JPH11126799A - Ｉｃチップの取り外し方法 - Google Patents
Ｉｃチップの取り外し方法Info
- Publication number
- JPH11126799A JPH11126799A JP30967097A JP30967097A JPH11126799A JP H11126799 A JPH11126799 A JP H11126799A JP 30967097 A JP30967097 A JP 30967097A JP 30967097 A JP30967097 A JP 30967097A JP H11126799 A JPH11126799 A JP H11126799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- thermosetting resin
- circuit board
- state
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は熱硬化性樹脂を用いて回路基板に実
装したＩＣチップを回路基板から取り外す方法におい
て、ＩＣチップの取り外し作業性および回路基板上のク
リーニング作業性の向上を図ることを目的とする。 【解決手段】 ＩＣチップ加熱・取り外しヘッド８を用
いてＩＣチップ３に熱を加えて、ＩＣチップ３とガラス
基板９間に介在する熱硬化性樹脂１２を軟化させながら
ＩＣチップ３に荷重を加え、ＩＣチップ３を取り外す前
に、ＩＣチップ３の周囲にはみ出している熱硬化性樹脂
１１を取り除く。そのＩＣチップ３の周囲にはみ出して
いる熱硬化性樹脂１１を取り除く手段として、有機溶剤
を用いる。
装したＩＣチップを回路基板から取り外す方法におい
て、ＩＣチップの取り外し作業性および回路基板上のク
リーニング作業性の向上を図ることを目的とする。 【解決手段】 ＩＣチップ加熱・取り外しヘッド８を用
いてＩＣチップ３に熱を加えて、ＩＣチップ３とガラス
基板９間に介在する熱硬化性樹脂１２を軟化させながら
ＩＣチップ３に荷重を加え、ＩＣチップ３を取り外す前
に、ＩＣチップ３の周囲にはみ出している熱硬化性樹脂
１１を取り除く。そのＩＣチップ３の周囲にはみ出して
いる熱硬化性樹脂１１を取り除く手段として、有機溶剤
を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱硬化性樹脂を用
いて回路基板に実装したＩＣチップを回路基板から取り
外す方法に関するものである。
いて回路基板に実装したＩＣチップを回路基板から取り
外す方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップをプリント基板やガラス基板
等の回路基板に直接実装する技術は、使用される機器の
小型化やＩＣチップの駆動周波数の高速化ならびに接続
コストの低減化に伴い、様々な電子機器に用いられてい
る。液晶表示パネルでは液晶駆動用ＩＣチップを液晶表
示パネルを構成するガラス基板に直接実装することで、
コンパクトでかつ耐振動性も向上するため、液晶表示装
置の特徴である携帯性がさらに増すことになり、この接
続方法が主流になりつつある。この接続方法はガラス基
板の上に直接ＩＣチップを実装することから、ＣＯＧ
（Ｃｈｉｐ ＯｎＧｌａｓｓ）方式と呼ばれている。
等の回路基板に直接実装する技術は、使用される機器の
小型化やＩＣチップの駆動周波数の高速化ならびに接続
コストの低減化に伴い、様々な電子機器に用いられてい
る。液晶表示パネルでは液晶駆動用ＩＣチップを液晶表
示パネルを構成するガラス基板に直接実装することで、
コンパクトでかつ耐振動性も向上するため、液晶表示装
置の特徴である携帯性がさらに増すことになり、この接
続方法が主流になりつつある。この接続方法はガラス基
板の上に直接ＩＣチップを実装することから、ＣＯＧ
（Ｃｈｉｐ ＯｎＧｌａｓｓ）方式と呼ばれている。
【０００３】ＩＣチップを回路基板に直接実装する方法
は数種類の方法があるが、その１つには図２に示すよう
なものがある。図２はＩＣチップと回路基板との接続方
法の構成を示す説明図であって、導電粒子１を含んだエ
ポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂２をＩＣチッ
プ３と回路基板４との間に入れ、ＩＣチップ３の突起電
