JPH11121375A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH11121375A JPH11121375A JP23429698A JP23429698A JPH11121375A JP H11121375 A JPH11121375 A JP H11121375A JP 23429698 A JP23429698 A JP 23429698A JP 23429698 A JP23429698 A JP 23429698A JP H11121375 A JPH11121375 A JP H11121375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- polycrystalline
- polycrystal
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 紫外光の照射により多結晶半導体薄膜の熱処
理を行う際のエネルギー効率の向上を図ることができる
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板などの基板１上に多結晶Si薄
膜４を形成し、その上に反射防止膜としてSiＯ2 膜５を
形成した後、このSiＯ2 膜５を介して多結晶Si薄膜４に
エキシマーレーザーなどによる紫外域のパルスレーザー
ビーム６を照射して多結晶Si薄膜４を熱処理する。
理を行う際のエネルギー効率の向上を図ることができる
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板などの基板１上に多結晶Si薄
膜４を形成し、その上に反射防止膜としてSiＯ2 膜５を
形成した後、このSiＯ2 膜５を介して多結晶Si薄膜４に
エキシマーレーザーなどによる紫外域のパルスレーザー
ビーム６を照射して多結晶Si薄膜４を熱処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に関し、特に、多結晶半導体薄膜を用いた半導体
装置の製造に適用して好適なものである。
造方法に関し、特に、多結晶半導体薄膜を用いた半導体
装置の製造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】エキシマーレーザーは、半導体集積回路
や液晶ディスプレイなどの製造工程におけるシリコン
（Si）の熱処理への応用が期待されている。
や液晶ディスプレイなどの製造工程におけるシリコン
（Si）の熱処理への応用が期待されている。
【０００３】なお、特開昭６１−１４５８１９号公報に
は、半導体薄膜にレーザ光吸収層を被着形成し、該レー
ザ光吸収層にレーザ光を照射して、上記レーザ光吸収層
を介して上記半導体薄膜を加熱するようにした半導体薄
膜の熱処理方法が提案されているが、この発明による熱
処理方法は、紫外光に対して透過性を有する反射防止膜
を半導体薄膜上に形成する点でこの方法とは全く異なる
ものである。
は、半導体薄膜にレーザ光吸収層を被着形成し、該レー
ザ光吸収層にレーザ光を照射して、上記レーザ光吸収層
を介して上記半導体薄膜を加熱するようにした半導体薄
膜の熱処理方法が提案されているが、この発明による熱
処理方法は、紫外光に対して透過性を有する反射防止膜
を半導体薄膜上に形成する点でこの方法とは全く異なる
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のSiの熱処理への
エキシマーレーザーの応用の一例として、パルスレーザ
ービームによる大面積照射が提案されている。しかし、
このエキシマーレーザーによる大面積照射は、レーザー
ビームパルスのエネルギー不足により、現状では実現が
困難である。このようなエネルギー不足が生じる主な理
由として、熱処理を行う際のパルスレーザービームのエ
ネルギー効率が低いことが挙げられる。このため、この
エネルギー効率の向上が望まれていた。
エキシマーレーザーの応用の一例として、パルスレーザ
ービームによる大面積照射が提案されている。しかし、
このエキシマーレーザーによる大面積照射は、レーザー
ビームパルスのエネルギー不足により、現状では実現が
困難である。このようなエネルギー不足が生じる主な理
由として、熱処理を行う際のパルスレーザービームのエ
ネルギー効率が低いことが挙げられる。このため、この
エネルギー効率の向上が望まれていた。
【０００５】従って、この発明の目的は、紫外光の照射
により多結晶半導体薄膜の熱処理を行う際のエネルギー
効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を
提供することにある。
により多結晶半導体薄膜の熱処理を行う際のエネルギー
効率の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】エキシマーレーザーによ
る紫外域のパルスレーザービームをSi表面に照射した場
合、このパルスレーザービームのエネルギーのほとんど
はSi表面での反射により失われてしまう。従って、エネ
ルギー効率の向上を図るためには、この反射によるエネ
ルギー損失を少なくすることが最も有効な方法であると
考えられる。
る紫外域のパルスレーザービームをSi表面に照射した場
