JPH11126808A - ウェハ一括型プローブカードならびに半導体装置およびその検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハ一括型バーンイン検査等のウェハ一括
型検査に際して、各チップに入力する信号に異常が生じ
た場合、それを電気的に検知することができる半導体装
置、プローブカード、および、そのようなプローブカー
ドを用いた半導体装置の検査方法を提供する。 【解決手段】 二次元的に配列された複数のバンプ電極
と、複数のバンプ電極に電気的に接続された多層配線基
板とを備えたプローブカード５１であって、信号入力用
配線４５とモニター用配線４６とを備える。バンプ電極
としては、ウェハ５０に含まれる複数のチップ上に設け
られた信号入力用パッド電極４７にコンタクトする信号
入力用パッド電極５２ａと、少なくとも１つのモニター
用パッド電極４８にコンタクトするモニター用パッド電
極５２ｂと備える。信号入力用パッド電極５２ａは信号
入力用配線４５に接続され、モニター用プローブ電極５
２ｂはモニター用配線４６に接続されている。モニター
用配線４６を用いて入力信号の異常を検知できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ一括型プロ
ーブカード、ならびにそのプローブカードによる測定に
適した構造を持った半導体装置およびその検査方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路装置（以後、「半
導体装置」と称する。）を搭載した電子機器の小型化及
び低価格化の進展は目ざましく、これに伴って、半導体
装置に対する小型化及び低価格化の要求が強くなってい
る。

【０００３】通常、半導体装置は、半導体チップとリー
ドフレームとがボンディングワイヤによって電気的に接
続された後、半導体チップ及びリードフレームが樹脂又
はセラミクスにより封止された状態で供給され、プリン
ト基板に実装される。ところが、電子機器の小型化の要
求から、半導体装置を半導体ウエハから切り出したまま
の状態（以後、この状態の半導体装置をベアチップと称
する。）で回路基板に直接実装する方法が開発され、品
質が保証されたベアチップを低価格で供給することが望
まれている。

【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体装置に対してウェハ状態でバーンイン等の
検査をする必要がある。ところが、半導体ウェハ上に形
成されている複数のベアチップに対して１個又は数個づ
つ何度にも分けて検査を行なうことは多くの時間を要す
るので、時間的にもコスト的にも現実的ではない。そこ
で、全てのベアチップに対してウェハ状態で一括してバ
ーンイン等の検査を行なうことが要求される。

【０００５】ベアチップに対してウェハ状態で一括して
検査を行なうには、半導体ウェハ上に形成された複数の
半導体チップの電極に電源電圧や信号を同時に印加し、
該複数の半導体チップを動作させる必要がある。このた
めには、非常に多く（通常、数千個以上）のプローブ針
を持つプローブカードを用意する必要があるが、このよ
うにするには、従来のニードル型プローブカードではピ
ン数の点からも価格の点からも対応できない。

【０００６】そこで、ウェハ上の多数のパッド電極に対
してプローブ電極を一括的にコンタクトできるプローブ
カードが提案されている（特開平７−２３１０１９号公
報）。この技術によれば、プローブカードに多数のバン
プを形成し、これらのバンプをプローブ電極として用い
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ウェハ一括型のプロー
ブカードを用いてバーンイン検査等の検査を行う場合、
各ウェハに含まれる多数のチップを同時に動作させるこ
とになる。このような検査では、ウェハに含まれるチッ
プの不良を原因として、検査中に各チップに入力する信
号に異常が生じることがある。また、プローブカードの
プローブ電極とウェハ上のパッド電極との間で正常なコ
ンタクトがとれていないにもかかわらず、時間のかかる
ウェハ一括型検査を開始してしまうことがあり得る。

【０００８】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、その目的とするところは、ウェハ一括型バーンイ
ン検査等のウェハ一括型検査に際して、各チップに入力
する信号に異常が生じた場合、それを電気的に検知する
ことができるプローブカード、半導体装置、および、そ
のようなプローブカードを用いた半導体装置の検査方法
を提供することにある。

