JPH11133404A

JPH11133404A - 液晶表示装置とこれらを用いた液晶プロジェクター

Info

Publication number: JPH11133404A
Application number: JP9294469A
Authority: JP
Inventors: Teruhiko Furushima; 輝彦古島; Katsumi Kurematsu; 榑松　　克巳; Osamu Koyama; 理小山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-10-27
Filing date: 1997-10-27
Publication date: 1999-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶中に入射した光の一部は外周部へも拡散
し基板端面に入射しているという問題とカバーを付ける
事によりカバーの部材費だけでなく取り付けホルダーの
形状も複雑になるというコスト上昇問題を解決すること
を課題とする。【解決手段】一対の基板間に液晶層を挟んだ液晶表示
素子が、ホルダー等に接着保持されている液晶表示装置
において、少なくとも画素スイッチと駆動回路が形成さ
れている基板の外周端面（側面）が遮光部材で覆われて
いることを特徴とする。前記遮光部材が遮光効果を持つ
樹脂から成ることを特徴とする。前記一対の基板中の一
基板には、マイクロレンズの１レンズが前記一対の基板
中の他の基板に形成された画素電極の３つに対応して設
けられ、液晶表示素子は、半導体基板と、アクティブマ
トリクス駆動回路部と、前記液晶を駆動する画素電極
と、液晶層と、対向透明電極と、シートガラスとを順次
積層した構造を有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を用いて画
像、文字などを表示する液晶表示装置に関し、特に液晶
層を挟んだ液晶表示素子の側面に遮光層を設けた液晶表
示装置及びこれを用いた液晶プロジェクターや投写型液
晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶投射型表示装置においては、表示品
位を向上させる為に、液晶パネルに強い光を照射する様
になっている。

【０００３】図５に従来の液晶表示装置の外観図を示し
ている。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）において、単結晶シ
リコン基板から成るアクティブマトリクス基板２１と、
該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板２０
と、両基板間に狭持している液晶層２４と、液晶のシー
ル材２５とから液晶表示素子が構成され、液晶表示装置
は該液晶表示素子の底部の基台３１と、側面と上部とを
固定して遮光する遮光枠の遮蔽ホルダー３６と、外部と
の電気信号の送受を行う画像信号バスライン３３Ｓから
構成される。かかる構成の液晶表示装置は反射型とした
場合は、上面から強い光が照射され、アクティブマトリ
クス基板２１内の画素電極のハイ／ロー電位に従って、
液晶の透過、遮蔽作用で、反射光に画像信号によって変
調された要素を含み、光学系で拡大してスクリーンに照
射して、液晶プロジェクターによる画像信号を投影する
ことができる。

【０００４】また、アクティブマトリクス基板の表示エ
リアの外周には、周辺回路トランジスタが備えられ、周
辺回路トランジスタへの光照射によるリークを防止する
為に、表示エリア外に、遮光ホルダー３６を設けること
が望まれる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置は上述の
ように、外部から表示素子に光を照射するが照射光は、
表示部だけでなく、表示素子全体を照射する。

【０００６】また、図６に示すように、光ｈν１が半導
体基板に照射されると、そのエネルギーで半導体基板中
の価電子が励起されて伝導電子を作り、その価電子の抜
けた方が正孔となる。この光ｈν１によって励起された
伝導電子や正孔（ホール）を光キャリヤと呼び、この光
キャリヤが周辺回路のトランジスタのソース、ドレイン
に到達すると、ソース電位やドレイン電位の変動を引き
起こし、シフトレジスタなどの周辺駆動回路の誤動作を
引き起こし、表示品位の顕著な低下を招く。

【０００７】更に、単結晶シリコン基板を用いた場合に
は、シリコン基板は一般に約６００μｍもの厚さがある
為、基板端面（側壁）に光ｈν２が照射されると基板の
体積が大きく、光キャリヤの発生する部分は大きな範囲
にまたがり、単結晶シリコン基板中の光キャリヤの拡散
長は数百μｍと長いので周辺回路が誤動作する。

【０００８】その為、基板端面からの光入射を防止する
為、有効表示エリア外に光が照射されない様にカバーで
覆っていた。

【０００９】しかし、液晶中に入射した光の一部は、外
周部へも拡散し基板端面に入射しているという問題があ
った。

【００１０】更に、カバーを付ける事によりカバーの部
材費だけでなく取り付けホルダーの形状も複雑になりコ
スト上昇を招いていた。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、画素スイッチとそれを駆動するためのシフトレジス
タ等周辺駆動回路を同一基板上に形成したアクティブマ
トリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と液晶
材料を介して対向する対向基板と、保持するホルダーか
ら成り、液晶表示装置において、少くなくとも前記アク
ティブマトリクス基板の端面を遮光効果のある樹脂で覆
うことを特徴とする。

【００１２】また、本発明は、一対の基板間に液晶層を
挟んだ液晶表示素子が、ホルダー等に接着保持されてい
る液晶表示装置において、少なくとも画素スイッチと駆
動回路が形成されている基板の外周端面（側面）が遮光
部材で覆われていることを特徴とする。また、上記液晶
表示装置において、前記遮光部材が遮光効果を持つ樹脂
から成ることを特徴とする。また、前記一対の基板にお
ける一方の基板がアクティブマトリクス基板から成るこ
とを特徴とする。

【００１３】さらに、上記液晶表示装置において、前記
一対の基板中の一基板にはマイクロレンズを形成し、該
マイクロレンズの１レンズが前記一対の基板中の他の基
板に形成された画素電極の３つに対応して設けられ、液
晶表示素子は、半導体基板と、アクティブマトリクス駆
動回路部と、液晶を駆動する画素電極と、液晶層と、対
向透明電極と、シートガラスとを順次積層した構造を有
することを特徴とする加えて、本発明による液晶プロジ
ェクターは上記の各液晶表示装置を用いて、光学系を備
えたことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】

（第１の実施形態）本発明の第１の実施形態を、図１を
用いて説明する。図において、２１は、単結晶シリコン
基板から成るアクティブマトリクス基板、２０は対向基
板であり、この対向基板２０と単結晶シリコン基板２１
とはシール剤２５により接着され、両基板間には、ポリ
マーネットワーク型分散液晶２４が挿入されている。

【００１５】本実施形態では、アクティブマトリクス基
板２１として単結晶シリコン基板を用いたが、ポリシリ
コントランジスタが形成されているガラス又は、石英基
板、ＳＯＩ（Silicon On lnsulator）単結晶トランジス
タが形成されている基板、アモルファスシリコントラン
ジスタが形成されている基板を用いても良い。また、本
実施形態では反射型アクティブマトリクス基板を用いた
が、透過型のアクティブマトリクス基板にも、本発明の
適用は可能である。