合、このパルスレーザービームのエネルギーのほとんど
はSi表面での反射により失われてしまう。従って、エネ
ルギー効率の向上を図るためには、この反射によるエネ
ルギー損失を少なくすることが最も有効な方法であると
考えられる。
【０００７】この発明は、以上の検討に基づいて案出さ
れたものである。
れたものである。
【０００８】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明は、絶縁基板上に多結晶半導体薄膜を形成する工
程と、多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を
有するとともに、表面に紫外光を照射したときの反射率
を低減する反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜を
介して多結晶半導体薄膜に紫外光を照射する工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
の発明は、絶縁基板上に多結晶半導体薄膜を形成する工
程と、多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を
有するとともに、表面に紫外光を照射したときの反射率
を低減する反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜を
介して多結晶半導体薄膜に紫外光を照射する工程とを有
することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【０００９】反射防止膜としては、使用する紫外光に対
して透過性を有するとともに、表面に紫外光を照射した
ときの反射率を低減するものならばどのようなものを用
いることも可能であるが、具体的には例えばSiＯ2 膜や
SiＮ膜やSiＯＮ膜などが用いられる。また、この反射防
止膜の膜厚は、多結晶半導体薄膜の表面の反射率低減の
効果が最も大きくなるように選ばれるのが好ましく、具
体的には例えば２００〜８００Åの範囲内に選ばれる。
して透過性を有するとともに、表面に紫外光を照射した
ときの反射率を低減するものならばどのようなものを用
いることも可能であるが、具体的には例えばSiＯ2 膜や
SiＮ膜やSiＯＮ膜などが用いられる。また、この反射防
止膜の膜厚は、多結晶半導体薄膜の表面の反射率低減の
効果が最も大きくなるように選ばれるのが好ましく、具
体的には例えば２００〜８００Åの範囲内に選ばれる。
【００１０】絶縁基板は、例えば、表面がSiＯ2 膜など
の絶縁膜により覆われたSi基板や石英基板やガラス基板
などである。
の絶縁膜により覆われたSi基板や石英基板やガラス基板
などである。
【００１１】紫外光としては、パルスレーザービームが
好適に用いられるが、連続発振のレーザービームを用い
ることも可能である。パルスレーザービームとしては、
例えば希ガスハライドエキシマーレーザーによる紫外域
のパルスレーザービームを用いることができる。具体的
には、例えばXeClエキシマーレーザーによるパルスレー
ザービーム（波長３０８ｎｍ）、XeＦエキシマーレーザ
ーによるパルスレーザービーム（波長３５１ｎｍ）、Kr
Ｆエキシマーレーザーによるパルスレーザービーム（波
長２４８ｎｍ）などを用いることができる。
好適に用いられるが、連続発振のレーザービームを用い
ることも可能である。パルスレーザービームとしては、
例えば希ガスハライドエキシマーレーザーによる紫外域
のパルスレーザービームを用いることができる。具体的
には、例えばXeClエキシマーレーザーによるパルスレー
ザービーム（波長３０８ｎｍ）、XeＦエキシマーレーザ
ーによるパルスレーザービーム（波長３５１ｎｍ）、Kr
Ｆエキシマーレーザーによるパルスレーザービーム（波
長２４８ｎｍ）などを用いることができる。
【００１２】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を有
するとともに、表面に紫外光を照射したときの反射率を
低減する反射防止膜を形成することにより、多結晶半導
体薄膜の表面による紫外光の反射率は、この反射防止膜
を形成しない場合に比べて実効的に小さくなる。そし
て、この反射防止膜を介して多結晶半導体薄膜に紫外光
を照射することにより、多結晶半導体薄膜の表面での紫
外光の反射によるエネルギー損失が少なくなる。これに
よって、紫外光の照射により多結晶半導体薄膜の熱処理
を行う際のエネルギー効率の向上を図ることができる。
また、この熱処理時に多結晶半導体薄膜の表面が反射防
止膜により覆われていることは、この多結晶半導体薄膜
の表面への異物の付着などによる汚染を防止する観点か
ら有利である。
ば、多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を有
するとともに、表面に紫外光を照射したときの反射率を
低減する反射防止膜を形成することにより、多結晶半導
体薄膜の表面による紫外光の反射率は、この反射防止膜
を形成しない場合に比べて実効的に小さくなる。そし
て、この反射防止膜を介して多結晶半導体薄膜に紫外光
を照射することにより、多結晶半導体薄膜の表面での紫
