JPH11143641A - 透明電極用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 鉛筆硬度が４Ｈ以上で、曲げ弾性率が４
００ｋｇｆ／ｍｍ² 以上の剛性を有し、リターデーショ
ンが１ｎｍ以下、可視領域の光線透過率が８５％以上で
ある三次元架橋構造の樹脂基板を用いた、各種のタッチ
パネル用電極基板、およびそれを用いて得られたタッチ
パネル。 【効果】 表面硬度、剛性、光学特性等に優れた基板が
容易に製造でき、優れた性能を持つタッチパネル用基板
を軽量化することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子材料分野にお
いて有用な透明電極用基板に関し、さらに詳しくは、樹
脂基板をベース基板として用いたタッチパネル用透明電
極基板に関する。また、本発明は、該タッチパネル用透
明電極基板を用いて得られるタッチパネルに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、抵抗方式の透明タッチパネルに
は、電極の形成状態の違いにより、マトリックス方式と
呼ばれるものと、アナログ方式と呼ばれるものがある。
いずれの方式も、タッチ側および非タッチ側に用いられ
る透明絶縁性基材に、酸化錫膜やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）膜等の電極膜を真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法、ゾルゲル法
等により製膜し、必要に応じてエッチングや絶縁塗料の
被覆により所望の電極パターンを形成させた後、絶縁ス
ペーサーを介して両電極膜面を対向配置し、製作されて
いる。現在汎用されている透明電極には、ガラス基板上
に酸化錫膜やＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄ
ｅ）膜等を形成した透明導電性積層物（いわゆる、ネサ
ガラス）が広く用いられている。しかしながら、ガラス
基板は、耐熱性、寸法安定性等に優れる反面、可とう
性、加工性、耐衝撃性が劣る為、用途面での制約を受
け、さらには薄型化、量産化の期待にも応えることが困
難であった。そこで近年、軽量で耐衝撃性、加工性、生
産性等に優れた透明樹脂基板が注目され、これらを無機
ガラス代替として用いた電極基板が提案されている。

【０００３】例えば、特開昭５９−２０４５４５号に
は、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リエーテルスルホン、またはポリエチレンテレフタレー
ト等の一般的な熱可塑性樹脂上に、ＳｉＯｘアンダーコ
ート膜、ＩＴＯ膜の順序に有する電極基板が提案されて
いるが、これらの樹脂では耐熱性に乏しく、リターデー
ションや表面精度の点でも問題があり、高精度な電極基
板としては不適である。また、これらは、通常生産性の
面からフィルムとして用いられるが、剛性がないため、
大型化できないという問題もある。一方、特開平５−３
２３３０３号に開示されているようなマレイミド系の架
橋樹脂を用いる技術では、リターデーションや表面精度
の点では改善されるが、その耐熱性は２００℃未満であ
り、カラー液晶表示等に必要な、低抵抗なＩＴＯ膜を付
けることは困難である。

【０００４】通常、タッチパネルに透明樹脂基板を用い
る場合、上部電極には透明導電層をプラスチックフィル
ムまたはシート基板に直接設けた透明電極を使用し、下
部電極には、上部電極と同様のものを使用する場合と、
ガラスを基板として透明導電層を設けた透明電極を用い
る場合がある。上部電極と下部電極とは絶縁スペーサー
を介して対向させ、上部電極から押圧された打点で強く
接触するものであるため、これに耐えうる良好な持久特
性が必要であり、特に上部電極としてプラスチックを使
用する場合、ペンでなぞる工程を考えるとかなりの表面
硬度が必要である。下部電極としてプラスチックフィル
ムまたはシート基板を用いた場合には、ガラスが有して
いるような剛性をもたせるため、プラスチックフィルム
またはシート基板の他に支持板を用いる必要性がある
が、工程が増える、透過率が落ちるなど問題も多い。こ
れらを改良するために、基板となるプラスチックフィル
ムまたはシートの厚みを増す、２枚のフィルムを貼り合
わせる等の方法も考えられるが、従来の透明樹脂では表
面精度、リターデーションの点から使用に耐えうるもの
はほとんどなく、これらを満たすアクリル板も、耐熱性
の点から使用できなかった。

【０００５】また、透明樹脂基板上に種々のバリヤー層
を設けて性能を付与する試みがなされているが、このよ
うな電極基板において、耐熱性、耐薬品性、密着性等の
要求特性を十分に満足できるものは未だ知られていな
い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、表面硬度、
耐屈曲性および光学特性に優れたプラスチックフィルム
またはシートをベース基板として用いたタッチパネル用
電極基板を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討した結果、鉛筆硬度、曲げ弾性
率、リターデーション、可視領域の光線透過率の優れた
三次元架橋構造の樹脂基板を用いることにより、優れた
タッチパネル用透明電極基板が得られることを見出し、
本発明を完成するに到ったものである。

【０００８】すなわち、本発明は、鉛筆硬度が４Ｈ以
上で、曲げ弾性率が４００ｋｇｆ／ｍｍ² 以上の剛性を
有し、リターデーションが１ｎｍ以下、可視領域の光線
透過率が８５％以上である三次元架橋構造の樹脂基板を
用いたタッチパネル用透明電極基板に関するものであ
る。また、三次元架橋構造の樹脂が、下記の（樹脂−
ａ）または（樹脂−ｂ）のいずれかである前記のタッチ
パネル用透明電極基板に関するものである。 ・樹脂−ａ：１分子中に、下記一般式（１）（化３）で
表される官能基と、下記一般式（２）または（３）（化
３）で表される官能基とを兼備する単量体（Ａ）を重合
してなる樹脂。

【０００９】

【化３】 （式中、Ｒ₁ は水素原子またはメチル基を表し、Ｘは酸
素原子または硫黄原子を表す） 樹脂−ｂ：単量体（Ａ）と、下記式（４）、（５）およ
び（６）（化４）で表される官能基群から選ばれる少な
くとも１種の官能基をｍ個（ｍは１〜６の整数を表す）
有する単量体（Ｂ）とを共重合してなる樹脂。