【０００９】また、本発明の他の目的は、ウェハ一括型
検査に際して、プローブカード上のプローブ電極とウェ
ハ上のパッド電極との間にコンタクト不良が生じた場
合、それを電気的に検知することができるプローブカー
ド、半導体装置、および、そのようなプローブカードを
用いた半導体装置の検査方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のプローブカード
は、二次元的に配列された複数のプローブ電極と、前記
複数のプローブ電極に電気的に接続された多層配線基板
とを備えたプローブカードであって、前記多層配線基板
の多層配線は、信号入力用配線とモニター用配線とを含
み、前記複数のプローブ電極は、ウェハに含まれる複数
のチップ上に設けられた信号入力用パッド電極にコンタ
クトする複数の信号入力用プローブ電極と、前記複数の
チップ上に設けられた複数のモニター用パッド電極のう
ちの少なくとも１つにコンタクトするモニター用プロー
ブ電極と含んであり、前記複数の信号入力用パッド電極
は前記信号入力用配線に接続され、モニター用プローブ
電極は前記モニター用配線に接続されている。

【００１１】前記プローブ電極がバンプ電極であっても
よい。

【００１２】前記プローブ電極と前記多層配線基板との
間において、前記プローブ電極を前記多層配線に電気的
に接続するための導電性ゴムを備えていてもよい。

【００１３】前記プローブ電極が剛性リングに張力を持
った状態で張られた薄膜上に形成されていてもよい。

【００１４】前記プローブ電極は前記多層配線の少なく
とも一部から形成されていてもよい。

【００１５】前記モニター用配線が前記信号入力用配線
の一部に電気的に接続されていてもよい。

【００１６】本発明の半導体装置は、信号を受け取る信
号入力用パッド電極と、前記信号入力用パッド電極に電
気的に接続されたモニター用パッド電極とを備えてい
る。

【００１７】前記入力用パッド電極と前記モニター用パ
ッド電極とは一体的に形成されていてもよい。

【００１８】本発明の半導体装置の検査方法は、前記プ
ローブカードを用いて行うウェハ一括型半導体装置の検
査方法であって、前記信号入力用配線に信号を印加する
工程と、前記モニター用配線上に表れる前記信号を検知
する工程とを包含する。

【００１９】

【発明の実施の形態】まず、本発明の理解を容易にする
ため、本発明が適用されるウェハ一括型測定・検査技術
を説明する。

【００２０】図１には、ウェハ上の多数のパッド電極に
対してプローブ電極を一括的にコンタクトできるプロー
ブカード１が示されている。測定・検査の対象となる素
子・回路が形成されたウェハ（例えば直径２００ｍｍの
シリコンウェハ）２は、チップ状に分割されることな
く、そのままの状態でウェハトレイ３上に載置される。
測定・検査に際して、ウェハ２はプローブカード１とウ
ェハトレイ３との間に挟まれる。プローブカード１とウ
ェハトレイ３との間にできる僅かな空間は、シールリン
グ４によって大気からシールされる。その空間を真空バ
ルブ５を介して減圧する（例えば大気圧に比べて２００
ミリトール程度減圧する）ことにより、プローブカード
１は大気圧の力をかりて均等にウェハ２を押圧する。そ
の結果、プローブカード１のプローブ電極は、広いウェ
ハ２の全面にわたって均等な力でウェハ２上のパッド電
極を押圧することができる。プローブカード１上の多数
のプローブ電極がウェハ２上の所定のパッド電極と確実
に接触するためには、接触の前に、プローブカード１と
ウェハ２との間のアライメントを高精度で実行する必要
がある。

【００２１】このようなウェハ一括型の測定・検査技術
によれば、ウェハ２の全面に形成された数千から数万個
以上の多数のパッド電極に対して、プローブカード１に
形成した多数のプローブ電極を同時にしかも確実にコン
タクトさせることができる。

【００２２】図２は、本発明のプローブカード２０の断
面構成例を示している。

【００２３】このプローブカード２０は、測定・検査装
置に電気的に接続されることになる多層配線基板２１
と、バンプ付きポリイミド薄膜２２と、それらの間に設
けられた局在型異方導電性ゴム２３とを少なくとも備え
ている。局在型異方導電性ゴム２３は、多層配線基板２
１の電極配線２１ｂとバンプ付きポリイミド薄膜２２の
バンプ２２ｂとを電気的に接続する弾性部材である。図
２では、上記３つの部材２１〜２３が縦方向に分離され
た状態が示されているが、これらの部材２１〜２３を密
着固定することにより、一枚のプローブカード２０が形
成される。

【００２４】多層配線基板２１としては、ガラス基板２
１ａ上に多層配線２１ｂが形成されたものを使用でき
る。ガラス基板２１ａは、広い面積にわたって高い平坦
性を持つものが比較的容易に作製され得るので好まし
い。また、ガラスの熱膨張係数はシリコンウェハの熱膨
張係数に近いため、ガラスは、特にバーンイン用プロー
ブカードの多層配線基板の材料として好適である。

