JPH11135698A - 半導体装置の製造方法および半導体装置製造用切断装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイの長寿命化を図り、半導体装置のコスト
低減を図る。 【解決手段】 リードフレームの一部を封止体で封止す
る工程と、前記リードフレーム等の所定部分を半導体装
置製造用切断装置の切断金型のダイとパンチの切断動作
によって切断する工程とを有する半導体装置の製造方法
であって、前記ダイを支持する取付部において前記ダイ
を交換自在に構成しておくとともに、前記ダイの下面お
よび前記ダイの前記パンチが通過する側の面の反対面と
前記取付部間に所望の厚さのステーを介在可能に形成し
ておき、前記切断金型の補修時には前記ダイの上面およ
び前記ダイの前記パンチが通過する通過面の一方または
両方をそれぞれ所定厚さ研削し、かつ前記研削厚さに対
応する厚さのステーを前記取付部と前記ダイの下面や反
対側面との間に介在させ、その後切断加工を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造技術
に関し、特に樹脂封止型半導体装置の製造におけるトラ
ンスファモールド後の不要リードフレーム部分や不要樹
脂部分を切断除去する切断技術に適用して有効な技術に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（集積回路装置）等の半導体装置に
おいて、半導体チップやワイヤ等を樹脂製の封止体（パ
ッケージ）によって封止する構造が知られている。

【０００３】樹脂封止型半導体装置は、その製造におい
てリードフレームが使用される。半導体チップの固定お
よびワイヤボンディングが終了したリードフレームは、
トランスファモールド装置によってモールドが行われ
る。この結果、前記半導体チップやワイヤ等は樹脂（レ
ジン）による封止体で被われる。

【０００４】また、その後、前記パッケージから食み出
したレジンバリや不要樹脂体部分の除去、リードを連結
するタイバー（ダム）の切断除去，前記半導体チップが
固定されるタブを支持するタブ吊りリードの切断，リー
ド切断，リード成形等が行われ、所望の半導体装置が製
造される。

【０００５】日経ＢＰ社発行「ＶＬＳＩパッケージング
技術（下）」1993年５月15日発行、Ｐ41〜Ｐ50には、バ
リ取り, ダム切断, リード切断, リード成形等の技術に
ついて記載されている。

【０００６】また、樹脂封止型半導体装置の製造におい
て、封止体内に気泡（ボイド)を発生させないようにす
るため、モールド金型にオーバランナ，ダミーキャビテ
ィ，フローキャビティ等の樹脂溜まりを設け、空気を多
く含む樹脂流の先端部分を前記オーバランナ，ダミーキ
ャビティ，フローキャビティ等に案内するようになって
いる。これらのキャビティで硬化した樹脂体も不要樹脂
部分として切断除去される。

【０００７】なお、一手法であるが、フローキャビティ
で硬化したフロー封止部の切断においては、最初にフロ
ー封止部とタブ吊りリードの切断がなされる。

【０００８】前記オーバランナ，ダミーキャビティにつ
いては、たとえば工業調査会発行「電子材料」1987年８
月号、同年８月１日発行、Ｐ73〜Ｐ79に記載されてい
る。また、同文献には、パッケージ周りの不要部分（樹
脂落とし，タイバーカット，ピンチリードカット，リー
ドカットなど）の処理技術（トリム＆フォーム）につい
て記載されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】樹脂封止型半導体装置
の製造において、トランスファモールド後、不要樹脂部
分や不要リードフレーム部分は、前記のような半導体装
置製造用切断装置を使用して切断除去されている。

【００１０】前記タイバー切断（タイバーカット）で
は、金属片となるタイバーやタイバー間に位置する樹脂
を切断金型のダイとパンチで切断するが、前記樹脂には
フィラーとしてシリコンが含まれることもあり、ダイや
パンチの磨耗が早い。

【００１１】ダイやパンチの磨耗が進むと切断不良を起
こすため、ダイやパンチの磨耗が早い場合は交換作業が
頻繁になり、稼働率が低くなるとともに切断コストが高
くなる。