【００１０】

【化４】 更に、前記のいずれかの基板を用いて得られる、アウ
ター型タッチパネル、前記のいずれかの基板を用いて
得られる、インナー型タッチパネル、前記のいずれか
の基板を用いて得られる、タッチパネル部の基板と液晶
表示部の基板とが一体型となった、一体型インナータッ
チパネルに関するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明のタッチパネル用透明電極
基板は、鉛筆硬度、曲げ弾性率、リターデーション、可
視領域の光線透過率に優れた三次元架橋構造の樹脂基板
を用いてなるものである。

【００１２】本発明で用いる透明な三次元架橋構造の樹
脂としては、任意の樹脂が使用できるが、表面硬度があ
る程度必要であり、鉛筆硬度が好ましくは４Ｈ以上、よ
り好ましくは５Ｈ以上である。４Ｈよりも低い値では、
ペンでなぞったときに傷がつきやすく、電極も傷みやす
いので、あまり好ましくない。更に、耐屈曲性（剛性）
もある程度必要であり、室温下において、曲げ弾性率が
好ましくは４００ｋｇｆ／ｍｍ² 以上、より好ましくは
４２０ｋｇｆ／ｍｍ² 以上である。４００ｋｇｆ／ｍｍ
² よりも低い値では、大型な基板を作るときに十分な剛
性が得られ難く、現在のガラス用製造ラインに流すこと
も困難であるので、あまり好ましくない。また、基板に
リターデーションが存在すると、偏光が解消され、画像
がにじむ等の問題が生じるため０であることが理想であ
り、特に、偏光板の内側に基板がくるインナータッチパ
ネルや一体型インナータッチパネルでは、この影響が大
きくなる。実際の使用上、可能な範囲としては、５ｎｍ
以下が好ましく、１ｎｍ以下がより好ましい。更に、樹
脂の透明性は無着色時の可視領域の光線透過率を指標と
して表した場合、好ましくは８５％以上、より好ましく
は９０％以上である。タッチパネルは、基板が何枚も重
なっており、８５％よりも透過率が低いと、画面全体が
非常に暗くなってしまうという問題があるので、あまり
好ましくない。

【００１３】本発明で用いる三次元架橋構造の樹脂とし
ては、より好ましくは、前記の（樹脂−ａ）または（樹
脂−ｂ）である。（樹脂−ａ）は、一分子中に、前記一
般式（１）で表される官能基と、前記一般式（２）また
は（３）で表される官能基とを兼備する単量体（Ａ）
と、前記式（４）、（５）および（６）で表される官能
基群から選ばれた少なくとも一種の官能基をｍ個（ｍは
１〜６の整数を表す）有する単量体（Ｂ）とを共重合し
てなる樹脂である。これらの（樹脂−ａ）および（樹脂
−ｂ）は、特開平２−８４４０６号公報、特開平３−１
４８０４号公報、特開平３−４７８１７号公報、特開平
３−７２５１３号公報、特開平３−１７９０１５号公
報、および特開平４−２６６９２７号公報等に記載の方
法により製造することができる。

【００１４】１分子中に前記一般式（１）で表される官
能基と、一般式（２）または（３）で表される官能基と
を兼備する単量体（Ａ）としては、例えば、イソプロペ
ニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートと、１
分子中に少なくとも水酸基又はメルカプト基のいずれか
の官能基と一般式（２）または（３）で表される官能基
とを兼備する化合物（化合物Ｐ）との反応により得られ
るものである。化合物Ｐとしては、 １．エポキシ基又はチイラン基をアクリル酸又はメタク
リル酸で開環させて得られる化合物類、例えば、ヒドロ
キシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレ
ート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプ
ロピルメタクリレート、１，４−ブチレングリコールモ
ノアクリレート、１，４−ブチレングリコールモノメタ
クリレート、グリセロール−１，２ジアクリレート、グ
リセロール−１，２ジメタクリレート、グリセロール−
１，３ジアクリレート、グリセロール−１，３ジメタク
リレート、グリセロール−１−アクリレート−３−メタ
クリレート、 ２．フェニルグリシジルエーテル類のアクリル酸又はメ
タクリル酸の開環反応物、例えば、３−フェノキシ−２
−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−フェノキシ−
２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２，４−ジブ
ロモフェノキシ−２−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、２，４−ジブロモフェノキシ−２−ヒドロキシプロ
ピルメタクリレート、 ３．ビスフェノールＡ−ジグリシジルエーテルのアクリ
ル酸又はメタクリル酸の開環反応物、 ４．ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエ
リスリトールトリメタクリレート、 ５．ビニルベンジルアルコール、ビニルチオベンジルア
ルコール、 ６．ビス（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレー
ト、ビス（メタクリロイルオキシエチル）イソシアヌレ
ート、等が挙げられる。

【００１５】すなわち、単量体Ａは、カルバミン酸エス
テル又はチオカルバミン酸エステルであり、例えば、イ
ソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネー
トのイソシアネート基を、化合物Ｐの水酸基またはメル
カプト基との反応によって得られる。この反応において
は、合成反応が進み易いように、ジブチルスズジラウレ
ートやジメチルスズジクロライド等のスズ化合物、又は
モルフォリン、ジメチルアミノベンゼン等のアミン類を
加えて行なっても良い。なお、後の重合の際のラジカル
反応での着色を防ぐためには、スズ化合物を選択するこ
とが好ましい。又、反応の際に溶媒を用いた場合は、合
成反応の後に溶媒を留去し、精製あるいは精製せずに単
量体（Ａ）を得る。