【００１６】本実施形態では、ポリマーネットワーク型
分散液晶を用いたが、ＤＡＰモードの液晶を用いても良
い。

【００１７】また、図１において、３１は液晶表示素子
を保持するホルダーであり、液晶表示素子のアクティブ
マトリクス基板２１は接着樹脂３２によりホルダーに接
着されている。

【００１８】また、３３は液晶表示装置と外部の電気的
入出力配線板であり、ワイヤーボンディング３５にて接
続されている。

【００１９】本実施形態では、液晶表示素子に照射され
る光の照度が1,000,000luxにも達するが、液晶表示素子
の外周端面に遮光効果を有する樹脂３４、例えば東芝シ
リコン製、シリコン樹脂（ＴＳＥ３９７）ブラック（黒
い樹脂を混合したもの）をディスペンサーにて塗布し
て、封止遮光層３４を形成した。ＴＳＥ３９７は高粘度
である為、ワイヤーボンディング３５の保護層としては
ＴＳＥ３９７で外側に土手部を形成し、中に低粘度のＴ
ＳＥ３９９にて封止遮光層を形成した。

【００２０】本実施形態では照射光量が1,000,000luxに
も達するが、遮光層が存在する為、単結晶シリコンの基
板２１の端面からの光入射を防止することが可能にな
り、単結晶シリコン基板２１での光キャリヤの発生を防
止することが出来、誤動作が防止できた。

【００２１】本樹脂遮光層３４はアクティブマトリクス
基板２１の端面を少なくとも覆う必要があり、図１の様
にアクティブマトリクス基板２１及び対向基板２０の端
面にかかる様に形成する事が好ましい。

【００２２】＜信頼性向上の説明＞本実施形態では、遮
光樹脂３４が、シールの外周を覆う事になる為、シール
界面及びシール材を通して、セル内に侵入する水分等の
不純物の侵入防止効果もある。

【００２３】更に、本実施形態のアクティブマトリクス
基板２１ではシール２５が形成される場所の外側にもＡ
ｌのパターンが存在し、腐食の問題が発生していたが、
遮光樹脂３４で覆うことにより腐食を防止できた。

【００２４】本実施形態で使用した樹脂ＴＳＥ３９７，
３９９は金属に対する腐食が少なくない。信頼性試験と
して、５０℃／９０％動作試験を行ったところ、不純物
の侵入によると思われる表示ムラ、焼き付き、電気光学
特性のシフト等の問題が発生せず良好な結果を得られ
た。

【００２５】図２は、反射型の液晶表示装置の構造の一
例としてのアクティブマトリクス基板の液晶素子の断面
図である。

【００２６】図２は、画素部を示しているが、画素部形
成工程と同時に、画素部のスイッチングトランジスタを
駆動するためのシフトレジスタ等周辺駆動回路も同一基
板上に形成することができる。以下、製造工程に沿っ
て、構造について説明する。

【００２７】不純物濃度が１０¹⁵ｃｍ^-3以下であるｎ形
シリコン半導体基板２０１を部分熱酸化し、ＬＯＣＯＳ
２０２を形成し、該ＬＯＣＯＳ２０２をマスクとしてボ
ロンをドーズ量１０¹²ｃｍ^-2程度イオン注入し、不純物
濃度１０¹⁶ｃｍ^-3程度のｐ形不純物領域であるＰＷＬ２
０３を形成する。この基板２０１を再度熱酸化し、酸化
膜厚１０００オングストローム以下のゲート酸化膜２０
４を形成する。

【００２８】つぎに、リンを１０²⁰ｃｍ^-3程度ドープし
たｎ形ポリシリコンからなるゲート電極２０５を形成し
た後、基板２０１全面にリンをドーズ量１０¹²ｃｍ^-2程
度イオン注入し、不純物濃度１０¹⁶ｃｍ^-3程度のｎ形不
純物領域であるＮＬＤ２０６を形成し、引き続き、パタ
ーニングされたフォトレジストをマスクとして、リンを
ドーズ量１０¹⁵ｃｍ^-2程度イオン注入し、不純物濃度１
０¹⁹ｃｍ^-3程度のソース、ドレイン領域２０７，２０
７′を形成する。

【００２９】基板２１全面に層間膜であるＰＳＧ２０８
を形成した。このＰＳＧ２０８はＮＳＧ（Nondope Sili
cate Glass）／ＢＰＳＧ（Boro-Phospho-Silicate Glas
s）や、ＴＥＯＳ（Tetraetoxy-Silane）で代替すること
も可能である。ソース、ドレイン領域２０７，２０７′
の直上のＰＳＧ２０８にコンタクトホールをパターニン
グし、スパッタリングによりＡｌを蒸着した後パターニ
ングし、Ａｌ電極２０９を形成する。このＡｌ電極２０
９と、ソース、ドレイン領域２０７，２０７′とのオー
ミックコンタクト特性を向上させるために、Ｔｉ／Ｔｉ
Ｎ等のバリアメタルを、Ａｌ電極２０９とソース、ドレ
イン領域２０７，２０７′との間に形成するのが望まし
い。

【００３０】基板２０１全面にプラズマＳｉＮ２１０を
３０００オングストローム程度、続いてＰＳＧ２１１を
１００００オングストローム程度成膜する。

【００３１】プラズマＳｉＮ２１０をドライエッチング
ストッパー層として、ＰＳＧ２１１を画素間の分離領域
のみを残すようにパターニングし、その後ドレイン領域
２０７′にコンタクトしているＡｌ電極２０９直上に不
図示のスルーホール２１２をドライエッチングによりパ
ターニングする。

【００３２】基板２０１上にスパッタリング、或いはＥ
Ｂ（Electron Beam、電子線）蒸着により、画素電極２
１３を１００００オングストローム以上成膜する。この
画素電極２１３としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ等の金
属膜、或いはこれら金属の化合物膜を用いる。

【００３３】つぎに、画素電極２１３の表面をＣＭＰ
（Chemical Mechanical Polishing）により研磨する。
研磨量はＰＳＧ２１１厚を１００００オングストロー
ム、画素電極厚をｘオングストロームとした場合、ｘオ
ングストローム以上、ｘ＋１００００オングストローム
未満である。

【００３４】上記の工程により形成されたアクティブマ
トリクス基板は、スペーサ（不図示）を介して対向基板
と貼り合わせ、その間隙に液晶２０４を注入して液晶素
子とする。本実施形態において、対向基板は透明基板２
２０上にＩＴＯ等からなる共通電極２２３から構成され
ている。

