JPH11109376A - 液晶表示素子 - Google Patents
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- JPH11109376A JPH11109376A JP9273162A JP27316297A JPH11109376A JP H11109376 A JPH11109376 A JP H11109376A JP 9273162 A JP9273162 A JP 9273162A JP 27316297 A JP27316297 A JP 27316297A JP H11109376 A JPH11109376 A JP H11109376A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示素子のセル厚分布不良を防ぐ。
【解決手段】 シール材領域において層間絶縁膜１０４
の下にある部材１０８のうち、シール材１０４の辺に沿
う方向に隣接する部材１０８との間隔が１００μｍ以上
であってその段差が０．５μｍより大きいものがある場
合に、その部材１０８とその隣接する部材１０８との間
に両部材のいずれか一方と略同じ厚みのダミー部材１０
９、１１０、１１１、１１２を設ける。
の下にある部材１０８のうち、シール材１０４の辺に沿
う方向に隣接する部材１０８との間隔が１００μｍ以上
であってその段差が０．５μｍより大きいものがある場
合に、その部材１０８とその隣接する部材１０８との間
に両部材のいずれか一方と略同じ厚みのダミー部材１０
９、１１０、１１１、１１２を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
タやワードプロセッサなどに用いられる液晶表示素子に
関するものである。
タやワードプロセッサなどに用いられる液晶表示素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子として、アクティブ
マトリクス型のものが知られている。このアクティブマ
トリクス型液晶表示素子は、薄膜トランジスタ（以下Ｔ
ＦＴと称する）等のスイッチング素子や画素電極がマト
リクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、カ
ラーフィルタ（以下ＣＦと称する）や対向電極が設けら
れた対向基板とを備えており、表示媒体としての液晶層
を間に挟んで対向配置された両基板が、その周囲をシー
ル材により所定の間隙で貼り合わせられた構成を有す
る。
マトリクス型のものが知られている。このアクティブマ
トリクス型液晶表示素子は、薄膜トランジスタ（以下Ｔ
ＦＴと称する）等のスイッチング素子や画素電極がマト
リクス状に設けられたアクティブマトリクス基板と、カ
ラーフィルタ（以下ＣＦと称する）や対向電極が設けら
れた対向基板とを備えており、表示媒体としての液晶層
を間に挟んで対向配置された両基板が、その周囲をシー
ル材により所定の間隙で貼り合わせられた構成を有す
る。
【０００３】従来、このアクティブマトリクス基板とし
て、ＴＦＴ、ＴＦＴを制御する走査信号を与えるゲート
信号線および表示信号を与えるためのソース信号線を覆
うように層間絶縁膜を設けて、その層間絶縁膜の上に画
素電極を設けることにより、画素電極とＴＦＴ、画素電
極とゲート信号線、および画素電極とソース信号線を重
畳させた構成のものが知られている。この構成によれ
ば、ＴＦＴ、ゲート信号線およびソース信号線を除く部
分を全て表示開口部とすることができるので、非常に明
るい表示状態を得ることができる。
て、ＴＦＴ、ＴＦＴを制御する走査信号を与えるゲート
信号線および表示信号を与えるためのソース信号線を覆
うように層間絶縁膜を設けて、その層間絶縁膜の上に画
素電極を設けることにより、画素電極とＴＦＴ、画素電
極とゲート信号線、および画素電極とソース信号線を重
畳させた構成のものが知られている。この構成によれ
ば、ＴＦＴ、ゲート信号線およびソース信号線を除く部
分を全て表示開口部とすることができるので、非常に明
るい表示状態を得ることができる。
【０００４】この層間絶縁膜は、膜厚０．３μｍ程度の
ゲート信号線、膜厚０．３μｍ程度のソース信号線およ
び高さ１μｍ程度のＴＦＴの表面を平坦化し、かつ、画
素電極とゲート信号線との寄生容量および画素電極とソ
ース信号線との寄生容量を小さくする必要がある。この
層間絶縁膜は、通常、誘電率ε＝４前後のアクリル系感
光樹脂をスピンコート法で基板に塗布することにより形
成され、上記条件を満足させるためには、層間絶縁膜の
膜厚を３μｍ以上にする必要がある。
ゲート信号線、膜厚０．３μｍ程度のソース信号線およ
び高さ１μｍ程度のＴＦＴの表面を平坦化し、かつ、画
素電極とゲート信号線との寄生容量および画素電極とソ
ース信号線との寄生容量を小さくする必要がある。この
層間絶縁膜は、通常、誘電率ε＝４前後のアクリル系感
光樹脂をスピンコート法で基板に塗布することにより形
成され、上記条件を満足させるためには、層間絶縁膜の
膜厚を３μｍ以上にする必要がある。
【０００５】一方、スピンコート法による膜厚の制御は
通常±５％程度が限界であるので、平均３μｍの膜厚に
設定したときには最大で０．３μｍの膜厚ばらつきが生
じる。ここで、シール材に接する部分（以下シール材領
域と称する）の層間絶縁膜を除去すると直接０．３μｍ
のセル厚異常につながり、この０．３μｍという値は液
晶表示素子の製造工程におけるセル厚分布の工程マージ
ン０．５μｍに対して６割にも相当するので、工程管理
が困難になる。このため、通常はシール材領域にも層間
絶縁膜を残しておく。この場合、上記層間絶縁膜の膜厚
ばらつきは層間絶縁膜の面内でブロードに発生している
ため、アクティブマトリクス基板と対向基板との間にス
ペーサーを介して均一なセル厚を得ることができる。
通常±５％程度が限界であるので、平均３μｍの膜厚に
設定したときには最大で０．３μｍの膜厚ばらつきが生
じる。ここで、シール材に接する部分（以下シール材領
域と称する）の層間絶縁膜を除去すると直接０．３μｍ
のセル厚異常につながり、この０．３μｍという値は液
晶表示素子の製造工程におけるセル厚分布の工程マージ
ン０．５μｍに対して６割にも相当するので、工程管理
が困難になる。このため、通常はシール材領域にも層間
絶縁膜を残しておく。この場合、上記層間絶縁膜の膜厚
ばらつきは層間絶縁膜の面内でブロードに発生している