【００２５】多層配線２１ｂの形成は、公知の薄膜堆積
技術とパターニング技術を用いて行える。たとえば、銅
（Ｃｕ）などの導電性薄膜をスパッタリング法等により
ガラス基板２１ａ上に堆積した後、フォトリソグラフィ
およびエッチング工程で導電性薄膜をパターニングすれ
ば、任意のパターンを持った配線２１ｂを形成すること
ができる。異なるレベルの配線２１ｂは、層間絶縁膜２
１ｃにより分離される。層間絶縁膜２１ｃは、たとえば
ポリイミド薄膜をスピンコート等の方法でガラス基板２
１ａ上に形成することで得られる。多層配線２１ｂは、
面内に二次元的に配列される多数のバンプ（プローブ電
極）２２ｂをプローブカード２０の周辺領域に設けられ
た不図示の接続電極やコネクタにに電気的に接続し、外
部の検査装置や検査回路とプローブ電極２２ｂとの電気
的接続を可能にするものである。

【００２６】バンプ付きポリイミド薄膜２２は、たとえ
ば次のようにして得られる。まず、厚さ１８μｍ程度の
ポリイミド薄膜２２ａと厚さ３５μｍ程度の銅薄膜とが
二層になった基材に多数の開口部（内径２０〜３０μｍ
程度）を設ける。電解メッキなどの方法を用いて各開口
部をＮｉ等の金属材料で埋め込み、バンプ２２ｂを形成
する。ポリイミド薄膜２２ａから銅薄膜の不要部分をエ
ッチングで除去すれば、図示されるようなバンプ付きポ
リイミド薄膜２２が得られる。バンプ２２ｂの高さは、
一例としては、約２０μｍ程度である。バンプの横方向
サイズは、４０μｍ程度である。ポリイミド薄膜２２ａ
のどの位置にバンプ２２ｂを形成するかは、測定対象ウ
ェハ２５のどの位置にパッド電極２６が形成されている
かに依存して決定される。

【００２７】局在型異方導電性ゴム２３は、シリコーン
製ゴムのシート（厚さ２００μｍ程度）２３ａ内の特定
箇所に導電性粒子２３ｂが配置されており、その箇所で
導通方向（膜厚方向）に鎖状につなげたものである。多
層配線基板２１とバンプ２２ｂとの間に、弾力性を持っ
たゴムを介在させることにより、ウェハ２５上の段差や
ウェハ２５のそりの影響を受けることなく、プローブカ
ード２０のバンプ２２ｂとウェハ２５上の電極２６との
間のコンタクトを確実に実現することができる。

【００２８】このようなプローブカード２０をバーンイ
ン検査に使用する場合、ポリイミド薄膜２２ａの熱膨張
係数（約１６×１０^-6／℃）とウェハ２５の熱膨張係数
（約３×１０^-6／℃）とが異なるため、バーンインのた
めの加熱時に、ポリイミド薄膜２２ａ上のバンプ２２ｂ
の位置がウェハ２５上のパッド電極２６の位置に対して
横方向にずれてしまう。この位置ズレは、ウェハ２５の
中央部よりも周辺部で大きくなり、ウェハ２５とプロー
ブカード２０との間で正常な電気的コンタクトがとれな
くなる。このような問題を解決するには、特開平７−２
３１０１９号公報に開示されているように、熱膨張係数
がシリコンウェハに近いセラミックリングなどの剛性リ
ング（不図示）にポリイミド薄膜２２ａを張りつけ、そ
のポリイミド薄膜２２ａにあらかじめ張力を与えておく
ことが有効である。この場合、ポリイミド薄膜２２ａを
剛性リングに張りつけてから、バンプ２２ｂを形成する
方がよい。バンプ２２ｂの位置がずれにくいからであ
る。

【００２９】ウェハ２５は、ウェハトレイ２８に配置さ
れる。ウェハ２５を搭載したウェハトレイ２８がプロー
ブカード２０に対して適切な位置にくるようにアライメ
ント工程を行った後、プローブカード２０とウェハトレ
イ２８との間隔が縮小される。その結果、ウェハ２５上
のパッド電極２６とプローブカード２０のバンプ２２ｂ
とが物理的にコンタクトする。前述のように、プローブ
カード２０とウェハトレイ２８との間のシールされた空
間を減圧することにより、各バンプ２２ｂがほぼ均等な
力をもってウェハ２５上のパッド電極２６を押圧するこ
となる。その後、不図示の駆動回路や検査回路からの電
気信号および電源電圧が、プローブカード２０のバンプ
２２を介してウェハ２５上のパッド電極２６に供給され
る。バーンイン検査の場合、プローブカード２０、ウェ
ハ２５およびウェハトレイ２８は、図３に示されるよう
な状態で、一体的にバーンイン装置に挿入され、加熱さ
れる。

