JPH11133100A - 半導体デバイス試験装置および方法 - Google Patents

半導体デバイス試験装置および方法

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JPH11133100A
JPH11133100A JP9294616A JP29461697A JPH11133100A JP H11133100 A JPH11133100 A JP H11133100A JP 9294616 A JP9294616 A JP 9294616A JP 29461697 A JP29461697 A JP 29461697A JP H11133100 A JPH11133100 A JP H11133100A
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JP
Japan
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power supply
semiconductor device
voltage
supply line
electrolytic capacitor
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Application number
JP9294616A
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English (en)
Inventor
Takahiro Nagata
孝弘 永田
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 構成を簡易にすることができる半導体デバイ
ス試験装置および方法を得ること。 【解決手段】 本発明は、入力端子1aを有する被測定
デバイス1と、電源ライン3を介して被測定デバイス1
の入力端子1aへ直流電圧を供給する電源回路2と、電
源ライン3とGND(接地)との間に介挿された高周波
用コンデンサ4と、低周波用電解コンデンサ5を介して
電源ライン3へGNDレベルの電源電圧を供給する電源
回路7とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
試験に用いられる半導体デバイス試験装置および方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の半導体デバイス試験装置
の構成を示す回路図である。この図において、1は、半
導体デバイス等の被測定デバイスであり、入力端子1a
を有している。2は、電源ライン3を介して被測定デバ
イス1の入力端子1aへ直流電圧を供給する電源回路で
ある。4は、電源ライン3とGND(接地)との間に介
挿された高周波用コンデンサであり、電源ライン3にお
ける高周波ノイズを除去する。5は、スイッチ6を介し
て電源ライン3とGNDとの間に介挿された低周波用電
解コンデンサであり、電源ライン3における電圧変動を
抑制する。
【0003】次に、上述した従来の半導体デバイス試験
装置を用いた試験手順を図4に示すフローチャートを参
照して説明する。まず、被測定デバイス1の電源電流を
測定する場合、図4に示すステップSA1では、スイッ
チ6がオフとされた後、ステップSA2では、電源回路
2の電源電圧(直流電圧)が設定される。ここで、スイ
ッチ6をオフにする理由は、低周波用電解コンデンサ5
を電源ライン3に接続するとリーク電流が流れるため、
このリーク電流が測定精度に影響を与えることを防止す
るためである。
【0004】次に、ステップSA3において、電源回路
2から電源ライン3に直流電圧が印加されると、電源回
路2からは、電源ライン3を介して電源電流(負荷電
流)が被測定デバイス1の入力端子1aへ出力される。
このとき、電源回路2においては、上記電源電流(負荷
電流)の測定が行われる。
【0005】一方、被測定デバイス1に対して交流試験
を行う場合には、スイッチ6がオンとされる。これによ
り、電源ライン3には、高周波用コンデンサ4および低
周波用電解コンデンサ5が共に接続される。この状態に
おいて、交流試験が行われると、高周波成分が高周波用
コンデンサ4により除去されるとともに、低周波用電解
コンデンサ5により電源電圧のレベル変動が抑制され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体デバイス試験装置においては、スイッチ6と、該スイ
ッチ6を駆動するための電源、駆動回路とが別途必要と
なるため、回路規模が大きくなり、ひいては構成が複雑
となるという欠点があった。本発明はこのような背景の
下になされたもので、構成を簡易にすることができる半
導体デバイス試験装置および方法を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、半導体デバイスへ電源ラインを介して直流電圧を印
加する第1の電源と、前記第1の電源から出力される電
源電流を測定する第1の測定手段と、接地レベルの直流
電圧を出力する第2の電源と、前記電源ラインと前記第
2の電源との間に介挿され、前記電源ラインの電圧変動
を抑制する低周波用電解コンデンサと、前記低周波用電
解コンデンサを流れるリーク電流を測定する第2の測定
手段と、前記第1の測定手段の測定結果と前記第2の測
定手段の測定結果との差を、前記半導体デバイスへ入力
される実電源電流として求める演算手段とを具備するこ
とを特徴とする。また、請求項2に記載の発明は、半導
体デバイスへ電源ラインを介して直流電圧を印加する第
1の過程と、前記第1の電源から出力される電源電流を
測定する第2の過程と、前記電源ラインと前記第2の電