ため、アクティブマトリクス基板と対向基板との間にス
ペーサーを介して均一なセル厚を得ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の液晶
表示素子において、アクティブマトリクス基板または対
向基板上のＴＦＴ、電極、配線、ＣＦ等により基板表面
に凹凸が生じ、これを覆う平坦化膜を設けない構成では
セル厚分布不良を招くことがある。ここで、これらの凹
凸形状を最適化することによりセル厚分布不良を回避で
きることは従来良く知られており、一般に、規則性のあ
る配線パターンや画素パターン、ＴＦＴパターン等によ
る数μｍ程度の段差ではセル厚分布不良は発生しない。
しかし、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回しパターンや
対向電極端子等のように、規則性のないランダムな形状
でピッチが数ｍｍ程度の大きなものでは、その凹凸形状
に追従変形しようとしてガラス基板が歪むため、セル厚
分布不良が発生してしまう。
表示素子において、アクティブマトリクス基板または対
向基板上のＴＦＴ、電極、配線、ＣＦ等により基板表面
に凹凸が生じ、これを覆う平坦化膜を設けない構成では
セル厚分布不良を招くことがある。ここで、これらの凹
凸形状を最適化することによりセル厚分布不良を回避で
きることは従来良く知られており、一般に、規則性のあ
る配線パターンや画素パターン、ＴＦＴパターン等によ
る数μｍ程度の段差ではセル厚分布不良は発生しない。
しかし、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回しパターンや
対向電極端子等のように、規則性のないランダムな形状
でピッチが数ｍｍ程度の大きなものでは、その凹凸形状
に追従変形しようとしてガラス基板が歪むため、セル厚
分布不良が発生してしまう。
【０００７】上述の層間絶縁膜を用いて開口部を広くす
ると共にアクティブマトリクス基板表面を平坦化した液
晶表示素子においても、基板表面の凹凸形状を完全に平
坦化することはできていない。すなわち、ガラス基板表
面を基準とした層間絶縁膜の表面の高さは、その層間絶
縁膜の下にある凸部によりほぼ決定されるので、最終的
に得られる層間絶縁膜表面の凹凸形状は、その層間絶縁
膜の下にある凹部が層間絶縁膜で埋められるか否かによ
って決定される。特に、シール材領域については、駆動
ＩＣ取り付け用配線の引き回しパターンや対向電極端子
等によりランダムで大きなピッチの凹凸形状が形成され
るため、その上の層間絶縁膜表面の凹凸が激しくなっ
て、セル厚分布不良が発生し易い。さらに、シール材領
域において、シール材の辺に垂直な方向に数μｍ程度の
段差があっても、シール材領域全体にほぼ同様の凹凸形
状があればセル厚分布不良は生じないが、シール材の辺
に沿う方向に凹凸形状があると、ほぼ必ずセル厚分布不
良が生じてしまう。
ると共にアクティブマトリクス基板表面を平坦化した液
晶表示素子においても、基板表面の凹凸形状を完全に平
坦化することはできていない。すなわち、ガラス基板表
面を基準とした層間絶縁膜の表面の高さは、その層間絶
縁膜の下にある凸部によりほぼ決定されるので、最終的
に得られる層間絶縁膜表面の凹凸形状は、その層間絶縁
膜の下にある凹部が層間絶縁膜で埋められるか否かによ
って決定される。特に、シール材領域については、駆動
ＩＣ取り付け用配線の引き回しパターンや対向電極端子
等によりランダムで大きなピッチの凹凸形状が形成され
るため、その上の層間絶縁膜表面の凹凸が激しくなっ
て、セル厚分布不良が発生し易い。さらに、シール材領
域において、シール材の辺に垂直な方向に数μｍ程度の
段差があっても、シール材領域全体にほぼ同様の凹凸形
状があればセル厚分布不良は生じないが、シール材の辺
に沿う方向に凹凸形状があると、ほぼ必ずセル厚分布不
良が生じてしまう。
【０００８】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、セル厚分布不良を防ぐこ
とができる液晶表示素子を提供することを目的とする。
決すべくなされたものであり、セル厚分布不良を防ぐこ
とができる液晶表示素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基板が、
その周囲をシール材により所定の間隙で貼り合わせられ
ている液晶表示素子において、該一対の基板のうちの一
方の基板における該シール材と接する領域にある部材
が、その段差を０．５μｍ以下にしてあり、該シール材
と接する領域よりも基板中央部側にある表示領域に設け
られた層間絶縁膜が各部材を覆うように延在し、該層間
絶縁膜の上に該シール材が設けられており、そのことに
より上記目的が達成される。
は、液晶層を間に挟んで対向配設される一対の基板が、
その周囲をシール材により所定の間隙で貼り合わせられ
ている液晶表示素子において、該一対の基板のうちの一
方の基板における該シール材と接する領域にある部材
が、その段差を０．５μｍ以下にしてあり、該シール材
と接する領域よりも基板中央部側にある表示領域に設け
られた層間絶縁膜が各部材を覆うように延在し、該層間
絶縁膜の上に該シール材が設けられており、そのことに
より上記目的が達成される。
【００１０】本発明の液晶表示素子は、液晶層を間に挟
んで対向配設される一対の基板が、その周囲をシール材
により所定の間隙で貼り合わせられている液晶表示素子
において、該一対の基板のうちの一方の基板における該
シール材と接する領域にある部材のうち、該シール材の
辺に沿う方向に隣接するもの同士の間隔を１００μｍよ
り小さくしてあり、該シール材と接する領域よりも基板
中央部側にある表示領域に設けられた層間絶縁膜が各部
材を覆うように延在し、該層間絶縁膜の上に該シール材
が設けられており、そのことにより上記目的が達成され
る。
んで対向配設される一対の基板が、その周囲をシール材
により所定の間隙で貼り合わせられている液晶表示素子
において、該一対の基板のうちの一方の基板における該
シール材と接する領域にある部材のうち、該シール材の
辺に沿う方向に隣接するもの同士の間隔を１００μｍよ
り小さくしてあり、該シール材と接する領域よりも基板
中央部側にある表示領域に設けられた層間絶縁膜が各部
材を覆うように延在し、該層間絶縁膜の上に該シール材
が設けられており、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００１１】本発明の液晶表示素子は、液晶層を間に挟
