JPH11135601A - ウェハの測定情報作成方法および測定位置決定方法 - Google Patents

ウェハの測定情報作成方法および測定位置決定方法

Info

Publication number
JPH11135601A
JPH11135601A JP9314286A JP31428697A JPH11135601A JP H11135601 A JPH11135601 A JP H11135601A JP 9314286 A JP9314286 A JP 9314286A JP 31428697 A JP31428697 A JP 31428697A JP H11135601 A JPH11135601 A JP H11135601A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
measurement
image
coordinates
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9314286A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3739550B2 (ja
Inventor
Hisaaki Kadoma
央章 角間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP31428697A priority Critical patent/JP3739550B2/ja
Priority to KR1019980035173A priority patent/KR100292936B1/ko
Priority to US09/177,357 priority patent/US6363168B1/en
Publication of JPH11135601A publication Critical patent/JPH11135601A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3739550B2 publication Critical patent/JP3739550B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/70Determining position or orientation of objects or cameras
    • G06T7/73Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods
    • G06T7/74Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods involving reference images or patches
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/20Image preprocessing
    • G06V10/24Aligning, centring, orientation detection or correction of the image
    • G06V10/242Aligning, centring, orientation detection or correction of the image by image rotation, e.g. by 90 degrees
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の測定装置の間において測定位置を含む
測定情報を流用することができ、また、このような測定
情報を用いて、ウェハ上の測定点の位置を決定できる技
術を提供する。 【解決手段】 ウェハ上で定義されたウェハ座標系の座
標値で表されている測定点位置を含む測定レシピを作成
する。この測定情報は、複数の測定装置で使用すること
ができる。測定レシピに含まれる各測定点のウェハ座標
系の座標値をステージ上で定義されたステージ座標系の
座標値に変換すれば、このステージ座標系の座標値を用
いて、ウェハ上の各測定点の位置決めを実行することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハの
測定点に関する測定情報を作成し、この測定情報を用い
て測定点の位置を決定する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハは、その製造工程において
種々の測定装置によって測定が行われる。測定処理の際
には、ウェハ上の予め定められた測定点に測定プローブ
(光学素子や電極等)を正確に位置決めする「位置合わ
せ処理(アライメント処理)」が行なわれる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、複数の測定
装置を用いて同一の測定を行いたい場合がある。しか
し、複数の測定装置にウェハをセットすると、ウェハの
向きや位置がそれぞれの装置で異なるので、ウェハ上の
測定点の座標も互いに異なる値を取る。従って、従来
は、複数の測定装置の間では、測定位置を含む測定情報
を流用することができないという問題があった。
【0004】また、同一の測定装置を用いた場合にも、
複数のウェハを載置した場合には各ウェハ上の測定点の
座標が互いに異なる値を取ることがある。例えば、測定
装置にセットされたウェハの向きが常に正確に一定の向
きにならず、或る程度任意の角度を取りうる場合には、
測定点の座標は、各ウェハ毎に異なる値を取る。従っ
て、同一の測定装置においても、測定点の位置を正確に
決定することが困難であるという問題があった。
【0005】この発明は、従来技術における上述の課題
を解決するためになされたものであり、複数の測定装置
の間において測定位置を含む測定情報を流用することが
できる技術を提供することを第1の目的とする。また、
このような測定情報を用いて、ウェハ上の測定点の位置
を決定できる技術を提供することを第2の目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、この発明の
第1の方法は、ウェハ上の測定点に関する測定情報を作
成する方法であって、前記測定情報は、前記ウェハ上に
おける測定点の位置を少なくとも含み、前記測定点の位
置は、前記ウェハ上で定義されたウェハ座標系の座標値
で表されていることを特徴とする。
【0007】上記第1の方法では、測定点の位置がウェ
ハ座標系の座標値で表されているので、複数の測定装置
の間において測定点位置を含む測定情報を流用すること
ができる。また、ステージ上に載置されるウェハの位置
や向きが常に一定とはならないような測定装置を用いる
場合にも、各ウェハ上の測定点の位置を決定するため
に、この測定情報を用いることができる。
【0008】上記第1の方法において、前記測定情報
は、さらに、各測定点近傍において撮像された画像につ
いてパターンマッチングを実行することによって測定点
の位置を決定する際に使用されるテンプレート画像を含
むようにしてもよい。
【0009】こうすれば、テンプレート画像を用いたテ
ンプレートマッチングを行うことによって、測定点の位
置を高精度に決定することができる。
【0010】本発明の第2の方法は、ウエハを載置する
ステージを備えた測定装置を用いてウェハの測定位置を
決定する方法であって、(a)上記第1の方法に従って
作成された前記測定情報を用い、各測定点のウェハ座標
系の座標値を前記ステージ上で定義されたステージ座標
系の座標値に変換する工程と、(b)各測定点に関する
前記ステージ座標系の座標値を用いて、前記ウェハ上の
各測定点の位置決めを実行する工程と、を備えることを
特徴とする。
【0011】こうすれば、測定情報内の測定点の座標値
を用いて、ウェハ上の測定点の位置を決定することがで
きる。
【0012】上記第2の方法において、前記測定装置
は、さらに、ウェハ上の画像を撮像するための撮像光学
系を備えており、前記方法は、さらに、前記撮像光学系
で定義された撮像座標系における座標と、前記ステージ
座標系における座標との間の回転を含む座標変換を規定
する座標変換係数を決定する工程と、前記座標変換係数
を用いて、前記撮像光学系で撮像された撮像画像内にお
ける撮像座標系の座標と前記ステージ座標系の座標との
間の座標変換を実行する工程と、を含むようにしてもよ
い。
【0013】こうすれば、撮像座標系がステージ座標系
から傾いている場合にも、撮像画像内の任意の点の位置
に関するステージ座標系の座標に正確に求めることがで
きる。
【0014】
【発明の他の態様】この発明は、以下のような他の態様
も含んでいる。第1の態様は、ウェハ上の測定点に関す
る測定情報を作成する装置であって、前記ウェハ上にお
ける測定点の位置と、各測定点における測定条件とを含
む測定情報を作成する測定情報作成手段を備え、前記測
定点の位置は、前記ウェハ上で定義されたウェハ座標系
の座標値で表されていることを特徴とする。
【0015】第2の態様は、ウエハを載置するステージ
を備えた測定装置を用いてウェハの測定位置を決定する
装置であって、上記の方法または装置によって作成され
た前記測定情報を用い、各測定点のウェハ座標系の座標
値を前記ステージ上で定義されたステージ座標系の座標
値に変換する手段と、各測定点に関する前記ステージ座
標系の座標値を用いて、前記ウェハ上の各測定点の位置
決めを実行する測定位置決定手段と、を備えることを特
徴とする。
【0016】第3の態様は、コンピュータに上記の発明
の各工程または各手段の機能を実行させるコンピュータ
プログラムを記録した記録媒体である。記録媒体として
は、フレキシブルディスクやCD−ROMなどのコンピ
ュータが読取り可能な携帯型の記憶媒体や、コンピュー
タシステムの内部記憶装置(RAMやROMなどのメモ
リ)および外部記憶装置、あるいは、これ以外のコンピ
ュータプログラムが記録された媒体であってコンピュー
タシステムが読取り可能な種々の媒体を利用できる。
【0017】第4の態様は、コンピュータに上記の発明
の各工程または各手段の機能を実行させるコンピュータ
プログラムを通信経路を介して供給するプログラム供給
装置である。
【0018】
【発明の実施の形態】
A.装置の構成:次に、本発明の実施の形態を実施例に
基づき説明する。図1は、この発明の実施例を適用して
半導体ウェハの位置合わせ処理(アラインメント処理)
を行なう機能を有する測定装置の構成を示すブロック図
である。この測定装置は、制御操作ユニット30と、撮
像光学系としての光学ユニット40と、画像処理ユニッ
ト50とを備えている。
【0019】制御操作ユニット30は、表示部31と、
操作部32と、制御部33と、ステージ駆動部34と、
ステージ座標読み込み部35と、XYステージ36とを
備えている。表示部31としては、例えばモニタや液晶
ディスプレイ等が使用される。また、操作部32として
は、例えばキーボードやマウス等が用いられる。XYス
テージ36の上には、半導体ウェハWFが載置される。
半導体ウェハWFの表面には、タイル状に配列された矩
形の複数の半導体チップが形成されている。なお、この
装置は、XYステージ36を回転させる機構は有してい