【００１２】図１４はリードフレーム１のタイバー（ダ
ム）２を切断する一部のダイ３およびパンチ４を示す模
式的平面図である。ダイ３の受け刃５は樹脂からなる封
止体６から突出するリード７を支持する。また、パンチ
４は隣接する受け刃５間に降下して、前記受け刃５間に
延在しかつ隣接するリード７を連結するタイバー２を切
断する。

【００１３】切断金型のダイ３は、図１５にも示すよう
に、基本的には前記パンチ４と係合する受け刃５と、こ
の受け刃５を支持する板状のダイブロック１０によって
構成されている。すなわち、受け刃５はダイブロック１
０の一面に沿って所定間隔櫛の歯状に突出する部分で形
成されている。そして、タイバー２は、前記受け刃５の
上側縁１３と、前記上側縁１３に対面するパンチ４の一
縁による剪断動作によって切断される。

【００１４】また、切断片が隣接する受け刃５間から容
易に抜け出ることができるように、受け刃５の下方（厚
さ方向）には、隣接する受け刃５の間隔よりも広い逃げ
空間１５が設けられている。

【００１５】タイバー切断では、封止体の両側のタイバ
ーをそれぞれ切断することから、２個のダイブロック１
０が下金型ベースの取付部に固定される。

【００１６】また、前記封止体６の周面，リード７およ
びタイバー２によって囲まれる領域には樹脂１１が詰ま
っている。この樹脂１１はレジンバリ１１と呼称される
が、前記封止体６をトランスファモールドによって形成
する際、モールド上下金型の隙間から漏れ出すことによ
って形成されてしまう。図１４ではレジンバリ１１を点
々を施して示してある。

【００１７】したがって、タイバー２の切断時、パンチ
４は前記レジンバリ１１をも切断するようになり、その
切断時ダイ３の表面も樹脂１１で擦られる。樹脂１１に
はシリコンからなる硬いフィラーが含まれているため、
ダイ３やパンチ４の切断に係わる部分は磨耗する。

【００１８】図１５には、一部の受け刃５に磨耗によっ
て生じた損傷部分１４が示されている。前記損傷部分１
４は、受け刃５が片持梁構造であることから先端側程大
きく、かつ受け刃５の上縁側で大きく偏っている。

【００１９】そこで、本発明者は、受け刃５が損傷して
もダイ３を直ぐに交換せず、受け刃５を補修（オーバー
ホール）することによってダイの寿命を長くすることを
考え本発明をなした。

【００２０】また、半導体装置製造用切断装置の切断金
型は、リードフレームの移動方向に沿って、たとえば、
フローキャビティ打抜き部，レジンバリ打抜き部，タイ
バー打抜き部，リード先端打抜き部等の各切断部を配置
する複合型が多用されている。

【００２１】したがって、これら各ダイの長寿命化を図
ることも重要であり、これが切断コストの低減に繋が
る。

【００２２】本発明の目的は、ダイの長寿命化が図れる
半導体装置製造技術を提供することにある。

【００２３】本発明の他の目的は、ダイの補修後も高精
度の切断が行える半導体装置製造用切断装置を提供する
ことにある。

【００２４】本発明の他の目的は、半導体装置の製造コ
ストの低減を図ることができる半導体装置の製造方法お
よび半導体装置製造用切断装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）リードフレームの一部を封止体で封止する工程
と、前記リードフレーム等の所定部分を半導体装置製造
用切断装置の切断金型のダイとパンチの切断動作によっ
て切断する工程とを有する半導体装置の製造方法であっ
て、前記ダイを支持する取付部において前記ダイを交換
自在に構成しておくとともに、前記ダイの下面および前
記ダイの前記パンチが通過する側の面の反対面と前記取
付部間に所望の厚さのステーを介在可能に形成してお
き、前記切断金型の補修時には前記ダイの上面および前
記ダイの前記パンチが通過する通過面の一方または両方
をそれぞれ所定厚さ研削し、かつ前記研削厚さに対応す
る厚さのステーを前記取付部と前記ダイの下面や反対側
面との間に介在させ、その後切断加工を行う。前記切断
金型には前記リードフレームの移送方向に沿って前記ダ
イとパンチを複数箇所配置しておき、切断装置の一度の
切断動作でそれぞれの箇所で相互に異なるリードフレー
ム部分等の切断を行う。