んで対向配設される一対の基板が、その周囲をシール材
により所定の間隙で貼り合わせられている液晶表示素子
において、該一対の基板のうちの一方の基板における該
シール材と接する領域にある部材のうち、該シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
のものの段差を０．５μｍ以下にしてあり、該シール材
と接する領域よりも基板中央部側にある表示領域に設け
られた層間絶縁膜が各部材を覆うように延在し、該層間
絶縁膜の上に該シール材が設けられており、そのことに
より上記目的が達成される。
んで対向配設される一対の基板が、その周囲をシール材
により所定の間隙で貼り合わせられている液晶表示素子
において、該一対の基板のうちの一方の基板における該
シール材と接する領域にある部材のうち、該シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
のものの段差を０．５μｍ以下にしてあり、該シール材
と接する領域よりも基板中央部側にある表示領域に設け
られた層間絶縁膜が各部材を覆うように延在し、該層間
絶縁膜の上に該シール材が設けられており、そのことに
より上記目的が達成される。
【００１２】本発明の液晶表示素子は、液晶層を間に挟
んで対向配設される一対の基板が、その周囲をシール材
により所定の間隙で貼り合わせられている液晶表示素子
において、該一対の基板のうちの一方の基板における該
シール材と接する領域にある部材のうち、該シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
であってその段差が０．５μｍより大きいものがあり、
その段差が０．５μｍより大きい部材と１００μｍ以上
の間隔で隣接する部材との間に両部材のいずれか一方と
略同じ厚みのダミー部材が１つまたは２つ以上設けら
れ、該シール材と接する領域よりも基板中央部側にある
表示領域に設けられた層間絶縁膜が各部材および該ダミ
ー部材を覆うように延在し、該層間絶縁膜の上に該シー
ル材が設けられており、そのことにより上記目的が達成
される。
んで対向配設される一対の基板が、その周囲をシール材
により所定の間隙で貼り合わせられている液晶表示素子
において、該一対の基板のうちの一方の基板における該
シール材と接する領域にある部材のうち、該シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
であってその段差が０．５μｍより大きいものがあり、
その段差が０．５μｍより大きい部材と１００μｍ以上
の間隔で隣接する部材との間に両部材のいずれか一方と
略同じ厚みのダミー部材が１つまたは２つ以上設けら
れ、該シール材と接する領域よりも基板中央部側にある
表示領域に設けられた層間絶縁膜が各部材および該ダミ
ー部材を覆うように延在し、該層間絶縁膜の上に該シー
ル材が設けられており、そのことにより上記目的が達成
される。
【００１３】前記層間絶縁膜の厚みが３μｍ以上であっ
てもよい。
てもよい。
【００１４】なお、本発明において、一方の基板のシー
ル材と接する領域にある部材の「段差」とは、その表面
に発生する凹凸形状の差のことを称するものとする。
ル材と接する領域にある部材の「段差」とは、その表面
に発生する凹凸形状の差のことを称するものとする。
【００１５】以下に、本発明の作用について説明する。
【００１６】請求項１に記載の本発明にあっては、シー
ル材と接する領域（シール材領域）において層間絶縁膜
の下にある部材が、その段差を０．５μｍ以下にしてあ
るので、層間絶縁膜の下の凹凸の段差を０．５μｍ以下
にすることができる。これにより、層間絶縁膜表面の凹
凸の段差をセル厚の管理基準である０．５μｍ以下にす
ることができる。
ル材と接する領域（シール材領域）において層間絶縁膜
の下にある部材が、その段差を０．５μｍ以下にしてあ
るので、層間絶縁膜の下の凹凸の段差を０．５μｍ以下
にすることができる。これにより、層間絶縁膜表面の凹
凸の段差をセル厚の管理基準である０．５μｍ以下にす
ることができる。
【００１７】請求項２に記載の本発明にあっては、シー
ル材領域において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シ
ール材の辺に沿う方向に隣接するもの同士の間隔を１０
０μｍより小さくしてあるので、層間絶縁膜の下にある
凹凸の凹部の幅を１００μｍより小さくすることができ
る。これにより、その凹部を埋めて層間絶縁膜表面を平
坦化することができる。
ル材領域において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シ
ール材の辺に沿う方向に隣接するもの同士の間隔を１０
０μｍより小さくしてあるので、層間絶縁膜の下にある
凹凸の凹部の幅を１００μｍより小さくすることができ
る。これにより、その凹部を埋めて層間絶縁膜表面を平
坦化することができる。
【００１８】請求項３に記載の本発明にあっては、シー
ル材領域において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シ
ール材の辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００
μｍ以上のものの段差を０．５μｍ以下にしてある。層
間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の幅が１００μｍより小
さい場合には凹部を埋めて平坦化することができるが、
層間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の幅が１００μｍ以上
の場合には凹部を埋めることはできず、層間絶縁膜表面
に凹部の形状が反映されて現れる。そこで、層間絶縁膜
下の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることにより、層
間絶縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管理基準である
０．５μｍ以下にすることができる。
ル材領域において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シ
ール材の辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００