【００３５】［液晶表示素子の駆動方法］以下、簡単に
本例の反射型液晶素子の駆動方法を説明する。図２にお
いて、基板２０１にオンチップで形成されたシフトレジ
スタ等の周辺回路により、ソース領域２０７に信号電位
を与え、それと同時にゲート電極２０５にゲート電位を
印加し、画素のスイッチングトランジスタをオン状態に
し、ドレイン領域２０７′に信号電荷を供給する。信号
電荷はドレイン領域２０７′と、ＰＷＬ２０３との間に
形成されるｐｎ接合の空乏層容量に蓄積され、Ａｌ電極
２０９を介して画素電極２１３に電位を与える。画素電
極２１３の電位が所望の電位に達した時点で、ゲート電
極２０５の印加電位を切り、画素スイッチングトランジ
スタをオフ状態にする。信号電荷は前述のｐｎ接合容量
部に蓄積されているため、画素電極２１３の電位は、次
に画素スイッチングトランジスタが駆動されるまで固定
される。この固定された画素電極２１３の電位が、図２
に示された基板２０１と対向基板２０との間に封入され
た液晶２０４を駆動する。

【００３６】（第２の実施形態）本発明の他の実施形態
を図３を用いて説明する。図３において、２１はポリシ
リコントランジスタが形成されている石英基板である。

【００３７】石英基板２１と対向基板２０との間に、ツ
イストネマチック（ＴＮ）液晶２４がシール２５に囲ま
れて充填されている。本液晶表示装置は透過型液晶表示
素子から構成されている。

【００３８】つぎに、ホルダー３１に接着され、ホルダ
ー３１と石英基板２１の端面の間には、遮光能力を有す
る樹脂３４が充填されている。

【００３９】かかる構成により、上面から照射される光
が、パネルの端の部分では遮光樹脂３４により遮光さ
れ、石英基板２１端面より侵入する事を防止される。

【００４０】従って、周辺駆動回路への光リークが減少
し、誤動作が防止できた。

【００４１】石英基板やガラス基板を用いたアクティブ
マトリクス基板の場合にも、基板端面からの光リークが
防止できる事が確認された。

【００４２】石英基板やガラス基板をアクティブマトリ
クス基板として用いた場合、遮光部材が設けられていな
い場合には基板端面より入射した光が基板内を透過し、
トランジスタ部に入射し、リークが発生する。図４に、
光が基板内を透過する様子を模式的に示す。

【００４３】本実施形態の様に、端面に遮光層があるこ
とにより光の入射が防止できた。

【００４４】（第３の実施形態）次に本実施形態の反射
型液晶パネルを組み込む光学システムについて図７を用
いて説明する。図７において、３７１はハロゲンランプ
等の光源、３７２は光源像をしぼり込む集光レンズ、３
７３，３７５は平面状の凸型フレネルレンズ、３７４は
Ｒ，Ｇ，Ｂに分解する色分解光学素子で、ダイクロイッ
クミラー、回折格子等が有効である。

【００４５】また、３７６はＲ，Ｇ，Ｂ光に分離された
それぞれの光をＲ，Ｇ，Ｂ３パネルに導くそれぞれのミ
ラー、３７７は集光ビームを反射型液晶パネルに平行光
で照明するための視野レンズ、３７８は上述の反射型液
晶素子、３７９の位置にしぼりがある。また、３８０は
複数のレンズを組み合わせて拡大する投射レンズ、３８
１はスクリーンで、通常、投射光を平行光へ変換するフ
レネルレンズと上下、左右に広視野角として表示するレ
ンチキュラレンズの２板より構成されると明瞭な高コン
トラストで明るい画像を得ることができる。

【００４６】図７の構成では、１色のパネルのみ記載さ
れているが、色分解光学素子３７４からしぼり部３７９
の間は３色それぞれに分離されており、３板パネルが配
置されている。又、反射型液晶装置パネル表面にマイク
ロレンズアレーを設け、異なる入射光を異なる画素領域
に照射させる配置をとることにより、３板のみならず、
単板構成でも可能であることは言うまでもない。液晶素
子の液晶層に電圧が印加され、各画素で正反射した光
は、３７９に示すしぼり部を透過しスクリーン上に投射
される。

【００４７】一方、電圧が印加されずに、液晶層が散乱
体となっている時、反射型液晶素子へ入射した光は、等
方的に散乱し、３７９に示す絞り部の開口を見込む角度
の中の散乱光以外は、投射レンズにはいらない。これに
より黒を表示する。以上の光学系からわかるように、偏
光板が不要で、しかも画素電極の全面が信号光が高反射
率で投射レンズにはいるため、従来よりも２−３倍明る
い表示が実現できた。上述の実施形態でも述べたよう
に、対向基板表面、界面には、反射防止対策が施されて
おり、ノイズ光成分も極めて少なく、高コントラスト表
示が実現できた。又、パネルサイズが小さくできるた
め、すべての光学素子（レンズ、ミラーｅｔｃ．）が小
型化され、低コスト、軽量化が達成された。

【００４８】又、光源の色ムラ、輝度ムラ、変動は、光
源と光学系との間にインテグレタ（はえの目レンズ型ロ
ッド型）を挿入することにより、スクリーン上での色ム
ラ、輝度ムラは、解決できた。

【００４９】上記液晶パネル以外の周辺電気回路につい
て、図８を用いて説明する。図において、３８５は電源
で、主にランプ用電源とパネルや信号処理回路駆動用シ
ステム電源に分離される。３８６はプラグ、３８７はラ
ンプ温度検出器で、ランプの温度の異常があれば、制御
ボード３８８によりランプを停止させる等の制御を行
う。これは、ランプに限らず、３８９のフィルタ安全ス
イッチでも同様に制御される。たとえば、高温ランプハ
ウスボックスを開けようとした場合、ボックスがあかな
くなるような安全上の対策が施されている。３９０はス
ピーカー、３９１は音声ボードで、要求に応じて３Ｄサ
ウンド、サラウンドサウンド等のプロセッサも内蔵でき
る。３９２は拡張ボード１で、ビデオ信号用Ｓ端子、ビ
デオ信号用コンポジット映像、音声等の外部装置３９６
からの入力端子及びどの信号を選択するかの選択スイッ
チ３９５、チューナ３９４からなり、デコーダ３９３を
介して拡張ボード２へ信号が送られる。一方、拡張ボー
ド２は、おもに、別系列からのビデオやコンピュータの
Ｄｓｕｂ１５ピン端子を有し、デコーダ３９３からのビ
デオ信号と切り換えるスイッチ４５０を介して、Ａ／Ｄ
コンバータ４５１でディジタル信号に変換される。