【００２６】このような半導体装置の製造方法に用いる
半導体装置製造用切断装置は以下の構成になっている。

【００２７】一部に封止体を有するリードフレームの所
定リードフレーム部分等を切断金型のダイとパンチの切
断動作によって切断する半導体装置製造用切断装置であ
って、前記ダイを支持する取付部において前記ダイを交
換自在に構成され、前記ダイの下面および前記ダイの前
記パンチが通過する側の面の反対面と前記取付部間には
所望の厚さのステーが介在可能になっている。前記ダイ
の切断に関与する受け刃の突出長さは受け刃の幅の２倍
以上になっている。前記リードフレームの移送方向に沿
って前記ダイとパンチが複数箇所配置され、それぞれの
箇所では異なるリードフレーム部分の切断が行われるよ
うに構成されている。

【００２８】前記（１）の手段によれば、（ａ）ダイの
磨耗損傷に応じて、ダイの上面およびパンチが通過する
通過面の一方または両方を所定厚さ研削することによ
り、再びダイは使用可能な状態になる。また、使用に際
しては、ダイを取り付ける取付部と、ダイの下面やパン
チが通過する側の面の反対面との間に、前記研削した厚
さに対応する厚さのステーを介在させるため、切断位置
も正確に補正され、再びリードフレーム等の切断が行え
るようになる。このように、ダイは繰り返し補修が行え
るため、ダイの使用回数（寿命）が長くなり、切断コス
トの低減が図れ、製造する半導体装置のコストの低減が
達成できる。

【００２９】（ｂ）磨耗損傷部分はダイの上面と通過面
に亘って発生し、損傷深さは上面や通過面よりも上面と
通過面が交差する角部方向からの方向が最も深い。した
がって、ダイの上面とパンチが通過する側の通過面の一
方を研削補修する場合に比較して両方を研削補修する場
合の方が、それぞれの研削厚さを薄くでき、ダイの補修
回数の増大が図れ、ダイの長寿命化が達成できる。

【００３０】（ｃ）磨耗損傷部分はダイの上面と通過面
に亘って発生し、損傷深さは上面や通過面よりも上面と
通過面が交差する角部方向からの方向が最も深い。した
がって、研削補修においては、ダイの上面と通過面の両
方を研削する方法を採用すれば、研削厚さを薄くした状
態でも完全に損傷部分を除去できる場合が多くなる。損
傷部分を完全に除去したり、あるいは損傷部分が残留し
ても損傷部分の深さが微小である場合は、切断に支障を
来さなくなり、高精度の切断とより多い切断回数が可能
になる。したがって、半導体装置の品質の向上とダイの
長寿命化が達成できる。

【００３１】（ｄ）前記切断金型ではダイとパンチが複
数箇所配置されていることから、切断装置の一度の切断
動作で相互に異なるリードフレーム部分等の切断を行う
ことができ作業性が高くなる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３３】（実施形態１）本実施形態１では樹脂封止
型半導体装置の製造におけるモールド後のリードフレー
ム部分の切断に本発明を適用した例について説明する。

【００３４】すなわち、本実施形態１では、複合切断金
型を使用した切断装置によって、フロー封止部打抜き，
レジン（レジンバリ）打抜き，タイバー打抜き，リード
先端打抜き（リード切断）を同時に行う例について説明
する。

