理をするこ
ととしたものである。そしてこれにより、アンダーメタ
ル蒸着時のステップカバーレッジを良好なものとして、
アンダーメタルの段切れが生じない高精度のレジストパ
ターンを形成するものである。より詳しくを図１乃至図
６に基づいて説明する。
【００１３】これらの図１乃至図６は、本実施形態にお
ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００１４】図１からわかるように、被処理基板として
の半導体基板１０上に、感光部材としてのレジスト２０
を塗布する。本実施形態では、半導体基板１０には、被
処理基板上に被加工膜（例えばＡｕ、Ｗ）を具備したＧ
ａＡｓウェハーを用いている。また、レジスト２０に
は、ヘキスト社製のノボラック系ポジ型フォトレジスト
ＡＺ１５００を用いている。そして、半導体基板１０上
にこのノボラック系ポジ型フォトレジストＡＺ１５００
を４μｍの膜厚に塗布して、１２０℃以下に設定したホ
ットプレートを用いて、大気中で２分間のプリベーク処
理を行う。このプリベーク処理により、半導体基板１０
とレジスト２０との接着性を強めるとともに、後述する
露光時におけるレジスト２０の反応効率を高める。
の半導体基板１０上に、感光部材としてのレジスト２０
を塗布する。本実施形態では、半導体基板１０には、被
処理基板上に被加工膜（例えばＡｕ、Ｗ）を具備したＧ
ａＡｓウェハーを用いている。また、レジスト２０に
は、ヘキスト社製のノボラック系ポジ型フォトレジスト
ＡＺ１５００を用いている。そして、半導体基板１０上
にこのノボラック系ポジ型フォトレジストＡＺ１５００
を４μｍの膜厚に塗布して、１２０℃以下に設定したホ
ットプレートを用いて、大気中で２分間のプリベーク処
理を行う。このプリベーク処理により、半導体基板１０
とレジスト２０との接着性を強めるとともに、後述する
露光時におけるレジスト２０の反応効率を高める。
【００１５】次に図２からわかるように、レジスト２０
の上方から露光を行う。本実施形態では、ポジ型フォト
レジストであるレジスト２０の上方から、波長４３６ｎ
ｍのＵＶ光を用いて露光を行う。つまり、ｇ−ｌｉｎｅ
の露光光線を用いて露光を行う。この露光時には、その
露光の焦点位置をレジスト２０のボトム側へデフォーカ
スさせる。すなわち、露光の焦点位置が半導体基板１０
の表面になるようにする。このため、露光光線はレジス
ト２０のボトム側へ向かうにしたがって狭まるようにな
っている。なお、本実施形態における露光の際の露光量
は、４６０ｍｊ／ｃｍ2である。
の上方から露光を行う。本実施形態では、ポジ型フォト
レジストであるレジスト２０の上方から、波長４３６ｎ
ｍのＵＶ光を用いて露光を行う。つまり、ｇ−ｌｉｎｅ
の露光光線を用いて露光を行う。この露光時には、その
露光の焦点位置をレジスト２０のボトム側へデフォーカ
スさせる。すなわち、露光の焦点位置が半導体基板１０
の表面になるようにする。このため、露光光線はレジス
ト２０のボトム側へ向かうにしたがって狭まるようにな
っている。なお、本実施形態における露光の際の露光量
は、４６０ｍｊ／ｃｍ2である。
【００１６】次に図３からわかるように、このレジスト
２０を現像する。本実施形態では、多摩化学社製のＡＤ
１０、アルカリ濃度２．３８％の有機アルカリ水溶液
（成分テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）
中に１分間浸漬し、静止ｄｉｐ現像処理をする。これに
より、レジスト２０から前述の露光光線が当たった部分
を除去して、順テーパー形状の開孔２２を有するレジス
ト２０を形成する。すなわち、ボトム側に向かって狭ま
る順テーパー形状の開孔２２を有するレジスト２０を形
成する。この開孔２２における、ボトム側の径は２μｍ
程度であり、トップ側の径は６μｍ程度である。
２０を現像する。本実施形態では、多摩化学社製のＡＤ
１０、アルカリ濃度２．３８％の有機アルカリ水溶液
（成分テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）
中に１分間浸漬し、静止ｄｉｐ現像処理をする。これに
より、レジスト２０から前述の露光光線が当たった部分
を除去して、順テーパー形状の開孔２２を有するレジス
ト２０を形成する。すなわち、ボトム側に向かって狭ま
る順テーパー形状の開孔２２を有するレジスト２０を形
成する。この開孔２２における、ボトム側の径は２μｍ
程度であり、トップ側の径は６μｍ程度である。
【００１７】次に図４からわかるように、この順テーパ
ー形状の開孔２２を有するレジスト２０をマスクとし
て、アンダーメタル３０を形成する。すなわち、レジス
ト２０の開孔２２を含む表面に、アンダーメタル３０を
形成する。本実施形態では、電子ビーム蒸着装置を用い
て、１５オングストローム／ＳＥＣのＡｕ蒸着レートに
応じてパワーを可変して制御して、約３．５分間の蒸着
処理することで約３０００オングストローム（０．３μ
ｍ）の金（Ａｕ）からなるアンダーメタル３０を蒸着す
る。
ー形状の開孔２２を有するレジスト２０をマスクとし
て、アンダーメタル３０を形成する。すなわち、レジス
ト２０の開孔２２を含む表面に、アンダーメタル３０を
形成する。本実施形態では、電子ビーム蒸着装置を用い
て、１５オングストローム／ＳＥＣのＡｕ蒸着レートに
応じてパワーを可変して制御して、約３．５分間の蒸着
処理することで約３０００オングストローム（０．３μ
ｍ）の金（Ａｕ）からなるアンダーメタル３０を蒸着す
る。
【００１８】次に図５からわかるように、このアンダー
メタル３０に電圧を印加して、電界メッキをすることに