ない。
【0020】光学ユニット40は、カメラ41と、光源
42と、ハーフミラー43と、対物レンズ44とを備え
ている。ハーフミラー43は、光源42から出射された
光を対物レンズ44に向けて反射し、XYステージ36
上の半導体ウェハWFに光を照射する。半導体ウェハW
Fの表面で反射されたは光は、対物レンズ44とハーフ
ミラー43とを通過して、カメラ41に入射する。すな
わち、カメラ41は、半導体ウェハWFの表面の画像を
撮像する。画像としては、多階調画像(グレー画像)を
読取ることが好ましい。なお、この実施例では、カメラ
41の視野サイズは、半導体ウェハの表面に形成された
半導体チップの1個分のサイズよりも小さい。後で詳述
するように、半導体ウェハWFの多階調画像は、画像処
理ユニット50によって処理され、これによって半導体
ウェハWFの回転方向が検出される。画像処理ユニット
50のモニタ136には、半導体ウェハWFの一部の撮
像領域の多階調画像が表示される。
【0021】ユーザが操作部32を操作してXYステー
ジ36に対する移動指令を入力すると、その指令に応じ
て、制御部33がステージ駆動部34を制御してXYス
テージ36をX方向とY方向に移動させる。また、操作
部32からステージの座標読み込み指令が入力される
と、その時点のステージ座標情報がステージ座標読み込
み部35によって読込まれて制御部33に供給される。
ステージ座標情報は、必要に応じて表示部31に表示さ
れる。ステージ座標情報は、さらに、双方向の通信経路
38を介して制御部33から画像処理ユニット50にも
供給される。後述するように、画像処理ユニット50
は、画像処理によって認識されたウェハの回転方向と、
このステージ座標情報とを利用することによって、ウェ
ハの正確な回転方向や測定位置を決定する。
【0022】図2は、画像処理ユニット50の内部構成
を示すブロック図である。この画像処理ユニット50
は、CPU110と、ROM114と、RAM116
と、入出力インタフェイス140とが、バスライン11
2に接続されたコンピュータシステムとして構成されて
いる。入出力インタフェイス140には、モニタ136
と、磁気ディスク138と、通信経路38とが接続され
ている。
【0023】RAM116には、等価回転方向決定手段
150と、撮像位置決定手段152と、パターンマッチ
ング手段154と、角度選択手段156と、回転方向決
定手段158と、基準位置決定手段160と、測定位置
決定手段162と、座標変換手段164と、測定情報作
成手段166と、の機能を実現するアプリケーションプ
ログラムが格納されている。これらの各手段の機能につ
いては後述する。
【0024】なお、これらの各手段の機能を実現するコ
ンピュータプログラム(アプリケーションプログラム)
は、フレキシブルディスクやCD−ROM等の携帯型の
記録媒体(可搬型の記録媒体)に記録された形で提供さ
れ、この記録媒体からコンピュータシステムの外部記憶
装置に転送される。そして、実行時には、RAM116
に記憶される。あるいは、通信経路を介してプログラム
供給装置からコンピュータシステムにコンピュータプロ
グラムを供給するようにしてもよい。この明細書におい
て、コンピュータシステムとは、ハードウェアとオペレ
ーションシステムとを含み、オペレーションシステムの
制御の下で動作する装置を意味している。アプリケーシ
ョンプログラムは、このようなコンピュータシステム
に、上述の各部の機能を実現させる。なお、上述の機能
の一部は、アプリケーションプログラムでなく、オペレ
ーションシステムによって実現されていても良い。
【0025】B.位置合わせ処理の概要:図3は、実施
例における位置合わせ処理の概要を示す説明図である。
基準ウェハ(図3(A))とは、位置合わせ処理の対象
となる被測定ウェハ(図3(B))と同じパターンが形
成されたウェハである。一般的には、同一のロットで処
理された複数のウェハの1枚を基準ウェハWF1として
使用し、他のウェハが被測定ウェハWF2となる。1枚
のウェハには、位置合わせ基準点RPと、複数の測定点
PM1〜PM15(白丸で示す)とが設定される。図3
(A),(B)にも示されているように、ウェハがXY
ステージ36上に載置された時には、任意の回転方向を
取りうるものと仮定している。ステージ36上にウェハ
を搬送するための搬送装置(図示せず)の構成によって
は、ウェハのノッチNTがほぼ所定方向(例えば時計の
6時方向)を向くようにウェハが載置される場合もあ
る。しかし、このような場合でもウェハの向きが正確に
調整されるとは限らず、或る程度傾いた状態でステージ
36上に載置されることが多い。そこで、この実施例で
は、ウェハが任意の向きを取り得るものと仮定してい
る。なお、図1に示す測定装置は、XYステージ36上
に載置されたウェハを回転するための回転機構を備えて
いないので、ウェハの向き(回転方向)は、画像処理に
よって認識され、補正される。
【0026】図4は、実施例における位置合わせ処理の
全体手順を示すフローチャートである。ウェハの測定点
の位置合わせ処理は、基準ウェハを用いたプリアライメ
ント前処理(ステップT1)と、基準ウェハを用いたフ
ァインアライメント前処理(ステップT2)と、被測定
ウェハを用いたプリアライメント処理(ステップT3)
と、被測定ウェハを用いたファインアライメント処理
(ステップT4)とに大別される。ステップT1,T3
におけるプリアライメント処理は、基準位置決定手段1
60(図2)の制御の下に、測定位置決定手段162以
外の他の手段150,152,154,156,15
8,164が協力して実行する。ステップT2,T4に
おけるファインアライメント処理は、測定位置決定手段
162の制御の下に、撮像位置決定手段152とパター
ンマッチング手段154と撮像光学系座標変換手段16
4とが協力して実行する。
【0027】図4のステップT1における基準ウェハW
F1を用いたプリアライメント前処理では、撮像座標と
ステージ座標との間の座標変換係数と、ステージ座標と
ウェハ座標との間の座標変換係数とが決定される。ここ
で、「撮像座標」とは、撮像光学系である光学ユニット
40で撮像された撮像画像の領域内で定義された座標系
(「撮像座標系」と呼ぶ)の座標である。「ステージ座
標」は、XYステージ36上で定義された座標系(「ス
テージ座標系」と呼ぶ)の座標であり、「ウェハ座標」
は、ウェハ上で定義された座標系(「ウェハ座標系」と
呼ぶ)の座標である。
【0028】ステージ座標とウェハ座標との間の座標変
換係数は、XYステージ36上に載置された基準ウェハ
WF1の回転角度θ1と、位置合わせ基準点RPのステ
ージ座標値とから決定される(図3(A))。ここで、
基準ウェハWF1の回転角度θ1は、ステージ座標系の
基準方向Dsと基準ウェハWF1の基準方向D1とのな
す角度である。ステージ座標系の基準方向Dsは、XY
ステージ36に対して固定された方向であり、例えばX
Yステージ36上のX方向(時計の3時方向)に設定さ
れる。基準ウェハWF1の基準方向D1は、基準ウェハ
WF1に対して固定された方向であり、例えば基準ウェ
ハWF1のノッチNTを時計の6時方向とした時の3時
の方向に設定される。なお、これらの基準方向Ds,D
1の設定の仕方は任意であり、これ以外の定義も可能で
ある。
【0029】ステップT2における基準ウェハWF1を
用いたファインアライメント前処理では、基準ウェハW
F1上の複数の測定点PM1〜PM15の位置と、各測
定点における測定条件とを含む測定レシピを登録する。
各測定点の位置は、ウェハ座標系の座標値として登録さ
れる。なお、ステップT1,T2で決定された各種の情
報を含む測定レシピ139は、測定情報作成手段166
によって作成されて磁気ディスク138に格納される。
【0030】ステップT3,T4は、被測定ウェハWF
2を用いたプリアライメント処理とファインアライメン
ト処理である。ステップT3のプリアライメント処理で
は、ステップT1と同様に、撮像座標とステージ座標と
の間の座標変換係数と、ステージ座標とウェハ座標との
間の座標変換係数とが決定される。また、ステップT4
のファインアライメント処理では、測定レシピ139を
用いて、各測定点の位置が決定されるとともに、各測定
点において測定が実行される。
【0031】被測定ウェハWF2に関するステップT
3,T4の処理は、ステップT1,T2で用いた測定装
置と同じ装置で実行することも可能であり、また、別の
測定装置を用いて実行することも可能である。同じ測定
装置を用いる場合には、撮像座標とステージ座標との座
標変換の係数はステップT1で求めたものと同じものを
使用することができる。しかし、被測定ウェハWF2の
向きは、図3(B)に示すように任意の向きを取り得る
と仮定しているので、ステージ座標とウェハ座標との座
標変換の係数はステップT3において改めて求められ
る。
【0032】一方、ステップT1,T2で使用されたも
のとは異なる他の測定装置を用いて測定を行う場合に
は、ステップT3においてステップT1と同様な処理が
行われ、撮像座標とステージ座標との座標変換の係数も
決定される。なお、ステップT3,T4において他の測
定装置を用いる場合には、基準ウェハWF1(第1のウ
ェハ)を用いたステップT1,T2の処理を行う測定装
置を「第1の測定装置」と呼び、被測定ウェハWF2
(第2のウェハ)を用いたステップT3,T4の処理を
行う測定装置を「第2の測定装置」と呼ぶ。第1と第2
の測定装置は、同じ構成を有していてもよく、また、互
いに異なる構成を有していてもよい。
【0033】C.基準ウェハを用いたプリアライメント
前処理:図5ないし図8は、基準ウェハWF1を用いた
プリアライメント前処理の手順を示すフローチャートで
ある。図5のステップT11では、基準ウェハWF1の
画像回転角度β1が求められる。以下に説明するよう
に、画像回転角度β1は、光学ユニット40で撮像した
画像を回転して、正立した画像を得るための角度であ
る。
【0034】図6は、ステップT11の詳細手順を示す
フローチャートである。ステップS1では、ウェハのチ
ップ寸法と、X軸方向およびY軸方向のチップ個数とを
ユーザが入力する。
【0035】図9は、半導体ウェハの表面に形成された
チップの配列を示す概念図である。半導体ウェハWFの
表面上には、同一サイズの矩形の複数のチップCPがタ
イル状に配置される。X軸方向とY軸方向に沿ったチッ
プ個数の偶数と奇数の組合わせは、偶数−偶数、奇数−
偶数、偶数−奇数、奇数−奇数の4通りある。図9
(A)は偶数−偶数の例であり、図9(B)は、偶数−
奇数の例である。このような4通りの組み合わせのいず
れであるかを示す情報と、チップの縦横のピッチLX,
LYとから、ウェハの中心Oを基準にして、中心付近の
チップの位置を算出することができる。従って、ステッ
プS1では、少なくともチップ個数の4通りの組合わせ
のいずれであるかを示す情報と、チップのピッチLX,
LYを示す情報とが入力される。
【0036】図6のステップS2では、基準ウェハWF
1の中心位置において多階調画像(グレー画像)がカメ
ラ41によって取り込まれる。ウェハが最初にXYステ
ージ36上に載置される時には、図9に示すように、ウ
ェハの外周が、XYステージ36のウェハ保持アーム3