【００３５】なお、本実施形態１では、タイバー打抜き
におけるダイの研削補修について説明する。

【００３６】図２は半導体装置製造用切断装置の切断金
型２０を示す斜視図である。切断金型２０は下金型ベー
ス２１と上金型ベース２２を有している。前記下金型ベ
ース２１の四隅上面にはそれぞれ支柱２３が設けられ、
前記上金型ベース２２の四隅下面には前記支柱２３に対
して摺動自在に嵌合される嵌合部２４が固定されてい
る。

【００３７】前記下金型ベース２１の上面中央には取付
部２５が設けられ、図示しないダイが取り付けられてい
る。また、前記上金型ベース２２の下面中央には取付部
２６が設けられ、図示しないパンチが取り付けられてい
る。

【００３８】前記上金型ベース２２の上面中央には昇降
用ラム２７の下端が固定されている。

【００３９】また、前記下金型ベース２１と上金型ベー
ス２２との間にはリードフレーム１を案内するフィード
プレート３０が水平に配置されている。リードフレーム
１は前記フィードプレート３０上に載置され、図示しな
いフィード機構によって間欠的に移送される。移送は、
たとえば右側から左側に向けて行われる。

【００４０】したがって、前記昇降用ラム２７の降下に
よってダイとパンチによって切断が行われる。

【００４１】リードフレーム１は、単位リードフレーム
パターンが直列に複数並べられた短冊体となり、その両
側には移送時や位置決め時に使用される円形や楕円形あ
るいは長孔等からなるガイド孔３５が設けられている。

【００４２】単位リードフレームパターン部分は、図５
に示すように枠体３６からなり、中央には封止体６が形
成されている。この封止体６の両側からは複数のリード
７が平行に延在している。リード７の先端はそれぞれ枠
体３６に連なっている。また、封止体６の両側には封止
体６に沿うようにタイバー２が設けられている。このタ
イバー２は隣接するリード７を連結している。最も外れ
のタイバー２はリード７と枠体３６を連結している。

【００４３】また、前記封止体６の両端（図５で上下
端）からは、それぞれ２本のタブ吊りリード３７が突出
している。このタブ吊りリード３７は枠体３６に連結さ
れている。

【００４４】封止体６の一端側にはフロー封止部３８が
形成されている。このフロー封止部３８は樹脂からなる
連結片３９によって封止体６に連結されている。

【００４５】なお、図５において、樹脂部分には点々を
施してある。封止体６の外側のリード７とタイバー２と
の間には樹脂（レジンバリ）１１が形成されている。

【００４６】前記切断金型２０には、リードフレーム１
の移送方向に沿って複数のダイ３とパンチ４が組み込ま
れ、たとえば、打抜き部が４箇所設けられている。すな
わち、打抜き部は、図３および図４に示すように、右か
ら左に向かってフロー封止部打抜き部４０，レジン（レ
ジンバリ）打抜き部４１，タイバー打抜き部４２，リー
ド先端打抜き部（リード切断部）４３になっている。

【００４７】そして、各打抜き部にはそれぞれ所定の形
状のダイ３とパンチ４が組み込まれている。

【００４８】すなわち、フロー封止部打抜き部４０で
は、ダイ３としてフロー封止部打抜き部分３ａとタブ吊
りリード打抜き部分３ｂが設けられ、パンチ４としてフ
ロー封止部打抜きパンチ４ａとタブ吊りリード打抜きパ
ンチ４ｂが設けられている。

【００４９】レジンバリ打抜き部４１では、ダイ３とし
てレジンバリ打抜き部分３ｃが対面するように一対設け
られ、パンチ４としてレジンバリ打抜きパンチ４ｃ設け
られている。また、前記一対のレジンバリ打抜き部分３
ｃの間には封止体６を受け、かつ前記一対のレジンバリ
打抜き部分３ｃの間隔を所定の寸法に維持するための受
け３ｄが設けられている。