μｍ以上のものの段差を０．５μｍ以下にしてある。層
間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の幅が１００μｍより小
さい場合には凹部を埋めて平坦化することができるが、
層間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の幅が１００μｍ以上
の場合には凹部を埋めることはできず、層間絶縁膜表面
に凹部の形状が反映されて現れる。そこで、層間絶縁膜
下の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることにより、層
間絶縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管理基準である
０．５μｍ以下にすることができる。
【００１９】請求項４に記載の本発明にあっては、シー
ル材領域において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シ
ール材の辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００
μｍ以上であってその段差が０．５μｍより大きいもの
がある場合に、その部材とその隣接する部材との間に両
部材のいずれか一方と略同じ厚みのダミー部材を設けて
ある。これにより、層間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の
幅が１００μｍより小さくなるので、その凹凸の段差が
０．５μｍ以上であっても凹部を埋めて平坦化すること
ができる。ここで、隣接する部材の間に２つ以上のダミ
ー部材を設けてもよい。
ル材領域において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シ
ール材の辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００
μｍ以上であってその段差が０．５μｍより大きいもの
がある場合に、その部材とその隣接する部材との間に両
部材のいずれか一方と略同じ厚みのダミー部材を設けて
ある。これにより、層間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の
幅が１００μｍより小さくなるので、その凹凸の段差が
０．５μｍ以上であっても凹部を埋めて平坦化すること
ができる。ここで、隣接する部材の間に２つ以上のダミ
ー部材を設けてもよい。
【００２０】なお、シール材の辺に垂直な方向に数μｍ
程度の凹凸形状があってもセル厚分布不良が生じにくい
のに対して、シール材の辺方向に凹凸形状があるとセル
厚分布不良が生じ易いので、本発明においては少なくと
もシール材の辺に沿う方向に隣接するもの同士の間隔に
ついての条件を設定している。また、表示領域では配線
パターンや画素パターンに規則性があるのでセル厚分布
不良が発生しにくいのに対して、シール材領域では各部
材による凹凸形状がランダムになってセル厚分布不良が
発生しやすいので、本発明においては少なくともシール
材領域の部材の間隔や表面段差についての条件を設定し
ている。
程度の凹凸形状があってもセル厚分布不良が生じにくい
のに対して、シール材の辺方向に凹凸形状があるとセル
厚分布不良が生じ易いので、本発明においては少なくと
もシール材の辺に沿う方向に隣接するもの同士の間隔に
ついての条件を設定している。また、表示領域では配線
パターンや画素パターンに規則性があるのでセル厚分布
不良が発生しにくいのに対して、シール材領域では各部
材による凹凸形状がランダムになってセル厚分布不良が
発生しやすいので、本発明においては少なくともシール
材領域の部材の間隔や表面段差についての条件を設定し
ている。
【００２１】また、請求項５に記載の本発明にあって
は、層間絶縁膜の厚みを３μｍ以上にすることにより、
表示領域において膜厚０．３μｍ程度のゲート信号線、
膜厚０．３μｍ程度のソース信号線および高さ１μｍ程
度のＴＦＴの表面を平坦化し、かつ、画素電極とゲート
信号線との寄生容量および画素電極とソース信号線との
寄生容量を小さくすることができるので、表示開口部を
大きくすると共に表示品位を良好にすることができる。
は、層間絶縁膜の厚みを３μｍ以上にすることにより、
表示領域において膜厚０．３μｍ程度のゲート信号線、
膜厚０．３μｍ程度のソース信号線および高さ１μｍ程
度のＴＦＴの表面を平坦化し、かつ、画素電極とゲート
信号線との寄生容量および画素電極とソース信号線との
寄生容量を小さくすることができるので、表示開口部を
大きくすると共に表示品位を良好にすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２３】液晶表示素子においてセル厚分布不良を防
ぐためには、基板上の配線や電極等の部材による凹凸を
層間絶縁膜により平坦化して、層間絶縁膜表面の凹凸の
段差をセル厚の管理基準である０．５μｍ以下にする必
要がある。ここで、厚み数μｍ程度の樹脂材料からなる
層間絶縁膜を用いて凹部を埋められるかどうかは、凹部
の深さと広さとに依存している。
ぐためには、基板上の配線や電極等の部材による凹凸を
層間絶縁膜により平坦化して、層間絶縁膜表面の凹凸の
段差をセル厚の管理基準である０．５μｍ以下にする必
要がある。ここで、厚み数μｍ程度の樹脂材料からなる
層間絶縁膜を用いて凹部を埋められるかどうかは、凹部
の深さと広さとに依存している。
【００２４】本発明者らが、層間絶縁膜の下の凹凸の段
差と層間絶縁膜下の凹部の幅とを変化させた場合につい
て、層間絶縁膜表面の凹凸の段差を調べた結果を下記表
１に示す。なお、ここでは、層間絶縁膜として感光性ア
クリル樹脂をスピンコート法により３μｍの膜厚で形成
した。また、凹凸の最大段差は例えばＴＦＴ部分の高さ
である約１μｍとした。
差と層間絶縁膜下の凹部の幅とを変化させた場合につい
て、層間絶縁膜表面の凹凸の段差を調べた結果を下記表
１に示す。なお、ここでは、層間絶縁膜として感光性ア
クリル樹脂をスピンコート法により３μｍの膜厚で形成
した。また、凹凸の最大段差は例えばＴＦＴ部分の高さ
である約１μｍとした。
【００２５】
【表１】
【００２６】この表１に示すように、凹部の幅が約１０
０μｍ以上の場合には凹部を埋めて平坦化することがで