6a,36bで保持されて、XYステージ36のほぼ中
央に位置決めされる。この状態において、カメラ41に
よって撮像すると、ウェハの中心付近の画像を得ること
ができる。
【0037】図10は、ウェハの中心付近を拡大して示
す概念図である。この実施例では、各チップCPの右上
の角に、他の3つの角にはない特徴的なパターンPTが
形成されているものとする。このパターンPTを含む画
像部分は、後述するパターンマッチングにおいて、第1
のテンプレート画像として利用される。チップCPは、
直交するスクライブラインSLによって区分されてい
る。ウェハ表面を撮像して得られた多階調画像では、ス
クライブラインSLは暗領域として識別されることもあ
り、あるいは、明領域として識別されることもある。い
ずれの場合においても、スクライブラインSLは、チッ
プCPとは明度が異なる領域として識別可能である。
【0038】図10には、チップ個数の4種類の組み合
わせに応じたカメラ41の視野W1〜W4の位置が例示
されている。前述したように、カメラ41の視野サイズ
は、チップ1個分のサイズよりも小さいので、視野内に
1個のチップがすべて含まれることはない。第1の視野
W1は、チップ個数が偶数−偶数の場合におけるウェハ
中央での撮像領域に相当する。この視野W1は、スクラ
イブラインSLの交点のほぼ中心に位置している。第2
の視野W2は、チップ個数が偶数−奇数の場合における
ウェハ中央での撮像領域に相当する。この視野W2は、
2つのチップに挟まれた位置にある。第3の視野W3
は、チップ個数が奇数−偶数の場合におけるウェハ中央
での撮像領域に相当する。この視野W3も、チップに挟
まれた位置にある。第4の視野W4は、チップ個数が奇
数−奇数の場合におけるウェハ中央での撮像領域に相当
する。この視野W4も、2つのチップのほぼ中央に挟ま
れた位置にある。なお、実際には、基準ウェハWF1の
向きは図10の位置から回転しているので、視野W1〜
W4は、スクライブラインSLで示される正規の方位か
ら傾いた状態となる。
【0039】図6のステップS2では、ウェハの中心位
置において画像を取り込むので、図10の視野W1〜W
4のいずれかの位置における画像が得られる。この画像
は、次のステップS3において、画像内に含まれる直線
部分(スクライブラインSL等)を認識するために使用
される。チップの個数が奇数−奇数の場合には、図10
の第4の視野W4のように直線部分が含まれない可能性
が高い。そこで、この場合には、チップのピッチLXま
たはLYの1/2だけウェハの中心からずらした位置に
おいて撮像するようにしてもよい。
【0040】図6のステップS3では、等価回転方向決
定手段150(図2)が、画像に含まれる直線エッジ情
報を検出するとともに、その直線エッジ情報から、基準
ウェハの粗回転角度を決定する。「粗回転角度」とは、
直線エッジ情報から得られる比較的低精度の回転角度を
意味する。直線エッジ情報の抽出方法としては、以下に
説明する1次元投影法やソベルオペレータ法等を利用す
ることができる。
【0041】図11は、1次元投影法による直線エッジ
情報の検出処理を示す説明図である。図11には、水平
方向にのみ直線部分が存在する2次元多階調画像が示さ
れている。1次元投影法では、この2次元多階調画像を
種々の方向に1次元投影して、画素値を加算する。直線
部分に平行な方向に投影した場合には、直線部分が存在
する座標における画素値が大きなピーク値を持つ。一
方、直線部分と平行でない方向に投影した場合には、加
算された画素値のピーク値はこれよりも小さくなる。こ
のように、2次元画像をさまざまな方向に1次元投影し
て、画素値の累算値のピーク値が最大となる投影方向
を、直線部分の方向として決定することができる。投影
方向は、180°の範囲にわたる複数の投影方向を選択
するようにすればよい。この直線部分の方向から、粗回
転角度が決定される。例えば、ステージ座標系(XYス
テージ36に固定された座標系)の所定の方向(例えば
時計の3時方向)を基準方向として、この基準方向から
反時計回りに直線部分の方向まで測った角度を粗回転角
度とすることができる。
【0042】図12ないし図14は、ソベルオペレータ
法による直線エッジ情報の検出処理を示す説明図であ
る。図12は、ソベルオペレータによる画像処理の方法
を示している。ソベルオペレータ法では、まず、図12
(A−1)または(A−2)に示すような、エッジ画素
を含む所定サイズの画素ブロック(図12の例では、3
×3ブロック)を多階調画像の中から選択する。ここ
で、「エッジ画素」は、「8近傍の画素のうちで、少な
くとも1つの画素の画素値が、自分自身(図12(A−
1),(A−2)の中心画素)の画素値と異なってお
り、かつ、画像の境界上にない画素」と定義される。図
12(A−1)では、画像の角部分の画素がエッジ画素
として認識される状態を示しており、図12(A−2)
では、直線部分の画素がエッジ画素として認識される状
態を示している。エッジ画素の識別は、3×3ブロック
を多階調画像内で走査し、ブロックの中央画素が上記の
定義に合致するか否かを判断することによって行なわれ
る。
【0043】図12(B−1),(B−2)は、水平方
向と垂直方向のソベルオペレータをそれぞれ示してい
る。エッジ画素を含む3×3ブロックに対して、これら
の水平方向オペレータと垂直方向オペレータとをそれぞ
れ作用させることによって、水平エッジ値と垂直エッジ
値とがそれぞれ求められる。図12(C)は、水平方向
オペレータを作用させた場合の演算の例を示している。
水平方向オペレータを3×3ブロックの画素値に作用さ
せると水平エッジ値が得られ、同様にして、垂直方向オ
ペレータを3×3ブロックの画素値に作用させると垂直
エッジ値が得られる。
【0044】図13は、ソベルオペレータを用いて得ら
れた水平エッジ値xと垂直エッジ値yとから、画像の直
線部分の角度を算出する方法を示す説明図である。図1
3(A)に示すように、画像の直線部分の角度αは、t
an-1(y/x)で与えられる。ここで、角度αは、水
平右向き方向(時計の3時方向)から反時計回りに測っ
た角度である。例えば、図13(B)の例では、垂直エ
ッジ値が0であり水平エッジ値が4なので、角度αは0
°であると判定できる。また、図13(C)の例では、
垂直エッジ値と水平エッジ値がいずれも1なので、角度
αは45°であると判定できる。なお、角度αは0°〜
180°の範囲の値を取るものとする。180°〜36
0°の範囲は、0°〜180°の範囲と等価である。
【0045】図14は、処理対象となる多階調画像の一
例と、この多階調画像からソベルオペレータ法によって
検出された角度αのヒストグラムを示す説明図である。
図14(A)に示す多階調画像内において、図12(A
−1)または図12(A−2)のようなエッジ画素を中
心画素とする3×3ブロックを検出し、エッジ画素を含
む各3×3ブロックについて図13に示す方法で角度α
を決定する。図14(B)は、このようして多数の3×
3ブロックについて得られた角度αの頻度を示すヒスト
グラムである。この例では、40°と130°の位置に
ピークが存在し、40°の位置のピークが最大である。
この時、最大ピーク位置の角度α1を、多階調画像内の
直線部分の回転方向を示す粗回転角度であるとして採用
する。
【0046】なお、上述した1次元投影法やソベルオペ
レータ法を用いて検出された粗回転角度α1には、90
°の整数倍異なる4つの等価な角度が存在する。換言す
れば、粗回転角度α1は、1/4の不確定さを有してい
る。図15は、4つの等価回転角度を示す説明図であ
る。図15(A)に示すように、カメラ41の視野W内
にスクライブラインSLの交点付近の画像が見えている
場合を考える。この実施例ではカメラ41の視野サイズ
がチップサイズに比べて小さいので、チップの回転方向
が図15(B)〜(E)の4種類のいずれであるかを画
像データから特定することができない。従って、ウェハ
の正しい回転角度は、90°おきの4つの等価な回転角
度の中の1つである。図6のステップS3においては、
この4つの等価な回転角度の少なくとも1つを粗回転角
度として検出する。等価な回転角度の1つが検出できれ
ば、他の等価な回転角度も検出できたものと考えること
ができる。
【0047】なお、ステップS3において得られる直線
エッジ情報とその粗回転角度は、ほとんどの場合はスク
ライブラインSLのものである。但し、スクライブライ
ンSLに限らず、ウェハの多階調画像内に存在する直線
的な画像部分に関する直線エッジ情報やその粗回転角度
を検出してもよい。チップ内の回路が有する直線的な部
分は、スクライブラインSLに平行なものがほとんどで
ある。従って、スクライブラインSL以外の直線的画像
部分を検出しても、ウェハの粗回転角度を求めることが
できる。
【0048】図6のステップS4では、ステップS3で
検出された直線エッジ情報が信頼できるか否かが判定さ
れる。この判定は、例えば、図13に示す1次元投影法
を用いた場合には、累算画素値のピーク値が所定の閾値
以上であるか否かによって行なうことができる。また、
図12〜図14に示すソベルオペレータ法を用いた場合
には、図14(B)のヒストグラムのピーク値が所定の
閾値以上であるか否かによって判定することができる。
あるいは、モニタ136にウェハの画像を表示しておけ
ば、はっきりとした直線エッジが画像内に含まれるか否
かをユーザが目視で判定することができる。直線エッジ
情報が信頼できないものである場合には、ステップS5
において、XYステージ36を所定量(例えば1視野
分)だけ移動させ、ウェハ中心付近の別の位置において
多階調画像を取り込む。そして、ステップS3を再度実
行することによって直線エッジ情報を検出し、粗回転角
度α1を求める。
【0049】こうして、粗回転角度α1が求められる
と、ステップS6において、撮像位置決定手段152
が、ウェハの中心付近においてスクライブラインSLの
交点位置を視野に含むように、XYステージ36の目標
位置座標を算出して移動させる。前述したように、X軸
方向とY軸方向に沿ったチップの個数の4種類の組み合
わせ(偶数−偶数、偶数−奇数、奇数−偶数、奇数−奇
数)によって、ウェハの中心における初期の視野の位置
は図10に示す4つの視野W〜W4の位置にほぼ決まっ
ている。撮像位置決定手段152(図2)は、ステップ
S3で得られた粗回転角度α1と、チップの寸法(ピッ
チLX,LY)と、チップの個数情報から、X方向とY
方向にそれぞれどの程度移動させればスクライブライン
SLの交点位置を視野内に含む位置に移動できるかを算
出する。画像処理ユニット50は、この移動量を制御部
33(図1)に通知して、XYステージ36を移動させ
る。その後、カメラ41によって多階調画像を再度撮像
する。なお、粗回転角度α1には1/4の不確定さがあ
るので、1回の移動によって、視野の中心がスクライブ
ラインSLの交点位置に到達できるとは限らない。この
場合には、例えばウェハの中央位置を中心として90°
回転した方向に移動方向を変更して、同じ距離だけ移動
すれば、スクライブラインSLの交点位置に視野(すな
わち撮像領域)の中心を移動させることができる。図1
6は、スクライブラインSLの交点位置に視野の中心を