【００５０】タイバー打抜き部４２では、ダイ３として
タイバー打抜き部分３ｅが対面するように一対設けら
れ、図１にも示すように、パンチ４としてタイバー打抜
きパンチ４ｅが設けられている。図７はタイバー打抜き
部４２の一方のタイバー打抜き部分３ｅ（ダイ３）およ
びタイバー打抜きパンチ４ｅ（パンチ４）とリードフレ
ーム１を示す斜視図である。図７ではリードフレーム１
を模式的に示してある。

【００５１】また、前記一対のタイバー打抜き部分３ｅ
の間には封止体６を受け、かつ前記一対のレジンバリ打
抜き部分３ｃの間隔を所定の寸法に維持するための受け
３ｆが設けられている。

【００５２】タイバー打抜きパンチ４ｅの下部には、前
記タイバー打抜き部分３ｅの受け刃５間に降下する突き
刃９が櫛の歯状に設けられている。

【００５３】図６はタイバー打抜き部分のダイ３（タイ
バー打抜き部分３ｅ）、パンチ４（タイバー打抜きパン
チ４ｅ）、リードフレーム１および封止体６等を示す一
部の平面図である。

【００５４】また、ダイ３のダイブロック１０から櫛歯
状に突出する受け刃５の長さ（ａ）を、研削補修の回数
を多くするために従来よりも長くしてある。すなわち、
従来の受け刃５の長さ（ａ）は、受け刃５と同一寸法の
幅か僅かに長い寸法になっている。これに対して本実施
形態１の場合は長さは受け刃５の幅の２倍以上の長さに
なっている。

【００５５】タイバー２の切断においては、図８に示す
ように、タイバー打抜き部分３ｅ上に載るリードフレー
ム１に対してタイバー打抜きパンチ４ｅを下降させ、図
９に示すように、リード７を連結するタイバー２を切断
する。切断片５２は受け刃５の下側に形成された逃げ空
間１５を通って下方に排出される。

【００５６】リード切断部４３では、ダイ３としてリー
ド切断部分３ｇが対面するように一対設けられ、パンチ
４としてリード切断パンチ４ｇが設けられている。ま
た、前記一対のリード切断部分３ｇの間には封止体６を
受け、かつ前記一対のリード切断部分３ｇの間隔を所定
の寸法に維持するための受け３ｈが設けられている。

【００５７】また、前記フロー封止部打抜き部４０，レ
ジン（レジンバリ）打抜き部４１，タイバー打抜き部４
２では、切断加工によって切断片が発生することから、
前記下金型ベース２１にはそれぞれ排出穴４４が設けら
れている。

【００５８】受け等も含めダイ全体は、下金型ベース２
１の取付部２５の矩形体状に窪んだ嵌合部に順次並べて
配列され、きっちり嵌まり込むようになっている。すな
わち、全てのダイを前記嵌合部２１ａに組み込むことに
よって各ダイ部分は下金型ベース２１に固定されること
になる。なお、各ダイを固定する構造は嵌合部構造でな
くても他の構造でもよい。

【００５９】半導体装置の製造においては、リードフレ
ーム１の所定部分に半導体チップを固定した後、前記半
導体チップの電極とリード７の先端を導電性のワイヤで
接続し、その後トランスファモールドによって前記半導
体チップ，ワイヤ，リード内端部分を樹脂からなる封止
体６で被うとともに、フローキャビティ部分等をも被い
フロー封止部等をも形成する。

【００６０】その後、たとえば、本実施形態１の半導体
装置製造用切断装置を用いて、フロー封止部の切断とタ
ブ吊りリード３７の打抜き、レジンバリ１１の打抜き、
タイバー２の打抜き，リード切断を行う。

【００６１】また、リード切断後の単体となった図示し
ない半導体装置は、リード成形がなされ、リード形状が
ガルウィング型等からなる半導体装置が製造される。

【００６２】そして、前記半導体装置の製造方法におい
て、ダイ３やパンチ４の磨耗が規定量に至ると、あるい
は所定打抜き回数に至ると、ダイ３やパンチ４の研削補
修を行う。