【００５０】また、４５３は主にビデオＲＡＭ等のメモ
リとＣＰＵとからなるメインボードである。Ａ／Ｄコン
バータ４５１でＡ／Ｄ変換したＮＴＳＣ信号は、一端メ
モリに蓄積され、高画素数へうまく割りあてるために、
液晶素子数にマッチしていない空き素子の不足の信号を
補間して作成したり、液晶表示素子に適したγ変換エッ
ジ階調、ブライト調整バイアス調整等の信号処理を行
う。ＮＴＳＣ信号でなく、コンピュータ信号も、たとえ
ばＶＧＡの信号がくれば、高解像度のＸＧＡパネルの場
合、その解像度変換処理も行う。一画像データだけでな
く、複数の画像データのＮＴＳＣ信号にコンピュータ信
号を合成させる等の処理もこのメインボード４５３で行
う。メインボード４５３の出力はシリアル・パラレル変
換され、ノイズの影響を受けにくい形態でヘッドボード
４５４に充られる。このヘッドボード４５４で、再度パ
ラレル／シリアル変換後、Ｄ／Ａ変換し、パネルのビデ
オ線数に応じて分割され、ドライブアンプを介して、
Ｂ，Ｇ，Ｒ色の液晶パネル４５５，４５６，４５７へ信
号を書き込む。

【００５１】また、４５２はリモコン操作パネルで、コ
ンピュータ画面も、ＴＶと同様の感覚で、簡単操作可能
となっている。また、液晶パネル４５５，４５６，４５
７の夫々は、各色の色フィルタを備えた同一の液晶装置
構成であり、その液晶パネルの特に反射電極と隣接する
反射電極間の非導電性膜の形状について説明した液晶パ
ネル処理は、第１〜第２実施形態で説明したものを適用
する。各液晶装置は以上の説明のように、本実施形態の
表示結果は、きわめてきれいな画像表示が可能である。

【００５２】（第４の実施形態）図９に本発明の液晶表
示装置を用いた前面及び背面投写型液晶表示装置光学系
の構成図を示す。本図はその上面図を表す図９（ａ）、
正面図を表す図９（ｂ）、側面図を表す図９（ｃ）から
成っている。同図において、１３０１はスクリーンに投
射する投影レンズ、１３０２はマイクロレンズ付液晶パ
ネル、１３０３は偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）、
１３４０はＲ（赤色光）反射ダイクロイックミラー、１
３４１はＢ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロイックミ
ラー、１３４２はＢ（青色光）反射ダイクロイックミラ
ー、１３４３は全色光を反射する高反射ミラー、１３５
０はフレネルレンズ、１３５１は凸レンズ、１３０６は
ロッド型インテグレーター、１３０７は楕円リフレクタ
ー、１３０８はメタルハライド、ＵＨＰ等のアークラン
プである。

【００５３】ここで、Ｒ（赤色光）反射ダイクロイック
ミラー１３４０、Ｂ／Ｇ（青色＆緑色光）反射ダイクロ
イックミラー１３４１、Ｂ（青色光）反射ダイクロイッ
クミラー１３４２はそれぞれ図１０に示したような分光
反射特性を有している。そしてこれらのダイクロイック
ミラーは高反射ミラー１３４３とともに、図１１の斜視
図に示したように３次元的に配置されており、後述する
ように白色照明光をＲＧＢに色分解するとともに、液晶
パネル１３０２に対して各原色光が、３次元的に異なる
方向から該液晶パネル１３０２を照明するようにしてい
る。

【００５４】ここで、光束の進行過程に従って説明する
と、まず光源のランプ１３０８からの出射光束は白色光
であり、楕円リフレクター１３０７によりその前方のイ
ンテグレータ１３０６の入り口に集光され、このインテ
グレーター１３０６内を反射を繰り返しながら進行する
につれて光束の空間的強度分布が均一化される。そして
インテグレーター１３０６を出射した光束は凸レンズ１
３５１とフレネルレンズ１３５０とにより、ｘ軸−方向
（図９（ｂ）の正面図基準）に平行光束化され、まずＢ
反射ダイクロ１９イックミラー１３４２に至る。このＢ
反射ダイクロイックミラー１３４２ではＢ光（青色光）
のみが反射され、ｚ軸−方向つまり下側（図９（ｂ）の
正面図基準）にｚ軸に対して所定の角度でＲ反射ダイク
ロイックミラー１３４０に向かう。

【００５５】一方、Ｂ光以外の色光（Ｒ／Ｇ光）はこの
Ｂ反射ダイクロイックミラー１３４２を通過し、高反射
ミラー１３４３により直角にｚ軸−方向（下側）に反射
され、やはりＲ反射ダイクロイックミラー１３４０に向
かう。ここで、Ｂ反射ダイクロイックミラー１３４２と
高反射ミラー１３４３は共に図９（ａ）の正面図を基に
して言えば、インテグレーター１３０６からの光束（ｘ
軸−方向）をｚ軸−方向（下側）に反射するように配置
しており、高反射ミラー１３４３はｙ軸方向を回転軸に
ｘ−ｙ平面に対して丁度４５°の傾きとなっている。そ
れに対してＢ反射ダイクロイックミラー１３４２はやは
りｙ軸方向を回転軸にｘ−ｙ平面に対して、この４５°
よりも浅い角度に設定されている。従って、高反射ミラ
ー１３４３で反射されたＲ／Ｇ光はｚ軸−方向に直角に
反射されるのに対して、Ｂ反射ダイクロイックミラー１
３４２で反射されたＢ光はｚ軸に対して所定の角度（ｘ
−ｚ面内チルト）で下方向に向かう。ここで、Ｂ光とＲ
／Ｇ光の液晶パネル１３０２上の照明範囲を一致させる
ため、各色光の主光線は液晶パネル１３０２上で交差す
るように、高反射ミラー１３４３とＢ反射ダイクロイッ
クミラー１３４２のシフト量およびチルト量が選択され
ている。

【００５６】次に、前述のように下方向（ｚ軸−方向）
に向かったＲ／Ｇ／Ｂ光はＲ反射ダイクロイックミラー
１３４０とＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１に
向かうが、これらはＢ反射ダイクロイックミラー１３４
２と高反射ミラー１３４３の下側に位置し、まず、Ｂ／
Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１はｘ軸を回転軸に
ｘ−ｚ面に対して４５°傾いて配置されており、Ｒ反射
ダイクロイックミラー１３４０はやはりｘ軸方向を回転
軸にｘ−ｚ平面に対してこの４５°よりも浅い角度に設
定されている。従ってこれらに入射するＲ／Ｇ／Ｂ光の
うち、まずＢ／Ｇ光はＲ反射ダイクロイックミラー１３
４０を通過して、Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３
４１により直角にｙ軸＋方向に反射され、ＰＢＳ１３０
３を通じて偏光化された後、ｘ−ｚ面に水平に配置され
た液晶パネル１３０２を照明する。このうちＢ光は前述
したように（図９（ａ）、図９（ｂ）参照）、ｘ軸に対
して所定の角度（ｘ−ｚ面内チルト）で進行しているた
め、Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１による反
射後は、ｙ軸に対して所定の角度（ｘ−ｙ面内チルト）
を維持し、その角度を入射角（ｘ−ｙ面方向）として該
液晶パネル１３０２を照明する。