移動させた状態を示している。図16に示したように、
ウェハの直線部分(スクライブラインSL)の方向は、
ステージ座標系の基準方向Dsから粗回転角度α1だけ
回転している。ステップS6においてカメラ41で取り
込んだ画像はモニタ136に表示される。
【0050】図6のステップS7では、ステップS6で
取り込まれた画像を時計回りに粗回転角度α1だけ回転
させる画像処理を行う。ステップS8では、撮像位置決
定手段152が、スクライブラインSLの交点Paのス
テージ座標値を求めて、これを保存する。スクライブラ
インSLの交点位置の座標値は、後に、基準ウェハWF
1の位置合わせ基準点を決定する際に使用される。基準
ウェハのスクライブラインSLの交点位置は、例えば、
図16に示すカメラ41の視野Waの中心点Paの座標
で代表される。この点Paの位置は、ユーザがモニタ1
36に表示された画像上において、マウス等のポインテ
ィングデバイスを用い、カーソルを移動させて指定する
ことができる。あるいは、カメラ41で取り込んだ多階
調画像を処理することによって、スクライブラインSL
の交点の中心位置の座標を自動的に決定することも可能
である。画像処理で交点の中心位置を求める場合には、
まず、前述したステップS3と同様な方法に従って直線
エッジを検出する。そして、スクライブラインSLのエ
ッジを近似した直線を求める。さらに、これらの近似直
線で構成される4つの角部の中心位置を、スクライブラ
インSLの交点位置として決定する。なお、視野Waの
原点は、視野Wa内の所定の位置(例えば視野の左下
点)に設定され、この原点を基準にして撮像座標が定義
される。撮像画像の原点のステージ座標系の座標は、ス
テージ座標読み込み部35(図1)で取り込まれた座標
値で示される。視野Wa内の任意の位置のステージ座標
系の座標は、視野Wa内の撮像座標系におけるその任意
の位置の座標値と、視野Waの原点のステージ座標値と
から算出される。
【0051】なお、ステップS8においては、第1のテ
ンプレート画像MPaの基準点Qaと、スクライブライ
ン交点Paとのステージ座標値のオフセット(δx,δ
y)も測定される。
【0052】図6のステップS9では、ステップS7で
回転した画像の中からパターンマッチング用の第1のテ
ンプレート画像(モデルパターンとも呼ぶ)を切り出し
て登録する。図17は、第1のテンプレート画像MPa
の登録の様子を示す説明図である。ステップS7では、
まず、スクライブラインSL交点位置における多階調画
像(図17(A))を、図17(B)に示すように粗回
転角度α1だけ時計回りに回転させて、回転後の画像を
モニタ136に表示する。画像の回転は、アフィン変換
によって実行される。ユーザは、表示された画像を観察
して、テンプレート画像MPaとして使用できる画像パ
ターンが存在するか否かを判断する。テンプレート画像
MPaとして使用できる画像パターンとは、その画像パ
ターンの向きから、粗回転角度α1として等価な4つ等
価回転角度の中の1つを選択できるような画像パターン
を意味する。テンプレート画像MPaとしては、90°
の整数倍の回転対称性が無い画像パターンが好ましい。
換言すれば、90°の整数倍の回転対称性(90°,1
80°,270°の回転対称性)のいずれかを有する画
像パターンは、テンプレート画像MPaとしては不適切
である。スクライブラインSLの交点付近の視野Waに
は、隣接する4つのチップのそれぞれの角部が含まれる
ので、これらの4つの角部の内の1つにのみ含まれる特
有の画像パターンを第1のテンプレート画像MPaとし
て登録することができる。
【0053】現在の視野Wa内にテンプレート画像MP
aとして使用できる画像パターンが存在しない場合に
は、カメラ41で取り込んだ画像をモニタ136に表示
して観察しながら、XYステージ36を少しずつ移動さ
せる。そして、テンプレート画像MPaとして使用でき
る画像パターンが視野内に入る状態に設定する。
【0054】現在の視野Wa内にテンプレート画像MP
aとして使用できる画像パターンが存在する場合には、
図17(B),(C)に示すように、回転後の画像内か
らテンプレート画像MPaとして登録する領域を切り出
す。テンプレート画像MPaの範囲は、ユーザがマウス
等のポインティングデバイスを用いて指定する。テンプ
レート画像MPaは、スクライブラインSLの交点付近
に存在すれば望ましいが、必ずしも交点付近に存在しな
くても良い。なお、テンプレート画像MPaは、画像内
の直線エッジを基準としたときに正立した状態で、測定
レシピ139内に登録される。ここで、「正立した状
態」とは、テンプレート画像MPaの矩形領域の各辺
が、画像内の直線エッジとほぼ平行または垂直になる状
態を意味する。
【0055】図6のステップS10では、第1のテンプ
レート画像MPaの画像と、テンプレート画像MPaの
所定位置にある基準点(例えば図17(C)に示す左上
点Qa)のステージ座標値が測定される。
【0056】図6のステップS11では、ユーザが、回
転して切り出したテンプレート画像MPaの所定の方向
(例えば時計の3時の方向)を、撮像画像における基準
方向(0°方向)Dw1であると定めることによって、画
像回転角度β1を決定する。例えば、図17(B)に示
すように、粗回転角度α1だけ時計廻りに回転した画像
において、時計の3時方向が撮像画像における基準方向
Dw1として設定される。なお、この基準方向Dw1は、図
3(A)に示す基準方向D1とほぼ一致しているが、後
述する撮像光学系の回転角度だけ異なる方向である。な
お、ユーザが基準方向Dw1を指定せずに、自動的に時計
の3時方向が基準方向Dw1として設定されるようにして
もよい。ウェハの画像回転角度β1は、ステージ座標系
の基準方向Dsから、撮像画像の基準方向Dw1までの角
度である。従って、図17(B)の場合には、基準ウェ
ハの画像回転角度β1は、粗回転角度α1に等しい。な
お、撮像画像の基準方向Dw1を、時計の3時方向以外の
方向に選択した場合には、基準ウェハの画像回転角度β
1はα1とは異なる値となる。しかし、この場合にも、
粗回転角度α1に所定の値を加算または減算した値が画
像回転角度β1になる。例えば、図17(B)の状態に
おいて、時計の12時方向が撮像画像の基準方向Dw1と
して選択された場合には、基準ウェハWF1の画像回転
角度β1は、(α1+90°)となる。図6のステップ
S12では、この画像回転角度β1の値が測定レシピ1
39に保存される。
【0057】光学ユニット40で撮像された画像は、こ
の画像回転角度β1だけ回転しているので、以下の処理
において画像が撮像される際には、この画像回転角度β
1だけ撮像画像を回転することによって正立させ、正立
した画像に関して処理が実行される。
【0058】ところで、光学ユニット40の光学素子
(例えばCCDカメラ41)がステージ座標系から傾い
て取り付けられている場合には、光学ユニット40で撮
像された画像内で定義される撮像座標系が、ステージ座
標系から傾いた状態になる。図18は、撮像座標系の座
標(U,V)icとステージ座標系の座標(X,Y)scと
の関係を示す説明図である。この図において、座標値の
括弧の後の添え字「ic」は撮像座標系の座標であること
を意味しており、「sc」はステージ座標系の座標である
ことを意味している。撮像座標系の座標原点は、視野W
aの左下点に設定されており、そのステージ座標系の座
標値は(X1,Y1)scである。また、撮像座標系の座
標軸U,Vはステージ座標系の座標軸X,Yから角度δ
だけ反時計方向に回転している。この角度δは、光学ユ
ニット40の光学素子の取付誤差等に起因するものであ
り、以下では「撮像光学系の回転角度」と呼ぶ。撮像座
標(U,V)icとステージ座標(X,Y)scとの間の座
標変換は、以下の数式1に示す2次元アフィン変換で与
えられる。
【0059】
【数1】
【0060】撮像座標(U,V)icをステージ座標
(X,Y)scに正確に変換するためには、撮像光学系の
回転角度δを知る必要がある。そこで、図5のステップ
T12では、この撮像光学系の回転角度δが測定され
る。
【0061】図7は、ステップT12の詳細手順を示す
フローチャートである。ステップS13では、撮像画像
の基準方向Dw1に沿って、第1のスクライブライン交点
に隣接する第2のスクライブライン交点の位置に撮像領
域が来るようにXYステージ36を移動させて画像を撮
像する。この移動では、撮像画像の基準方向Dw1に沿っ
て、チップのX方向ピッチLX(図9(A))だけ移動
するようにXYステージ36が制御される。但し、この
移動の際には、ステージ座標系の基準方向Dsと、撮像
座標系の水平軸(U軸)とが一致していると見なしてい
る(すなわちδ=0と考えている)ので、実際には画像
の回転角度δだけずれた方向に沿って移動が行われる。
第2のスクライブライン交点位置で撮像された画像は、
前述した画像回転角度β1(図17(B))だけ回転さ
れる。
【0062】図19は、第1と第2のスクライブライン
交点付近で撮像された画像の視野Wa,Wbを示してい
る。図7のステップS14では、第2のスクライブライ
ン交点付近で撮像された画像について、パターンマッチ
ング処理を行なうことによって、第1のテンプレート画
像MPaと同じ画像パターン(マッチングパターン)M
Pbを検出する。そして、マッチングパターンMPbを
検出した後に、その基準点Qbのステージ座標値を測定
する。このときにも、画像の回転角度δは0と仮定して
いる。そして、2つの画像パターンMPa,MPbの基
準点Qa,Qb同士を結ぶ直線の方向を、基準ウェハW
F1の正確な基準方向D1として決定する。この基準方
向D1は図3(A)に示すものと同じである。ウェハの
基準方向D1は、2つの基準点Qa,Qbのステージ座
標値から決定されているので、ウェハの正確な基準方向
を示している。一方、画像の直線エッジから決定された
画像の基準方向Dw1は、撮像光学系の回転角度δが0°
であるとの仮定の下で得られているので、ウェハの正確
な基準方向D1から撮像光学系の回転角度δだけずれて
いるはずである。そこで、図7のステップS15では、
ウエハの基準方向D1と画像の基準方向Dw1との間の角
度を、撮像光学系の回転角度δとして決定する。
【0063】なお、撮像光学系の回転角度δを用いるた
めに使用された2つの基準点Qa,Qbのステージ座標
値は、回転角度δが0°であると仮定したときの値なの
で、正確にはこの回転角度δだけのずれを含んでいる。
しかし、2つの基準点Qa,Qbの座標値が同じ回転角
度δだけずれているので、ウェハの基準方向D1を決定
する際にそのずれは相殺され、この結果、正しい基準方
向D1を得ることができる。
【0064】図19の下部に示すように、ウェハの基準
方向D1と、ステージ座標系の基準方向Dsとの間の角
度θ1は、基準ウェハWF1の正確な回転角度を示して
いる。このウェハの回転角度θ1は、画像回転角度β1
と、撮像光学系の回転角度δとの和である。換言すれ
ば、画像回転角度β1は、ウェハの回転角度θ1から撮
像光学系の回転角度δを減算した値に等しい。
【0065】撮像画像内の任意の位置の座標は、こうし
て得られた撮像光学系の回転角度δを用いて、前述の数
式1に従って撮像座標(U,V)icからステージ座標