きず、層間絶縁膜表面に凹部の形状が反映されて現れる
が、凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることにより層間
絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることが
できる。また、凹部の幅が１００μｍより小さい場合に
は凹部を埋めて平坦化することができるので、凹凸の段
差が０．５μｍ以上でも層間絶縁膜表面の段差を平坦化
することができる。
０μｍ以上の場合には凹部を埋めて平坦化することがで
きず、層間絶縁膜表面に凹部の形状が反映されて現れる
が、凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることにより層間
絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることが
できる。また、凹部の幅が１００μｍより小さい場合に
は凹部を埋めて平坦化することができるので、凹凸の段
差が０．５μｍ以上でも層間絶縁膜表面の段差を平坦化
することができる。
【００２７】従って、本発明にあっては、シール材領域
の層間絶縁膜の下の凹凸の段差を０．５μｍ以下にする
ために、シール材領域において層間絶縁膜の下にある部
材の表面に発生する凹凸形状（段差）を０．５μｍ以下
にしてある。また、他の本発明にあっては、シール材領
域の層間絶縁膜の下の凹凸の凹部の幅を１００μｍより
小さくするために、シール材領域において層間絶縁膜の
下にある部材のうち、シール材の辺に沿う方向に隣接す
るもの同士の間隔を１００μｍより小さくしてある。ま
た、他の本発明にあっては、シール材領域の層間絶縁膜
の下の凹凸の凹部の幅が１００μｍ以上である場合に凹
凸の段差を０．５μｍ以下にするために、シール材領域
において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
のものの段差を０．５μｍ以下にしてある。これによ
り、層間絶縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管理基準で
ある０．５μｍ以下にすることができる。
の層間絶縁膜の下の凹凸の段差を０．５μｍ以下にする
ために、シール材領域において層間絶縁膜の下にある部
材の表面に発生する凹凸形状（段差）を０．５μｍ以下
にしてある。また、他の本発明にあっては、シール材領
域の層間絶縁膜の下の凹凸の凹部の幅を１００μｍより
小さくするために、シール材領域において層間絶縁膜の
下にある部材のうち、シール材の辺に沿う方向に隣接す
るもの同士の間隔を１００μｍより小さくしてある。ま
た、他の本発明にあっては、シール材領域の層間絶縁膜
の下の凹凸の凹部の幅が１００μｍ以上である場合に凹
凸の段差を０．５μｍ以下にするために、シール材領域
において層間絶縁膜の下にある部材のうち、シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
のものの段差を０．５μｍ以下にしてある。これによ
り、層間絶縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管理基準で
ある０．５μｍ以下にすることができる。
【００２８】さらに、他の本発明にあっては、シール材
領域において層間絶縁膜の下にある部材に、シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
であってその段差が０．５μｍより大きいものがある場
合に、その部材とその隣接する部材との間に両部材のい
ずれか一方と略同じ厚みのダミー部材を１つまたは２つ
以上設ける。これにより、シール材領域の層間絶縁膜の
下の凹部の幅を１００μｍより小さくして、層間絶縁膜
表面の凹凸の段差をセル厚管理基準である０．５μｍ以
下にすることができる。
領域において層間絶縁膜の下にある部材に、シール材の
辺に沿う方向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上
であってその段差が０．５μｍより大きいものがある場
合に、その部材とその隣接する部材との間に両部材のい
ずれか一方と略同じ厚みのダミー部材を１つまたは２つ
以上設ける。これにより、シール材領域の層間絶縁膜の
下の凹部の幅を１００μｍより小さくして、層間絶縁膜
表面の凹凸の段差をセル厚管理基準である０．５μｍ以
下にすることができる。
【００２９】なお、シール材領域において層間絶縁膜の
下にある部材と、シール材の辺に沿う方向に隣接するも
のとの間隔が１００μｍ以上である場合には、両者の段
差が０．５μｍ以下であればダミー部材を設けなくても
層間絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にできる
が、この部分にダミー部材を設けることにより凹部を埋
めてさらに表面を平坦化することができる。
下にある部材と、シール材の辺に沿う方向に隣接するも
のとの間隔が１００μｍ以上である場合には、両者の段
差が０．５μｍ以下であればダミー部材を設けなくても
層間絶縁膜表面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にできる
が、この部分にダミー部材を設けることにより凹部を埋
めてさらに表面を平坦化することができる。
【００３０】このダミー部材は信号入力に関係のない部
材であり、層間絶縁膜よりも先に形成されるゲート信号
線、ソース信号線、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回し
パターンや対向電極端子等の各種部材と同時に形成して
もよく、別途形成してもよい。
材であり、層間絶縁膜よりも先に形成されるゲート信号
線、ソース信号線、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回し
パターンや対向電極端子等の各種部材と同時に形成して
もよく、別途形成してもよい。
【００３１】以下に本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら詳しく説明する。
を参照しながら詳しく説明する。
【００３２】図ｌは本実施形態の液晶表示素子を示す平
面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’部分の断面図であ