【００５７】Ｇ光についてはＢ／Ｇ反射ダイクロイック
ミラー１３４１により直角に反射し、ｙ軸＋方向に進
み、ＰＢＳ１３０３を通じて偏光化された後、入射角０
°つまり垂直に該液晶パネル１３０２を照明する。また
Ｒ光については、前述のようにＢ／Ｇ反射ダイクロイッ
クミラー１３４１の手前に配置されたＲ反射ダイクロイ
ックミラー１３４０によりＲ反射ダイクロイックミラー
１３４０にてｙ軸＋方向に反射されるが、図９（ｃ）
（側面図）に示したようにｙ軸に対して所定の角度（ｙ
−ｚ面内チルト）でｙ軸＋方向に進み、ＰＢＳ１３０３
を通じて偏光化された後、該液晶パネル１３０２をこの
ｙ軸に対する角度を入射角（ｙ−ｚ面方向）として照明
する。

【００５８】また、前述と同様にＲＧＢ各色光の液晶パ
ネル１３０２上の照明範囲を一致させるため、各色光の
主光線は液晶パネル１３０２上で交差するように、Ｂ／
Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１とＲ反射ダイクロ
イックミラー１３４０のシフト量およびチルト量が選択
されている。さらに、図１０（ａ）に示したようにＢ反
射ダイクロイックミラー１３４１のカット波長は４８０
ｎｍ、図１０（ｂ）に示したようにＢ／Ｇ反射ダイクロ
イックミラー１３４１のカット波長は５７０ｎｍ、図１
０（ｃ）に示したようにＲ反射ダイクロイックミラー１
３４０のカット波長は６００ｎｍであるから、不要な橙
色光はＢ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４１を透過
して捨てられる。これにより最適な色バランスを得るこ
とができる。

【００５９】そして後述するように液晶パネル１３０２
にて各ＲＧＢ光は反射＆偏光変調され、ＰＢＳ１３０３
に戻り、ＰＢＳ１３０３のＰＢＳ面１３０３ａにてｘ軸
＋方向に反射する光束が画像光となり、投影レンズ１３
０１を通じて、スクリーン（不図示）に拡大投影され
る。ところで、該液晶パネル１３０２を照明する各ＲＧ
Ｂ光は入射角が異なるため、そこから反射されてくる各
ＲＧＢ光もその出射角を異にしているが、投影レンズ１
３０１としてはこれらを全て取り込むに十分な大きさの
レンズ径及び開口のものを用いている。ただし、投影レ
ンズ１３０１に入射する光束の傾きは、各色光がマイク
ロレンズを２回通過することにより平行化され、液晶パ
ネル１３０２への入射光の傾きを維持している。ところ
が図１７に示したように従来例の透過型では、液晶パネ
ルを出射した光束はマイクロレンズの集光作用分も加わ
ってより大きく広がってしまうので、この光束を取り込
むための投影レンズはさらに大きな開口数が求められ、
高価なレンズとなっていた。

【００６０】しかし、本例では液晶パネル２からの光束
の広がりはこのように比較的小さくなるので、より小さ
な開口数の投影レンズでもスクリーン上で十分に明るい
投影画像を得ることができ、より安価な投影レンズを用
いることが可能になる。また、図２２に示す縦方向に同
一色が並ぶストライプタイプの表示方式の例を本実施形
態に用いることも可能であるが、後述するように、マイ
クロレンズを用いた液晶パネルの場合は好ましくない。

【００６１】次に、ここで用いる本発明液晶パネル１３
０２について説明する。図１２に該液晶パネル１３０２
の拡大断面模式図（図１１のｙ−ｚ面に対応）を示す。
図において、１３２１はマイクロレンズ基板、１３２２
はマイクロレンズ、１３２３はシートガラス、１３２４
は透明対向電極、１３２５は液晶層、１３２６は画素電
極、１３２７はアクティブマトリックス駆動回路部、１
３２８はシリコン半導体基板である。また、１２５２は
周辺シール部である。ここで、本実施形態では、Ｒ，
Ｇ，Ｂ画素が、１パネルに集約されており、１画素のサ
イズは小さくなる。従って、開口率を上げることの重要
性が大きく、集光された光の範囲には、反射電極が存在
していなければならず、第１〜第２の実施形態で説明し
た構成が重要となる。マイクロレンズ１３２２は、いわ
ゆるイオン交換法によりガラス基板（アルカリ系ガラ
ス）１３２１の表面上に形成されており、画素電極１３
２６のピッチの倍のピッチで２次元的アレイ構造を成し
ている。

【００６２】液晶層１３２５は反射型に適応したいわゆ
るＤＡＰ，ＨＡＮ等のＥＣＢモードのネマチック液晶を
採用しており、不図示の配向層により所定の配向が維持
されている。電圧値が低く、画素電極１３２６の電位の
精度はさらに重要になってくるため、本発明の回路、構
成は有効であり、単板で画素数も多く、従ってビデオ線
の本数も多いため、第１乃至第２の実施形態の側面から
の光入射に対して非常に有効となる。画素電極１３２６
はＡｌから成り、反射鏡を兼ねており、表面性を良くし
て反射率を向上させるため、パターニング後の最終工程
でいわゆるＣＭＰ処理を施している（詳しくは後述す
る）。

【００６３】アクティブマトリックス駆動回路部１３２
７はいわゆるシリコン半導体基板１３２８上に設けられ
た半導体回路であり、上記画素電極１３２６をアクティ
ブマトリックス駆動するものであり、該回路マトリック
スの周辺部には、不図示のゲート線ドライバー（垂直レ
ジスター等）や信号線ドライバー（水平レジスター等）
が設けられている（詳しくは後述する）。これらの周辺
ドライバーおよびアクティブマトリックス駆動回路はＲ
ＧＢの各原色映像信号を所定の各ＲＧＢ画素に書き込む
ように構成されており、該各画素電極１３２６はカラー
フィルターは有さないものの、前記アクティブマトリッ
クス駆動回路にて書き込まれる原色映像信号により各Ｒ
ＧＢ画素として区別され、後述する所定のＲＧＢ画素配
列を形成している。

