JPH11131286A - めっき方法 - Google Patents
めっき方法Info
- Publication number
- JPH11131286A JPH11131286A JP30147497A JP30147497A JPH11131286A JP H11131286 A JPH11131286 A JP H11131286A JP 30147497 A JP30147497 A JP 30147497A JP 30147497 A JP30147497 A JP 30147497A JP H11131286 A JPH11131286 A JP H11131286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- gas
- plating method
- solderability
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 はんだの濡れ性やはんだ付け性が良好なめっ
き表面を形成するめっき方法を提供する。 【解決手段】 フープ状銅板をめっき装置に送り出し
（101)、Ｎｉめっき工程を実施する（102)。次に、Ａｇ
めっき工程を実施し（103)、その後、マスキングしたテ
ープ材を除去して（104)、イオン交換水洗浄を施す（10
5)。最後に、還元性雰囲気で熱風乾燥させ（106)、出来
上がったリードフレーム材を巻き取って回収する（10
7)。
き表面を形成するめっき方法を提供する。 【解決手段】 フープ状銅板をめっき装置に送り出し
（101)、Ｎｉめっき工程を実施する（102)。次に、Ａｇ
めっき工程を実施し（103)、その後、マスキングしたテ
ープ材を除去して（104)、イオン交換水洗浄を施す（10
5)。最後に、還元性雰囲気で熱風乾燥させ（106)、出来
上がったリードフレーム材を巻き取って回収する（10
7)。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき方法に関
し、特に、はんだ濡れ性、はんだ付け性が重要視される
リードフレーム等のフープ状金属板に連続してストライ
プめっきを施すめっき方法に関する。
し、特に、はんだ濡れ性、はんだ付け性が重要視される
リードフレーム等のフープ状金属板に連続してストライ
プめっきを施すめっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、トランジスタ用のリードフレ
ームは、フープ状金属板にニッケル（Ｎｉ）、リン−ニ
ッケル（Ｐ−Ｎｉ）、銀（Ａｇ）等を連続してストライ
プ状にめっきし、その後スタンピングして製造してい
る。
ームは、フープ状金属板にニッケル（Ｎｉ）、リン−ニ
ッケル（Ｐ−Ｎｉ）、銀（Ａｇ）等を連続してストライ
プ状にめっきし、その後スタンピングして製造してい
る。
【０００３】このようにして製造されたトランジスタ用
リードフレームに、半導体チップを搭載して、ワイヤボ
ンディング、モールド等を行って、トランジスタを製造
し、このトランジスタをプリント基板に実装している。
リードフレームに、半導体チップを搭載して、ワイヤボ
ンディング、モールド等を行って、トランジスタを製造
し、このトランジスタをプリント基板に実装している。
【０００４】上述の半導体チップの搭載およびプリント
基板への実装においては、トランジスタ用のリードフレ
ームと、半導体チップおよびプリント基板との接続は、
半田付けによって行っており、良好なはんだの濡れ性や
はんだ付け性が要求される。
基板への実装においては、トランジスタ用のリードフレ
ームと、半導体チップおよびプリント基板との接続は、
半田付けによって行っており、良好なはんだの濡れ性や
はんだ付け性が要求される。
【０００５】図２は、従来のフープ状金属板へのめっき
方法を示す。先ず、厚さ０．５ｍｍで幅４９．２ｍｍの
フープ状銅板の金属材料をめっき工程に送り出す（20
1)。次に、送り出されたフープ状銅板に、ニッケル（Ｎ
ｉ）めっき工程を実施する（202)。Ｎｉめっき工程（20
2)では、送り出されたフープ状銅板をアルカリ水溶液で
電解脱脂し、回収して水で洗浄した後、酸で洗浄し、更
に回収して水で洗浄し、厚さ２μｍで幅２０ｍｍのＮｉ
めっきを施して、再び回収して水で洗浄している。
方法を示す。先ず、厚さ０．５ｍｍで幅４９．２ｍｍの
フープ状銅板の金属材料をめっき工程に送り出す（20
1)。次に、送り出されたフープ状銅板に、ニッケル（Ｎ
ｉ）めっき工程を実施する（202)。Ｎｉめっき工程（20
2)では、送り出されたフープ状銅板をアルカリ水溶液で
電解脱脂し、回収して水で洗浄した後、酸で洗浄し、更
に回収して水で洗浄し、厚さ２μｍで幅２０ｍｍのＮｉ
めっきを施して、再び回収して水で洗浄している。
【０００６】このＮｉめっきの施されたフープ状銅板
に、銀（Ａｇ）めっき工程を実施する（203)。Ａｇめっ
き工程（203)では、テープ材でフープ状銅板の所定の部
分をマスキングし、シアンで洗浄した後、Ａｇの下地め
っきを施し、更にＡｇめっきを施して、最後に回収して
水で洗浄している。
に、銀（Ａｇ）めっき工程を実施する（203)。Ａｇめっ
き工程（203)では、テープ材でフープ状銅板の所定の部
分をマスキングし、シアンで洗浄した後、Ａｇの下地め
っきを施し、更にＡｇめっきを施して、最後に回収して
水で洗浄している。
【０００７】Ａｇめっき工程後、マスキングしたテープ
材を除去して（204)、イオン交換水洗浄を施す（205)。
最後に、空気または窒素ガスをヒータで約１００℃に加
熱し、その熱風で乾燥させ（206)、出来上がったリード