極５と回路基板４上の電極６とを位置合わせした後、Ｉ
Ｃチップ３を加熱加圧ヘッド７で加熱加圧し熱硬化性樹
脂２を硬化させてＩＣチップ３と回路基板４との接続を
行う方法である。
は数種類の方法があるが、その１つには図２に示すよう
なものがある。図２はＩＣチップと回路基板との接続方
法の構成を示す説明図であって、導電粒子１を含んだエ
ポキシ系樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂２をＩＣチッ
プ３と回路基板４との間に入れ、ＩＣチップ３の突起電
極５と回路基板４上の電極６とを位置合わせした後、Ｉ
Ｃチップ３を加熱加圧ヘッド７で加熱加圧し熱硬化性樹
脂２を硬化させてＩＣチップ３と回路基板４との接続を
行う方法である。
【０００４】この方法で形成された接続部の断面図は図
３に示すようになる。図３はＩＣチップ３と回路基板４
との接続部の状態を示す説明図であって、熱硬化性樹脂
２が加熱されることで一旦粘度が低下し加圧力で押し出
され、ＩＣチップ３からはみ出してＩＣチップ３の側面
と回路基板４上にフィレットのような形状となって硬化
した状態を示している。
３に示すようになる。図３はＩＣチップ３と回路基板４
との接続部の状態を示す説明図であって、熱硬化性樹脂
２が加熱されることで一旦粘度が低下し加圧力で押し出
され、ＩＣチップ３からはみ出してＩＣチップ３の側面
と回路基板４上にフィレットのような形状となって硬化
した状態を示している。
【０００５】このような状態からＩＣチップを取り外す
方法として、図４に示すような方法がある。ＩＣチップ
加熱・取り外しヘッド８をＩＣチップ３の裏面に押し当
てて、ＩＣチップ３に熱硬化性樹脂２のガラス転移温度
（以下、Ｔｇ点と略す）以上の熱を加えることにより、
熱硬化性樹脂２を軟化させながらＩＣチップ加熱・取り
外しヘッド８の軸を回転させることにより、ＩＣチップ
３に荷重を加え、ＩＣチップ３を回路基板４より取り外
す方法がある。
方法として、図４に示すような方法がある。ＩＣチップ
加熱・取り外しヘッド８をＩＣチップ３の裏面に押し当
てて、ＩＣチップ３に熱硬化性樹脂２のガラス転移温度
（以下、Ｔｇ点と略す）以上の熱を加えることにより、
熱硬化性樹脂２を軟化させながらＩＣチップ加熱・取り
外しヘッド８の軸を回転させることにより、ＩＣチップ
３に荷重を加え、ＩＣチップ３を回路基板４より取り外
す方法がある。
【０００６】なお、本明細書で述べる「ガラス転移温
度」とは、熱硬化性樹脂が硬化の状態から軟化の状態へ
と特性が変化する時の温度を意味する。
度」とは、熱硬化性樹脂が硬化の状態から軟化の状態へ
と特性が変化する時の温度を意味する。
【０００７】そして、熱硬化性樹脂のサイズはＩＣチッ
プと回路基板との接着力を確保するために、ＩＣチップ
と回路基板間を完全に充填するため、ＩＣチップのサイ
ズより大きくする必要がある。ＩＣチップと回路基板を
接続する際にＩＣチップを加熱するため、ＩＣチップ下
部の熱硬化性樹脂は充分に硬化は進行しているが、ＩＣ
チップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化性樹脂は
それほど硬化は進行していない。しかし、ＩＣチップを
取り外す際の加熱により、ＩＣチップ周辺にはみ出した
フィレット状の熱硬化性樹脂はＩＣチップ接続時より、
さらに硬化が進行する。その様子を図５に示す。図５は
ＩＣチップ３の上から見た図で、回路基板４上に熱硬化
性樹脂２によりＩＣチップ３が接続されている状態であ
る。ＩＣチップ３を加熱するとＩＣチップ３を中心に放
射状に熱が伝わる。そのためＩＣチップ３の下部の熱硬
化性樹脂２はＴｇ点以上の熱が伝わり軟化するが、ＩＣ
チップ３の周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化性樹
脂２ａはＴｇ点以上の熱が伝わらないため、さらに硬化
が進行する。
プと回路基板との接着力を確保するために、ＩＣチップ
と回路基板間を完全に充填するため、ＩＣチップのサイ
ズより大きくする必要がある。ＩＣチップと回路基板を
接続する際にＩＣチップを加熱するため、ＩＣチップ下
部の熱硬化性樹脂は充分に硬化は進行しているが、ＩＣ
チップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化性樹脂は
それほど硬化は進行していない。しかし、ＩＣチップを