【００６４】ここで、液晶パネル１３０２に対して照明
するＧ光について見てみると、前述したようにＧ光はＰ
ＢＳ１３０３により偏光化されたのち該液晶パネル１３
０２に対して垂直に入射する。この光線のうち１つのマ
イクロレンズ１３２２ａに入射する光線例を図中の矢印
Ｇ（ｉｎ／ｏｕｔ）に示す。ここに図示されたように該
Ｇ光線はマイクロレンズ１３２２により集光され、Ｇ画
素電極１３２６ｇ上を照明する。そしてＡｌより成る該
画素電極１３２６ｇにより反射され、再び同じマイクロ
レンズ１３２２ａを通じてパネル外に出射していく。こ
のように液晶層１３２５を往復通過する際、該Ｇ光線
（偏光）は画素電極１３２６ｇに印加される信号電圧に
より対向電極１３２４との間に形成される電界による液
晶の動作により変調を受けて、該液晶パネルを出射し、
ＰＢＳ１３０３に戻る。

【００６５】ここで、その変調度合いによりＰＢＳ面１
３０３ａにて反射され、投影レンズ１３０１に向かう光
量が変化し、各画素のいわゆる濃淡階調表示がなされる
ことになる。一方、上述したように図１２中断面（ｙ−
ｚ面）内の斜め方向から入射してくるＲ光については、
やはりＰＢＳ１３０３により偏光されたのち、例えばマ
イクロレンズ１３２２ｂに入射するＲ光線に注目する
と、図中の矢印Ｒ（ｉｎ）で示したように、該マイクロ
レンズ１３２２ｂにより集光され、その真下よりも左側
にシフトした位置にあるＲ画素電極１３２６ｒ上を照明
する。そして該画素電極１３２６ｒにより反射され、図
示したように今度は隣（−ｚ方向）のマイクロレンズ１
３２２ａを通じて、パネル外に出射していく（Ｒ（ｏｕ
ｔ））。

【００６６】この際、該Ｒ光線（偏光）はやはり画素電
極１３２６ｒに印加される信号電圧により対向電極１３
２４との間に形成される画像信号に応じた電界による液
晶の動作により変調を受けて、該液晶パネルを出射し、
ＰＢＳ１３０３に戻る。そして、その後のプロセスは前
述のＧ光の場合と全く同じように、画像光を投影レンズ
１３０１から投影される。ところで、図１２の描写では
画素電極１３２６ｇ上と画素電極１３２６ｒ上の各Ｇ光
とＲ光の色光が１部重なり干渉しているようになってい
るが、これは模式的に液晶層の厚さを拡大誇張して描い
ているためであり、実際には該液晶層の厚さは１〜５μ
であり、シートガラス１３２３の５０〜１００μに比べ
て非常に薄く、画素サイズに関係なくこのような干渉は
起こらない。

【００６７】次に、図１３に本例での色分解・色合成の
原理説明図を示す。ここで、図１３（ａ）は液晶パネル
１３０２の上面模式図、図１３（ｂ）、図１３（ｃ）は
それぞれ該液晶パネル上面模式図に対するＡ−Ａ′（ｘ
方向）断面模式図、Ｂ−Ｂ′（ｚ方向）断面模式図であ
る。ここで、マイクロレンズ１３２２は、図１３（ａ）
の一点鎖線に示すように、Ｇ光を中心として両隣接する
２色画素の半分ずつに対して１個が対応している。この
うち図１３（ｃ）はｙ−ｚ断面を表す上記図１２に対応
するものであり、各マイクロレンズ１３２２に入射する
Ｇ光とＲ光の入出射の様子を表している。これから判る
ように各Ｇ画素電極は各マイクロレンズの中心の真下に
配置され、各Ｒ画素電極は各マイクロレンズ間境界の真
下に配置されている。従ってＲ光の入射角はそのｔａｎ
θが画素ピッチ（Ｂ＆Ｒ画素）とマイクロレンズ・画素
電極間距離の比に等しくなるように設定するのが好まし
い。一方、図１３（ｂ）は該液晶パネル１３０２のｘ−
ｙ断面に対応するものである。このｘ−ｙ断面について
は、Ｂ画素電極とＧ画素電極とが図１３（ｃ）と同様に
交互に配置されており、やはり各Ｇ画素電極は各マイク
ロレンズ中心の真下に配置され、各Ｂ画素電極は各マイ
クロレンズ間境界の真下に配置されている。

【００６８】ところで該液晶パネルを照明するＢ光につ
いては、前述したようにＰＢＳ１３０３による偏光化
後、図９中断面（ｘ−ｙ面）の斜め方向から入射してく
るため、Ｒ光の場合と全く同様に、各マイクロレンズ１
３２２から入射したＢ光線は、図示したようにＢ画素電
極１３２６ｂにより反射され、入射したマイクロレンズ
１３２２に対して、ｘ方向に隣り合うマイクロレンズ１
３２２から出射する。Ｂ画素電極１３２６ｂ上の液晶に
よる変調や液晶パネルからのＢ出射光の投影について
は、前述のＧ光およびＲ光と同様である。

【００６９】また、各Ｂ画素電極１３２６ｂは各マイク
ロレンズ間境界の真下に配置されており、Ｂ光の液晶パ
ネルに対する入射角についても、Ｒ光と同様にそのｔａ
ｎθが画素ピッチ（Ｇ＆Ｂ画素）とマイクロレンズ・画
素電極間距離の比に等しくなるように設定するのが好ま
しい。ところで、本例液晶パネルでは以上述べたように
各ＲＧＢ画素の並びがｚ方向に対してはＲＧＲＧＲＧ…
の並びに、ｘ方向に対してはＢＧＢＧＢＧ…の並びとな
っているが、図１３（ａ）はその平面的な並びを示して
いる。このように各画素サイズは縦横共にマイクロレン
ズの約半分になっており、画素ピッチはｘ−ｚ両方向と
もにマイクロレンズのそれの半分になっている。また、
Ｇ画素は平面的にもマイクロレンズ中心の真下に位置
し、Ｒ画素はｚ方向のＧ画素間かつマイクロレンズ境界
に位置し、Ｂ画素はｘ方向のＧ画素間かつマイクロレン
ズ境界に位置している。また、１つのマイクロレンズ単
位の形状は矩形（画素の２倍サイズ）となっている。