フレーム材を巻き取って回収している（207)。
材を除去して（204)、イオン交換水洗浄を施す（205)。
最後に、空気または窒素ガスをヒータで約１００℃に加
熱し、その熱風で乾燥させ（206)、出来上がったリード
フレーム材を巻き取って回収している（207)。
【０００８】このリードフレーム材は、上述したよう
に、半導体チップやプリント基板と、はんだ付けによっ
て接続されるため、めっき部分に良好なはんだの濡れ性
やはんだ付け性が要求されている。このため、めっき工
程（202 、203)後の乾燥では、上述のように、空気（外
気）や窒素ガスをヒータなどで約１００℃に加熱した熱
風を吹き付けて、めっき表面から洗浄水を除去してい
る。また、これらの熱風の代わりに、空気を圧縮して高
圧にして吹き付け、洗浄水を除去する場合もある。
に、半導体チップやプリント基板と、はんだ付けによっ
て接続されるため、めっき部分に良好なはんだの濡れ性
やはんだ付け性が要求されている。このため、めっき工
程（202 、203)後の乾燥では、上述のように、空気（外
気）や窒素ガスをヒータなどで約１００℃に加熱した熱
風を吹き付けて、めっき表面から洗浄水を除去してい
る。また、これらの熱風の代わりに、空気を圧縮して高
圧にして吹き付け、洗浄水を除去する場合もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
めっき方法によれば、めっき後の洗浄水の除去を酸素を
含む空気をヒータで加熱または高圧にして吹き付けて行
っているため、めっき表面が酸化してはんだの濡れ性や
はんだ付け性が悪くなるという問題があった。
めっき方法によれば、めっき後の洗浄水の除去を酸素を
含む空気をヒータで加熱または高圧にして吹き付けて行
っているため、めっき表面が酸化してはんだの濡れ性や
はんだ付け性が悪くなるという問題があった。
【００１０】また、窒素ガスを加熱して吹き付ける場
合、窒素ガスは空気から製造するため、窒素ガスから酸
素を完全に除去することが出来ず、この含有酸素でめっ
き表面が酸化してはんだの濡れ性やはんだ付け性が悪く
なるという問題が生じていた。
合、窒素ガスは空気から製造するため、窒素ガスから酸
素を完全に除去することが出来ず、この含有酸素でめっ
き表面が酸化してはんだの濡れ性やはんだ付け性が悪く
なるという問題が生じていた。
【００１１】従って、本願発明の目的は、はんだの濡れ
性やはんだ付け性が良好なめっき表面を形成するめっき
方法を提供することである。
性やはんだ付け性が良好なめっき表面を形成するめっき
方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上に述べた
目的を実現するため、はんだ濡れ性、はんだ付け性が重
要視されるリードフレーム等の金属材へめっきを施し、
水洗浄後、気体でめっき表面を乾燥するめっき方法にお
いて、気体は、還元性気体であることを特徴とするめっ
き方法を提供する。
目的を実現するため、はんだ濡れ性、はんだ付け性が重
要視されるリードフレーム等の金属材へめっきを施し、
水洗浄後、気体でめっき表面を乾燥するめっき方法にお
いて、気体は、還元性気体であることを特徴とするめっ
き方法を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のフープ状金属板
へのめっき方法を示す。先ず、厚さ０．５ｍｍで幅４
９．２ｍｍのフープ状銅板の金属材料をめっき工程に送
り出す（101)。この送り出されたフープ状銅板にニッケ
ル（Ｎｉ）めっき工程を実施する（102)。このＮｉめっ
き工程（102)では、送り出されたフープ状銅板をアルカ
リ水溶液で電解脱脂し、回収して水で洗浄した後、酸で
洗浄し、更に回収して水で洗浄し、厚さ２μｍで幅２０
ｍｍのＮｉめっきを施して、再び回収して水で洗浄して
いる。
へのめっき方法を示す。先ず、厚さ０．５ｍｍで幅４
９．２ｍｍのフープ状銅板の金属材料をめっき工程に送
り出す（101)。この送り出されたフープ状銅板にニッケ
ル（Ｎｉ）めっき工程を実施する（102)。このＮｉめっ
き工程（102)では、送り出されたフープ状銅板をアルカ
リ水溶液で電解脱脂し、回収して水で洗浄した後、酸で
洗浄し、更に回収して水で洗浄し、厚さ２μｍで幅２０
ｍｍのＮｉめっきを施して、再び回収して水で洗浄して
いる。
【００１４】次に、このＮｉめっきが施されたフープ状
銅板に、銀（Ａｇ）めっき工程を実施する（103)。この
Ａｇめっき工程（103)では、テープ材でフープ状銅板の
所定の部分をマスキングし、シアンで洗浄した後、Ａｇ
の下地めっきを施し、更にＡｇめっきを施して、最後に
回収して水で洗浄している。
銅板に、銀（Ａｇ）めっき工程を実施する（103)。この
Ａｇめっき工程（103)では、テープ材でフープ状銅板の
所定の部分をマスキングし、シアンで洗浄した後、Ａｇ
の下地めっきを施し、更にＡｇめっきを施して、最後に
回収して水で洗浄している。
【００１５】このＡｇめっき工程後、マスキングしたテ
ープ材を除去して（104)、イオン交換水洗浄を施す（10
5)。最後に、還元性雰囲気である約１００℃で水素ガス
量１ｍ３／ｈｒの水素ガス雰囲気で、めっき表面を熱風
乾燥させ（106)、出来上がったリードフレーム材を巻き
取って回収している（107)。
ープ材を除去して（104)、イオン交換水洗浄を施す（10
5)。最後に、還元性雰囲気である約１００℃で水素ガス
量１ｍ３／ｈｒの水素ガス雰囲気で、めっき表面を熱風
乾燥させ（106)、出来上がったリードフレーム材を巻き
取って回収している（107)。