【００３０】検査・測定の間、および、その前後におい
て、プローブカード２０、ウェハ２５およびウェハトレ
イ２８は、図３に示されるような状態に維持される。前
述の密閉空間が減圧状態にあるウェハトレイ２８は、プ
ローブカード２０から離脱することなく、これらの部材
は一体的にウェハ２５を狭持している。

【００３１】ウェハ一括型の検査・測定が終了すると、
プローブカード２０とトレイ２８との間にできた密閉空
間の圧力を上昇させ、大気圧程度に回復させる。その結
果、トレイ２８はプローブカード２０から分離され、中
からウェハ２５が取り出される。

【００３２】以下に、図４を参照しながら本発明による
半導体装置およびその検査に用いるプローブカードの特
徴部分を説明する。

【００３３】図４は、本実施形態にかかる一枚のウェハ
上に含まれる複数の半導体集積回路チップ（以下、「チ
ップ」と称する）の一部と、プローブカード上の配線の
一部とを模式的に示している。なお、本願明細書では、
ダイシング等によって最終的にウェハから切り出される
各チップを、ウェハから切り出される前の状態において
も、「チップ」と称することとする。

【００３４】本実施形態では、図４に示されるように、
プローブカード上の配線４５がプローブカード上のバン
プを介して各チップ４１〜４４内の入力パッド（または
入出力パッド）４７に電気的に接続される。プローブカ
ード上の配線４５は、測定装置等の外部の装置から信号
をウェハ内の各チップに与える機能を有する。一方、プ
ローブカード上の他の配線（モニター用配線）４６は、
プローブカード上のバンプを介してチップ４４内のモニ
ター用パッド４８に電気的に接続される。これらの電気
的接続は、前述のように、プローブカードとウェハとの
アライメントが終了した後、そのまま両者を接近させる
ことにより達成される。図４では、ウェハ上のある行
（ロウ：row）に属するチップ４１〜４４のみが示され
ているが、現実には、これより多くのチップが一枚のウ
ェハ上に配列されているのは言うまでもない。一枚のウ
ェハに含まれるチップの数は、ウェハサイズとチップサ
イズとに依存して変化するが、典型的には数百個であ
る。

【００３５】図５は、ひとつのチップ上における入力パ
ッド４７と、この入力パッド４７に電気的に接続された
モニターパッド４８を模式的に示している。入力パッド
４８は、プローブカード５１のバンプ５２ａを介して測
定装置から信号を受け取る。受け取った信号は、そのチ
ップ内の半導体装置の内部回路に伝えられるとともに、
ウェハ上のモニターパッド４８およびプローブカード５
１上のバンプ５２ｂを介して外部の装置でモニターされ
る。このモニターにより、入力信号に異常があった場
合、その異常を電気的に検出することが可能になる。な
お、本願明細書においては、「信号」および「入力信
号」の用語を、チップに与える全ての電気的信号に加え
て電源電圧などをも含む広い意味を持つ用語として使用
する。

【００３６】入力信号の異常は、プローブカードの故障
を原因として生じるほかに、測定されるウェハの側に問
題がある場合にも生じる。例えば、図４のチップ４１が
故障しており、その影響で配線４５の電位が許容範囲を
下回って低下すれば、配線４５上の信号品質は劣化す
る。このようなとき、配線４５に接続された他のチップ
４２〜４４には異常な信号が入力されることになり、正
常な測定検査の実施が妨げられる。モニター用の配線４
６を使って入力信号の異常を検知できれば、配線４５に
接続されたチップについては、その後の検査を中止する
などの処置も可能になる。また、検査の途中において、
不良チップのマッピングに上記チップを含めることもで
きる。

【００３７】上記モニターにより、図５に示すバンプ５
２ａとパッド４７とのコンタクトが正常に行われている
かどうかを電気的に検知することも可能である。バーン
イン検査等の測定検査の初期の段階で、まず、上記コン
タクトに異常が生じていることを検知できれば、その後
に無駄な測定検査工程を行う必要が無くなる。コンタク
ト異常の原因が、ウェハ５０とプローブカード５１との
間のアライメントずれにある場合は、改めてアライメン
ト工程からやり直せばよい。また、コンタクト異常の原
因がプローブカード５１のバンプ５２ａまたはバンプ５
２ｂの形状異常等にある場合は、正常なプローブカード
を用いて測定検査を行うことにすればよい。