(X,Y)scに変換される。逆に、ステージ座標(X,
Y)scを撮像座標(U,V)icに逆変換することも可能
である。なお、撮像光学系の回転角度δを求める前にス
テップT11,T12で得られていた各点のステージ座
標値については、各点の撮像座標値から数式1に従って
正確な値が改めて算出される。
【0066】図5のステップT13では、ステージ座標
とウェハ座標との間の座標変換係数が決定される。図8
は、ウェハ座標とステージ座標との間の座標変換係数を
決定するためのステップT13の詳細手順を示すフロー
チャートである。まずステップS14では、第1のスク
ライブライン交点位置から対角方向にある第3のスクラ
イブライン交点位置に撮像領域が来るようにXYステー
ジ36を移動させて画像を撮像する。ステップS17で
は、この画像について、パターンマッチングを行なうこ
とによって、第1のテンプレート画像MPaと同じ画像
パターン(マッチングパターン)MPcを検出する。
【0067】図20は、ステップS16,S17の処理
内容を示す説明図である。この例では、第1のテンプレ
ート画像MPaの登録を行なった交点位置から斜め右下
に隣接する第3の交点位置に視野Wcを移動させてい
る。
【0068】ステップS17においては、マッチングパ
ターンMPcを検出した後に、その基準点Qcのステー
ジ座標値も算出する。ステップS18では、第3のスク
ライブライン交点Pc(図20)の位置が決定される。
このとき、第3のスクライブライン交点Pcとマッチン
グパターンMPcとの位置関係は、第1のスクライブラ
イン交点Paとテンプレート画像MPaとの位置関係と
等しいものと仮定される。従って、第3のスクライブラ
イン交点Pcの位置は、マッチングパターンMPcの基
準点Qcの位置と、第1のスクライブライン交点Paと
テンプレート画像MPaの基準点Qaの相対位置とに基
づいて算出される。
【0069】あるいは、第1のスクライブライン交点P
aの決定方法と同様の方法によって、第3のスクライブ
ライン交点Pcの位置を決定するようにしても良い。す
なわち、第3のスクライブライン交点Pcの位置をユー
ザが指定してもよく、また、第3の視野Wc内の画像を
解析することによって、第3のスクライブライン交点P
cの位置を自動的に決定するようにしてもよい。
【0070】ステップS19では、第1と第3のスクラ
イブライン交点Pa,Pcの中点Pacのステージ座標
が算出され、位置合わせ基準点(図3(A)の点RP)
の座標値として測定レシピ139に保存される。この位
置合わせ基準点RPは、各測定点の位置を決定するとき
の原点(すなわちウェハ座標系の座標原点)として使用
される。この実施例では、位置合わせ基準点RPの座標
が、スクライブラインで規定される格子の対角方向にあ
る2つのスクライブライン交点Pa,Pcの座標から決
定されているので、その位置を高精度に設定することが
できる。
【0071】なお、位置合わせ基準点としては、この他
にも種々の設定方法がある。例えば、2つの画像パター
ンMPa,MPcの基準点Qa,Qcの中点Qacを位
置合わせ基準点として使用することもできる。さらに、
スクライブライン交点Pa,Pcと基準点Qa,Qcの
中の1つの点を、位置合わせ基準点として選択すること
も可能である。
【0072】基準ウェハWF1の回転角度θ1は、前述
した図19に示したように、画像回転角度β1と、撮像
光学系の回転角度δとの和として得られていたが、この
代わりに、2つの画像パターンMPa,MPcの基準点
Qa,Qc同士を結ぶ直線の方向からウェハの回転角度
θ1を決定することも可能である。この場合には、図2
0の下部に示すように、2つの基準点Qa,Qcの連結
方向DL1から所定の角度Δθだけ回転した方向が、ウェ
ハの基準方向D1として採用される。2つの基準点Q
a,Qcは格子状に配列されたチップの対角方向に存在
するので、この角度Δθの値は、tan Δθ=LY/LX
(LX,LYはチップのピッチ)で与えられる。ウェハ
の正確な回転角度θ1は、このウェハの基準方向D1と
ステージ座標系の基準方向Dsとの間の角度である。こ
うして回転角度θ1を決定した場合には、この回転角度
θ1から画像の回転角度β1を減算することによって、
撮像光学系の回転角度δを求めることも可能である(図
19参照)。この場合には、図5のステップT12(図
7のステップS13〜S15)を省略することができ
る。
【0073】図5のステップT13では、こうして得ら
れた位置合わせ基準点RPのステージ座標(XRP
RP)と、基準ウェハWF1の正確な回転角度θ1か
ら、ステージ座標(X,Y)とウェハ座標(ξ,η)と
の間の座標変換の係数が決定される。この座標変換係数
は、次の数式2で表される2次元アフィン変換の右辺の
3×3行列で示される。
【0074】
【数2】
【0075】以上の基準ウェハに関するプリアライメン
ト前処理によって、測定レシピ139(図2)内に以下
の情報が登録される。 (a)画像回転角度β1; (b)撮像光学系の回転角度δ; (c)基準ウェハの回転角度θ1; (d)テンプレート画像MPaの画像データ; (e)位置合わせ基準点RPのステージ座標値(XRP
RP)。
【0076】上記の情報(a)〜(d)は、撮像座標と
ステージ座標とウェハ座標との座標変換を規定するため
の座標変換情報である。すなわち、上述した数式2に示
されているように、基準ウェハの回転角度θ1と位置合
わせ基準点RPのステージ座標値(XRP,YRP)とは、
ウェハ座標とステージ座標の座標変換係数として使用さ
れる。また、数式1に示されているように、撮像光学系
の回転角度δは、撮像座標とステージ座標の座標変換係
数として使用される。これらの座標変換係数を用いるこ
とによって、撮像座標とステージ座標とウェハ座標との
間の座標変換を任意に行うことが可能である。例えば、
撮像画像内の任意の位置の撮像座標値を、ステージ座標
値またはウェハ座標値に変換することが可能である。逆
に、ウェハ上の任意の位置のウェハ座標値を、ステージ
座標値または撮像座標値に変換することも可能である。
【0077】D.基準ウェハを用いたファインアライメ
ント前処理:図21は、基準ウェハWF1を用いたファ
インアライメント前処理の手順を示すフローチャートで
ある。ファインアライメント前処理では、基準ウェハW
F1上の複数の測定点PM1〜PM15(図3(A)に
おいて白丸で示す)のウェハ座標系の座標値と、各測定
点における測定条件とが、以下のようにして登録され
る。
【0078】ステップS21では、測定点(例えば図3
(A)のPM1)を視野内に含む位置をユーザが指定し
て、XYステージ36を移動させる。図22は、i番目
の測定点PMiを含む視野W(i)を示す説明図であ
る。この視野W(i)は、アフィン変換によって画像回
転角度β1だけ回転した後の正立した画像を示してお
り、また、各位置は、ウェハ座標系の座標値(ξ,η)
で示されている。
【0079】図21のステップS22では、ユーザが図
22に示す画面上でi番目の測定点PMiの位置を、マ
ウスなどのポインティングデバイスを用いて指示する。
測定点PMiのステージ座標値(ξi,ηi)は、測定
レシピ139に保存される。ステップS23では、測定
点PMiの近傍において、第2のテンプレート画像MR
a(第2のテンプレート画像)として適切な画像パター
ンをユーザが探す。第2のテンプレート画像MRaとし
て適切な画像パターンは、90°の整数倍の回転対称性
が無い画像パターンであることが好ましい。
【0080】適切な画像パターンが見いだされると、ス
テップS24において、その画像パターンが画面の中央
になるようにXYステージ36の位置をユーザが調整す
る。そして、ステップS25において視野内の画像を取
り込み、画像回転角度β1だけ画像を回転する。
【0081】ステップS26では、ユーザが第2のテン
プレート画像MRaの領域を指定することによって、第
2のテンプレート画像MRaの画像データを切り出し、
その基準点Raのウェハ座標値(ξa,ηa)とともに
保存する。
【0082】なお、第2のテンプレート画像MRaは、
プリアライメント前処理で用いられた第1のテンプレー
ト画像MPa(図17(C))と同じものであってもよ
い。例えば、各測定点の近傍に第1のテンプレート画像
MPaが存在する場合には、ステップS26の代わり
に、パターンマッチング手段154(図2)が、第1の
テンプレート画像MPaを用いたパターンマッチング処
理を行って基準点Raの位置を決定する。
【0083】ステップS27では、第2のテンプレート
画像MRaの基準点Raから、i番目の測定点PMiま
での座標のオフセット(Δξ,Δη)を求めて測定レシ
ピ139に保存する。測定点PMiの位置は、ユーザに
よって指定される。この座標のオフセット(Δξ,Δ
η)は、i番目の測定点PMiの近傍に存在する第2の
テンプレート画像MRaと、i番目の測定点PMiとの
位置関係を示す情報である。
【0084】ステップS28では、この測定点PMiに
おける測定条件をユーザが設定する。例えばウエハ表面
の薄膜の膜厚測定を行う場合には、測定条件としては、
測定対象の薄膜の種類(SiO2 ,SiN等)、薄膜の
光学定数、膜厚の取りうる範囲等が設定される。なお、
測定条件は、測定点毎に設定する必要は無く、例えばす
べての測定点について同じ測定条件が適用されるように
してもよい。
【0085】ステップS29では、他の測定点があるか
否かが判断され、他の測定点がある場合にはステップS
21に戻り、上述したステップS21〜S28の処理が
繰り返される。一方、全ての測定点に関してステップS
21〜S28の処理が終了すると、基準ウェハWF1で
のファインアライメント前処理が終了する。
【0086】なお、第2のテンプレート画像MRaとし
ては、全ての測定点に対して共通の1つの画像パターン
を使用してもよく、あるいは、各測定点に対してそれぞ
れ異なる画像パターンを登録しても良い。
【0087】上述した基準ウェハWF1のファインアラ
イメント前処理では、複数の測定点に関して以下の情報
を含む測定レシピ139が登録される。 (a)第2のテンプレート画像MRaの画像データ; (b)各測定点PMiのウェハ座標値(ξi,ηi); (c)各測定点PMiと、その近傍のマッチング画像の
基準点Raとの間の座標のオフセット(Δξ,Δη); (d)各測定点PMiにおける測定条件。
【0088】上記の情報(a)〜(c)は、ウェハ座標
系において、各測定点PMiの位置を決定するために使
用される情報であり、以下では「測定位置情報」と呼
ぶ。この測定位置情報を用いることによって、被測定ウ
ェハにおける各測定点の位置を求めることができる。以
上のステップT1,T2の処理の結果、座標変換情報と
測定位置情報と測定条件とを含む測定レシピ139の登
録が終了する。
【0089】E.被測定ウェハを用いたプリアライメン
ト処理:被測定ウェハWF2を用いた測定処理において
は、測定レシピの登録に用いた第1の測定装置と同じ装
置を用いることもでき、あるいは、他の第2の測定装置
を用いることもできる。他の第2の測定装置を用いる場
合には、測定レシピ139が第1の測定装置から第2の
測定装置に転送(コピー)されて利用される。なお、第
2の測定装置における座標変換情報は、第1の測定装置