【００１６】以上、本発明のめっき方法を示したが、還
元性雰囲気である水素ガス雰囲気の代わりに、水素と炭
酸（ＣＯ2 ）を混合した還元性炭酸ガス、水素とアルゴ
ンの混合ガス、水素と窒素の混合ガスを用いてもよい。
元性雰囲気である水素ガス雰囲気の代わりに、水素と炭
酸（ＣＯ2 ）を混合した還元性炭酸ガス、水素とアルゴ
ンの混合ガス、水素と窒素の混合ガスを用いてもよい。
【００１７】表１に、熱風乾燥用の気体を、従来の空気
や窒素ガスにした場合と、本発明に示したように還元性
雰囲気である水素ガス、水素と炭酸を混合した還元性炭
酸ガス、水素とアルゴンの混合ガス、水素と窒素の混合
ガスにした場合を示す。
や窒素ガスにした場合と、本発明に示したように還元性
雰囲気である水素ガス、水素と炭酸を混合した還元性炭
酸ガス、水素とアルゴンの混合ガス、水素と窒素の混合
ガスにした場合を示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１から判るように、めっき処理後の洗浄
水の除去を、空気や窒素ガスに代えて水素ガスなどの還
元性雰囲気で行うことによって、製造されるリードフレ
ーム材のはんだ濡れ性やはんだ付け性が向上した。
水の除去を、空気や窒素ガスに代えて水素ガスなどの還
元性雰囲気で行うことによって、製造されるリードフレ
ーム材のはんだ濡れ性やはんだ付け性が向上した。
【００２０】
【発明の効果】上述のように、本発明のめっき方法によ
れば、めっき処理後の洗浄水の除去を還元性雰囲気で行
うこととしたため、製造するリードフレーム材のはんだ
濡れ性やはんだ付け性を向上し、はんだ不良を防止し、
製品歩留まりを向上することができるようになった。
れば、めっき処理後の洗浄水の除去を還元性雰囲気で行
うこととしたため、製造するリードフレーム材のはんだ
濡れ性やはんだ付け性を向上し、はんだ不良を防止し、
製品歩留まりを向上することができるようになった。
【図１】本発明のめっき方法を示す図である。
【図２】従来のめっき方法を示す図である。
Claims (5)
- 【請求項１】はんだ濡れ性、はんだ付け性が重要視され
るリードフレーム等の金属材へめっきを施し、水洗浄
後、気体でめっき表面を乾燥するめっき方法において、 前記気体は、還元性気体であることを特徴とするめっき
方法。 - 【請求項２】前記還元性気体は、水素ガスであることを
特徴とする請求項１記載のめっき方法。 - 【請求項３】前記還元性気体は、水素ガスと炭酸ガスの
混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のめっき
方法。 - 【請求項４】前記還元性気体は、水素ガスとアルゴンガ
スの混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のめ
っき方法。 - 【請求項５】前記還元性気体は、水素ガスと窒素ガスの
混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のめっき
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30147497A JPH11131286A (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30147497A JPH11131286A (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11131286A true JPH11131286A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=17897342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30147497A Pending JPH11131286A (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11131286A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101403891B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2014-06-11 | 한국생산기술연구원 | 니켈-철 합금층과, 그의 전주 장치 및 전주 방법과, 그의제조 장치 및 방법 |
| JP2019014950A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | メテック株式会社 | めっき処理システム及びめっき処理方法 |
-
1997
- 1997-11-04 JP JP30147497A patent/JPH11131286A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101403891B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2014-06-11 | 한국생산기술연구원 | 니켈-철 합금층과, 그의 전주 장치 및 전주 방법과, 그의제조 장치 및 방법 |
| JP2019014950A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | メテック株式会社 | めっき処理システム及びめっき処理方法 |
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