より、アンダーメタル３０上にメッキ層３２を形成す
る。すなわち、アンダーメタル３０の開孔２２を含む表
面にメッキ層３２を形成する。次に図６からわかるよう
に、アンダーメタル３０とメッキ層３２とを所望のパタ
ーンにパターニングした後、レジスト２０を除去する。
すなわち、レジスト２０をプラズマエッチング等で除去
する。これによりアンダーメタル３０とメッキ層３２と
からなる配線層３４が形成され、１段のエアーブリッジ
が完成する。なお、必要に応じてさらに同様の工程で配
線層を形成することにより、エアーブリッジを重ねて形
成することも可能である。
メタル３０に電圧を印加して、電界メッキをすることに
より、アンダーメタル３０上にメッキ層３２を形成す
る。すなわち、アンダーメタル３０の開孔２２を含む表
面にメッキ層３２を形成する。次に図６からわかるよう
に、アンダーメタル３０とメッキ層３２とを所望のパタ
ーンにパターニングした後、レジスト２０を除去する。
すなわち、レジスト２０をプラズマエッチング等で除去
する。これによりアンダーメタル３０とメッキ層３２と
からなる配線層３４が形成され、１段のエアーブリッジ
が完成する。なお、必要に応じてさらに同様の工程で配
線層を形成することにより、エアーブリッジを重ねて形
成することも可能である。
【００１９】以上のように、本実施形態によれば、図２
からわかるように、レジスト２０を露光する際の焦点位
置を半導体基板１０の表面としたので、露光によりレジ
スト２０に順テーパー形状の開孔２２を形成することが
できる。すなわち、従来の開孔形成後の高温ベーク処理
によるレジストフローを用いた、ステップカバーレッジ
の改善に代わって、開孔２２を形成するための露光に際
し、露光時の焦点位置をレジスト２０のボトム側へデフ
ォーカスさせることにより、図３に示すような順テーパ
ー形状の開孔２２を形成することができる。このため、
レジスト２０の膜厚を１．５μｍ以上にした場合でも、
良好な順テーパー形状の開孔２２を形成することができ
る。
からわかるように、レジスト２０を露光する際の焦点位
置を半導体基板１０の表面としたので、露光によりレジ
スト２０に順テーパー形状の開孔２２を形成することが
できる。すなわち、従来の開孔形成後の高温ベーク処理
によるレジストフローを用いた、ステップカバーレッジ
の改善に代わって、開孔２２を形成するための露光に際
し、露光時の焦点位置をレジスト２０のボトム側へデフ
ォーカスさせることにより、図３に示すような順テーパ
ー形状の開孔２２を形成することができる。このため、
レジスト２０の膜厚を１．５μｍ以上にした場合でも、
良好な順テーパー形状の開孔２２を形成することができ
る。
【００２０】図２からわかるように、このように露光時
の焦点位置をレジスト２０のボトム側へデフォーカスさ
せてパターン露光すると、レジスト２０のトップ側とボ
トム側における光強度スペクトルに差が生じ、焦点位置
が合っているレジスト２０のボトム側では急俊な光強度
スペクトルを示す。これに対し、焦点位置の合っていな
いレジスト２０のトップ側ではフォーカス惚けによる広
がった光強度スペクトルの影響で、未露光部まで露光の
影響が生じ、膜減りを起こす為、順テーパー形状の開孔
２２が得られるのである。
の焦点位置をレジスト２０のボトム側へデフォーカスさ
せてパターン露光すると、レジスト２０のトップ側とボ
トム側における光強度スペクトルに差が生じ、焦点位置
が合っているレジスト２０のボトム側では急俊な光強度
スペクトルを示す。これに対し、焦点位置の合っていな
いレジスト２０のトップ側ではフォーカス惚けによる広
がった光強度スペクトルの影響で、未露光部まで露光の
影響が生じ、膜減りを起こす為、順テーパー形状の開孔
２２が得られるのである。
【００２１】このように順テーパー形状の開孔２２を形
成することができるため、図４からわかるように、アン
ダーメタル３０を段切れなく形成することができる。す
なわち、ステップカバーレッジの良好なアンダーメタル
３０を形成することができる。
成することができるため、図４からわかるように、アン
ダーメタル３０を段切れなく形成することができる。す
なわち、ステップカバーレッジの良好なアンダーメタル
３０を形成することができる。
【００２２】このようなレジスト５０は、特にエアーブ
リッジを形成するのに好適であり、下地電極としてのア
ンダーメタル３０を形成するための、高精度のレジスト
パターンを得ることができる。
リッジを形成するのに好適であり、下地電極としてのア
ンダーメタル３０を形成するための、高精度のレジスト
パターンを得ることができる。
【００２３】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
種々に変形可能である。例えば、上記実施例におけるパ
ターン形成では、露光光線にｇ−ｌｉｎｅ（波長４３６
ｎｍ）を用いた場合について述べたが、露光光線として
別の波長のＵＶ光、所定の電磁波（エキシマレーザー、
Ｘ線）、或いは所定エネルギーの粒子線等を用いること
ができる。この場合、これらの露光光線に感応するレジ
ストを用いる必要がある。これらのことからわかるよう
に、本発明はレジストの開孔として順テーパー形状の開
孔を必要とするすべての半導体製造プロセスに適用する
ことができる。したがって、本発明は、エアーブリッジ
の配線層を形成する場合のみならず、他の一般的な半導
体装置の製造過程において、レジストに開孔を形成する
際にも適用することができる。さらに、上記実施形態で
は感光部材としてレジストを用いた場合を説明したが、
この感光部材として感光性絶縁膜を用いた場合でも同様