取り外す際の加熱により、ＩＣチップ周辺にはみ出した
フィレット状の熱硬化性樹脂はＩＣチップ接続時より、
さらに硬化が進行する。その様子を図５に示す。図５は
ＩＣチップ３の上から見た図で、回路基板４上に熱硬化
性樹脂２によりＩＣチップ３が接続されている状態であ
る。ＩＣチップ３を加熱するとＩＣチップ３を中心に放
射状に熱が伝わる。そのためＩＣチップ３の下部の熱硬
化性樹脂２はＴｇ点以上の熱が伝わり軟化するが、ＩＣ
チップ３の周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化性樹
脂２ａはＴｇ点以上の熱が伝わらないため、さらに硬化
が進行する。
【０００８】また、図３の実装時の硬化状態と比較する
と、硬化している領域としては増加する。これにより、
ＩＣチップ３に荷重を加えて取り外そうとするとＩＣチ
ップ３を留まらせようとする応力が働きＩＣチップ３が
取り外し難い。また、ＩＣチップ３を取り外す際にＩＣ
チップ３が欠け、その欠けたＩＣチップ３が回路基板４
上の導体パターンを傷付けるといったことがある。
と、硬化している領域としては増加する。これにより、
ＩＣチップ３に荷重を加えて取り外そうとするとＩＣチ
ップ３を留まらせようとする応力が働きＩＣチップ３が
取り外し難い。また、ＩＣチップ３を取り外す際にＩＣ
チップ３が欠け、その欠けたＩＣチップ３が回路基板４
上の導体パターンを傷付けるといったことがある。
【０００９】さらには、ＩＣチップを取り外した後の回
路基板上に熱硬化性樹脂が残留する。その様子を図６に
示す。図６は回路基板４の上から見た図で、回路基板４
上にＩＣチップのあった部分の残留熱硬化性樹脂２ｂ
と、ＩＣチップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化
性樹脂２ａおよび熱がほとんど伝わっていない熱硬化性
樹脂２ｃのそれぞれ硬化状態が異なっている熱硬化性樹
脂があり、熱がほとんど伝わっていない熱硬化性樹脂２
ｃはもちろんのこと、ＩＣチップのあった部分の残留熱
硬化性樹脂２ｂはＴｇ点以上の熱が加えられているた
め、有機溶剤にて容易に取り除くことができる。しか
し、ＩＣチップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化
性樹脂２ａはＩＣチップ取り外し加熱時にＴｇ点以上の
熱が伝わっていないため、より一層硬化が進行してお
り、かつ硬化する領域としてもＩＣチップ取り外し作業
前に比べて増加している。そのため有機溶剤を用いても
熱硬化性樹脂を取り除くことが難しい。すなわち、回路
基板上をクリーニングする際に作業性が悪く、作業時間
がかかるといった問題がある。
路基板上に熱硬化性樹脂が残留する。その様子を図６に
示す。図６は回路基板４の上から見た図で、回路基板４
上にＩＣチップのあった部分の残留熱硬化性樹脂２ｂ
と、ＩＣチップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化
性樹脂２ａおよび熱がほとんど伝わっていない熱硬化性
樹脂２ｃのそれぞれ硬化状態が異なっている熱硬化性樹
脂があり、熱がほとんど伝わっていない熱硬化性樹脂２
ｃはもちろんのこと、ＩＣチップのあった部分の残留熱
硬化性樹脂２ｂはＴｇ点以上の熱が加えられているた
め、有機溶剤にて容易に取り除くことができる。しか
し、ＩＣチップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化
性樹脂２ａはＩＣチップ取り外し加熱時にＴｇ点以上の
熱が伝わっていないため、より一層硬化が進行してお
り、かつ硬化する領域としてもＩＣチップ取り外し作業
前に比べて増加している。そのため有機溶剤を用いても
熱硬化性樹脂を取り除くことが難しい。すなわち、回路
基板上をクリーニングする際に作業性が悪く、作業時間
がかかるといった問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩＣチップ取り
外し方法では、前記するようにＩＣチップ３にＴｇ点以
上の熱と荷重を加えて回路基板４より取り外そうとする
と、ＩＣチップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化
性樹脂を取り除くことが困難となる。
外し方法では、前記するようにＩＣチップ３にＴｇ点以