【００１６】単量体（Ａ）としては、具体的には、Ｎ−
（３−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−
２−アクリロイルオキシエチルカルバメート、Ｎ−（３
−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−２−
メタクリロイルオキシエチルカルバメート、Ｎ−（４−
イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−２−ア
クリロイルオキシエチルカルバメート、Ｎ−（４−イソ
プロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−２−メタク
リロイルオキシエチルカルバメート、Ｎ−（３−イソプ
ロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−１−アクリロ
イルオキシプロパン−２−イルカルバメート、Ｎ−（３
−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−１−
メタクリロイルオキシプロパン−２−イルカルバメー
ト、Ｎ−（４−イソプロペニル−α，α−ジメチルベン
ジル）−１−アクリロイルオキシプロパン−２−イルカ
ルバメート、Ｎ−（３−イソプロペニル−α，α−ジメ
チルベンジル）−１，３−ジアクリロイルオキシプロパ
ン−２−イルカルバメート、Ｎ−（３−イソプロペニル
−α，α−ジメチルベンジル）−１，３−ジメタクリロ
イルオキシプロパン−２−イルカルバメート、Ｎ−（３
−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−１−
アクリロイルオキシ−３−メタクリロイルオキシプロパ
ン−２−イルカルバメート、Ｎ−（４−イソプロペニル
−α，α−ジメチルベンジル）−１，３−ジアクリロイ
ルオキシプロパン−２−イルカルバメート、Ｎ−（３−
イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジル）−２，２
−ジアクリロイルオキシメチル−３−アクリロイルオキ
シプロピルカルバメート、Ｎ−（４−イソプロペニル−
α，α−ジメチルベンジル）−２，２−ジメタクリロイ
ルオキシメチル−３−メタクリロイルオキシプロピルカ
ルバメート等が挙げられる。また、イソシアネート化合
物とメルカプト基との反応によるものとしては、上記の
カルバメートがチオカルバメートになった化合物が挙げ
られる。

【００１７】単量体（Ｂ）は、前記の式（４）、（５）
および（６）で表される官能基群から選ばれる少なくと
も一種の官能基をｍ個（ｍは１〜６の整数を表す）有す
るものであり、アクリル酸、メタクリル酸のエステル、
または、スチレンの誘導体である。

【００１８】ｍ＝１のものとしては、例えば、メチルア
クリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレー
ト、エチルメタクリレート、プロピルアクリレート、プ
ロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イ
ソプロピルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルアクリレ
ート、ベンジルメタクリレート、メトキシエチルアクリ
レート、メトキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、１，４−ブチレング
リコールモノアクリレート、１，４−ブチレングリコー
ルモノメタクリレート、グリシジルアクリレート、グリ
シジルメタクリレート、スチレン、メチルスチレン、ク
ロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレ
ン、メトキシスチレン等が挙げられる。

【００１９】ｍ≧２のものとしては、例えば、エチレン
グリコールジアクリレート、エチレングリコールメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールジメタクリレート、プロピレングリコ
ールジアクリレート、プロピレングリコールジメタクリ
レート、ジプロピレングリコールジアクリレート、ジプ
ロピレングリコールジメタクリレート、２，２−ビス
（４−アクリロイルオキシエトキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−メタクリロイルオキシエトキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アクリロイル
オキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−メタクリロイルオキシジエトキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−アクリロイルオキシプロピロ
イルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−メタクリ
ロイルオキシプロピロイルフェニル）プロパン、１，３
−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオ
ールジメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアク
リレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、
１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタク
リレート、ヒドロキシビバリン酸ネオペンチルグリコー
ルエステルジアクリレート、スピログリコールジアクリ
レート、スピログリコールジメタクリレート、エポキシ
アクリレート、エポキシメタクリレート、２−プロペノ
イックアシッド〔２−（１，１−ジメチル−２−〔（１
−オキソ−２−プロペニル）オキシ）エチル〕−５−エ
チル−１，３−ジオキサン−５−イル〕メチルエステ
ル、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメ
チロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリ
トールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメ
タクリレート、ビス（アクリロイルオキシエチル）ヒド
ロキシエチルイソシアヌレート、ビス（メタクリロイル
オキシエチル）ヒドロキシエチルイソシアヌレート、ト
リス（アクリロイルオキシエチル）ヒドロキシエチルイ
ソシアヌレート、トリス（メタクリロイルオキシエチ
ル）ヒドロキシエチルイソシアヌレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテ
トラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレ
ート、メチルトリ（アクリロイルオキシエトキシ）シラ
ン、グリセロールジアクリレート、グリセロールジメタ
クリレート、ジブロムネオペンチルグリコールジアクリ
レート、ジビニルベンゼン、ウレタンアクリレート類、
ウレタンメタクリレート類、１，１，３，３，５，５−
ヘキサ（アクリロイルオキシ）シクロトリホスファゼ
ン、１，１，３，３，５，５−ヘキサ（メタクリロイル
オキシ）シクロトリホスファゼン、１，１，３，３，
５，５−ヘキサ（アクリロイルエチレンジオキシ）シク
ロトリホスファゼン等が挙げられる。

【００２０】単量体（Ａ）は、単独で重合可能な単量体
であり、単独重合させることにより（樹脂−ａ）が得ら
れる。また、単量体（Ａ）と単量体（Ｂ）とを共重合さ
せることにより（樹脂−ｂ）が得られる。この共重合に
おける単量体（Ａ）と単量体（Ｂ）との単量体の比率
は、各単量体の有する官能基の種類及び単量体の構造な
どにより一概には決められないが、単量体（Ａ）中のイ
ソプロペニルフェニル基１当量に対して、単量体（Ａ）
中の式（２）または（３）で表される官能基、および、
単量体（Ｂ）中の式（４）、（５）または（６）で表さ
れる官能基群の総和が０．５当量〜１０当量の範囲であ
ることが好ましい。

【００２１】次に、本発明の電極用基板に用いる基板
（以下、透明樹脂基板という）の製造法について述べ
る。本発明の透明樹脂基板は、透明な三次元架橋構造の
樹脂であり、好ましくは、前記の単量体（Ａ）、または
単量体（Ａ）と（Ｂ）の混合物を、注型重合用鋳型の空
間部に注入し、重合硬化させることによって得られる透
明な三次元架橋構造の樹脂である。本発明で用いる樹脂
の重合はラジカル重合であり、熱重合のみならず、紫外
線やγ線を用いた重合も可能であり、更にこれらを組み
合わせて重合を行うこともできるが、熱重合法が簡便で
特に好ましい。熱重合を行う際のラジカル重合開始剤は
特に限定されず、公知のベンゾイルパーオキサイド、ｐ
−クロロベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパ
ーオキシカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオ
キシカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート等
の過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合
物が使用できる。その使用量は単量体の総量に対し、
０．０１重量％〜５重量％である。熱重合における加熱
温度は、５０℃〜２００℃であり、加熱時間は１時間〜
８時間である。