に適用することができる。
種々に変形可能である。例えば、上記実施例におけるパ
ターン形成では、露光光線にｇ−ｌｉｎｅ（波長４３６
ｎｍ）を用いた場合について述べたが、露光光線として
別の波長のＵＶ光、所定の電磁波（エキシマレーザー、
Ｘ線）、或いは所定エネルギーの粒子線等を用いること
ができる。この場合、これらの露光光線に感応するレジ
ストを用いる必要がある。これらのことからわかるよう
に、本発明はレジストの開孔として順テーパー形状の開
孔を必要とするすべての半導体製造プロセスに適用する
ことができる。したがって、本発明は、エアーブリッジ
の配線層を形成する場合のみならず、他の一般的な半導
体装置の製造過程において、レジストに開孔を形成する
際にも適用することができる。さらに、上記実施形態で
は感光部材としてレジストを用いた場合を説明したが、
この感光部材として感光性絶縁膜を用いた場合でも同様
に適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、露光時の焦点位置を感光部材のボトム側へデフォー
カスさせてパターン露光し、現像処理することとしたの
で、厚膜の感光部材に順テーパー形状の開孔を形成する
ことができる。
ば、露光時の焦点位置を感光部材のボトム側へデフォー
カスさせてパターン露光し、現像処理することとしたの
で、厚膜の感光部材に順テーパー形状の開孔を形成する
ことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する工程断面図の一部。
法を説明する工程断面図の一部。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する工程断面図の一部。
法を説明する工程断面図の一部。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する工程断面図の一部。
法を説明する工程断面図の一部。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する工程断面図の一部。
法を説明する工程断面図の一部。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する工程断面図の一部。
法を説明する工程断面図の一部。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する工程断面図の一部。
法を説明する工程断面図の一部。
【図７】従来のレジストパターン形成方法を説明する工
程断面図の一部。
程断面図の一部。
【図８】従来のレジストパターン形成方法を説明する工
程断面図の一部。
程断面図の一部。
【図９】従来のレジストパターン形成方法を説明する工
程断面図の一部。
程断面図の一部。
【図１０】従来のレジストパターン形成方法を説明する
工程断面図の一部。
工程断面図の一部。
【図１１】従来の方法で厚膜のレジストに開孔を形成し
た場合におけるレジストの断面を示す図。
た場合におけるレジストの断面を示す図。
【図１２】そのレジストにアンダーメタルを蒸着した状
態を示す図。
態を示す図。
１０ 半導体基板（被処理基板） ２０ レジスト（感光部材） ２２ 開孔 ３０ アンダーメタル ３２ メッキ層 ３４ 配線層
Claims (4)
- 【請求項１】被処理基板上に感光部材を塗布する工程
と、 前記感光部材に、前記感光部材のボトム側へ向かうにし
たがって狭まる露光光線を当てることにより、前記感光
部材を所望のパターンに露光する工程と、 前記感光部材を現像処理することにより前記感光部材に
おける前記露光光線を当てた部分を除去して、前記感光
部材に前記ボトム側へ向かって狭まる順テーパー形状の
開孔を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】被処理基板上に感光部材を塗布する塗布工
程と、前記感光部材に露光光線を当てることにより所望
のパターンに露光する露光工程と、前記感光部材を現像
処理することにより前記感光部材における前記露光光線
を当てた部分を除去して前記所望のパターンの開孔を形
成する現像工程とを、備えた半導体装置の製造方法にお
いて、 前記露光工程では、前記露光光線の焦点位置を前記感光
部材のボトム側へデフォーカスさせることにより、前記
現像工程で前記開孔を前記ボトム側に向かって狭まる順
テーパー形状に形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】前記現像工程後の前記感光部材における前
記開孔を含む表面に、アンダーメタルを形成する下地電
極形成工程と、 前記アンダーメタルに電圧を印加して電界メッキによ
り、前記アンダーメタル上にメッキ層を形成するメッキ
工程と、 前記感光部材を除去する工程と、 をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】前記感光部材の厚さは、１．５μｍ以上で
あることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206252A JPH1154615A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9206252A JPH1154615A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154615A true JPH1154615A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16520264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9206252A Pending JPH1154615A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504666B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-08-03 | 한국전자통신연구원 | 감광막 패턴 형성 방법 |