外光の反射によるエネルギー損失が少なくなる。これに
よって、紫外光の照射により多結晶半導体薄膜の熱処理
を行う際のエネルギー効率の向上を図ることができる。
また、この熱処理時に多結晶半導体薄膜の表面が反射防
止膜により覆われていることは、この多結晶半導体薄膜
の表面への異物の付着などによる汚染を防止する観点か
ら有利である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。この実施形態は、ア
クティブマトリクス方式の液晶ディスプレイの画素スイ
ッチング素子などとして用いられる多結晶Si薄膜を用い
た薄膜トランジスタ（多結晶Si ＴＦＴ）の製造に適用
して好適な多結晶Si薄膜の熱処理方法である。
いて図面を参照しながら説明する。この実施形態は、ア
クティブマトリクス方式の液晶ディスプレイの画素スイ
ッチング素子などとして用いられる多結晶Si薄膜を用い
た薄膜トランジスタ（多結晶Si ＴＦＴ）の製造に適用
して好適な多結晶Si薄膜の熱処理方法である。
【００１４】図１は、この発明の一実施形態による多結
晶Si薄膜の熱処理方法を工程順に示す。
晶Si薄膜の熱処理方法を工程順に示す。
【００１５】この実施形態においては、図１Ａに示すよ
うに、まず、石英基板やガラス基板などの基板１の上に
例えば低圧ＣＶＤ法により例えば６００℃程度の低温で
例えば膜厚が８００Å程度の多結晶Si薄膜２を形成す
る。この低圧ＣＶＤ法により形成された多結晶Si薄膜２
中の結晶粒の粒径は一般に小さく、例えば１００〜２０
０Å程度である。次に、この多結晶Si薄膜２に例えばSi
を例えばドーズ量１．５×１０15／ｃｍ2 、エネルギー
４０ｋｅＶ程度の条件でイオン注入することによりこの
多結晶Si薄膜２を非晶質化した後、引き続いて不純物と
して例えばホウ素（Ｂ）を例えばドーズ量５×１０15／
ｃｍ2 、エネルギー１５ｋｅＶ程度の条件でイオン注入
する。これによって、図１Ｂに示すように、Ｂがドープ
された非晶質Si薄膜３が形成される。
うに、まず、石英基板やガラス基板などの基板１の上に
例えば低圧ＣＶＤ法により例えば６００℃程度の低温で
例えば膜厚が８００Å程度の多結晶Si薄膜２を形成す
る。この低圧ＣＶＤ法により形成された多結晶Si薄膜２
中の結晶粒の粒径は一般に小さく、例えば１００〜２０
０Å程度である。次に、この多結晶Si薄膜２に例えばSi
を例えばドーズ量１．５×１０15／ｃｍ2 、エネルギー
４０ｋｅＶ程度の条件でイオン注入することによりこの
多結晶Si薄膜２を非晶質化した後、引き続いて不純物と
して例えばホウ素（Ｂ）を例えばドーズ量５×１０15／
ｃｍ2 、エネルギー１５ｋｅＶ程度の条件でイオン注入
する。これによって、図１Ｂに示すように、Ｂがドープ
された非晶質Si薄膜３が形成される。
【００１６】次に、このＢドープの非晶質Si薄膜３を例
えば窒素（Ｎ2 ）雰囲気中において例えば６００℃程度
の低温で例えば３０時間程度アニールすることにより固
相成長を行う。これによって、図１Ｃに示すように、結
晶粒径が例えば１μｍ程度以上と極めて大きいｐ型の多
結晶Si薄膜４が形成される。
えば窒素（Ｎ2 ）雰囲気中において例えば６００℃程度
の低温で例えば３０時間程度アニールすることにより固
相成長を行う。これによって、図１Ｃに示すように、結
晶粒径が例えば１μｍ程度以上と極めて大きいｐ型の多
結晶Si薄膜４が形成される。
【００１７】次に、図１Ｄに示すように、この多結晶Si
薄膜４上に例えばＣＶＤ法により例えば膜厚が５００Å
程度のSiＯ2 膜５を形成した後、このSiＯ2 膜５を介し
て多結晶Si薄膜４に例えばXeClエキシマーレーザーによ
る波長３０８ｎｍのパルスレーザービーム６を照射す
る。このパルスレーザービーム６のエネルギー密度は、
例えば２００〜３００ｍＪ／ｃｍ2 程度である。また、
パルス幅は例えば６０ｎｓ程度である。このパルスレー
ザービーム６の照射により多結晶Si薄膜４は瞬間的に高
温に加熱され、この加熱によるアニールの効果でこの多
結晶Si薄膜４中の残留結晶欠陥が低減するとともに、注
入不純物の電気的活性化がほぼ完全に行われる。これに
よって、低抵抗のｐ型の多結晶Si薄膜４が得られる。
薄膜４上に例えばＣＶＤ法により例えば膜厚が５００Å
程度のSiＯ2 膜５を形成した後、このSiＯ2 膜５を介し
て多結晶Si薄膜４に例えばXeClエキシマーレーザーによ
る波長３０８ｎｍのパルスレーザービーム６を照射す
る。このパルスレーザービーム６のエネルギー密度は、
例えば２００〜３００ｍＪ／ｃｍ2 程度である。また、
パルス幅は例えば６０ｎｓ程度である。このパルスレー
ザービーム６の照射により多結晶Si薄膜４は瞬間的に高
温に加熱され、この加熱によるアニールの効果でこの多
結晶Si薄膜４中の残留結晶欠陥が低減するとともに、注
入不純物の電気的活性化がほぼ完全に行われる。これに
よって、低抵抗のｐ型の多結晶Si薄膜４が得られる。
【００１８】図２は、SiＯ2 膜５が形成された多結晶Si
薄膜４とSiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４
とについて反射率の波長依存性を示したものである。図
２に示すように、XeClエキシマーレーザーによるパルス
レーザービーム６の波長３０８ｎｍで比べた場合、SiＯ