【００７０】図１４に本液晶パネルの部分拡大上面図を
示す。ここで図中の破線格子１３２９は１つの絵素を構
成するＲＧＢ画素のまとまりを示している。つまり、図
１２のアクティブマトリックス駆動回路部１３２７によ
り各ＲＧＢ画素が駆動される際、破線格子１３２９で示
されるＲＧＢ画素ユニットは同一画素位置に対応したＲ
ＧＢ映像信号にて駆動される。ここでＲ画素電極１３２
６ｒ、Ｇ画素電極１３２６ｇ、Ｂ画素電極１３２６ｂか
ら成る１つの絵素に注目してみると、まずＲ画素電極１
３２６ｒは矢印ｒ１で示されるようにマイクロレンズ１
３２２ｂから前述したように斜めに入射するＲ光で照明
され、そのＲ反射光は矢印ｒ−２で示すようにマイクロ
レンズ１３２２ａを通じて出射する。Ｂ画素電極１３２
６ｂは矢印ｂ１で示されるようにマイクロレンズ１３２
２ｃから前述したように斜めに入射するＢ光で照明さ
れ、そのＢ反射光は矢印ｂ２で示すようにやはりマイク
ロレンズ１３２２ａを通じて出射する。またＧ画素電極
１３２６ｇは正面後面矢印ｇ１２で示されるように、マ
イクロレンズ１３２２ａから前述したように垂直（紙面
奥へ向かう方向）に入射するＧ光で照明され、そのＧ反
射光は同じマイクロレンズ１３２２ａを通じて垂直に
（紙面手前に出てくる方向）出射する。

【００７１】このように、本液晶パネルにおいては、１
つの絵素を構成するＲＧＢ画素ユニットについて、各原
色照明光の入射照明位置は異なるものの、それらの出射
については、同じマイクロレンズ（この場合は１３２２
ａ）から行われる。そしてこのことはその他の全ての絵
素（ＲＧＢ画素ユニット）についても成り立っている。

【００７２】従って、図１５に示すように本液晶パネル
からの全出射光をＰＢＳ１３０３および投影レンズ１３
０１を通じて、スクリーン１３０９に投写するに際し
て、液晶パネル１３０２内のマイクロレンズ１３２２の
位置がスクリーン１３０９上に結像投影されるように光
学調整すると、その投影画像は図２１に示すようなマイ
クロレンズの格子内に各絵素を構成する該ＲＧＢ画素ユ
ニットからの出射光が混色した状態つまり同画素混色し
た状態の絵素を構成単位としたものとなる。そして、前
述した図２２による従来例のようないわゆるＲＧＢモザ
イクが無い、質感の高い良好なカラー画像表示が可能と
なる。

【００７３】つぎに、図１２に示すように、アクティブ
マトリックス駆動回路部１３２７は各画素電極１３２６
の下に存在するため、図１２の回路断面図上では絵素を
構成する各ＲＧＢ画素は単純に横並びに描かれている
が、各画素ＦＥＴのドレインは、図１４に示したような
２次元的配列の各ＲＧＢ画素電極１３２６に接続してい
る。

【００７４】ところで、本投写型液晶表示装置の駆動回
路系についてその全体ブロック図を図１６に示す。ここ
で、１３１０はパネルドライバーであり、ＲＧＢ映像信
号を極性反転し、かつ所定の電圧増幅をした液晶駆動信
号を形成するとともに、対向電極１３２４の駆動信号、
各種タイミング信号等を形成している。１３１２はイン
ターフェースであり、各種映像及び制御伝送信号を標準
映像信号等にデコードしている。

【００７５】また、１３１１はデコーダーであり、イン
ターフェース１３１２からの標準映像信号をＲＧＢ原色
映像信号及び同期信号に、即ち液晶パネル１３０２に対
応した画像信号にデコード・変換している。１３１４は
バラストである点灯回路であり、楕円リフレクター１３
０７内のアークランプ１３０８を駆動点灯する。１３１
５は電源回路であり、各回路ブロックに対して電源を供
給している。１３１３は不図示の操作部を内在したコン
トローラーであり、上記各回路ブロックを総合的にコン
トロールするものである。このように本投写型液晶表示
装置は、その駆動回路系は単板式プロジェクターとして
は、ごく一般的なものであり、特に駆動回路系に負担を
掛けることなく、前述したようなＲＧＢモザイクの無い
良好な質感のカラー画像を表示することができるもので
ある。

【００７６】ところで図１８に本実施形態における液晶
パネルの別形態の部分拡大上面図を示す。ここではマイ
クロレンズ１３２２の中心真下位置にＢ画素電極１３２
６ｂを配列し、それに対し左右方向にＧ画素１３２６ｇ
が交互に並ぶように、上下方向にＲ画素１３２６ｒが交
互に並ぶように配列している。このように配列しても、
絵素を構成するＲＧＢ画素ユニットからの反射光が１つ
の共通マイクロレンズから出射するように、Ｂ光を垂直
入射、Ｒ／Ｇ光を斜め入射（同角度異方向）とすること
により、前例と全く同様な効果を得ることができる。ま
た、さらにマイクロレンズ１３２２の中心真下位置にＲ
画素を配列しその他の色画素を左右または上下方向にＲ
画素に対してＧ，Ｂ画素を交互に並ぶようにしても良
い。

【００７７】（第５の実施形態）図１９に本発明に係わ
る液晶パネルの第５の実施形態を示す。同図は本液晶パ
ネル１３２０の部分拡大断面図である。前記第４の実施
形態との相違点を述べると、まず対向ガラス基板として
シートガラス１３２３を用いており、マイクロレンズ１
２２０については、シートガラス１３２３上に熱可塑性
樹脂を用いたいわゆるリフロー法により形成している。
さらに、非画素部にスペーサー柱１２５１を感光性樹脂
のフォトリソグラフィーにて形成している。

【００７８】該液晶パネル１３２０の部分上面図を図２
０（ａ）に示す。この図から判るようにスペーサー柱１
２５１は所定の画素のピッチでマイクロレンズ１２２０
の角隅部の非画素領域に形成されている。このスペーサ
ー柱１２５１を通るＡ−Ａ′断面図を図２０（ｂ）に示
す。このスペーサー柱１２５１の形成密度については１
０〜１００画素ピッチでマトリックス状に設けるのが好
ましく、シートガラス１３２３の平面性と液晶の注入性
というスペーサー柱数に対して相反するパラメーターを
共に満足するように設定する必要がある。また本実施形
態では金属膜パターンによる遮光層１２２１を設けてお
り、各マイクロレンズ境界部分からの漏れ光の進入を防
止している。これにより、このような漏れ光による投影
画像の彩度低下（各原色画像光の混色による）やコント
ラスト低下が防止される。従って本液晶パネル１３２０
を用いて、本実施形態の如き液晶パネルを備えた投写型
表示装置を構成することにより、さらにメリハリのある
良好な画質が得られるようになる。