【００６３】図１０は研削補修が必要になったダイ３
（タイバー打抜き部分３ｅ）の一部の斜視図である。損
傷部分１４は受け刃５の上縁を欠くように、図１２に示
すような三角断面形状になる。

【００６４】そこで、この三角断面形状を効果的に除去
するには、図１２に示すように、ダイ３の上面１７を二
点鎖線で示すように所定厚さに研削したり、あるいは図
１２に示すように、パンチが通過する通過面１６を一点
鎖線で示すように所定厚さに研削するよりも、上面１７
と通過面１６をそれぞれ研削した方が、上面１７および
通過面１６の研削厚さを薄くできる。すなわち、研削補
修をダイ３の上面１７および通過面１６の両面とするこ
とによって、一方の場合に比較して研削厚さをそれぞれ
の半分にすることができる。これにより、研削補修回数
を多くすることができ、ダイ３（タイバー打抜き部分３
ｅ）の寿命を長くすることができる。

【００６５】なお、上面１７の研削厚さをｓとし、通過
面１６の研削厚さをｔとする（図１２参照）。

【００６６】図１１は、研削される部分を模式的に示す
ダイ３（タイバー打抜き部分３ｅ）の模式図である。

【００６７】図において６０はダイ３の上面側研削部分
であり、６１は通過面側研削部分である。ダイ３の上面
１７および通過面１６をそれぞれｓ，ｔの厚さ研削する
ことによってダイ３の背の高さは低くなり、背面側の厚
さは薄くなることから、補正のためダイ３の下面に厚さ
ｓのステー４６を介在させ、ダイ３の背面側（すなわち
パンチが通過する側の面の反対面）に厚さｔのステー４
７を介在させる。

【００６８】換言するならば、図１および図４に示すよ
うに、嵌合部２１ａの内底面（内壁面）とダイ３の下面
との間にステー４６を介在させ、嵌合部２１ａの内側面
（内壁面）とダイ３のパンチが通過する側の面の反対面
との間にステー４７を介在させる。

【００６９】上記のように、タイバーの打抜き部分の研
削補修について説明したが、レジンバリの打抜き箇所や
リード切断箇所にも、研削補修とステーの介在によって
前記実施形態同様に適用できる。また、ダイをさらに分
割した構成にすること等によって、フロー封止部の打抜
き部分にも同様に適用できる。

【００７０】本実施形態１の半導体装置製造技術によれ
ば以下の効果を奏する。 （１）ダイ３の磨耗損傷に応じて、ダイ３の上面１７お
よびパンチ４が通過する通過面１６の一方または両方を
所定厚さ研削することにより、再びダイ３は使用可能な
状態になる。また、使用に際しては、ダイ３を取り付け
る取付部２５と、ダイ３の下面やパンチが通過する側の
面の反対面との間に、前記研削した厚さに対応する厚さ
のステー４６を介在させるため、切断位置も正確に補正
され、再びリードフレーム１等の切断が行えるようにな
る。このように、ダイ３は繰り返し補修が行えるため、
ダイ３の使用回数（寿命）が長くなり、切断コストの低
減が図れ、製造する半導体装置のコストの低減が達成で
きる。

【００７１】（２）磨耗損傷部分はダイ３の上面１７と
通過面１６に亘って発生し、損傷深さは上面１７や通過
面１６よりも上面１７と通過面１６が交差する角部方向
からの方向が最も深い。したがって、ダイ３の上面１７
とパンチ４が通過する側の通過面１６の一方を研削補修
する場合に比較して両方を研削補修する場合の方が、そ
れぞれの研削厚さを薄くでき、ダイの補修回数の増大が
図れ、ダイの長寿命化が達成できる。