2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４の反射率は約
６２％であるのに対し、膜厚が５００ÅのSiＯ2 膜５が
形成された多結晶Si薄膜４の反射率は約３６．５％であ
る。すなわち、SiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si
薄膜５の反射率に比べて、膜厚が５００ÅのSiＯ2 膜５
が形成された多結晶Si薄膜５の反射率は約２５．５％も
低いことがわかる。
薄膜４とSiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４
とについて反射率の波長依存性を示したものである。図
２に示すように、XeClエキシマーレーザーによるパルス
レーザービーム６の波長３０８ｎｍで比べた場合、SiＯ
2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４の反射率は約
６２％であるのに対し、膜厚が５００ÅのSiＯ2 膜５が
形成された多結晶Si薄膜４の反射率は約３６．５％であ
る。すなわち、SiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si
薄膜５の反射率に比べて、膜厚が５００ÅのSiＯ2 膜５
が形成された多結晶Si薄膜５の反射率は約２５．５％も
低いことがわかる。
【００１９】図３は、SiＯ2 膜５が形成された多結晶Si
薄膜４とSiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４
とについてパルスレーザービーム６による熱処理を行っ
た後のシート抵抗のパルスレーザービーム６のエネルギ
ー密度依存性を示したものである。図３に示すように、
SiＯ2 膜５が形成された多結晶Si薄膜４では、SiＯ2膜
５が形成されていない多結晶Si薄膜４に比べて、同一の
シート抵抗値を得るために必要なエネルギー密度は約１
００ｍＪ／ｃｍ2 程度も小さくなっている。すなわち、
多結晶Si薄膜４上にSiＯ2 膜５を形成した状態でパルス
レーザービーム６を照射して熱処理を行うことにより、
約１００ｍＪ／ｃｍ2 程度もエネルギーを節約すること
ができることがわかる。これは、上述のように膜厚が５
００ÅのSiＯ2 膜５が形成された多結晶Si薄膜４の反射
率がSiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４の反
射率に比べて約２５．５％も低いことに対応するもので
ある。また、図３より、SiＯ2 膜５が形成された多結晶
Si薄膜４では、約３００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギー密度
で約１００Ω／□程度の低いシート抵抗が得られること
がわかる。
薄膜４とSiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４
とについてパルスレーザービーム６による熱処理を行っ
た後のシート抵抗のパルスレーザービーム６のエネルギ
ー密度依存性を示したものである。図３に示すように、
SiＯ2 膜５が形成された多結晶Si薄膜４では、SiＯ2膜
５が形成されていない多結晶Si薄膜４に比べて、同一の
シート抵抗値を得るために必要なエネルギー密度は約１
００ｍＪ／ｃｍ2 程度も小さくなっている。すなわち、
多結晶Si薄膜４上にSiＯ2 膜５を形成した状態でパルス
レーザービーム６を照射して熱処理を行うことにより、
約１００ｍＪ／ｃｍ2 程度もエネルギーを節約すること
ができることがわかる。これは、上述のように膜厚が５
００ÅのSiＯ2 膜５が形成された多結晶Si薄膜４の反射
率がSiＯ2 膜５が形成されていない多結晶Si薄膜４の反
射率に比べて約２５．５％も低いことに対応するもので
ある。また、図３より、SiＯ2 膜５が形成された多結晶
Si薄膜４では、約３００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギー密度
で約１００Ω／□程度の低いシート抵抗が得られること
がわかる。
【００２０】以上のように、この実施形態によれば、Ｂ
ドープの多結晶Si薄膜４上にSiＯ2膜５を形成した状態
でこのSiＯ2 膜５を介して多結晶Si薄膜４に紫外域のパ
ルスレーザービーム６を照射することにより熱処理を行
っているので、この多結晶Si薄膜４の表面でのパルスレ
ーザービーム６の反射によるエネルギー損失が少なくな
り、従ってこのパルスレーザービーム６による多結晶Si
薄膜４の熱処理を行う際のエネルギー効率を高くするこ
とができる。そして、これによって、パルスレーザービ
ーム６による大面積照射が実現可能となる。また、小さ
なエネルギー密度でシート抵抗が低い多結晶Si薄膜４を
得ることができる。さらに、パルスレーザービーム６に
よる熱処理時に多結晶Si薄膜４の表面がSiＯ2 膜５によ
り覆われているので、この多結晶Si薄膜４の表面が異物
の付着などにより汚染されるのを防止することができ
る。さらにまた、この実施形態における膜形成や熱処理
などはいずれも低温プロセスで行っているため、基板１
として例えば低融点のガラス基板などを用いることが可
能となる。