【００３８】本実施形態では、図４に示すように、各チ
ップに入力パッド４７およびモニターパッド４８の両方
を形成しているが、プローブカード５１上の配線４６
は、選択されたチップ４４のモニターパッド４８にのみ
コンタクトするように形成されている。この実施形態に
よれば、チップ４１〜４３の入力パッド４７とプローブ
カード上の配線４５との間でコンタクト不良が生じてい
ても、もし、チップ４４の入力パッド４７とプローブカ
ード上の配線４６との間のコンタクトが正常であれば、
上記コンタクト不良を検知することはできない。しか
し、この形態でも、入力信号の異常は充分に検知でき
る。また、コンタクト不良の原因が、ウェハ５０とプロ
ーブカード５１との間のアライメントずれにある場合、
チップ４１〜４３の入力パッド４７と配線４５との間の
コンタクトが不良であれば、チップ４４の入力パッド４
７と配線４６との間のコンタクトも不良化しているはず
である。

【００３９】各チップとプローブカードとのコンタクト
不良をチップ単位で検知するには、図７に示すような実
施形態を採用すれば良い。図７の実施形態では、チップ
７１〜７４の各々のモニターパッド７８を介して入力信
号のモニターが可能になるように、複数の配線７６がプ
ローブカード上に設けられており、これらの配線７６が
それぞれ対応する複数のモニターパッド７８に接続され
る。この実施形態によれば、どのチップについてコンタ
クト不良があるかを特定できる。もし、そのコンタクト
不良の原因がプローブカードの側にあることがわかれ
ば、故障していないプローブカードに付け替えて測定検
査を再実施すればよい。

【００４０】図６は、入力パッド４７とモニターパッド
４８との接続の一例を示している。この例では、入力パ
ッド４７およびモニターパッド４８は導電性の接続部６
０により電気的に接続されており、入力パッド４７、モ
ニターパッド４８および接続部６０はひとつの導電薄膜
パターンとして一体的に形成されている。モニターパッ
ド４８は入力パッド４７と他の配線層（半導体基板中に
形成された拡散層でもよい）を介して接続されていても
良い。

【００４１】上記実施形態では、モニター用の配線４６
は、測定検査時において、プローブカード５１上のバン
プ５２ａおよび５２ｂならびにウェハ５０上のパッド４
７および４８を介して配線４５と電気的に接続される。
これに対して、プローブカード５１上において、直接的
に配線４５をモニター用配線４６に接続しても良い。そ
うした場合でも、上述したように、不良チップに起因す
る入力信号品質の劣化を検知することが可能である。こ
のような実施形態では、ウェハに含まれるチップ上にモ
ニター用のパッド４８が形成されている必要はない。モ
ニター用配線４６は、プローブカード５１上において、
配線４５の信号入力端から離れた位置に設けられること
が好ましい。最も好ましいのは、配線４５の信号入力端
から最も遠い端部で配線４５と配線４６とを接続するこ
とである。

【００４２】なお、図２に示すプローブカードの一例で
は、局在型異方導電性ゴム２３を用いて、多層配線基板
上の配線とバンプとを電気的に接続しているが、局在型
異方導電性ゴム２３を用いることなく、直接に、多層配
線基板とバンプとを接触させても良い。また、逆に、測
定対象のウェハ上にバンプを形成しておけば、プローブ
カードの側にバンプを形成する必要もなくなる。その場
合は、プローブカードの局在型異方導電性ゴム２３の先
端部分を、ウェハ上のバンプに押圧するようにすれば、
ウェハ一括型測定・検査が実行できる。また、局在型異
方導電性ゴム２３を用いることなく、多層配線基板の配
線を直接にウェハ上のバンプにコンタクトさせても良
い。

【００４３】

【発明の効果】本発明のプローブカードによれば、複数
のチップ上に設けられた複数のモニター用パッド電極の
うちの少なくとも１つにコンタクトするモニター用プロ
ーブ電極とモニター用配線をプローブカード上に設けて
いるため、ウェハ一括型測定検査に際して、各チップに
入力する信号に異常が生じた場合、または、プローブカ
ード上のプローブ電極とウェハ上のパッド電極との間に
コンタクト不良が生じた場合、それらを電気的に検知す
ることができる。その結果、無駄な検査を実施する必要
が無くなり、検査効率が上昇する。また、プローブカー
ドの異常を早期に発見することも可能になる。