り、図３は図１のＡ−Ａ’部分の平面図であり、図４は
アクティブマトリクス基板の表示領域に設けられたＴＦ
Ｔ部分を示す断面図である。
面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’部分の断面図であ
り、図３は図１のＡ−Ａ’部分の平面図であり、図４は
アクティブマトリクス基板の表示領域に設けられたＴＦ
Ｔ部分を示す断面図である。
【００３３】この液晶表示素子は、図１に示すように、
液晶層を間に挟んでアクティブマトリクス基板１０１と
ＣＦ基板１０２とが対向配設され、両基板の周囲がシー
ル材１０３により貼り合わせられている。
液晶層を間に挟んでアクティブマトリクス基板１０１と
ＣＦ基板１０２とが対向配設され、両基板の周囲がシー
ル材１０３により貼り合わせられている。
【００３４】アクティブマトリクス基板１０１のシール
材１０３と接する領域（シール材領域）には、図２およ
び図３に示すように、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回
しパターンや対向電極端子等の信号入力部材１０８が設
けられ、シール材１０３の辺に沿う方向に１００μｍ以
上の間隔で隣接する信号入力部材１０８の間に、いずれ
か一方の信号入力部材１０８とほぼ同じ厚みで、信号入
力に関係の無いダミーパターン１０９、１１０、１１
１、１１２が設けられている。この信号入力部材１０８
とダミーパターン１０９、１１０、１１１、１１２上を
覆うと共に後述する表示領域にまで延在する層間絶縁膜
１０４が設けられ、その層間絶縁膜１０４の上にはシー
ル材１０３が設けられている。このアクティブマトリク
ス基板１０２は、ブラックマトリクス１０５や対向電極
を設けたＣＦ基板１０２と貼り合わせられている。
材１０３と接する領域（シール材領域）には、図２およ
び図３に示すように、駆動ＩＣ取り付け用配線の引き回
しパターンや対向電極端子等の信号入力部材１０８が設
けられ、シール材１０３の辺に沿う方向に１００μｍ以
上の間隔で隣接する信号入力部材１０８の間に、いずれ
か一方の信号入力部材１０８とほぼ同じ厚みで、信号入
力に関係の無いダミーパターン１０９、１１０、１１
１、１１２が設けられている。この信号入力部材１０８
とダミーパターン１０９、１１０、１１１、１１２上を
覆うと共に後述する表示領域にまで延在する層間絶縁膜
１０４が設けられ、その層間絶縁膜１０４の上にはシー
ル材１０３が設けられている。このアクティブマトリク
ス基板１０２は、ブラックマトリクス１０５や対向電極
を設けたＣＦ基板１０２と貼り合わせられている。
【００３５】アクティブマトリクス基板１０１のシール
材領域よりも内側にある表示領域１１３には、図４に示
すように、ガラス基板１０１上にスイッチング素子とし
てのＴＦＴ２０１がマトリクス状に設けられている。そ
のＴＦＴ２０１の近傍を通って互いに交差するようにＴ
ＦＴ２０１に走査信号を送るためのゲート信号線および
映像信号を送るためのソース信号線が設けられ、ゲート
信号線はＴＦＴ２０１のゲート２０３と接続され、ソー
ス信号線はＴＦＴ２０１のソース２０４と接続されてい
る。その上を覆ってシール材領域まで延在する層間絶縁
膜１０４が設けられ、層間絶縁膜１０４を介してＴＦＴ
２０１、ゲート信号線およびソース信号線に一部重畳す
るように画素電極２０２が設けられている。画素電極２
０２は層間絶縁膜１０４に設けられたコンタクトホール
を介してＴＦＴ２０１のドレイン電極２０５と接続され
ている。ここでは、層間絶縁膜１０４として膜厚３μｍ
の感光性アクリル樹脂をスピンコート法により形成して
コンタクトホールを開口させた後、画素電極２０２とな
る透明導電膜２０２をスパッタリング法により形成して
パターニングした。
材領域よりも内側にある表示領域１１３には、図４に示
すように、ガラス基板１０１上にスイッチング素子とし
てのＴＦＴ２０１がマトリクス状に設けられている。そ
のＴＦＴ２０１の近傍を通って互いに交差するようにＴ
ＦＴ２０１に走査信号を送るためのゲート信号線および
映像信号を送るためのソース信号線が設けられ、ゲート
信号線はＴＦＴ２０１のゲート２０３と接続され、ソー
ス信号線はＴＦＴ２０１のソース２０４と接続されてい
る。その上を覆ってシール材領域まで延在する層間絶縁
膜１０４が設けられ、層間絶縁膜１０４を介してＴＦＴ
２０１、ゲート信号線およびソース信号線に一部重畳す
るように画素電極２０２が設けられている。画素電極２
０２は層間絶縁膜１０４に設けられたコンタクトホール
を介してＴＦＴ２０１のドレイン電極２０５と接続され
ている。ここでは、層間絶縁膜１０４として膜厚３μｍ
の感光性アクリル樹脂をスピンコート法により形成して
コンタクトホールを開口させた後、画素電極２０２とな
る透明導電膜２０２をスパッタリング法により形成して
パターニングした。
【００３６】このように構成された本実施形態の液晶表
示素子においては、図２および図３に示したように、ア
クティブマトリクス基板１０１のシール材領域にダミー
パターン１０９、１１０、１１１、１１２が設けられて
いるので、層間絶縁膜１０４下の凹凸形状の凹部を幅を
１００μｍ以下にすることができ、層間絶縁膜１０４表
面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることができる。
本実施形態では、シール材領域の層間絶縁膜１０４の下
の凹凸形状が平均段差０．３μｍ、最大段差０．６μ
ｍ、平均凹部幅２０μｍ、最大凹部幅８０μｍであり、
膜厚３μｍの層間絶縁膜１０４表面の凹凸形状の最大段
差を０．１５μｍまで緩和することができた。また、表
示領域においては液晶に電界を印加するための画素電極
２０２を金属からなるゲート信号線やソース信号線と重
畳させており、信号線とＴＦＴパターンとを除いた全て
の部分を表示開口部とすることができるので、非常に明
るい表示を得ることができた。
示素子においては、図２および図３に示したように、ア
クティブマトリクス基板１０１のシール材領域にダミー
パターン１０９、１１０、１１１、１１２が設けられて
いるので、層間絶縁膜１０４下の凹凸形状の凹部を幅を
１００μｍ以下にすることができ、層間絶縁膜１０４表
面の凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることができる。
本実施形態では、シール材領域の層間絶縁膜１０４の下