源との間に介挿され、前記電源ラインの電圧変動を抑制
する低周波用電解コンデンサに、接地レベルの直流電圧
を印加する第3の過程と、前記低周波用電解コンデンサ
を流れるリーク電流を測定する第4の過程と、前記第1
の測定手段の測定結果と前記第2の測定手段の測定結果
との差を、前記半導体デバイスへ入力される実電源電流
として求める第5の過程とからなることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図1は本発明の第一実施形態
による半導体デバイス試験装置の構成を示すブロック図
である。この図において、図3の各部に対応する部分に
は同一の符号を付けその説明を省略する。図1において
は、図3に示すスイッチ6に代えて電源回路7が設けら
れている。
【0009】図1に示す電源回路7は、電源回路2に併
設されており、低周波用電解コンデンサ5を介して電源
ライン3へ電源電圧を供給する。すなわち、低周波用電
解コンデンサ5は、電源回路7と電源ライン3との間に
介挿されている。
【0010】次に、上述した一実施形態による半導体デ
バイス試験装置を用いた試験手順を図2に示すフローチ
ャートを参照して説明する。まず、被測定デバイス1の
電源電流を測定する場合、図2に示すステップSB1で
は、被測定デバイス1の入力端子1aへ印加すべき、電
源回路2の電源電圧(直流電圧)が設定される。
【0011】次いで、ステップSB2では、電源回路7
の電源電圧がGNDレベルに設定される。この状態にお
いて、電源回路2から電源ライン3を介して入力端子1
aへ電源電圧(直流電圧)が印加されると、電源回路2
からは、電源ライン3を介して電源電流(負荷電流)が
入力端子1aへ入力される。このとき、上記電源電流
(負荷電流)の一部は、低周波用電解コンデンサ5を介
して電源回路7へリーク電流として流れる。
【0012】そして、ステップSB3では、電源回路2
において、電源ライン3を流れる電源電流(負荷電流)
の測定が行われた後、ステップSB4では、電源回路7
において、低周波用電解コンデンサ5を流れるリーク電
流の測定が行われる。そして、ステップSB5では、図
示しない演算部は、ステップSB3における電源回路2
の測定結果(電源電流)と、ステップSB4における電
源回路7の測定結果(リーク電流)との差を求め、該差
を被測定デバイス1の入力端子1aに入力された実電源
電流(実負荷電流)として求める。
【0013】以上説明したように、本発明の一実施形態
による半導体デバイス試験装置によれば、スイッチ6を
設けることなく被測定デバイス1における実電源電流
(実負荷電流)の測定をリーク電流に影響されることな
く高精度で行うことができる。従って、上述した一実施
形態による半導体デバイス試験装置によれば、スイッチ
6が不要であるため、構成を簡易にすることができる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来のようにスイッチが不要であるため、構成を簡易に
することができる。また、本発明によれば、スイッチを
用いることなく、測定結果としてリーク電流分が除去さ
れた実電源電流を求めることができるので、高精度の測
定をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態による半導体デバイス試
験装置の構成を示す回路図である。
【図2】 同一実施形態による半導体デバイス試験装置
を用いた試験手順を示すフローチャートである。
【図3】 従来の半導体デバイス試験装置の構成を示す
回路図である。
【図4】 従来の半導体デバイス試験装置を用いた試験
手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1 被測定デバイス 1a 入力端子 2 電源回路 3 電源ライン 4 高周波用コンデンサ 5 低周波用電解コンデンサ 7 電源回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体デバイスへ電源ラインを介して直
    流電圧を印加する第1の電源と、 前記第1の電源から出力される電源電流を測定する第1
    の測定手段と、 接地レベルの直流電圧を出力する第2の電源と、 前記電源ラインと前記第2の電源との間に介挿され、前
    記電源ラインの電圧変動を抑制する低周波用電解コンデ
    ンサと、 前記低周波用電解コンデンサを流れるリーク電流を測定
    する第2の測定手段と、 前記第1の測定手段の測定結果と前記第2の測定手段の
    測定結果との差を、前記半導体デバイスへ入力される実
    電源電流として求める演算手段とを具備することを特徴
    とする半導体デバイス試験装置。
  2. 【請求項2】 半導体デバイスへ電源ラインを介して直
    流電圧を印加する第1の過程と、 前記第1の電源から出力される電源電流を測定する第2
    の過程と、 前記電源ラインと前記第2の電源との間に介挿され、前
    記電源ラインの電圧変動を抑制する低周波用電解コンデ
    ンサに、接地レベルの直流電圧を印加する第3の過程
    と、 前記低周波用電解コンデンサを流れるリーク電流を測定
    する第4の過程と、 前記第1の測定手段の測定結果と前記第2の測定手段の
    測定結果との差を、前記半導体デバイスへ入力される実
    電源電流として求める第5の過程とからなることを特徴
    とする半導体デバイス試験方法。
JP9294616A 1997-10-27 1997-10-27 半導体デバイス試験装置および方法 Pending JPH11133100A (ja)

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