【００４４】本発明の半導体装置によれば、本発明のプ
ローブカードによる測定が行えるため、ウェハ一括型の
測定検査が効率的に実施できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ウェハ一括型の測定・検査技術を説明するため
の斜視図。

【図２】ウェハ一括型の測定・検査技術に用いられるプ
ローブカード、ウェハおよびウェハトレイの構成を示す
断面図。

【図３】測定時におけるプローブカード、ウェハおよび
ウェハトレイの関係を示す断面図。

【図４】本発明の実施形態を示す平面レイアウト図。

【図５】ひとつのチップ上における入力パッド４７と、
この入力パッドに電気的に接続されたモニターパッド４
８を模式的に示す断面図。

【図６】入力パッドとモニターパッドとの接続の一例を
示す平面レイアウト図。

【図７】本発明の他の実施形態を示す平面レイアウト
図。

【符号の説明】

１ プローブカード ２ ウェハ（例えば直径２００ｍｍのシリコンウェ
ハ） ３ ウェハトレイ ４ シールリング ５ 真空バルブ ２０ プローブカード ２１ 多層配線基板 ２１ａ ガラス基板 ２１ｂ 電極配線 ２１ｃ 層間絶縁膜 ２２ バンプ付きポリイミド薄膜 ２２ａ ポリイミド薄膜 ２２ｂ バンプ ２３ 局在型異方導電性ゴム ２５ ウェハ ２６ パッド電極 ２８ ウェハトレイ ４１ チップ ４２ チップ ４３ チップ ４４ チップ ４５ 信号入力用配線 ４６ モニター用配線 ４７ 信号入力用パッド ４８ モニター用パッド ５０ 半導体ウェハ ５１ プローブカード ６０ 接続部 ７１ チップ ７２ チップ ７３ チップ ７４ チップ ７５ 信号入力用配線 ７６ モニター用配線 ７７ 信号入力用パッド ７８ モニター用パッド

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 二次元的に配列された複数のプローブ電
   極と、前記複数のプローブ電極に電気的に接続された多
   層配線基板とを備えたプローブカードであって、 前記多層配線基板の多層配線は、信号入力用配線とモニ
   ター用配線とを含み、 前記複数のプローブ電極は、ウェハに含まれる複数のチ
   ップ上に設けられた信号入力用パッド電極にコンタクト
   する複数の信号入力用プローブ電極と、前記複数のチッ
   プ上に設けられた複数のモニター用パッド電極のうちの
   少なくとも１つにコンタクトするモニター用プローブ電
   極と含んであり、 前記複数の信号入力用パッド電極は前記信号入力用配線
   に接続され、モニター用プローブ電極は前記モニター用
   配線に接続されていることを特徴とするプローブカー
   ド。
2. 【請求項２】 前記プローブ電極がバンプ電極であるこ
   とを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
3. 【請求項３】 前記プローブ電極と前記多層配線基板と
   の間において、前記プローブ電極を前記多層配線に電気
   的に接続するための導電性ゴムを備えていることを特徴
   とする請求項２記載のプローブカード。
4. 【請求項４】 前記プローブ電極が剛性リングに張力を
   持った状態で張られた薄膜上に形成されていることを特
   徴とする請求項２記載のプローブカード。
5. 【請求項５】 前記プローブ電極は前記多層配線の少な
   くとも一部から形成されていることを特徴とする請求項
   １記載のプローブカード。
6. 【請求項６】 前記モニター用配線が前記信号入力用配
   線の一部に電気的に接続されていることを特徴とする請
   求項１から５のいずれかに記載のプローブカード。
7. 【請求項７】 信号を受け取る信号入力用パッド電極
   と、前記信号入力用パッド電極に電気的に接続されたモ
   ニター用パッド電極とを備えていることを特徴とする半
   導体装置。
8. 【請求項８】 前記入力用パッド電極と前記モニター用
   パッド電極とが一体的に形成されていることを特徴とす
   る請求項７記載の半導体装置。
9. 【請求項９】 請求項１から６のいずれかに記載のプロ
   ーブカードを用いて行うウェハ一括型半導体装置の検査
   方法であって、 前記信号入力用配線に信号を印加する工程と、 前記モニター用配線上に表れる前記信号を検知する工程
   と、を包含することを特徴とする半導体装置の検査方
   法。