上の熱と荷重を加えて回路基板４より取り外そうとする
と、ＩＣチップ周辺にはみ出したフィレット状の熱硬化
性樹脂を取り除くことが困難となる。
【００１１】そこで、本発明は前記する従来のＩＣチッ
プ取り外し方法による問題点をなくして、ＩＣチップ周
辺にはみ出したフィレット状の熱硬化性樹脂を容易に取
り除くことができるＩＣチップの取り外し方法を提供す
るものである。
プ取り外し方法による問題点をなくして、ＩＣチップ周
辺にはみ出したフィレット状の熱硬化性樹脂を容易に取
り除くことができるＩＣチップの取り外し方法を提供す
るものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明によるＩＣチップ取り外し方法は、ＩＣ
チップの周囲にはみ出した熱硬化性樹脂を有機溶剤を用
いて取り除いた後、前記ＩＣチップと回路基板間に介在
する前記熱硬化性樹脂にＴｇ点以上の熱を加えて軟化さ
せながら前記ＩＣチップに荷重を加えることにより、前
記ＩＣチップを取り外すことを特徴としている。
ために、本発明によるＩＣチップ取り外し方法は、ＩＣ
チップの周囲にはみ出した熱硬化性樹脂を有機溶剤を用
いて取り除いた後、前記ＩＣチップと回路基板間に介在
する前記熱硬化性樹脂にＴｇ点以上の熱を加えて軟化さ
せながら前記ＩＣチップに荷重を加えることにより、前
記ＩＣチップを取り外すことを特徴としている。
【００１３】本発明によれば、熱硬化性樹脂に熱を加え
る前に、ＩＣチップの周囲にはみ出した熱硬化性樹脂を
有機溶剤を用いて取り除いているから、熱硬化性樹脂に
熱を加える際の熱硬化の進行度、および熱硬化する領域
の増加を防ぐことになる。このことは、ＩＣチップ取り
外し時のＩＣチップの欠けを起こす確率を低下させ、回
路基板上へのダメージを低減でき、ＩＣチップ取り外し
作業性を向上させる。また、前記回路基板上への熱硬化
が進行した熱硬化性樹脂の残留量を減らし、クリーニン
グ作業性の向上および作業時間の短縮を実現できる。
る前に、ＩＣチップの周囲にはみ出した熱硬化性樹脂を
有機溶剤を用いて取り除いているから、熱硬化性樹脂に
熱を加える際の熱硬化の進行度、および熱硬化する領域
の増加を防ぐことになる。このことは、ＩＣチップ取り
外し時のＩＣチップの欠けを起こす確率を低下させ、回
路基板上へのダメージを低減でき、ＩＣチップ取り外し
作業性を向上させる。また、前記回路基板上への熱硬化
が進行した熱硬化性樹脂の残留量を減らし、クリーニン
グ作業性の向上および作業時間の短縮を実現できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は請求項１に記載のよう
に、熱硬化性樹脂を用いて回路基板に実装したＩＣチッ
プを前記回路基板から取り外す際に、前記ＩＣチップの
周囲にはみ出している熱硬化性樹脂を有機溶剤を用いて
取り除いた後、前記ＩＣチップと前記回路基板間に介在
する前記熱硬化性樹脂に前記熱硬化性樹脂のガラス転移
温度以上の熱を加えて軟化させながら前記ＩＣチップに
荷重を加えて取り外すことにより、ＩＣチップの取り外
し性を向上させ回路基板上へのダメージを低減し、かつ
前記回路基板上への硬化が進行した熱硬化性樹脂の残留
量を減らし、クリーニング作業性の向上および作業時間
の短縮を図ることができる。
に、熱硬化性樹脂を用いて回路基板に実装したＩＣチッ
プを前記回路基板から取り外す際に、前記ＩＣチップの
周囲にはみ出している熱硬化性樹脂を有機溶剤を用いて
取り除いた後、前記ＩＣチップと前記回路基板間に介在
する前記熱硬化性樹脂に前記熱硬化性樹脂のガラス転移
温度以上の熱を加えて軟化させながら前記ＩＣチップに
荷重を加えて取り外すことにより、ＩＣチップの取り外
し性を向上させ回路基板上へのダメージを低減し、かつ
前記回路基板上への硬化が進行した熱硬化性樹脂の残留
量を減らし、クリーニング作業性の向上および作業時間
の短縮を図ることができる。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の実施例について、図１を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１６】図１は本発明によるＩＣチップ取り外し方
法を説明するための図で、液晶表示装置（以下、液晶パ
ネルと略す）の液晶駆動用ＩＣチップとの接続部の状態