の凹凸形状が平均段差０．３μｍ、最大段差０．６μ
ｍ、平均凹部幅２０μｍ、最大凹部幅８０μｍであり、
膜厚３μｍの層間絶縁膜１０４表面の凹凸形状の最大段
差を０．１５μｍまで緩和することができた。また、表
示領域においては液晶に電界を印加するための画素電極
２０２を金属からなるゲート信号線やソース信号線と重
畳させており、信号線とＴＦＴパターンとを除いた全て
の部分を表示開口部とすることができるので、非常に明
るい表示を得ることができた。
【００３７】次に、比較のために、シール材の近傍部分
が図７に示すような構成になっている従来の液晶表示素
子を作製した。ここで、図７は図１のＡ−Ａ’部分に相
当する部分の断面図である。この場合、シール材領域の
層間絶縁膜１０４下に信号入力部材１０８がある場所と
無い場所とが存在し、１００μｍ以上の大きなピッチで
ランダムに信号入力部材１０８が設けられているので、
層間絶縁膜１０４表面の凹凸形状はその信号入力部材１
０８のパターンを反映した凹凸形状が発生していた。こ
こでは、シール材領域の層間絶縁膜１０４の下の凹凸形
状が平均段差０．３μｍ、最大段差０．６μｍ、平均凹
部幅５０μｍ、最大凹部幅２００μｍであり、膜厚３μ
ｍの層間絶縁膜１０４表面の凹凸形状の最大段差が０．
６μｍであった。
が図７に示すような構成になっている従来の液晶表示素
子を作製した。ここで、図７は図１のＡ−Ａ’部分に相
当する部分の断面図である。この場合、シール材領域の
層間絶縁膜１０４下に信号入力部材１０８がある場所と
無い場所とが存在し、１００μｍ以上の大きなピッチで
ランダムに信号入力部材１０８が設けられているので、
層間絶縁膜１０４表面の凹凸形状はその信号入力部材１
０８のパターンを反映した凹凸形状が発生していた。こ
こでは、シール材領域の層間絶縁膜１０４の下の凹凸形
状が平均段差０．３μｍ、最大段差０．６μｍ、平均凹
部幅５０μｍ、最大凹部幅２００μｍであり、膜厚３μ
ｍの層間絶縁膜１０４表面の凹凸形状の最大段差が０．
６μｍであった。
【００３８】次に、本実施形態の液晶表示素子と従来の
液晶表示素子について、実際の液晶表示素子製造工程に
より図５に示すような４６５ｍｍ×３６０ｍｍのガラス
基板を用いて表示サイズ１２．１”の液晶表示素子を２
面取ってサンプルを作製し、シール部近傍（シール材の
端面から１ｍｍ）でのセル厚分布を評価した。
液晶表示素子について、実際の液晶表示素子製造工程に
より図５に示すような４６５ｍｍ×３６０ｍｍのガラス
基板を用いて表示サイズ１２．１”の液晶表示素子を２
面取ってサンプルを作製し、シール部近傍（シール材の
端面から１ｍｍ）でのセル厚分布を評価した。
【００３９】ここで、アクティブマトリクス基板１０１
としては図２および図３に示した本実施形態のアクティ
ブマトリクス基板と図７に示した従来のアクティブマト
リクス基板とを用い、ＣＦ基板１０２はＲ（赤）Ｇ
（緑）Ｂ（青）ストライプ構造のものを用い、Ｃｒから
なる遮光パターン（ブラックマトリクス）１０５を形成
した。
としては図２および図３に示した本実施形態のアクティ
ブマトリクス基板と図７に示した従来のアクティブマト
リクス基板とを用い、ＣＦ基板１０２はＲ（赤）Ｇ
（緑）Ｂ（青）ストライプ構造のものを用い、Ｃｒから
なる遮光パターン（ブラックマトリクス）１０５を形成
した。
【００４０】貼り合わせ工程では、図６に示すシール材
１０３として熱硬化型樹脂（ＸＮ−２１Ｓ：三井東圧化
学（株）製）を用い、表示領域内のスペーサー６０２と
しては４．５μｍ径のプラスチックスペーサー（ＳＰ−
２０４５：積水ファインケミカル（株）製）を、シール
材内のスペーサー６０１としては５．５μｍ径のガラス
ファイバー（ＰＦ−５５：日本電気硝子（株）製）を用
いた。ここで、表示領域内のスペーサー６０２とシール
材内のスペーサー６０１とでスペーサー径が異なってい
るのは、シール材内のスペーサー６０１はＣＦ基板１０
２上の厚み約０．３μｍのＣｒからなる遮光パターン１
０５上に配置されるのに対し、表示領域内のスペーサー
６０２は厚み約１．３μｍのＲＧＢの色層の上に配置さ
れ、両者の段差１μｍ分をシール材内のスペーサー６０
１に上乗せする必要があるからである。実際の工程フロ
ーでは、対向基板にシール材と仮止め用の紫外線硬化樹
脂とを塗布し、アクティブマトリクス基板にコモン転移
用導電樹脂を塗布した後でスペーサーを散布した。その
後、アクティブマトリクス基板と対向基板とをアライメ
ントし、仮止め用紫外線硬化樹脂を硬化させて固定し、
加熱とプレスを同時に行ってシール樹脂をセル厚までプ
レスしてそのまま硬化させた。最後に、パネルを切り出
して液晶を真空注入法で注入することにより液晶表示素
子を完成させた。
１０３として熱硬化型樹脂（ＸＮ−２１Ｓ：三井東圧化
学（株）製）を用い、表示領域内のスペーサー６０２と
しては４．５μｍ径のプラスチックスペーサー（ＳＰ−
２０４５：積水ファインケミカル（株）製）を、シール
材内のスペーサー６０１としては５．５μｍ径のガラス
ファイバー（ＰＦ−５５：日本電気硝子（株）製）を用
いた。ここで、表示領域内のスペーサー６０２とシール
材内のスペーサー６０１とでスペーサー径が異なってい
るのは、シール材内のスペーサー６０１はＣＦ基板１０
２上の厚み約０．３μｍのＣｒからなる遮光パターン１
０５上に配置されるのに対し、表示領域内のスペーサー
６０２は厚み約１．３μｍのＲＧＢの色層の上に配置さ
れ、両者の段差１μｍ分をシール材内のスペーサー６０
１に上乗せする必要があるからである。実際の工程フロ
ーでは、対向基板にシール材と仮止め用の紫外線硬化樹
脂とを塗布し、アクティブマトリクス基板にコモン転移
用導電樹脂を塗布した後でスペーサーを散布した。その
後、アクティブマトリクス基板と対向基板とをアライメ
ントし、仮止め用紫外線硬化樹脂を硬化させて固定し、
加熱とプレスを同時に行ってシール樹脂をセル厚までプ
レスしてそのまま硬化させた。最後に、パネルを切り出
して液晶を真空注入法で注入することにより液晶表示素
子を完成させた。
【００４１】このようにして、２０枚のガラス基板から
本実施形態の液晶表示素子と従来の液晶表示素子とを各
４０パネルずつ作製し、各サンプルのセル厚分布を比較
したところ、従来の液晶表示素子ではセル厚平均４．５
１μｍ、標準偏差０．１５μｍであったのに対し、本発
明の液晶表示素子ではセル厚平均４．５０μｍ、標準偏
差０．１０μｍであり、セル厚分布不良の改善効果を確
認することができた。これにより、セル厚分布不良によ