ドープの多結晶Si薄膜４上にSiＯ2膜５を形成した状態
でこのSiＯ2 膜５を介して多結晶Si薄膜４に紫外域のパ
ルスレーザービーム６を照射することにより熱処理を行
っているので、この多結晶Si薄膜４の表面でのパルスレ
ーザービーム６の反射によるエネルギー損失が少なくな
り、従ってこのパルスレーザービーム６による多結晶Si
薄膜４の熱処理を行う際のエネルギー効率を高くするこ
とができる。そして、これによって、パルスレーザービ
ーム６による大面積照射が実現可能となる。また、小さ
なエネルギー密度でシート抵抗が低い多結晶Si薄膜４を
得ることができる。さらに、パルスレーザービーム６に
よる熱処理時に多結晶Si薄膜４の表面がSiＯ2 膜５によ
り覆われているので、この多結晶Si薄膜４の表面が異物
の付着などにより汚染されるのを防止することができ
る。さらにまた、この実施形態における膜形成や熱処理
などはいずれも低温プロセスで行っているため、基板１
として例えば低融点のガラス基板などを用いることが可
能となる。
【００２１】また、この実施形態によれば、多結晶Si
ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域を低抵抗とするこ
とができるなどの利点もある。
ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域を低抵抗とするこ
とができるなどの利点もある。
【００２２】以上、この発明の一実施形態につき具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００２３】例えば、上述の実施形態においては、不純
物としてＢがドープされた多結晶Si薄膜４の熱処理を行
う場合にこの発明を適用した場合について説明したが、
この発明は、不純物として例えばリン（Ｐ）がドープさ
れた多結晶Si薄膜の熱処理を行う場合にも適用すること
が可能であることは勿論、ノンドープの多結晶Si薄膜の
熱処理を行う場合にもこの発明を適用することが可能で
ある。また、これらの不純物のドーズ量及び注入エネル
ギーは、上述の実施形態で用いた数値に限定されるもの
ではない。さらに、上述の実施形態においては、多結晶
Si薄膜２にSiをイオン注入することにより非晶質Si薄膜
３を形成しているが、例えば低圧ＣＶＤ法やプラズマＣ
ＶＤ法などによりｎ型またはｐ型の不純物がドープされ
た非晶質Si薄膜を直接形成することも可能である。
物としてＢがドープされた多結晶Si薄膜４の熱処理を行
う場合にこの発明を適用した場合について説明したが、
この発明は、不純物として例えばリン（Ｐ）がドープさ
れた多結晶Si薄膜の熱処理を行う場合にも適用すること
が可能であることは勿論、ノンドープの多結晶Si薄膜の
熱処理を行う場合にもこの発明を適用することが可能で
ある。また、これらの不純物のドーズ量及び注入エネル
ギーは、上述の実施形態で用いた数値に限定されるもの
ではない。さらに、上述の実施形態においては、多結晶
Si薄膜２にSiをイオン注入することにより非晶質Si薄膜
３を形成しているが、例えば低圧ＣＶＤ法やプラズマＣ
ＶＤ法などによりｎ型またはｐ型の不純物がドープされ
た非晶質Si薄膜を直接形成することも可能である。
【００２４】また、上述の実施形態においては、この発
明を多結晶Si薄膜の熱処理に適用した場合について説明
したが、この発明は、多結晶Si薄膜以外の他の半導体薄
膜の熱処理を行う場合に適用することも可能である。
明を多結晶Si薄膜の熱処理に適用した場合について説明
したが、この発明は、多結晶Si薄膜以外の他の半導体薄
膜の熱処理を行う場合に適用することも可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を有する
とともに、表面に紫外光を照射したときの反射率を低減
する反射防止膜を形成し、この反射防止膜を介して多結
晶半導体薄膜に紫外光を照射するようにしているので、
多結晶半導体薄膜の表面での紫外光の反射によるエネル
ギー損失を少なくすることができ、これによって紫外光
の照射により多結晶半導体薄膜の熱処理を行う際のエネ
ルギー効率の向上を図ることができる。
多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を有する
とともに、表面に紫外光を照射したときの反射率を低減
する反射防止膜を形成し、この反射防止膜を介して多結
晶半導体薄膜に紫外光を照射するようにしているので、
多結晶半導体薄膜の表面での紫外光の反射によるエネル
ギー損失を少なくすることができ、これによって紫外光
の照射により多結晶半導体薄膜の熱処理を行う際のエネ
ルギー効率の向上を図ることができる。
【図１】この発明の一実施形態による多結晶Si薄膜の熱
処理方法を工程順に示す断面図である。
処理方法を工程順に示す断面図である。
【図２】SiＯ2 膜が形成された多結晶Si薄膜とSiＯ2 膜
が形成されていない多結晶Si薄膜とについての反射率の
波長依存性を示すグラフである。
が形成されていない多結晶Si薄膜とについての反射率の
波長依存性を示すグラフである。
【図３】SiＯ2 膜が形成された多結晶Si薄膜とSiＯ2 膜
が形成されていない多結晶Si薄膜とについてパルスレー