およびＩＣチップ取り外し方法を示す要部断面図であ
る。なお、図２ないし図６に示す従来例と同じ部分につ
いては同一番号を付与する。図１において、液晶パネル
を構成するガラス基板９上に導体パターン１０が形成さ
れており、その導体パターン１０上に電極６が形成され
ている。その上に突起電極５を有するＩＣチップ３が熱
硬化性樹脂２により接続されている。この時、使用した
ガラス基板９の厚さは１．１ｍｍのもので、熱硬化性樹
脂２の幅，長さおよび厚さは２．５ｍｍ×１６ｍｍ×２
３μｍで、ＩＣチップ３の幅，長さおよび厚さは２．４
ｍｍ×１２ｍｍ×０．５５ｍｍである。まず、この状態
からＩＣチップの周囲にはみ出している熱硬化性樹脂１
１を有機溶剤を用いて取り除く。用いた有機溶剤はアセ
トンである。ガラス基板９上の導体パターン１０をアセ
トンを湿らした綿棒にて、こするようにしてＩＣチップ
の周囲にはみ出している熱硬化性樹脂１１を取り除い
た。この行為により、ＩＣチップ取り外し加熱時による
ＩＣチップ周辺エッジ近傍部分の熱硬化性樹脂の熱硬化
の進行、および熱硬化領域の増加を防ぎ、ＩＣチップ取
り外し作業性、およびＩＣチップ取り外し後のクリーニ
ング作業性の向上に寄与する。
法を説明するための図で、液晶表示装置（以下、液晶パ
ネルと略す）の液晶駆動用ＩＣチップとの接続部の状態
およびＩＣチップ取り外し方法を示す要部断面図であ
る。なお、図２ないし図６に示す従来例と同じ部分につ
いては同一番号を付与する。図１において、液晶パネル
を構成するガラス基板９上に導体パターン１０が形成さ
れており、その導体パターン１０上に電極６が形成され
ている。その上に突起電極５を有するＩＣチップ３が熱
硬化性樹脂２により接続されている。この時、使用した
ガラス基板９の厚さは１．１ｍｍのもので、熱硬化性樹
脂２の幅，長さおよび厚さは２．５ｍｍ×１６ｍｍ×２
３μｍで、ＩＣチップ３の幅，長さおよび厚さは２．４
ｍｍ×１２ｍｍ×０．５５ｍｍである。まず、この状態
からＩＣチップの周囲にはみ出している熱硬化性樹脂１
１を有機溶剤を用いて取り除く。用いた有機溶剤はアセ
トンである。ガラス基板９上の導体パターン１０をアセ
トンを湿らした綿棒にて、こするようにしてＩＣチップ
の周囲にはみ出している熱硬化性樹脂１１を取り除い
た。この行為により、ＩＣチップ取り外し加熱時による
ＩＣチップ周辺エッジ近傍部分の熱硬化性樹脂の熱硬化
の進行、および熱硬化領域の増加を防ぎ、ＩＣチップ取
り外し作業性、およびＩＣチップ取り外し後のクリーニ
ング作業性の向上に寄与する。
【００１７】ＩＣチップの周囲にはみ出している熱硬化
性樹脂１１を取り除いた後、ＩＣチップ加熱・取り外し
ヘッド８をＩＣチップ３の裏面に押し当てて熱を加え
て、ＩＣチップとガラス基板間に介在する熱硬化性樹脂
１２を軟化させながらＩＣチップ加熱・取り外しヘッド
８の軸を回転させることにより、ＩＣチップ３に荷重を
加え、ＩＣチップ３を取り外す。
性樹脂１１を取り除いた後、ＩＣチップ加熱・取り外し
ヘッド８をＩＣチップ３の裏面に押し当てて熱を加え
て、ＩＣチップとガラス基板間に介在する熱硬化性樹脂
１２を軟化させながらＩＣチップ加熱・取り外しヘッド
８の軸を回転させることにより、ＩＣチップ３に荷重を
加え、ＩＣチップ３を取り外す。
【００１８】この時のＩＣチップ加熱・取り外しヘッド
８の温度は、熱硬化性樹脂２のガラス転移温度（約１３
０℃）より高い２２０〜２４０℃で実施した。
８の温度は、熱硬化性樹脂２のガラス転移温度（約１３
０℃）より高い２２０〜２４０℃で実施した。
【００１９】なお、本実施例では、液晶パネルの場合に
ついて示したが、液晶以外の分野においても熱硬化性樹
脂を用いてＩＣチップを実装する分野において本発明は
有効である。
ついて示したが、液晶以外の分野においても熱硬化性樹
脂を用いてＩＣチップを実装する分野において本発明は
有効である。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば回路基板からＩＣチップを取り外す際、ＩＣチッ
プの周囲にはみ出した熱硬化性樹脂を有機溶剤を用いて
取り除いた後に、ＩＣチップと回路基板間に介在する熱
硬化性樹脂をＩＣチップに熱を加えてＩＣチップを取り
外すことによりＩＣチップの欠けを防ぎ、また回路基板
上へのダメージを低減させ、かつ容易に取り外すことが
できる。さらには、回路基板上への熱硬化性樹脂の残留