【００２２】紫外線硬化による場合の光開始剤について
も特に限定されず、公知のベンゾイン化合物、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、２−ヒ
ドロキシ−２−ベンゾインプロパン、アゾビスイソブチ
ロニトリル、ベンジルジメチルケタール、ジフェニルジ
スルフィド等が使用でき、その使用量は単量体の総量に
対し、０．０１重量％〜５重量％である。γ線などの放
射線を使用する場合は、一般的には重合開始剤などは必
ずしも必要ではない。

【００２３】重合前のモノマー液には、本発明の透明樹
脂基板が、経時的に着色したり、劣化することを防止す
るために、また、帯電を防止するために、予め酸化防止
剤、または帯電防止剤などを加えることができる。更に
必要に応じて、他の反応性モノマーを適宜加えてもよ
い。このようにして調整したモノマー液は、必要に応じ
て、脱泡処理を施して重合に備える。

【００２４】本発明の透明樹脂基板の製造に際して使用
する注型重合用鋳型とは、ガラス、金属、ＦＲＰ等から
選ばれた板材２枚と、軟質塩化ビニル、エラストマー、
シリコーンゴムまたはテフロン等のシート状またはチュ
ーブ状のガスケット、及びそれらを固定するための固定
具からなるものである。表面精度に優れた樹脂板を得る
ためには、ガラス板やＦＲＰ板では表面研磨されたもの
が、また、金属板ではメッキ処理が施されたものが好適
である。尚、熱重合の場合には熱による変質や寸法安定
性に欠けるものであってはならないから、この点にも留
意して板材を選択する。固定具は、どのような形態のも
のでも良いが、文具用バインダークリップなどが簡便に
利用できる。

【００２５】本発明の透明樹脂基板の製造においては、
必ずしも離型剤を必要とはしない。しかし、比較的薄
く、かつ、大型の透明樹脂基板の製造の場合には、より
スムーズに、より良好に離型させるために、離型剤を用
いることができる。この際、離型剤としては、外部離型
剤、内部離型剤のいずれのものも使用できるが、成型工
程の合理化の観点からは、内部離型剤であることが好ま
しい。内部離型剤は、シリコン系、ワックス系、脂肪酸
金属石鹸系、フッ素系、酸性リン酸エステル系等の通常
用いられる内部離型剤から選択することができる。その
使用量は、離型剤の種類や樹脂のモノマーの種類によ
り、一概には決められないが、通常は、単量体の総量に
対し、０．０２重量％〜０．３重量％である。０．０２
重量％以下では、離型剤の効果は望めず、また０．３重
量％以上を用いても離型性に変わりはない。過剰の使用
は、モノマーのポットライフの低下、樹脂物性の変化等
をもたらす傾向があり、好ましくはない。より好ましい
内部離型剤は、離型性能が特に良く、安価で取扱い易い
酸性リン酸エステル系である。内部離型剤を用いる場合
には、ラジカル開始剤や、その他の添加剤を加える時に
同時に添加する。

【００２６】本発明に用いられる透明樹脂基板の厚み
は、通常０．１〜２ｍｍ、好ましくは０．２〜１．５ｍ
ｍであり、更に好ましくは０．３〜１．１ｍｍが適当で
ある。基板が０．１ｍｍ未満である場合、また、２ｍｍ
より厚い場合には、軽量性、成形性といったプラスチッ
クの特性が活かされないため、透明電極基板にはさほど
重要ではない。

【００２７】また、本発明の透明電極基板としては、前
記のいずれかの透明樹脂基板の上に透明電極膜を設けて
作られるものであるが、特に限定されるものではない。
透明電極膜の材料としては、慣用の透明導電層の材料、
例えば、金属酸化物を用いることができる。具体的に
は、ＳｎＯ₂ 、ＣｄＯ、ＺｎＯ、ＣＴＯ系（ＣｄＳｎＯ
₃ 、Ｃｄ₂ ＳｎＯ₄ 、ＣｄＳｎＯ₄ ）、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、Ｃ
ｄＩｎ₂ Ｏ₄ 等が挙げられる。好ましくは、上記の金属
酸化物に、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｆ及びＡｌから選ばれる１種ま
たは２種以上を添加した複合（ドープ）相である。その
中でも好ましいのは、Ｓｎを添加したＩｎ₂ Ｏ₃ （ＩＴ
Ｏ）、Ｓｂを添加したＳｎＯ₂ 、Ｆを添加したＳｎＯ₂
等であり、特にＩＴＯが好ましく用いられる。ＩＴＯ中
に含まれるＳｎの量は、特に限定されないが、インジウ
ム１００に対し０〜２５重量部、好ましくは５〜１８重
量部が適当である。尚、これらの透明金属酸化物に微量
の不純物が含まれていても構わない。

【００２８】これらの透明金属酸化物層の厚みは、目的
や材質に応じて任意の厚みにすることができるが、１０
０〜４０００Å、好ましくは２００〜３０００Å、更に
好ましくは３００〜２０００Åである。尚、透明金属酸
化物層の厚みが１００Å以下の場合は十分な導電性が得
られず、さらに透明導電膜としての耐擦傷性が十分でな
い。また、４０００Å以上の膜厚は、その必要がないば
かりでなく製造コストのアップにつながり、更に光の干
渉により透明性が低下したり、着色するなど好ましくな
い結果を引き起こす。透明金属酸化物を形成する方法と
しては、公知の成膜法、例えばスプレー法、塗布法、真
空処理法など公知の方法が利用できる。ここで真空処理
法とは概ね真空下で金属などの薄膜を形成する方法であ
って、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法、プラズマＣＶＤ法、イオンクラスタービーム
法、イオン蒸着薄膜形成法等の方法を用いることが出来
る。さらにこれらの中で、スパッタリング法、イオンプ
レーティング法が好ましく用いられる。