【００７９】上記第３乃至第５の実施形態で液晶パネル
や投写型表示装置について説明したが、第１乃至第２の
実施形態で示した液晶画素基板の側面に遮光樹脂層を設
けたことによって、チップの周辺にての光漏れを防止す
るとともに、正確な画像、高品位な画像を得ることがで
きる。

【００８０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
周辺駆動回路での光キャリヤの発生を抑えることがで
き、回路の誤動作や信号電位の変動による表示品位の低
下を防止することが出来る。

【００８１】更に、遮光カバーの部材が必要なくなり、
かつホルダーの形状も簡単になる為、コストダウンが出
来た。

【００８２】遮光部材が外部からの水分当の不純物の侵
入を防止でき、品質を維持することが可能となった。

【００８３】さらに、本発明に関わる投写型液晶表示装
置においては、マイクロレンズ付反射型液晶パネルとそ
れぞれ異なる方向から各原色光を照明する光学系等を用
いて、１つの絵素を構成する１組のＲＧＢ画素からの液
晶による変調後の反射光が同一のマイクロレンズを通じ
て出射するようにしたことにより、ＲＧＢモザイクの無
い質感の高い良好なカラー画像投写表示が可能となる。

【００８４】また、各画素からの光束はマイクロレンズ
を２回通過してほぼ並行化されるので、開口数の小さい
安価な投影レンズを用いてもスクリーン上で明るい投影
画像を得ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による一実施形態の説明図である。

【図２】本発明による一実施形態の説明図である。

【図３】本発明による一実施形態の説明図である。

【図４】本発明による一実施形態の説明図である。

【図５】従来例の液晶表示用基板の説明図である。

【図６】従来例の液晶表示用基板の光入射による効果の
説明図である。

【図７】本発明による液晶装置を用いた液晶プロジェク
ターの概念図である。

【図８】本発明による液晶プロジェクターの内部を示す
回路ブロック図である。

【図９】本発明による投写型液晶表示装置の光学系の実
施形態を示す全体構成図である。

【図１０】本発明による投写型液晶表示装置の光学系に
用いたダイクロイックミラーの分光反射特性図である。

【図１１】本発明による投写型液晶表示装置の光学系の
色分解照明部の斜視図である。

【図１２】本発明による液晶パネルの一実施形態の断面
図である。

【図１３】本発明による液晶パネルの色分解・色合成の
原理説明図である。

【図１４】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
拡大上面図である。

【図１５】本発明による投写型液晶表示装置の投影光学
系を示す部分構成図である。

【図１６】本発明による投写型液晶表示装置の駆動回路
系を示すブロック図である。

【図１７】本発明による投写型液晶表示装置のスクリー
ン上投影像の部分拡大図である。

【図１８】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
拡大上面図である。

【図１９】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
拡大上面図である。

【図２０】本発明による一実施形態の液晶パネルの部分
拡大上面図と断面図である。

【図２１】液晶装置の液晶パネルの光束進行方向を示す
概念図である。

【図２２】液晶装置の液晶パネルのカラー画素構成図で
ある。

【符号の説明】

２０対向基板２１アクティブマトリクス基板２４液晶２５シール３１ホルダー３２接着層３３引出線３４遮蔽樹脂３５ワイヤボンディング２０１半導体基板１２２０マイクロレンズ（リフロー熱ダレ式）１２５１スペーサー柱１２５２周辺シール部１３０１投影レンズ１３０２マイクロレンズ付液晶パネル１３０３偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）１３０６ロッド型インテグレータ１３０７楕円リフレクター１３０８アークランプ１３０９スクリーン１３１０パネルドライバー１３１１デコーダー１３１２インターフェース回路１３１４バラスト（アークランプ点灯回路）１３２０マイクロレンズ付液晶パネル１３２１マイクロレンズガラス基板１３２２マイクロレンズ（インデックス分布式）１３２３シートガラス１３２４対向透明電極１３２５液晶１３２６画素電極１３２７アクティブマトリックス駆動回路部１３２８シリコン半導体基板１３２９基本絵素単位１３４０Ｒ反射ダイクロイックミラー１３４１Ｂ／Ｇ反射ダイクロイックミラー１３４２Ｂ反射ダイクロイックミラー１３４３高反射ミラー１３５０フレネルレンズ（第２コンデンサーレンズ）１３５１第１コンデンサーレンズ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板間に液晶層を挟んだ液晶表示
素子が、ホルダー等に接着保持されている液晶表示装置
において、少なくとも画素スイッチと駆動回路が形成さ
れている基板の外周端面（側面）が遮光部材で覆われて
いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】請求項１に記載の液晶表示装置におい
て、前記遮光部材が遮光効果を持つ樹脂から成ることを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】請求項１に記載の液晶表示装置におい
て、前記一対の基板における一方の基板がアクティブマ
トリクス基板から成ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】請求項１に記載の液晶表示装置におい
て、前記遮光部材がワイヤーボンディング部の保護層も
兼ねている事を特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】請求項１に記載の液晶表示装置におい
て、前記液晶表示素子が反射型である事を特徴とする液
晶表示装置。
【請求項６】請求項３に記載の液晶表示装置におい
て、前記アクティブマトリクス基板が単結晶シリコン基
板から成る事を特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】請求項１乃至６に記載の液晶表示装置に
おいて、前記一対の基板中の一基板にはマイクロレンズを形成
し、該マイクロレンズの１レンズが前記一対の基板中の
他の基板に形成された画素電極の３つに対応して設けら
れ、液晶表示素子は、半導体基板と、アクティブマトリ
クス駆動回路部と、液晶を駆動する画素電極と、液晶層
と、対向透明電極と、シートガラスとを順次積層した構
造を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】請求項７に記載の液晶表示装置におい
て、更に前記シートガラス上に形成したマイクロレンズ
を構成し、前記マイクロレンズの１素子は、前記画素電
極の３つに対して一つ有することを特徴とする液晶表示
装置。
【請求項９】請求項８に記載の液晶表示装置におい
て、前記マイクロレンズは前記シートガラス上のマイク
ロレンズガラス基板に形成したことを特徴とする液晶表
示装置。
【請求項１０】請求項１乃至９に記載の液晶表示装置
を用いて、光学系を備えたことを特徴とする液晶プロジ
ェクター。
【請求項１１】請求項１１に記載の液晶プロジェクタ
ーにおいて、前記液晶層を含む前記液晶パネルを３色カ
ラー用に少なくとも１個有し、高反射ミラーと、青色反
射ダイクロイックミラーとで青色光を分離し、更に赤色
反射ダイクロイックミラーと、緑色／青色反射ダイクロ
イックミラーで赤色と緑色とを分離して、各液晶パネル
を投射することを特徴とする液晶プロジェクター。