量を減らし、クリーニング作業性の向上、作業時間の短
縮を実現できる。
よれば回路基板からＩＣチップを取り外す際、ＩＣチッ
プの周囲にはみ出した熱硬化性樹脂を有機溶剤を用いて
取り除いた後に、ＩＣチップと回路基板間に介在する熱
硬化性樹脂をＩＣチップに熱を加えてＩＣチップを取り
外すことによりＩＣチップの欠けを防ぎ、また回路基板
上へのダメージを低減させ、かつ容易に取り外すことが
できる。さらには、回路基板上への熱硬化性樹脂の残留
量を減らし、クリーニング作業性の向上、作業時間の短
縮を実現できる。
【図１】本発明の一実施例における液晶表示装置の液晶
駆動用ＩＣチップとの接続部の状態およびＩＣチップ取
り外し方法を示す説明図
駆動用ＩＣチップとの接続部の状態およびＩＣチップ取
り外し方法を示す説明図
【図２】従来例におけるＩＣチップと回路基板との接続
方法の構成を示す説明図
方法の構成を示す説明図
【図３】従来例におけるＩＣチップと回路基板との接続
部の状態を示す説明図
部の状態を示す説明図
【図４】従来例におけるＩＣチップ取り外し方法を示す
説明図
説明図
【図５】従来例におけるＩＣチップ取り外し時の加熱に
よる熱硬化性樹脂の硬化の様子を示す状態説明図
よる熱硬化性樹脂の硬化の様子を示す状態説明図
【図６】従来例におけるＩＣチップ取り外した後の回路
基板上に残留している熱硬化性樹脂の様子を示す状態説
明図
基板上に残留している熱硬化性樹脂の様子を示す状態説
明図
【符号の説明】 ２ 熱硬化性樹脂 ３ ＩＣチップ ５ 突起電極 ６ 電極 ８ ＩＣチップ加熱・取り外しヘッド ９ ガラス基板 １０ 導体パターン １１ ＩＣチップの周囲にはみ出している熱硬化性樹脂 １２ ＩＣチップとガラス基板間に介在する熱硬化性樹
脂
脂
Claims (1)
- 【請求項１】 熱硬化性樹脂を用いて回路基板に実装し
たＩＣチップを前記回路基板から取り外す際に、前記Ｉ
Ｃチップの周囲にはみ出している熱硬化性樹脂を有機溶
剤を用いて取り除いた後、前記ＩＣチップと前記回路基
板間に介在する前記熱硬化性樹脂に前記熱硬化性樹脂の
ガラス転移温度以上の熱を加えて軟化させながら前記Ｉ
Ｃチップに荷重を加えて取り外すことを特徴とするＩＣ
チップの取り外し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30967097A JPH11126799A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | Ｉｃチップの取り外し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30967097A JPH11126799A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | Ｉｃチップの取り外し方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126799A true JPH11126799A (ja) | 1999-05-11 |
Family
ID=17995866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30967097A Pending JPH11126799A (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | Ｉｃチップの取り外し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11126799A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007093350A1 (de) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Htc Beteiligungs Gmbh | Verfahren zum austauschen eines halbleiterchips eines flip-chip-moduls und ein hierfür geeignetes flip-chip-modul |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP30967097A patent/JPH11126799A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007093350A1 (de) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Htc Beteiligungs Gmbh | Verfahren zum austauschen eines halbleiterchips eines flip-chip-moduls und ein hierfür geeignetes flip-chip-modul |