【００２９】また、本発明の目的を損なわない限りにお
いては、透明樹脂基板の両面または片面に、一層以上の
層を設けても構わない。例えば、透明樹脂基板と透明導
電膜との密着性の改善や、透明樹脂基板と透明導電膜と
の熱膨張率の差によって生じるクラックを防止する目的
で、プライマー層を用いる場合もある。このような例と
しては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステ
ル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ウレタン系樹脂、フェノ
ール系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、エチレ
ン−ビニルアルコール系重合体、アクリロニトリル−ブ
タジエン系樹脂（例えばＡＢＳ系樹脂）および塩化ビニ
ル−酢酸ビニル系樹脂系重合体から選択される少なくと
も１種の樹脂が挙げられ、この中でも、シリコーン樹脂
が好ましく、樹脂と透明導電膜の中間的な熱膨張率を有
するシリコーン系ハードコート材が特に好ましい。シリ
コーン系ハードコート材は、通常、プラスチックに耐擦
傷性を付与する目的で用いられるものであり、透明性を
有するものならば何でもよく、一般に、下記一般式
（７）で示される有機ケイ素化合物、およびその加水分
解物、 Ｒ_n Ｓｉ（ＯＲ’）_4-n （７） （Ｒ、Ｒ’は炭素数１〜１０の有機基、ｎは１〜４の整
数）コロイド状に分散した金属酸化物微粒子、硬化触
媒、および有機溶剤よりなる液を塗布、硬化することに
より得られるものである。また、これらのシリコーン系
樹脂を主成分とする被膜形成成分には、その透明性を損
なわない範囲であれば、アクリル系樹脂、ポリウレタン
系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、ポリオレフ
ィン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、尿素樹脂、
ポリカーボネート系樹脂などを添加することも可能であ
る。

【００３０】シリコーン系ハードコートは、通常の塗布
方法、すなわち、ディップコート、スピンコート、スプ
レーコート、ロールコート、バーコート、フローコー
ト、刷毛塗り等を用いて塗布する。このような方法でコ
ーティングした後、通常５０℃〜２５０℃、好ましくは
１００℃〜２００℃の範囲で焼成される。尚、塗布前に
基板にアルカリ処理、プラズマ処理、ヤスリがけ等の表
面処理をしておくと、基板との密着性が更に向上する。

【００３１】また、ガスバリヤー性を付与する目的で、
ガスバリヤー層を設ける場合もある。ガスバリヤー層と
しては、特に限定されるものではないが、ＳｉＯｘ膜や
ＳｉＮｘ膜が一般的である。形成方法としては、ＰＶＤ
（スパッタ法等）、ＣＶＤ、ゾル−ゲル法、ポリシラザ
ン系塗料の塗布−焼成等の方法で形成されるセラミック
ス系コーティングが知られており、ＰＶＤやセラミック
ス系コーティングが好ましく用いられている。これらの
ような層は、必要に応じて、組み合わせて用いることも
可能であり、また、面によって違う組み合わせにするこ
とも可能である。

【００３２】以下、本発明の透明電極基板を用いて得ら
れるタッチパネルについて、図面を参照しながら説明す
る。本発明のタッチパネルは、それぞれタッチパネル
部、液晶表示部、偏光板より構成され、その積層の順に
より、アウター型タッチパネル（図１）と、インナー型
タッチパネル（図２）、一体型インナータッチパネル
（図３）に分けられる。本発明の透明電極基板は、タッ
チパネル部上部基板１、タッチパネル部下部基板１’の
両方に用いてもよいし、どちらかに用いてもよい。アウ
ター型タッチパネルや、インナー型タッチパネルの場合
は、タッチパネル部上部基板１に本発明の透明電極基板
を用いた場合、タッチパネル部下部基板１’は、用途に
よって、他の樹脂基板でもガラス基板でも構わない。

【００３３】タッチパネル部は、タッチパネル部上部基
板１、タッチパネル部下部基板１’のそれぞれ片面に、
前記したインジウム、錫、アンチモンから選ばれた少な
くとも一種以上の透明金属酸化物からなる透明導電膜２
を形成し、それぞれを上部電極、下部電極として用い、
絶縁スペーサー３を介して透明導電膜（電極）が対向す
るように設置する。それぞれの電極は、必要に応じてエ
ッチング等により所望の電極パターンを形成し、そのど
ちらか一方の電極に、オフセット印刷あるいはスクリー
ン印刷等の印刷法により、透明な光硬化型樹脂を印刷し
て絶縁スペーサーが設けられる。また、液晶表示部は、
公知の方法を用いて製造することができる。例えば、単
純マトリクス型液晶表示装置の場合、液晶表示部透明基
板４に透明導電膜２を形成して、液晶表示部透明電極基
板とし、該透明導電膜にエッチング等により所望の電極
パターンを形成し、配向膜形成、ラビング処理、セルギ
ャップ剤、シール剤印刷、基板貼り合わせ、液晶注入、
注入口封止を経て製造される。

【００３４】図１は、本発明の透明電極基板を用いて得
られるアウター型タッチパネルの構造の一例を示す断面
図であり、片面に透明導電膜２が形成されたタッチパネ
ル部上部基板１を、絶縁スペーサー３を介して、タッチ
パネル部下部基板１’と対向させたものである。下部基
板１’の下に、偏光板５、液晶表示部として液晶表示部
透明基板４、透明導電膜２、液晶層６、透明導電膜２、
液晶表示部透明基板４、さらに、偏光板５が順次形成さ
れている。

【００３５】図２は、本発明の透明電極基板を用いて得
られるインナー型タッチパネルの構造の一例を示す断面
図である。偏光板５、タッチパネル部として、タッチパ
ネル部上部基板１、透明導電膜２、絶縁スペーサー３、
透明導電膜２、タッチパネル部下部基板１’が、液晶表
示部として、液晶表示部透明基板４、透明導電膜２、液
晶層６、透明導電膜２、液晶表示部透明基板４、さら
に、偏光板５が順次形成されている。偏光板５が、タッ
チパネルの一番外側にあるため、タッチパネル部の基板
のリターデーションが小さいことが要求される。

【００３６】図３は、本発明の透明電極基板を用いて得
られる一体型インナータッチパネルの構造の一例を示す
断面図である。一体型インナータッチパネルは、インナ
ー型タッチパネルのタッチパネル部下部基板１’と液晶
表示部の上部基板４とが一体型となったものであり、基
板枚数が少ないため、明るい、軽い等のメリットがある
が、インナー型タッチパネルと同様に、リターデーショ
ンが小さい基板が要求される。また、タッチパネル用基
板に要求される曲げ弾性率、表面硬度の他、液晶表示部
基板製造に必要な耐熱性、ガスバリヤー性を持つ樹脂基
板が必要である。本発明の透明電極基板は、上記特性を
持つので、一体型インナータッチパネルの製造に好適に
用いることができる。