ザービームによる熱処理を行った後のシート抵抗のパル
スレーザービームのエネルギー密度依存性を示すグラフ
である。
が形成されていない多結晶Si薄膜とについてパルスレー
ザービームによる熱処理を行った後のシート抵抗のパル
スレーザービームのエネルギー密度依存性を示すグラフ
である。
１・・・基板、２、４・・・多結晶Si薄膜、３・・・非
晶質Si薄膜、５・・・SiＯ2 膜、６・・・パルスレーザ
ービーム
晶質Si薄膜、５・・・SiＯ2 膜、６・・・パルスレーザ
ービーム
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板上に多結晶半導体薄膜を形成す
る工程と、 上記多結晶半導体薄膜上に、紫外光に対して透過性を有
するとともに、表面に紫外光を照射したときの反射率を
低減する反射防止膜を形成する工程と、 上記反射防止膜を介して上記多結晶半導体薄膜に紫外光
を照射する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 上記紫外光を照射する工程によって、上
記多結晶半導体薄膜中の結晶欠陥を低減することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記多結晶半導体薄膜が、不純物がドー
プされた多結晶半導体薄膜であって、上記紫外光を照射
する工程によって、ドープされた不純物の活性化が行わ
れることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 上記多結晶半導体薄膜が、非晶質半導体
薄膜を固相成長させることにより形成されたことを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記反射防止膜が２００〜８００Åの膜
厚を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23429698A JPH11121375A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22500389A JPH0388322A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 熱処理方法 |
| JP23429698A JPH11121375A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22500389A Division JPH0388322A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121375A true JPH11121375A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=16822558
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22500389A Pending JPH0388322A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 熱処理方法 |
| JP23429698A Pending JPH11121375A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
| JP23429798A Pending JPH11121376A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22500389A Pending JPH0388322A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 熱処理方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23429798A Pending JPH11121376A (ja) | 1989-08-31 | 1998-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JPH0388322A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004153258A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Hewlett-Packard Development Co Lp | トンネル接合素子のトンネル障壁層を処理する方法 |
| KR101321538B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2013-10-25 | 엘지전자 주식회사 | 벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| US8617947B2 (en) | 2011-04-27 | 2013-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP22500389A patent/JPH0388322A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-20 JP JP23429698A patent/JPH11121375A/ja active Pending