る透過率むらを小さくして表示品位の優れた液晶表示素
子を得ることができた。
本実施形態の液晶表示素子と従来の液晶表示素子とを各
４０パネルずつ作製し、各サンプルのセル厚分布を比較
したところ、従来の液晶表示素子ではセル厚平均４．５
１μｍ、標準偏差０．１５μｍであったのに対し、本発
明の液晶表示素子ではセル厚平均４．５０μｍ、標準偏
差０．１０μｍであり、セル厚分布不良の改善効果を確
認することができた。これにより、セル厚分布不良によ
る透過率むらを小さくして表示品位の優れた液晶表示素
子を得ることができた。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明による場合
は、層間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の幅を１００μｍ
より小さくし、または凹部の幅が１００μｍ以上である
場合にはその凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることが
できるので、層間絶縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管
理基準である０．５μｍ以下にすることができる。よっ
て、セル厚分布による透過むらを小さくして表示品位に
優れた液晶表示素子を得ることができる。また、表示領
域においては、ＴＦＴやゲート信号線、ソース信号線と
画素電極とを層間絶縁膜を介して重畳させることによ
り、表示開口部が大きくして、明るい表示の液晶表示素
子を得ることができる。
は、層間絶縁膜の下にある凹凸の凹部の幅を１００μｍ
より小さくし、または凹部の幅が１００μｍ以上である
場合にはその凹凸の段差を０．５μｍ以下にすることが
できるので、層間絶縁膜表面の凹凸の段差をセル厚の管
理基準である０．５μｍ以下にすることができる。よっ
て、セル厚分布による透過むらを小さくして表示品位に
優れた液晶表示素子を得ることができる。また、表示領
域においては、ＴＦＴやゲート信号線、ソース信号線と
画素電極とを層間絶縁膜を介して重畳させることによ
り、表示開口部が大きくして、明るい表示の液晶表示素
子を得ることができる。
【図１】実施形態に係る液晶表示素子を示す平面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ’部分の断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’部分の平面図である。
【図４】図１のアクティブマトリクス基板の表示領域に
設けられたＴＦＴ部分を示す断面図である。
設けられたＴＦＴ部分を示す断面図である。
【図５】セル厚分布の評価のために用いたガラス基板を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】基板の貼り合わせ工程を説明するための断面図
である。
である。
【図７】従来の液晶表示素子のシール材近傍部分を示す
断面図である。
断面図である。
１０１ アクティブマトリクス基板 １０２ ＣＦ基板 １０３ シール材 １０４ 層間絶縁膜 １０５ ブラックマトリクス １０６ ＣＦ層 １０８ 信号入力部材 １０９、１１０、１１１、１１２ ダミーパターン １１３ 表示領域 ２０１ ＴＦＴ ２０２ 画素電極 ２０３ ＴＦＴのゲート ２０４ ＴＦＴのソース ２０５ ＴＦＴのドレイン電極 ６０１ シール材内のスペーサー ６０２ 表示領域内のスペーサー
Claims (5)
- 【請求項１】 液晶層を間に挟んで対向配設される一対
の基板が、その周囲をシール材により所定の間隙で貼り
合わせられている液晶表示素子において、 該一対の基板のうちの一方の基板における該シール材と
接する領域にある部材が、その段差を０．５μｍ以下に
してあり、該シール材と接する領域よりも基板中央部側
にある表示領域に設けられた層間絶縁膜が各部材を覆う
ように延在し、該層間絶縁膜の上に該シール材が設けら
れている液晶表示素子。 - 【請求項２】 液晶層を間に挟んで対向配設される一対
の基板が、その周囲をシール材により所定の間隙で貼り
合わせられている液晶表示素子において、 該一対の基板のうちの一方の基板における該シール材と
接する領域にある部材のうち、該シール材の辺に沿う方
向に隣接するもの同士の間隔を１００μｍより小さくし
てあり、該シール材と接する領域よりも基板中央部側に
ある表示領域に設けられた層間絶縁膜が各部材を覆うよ
うに延在し、該層間絶縁膜の上に該シール材が設けられ
ている液晶表示素子。 - 【請求項３】 液晶層を間に挟んで対向配設される一対
の基板が、その周囲をシール材により所定の間隙で貼り
合わせられている液晶表示素子において、 該一対の基板のうちの一方の基板における該シール材と
接する領域にある部材のうち、該シール材の辺に沿う方
向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上のものの段
差を０．５μｍ以下にしてあり、該シール材と接する領
域よりも基板中央部側にある表示領域に設けられた層間
絶縁膜が各部材を覆うように延在し、該層間絶縁膜の上
に該シール材が設けられている液晶表示素子。 - 【請求項４】 液晶層を間に挟んで対向配設される一対
の基板が、その周囲をシール材により所定の間隙で貼り
合わせられている液晶表示素子において、 該一対の基板のうちの一方の基板における該シール材と
接する領域にある部材のうち、該シール材の辺に沿う方
向に隣接する部材との間隔が１００μｍ以上であってそ
の段差が０．５μｍより大きいものがあり、その段差が
０．５μｍより大きい部材と１００μｍ以上の間隔で隣
接する部材との間に両部材のいずれか一方と略同じ厚み
のダミー部材が１つまたは２つ以上設けられ、該シール
材と接する領域よりも基板中央部側にある表示領域に設
けられた層間絶縁膜が各部材および該ダミー部材を覆う
ように延在し、該層間絶縁膜の上に該シール材が設けら
れている液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記層間絶縁膜の厚みが３μｍ以上であ
る請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の液晶表
示素子。
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