【００３７】

〔樹脂版の測定法〕

・曲げ弾性率：ＪＩＳ−Ｋ−７２０３法に則って測定し
た。 ・可視光透過率：ＪＩＳ−Ｒ−３１０６法に則って測定
した。 ・鉛筆硬度：ＪＩＳ−Ｋ−５４０１の塗膜用鉛筆引っ掻
き試験機を使用して測定した。 ・リターデーション：アッベ屈折計〔（株）アタゴ製〕
を用いてナトリウムスペクトルＤ線（波長５８９．３ｎ
ｍ）で測定した。

【００３８】〔透明樹脂基板の測定法〕 ・電気抵抗率：四探針法で測定し、換算してシート抵抗
率を求めた。 ・可視光透過率：ＪＩＳ−Ｒ−３１０６法に則って測定
した。 ・外観：肉眼観察で、クラック、面荒れその他の塗膜の
欠点のないものを（○）、その他のものを（×）とし
た。 ・耐無機アルカリ性：５％ＮａＯＨ水溶液に、室温下３
０分浸漬した時の外観をルーペにて観察し、面荒れその
他の塗膜の欠点の無いものを（○）、そのたのものを
（×）とした。 ・耐有機アルカリ性：モノエタノールアミン３５％ジエ
チレングリコールモノブチルエーテル溶液に、７０℃下
３０分浸漬した時の外観をルーペにて観察し、面荒れそ
の他の塗膜の欠点の無いものを（○）、その他のものを
（×）とした。 ・ペン摺動試験：２枚の透明電極基板を厚さ１００μｍ
のスペーサーを介して導電性薄膜同志が向かい合うよう
に対向配置し、一方の基板側より、硬度４０度のウレタ
ンゴムからなるロッド（針先７Ｒ）を用いて加重１００
ｇで１０万回こすった後、基板抵抗（Ｒｄ）を測定し、
初期の抵抗（Ｒｏ）に対する変化率（Ｒｄ／Ｒｏ）を求
め、１．０１％未満のものを（○）、１．０１％以上
１．０５％未満のものを（△）、１．０５％以上のもの
を（×）とした。 ・剛性：１０ｃｍ角の基板の両端５ｍｍづつを支え、基
板のたわみが１ｍｍ未満のものを（○）、１ｍｍ以上の
ものを（×）とした。

【００３９】〔透明樹脂基板（三次元架橋構造の樹脂
板）の製造〕 ・樹脂板１：３−イソプロペニル−α，α−ジメチルベ
ンジルイソシアネート４６．７重量部とトリス（アクリ
ロイルオキシエチル）イソシアヌレート３２．７重量部
を混合した後、ジブチルスズジラウレート０．０３重量
部を添加し、内温を６０℃に保ち、これに２−ヒドロキ
シエチルアクリレート２７．０重量部を徐々に加えてか
ら、同温度で２時間反応を行った後、ネオペンチルグリ
コールジメタクリレート１３．９重量部を混合した。得
られたモノマーに、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチル
ヘキサノエート１．１６重量部を添加し、混合しながら
脱泡を行った。 次いで、脱法したモノマー液を、２００ｍｍ×３００ｍ
ｍ寸法のガラス板２枚を空間距離が０．４ｍｍになるよ
うにシリコンゴムのシート状ガスケットで調製した鋳型
の空間部に注入し、その後、熱風炉に入れてから６０℃
から１８０℃までの昇温加熱で３時間重合を行って、厚
さ０．４ｍｍの透明樹脂板１を得た。得られた樹脂のガ
ラス転移温度は２６０℃であり、曲げ弾性率は４４０ｋ
ｇｆ／ｍｍ² 、可視光透過率は９１．２％であった。ま
た、鉛筆硬度は４Ｈ、リターデーションは１ｎｍ未満で
あった。

【００４０】・樹脂板２：３−イソプロペニル−α，α
−ジメチルベンジルイソシアネート４５．６重量部とエ
チレングリコール４．７重量部に、反応触媒としてジブ
チルスズジラウレート０．０２重量部を添加し、内温を
４０℃に保ちながら、１時間反応を行い、次いで、この
反応液に、２−ヒドロキシエチルメタクリレート９．８
重量部を加え、内温を５０℃に保ちながら２時間反応を
行った。その後、この反応液にペンタエリスリトールテ
トラアクリレート３９．９重量部を加えてよくかき混
ぜ、さらに、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサ
ノエート０．１００重量部を添加してよくかき混ぜた
後、脱泡を行った。得られたモノマー液を、樹脂板１の
場合と同様に重合し、厚さ０．４ｍｍの透明樹脂板２を
得た。得られた樹脂のガラス転移温度は２１０℃であ
り、曲げ弾性率は４６３ｋｇｆ／ｍｍ² 、可視光透過率
は９０．１％であった。また、鉛筆硬度は９Ｈ、リター
デーションは１ｎｍ未満であった。

【００４１】・樹脂板３：３−イソプロペニル−α，α
−ジメチルベンジルイソシアネート３０．２重量部に、
トリス（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート
４２．３重量部を混合し、内温を５０℃に保ちながら３
０分撹拌する。次に、ジブチルスズジラウレート０．０
２重量部と２−ヒドロキシエチルメタクリレート１９．
５重量部を加え、内温を５０℃に保ちながら５時間反応
を行った。その後、反応液にジイソプロペニルベンゼン
６．０重量部を加えて撹拌し、更にベンゾイルパーオキ
サイド１重量部、酸性リン酸エステル系内部離型剤（商
品名：Ｚｅｌｅｃ ＵＮ、デュ・ポン社製）０．２重量
部を混合した後、脱泡し、樹脂板１の場合と同様に重合
を行い、厚さ０．４ｍｍの透明樹脂板３を得た。得られ
た樹脂のガラス転移温度は２６５℃であり、曲げ弾性率
は４４４ｋｇｆ／ｍｍ² 、可視光透過率は９１．１％で
あった。また、鉛筆硬度は５Ｈ、リターデーションは１
ｎｍ未満であった。