【００７２】（３）磨耗損傷部分１４はダイ３の上面１
７と通過面１６に亘って発生し、損傷深さは上面１７や
通過面１６よりも上面１７と通過面１６が交差する角部
方向からの方向が最も深い。したがって、研削補修にお
いては、ダイ３の上面１７と通過面１６の両方を研削す
る方法を採用すれば、研削厚さを薄くした状態でも完全
に損傷部分を除去できる場合が多くなる。損傷部分１４
を完全に除去したり、あるいは損傷部分が残留しても損
傷部分の深さが微小である場合は、切断に支障を来さな
くなり、高精度の切断とより多い切断回数が可能にな
る。したがって、半導体装置の品質の向上とダイの長寿
命化が達成できる。

【００７３】（４）前記切断金型２０ではダイ３とパン
チ４が複数箇所配置されていることから、切断装置の一
度の切断動作で相互に異なるリードフレーム部分等の切
断を行うことができ作業性が高くなる。

【００７４】（実施形態２）図１３は本発明の半導体装
置製造用切断装置におけるダイ３の研削補修方法に関す
る模式図である。

【００７５】本実施形態２では、ダイ３の上面１７のみ
を所定厚さ研削補修する。ダイ３の上面１７または通過
面１６のみを研削補修してもその後タイバー２の切断は
可能である。

【００７６】また、図１３では、研削厚さをｓとし、受
け刃５の損傷部分１４の長さ（２ｓ）の半分の長さとし
ている。このように、損傷部分１４の傷の半分を残留さ
せても、残留する損傷部分１４部分が小さいことから、
タイバー２の打抜きは続行できる。この方法では、小さ
いとは言え最初から損傷部分１４部分が存在することか
ら、打抜きの精度は必ずしも高いとは言えないが、損傷
部分１４が大きくならない状態ではある程度使用しても
製品に差し支えない。しかし、打抜きの使用回数は短く
なる。以上本発明者によってなされた発明を実施形態に
基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。

【００７７】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）ダイの磨耗損傷に応じて、ダイの上面およびパン
チが通過する通過面の一方または両方を所定厚さ研削す
ることにより、再びダイは使用可能な状態になる。ま
た、使用に際しては、ダイを取り付ける取付部と、ダイ
の下面やパンチが通過する側の面の反対面との間に、前
記研削した厚さに対応する厚さのステーを介在させるた
め、切断位置も正確に補正され、再びリードフレーム等
の切断が行えるようになる。 （２）このように、ダイは繰り返し補修が行えるため、
ダイの使用回数が長くなり、ダイの寿命が長くなるた
め、切断コストの低減が図れ、製造する半導体装置のコ
ストの低減が達成できる。 （３）ダイの上面と通過面の両方を研削補修する方が研
削厚さを薄くでき、ダイの研削補修回数の増大化から、
ダイの長寿命化が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置製造用切断装置の一部を示す断面図である。