- 1998-08-20 JP JP23429798A patent/JPH11121376A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004153258A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Hewlett-Packard Development Co Lp | トンネル接合素子のトンネル障壁層を処理する方法 |
| KR101321538B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2013-10-25 | 엘지전자 주식회사 | 벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| US8617947B2 (en) | 2011-04-27 | 2013-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0388322A (ja) | 1991-04-12 |
| JPH11121376A (ja) | 1999-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6077758A (en) | Method of crystallizing thin films when manufacturing semiconductor devices | |
| JP4026182B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、および電子機器の製造方法 | |
| JP3254072B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| US6309917B1 (en) | Thin film transistor manufacturing method and thin film transistor | |
| TW515101B (en) | Method for fabrication of field-effect transistor | |
| JPH01187814A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH07131034A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPH02148831A (ja) | レーザアニール方法及び薄膜半導体装置 | |
| JPS6235571A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3840697B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH11121375A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0936376A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| US6099918A (en) | Method of preparing a poly-crystalline silicon film | |
| JPH04340725A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH08139331A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3210313B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の特性改善方法 | |
| JP2005136138A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、表示装置の製造方法、および表示装置 | |
| JP4123410B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP4200530B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH04340724A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3460962B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0773094B2 (ja) | 結晶性半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2771812B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09330879A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| JP2725669B2 (ja) | 半導体装置の製法 |