【００４２】〔シリコーン系ハードコート液（プライマ
ー層）の調整〕 ・γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１０
６．２重量部を１０℃に保ち、撹拌しながら、０．０１
％塩酸水溶液２４．３重量部を徐々に滴下した。滴下終
了後、冷却を中止してシラン加水分解物を得た。この溶
液に、メタノール分散コロイド状シリカ（日産化学
（株）製品”メタノールシリカゾル”固形分３０％、平
均粒子径１３±１ｍμ）１２５．４重量部を撹拌しなが
ら加えた後、メタノール４３．５重量部、ジエチレング
リコールジメチルエーテル１２．５重量部、シリコーン
系界面活性剤０．４重量部を加え、更にアルミニウムア
セチルアセトネート３．８重量部を加え、充分撹拌して
プライマー用組成物を調整した。

【００４３】（実施例１）厚さ０．４ｍｍの前記樹脂板
１の片面に、厚み７００ÅのＩＴＯ（錫含有量：５％）
膜をスパッタリング法により形成した。得られた透明電
極基板の可視光透過率は、８８％であり、電気抵抗は、
約１００Ω／□であった。この塗膜の外観、耐有機アル
カリ性、耐無機アルカリ性、耐熱性、ペン摺動試験およ
び剛性を、前述の検査方法に従って測定し、その結果を
（表１）に示した。

【００４４】（実施例２）厚さ０．４ｍｍの前記樹脂板
１の片面に、エポキシ系オーバーコート剤（ＡＣ５１０
０、日産化学工業社製）を、スピンコーターを用いて塗
布（１０００ｒｐｍ、２０秒）し、１５０℃で３０分加
熱処理を行い、厚さ２μｍのプライマー層を得た。この
コートの上に、厚み７００ÅのＩＴＯ（錫含有量：５
％）膜をスパッタリング法により形成した。得られた透
明電極基板の可視光透過率は、８６％であり、電気抵抗
は、約１００Ω／□であった。この基板について、実施
例１と同様の検査を行った結果を（表１）に示す。

【００４５】（実施例３）厚さ０．４ｍｍの前記樹脂板
２の両面に、前記シリコーン系ハードコート液をスピン
コーターを用いて塗布（７００ｒｐｍ、１５秒）し、室
温にて３０分風乾させた後、１２０℃で６０分加熱処理
を行い、厚さ３μｍのプライマー層を得た。得られた基
板の両面に、ペルヒドロポリシラザン（２０％キシレン
溶液：東燃社製）を、スピンコーターを用いて塗布（２
０００ｒｐｍ、２０秒）し、大気雰囲気下１８０℃で１
時間加熱した後、１％ＨＣｌ水溶液に浸漬し、厚さ２０
００ÅのＳｉＯ₂ 塗膜を得た。この基板の片面に、厚み
７００ÅのＩＴＯ（錫含有量：５％）膜を、更に反対の
面に、厚み１３００ÅのＩＴＯ膜を高周波イオンプレー
ティング法により形成した。得られた基板の可視光透過
率は、８５％であり、電気抵抗はそれぞれ約２００Ω／
□、３０Ω／□であった。この基板について、実施例１
と同様の検査を行った結果を（表１）に示す。

【００４６】（実施例４）厚さ０．４ｍｍの前記樹脂板
３の両面に、スパッタリング法を用いて厚み５００Åの
ＳｉＯ₂ 膜を形成し、続いてこの基板の片面に、厚み６
００ÅのＩＴＯ（錫含有量：１６％）膜を、もう片面
に、２００℃下で、厚み２６００ÅのＩＴＯ膜をスパッ
タリング法により形成した。得られた基板の可視光透過
率は、８８％であり、電気抵抗は、それぞれ約２００Ω
／□、１０Ω／□であった。この基板について、実施例
１と同様の検査を行った結果を（表１）に示す。

【００４７】（比較例１）厚み５０μｍのポリカーボネ
ートフィルムに、厚み７００ÅのＩＴＯ（錫含有量：５
％）膜をスパッタリング法により形成した。得られた透
明導電性フィルムの可視光透過率は８２％であり、電気
抵抗は、約２００Ω／□であった。この基板について、
実施例１と同様の検査を行った結果を（表１）に示す。

【００４８】（比較例２）厚さ０．２ｍｍのＰＥＴフィ
ルムに、エポキシ系オーバーコート剤（ＡＣ５１００、
日産化学工業社製）を塗布（１０００ｒｐｍ、２０秒）
し、１１０℃で３０分加熱処理を行い、厚さ４μｍのプ
ライマー層を得た。得られた基板の片面に、スパッタリ
ング法を用いて、厚さ５００ÅのＳｉＯ₂ 膜を成膜し、
更に、厚み６００ÅのＩＴＯ（錫含有量：５％）膜を形
成した。得られた透明導電性フィルムの可視光透過率は
８２％であり、電気抵抗は、約２００Ω／□であった。
この基板について、実施例１と同様の検査を行った。そ
の結果を（表１）に示した。

【００４９】（比較例３）厚み５０μｍのポリエーテル
スルホン製未延伸フィルムの片面に、酸化インジウム
（４００Å）／銀（１００Å）／酸化インジウム（４０
０Å）からなる多層膜をスパッタリングにより形成し
た。得られた該フィルムの片面にシリコン系接着剤を塗
布し、その上にもう一枚の該フィルムを、一方のフィル
ムの透明金属酸化物層ともう一方のフィルムのプラスチ
ック層とが接するように接着剤を介して貼り合わせた。
得られた透明導電性フィルムの可視光透過率は、８１％
であり、電気抵抗は、約２０Ω／□であった。この基板
について、実施例１と同様の検査を行った結果を（表
１）に示す。