| CN113140448A (zh) * | 2020-01-16 | 2021-07-20 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 一种半导体结构及其制作方法 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9206252A patent/JPH1154615A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504666B1 (ko) * | 2002-11-12 | 2005-08-03 | 한국전자통신연구원 | 감광막 패턴 형성 방법 |
| CN113140448A (zh) * | 2020-01-16 | 2021-07-20 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 一种半导体结构及其制作方法 |
| CN113140448B (zh) * | 2020-01-16 | 2022-10-28 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 | 一种半导体结构及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6846618B2 (en) | Process for improving critical dimension uniformity | |
| US5840622A (en) | Phase mask laser fabrication of fine pattern electronic interconnect structures | |
| JPH06196399A (ja) | 基板上にパターン付けした皮膜を形成する方法 | |
| JP2003234279A (ja) | レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法およびレジストパターンの形成装置 | |
| US6455227B1 (en) | Multilayer resist structure, and method of manufacturing three-dimensional microstructure with use thereof | |
| US6900141B2 (en) | Method of forming a resist pattern and fabricating tapered features | |
| KR100287130B1 (ko) | 포토레지스트막 및 그의 패턴형성방법 | |
| JP2001291651A (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100432794B1 (ko) | 배선 패턴을 형성하는 공정 | |
| JP2994501B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH1154615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100555474B1 (ko) | 포토레지스트의 산 처리를 이용한 미세 패턴 형성방법 | |
| JP2867975B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0744147B2 (ja) | アスペクト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いｘ線マスク | |
| JPH05226243A (ja) | 高速素子実装用回路基板の製造方法 | |
| KR100369866B1 (ko) | 반도체소자의미세콘택홀형성방법 | |
| KR940011204B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR20020066373A (ko) | 레지스트 패턴 형성 방법 및 미세 패턴 형성 방법 | |
| JP3179532B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| KR100431992B1 (ko) | 레티클을 이용한 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100192932B1 (ko) | 반도체소자의 형성방법 | |
| KR970002430B1 (ko) | 반도체 소자의 감광막패턴 제조방법 | |
| JP2005084312A (ja) | レジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2000040692A (ja) | パタン形成法 | |
| JP2005136430A (ja) | パターン形成方法 |