における座標変換情報とは異なるので、測定レシピ13
9の中の測定位置情報と測定条件のみを第2の測定装置
に転送すればよい。
【0090】図23は、被測定ウェハのプリアライメン
ト処理の手順を示すフローチャートである。図23のス
テップT22,T23の処理は、基準ウェハに関するプ
リアライメント前処理と同じであり、ウェハの画像回転
角度β2を求めるためのステップT21の処理のみが異
なる。なお、測定レシピの登録に用いた第1の測定装置
をそのまま用いて被測定ウェハWF2の測定処理を行う
場合には、撮像光学系の回転角度δは変わらないのでス
テップT22の処理は省略され、ステップT21とステ
ップT23の処理だけが行われる。一方、測定レシピの
登録に用いた第1の測定装置とは異なる第2の測定装置
を用いる場合には、ステップT22の処理も実行され
る。以下では主に、第1の測定装置とは別の第2の測定
装置を用いる場合について説明する。
【0091】図24は、ステップT21の詳細手順を示
すフローチャートである。ステップS1〜S6までの処
理は、図6に示した基準ウェハに関するプリアライメン
ト前処理の手順と同じである。これによって、ウェハの
中心近くのスクライブライン交点の画像が取り込まれ
る。図25は、被測定ウェハに設定された視野の一例を
示している。ここでは、視野Wdを撮像領域とした画像
が取込まれる。図24のステップS3においては、図2
5に示す粗回転角度α2prが検出されている。なお、こ
の粗回転角度α2prは、90°の整数倍の不確定さを有
している。被測定ウェハにおいては、不確定さを取除く
前の粗回転角度を「予備回転角度」とも呼ぶ。この名前
は、不確定さを含む予備的な回転角度であることを意味
している。
【0092】ステップS31では、パターンマッチング
手段154(図2)が、この視野Wd内の画像に関し
て、基準ウェハの前処理において登録された第1のテン
プレート画像MPaを用いたパターンマッチング処理を
行なう。
【0093】図26は、被測定ウェハに関するパターン
マッチングの方法を示す説明図である。まず、図26
(A)に示す読み取られた画像を、アフィン変換によっ
て予備回転角度α2prだけ時計廻りに回転して、図26
(B)に示すような画像を作成する。そして、回転後の
画像内において、第1のテンプレート画像MPaとマッ
チングする画像パターンをパターンマッチング処理によ
って検出する。この時、図26(C)に示すように、9
0°ずつ回転した4つのテンプレート画像を予め作成し
ておくことが好ましい。そして、これらの4つのテンプ
レート画像の中で、マッチング度が最も高くなるテンプ
レート画像を決定し、これにマッチングした画像パター
ン(マッチングパターン)の基準点の座標を決定する。
図26(B)の例では、180°回転のテンプレート画
像のマッチング度が最も高い。従って、この被測定ウェ
ハの画像回転角度β2は、(α2pr+180°)である
ことが決定される。すなわち、テンプレート画像を用い
たパターンマッチングによって、予備回転角度α2prの
不確定さを解消して、画像回転角度β2の値を決定する
ことができる。なお、回転対称な4つのテンプレート画
像に関連付けられた角度(0°、90°、180°、2
70°)のうち、パターンマッチングによって選択され
た角度を、以下では「マッチング角度」と呼ぶ。
【0094】図27は、被測定ウェハの予備回転角度α
2prと画像回転角度β2との関係を示す説明図である。
この例では、予備回転角度α2prと画像回転角度β2と
は180°の差がある。もちろん、これらの角度α2p
r,β2が等しい場合もある。
【0095】図24のステップS32では、マッチング
パターンMPdの基準点Qdのウェハ座標値(ξqd,η
qd)が保存される。ステップS33では、パターンマッ
チングの結果から、マッチングパターンMPdの近傍に
ある第1のスクライブライン交点Pd(図27)の座標
を求める。図28は、マッチングパターンMPdの基準
点Qdと、第1のスクライブライン交点Pdとの関係を
示す説明図である。前述したように、パターンマッチン
グ処理では、図28(a)〜(d)に示す4つのマッチ
ング角度のいずれか1つにおいて、画像パターンがマッ
チングすることが確認される。スクライブライン交点P
dのウェハ座標(ξd,ηd)は、マッチング角度に応
じてそれぞれ以下のように算出される。
【0096】(a)マッチング角度が0度の場合: ξd=ξqd+Δξ,ηd=ηqd+Δη
【0097】(b)マッチング角度が90度の場合: ξd=ξqd+Δη,ηd=ηqd−Δξ
【0098】(c)マッチング角度が180度の場合: ξd=ξqd−Δξ,ηd=ηqd−Δη
【0099】(d)マッチング角度が270度の場合: ξd=ξqd−Δη,ηd=ηqd+Δξ
【0100】ここで、Δξ,Δηは、前述した基準ウェ
ハのプリアライメント前処理において求められていた、
テンプレート画像MPaの基準点Qa(図17(B))
と、その近傍のスクライブライン交点Paとの座標のオ
フセットである。この座標のオフセット(Δξ,Δη)
を用いることによって、マッチングパターンMPdの基
準点Qdのウェハ座標値から、スクライブライン交点P
dのウェハ座標値を上記のように算出することができ
る。
【0101】こうして被測定ウェハWF2に関するステ
ップT21の処理が終了すると、図23のステップT2
2,T23において、撮像光学系の回転角度δ、およ
び、ステージ座標とウェハ座標との間の座標変換の係数
が決定される。ステップT22,T23の処理手順は、
前述した基準ウェハにおけるステップT12,T13と
同じなので、ここではその詳細は省略する。
【0102】F.被測定ウェハを用いたファインアライ
メント処理:図29は、被測定ウェハを用いたファイン
アライメント処理の手順を示すフローチャートである。
ステップS41では、プリアライメント処理で得られた
情報(プリアライメント情報)を用いて最初の測定点の
ステージ座標を予測し、測定点の近傍にあるテンプレー
ト画像(マッチング画像)の位置にXYステージ36を
移動させる。このとき、まず、まず、測定レシピ139
に含まれている各測定点のウェハ座標値が、座標変換手
段164によってステージ座標系の座標値に変換され
る。ところが、座標変換で得られた測定点のステージ座
標値は、ステージの歪み等の原因によって、実際の測定
点のステージ座標値から多少ずれる可能性がある。そこ
で、座標変換で得られたステージ座標値は、測定点の位
置を予測するために用いられ、測定点の正確な位置は以
下に説明するパターンマッチング処理によって決定され
る。このように、座標変換で得られたステージ座標値は
測定点の予測位置を示すので、これを「予測値」と呼
ぶ。一方、パターンマッチング処理によって決定される
測定点の正確な位置を「実測位置」と呼び、その座標値
を「実測値」と呼ぶ。
【0103】ステップS42では、測定点の予測位置の
近傍の画像を取込み、プリアライメント処理で求めた画
像回転角度β2だけ画像を回転する。図30は、回転後
の画像を示す説明図である。この画像は、前述した基準
ウェハのプリアライメント処理における図22の画像と
ほぼ同じものである。図30の各点の位置は、ウェハ座
標系の座標値で示されている。
【0104】図29のステップS43では、第2のテン
プレート画像MRa(図22)を用いたパターンマッチ
ングを行い、マッチングパターンMRb(図30)が決
定される。ステップS44では、マッチングパターンM
Rbの基準点Rbのウェハ座標値(ξb,ηb)を決定
する。ステップS45では、基準点Rbのウェハ座標値
(ξb,ηb)を、基準ウェハで求められていた測定点
PMiと基準点Raの座標のオフセット(△ξ,△η)
で補正することによって、測定点PMiの実測位置を決
定する。この測定点PMiの実測位置は、ステージ座標
系の座標値に変換される。従って、この測定点PMiの
実測位置に従って、測定プローブを測定点PMiに正確
に位置決めすることができる。
【0105】図29のステップS46では、他の測定点
があるか否かが判断され、他の測定点がある場合にはス
テップS41に戻ってステップS41〜S45の処理が
繰返される。こうして、被測定ウェハ上の複数の測定点
PM1〜PM15(図3)について、ステップS41〜
S45を繰返し実行することによって、各測定点の実測
位置を正確に決定することができる。各測定点における
測定処理(例えば膜厚測定)は、ステップS45とステ
ップS46の間に行うことができる。あるいは、すべて
の測定点に関してステップS41〜S45を繰返して実
行した後に、各測定点における測定処理を順次実行する
ようにしてもよい。
【0106】このように、上記実施例では、測定点の位
置をウェハ座標系の座標値として測定レシピ139に登
録したので、被測定ウェハにおける測定点位置の決定の
際に、各測定点のウェハ座標値をステージ座標値に変換
することによって、各測定点の位置を決定することがで
きる。上記実施例では、特に、ウェハ座標値からステー
ジ座標値に変換された座標値で示される位置を測定点の
予測位置として用い、予測位置近傍でパターンマッチン
グ処理を行ったので、各測定点の実測位置を正確に決定
することができる。なお、パターンマッチング処理を行
って各測定点PMiの正確な実測位置を決定せずに、各
測定点PMiのウェハ座標値を変換して得られたステー
ジ座標値を、実測座標としてそのまま使用することも可
能である。但し、上述したようにパターンマッチング処
理を実行した方が、より高精度に測定点の位置を決定す
ることができる。
【0107】なお、この発明は上記の実施例や実施形態
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様において実施することが可能であり、
例えば次のような変形も可能である。
【0108】(1)上記実施例において、ハードウェア
によって実現されていた構成の一部をソフトウェアに置
き換えるようにしてもよく、逆に、ソフトウェアによっ
て実現されていた構成の一部をハードウェアに置き換え
るようにしてもよい。
【0109】(2)位置合わせ基準点RPの座標を決定
するための第1のパターンマッチングは、位置合わせ基
準点RPの近傍の領域の画像に関して行えばよく、位置
合わせ基準点を含む領域の画像に対してパターンマッチ
ングを行う必要はない。同様に、各測定点の座標を決定
するための第2のパターンマッチングも、各測定点を含
む領域の画像に対してパターンマッチングを行う必要は
なく、各測定点の近傍の領域の画像に対して行えばよ
い。
【0110】(3)上記実施例では、位置合わせ基準点
RPの位置とウェハの回転角度θ1(またはθ2)とを
決定する際に、2つの領域においてパターンマッチング
を行うようにしていたが、1カ所の領域におけるパター
ンマッチングによって位置合わせ基準点RPの位置とウ
ェハの回転角度θ1(またはθ2)とを決定するように
してもよい。あるいは、3カ所以上の領域についてパタ
ーンマッチングを行うことによって、位置合わせ基準点
RPの位置とウェハの回転角度θ1(またはθ2)とを
決定するようにしてもよい。また、各測定点の位置を決
定する際に、複数の領域に関してパターンマッチングを
行うようにしてもよい。一般に、パターンマッチングを