【００５０】

【表１】

【００５１】（実施例５）実施例３で得られた基板２枚
のＩＴＯ面に、ロールコーターにより２μｍの厚さでフ
ォトレジストをコーティングし、１００℃にてプリベー
クを行った。その後、それぞれフォトマスクを使用して
露光し、３％ＮａＯＨ水溶液を用いて４０℃下で現像し
た後、８．６Ｎ ＨＢｒ水溶液を用いてＩＴＯのエッチ
ングパターン化を行い、レジストを洗浄、除去し、電極
パターンを形成した。この２枚の基板のうち、上部電極
のＩＴＯ面に、感光性アクリル樹脂を用いて直径４０μ
ｍ、高さ５μｍのドットを２ｍｍピッチで格子状にスク
リーン印刷し、ＵＶ硬化させて絶縁スペーサーを形成し
た。この２枚の基板を、ＩＴＯ面が対向するように貼り
合わせて、タッチパネル部を得た。

【００５２】一方、厚み０．７ｍｍのガラス基板を２枚
用意し、これらの基板の片面にそれぞれＩＴＯ膜を蒸着
後、エッチングパターン化を行い、ＩＴＯ電極を形成し
た。その後、上記基板に配向膜印刷、ラビング処理を行
い、セルギャップ材を散布した後、シール印刷を行っ
て、圧力１．２ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度１４０℃にてホッ
トプレスを行い、２枚の基板のＩＴＯ面が対向するよう
に貼り合わせた。得られたセルに液晶を注入、ＵＶ硬化
型エポキシ封止材によって封止して液晶表示セル部を作
成した。この液晶表示セル部の両面に、所定の角度を持
った偏光板を貼り付け、更にその上部に、タッチパネル
部を貼り合わせることにより、アウター型タッチパネル
を得た。上記方法によって得られたアウター型タッチパ
ネルは、明るく、色にじみのない、鮮明な表示が可能で
あった。

【００５３】（実施例６）実施例５と同様の方法によっ
て得られたタッチパネル部と、液晶表示セル部を貼り合
わせた後、その上下に所定の角度を持った偏光板を貼り
合わせてインナー型タッチパネルを得た。上記方法によ
って得られたインナー型タッチパネルは、明るく、色に
じみのない、鮮明な表示が可能であった。

【００５４】（実施例７）実施例４で得られた基板のう
ち、抵抗値が２００Ω／□のＩＴＯ面にフォトレジスト
をコーティングし、プリベーク、露光する。続いて、裏
面をコーティング、プリベークし、フォトマスクを使用
して露光し、現像、エッチングパターン化、レジスト洗
浄除去を行う。この基板の抵抗値が１０Ω／□のＩＴＯ
面側に、配向膜を塗布、ラビング処理を行い、セルギャ
ップ材を散布した液晶表示部透明基板を貼り合わせ、液
晶表示セル部を作成し、液晶を注入した後、封止する。

【００５５】一方、実施例３で得られた基板のＩＴＯ面
に、ロールコーターにより２μｍの厚さでフォトレジス
トをコーティングし、プリベークを行う。その後、フォ
トマスクを使用して露光し、現像した後、ＩＴＯのエッ
チングパターン化を行い、さらに、このＩＴＯ面に、感
光性アクリル樹脂を用いてスクリーン印刷し、ＵＶ硬化
させ、絶縁スペーサーを形成する。この基板を、上記液
晶セル上部のＩＴＯ面と相対し、貼り合わせる。

【００５６】更に、以上の基板の上下に、所定の角度を
持った偏光板を、ローラーにより貼り付け、図３に示す
構成を有する一体型インナータッチパネルを形成する。
上記方法によって得られる一体型インナータッチパネル
は、薄く、軽量性に優れ、更に、明るく、色にじみのな
い、鮮明な表示が可能である。

【００５７】

【発明の効果】本発明のタッチパネル用基板は、鉛筆硬
度が４Ｈ以上で、曲げ弾性率が４００ｋｇｆ／ｍｍ² 以
上の剛性を有し、リターデーションが１ｎｍ以下、可視
領域の光線透過率が８５％以上である三次元架橋構造の
樹脂基板を用いることにより、表面硬度、剛性、光学特
性等に優れた基板が容易に製造でき、かつガラスに比べ
てかなりの軽量化が可能となり、各種のタッチパネル用
電極として、更には液晶表示部と一体型になった、一体
型インナータッチパネル用電極として好適に用いること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明電極基板を用いて得られるアウタ
ー型タッチパネルの構成の一例を示す断面図

【図２】本発明の透明電極基板を用いて得られるインナ
ー型タッチパネルの構成の一例を示す断面図

【図３】本発明の透明電極基板を用いて得られる一体型
インナー型タッチパネルの構成の一例を示す断面図

【符号の説明】

１ タッチパネル部上部基板 １’ タッチパネル部下部基板 ２ 透明導電膜 ３ 絶縁スペーサー ４ 液晶表示部透明基板 ５ 偏光板 ６ 液晶層

フロントページの続き (72)発明者 川崎 登 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 鉛筆硬度が４Ｈ以上で、曲げ弾性率が４
   ００ｋｇｆ／ｍｍ²以上の剛性を有し、リターデーショ
   ンが１ｎｍ以下、可視領域の光線透過率が８５％以上で
   ある三次元架橋構造の樹脂基板を用いた、タッチパネル
   用透明電極基板。
2. 【請求項２】 三次元架橋構造の樹脂が、１分子中に、
   下記一般式（１）（化１）で表される官能基と、下記一
   般式（２）または（３）（化１）で表される官能基とを
   兼備する単量体（Ａ）を重合してなる樹脂（樹脂−
   ａ）、 【化１】 （式中、Ｒ₁ は水素原子またはメチル基を表し、Ｘは酸
   素原子または硫黄原子を表す）または、単量体（Ａ）
   と、下記式（４）、（５）および（６）（化２）で表さ
   れる官能基群から選ばれる少なくとも１種の官能基をｍ
   個（ｍは１〜６の整数を表す）有する単量体（Ｂ）とを
   共重合してなる樹脂（樹脂−ｂ）である請求項１に記載
   のタッチパネル用透明電極基板。 【化２】
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の基板を用いて得
   られる、アウター型タッチパネル。
4. 【請求項４】 請求項１または２記載の基板を用いて得
   られる、インナー型タッチパネル。
5. 【請求項５】 請求項１または２記載の基板を用いて得
   られる、タッチパネル部の基板と液晶表示部の基板とが
   一体型となった、一体型インナータッチパネル。