【図２】本実施形態１の切断装置の一部を示す斜視図で
ある。

【図３】本実施形態１の切断装置の下金型を示す模式的
平面図である。

【図４】本実施形態１の切断装置の下金型を示す模式的
断面図である。

【図５】本実施形態１の切断装置において切断を行うリ
ードフレームを示す模式的平面図である。

【図６】本実施形態１の切断装置において切断を行うリ
ードフレームの一部を示す平面図である。

【図７】本実施形態１の切断装置におけるタイバー切断
金型の一部とリードフレームを示す平面図である。

【図８】本実施形態１の切断装置においてタイバーを切
断する前の状態を示すリードフレームの断面図である。

【図９】本実施形態１の切断装置においてタイバーを切
断した状態を示すリードフレームの断面図である。

【図１０】本実施形態１の切断装置において補修前のダ
イブロックを示す模式的斜視図である。

【図１１】本実施形態１の切断装置において損傷部分の
補修が行われたダイブロックと研削部分を概念的に示し
た模式的斜視図である。

【図１２】本実施形態１のダイ３における研削補修形態
を示す模式図である。

【図１３】本発明の他の実施形態（実施形態２）である
補修が行われたダイブロックと研削部分を概念的に示し
た模式的斜視図である。

【図１４】従来の切断装置によるリードフレームのタイ
バー切断状態を示す一部の平面図である。

【図１５】従来の切断装置のタイバー切断金型における
ダイブロックの損傷状態を示す一部の斜視図である。

【符号の説明】

１…リードフレーム、２…タイバー、３…ダイ、３ａ…
フロー封止部打抜き部分、３ｂ…タブ吊りリード打抜き
部分、３ｃ…レジンバリ打抜き部分、３ｄ…受け、３ｅ
…タイバー打抜き部分、３ｆ…受け、３ｇ…リード切断
部分、３ｈ…受け、４…パンチ、４ａ…フロー封止部打
抜きパンチ、４ｂ…タブ吊りリード打抜きパンチ、４ｃ
…レジンバリ打抜きパンチ、４ｅ…タイバー打抜きパン
チ、４ｇ…リード切断パンチ、５…受け刃、６…封止
体、７…リード、９…突き刃、１０…ダイブロック、１
１…樹脂（レジンバリ）、１３…上側縁、１４…損傷部
分、１５…逃げ空間、１６…通過面、１７…上面、２０
…切断金型、２１…下金型ベース、２２…上金型ベー
ス、２３…支柱、２４…嵌合部、２５…取付部、２７…
昇降用ラム、３０…フィードプレート、３５…ガイド
孔、３６…枠体、３７…タブ吊りリード、３８…フロー
封止部、３９…連結片、４０…フロー封止部打抜き部、
４１…レジン（レジンバリ）打抜き部、４２…タイバー
打抜き部、４３…リード切断部、４４…排出穴、４５…
内底面、４６，４７…ステー、５０…反対面、５１…内
側面、５２…切断片、６０…上面側研削部分、６１…通
過面側研削部分。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームの一部を封止体で封止す
   る工程と、前記リードフレーム等の所定部分を半導体装
   置製造用切断装置の切断金型のダイとパンチの切断動作
   によって切断する工程とを有する半導体装置の製造方法
   であって、前記ダイを支持する取付部において前記ダイ
   を交換自在に構成しておくとともに、前記ダイの下面お
   よび前記ダイの前記パンチが通過する側の面の反対面と
   前記取付部間に所望の厚さのステーを介在可能に形成し
   ておき、前記切断金型の補修時には前記ダイの上面およ
   び前記ダイの前記パンチが通過する通過面の一方または
   両方をそれぞれ所定厚さ研削し、かつ前記研削厚さに対
   応する厚さのステーを前記取付部と前記ダイの下面や反
   対側面との間に介在させ、その後切断加工を行うことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記切断金型には前記リードフレームの
   移送方向に沿って前記ダイとパンチを複数箇所配置して
   おき、切断装置の一度の切断動作でそれぞれの箇所で相
   互に異なるリードフレーム部分等の切断を行うことを特
   徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記リードフレームに絶縁性の樹脂で封
   止を行って封止体を形成することを特徴とする請求項１
   または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 一部に封止体を有するリードフレームの
   所定リードフレーム部分等を切断金型のダイとパンチの
   切断動作によって切断する半導体装置製造用切断装置で
   あって、前記ダイを支持する取付部において前記ダイを
   交換自在に構成され、前記ダイの下面および前記ダイの
   前記パンチが通過する側の面の反対面と前記取付部間に
   は所望の厚さのステーが介在可能になっていることを特
   徴とする半導体装置製造用切断装置。
5. 【請求項５】 前記ダイの切断に関与する受け刃の突出
   長さは受け刃の幅の２倍以上になっていることを特徴と
   する請求項４に記載の半導体装置製造用切断装置。
6. 【請求項６】 前記切断金型には前記リードフレームの
   移送方向に沿って前記ダイとパンチが複数箇所配置さ
   れ、それぞれの箇所では異なるリードフレーム部分の切
   断が行われるように構成されていることを特徴とする請
   求項４または請求項５に記載の半導体装置製造用切断装
   置。