行う領域の数が増加するほど、それによって決定される
座標や回転角度の精度が向上する。
【0111】(4)上記実施例では、装置にウェハの回
転機構が備えられていない場合について説明したが、回
転機構を有する装置に対しても本発明を適用することが
可能である。本発明によれば、回転機能を有する装置に
おいても、ウェハの回転方向(回転角度)を画像処理に
よって検出することが可能なので、測定点の位置決め処
理が簡単であり、また、高速に処理できるという利点が
ある。
【0112】(5)測定レシピ139は、各測定点にお
ける測定条件を含む必要は無く、少なくとも各測定点の
位置を示す情報を含んでいればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を適用して半導体ウェハの位
置合わせ処理を行なう機能を有する測定装置の構成を示
すブロック図。
【図2】画像処理ユニット50の内部構成を示すブロッ
ク図。
【図3】実施例における位置合わせ処理の概要を示す説
明図。
【図4】実施例における位置合わせ処理の全体手順を示
すフローチャート。
【図5】基準ウェハWF1を用いたプリアライメント前
処理の手順を示すフローチャート。
【図6】ウェハの画像回転角度β1を求めるためのステ
ップT11の詳細手順を示すフローチャート。
【図7】撮像光学系の回転角度δを求めるためのステッ
プT12の詳細手順を示すフローチャート。
【図8】ウェハ座標とステージ座標との間の座標変換係
数を決定するためのステップT13の詳細手順を示すフ
ローチャート。
【図9】半導体ウェハWF内に形成された複数のチップ
の配列の様子を示す概念図。
【図10】ウェハの中心付近を拡大して示す概念図。
【図11】1次元投影法による直線エッジ情報の検出処
理を示す説明図。
【図12】ソベルオペレータによる画像処理の方法を示
す説明図。
【図13】ソベルオペレータを用いて得られた水平エッ
ジ値と垂直エッジ値とから、画像の直線部分の角度を算
出する方法を示す説明図。
【図14】処理対象となる多階調画像の一例と、この多
階調画像からソベルオペレータ法によって検出された角
度のヒストグラムを示す説明図。
【図15】4つの等価回転角度を示す説明図。
【図16】スクライブラインSLの交点位置に視野の中
心を移動させた状態を示す説明図。
【図17】テンプレート画像MPaの登録の様子を示す
説明図。
【図18】撮像座標系とステージ座標系との関係を示す
説明図。
【図19】第1と第2のスクライブライン交点位置で撮
像された画像の視野Wa,Wbを示す説明図。
【図20】ステップS16,S17の処理内容を示す説
明図。
【図21】基準ウェハWF1を用いたファインアライメ
ント前処理の手順を示すフローチャート。
【図22】基準ウェハWF1のファインアライメント前
処理におけるi番目の測定点PMiを含む視野W(i)
を示す説明図。
【図23】被測定ウェハのプリアライメント処理の手順
を示すフローチャート。
【図24】被測定ウェハの画像回転角度β2を求めるた
めのステップT21の手順を示すフローチャート。
【図25】被測定ウェハにおいて設定される視野の一例
を示す説明図。
【図26】被測定ウェハに関するパターンマッチングの
方法を示す説明図。
【図27】被測定ウェハにおけるウェハの予備回転角度
α2prと画像回転角度β2との関係を示す説明図。
【図28】被測定ウェハにおけるマッチングパターンM
Pdの基準点Qdと第1のスクライブライン交点Pdと
の関係を示す説明図。
【図29】被測定ウェハを用いたファインアライメント
処理の手順を示すフローチャート。
【図30】被測定ウェハを用いたファインアライメント
処理において、測定点の近傍で得られた回転後の画像を
示す説明図。
【符号の説明】
30…制御操作ユニット 31…表示部 32…操作部 33…制御部 34…ステージ駆動部 35…ステージ座標読み込み部 36…XYステージ 36a,36b…ウェハ保持アーム 38…通信経路 40…光学ユニット 41…カメラ 42…光源 43…ハーフミラー 44…対物レンズ 50…画像処理ユニット 110…CPU 112…バスライン 114…ROM 116…RAM 136…モニタ 138…磁気ディスク 139…測定レシピ 140…入出力インタフェイス 150…等価回転方向決定手段 152…撮像位置決定手段 154…パターンマッチング手段 156…角度選択手段 158…回転方向決定手段 160…基準位置決定手段 162…測定位置決定手段 164…座標変換手段 166…測定情報作成手段

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハ上の測定点に関する測定情報を作
    成する方法であって、 前記測定情報は、前記ウェハ上における測定点の位置を
    少なくとも含み、 前記測定点の位置は、前記ウェハ上で定義されたウェハ
    座標系の座標値で表されていることを特徴とするウェハ
    の測定情報作成方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のウェハの測定情報作成方
    法であって、 前記測定情報は、さらに、各測定点近傍において撮像さ
    れた画像についてパターンマッチングを実行することに
    よって測定点の位置を決定する際に使用されるテンプレ
    ート画像を含む、ウェハの測定情報作成方法。
  3. 【請求項3】 ウエハを載置するステージを備えた測定
    装置を用いてウェハの測定位置を決定する方法であっ
    て、(a)請求項1または2記載の方法に従って作成さ
    れた前記測定情報を用い、各測定点のウェハ座標系の座
    標値を前記ステージ上で定義されたステージ座標系の座
    標値に変換する工程と、(b)各測定点に関する前記ス
    テージ座標系の座標値を用いて、前記ウェハ上の各測定
    点の位置決めを実行する工程と、を備えることを特徴と
    するウェハの測定位置決定方法。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のウェハの測定位置決定方
    法であって、 前記測定装置は、さらに、ウェハ上の画像を撮像するた
    めの撮像光学系を備えており、 前記方法は、さらに、 前記撮像光学系で定義された撮像座標系における座標
    と、前記ステージ座標系における座標との間の回転を含
    む座標変換を規定する座標変換係数を決定する工程と、 前記座標変換係数を用いて、前記撮像光学系で撮像され
    た撮像画像内における撮像座標系の座標と前記ステージ
    座標系の座標との間の座標変換を実行する工程と、を含
    む、ウェハの測定位置決定方法。
JP31428697A 1997-10-29 1997-10-29 ウェハの測定位置決定方法 Expired - Fee Related JP3739550B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31428697A JP3739550B2 (ja) 1997-10-29 1997-10-29 ウェハの測定位置決定方法
KR1019980035173A KR100292936B1 (ko) 1997-10-29 1998-08-28 웨이퍼의 측정정보 작성방법 및 측정위치 결정방법
US09/177,357 US6363168B1 (en) 1997-10-29 1998-10-23 Measurement position determination on a semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31428697A JP3739550B2 (ja) 1997-10-29 1997-10-29 ウェハの測定位置決定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11135601A true JPH11135601A (ja) 1999-05-21
JP3739550B2 JP3739550B2 (ja) 2006-01-25

Family

ID=18051544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31428697A Expired - Fee Related JP3739550B2 (ja) 1997-10-29 1997-10-29 ウェハの測定位置決定方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6363168B1 (ja)
JP (1) JP3739550B2 (ja)
KR (1) KR100292936B1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7565002B2 (en) 2001-11-06 2009-07-21 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer surface observation apparatus
JP2012119694A (ja) * 2003-05-09 2012-06-21 Ebara Corp 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2013074242A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 位置検出装置、描画装置、および、位置検出方法
US8694145B2 (en) 2001-06-19 2014-04-08 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
JP2014175571A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 位置検出装置および位置検出方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7295314B1 (en) * 1998-07-10 2007-11-13 Nanometrics Incorporated Metrology/inspection positioning system
US6320609B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Nanometrics Incorporated System using a polar coordinate stage and continuous image rotation to compensate for stage rotation
US6956667B2 (en) * 1999-12-24 2005-10-18 Agfa Gevaert N. V. Page composing method using stored page elements and apparatus for using the same