| DE102006006561B4 (de) * | 2006-02-13 | 2009-03-05 | Htc Beteiligungs Gmbh | Flip-Chip-Modul und Verfahren zum Austauschen eines Halbleiterchips eines Flip-Chip-Moduls |
| US8084298B2 (en) | 2006-02-13 | 2011-12-27 | Htc Beteiligungs Gmbh | Method for exchanging semiconductor chip of flip-chip module and flip-chip module suitable therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01160028A (ja) | 電極の接続方法 | |
| JPH11150441A (ja) | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 | |
| JPH11126799A (ja) | Ｉｃチップの取り外し方法 | |
| CN101233608B (zh) | 连接构造体的制造方法 | |
| JPS63151033A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3235454B2 (ja) | 電子部品の接合方法 | |
| JPH1022338A (ja) | フリップチップ接続方法 | |
| JPH10335886A (ja) | Ｔｃｐのリペア方法 | |
| KR100614564B1 (ko) | 언더필 수지와 초음파를 이용한 칩 범프 및 기판 패드의접합방법 | |
| JP3261981B2 (ja) | バンプ付きワークのボンディング方法およびボンディング構造 | |
| JP3264072B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPH0225042A (ja) | チップ除去法 | |
| JP2957955B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100528437B1 (ko) | 반도체 모듈 공정에서의 초음파 용접을 이용한 탭접착방법 | |
| JPS62280887A (ja) | リ−ド群の接続方法 | |
| JPH10153789A (ja) | 液晶パネルのｔｃｐリペア方法 | |
| JPH09191029A (ja) | チップのリペア方法と回路基板 | |
| JP2995390B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH09161931A (ja) | リワーク方法 | |
| JP2834317B2 (ja) | 半導体装置の交換方法 | |
| KR100642518B1 (ko) | 이방성 전도필름을 이용하여 전기부품을 전기적으로접속하는 방법 | |
| JPS62281340A (ja) | 接続体 | |
| JP2002271004A (ja) | 実装部品の取り外し方法および液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS63151031A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JP3596512B2 (ja) | 電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040412 |