DE10047211B4 (de) * 2000-09-23 2007-03-22 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Positionsbestimmung einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat
JP3661604B2 (ja) * 2001-04-05 2005-06-15 松下電器産業株式会社 顕微観察装置および顕微観察方法
US7519236B2 (en) * 2003-04-09 2009-04-14 Arcsoft, Inc. Image retrieval
KR100514169B1 (ko) * 2003-07-07 2005-09-09 삼성전자주식회사 웨이퍼의 정렬 방법 및 장치
IL158086A (en) * 2003-09-24 2010-02-17 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for positioning articles with respect to a processing tool
US7349567B2 (en) * 2004-03-05 2008-03-25 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for determining angular pose of an object
US7813638B2 (en) * 2004-06-07 2010-10-12 Rudolph Technologies, Inc. System for generating camera triggers
KR100586032B1 (ko) * 2004-07-26 2006-06-01 삼성전자주식회사 기판 정렬 방법 및 장치, 이를 이용한 기판의 패턴 검사방법 및 장치
KR100790826B1 (ko) * 2006-06-30 2008-01-02 삼성전자주식회사 오버레이 계측방법 및 그가 사용되는 반도체 제조설비의관리시스템
US20080021665A1 (en) * 2006-07-20 2008-01-24 David Vaughnn Focusing method and apparatus
JP2010135642A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Tokyo Electron Ltd 基板検査方法及び記憶媒体
US8300949B2 (en) * 2010-05-18 2012-10-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Edge detection technique having improved feature visibility
WO2012037343A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Ascentia Imaging, Inc. Imaging, fabrication, and measurement systems and methods
US10132925B2 (en) 2010-09-15 2018-11-20 Ascentia Imaging, Inc. Imaging, fabrication and measurement systems and methods
US9739864B2 (en) 2012-01-03 2017-08-22 Ascentia Imaging, Inc. Optical guidance systems and methods using mutually distinct signal-modifying
EP2801077B1 (en) 2012-01-03 2023-11-29 Ascentia Imaging, Inc. Coded localization systems, methods and apparatus
US8741511B1 (en) * 2012-12-19 2014-06-03 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Determination of lithography tool process condition
US10126114B2 (en) 2015-05-21 2018-11-13 Ascentia Imaging, Inc. Angular localization system, associated repositionable mechanical structure, and associated method
CN110992319A (zh) * 2019-11-21 2020-04-10 昂纳信息技术(深圳)有限公司 一种图像识别方法、贴片方法及系统

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4969199A (en) * 1986-02-28 1990-11-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for inspecting the molded case of an IC device
JPH06151274A (ja) * 1992-11-11 1994-05-31 Hitachi Ltd 半導体集積回路パターンの位置合わせ方法および装置
KR950030229A (ko) * 1994-04-20 1995-11-24 김주용 웨이퍼 패턴의 얼라인 방법
US5867590A (en) * 1995-01-11 1999-02-02 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and apparatus for determining a location on a surface of an object
KR100500199B1 (ko) * 1995-05-29 2005-11-01 가부시키가이샤 니콘 마스크패턴을겹쳐서노광하는노광방법
US6107637A (en) * 1997-08-11 2000-08-22 Hitachi, Ltd. Electron beam exposure or system inspection or measurement apparatus and its method and height detection apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8694145B2 (en) 2001-06-19 2014-04-08 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
US7565002B2 (en) 2001-11-06 2009-07-21 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Wafer surface observation apparatus
JP2012119694A (ja) * 2003-05-09 2012-06-21 Ebara Corp 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2013074242A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 位置検出装置、描画装置、および、位置検出方法
JP2014175571A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 位置検出装置および位置検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3739550B2 (ja) 2006-01-25
KR19990036608A (ko) 1999-05-25
US6363168B1 (en) 2002-03-26
KR100292936B1 (ko) 2001-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3739550B2 (ja) ウェハの測定位置決定方法
TWI413206B (zh) A center of the wafer detection method and a recording medium on which the method is recorded
JP5923824B2 (ja) 画像処理装置
TW512220B (en) Image processing method and device
JP2010135642A (ja) 基板検査方法及び記憶媒体
JP2001319219A (ja) 画像測定装置用パートプログラム生成装置及び方法、並びに画像測定装置及びその測定結果表示方法
KR20030009166A (ko) 화상처리방법, 동장치, 및 본딩장치
JP3545542B2 (ja) ウェハの回転方向検出方法
US20070008532A1 (en) Center determination of rotationally symmetrical alignment marks
JPH1197512A (ja) 位置決め装置及び位置決め方法並びに位置決め処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2008014700A (ja) ワークの検査方法及びワーク検査装置
JP2011077289A (ja) 基板位置決め方法
JP3545558B2 (ja) ウェハの測定位置決定方法
JP4076343B2 (ja) 半導体ウェハのドットマーク形成位置の位置決め方法とその位置決め装置
JP3725314B2 (ja) ウェハ上の対象点座標の補正方法および対象点座標の決定方法
KR100287319B1 (ko) 피측정 웨이퍼의 회전방향 검출방법과 측정위치 결정방법 및 그 장치
JP4097255B2 (ja) パターンマッチング装置、パターンマッチング方法およびプログラム
JP2008124336A (ja) 半導体チップの外形認識方法および位置補正方法
JPS6243505A (ja) 半導体ウエハ上の被検査パターンの欠陥検査方法およびその装置
JP2000097677A (ja) 画像認識方法
JP2006003276A (ja) 3次元形状計測システム
US20230249284A1 (en) Alignment method
JPH0737893B2 (ja) パターンマッチング方法
JP2000321024A (ja) 画像認識による位置検出方法
JPH0547901A (ja) ウエハのアライメント方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050415

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051025

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051102

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees