JP2003156751A - 液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、ＰＣやワードプロセッサ等の表示部
に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶
表示装置及びその製造方法に関し、所望のセルギャップ
が容易に得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた
液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】対向して配置される対向基板とともに液晶
を挟持するＣＦ基板４と、ＣＦ基板４上にマトリクス状
に配列された複数の画素領域と、セルギャップを保持す
るために画素領域端部に配置された柱状スペーサ３４
と、画素領域に形成されるとともに、少なくとも柱状ス
ペーサ３４の周囲で、隣接する画素領域間に隙間が生じ
ないように形成された複数のカラーフィルタ樹脂層Ｒ、
Ｇ、Ｂとを有するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）やワードプロセッサ等の表示部に用いら
れる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
及びその製造方法に関する。

【０００１】

【従来の技術】従来の液晶表示装置は、所定のセルギャ
ップを保持するために、基板間に分散して配置されたほ
ぼ同一粒径のプラスチックビーズ等の球状スペーサを有
している。しかし、両基板を貼り合わせる前に球状スペ
ーサを一方の基板上に散布する際、基板全面に均一に分
布させるのは困難である。球状スペーサが均一に分布し
ていない液晶表示装置は、基板面が加圧された際にセル
ギャップの変動が生じやすい。

【０００２】これに対して、特開昭５６−１４０３２４
号公報、特開昭６３−８２４０５号公報、特開平４−９
３９２４号公報、及び特開平５−１９６９４６号公報等
には、カラーフィルタ（ＣＦ）基板上の画素領域端部に
ＣＦ樹脂層を複数積層し、柱状スペーサを形成する方法
が開示されている。

【０００３】図６７は、従来のＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄ
ｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）
モードの液晶表示装置のＣＦ基板の構成を赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）の２画素について示している。また、図６８は、
図６７のＷ−Ｗ線で切断したＣＦ基板の断面を示してい
る。図６７及び図６８に示すように、ガラス基板１０４
上には、画素領域端部を遮光する遮光膜（ＢＭ）１０２
が形成されている。ＢＭ１０２で画定された各画素領域
には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇがそれぞれ形成されている。Ｃ
Ｆ樹脂層Ｒ、Ｇ上には、液晶の配向を規制する線状の突
起（土手）１０８が画素領域端辺に対して斜めに形成さ
れている。Ｒ、Ｇの画素間の間隙部には柱状スペーサ１
０６が形成されている。

【０００４】図６９は、図６７のＸ−Ｘ線で切断した柱
状スペーサ１０６近傍の断面を示している。なお、図６
９では突起１０８の図示は省略している。図６９に示す
ように、柱状スペーサ１０６は、ＢＭ１０２上に順に積
層されたＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、青（Ｂ）、共通電極１１０
及びレジスト層１０９で形成されている。

【０００５】次に、従来のＣＦ基板の製造方法について
説明する。図７０は従来のＣＦ基板の製造工程を示して
おり、図７１は図７０のＹ−Ｙ線で切断した断面を示し
ている。また、図７２は、図７０のＺ−Ｚ線で切断した
断面を示している。まず、図７０及び図７１に示すよう
に、ガラス基板１０４上にクロム（Ｃｒ）等を全面に成
膜してパターニングし、ＢＭ１０２を形成する。次に、
赤色の顔料が分散された感光性レジスト（以下「Ｒレジ
スト」という）を全面に塗布してパターニングし、Ｒを
表示する画素領域及び柱状スペーサ１０６形成領域にＣ
Ｆ樹脂層Ｒを形成する。同様に、Ｇを表示する画素領域
及び柱状スペーサ１０６形成領域にＣＦ樹脂層Ｇを形成
し、Ｂを表示する画素領域（図示せず）及び柱状スペー
サ１０６形成領域にＣＦ樹脂層Ｂを形成する。図７１に
示すように、各ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂは、ＢＭ１０２の
幅の１／３程度がＢＭ１０２に重なっており、ＣＦ樹脂
層Ｒ、Ｇ間には深さ１〜２μｍの溝状の隙間が生じてい
る隙間部１１２が形成されている。図７２に示すよう
に、柱状スペーサ形成領域１０６’には、ＣＦ樹脂層
Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積層されている。

【０００６】次に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）等をＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の全面に成膜し
て共通電極１１０を形成する。次に、ポジ型ノボラック
系レジストを全面に塗布してパターニングし、突起１０
８とレジスト層１０９を同時に形成し、図６７乃至図６
９に示すＣＦ基板が完成する。

【発明が解決しようとする課題】

【０００７】図７０及び図７１に示すように、従来のＣ
Ｆ基板は、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇを順次形成すると、柱状ス
ペーサ形成領域１０６’に隣接してＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間
に深さ１〜２μｍの隙間部１１２が形成される。このた
め、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ上の全面に青色の顔料が分散され
た感光性レジスト（以下「Ｂレジスト」という）を塗布
すると、Ｂレジストのレベリング（平坦化）作用によ
り、相対的に高さの高い柱状スペーサ形成領域１０６’
から隙間部１０２にＢレジストが流れ込む。その結果、
柱状スペーサ形成領域１０６’のＣＦ樹脂層Ｂが薄い膜
厚で形成されてしまう。同様の理由で、柱状スペーサ形
成領域１０６’のレジスト層１０９も薄い膜厚で形成さ
れてしまう。したがって、所望のセルギャップが得られ
る柱状スペーサ１０６を形成するためには、ＣＦ樹脂層
Ｒ、Ｇ、Ｂ等を厚膜化しなければならないという問題が
生じている。

【０００８】特開平１０−１０４６３９号公報には、柱
状スペーサの周囲に、最初あるいは２番目に形成するＣ
Ｆ樹脂層により堰を作成し、当該堰によってレジストの
流れ込みをせき止めて柱状スペーサの高さを高くする方
法が開示されている。しかし上記の方法では、柱状スペ
ーサ及びその周囲に配置される堰をともにＢＭ上に形成
する必要がある。このため、ＢＭの幅が狭いと、堰があ
る分だけ柱状スペーサの太さは短くならざるを得ず、パ
ネルの指押し等に対抗できる圧縮強度を得ることができ
なくなるおそれが生じる。柱状スペーサの太さを稼ぐた
めにはＢＭ外にはみ出して形成せざるを得ず、この場合
には開口率が低下してしまうという問題が生じる。

【０００９】本発明の目的は、所望のセルギャップが容
易に得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶
表示装置及びその製造方法を提供することにある。ま
た、本発明の目的は、輝度の高い液晶表示装置用基板及
びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、対向して配
置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、前記
基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域と、
セルギャップを保持するために前記画素領域端部に配置
された柱状スペーサと、前記画素領域に形成されるとと
もに、少なくとも前記柱状スペーサの周囲で、隣接する
前記画素領域間に隙間が生じないように形成された複数
のカラーフィルタ樹脂層とを有することを特徴とする液
晶表示装置用基板によって達成される。

【００１１】

【発明の実施の形態】〔第１の実施の形態〕本発明の第
１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備
えた液晶表示装置及びその製造方法について図１乃至図
４４を用いて説明する。本実施の形態では、柱状スペー
サの周囲に隙間部を形成しないようにすることで、ＣＦ
樹脂層及びレジスト層が柱状スペーサ形成領域から流れ
出すのを防いでいる。また、本実施の形態では、ＣＦ樹
脂層及びレジスト層を減圧乾燥させることにより、当該
ＣＦ樹脂層及びレジスト層が柱状スペーサ形成領域から
流れ出すのを防いでいる。以下、本実施の形態による液
晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びそ
の製造方法について実施例１−１乃至１−６を用いてよ
り具体的に説明する。

【００１２】（実施例１−１）まず、実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及
びその製造方法について図１乃至図１４を用いて説明す
る。図１は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を
示している。液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が
形成されたＴＦＴ基板２とカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏ
ｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成されたＣＦ基板４とを
対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封入した構造を
有している。

【００１３】図２は、ＴＦＴ基板２上に形成された素子
の等価回路を示している。ＴＦＴ基板２上には、図中左
右方向に延びるゲートバスライン６が互いに平行に複数
形成され、それらにほぼ直角に交差して図中上下方向に
延びるドレインバスライン８が互いに平行に複数形成さ
れている。複数のゲートバスライン６とドレインバスラ
イン８とで囲まれた各領域が、ＴＦＴ基板２側の画素領
域となる。各画素領域にはＴＦＴ１０と画素電極１２が
形成されている。各ＴＦＴ１０のドレイン電極は隣接す
るドレインバスライン８に接続され、ゲート電極は隣接
するゲートバスライン６に接続され、ソース電極は画素
電極１２に接続されている。各画素領域のほぼ中央に
は、ゲートバスライン６と平行に蓄積容量バスライン１
４が形成されている。これらのＴＦＴ１０や画素電極１
２、各バスライン６、８、１４は、フォトリソグラフィ
工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→
エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセ
スを繰り返して形成される。

【００１４】一方、図示は省略しているが、ＣＦ基板４
上には、ＣＦ基板４側の画素領域を画定するＢＭが形成
されている。また、ＣＦ基板４側の各画素領域には、Ｃ
Ｆ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかが形成されている。

【００１５】図１に戻り、液晶を封止してＣＦ基板４と
対向配置されたＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラ
イン６を駆動するドライバＩＣが実装されたゲート駆動
回路１６と、複数のドレインバスライン８を駆動するド
ライバＩＣが実装されたドレイン駆動回路１８とが設け
られている。これらの駆動回路１６、１８は、制御回路
２０から出力された所定の信号に基づいて、走査信号や
データ信号を所定のゲートバスライン６あるいはドレイ
ンバスライン８に出力するようになっている。ＴＦＴ基
板２の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２２が配
置され、偏光板２２のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバ
ックライトユニット２４が取り付けられている。ＣＦ基
板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板２２とクロ
スニコルに配置された偏光板２６が貼り付けられてい
る。

【００１６】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の構成について説明する。図３は、本実施例による液晶
表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について示して
いる。図４は、図３に示すＡ−Ａ線で切断した液晶表示
装置用基板の断面図である。図３及び図４に示すよう
に、ＣＦ基板４は、ガラス基板２８上に低反射Ｃｒ等か
らなるＢＭ３０を有している。ＢＭ３０上には、ＣＦ樹
脂層Ｒ、Ｇが、ＣＦ樹脂層Ｒの図中右端辺とＣＦ樹脂層
Ｇの図中左端辺とが接するように形成されている。この
ため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間には図６７及び図６８に示す
ような隙間部１１２が形成されない。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ
上には液晶の配向を規制する線状の突起３２が形成され
ている。画素領域間（図３では中央）には柱状スペーサ
３４が形成されている。なお、図４では、ＣＦ樹脂層
Ｒ、Ｇ上に形成された共通電極４０の図示は省略してい
る。

【００１７】図５は、図３に示すＢ−Ｂ線で切断した柱
状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図５に
示すように、柱状スペーサ３４は、ＢＭ３０上に順に積
層されたＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂと、その上層に形成され
たレジスト層３３等で構成されている。レジスト層３３
は突起３２と同一の形成材料で形成されている。

【００１８】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の製造方法について、図６乃至図１４を用いて説明す
る。図６乃至図１２は、本実施例による液晶表示装置用
基板の製造方法を示す工程断面図であり、図４と同一の
断面を示している。まず、図６に示すように、透明なガ
ラス基板２８上に、例えば低反射Ｃｒを全面に成膜し、
低反射Ｃｒ膜３１を形成する。次に、図７に示すよう
に、例えばポジ型ノボラック系レジストを低反射Ｃｒ膜
３１上の全面に塗布してプリベークし、例えば膜厚１．
２μｍのレジスト層３６を形成する。次に、図８に示す
ように、露光用マスク（フォトマスク）３８を用いてレ
ジスト層３６を露光する。次に、図９に示すように、露
光されたレジスト層３６を現像してポストベークし、レ
ジストパターン３７を形成する。次に、図１０に示すよ
うに、レジストパターン３７をエッチングマスクとして
用いてエッチングする。次に、図１１に示すように、レ
ジストパターン３７を剥離してＢＭ３０を形成する。

【００１９】次に、ＢＭ３０が形成されたガラス基板２
８上の全面に、例えば感光性顔料分散型のＲレジストを
膜厚１．５μｍに塗布する。続いて、塗布直後のＲレジ
ストを減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベー
クしてパターニングし、図１２及び図１３に示すように
Ｒの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹
脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂層Ｒは、ＢＭ３０の幅の１
／２程度がＢＭ３０に重なるように形成される。

【００２０】次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、Ｇの
画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層
Ｇを形成する。ＣＦ樹脂層Ｇは、ＣＦ樹脂層Ｇの左端辺
がＣＦ樹脂層Ｒの右端辺に接するように形成される。し
たがって、両端辺の間には図６７及び図６８に示す隙間
部１１２が形成されない。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同
様の工程で、Ｂの画素領域（図示せず）と柱状スペーサ
形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。

【００２１】図１４は、図１３のＣ−Ｃ線で切断した柱
状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図であ
る。図１４に示すように、ＢＭ３０上の柱状スペーサ形
成領域３４’には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積
層されている。

【００２２】次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜
厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電
極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジスト
を１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。
続いて、塗布直後の当該レジスト層を減圧乾燥により強
制乾燥させる。その後プリベークしてパターニングし、
突起３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時
に形成する。以上の工程を経て、図３及び図４に示すよ
うな本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が
完成する。

【００２３】本実施例の液晶表示装置用基板の製造方法
によれば、図６７及び図６８に示す従来のＣＦ基板の隙
間部１１２は形成されない。このため、ＣＦ樹脂層Ｂや
レジスト層３３が柱状スペーサ形成領域３４’から隙間
部１１２に流れ込むことがないので、ＣＦ樹脂層Ｂやレ
ジスト層３３のレベリング性を低下させることができ
る。また、本実施例によれば、柱状スペーサを構成する
ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ及びレジスト層３３を塗布直後に
減圧乾燥させているため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ及びレ
ジスト層３３のレベリング性を低下させることができ
る。したがって、所望の高さの柱状スペーサ３４を形成
することができる。

【００２４】（実施例１−２）次に、実施例１−２によ
る液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１５
及び図１６を用いて説明する。図１５は、本実施例によ
る液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について
示している。なお、図３に示す実施例１−１による液晶
表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構
成要素については同一の符号を付してその説明を省略す
る。図１５に示すように、ＣＦ基板４は、柱状スペーサ
３４から距離Ｌ（例えば５０μｍ）の範囲内のみに、Ｃ
Ｆ樹脂層Ｒの右端辺とＣＦ樹脂層Ｇの左端辺とが接する
実施例１−１と同様の構造が形成されている。すなわ
ち、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ間の隙間部４２は、柱状スペーサ
３４から距離Ｌの範囲内では形成されていない。

【００２５】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の製造方法について図１６を用いて説明する。まず、図
６乃至図１１に示す実施例１−１による液晶表示装置用
基板の製造方法と同様の工程でＢＭ３０を形成する。次
に、ＢＭ３０が形成されたガラス基板２８上の全面に、
例えば感光性顔料分散型のＲレジストを１．５μｍの膜
厚に塗布する。続いて、塗布直後のＲレジストを減圧乾
燥により強制乾燥させる。その後プリベークしてパター
ニングし、図１６に示すようにＲの画素領域と柱状スペ
ーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ
樹脂層Ｒは、柱状スペーサ形成領域３４’から距離Ｌの
範囲内で、ＢＭ３０の幅の１／２程度がＢＭ３０に重な
るように形成され、当該範囲外の隙間部４２では、ＢＭ
３０の幅の１／３程度がＢＭ３０に重なるように形成さ
れる。

【００２６】次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、図１
６に示すようなＧの画素領域と柱状スペーサ形成領域３
４’とにＣＦ樹脂層Ｇを形成する。このとき、柱状スペ
ーサ形成領域３４’から距離Ｌの範囲内で、ＣＦ樹脂層
Ｇの左端辺とＣＦ樹脂層Ｒの右端辺との間には、図６７
及び図６８に示す隙間部１１２が形成されないようにす
る。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同様の工程で、Ｂの画素
領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを
形成する。

【００２７】次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜
厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電
極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジスト
を１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。
続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾
燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起
３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形
成する。以上の工程を経て、図１５に示すような本実施
例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が完成する。

【００２８】本実施例によれば、上記実施例１−１と同
様の効果を奏することができる。また、柱状スペーサ３
４周辺のみで、例えばＣＦ樹脂層Ｒ右端辺とＣＦ樹脂層
Ｇ左端辺とが接するようにすればよいため、ＣＦ樹脂層
Ｒ、Ｇ、Ｂの形成が上記実施例１−１に比較して容易に
なる。

【００２９】（実施例１−３）次に、実施例１−３によ
る液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１７
乃至図２２を用いて説明する。図１７は、本実施例によ
る液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について
示している。図１８は、図１７のＤ−Ｄ線で切断した液
晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実
施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一
の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付
してその説明を省略する。図１７及び図１８に示すよう
に、ＢＭ３０上には、ＢＭ３０をパターニングする際に
用いられた例えば膜厚１．２μｍのポジ型ノボラック系
のレジストパターン３７が、剥離されずに残存してい
る。ＣＦ樹脂層ＲはＢＭ３０の幅（レジストパターン３
７の幅）の１／３程度がレジストパターン３７に重なる
ように形成されており、ＣＦ樹脂層ＧはＢＭ３０の幅の
１／３程度がレジストパターン３７に重なるように形成
されている。

【００３０】図１９は、図１７に示すＥ−Ｅ線で切断し
た柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図
１９に示すように、柱状スペーサ３４は、ＢＭ３０上に
順に積層されたレジストパターン３７、ＣＦ樹脂層Ｒ、
Ｇ、Ｂ、共通電極４０及びレジスト層３３で構成されて
いる。レジスト層３３は突起３２と同一の形成材料で形
成されている。

【００３１】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の製造方法について図２０乃至図２２を用いて説明す
る。図２０は本実施例による液晶表示装置用基板の製造
方法を示す図であり、図２１は図２０のＦ−Ｆ線で切断
した断面を示す工程断面図である。まず、図６乃至図１
０に示す工程により、ガラス基板２８上にＢＭ３０を形
成する。次に、ＢＭ３０上のレジストパターン３７を剥
離せずに、ガラス基板２８上の全面に、例えば感光性顔
料分散型のＲレジストを１．５μｍの膜厚に塗布する。
続いて、塗布直後のＲレジストを減圧乾燥により強制乾
燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図２
０及び図２１に示すようなＲの画素領域と柱状スペーサ
形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂
層Ｒは、ＢＭ３０の幅の１／３程度がレジストパターン
３７に重なるように形成される。

【００３２】次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、Ｇの
画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層
Ｇを形成する。ＣＦ樹脂層Ｇは、ＢＭ３０の幅の１／３
程度がレジストパターン３７に重なるように形成され
る。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同様の工程で、Ｂの画素
領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを
形成する。

【００３３】図２２は、図２０のＧ−Ｇ線で切断した柱
状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図であ
る。図２２に示すように、ＢＭ３０上の柱状スペーサ形
成領域３４’には、レジストパターン３７、ＣＦ樹脂層
Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積層される。

【００３４】次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜
厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電
極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジスト
を１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。
続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾
燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起
３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形
成する。以上の工程を経て、図１７及び図１８に示すよ
うな本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が
完成する。

【００３５】本実施例によれば、上記実施例１−１と同
様の効果を奏することができる。また、例えばＣＦ樹脂
層Ｒ右端辺とＣＦ樹脂層Ｇ左端辺との間に隙間が生じな
いようにＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇを形成する必要がないため、
ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成が上記実施例１−１に比較
して容易になる。さらに、ＢＭ３０をパターニングする
際に用いたレジストパターン３７を剥離せずに残存させ
ているため、レジストパターン３７の剥離工程が不要に
なり上記実施例１−１に比較して製造工程を簡略化でき
る。

【００３６】（実施例１−４）次に、実施例１−４によ
る液晶表示装置用基板及びその製造方法について図２３
乃至図３０を用いて説明する。図２３は、本実施例によ
る液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｇの２画素について
示している。図２４は、図２３のＩ−Ｉ線で切断した液
晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実
施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一
の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付
してその説明を省略する。図２３及び図２４に示すよう
に、ＢＭ３０上には、ＢＭ３０をパターニングする際に
用いられた例えば膜厚１．２μｍのポジ型ノボラック系
のレジストパターン３７が、剥離されずに残存してい
る。また、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇは、ＣＦ樹脂層Ｒの図中右
端辺とＣＦ樹脂層Ｇの図中左端辺との間に隙間が生じな
いように形成されている。このため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ
間には図６７及び図６８に示す隙間部１１２が形成され
ない。

【００３７】図２５は、図２３に示すＪ−Ｊ線で切断し
た柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図
２５に示すように、柱状スペーサ３４は、ＢＭ３０上に
順に積層されたレジストパターン３７、ＣＦ樹脂層Ｒ、
Ｇ、Ｂ、共通電極４０及びレジスト層３３で構成されて
いる。レジスト層３３は突起３２と同一の形成材料で形
成されている。

【００３８】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の製造方法について図２６乃至図２８を用いて説明す
る。図２６は本実施例による液晶表示装置用基板の製造
方法を示す図であり、図２７は図２６のＫ−Ｋ線で切断
した断面を示す工程断面図である。まず、図６乃至図１
０に示す工程により、ガラス基板２８上にＢＭ３０を形
成する。次に、ＢＭ３０上のレジストパターン３７を剥
離せずに、ガラス基板２８上の全面に、例えば感光性顔
料分散型のＲレジストを１．５μｍの膜厚に塗布する。
続いて、塗布直後のＲレジストを減圧乾燥により強制乾
燥させる。その後プリベークしてパターニングし、図２
６及び図２７に示すようにＲの画素領域と柱状スペーサ
形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｒを形成する。ＣＦ樹脂
層Ｒは、ＢＭ３０の幅の１／２程度がレジストパターン
３７に重なるように形成される。

【００３９】次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の工程で、Ｇの
画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層
Ｇを形成する。ＣＦ樹脂層Ｇは、ＢＭ３０の幅の１／２
程度がレジストパターン３７に重なり、ＣＦ樹脂層Ｇの
左端辺とＣＦ樹脂層Ｒの右端辺との間に隙間が生じない
ように形成される。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇと同様の工
程で、Ｂの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とに
ＣＦ樹脂層Ｂを形成する。

【００４０】図２８は、図２６のＬ−Ｌ線で切断した柱
状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図であ
る。図２８に示すように、ＢＭ３０上の柱状スペーサ形
成領域３４’には、レジストパターン３７、ＣＦ樹脂層
Ｒ、Ｇ、Ｂがこの順に積層されている。

【００４１】次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜
厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電
極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジスト
を１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。
続いて、塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾
燥させる。その後プリベークしてパターニングし、突起
３２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形
成する。以上の工程を経て、図２３及び図２４に示すよ
うな本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が
完成する。

【００４２】本実施例によれば、上記実施例１−１と同
様の効果を奏することができる。また、ＢＭ３０をパタ
ーニングする際に用いたレジストパターン３７を剥離せ
ずに残存させているため、レジストパターン３７の剥離
工程が不要になり、上記実施例１−１に比較して製造工
程を簡略化できる。

【００４３】図２９は、本実施例による液晶表示装置用
基板の構成の変形例を示している。図２９に示すよう
に、本変形例では、ＢＭ３０及びその上層に残存するレ
ジストパターン３７に代えて、例えば膜厚１．２μｍ程
度の樹脂ＢＭ４４が形成されている。

【００４４】本変形例の液晶表示装置用基板の製造方法
について図３０を用いて簡単に説明する。まず、ガラス
基板２８上の全面に黒色樹脂層を塗布してパターニング
し、樹脂ＢＭ４４を形成する。次に、ガラス基板２８上
の全面に、例えば感光性顔料分散型のＲレジストを１．
５μｍの膜厚に塗布してパターニングし、図３０に示す
ようにＲの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とに
ＣＦ樹脂層Ｒを形成する。次に、ＣＦ樹脂層Ｒと同様の
工程で、Ｇの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’と
にＣＦ樹脂層Ｇを形成し、Ｂの画素領域と柱状スペーサ
形成領域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。その後、
上記実施の形態と同様の工程を経て本変形例による液晶
表示装置用基板が完成する。本変形例によっても上記実
施例１−４と同様の効果を奏することができる。

【００４５】（実施例１−５）次に、実施例１−５によ
る液晶表示装置用基板及びその製造方法について図３１
乃至図３６を用いて説明する。図３１は、本実施例によ
る液晶表示装置用基板の構成をＢ、Ｒの２画素について
示している。図３２は、図３１のＭ−Ｍ線で切断した液
晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実
施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一
の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付
してその説明を省略する。図３１及び図３２に示すよう
に、本実施例による液晶表示装置用基板は、各画素領域
端部に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか２層を積層し
て形成された色重ねＢＭ４６を有している。

【００４６】図３３は、図３１に示すＮ−Ｎ線で切断し
た柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図
３３に示すように、柱状スペーサ３４は、順に積層され
たＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇ、共通電極４０及びレジスト層
３３で構成されている。レジスト層３３は突起３２と同
一の形成材料で形成されている。

【００４７】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の製造方法について図３４及び図３５を用いて説明す
る。図３４は本実施例による液晶表示装置用基板の製造
方法を示す図であり、図３５は図３４のＯ−Ｏ線で切断
した断面を示す工程断面図である。まず、ガラス基板２
８上に、例えば感光性顔料分散型のＢレジストを膜厚
１．５μｍに塗布する。続いて、塗布直後のＢレジスト
を減圧乾燥により強制乾燥させる。その後プリベークし
てパターニングし、図３４及び図３５に示すように、Ｂ
の画素領域、柱状スペーサ形成領域３４’及び所定の色
重ねＢＭ４６形成領域にＣＦ樹脂層Ｂを形成する。次
に、ＣＦ樹脂層Ｂと同様の工程で、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇを
この順に形成する。図３５に示すように、画素領域端部
には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかが２層積層され
た色重ねＢＭ４６が形成される。

【００４８】図３６は、図３４のＰ−Ｐ線で切断した柱
状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図であ
る。図３６に示すように、柱状スペーサ形成領域３４’
には、ＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇがこの順に積層されてい
る。

【００４９】次に、ＩＴＯ等を全面に成膜し、例えば膜
厚１５０ｎｍの共通電極４０を形成する。次に、共通電
極４０上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジスト
を１．５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成する。
続いて塗布直後のレジスト層を減圧乾燥により強制乾燥
させる。その後プリベークしてパターニングし、突起３
２と柱状スペーサ３４のレジスト層３３とを同時に形成
する。以上の工程を経て、図３１及び図３２に示すよう
な本実施例による液晶表示装置用基板のＣＦ基板４が完
成する。

【００５０】本実施例によれば、上記実施例１−１と同
様の効果を奏することができる。また、例えばＣＦ樹脂
層Ｒ、Ｇを画素領域端部で積層して形成すればよいた
め、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成が上記実施例１−１に
比較して容易になる。

【００５１】（実施例１−６）次に、実施例１−６によ
る液晶表示装置用基板及びその製造方法について図３７
乃至図４２を用いて説明する。図３７は、本実施例によ
る液晶表示装置用基板の構成をＲ、Ｂの２画素について
示している。図３８は、図３７のＱ−Ｑ線で切断した液
晶表示装置用基板の断面図である。なお、図３に示す実
施例１−１による液晶表示装置用基板の構成要素と同一
の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付
してその説明を省略する。

【００５２】図３７及び図３８に示すように、ＴＦＴ基
板２は、ガラス基板２９上に形成された図中左右方向に
延びるゲートバスライン６を有している。また、ゲート
バスライン６にゲート絶縁膜６６を介して交差して図中
上下方向に延びるドレインバスライン８が形成されてい
る。両バスライン６、８により、画素領域が画定されて
いる。画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン６に
平行な蓄積容量バスライン１４が画素領域を横断して形
成されている。ゲートバスライン６とドレインバスライ
ン８との交差位置近傍には画素領域毎に図２に示したＴ
ＦＴ１０（図３７では図示せず）が形成されている。

【００５３】ＴＦＴ基板２には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ
が画素領域毎に形成されている（ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構
造）。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には、液晶の配向を規制
する線状の突起３２が画素領域端辺に対して斜めに形成
されている。

【００５４】図３９は、図３７に示すＲ−Ｒ線で切断し
た柱状スペーサ３４近傍の構成を示す断面図である。図
３９に示すように、柱状スペーサ３４は、順に積層され
たＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇと、その上層に形成されたレジ
スト層３３等で構成されている。レジスト層３３は突起
３２と同一の形成材料で形成されている。

【００５５】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の製造方法について図４０乃至図４２を用いて説明す
る。図４０は本実施例による液晶表示装置用基板の製造
方法を示す図であり、図４１は図４０のＳ−Ｓ線で切断
した断面を示す工程断面図である。まず、ガラス基板２
９上に、ゲートバスライン６及び蓄積容量バスライン１
４、ゲート絶縁膜６６、ドレインバスライン８を順に形
成する。

【００５６】次に、基板全面に例えば感光性顔料分散型
のＢレジストを１．５μｍの膜厚に塗布する。続いて、
塗布直後のＢレジストを減圧乾燥により強制乾燥させ
る。その後プリベークしてパターニングし、図４０及び
図４１に示すようなＢの画素領域と柱状スペーサ形成領
域３４’とにＣＦ樹脂層Ｂを形成する。ＣＦ樹脂層Ｂ
は、ドレインバスライン８の幅の１／２程度がドレイン
バスライン８に重なるように形成される。

【００５７】次に、ＣＦ樹脂層Ｂと同様の工程で、Ｒの
画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣＦ樹脂層
Ｒを形成する。ＣＦ樹脂層Ｒは、右端辺がＣＦ樹脂層Ｂ
の左端辺に接するように形成される。したがって、両端
辺の間には図６７及び図６８に示すような隙間部１１２
が形成されない。次に、ＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒと同様の工程
で、Ｇの画素領域と柱状スペーサ形成領域３４’とにＣ
Ｆ樹脂層Ｇを形成する。

【００５８】図４２は、図４０のＴ−Ｔ線で切断した柱
状スペーサ形成領域３４’近傍の構成を示す断面図であ
る。図４２に示すように、柱状スペーサ形成領域３４’
には、ＣＦ樹脂層Ｂ、Ｒ、Ｇがこの順に積層されてい
る。

【００５９】次に、ＩＴＯ等を全面に成膜してパターニ
ングし、画素電極１２を形成する。次に、画素電極１２
上の全面に、例えばポジ型ノボラック系レジストを１．
５μｍの膜厚に塗布してレジスト層を形成し、減圧乾燥
により当該レジスト層を強制乾燥させる。その後プリベ
ークしてパターニングし、突起３２と柱状スペーサ３４
のレジスト層３３とを同時に形成する。以上の工程を経
て、図３７及び図３８に示すような本実施例による液晶
表示装置用基板のＴＦＴ基板２が完成する。

【００６０】本実施例によれば、ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構
造のＴＦＴ基板２であっても、上記実施例１−１と同様
の効果を奏することができる。

【００６１】以下、本実施の形態による液晶装置用基板
を用いた場合の効果について具体的に説明する。図４３
及び図４４は、本実施の形態の各実施例による液晶表示
装置用基板の効果を説明する図である。

【００６２】図４３は、本実施の形態の実施例１−１乃
至１−６による液晶表示装置用基板の製造方法におい
て、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂを３層積層した場合の各柱状
スペーサ形成領域３４’に形成される構造物の高さを示
している。横軸は構造物を形成する各実施例を表してお
り、縦軸は構造物の高さ（μｍ）を表している。また、
図中の破線は、図７２に示す従来の柱状スペーサ形成領
域１０６’の構造物の高さｈｂ’（１．７０μｍ）を表
している。図４３に示すように、図１４に示した実施例
１−１での構造物の高さｈ１’は従来の構造物の高さｈ
ｂ’より０．１８μｍ高い１．８８μｍであり、図示は
省略した実施例１−２での構造物の高さｈ２’は従来の
構造物の高さｈｂ’より０．１０μｍ高い１．８０μｍ
である。また、図２２に示した実施例１−３での構造物
の高さｈ３’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．６０
μｍ高い２．３０μｍであり、図２８に示した実施例１
−４での構造物の高さｈ４’は従来の構造物の高さｈ
ｂ’より０．６５μｍ高い２．３５μｍである。図３６
に示した実施例１−５での構造物の高さｈ５’は従来の
構造物の高さｈｂ’より０．０８μｍ高い１．７８μｍ
であり、図４２に示した実施例１−６での構造物の高さ
ｈ６’は従来の構造物の高さｈｂ’より０．０８μｍ高
い１．７８μｍである。

【００６３】すなわち、最も顕著な効果を有する実施例
１−４の構造物の高さｈ４’は、従来の構造物の高さｈ
ｂ’より０．６５μｍ高く形成でき、最も効果の小さい
実施例１−５及び実施例１−６の構造物の高さｈ５’、
ｈ６’においても、従来の構造物の高さｈｂ’よりも
０．０８μｍ高く形成できる。

【００６４】図４４は、本実施例１−１乃至１−６によ
る液晶表示装置用基板の各柱状スペーサ３４の高さを示
している。横軸は柱状スペーサ３４を形成する各実施例
を表しており、縦軸は柱状スペーサ３４の高さ（μｍ）
を表している。また、図中の破線は、図６９に示す従来
の柱状スペーサ１０６の高さｈｂ（２．４５μｍ）を表
している。図４４に示すように、図５に示した実施例１
−１での柱状スペーサ３４の高さｈ１は従来の柱状スペ
ーサ１０６の高さｈｂより０．２０μｍ高い２．６５μ
ｍであり、図示は省略した実施例１−２での柱状スペー
サ３４の高さｈ２は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈ
ｂより０．１０μｍ高い２．５５μｍである。また、図
１９に示した実施例１−３での柱状スペーサ３４の高さ
ｈ３は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．６
０μｍ高い３．０５μｍであり、図２５に示した実施例
１−４での柱状スペーサ３４の高さｈ４は従来の柱状ス
ペーサ１０６の高さｈｂより０．６５μｍ高い３．１０
μｍである。図３３に示した実施例１−５での柱状スペ
ーサ３４の高さｈ５は従来の柱状スペーサ１０６の高さ
ｈｂより０．１０μｍ高い２．５５μｍであり、図３９
に示した実施例１−６での柱状スペーサ３４の高さｈ６
は従来の柱状スペーサ１０６の高さｈｂより０．１０μ
ｍ高い２．５５μｍである。

【００６５】すなわち、最も顕著な効果を有する実施例
１−４の柱状スペーサ３４の高さｈ４は、従来の柱状ス
ペーサ１０６の高さｈｂより０．６５μｍ高く形成で
き、最も効果の小さい実施例１−５及び実施例１−６の
柱状スペーサ３４の高さｈ５、ｈ６においても、従来の
柱状スペーサ１０６の高さｈｂよりも０．１０μｍ高く
形成できる。

【００６６】本実施の形態では、ＭＶＡモードの液晶表
示装置を例に挙げて説明したが、他のモードの液晶表示
装置にも適用できる。ただし、例えばＴＮモードの液晶
表示装置には、液晶の配向を規制する突起３２が形成さ
れないため、本実施の形態による液晶表示装置用基板の
柱状スペーサ３４のように最上層のレジスト層３３が形
成されない。このため、柱状スペーサ３４の最上層にな
る共通電極４０と、対向する基板の画素電極１２とが短
絡しないようにする必要がある。

【００６７】また、柱状スペーサ３４を構成するＣＦ樹
脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ、樹脂ＢＭ４４、レジスト層３３等の各
樹脂層の膜厚（高さ）は、変更することができる。各樹
脂層の膜厚を変更することにより柱状スペーサ３４の高
さを調整できるため、所望のセルギャップを得ることが
できる。

【００６８】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、所望のセルギャップを容易に得ることができる。

【００６９】〔第２の実施の形態〕本発明の第２の実施
の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶
表示装置及びその製造方法について図４５乃至図６６を
用いて説明する。液晶表示装置のセルギャップは、基板
に散布された球状スペーサ等により保持されている。し
かし、表示画素領域内に球状スペーサがあると、球状ス
ペーサ周囲で光漏れや配向不良（ドメイン）が発生し、
液晶表示装置の表示品質が低下する。このため、これに
代わる技術として、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法
でパターニングすることにより、基板上の任意の位置に
柱状スペーサを形成する方法が用いられている。ＢＭに
より遮光された遮光部のみに柱状スペーサを形成するこ
とによって上記のような問題が解決される。また、スピ
ンコート法等により樹脂を均一の膜厚に塗布できるた
め、高さ精度に優れた柱状スペーサが形成できる。この
ため、柱状スペーサが用いられた液晶表示装置では、均
一で高精度なセルギャップが得られる。柱状スペーサの
形成材料の一つに光硬化性のアクリル樹脂系ネガ型感光
性レジストがある。

【００７０】図４５は、ＣＦ基板４側に柱状スペーサ７
０が形成された液晶表示装置の断面を示している。図４
５に示すように、液晶表示装置は、ＣＦ基板４とＴＦＴ
基板２とを貼り合わせ、両基板間に液晶ＬＣを封入して
形成されている。ＣＦ基板４は、ガラス基板２８上に画
素領域端部を遮光するＢＭ３０を有している。各画素領
域には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。ＣＦ
樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の全面には共通電極４０が形成され
ている。

【００７１】一方、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２９上
の各画素領域に形成された画素電極１２を有している。
ＣＦ基板４のＢＭ３０上には、ＣＦ基板４とＴＦＴ基板
２との間のセルギャップを保持するための柱状スペーサ
７０が形成されている。

【００７２】ＣＦ基板４は、例えば以下のようにして製
造される。図４６及び図４７は、ＣＦ基板４の製造工程
を示す工程断面図である。まず、ガラス基板２８上にＣ
ｒ等を成膜してパターニングし、ＢＭ３０を形成する。
次いで、例えば顔料分散型ネガ型感光性アクリルレジス
トを塗布してパターニングし、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂを
ストライプ状に形成する。次に、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ
上の全面にＩＴＯ等の透明導電膜を成膜して共通電極４
０を形成する。

【００７３】次に、ネガ型感光性アクリルレジストを所
望のセルギャップに基づいた膜厚で塗布してレジスト層
４８を形成し、９０℃程度でプリベークしてレジスト層
４８を乾燥させる。次に、図４６に示すように、大型の
露光用マスク３８を用いたプロキシミティ方式の露光に
より、レジスト層４８をＣＦ基板４表面側（図中上方）
からの紫外線で一括露光する。その後現像し、２２０℃
程度で焼成することにより、図４７に示すようなＣＦ基
板４上の所望の位置及び高さに形成された柱状スペーサ
７０が完成する。

【００７４】柱状スペーサ７０は通常、基板面に垂直方
向に見て、ＣＦ基板４上のＢＭ３０あるいはＴＦＴ基板
２上の金属配線等に重なる位置、すなわち表示領域外に
形成される。これにより、柱状スペーサ７０の周囲に生
じる液晶の配向不良領域は遮光されるため、表示品質の
低下を防止することができる。ところで、近年の液晶表
示用装置の高精細でかつ開口率を高めたパターン設計に
より、ＢＭ３０や金属配線の線幅はますます微細化して
きている。このため、柱状スペーサ７０をＢＭ３０や金
属配線に重なる位置に形成するには、柱状スペーサ７０
の寸法を小さくする必要がある。

【００７５】しかしながら、プロキシミティ方式の露光
でネガ型感光性レジストを用いた場合の解像度は、露光
ギャップにより異なるが通常１０μｍ程度である。例え
ば、幅１５μｍの柱状スペーサ７０を形成する場合、Ｃ
Ｆ基板４と露光用マスク３８の位置合わせ精度を考慮す
ると線幅２０μｍ以上のＢＭ３０上に形成する必要があ
る。ステッパ（投影露光装置）を用いることにより解像
度を１０μｍ以下にすることも可能であるが、タクトが
長くなり生産性が低下してしまうという問題が生じる。
本実施の形態の目的は、高精細でかつ開口率を高めたパ
ターン設計がされていても、柱状スペーサを容易に形成
できる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装
置及びその製造方法を提供することにある。

【００７６】本実施の形態では、ＢＭ３０に開口部を設
け、ＢＭ３０上に塗布した光硬化性を有するネガ型レジ
ストを背面露光により露光して、柱状スペーサ７０を自
己整合的に形成する。こうすることにより、ＣＦ基板４
と露光用マスク３８との位置合わせが不要になり、また
コンタクト方式の露光と同程度の解像度が得られる。こ
のため、狭い線幅のＢＭ３０が形成されていても、当該
ＢＭ３０上に柱状スペーサ７０を形成できる。

【００７７】以下、本実施の形態による液晶表示装置用
基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に
ついて実施例２−１及び２−２を用いてより具体的に説
明する。 （実施例２−１）まず、実施例２−１による液晶表示装
置用基板及び及びそれを備えた液晶表示装置及びその製
造方法について図４８乃至図５７を用いて説明する。図
４８は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を示す
断面図である。図４８に示すように、液晶表示装置は、
ＣＦ基板４とＴＦＴ基板２とを貼り合わせ、両基板間に
液晶ＬＣを封入して形成されている。ＣＦ基板４は、ガ
ラス基板２８上に画素領域端部を遮光するＢＭ５０を有
している。ＢＭ５０は、少なくともネガ型感光性レジス
トの感光波長を透過する開口部５２を有している。各画
素領域には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成されている。
ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には共通電極４０が形成されて
いる。

【００７８】一方、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２９上
に、各画素領域に形成された画素電極１２を有してい
る。ＢＭ５０の開口部５２上には、ＣＦ基板４とＴＦＴ
基板２との間のセルギャップを保持するための柱状スペ
ーサ７０が形成されている。

【００７９】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
及びそれを備えた液晶表示装置の製造方法について図４
９乃至図５５を用いて説明する。図４９、図５１及び図
５４は本実施例による液晶表示装置用基板の製造方法を
示しており、図５０、図５２、図５３及び図５５は図４
９のａ−ａ線で切断した断面を示す工程断面図である。

【００８０】まず、ガラス基板２８上の全面にＣｒを成
膜して、フォトリソグラフィ法を用いてパターニング
し、図４９及び図５０に示すように開口部５２を有する
ＢＭ５０を形成する。次に、図５１及び図５２に示すよ
うに、顔料分散型ネガ型感光性アクリルレジスト等のＲ
レジストを塗布してパターニングし、ＣＦ樹脂層Ｒを形
成する。続いて同様に、ＣＦ樹脂層Ｇ、Ｂを形成する。
このとき、ＢＭ５０の開口部５２にはＣＦ樹脂層Ｒ、
Ｇ、Ｂが形成されないようにする。次に、ＩＴＯ等の透
明導電膜を成膜して共通電極４０を形成する。

【００８１】次に、共通電極４０上の全面に、ネガ型感
光性アクリルレジストを塗布してプリベークし、ネガレ
ジスト層５４を形成する。次に、図５３に示すように、
高圧水銀ランプ（図示せず）によって紫外線を基板裏面
（図中下方）から照射する。次に、感光したネガレジス
ト層５４を現像すると、図５４及び図５５に示すよう
に、開口部５２上に柱状スペーサ７０が形成される。次
いでクリーンオーブンを用いて２２０℃で焼成する。

【００８２】以上の工程で製造されたＣＦ基板４と、対
向して配置されるＴＦＴ基板２との対向面に液晶の配向
を制御する配向膜（図示せず）を形成し、両基板間に液
晶ＬＣを封入して偏光板（図示せず）を貼付し、図４８
に示す液晶表示用装置が完成する。

【００８３】本実施例では、ＢＭ３０に開口部５２を設
け、ネガ型感光性レジストを背面露光により露光して柱
状スペーサ７０を自己整合的に形成している。このた
め、ＣＦ基板４と露光用マスク３８との位置合わせが不
要である。プロキシミティ方式の露光と同等以上のタク
トで露光処理を行うことができ、またコンタクト方式の
露光と同程度の解像度で、位置精度の高い柱状スペーサ
７０が得られる。したがって、高精細でかつ開口率を高
めたＢＭ３０のパターン設計がされていても、当該ＢＭ
３０上に柱状スペーサ７０を容易に形成できる。

【００８４】図５６は、本実施例による液晶表示装置用
基板の構成の変形例を示す断面図である。図５６に示す
ように、本変形例の液晶表示装置用基板は、Ｃｒで形成
されたＢＭ５０に代えて黒色樹脂で形成された樹脂ＢＭ
５６を有している。ＢＭ５０より樹脂ＢＭ５６の方がよ
り厚い膜厚を有しているので、柱状スペーサ７０と開口
部５２の内壁面７２との接触面積が増加する。このた
め、配向膜をラビングする際に基板面方向に力が加えら
れても、柱状スペーサ７０を剥がれ難くすることができ
る。

【００８５】なお、本実施例の構造では、柱状スペーサ
７０が透明なネガ型感光性レジストで形成されると、ノ
ーマリーホワイトモードの液晶表示装置では開口部５２
から光が透過して、表示画面のコントラストが低下して
しまう。これを防止するため、柱状スペーサ７０の形成
材料として焼成後の光透過率の低い着色ネガ型レジスト
等を用いれば光漏れを抑えることができる。また、図５
７に示すように、透明なネガ型レジストを用いても、Ｔ
ＦＴ基板２側で柱状スペーサ７０と重なる領域にバスラ
イン等の金属配線５８やＢＭを形成するようにすれば光
漏れを防ぐことができる。ノーマリーブラックモードの
液晶表示装置では、画素領域端部からの光漏れがないた
め、柱状スペーサ７０を透明なネガ型レジストで形成し
てもよい。

【００８６】（実施例２−２）次に、実施例２−２によ
る液晶表示装置用基板及びその製造方法について図５８
乃至図６６を用いて説明する。図５８は、本実施例によ
る液晶表示装置用基板の概略構成を示す断面図である。
図５８（ａ）はＴＦＴ基板２の蓄積容量バスライン１４
上に形成された柱状スペーサ３５の構成を示しており、
図５８（ｂ）はＴＦＴ基板２の蓄積容量バスライン１４
上に形成された他の柱状スペーサ３５’の構成を示して
いる。本実施例によるＴＦＴ基板２は、ＣＦ−ｏｎ―Ｔ
ＦＴ構造を有している。図５８（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板２８表面からの高さ
が互いに異なる柱状スペーサ３５、３５’を有してい
る。

【００８７】図５８（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板２
は、ガラス基板２８上に形成された蓄積容量バスライン
１４を有している。蓄積容量バスライン１４は、柱状ス
ペーサ３５の形成領域近傍に開口部５３’を有してい
る。蓄積容量バスライン１４上にはゲート絶縁膜６６が
形成されている。ゲート絶縁膜６６上には、ドレインバ
スライン８と蓄積容量電極６０とが形成されている。蓄
積容量電極６０上には、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成さ
れている。蓄積容量電極６０及びＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ
は、柱状スペーサ３５の形成領域近傍に開口部５３を有
している。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には、平坦化膜６８
が形成されている。平坦化膜６８は、開口部５３上で開
口されている。平坦化膜６８上及び開口部５３を介した
ゲート絶縁膜６６上には画素電極１２が形成されてい
る。開口部５３の画素電極１２上には柱状スペーサ３５
が形成されている。

【００８８】一方、図５８（ｂ）に示すように、他の柱
状スペーサ３５’の形成領域では、柱状スペーサ３５の
形成領域と異なり、平坦化膜６８が開口部５３上で開口
されていない。このため、柱状スペーサ３５、３５’の
各底面は、ガラス基板２８表面からの高さが互いに異な
っている。

【００８９】次に、本実施例による液晶表示装置用基板
の製造方法について図５９乃至図６６を用いて説明す
る。図５９、図６１及び図６３は本実施例による液晶表
示装置用基板の製造方法を示す図であり、図６０、図６
２、図６４乃至図６６は図５９のｂ−ｂ線で切断した断
面を示す工程断面図である。

【００９０】まず、図５９及び図６０に示すように、ガ
ラス基板２８上の全面にＣｒ、Ａｌ等を成膜してパター
ニングし、開口部５３’を有する蓄積容量バスライン１
４とゲートバスライン６とを形成する。

【００９１】次に、基板全面にシリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）及びＳｉＮを
連続成膜し、上層のＳｉＮをパターニングしてチャネル
保護膜を形成する。次に、図６１及び図６２に示すよう
に、例えばＡｌ、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）
を成膜して、ａ−Ｓｉと下層のＳｉＮとともにパターニ
ングし、開口部５３’上に開口部５３が位置する蓄積容
量電極６０を形成する。同時に、ドレインバスライン
８、ドレイン電極６２及びソース電極６４を形成する。

【００９２】次に、図６３及び図６４に示すように、例
えば顔料分散型ネガ型感光性レジストを全面に塗布して
パターニングし、開口部５３上で開口されたＣＦ樹脂層
Ｒを形成する。続いて同様の工程で、開口部５３上で開
口されたＣＦ樹脂層Ｇ、Ｂをそれぞれ形成する。ＣＦ樹
脂層Ｒ、Ｇ、Ｂは、図６３中上下方向にストライプ状に
延びて形成される。

【００９３】次に、図６５（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、例えば透明アクリルレジストを全面に塗布して平坦
化膜６８を形成する。次に、図６５（ａ）に示すよう
に、平坦化膜６８は、所定のコンタクトホール（図示せ
ず）を開口するとともに、任意の開口部５３の上方を開
口する。次に、ＩＴＯ等の透明導電膜を成膜してパター
ニングし、画素電極１２を形成する。

【００９４】次に、図６６（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、ネガ型感光性レジストを全面に塗布してネガレジス
ト層５５を形成する。このとき、開口部５３上で平坦化
膜６８が開口された領域と他の領域とでは、ネガレジス
ト層５５のガラス基板２８表面からの高さが異なってい
る。次に、プリベークによりネガレジスト層５５を乾燥
させた後、当該ネガレジスト層５５が感光する紫外線を
基板裏面（図中下方）から照射する。ゲートバスライン
６、ドレインバスライン８、蓄積容量バスライン１４及
びＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ等が遮光層となり紫外線を反射
あるいは吸収するため、これらの金属層やＣＦ樹脂層
Ｒ、Ｇ、Ｂの上層のネガレジスト層５５は感光しない。
一方、下層に金属層やＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂが形成され
ていない開口部５３上のネガレジスト層５５は、基板裏
面より照射された紫外線により感光する。現像処理後、
２２０℃程度のポストベークで焼成して、柱状スペーサ
３５、３５’を形成する。以上の工程を経て、図５８
（ａ）、（ｂ）に示すＴＦＴ基板２が完成する。

【００９５】本実施例では、ガラス基板２８表面からの
高さの異なる柱状スペーサ３５、３５’を任意の位置に
任意の配置密度で同時に形成することができる。本実施
例によるＴＦＴ基板２を用いて形成された液晶表示パネ
ルは、通常は高さの高い方の柱状スペーサ３５’がセル
ギャップを保持しているが、液晶表示パネルのパネル表
面が加圧されてセルギャップが狭くなると高さの低い方
の柱状スペーサ３５もセルギャップを保持するようにな
る。このため、本実施例による液晶表示装置用基板は、
実施例２−１と同様の効果を奏することができるととも
に、耐加圧性が向上する。

【００９６】また、液晶表示パネル周囲の温度が低下す
ると、液晶が収縮して体積が減少する。従来の液晶表示
装置では、同一高さの柱状スペーサが高い配置密度で形
成されているため、セルギャップ内の容積を減少させる
のは困難である。このため、セルギャップ内の圧力が低
下して低温発泡が生じやすくなる。これに対し、本実施
例の液晶表示装置では、任意の配置密度で形成された高
さの高い柱状スペーサ３５’のみでセルギャップを維持
しており、通常時において、高さの低い柱状スペーサ３
５は対向基板面に接触していない。温度低下等により液
晶体積が減少すると、パネル基板面の一部が高さの低い
柱状スペーサ３５の位置まで降りてきてセルギャップ内
の容積を減少させることができる。こうすることによ
り、低温発泡の発生を抑制することができる。

【００９７】また、本実施例では、柱状スペーサ３５、
３５’がＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上に形成されていない。
このため、ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂの形成材料は、柱状ス
ペーサ３５、３５’の形成材料のようにパネル表面の指
押し等に対抗できるだけの圧縮強度を必要としないの
で、その分、材料の選定が容易になる。

【００９８】以上説明した実施の形態による液晶表示装
置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装
置は、以下のようにまとめられる。 （付記１）対向して配置される対向基板とともに液晶を
挟持する基板と、前記基板上にマトリクス状に配列され
た複数の画素領域と、セルギャップを保持するために前
記画素領域端部に配置された柱状スペーサと、前記画素
領域に形成されるとともに、少なくとも前記柱状スペー
サの周囲で、隣接する前記画素領域間に隙間が生じない
ように形成された複数のカラーフィルタ樹脂層とを有す
ることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【００９９】（付記２）付記１記載の液晶表示装置用基
板において、前記柱状スペーサは、前記カラーフィルタ
樹脂層を複数積層して形成されていることを特徴とする
液晶表示装置用基板。

【０１００】（付記３）付記１又は２に記載の液晶表示
装置用基板において、前記複数のカラーフィルタ樹脂層
は、隣接する前記画素領域間で互いの端辺が接するよう
に形成されていることを特徴とする液晶表示装置用基
板。

【０１０１】（付記４）付記１又は２に記載の液晶表示
装置用基板において、前記複数のカラーフィルタ樹脂層
は、隣接する前記画素領域間で積層されて形成されてい
ることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１０２】（付記５）付記１乃至４のいずれか１項に
記載の液晶表示装置用基板において、前記カラーフィル
タ樹脂層上に形成され、前記液晶を配向規制する線状の
突起をさらに有し、前記柱状スペーサは、前記突起の形
成層を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１０３】（付記６）付記１乃至５のいずれか１項に
記載の液晶表示装置用基板において、前記画素領域端部
を遮光する遮光膜をさらに有することを特徴とする液晶
表示装置用基板。

【０１０４】（付記７）付記６記載の液晶表示装置用基
板において、前記遮光膜は、金属で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１０５】（付記８）付記７記載の液晶表示装置用基
板において、前記遮光膜の上層には、当該遮光膜をパタ
ーニングする際に用いられたレジスト層が残存している
ことを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１０６】（付記９）付記６記載の液晶表示装置用基
板において、前記遮光膜は、黒色樹脂で形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１０７】（付記１０）基板上の第１の画素領域及び
柱状スペーサ形成領域に第１のカラーフィルタ樹脂層を
形成し、前記第１の画素領域に隣接する第２の画素領域
及び前記柱状スペーサ形成領域に、少なくとも前記柱状
スペーサ形成領域の周囲で前記第１のカラーフィルタ樹
脂層との間に隙間が生じないように第２のカラーフィル
タ樹脂層を形成することを特徴とする液晶表示装置用基
板の製造方法。

【０１０８】（付記１１）付記１０記載の液晶表示装置
用基板の製造方法において、前記第２のカラーフィルタ
樹脂層は、端辺が前記第１のカラーフィルタ樹脂層の端
辺に接するように形成されることを特徴とする液晶表示
装置用基板の製造方法。

【０１０９】（付記１２）付記１０又は１１に記載の液
晶表示装置用基板の製造方法において、前記画素領域を
画定するための遮光膜形成層を前記基板上に成膜し、前
記遮光膜形成層上にレジストを塗布し、前記レジストを
パターニングしてレジストパターンを形成し、前記レジ
ストパターンをエッチングマスクとして用いて前記遮光
膜形成層をエッチングして遮光膜を形成し、前記レジス
トパターン上に前記カラーフィルタ樹脂層を形成するこ
とを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。

【０１１０】（付記１３）付記１０乃至１２のいずれか
１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記カラーフィルタ樹脂層は減圧乾燥されることを特徴
とする液晶表示装置用基板の製造方法。

【０１１１】（付記１４）基板上にマトリクス状に配列
された複数の画素領域と、前記画素領域端部に形成さ
れ、所定の領域で開口された複数の開口部を有する遮光
層と、セルギャップを保持するために前記複数の開口部
に配置され、光硬化性レジストで形成された複数の柱状
スペーサとを有することを特徴とする液晶表示装置用基
板。

【０１１２】（付記１５）付記１４記載の液晶表示装置
用基板において、前記光硬化性レジストは着色レジスト
であることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１１３】（付記１６）付記１４又は１５に記載の液
晶表示装置用基板において、前記開口部は、少なくとも
前記光硬化性レジストの感光波長を有する光を透過させ
ることを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１１４】（付記１７）付記１４乃至１６のいずれか
１項に記載の液晶表示装置用基板において、前記複数の
柱状スペーサは、複数の異なる高さで形成されているこ
とを特徴とする液晶表示装置用基板。

【０１１５】（付記１８）一対の基板と、前記一対の基
板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置であっ
て、前記基板の一方に、付記１乃至９又は付記１４乃至
１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板を用い
ることを特徴とする液晶表示装置。

【０１１６】（付記１９）複数の開口部を有する遮光層
を基板上に形成する工程と、前記遮光層上に光硬化性レ
ジストを塗布する工程と、前記光硬化性レジストを前記
基板の裏面から露光して、前記開口部上に柱状スペーサ
を自己整合的に形成する工程とを有することを特徴とす
る液晶表示装置用基板の製造方法。

【０１１７】（付記２０）付記１９記載の液晶表示装置
用基板の製造方法において、複数の高さの前記柱状スペ
ーサを同時に形成するために、前記複数の開口部上にお
いて前記基板面からの高さが異なる前記光硬化性レジス
ト表面を形成する工程をさらに有することを特徴とする
液晶表示装置用基板の製造方法。

【０１１８】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、所望のセ
ルギャップが容易に得られる液晶表示装置を実現でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置の構成を示す図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置のＴＦＴ基板側の構成を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板の構成を示す図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【図７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【図８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【図９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１によ
る液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【図１０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図１１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図１２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図１３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図１４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図１５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す図である。

【図１６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図１７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す図である。

【図１８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図１９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図２０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。

【図２１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す断面図であ
る。

【図２２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す断面図であ
る。

【図２３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す図である。

【図２４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図２５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図２６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図２７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図２８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図２９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の変形例の構成を示す断面図で
ある。

【図３０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４に
よる液晶表示装置用基板の変形例の製造方法を示す断面
図である。

【図３１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す図である。

【図３２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図３３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図３４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図３５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図３６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図３７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す図である。

【図３８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図３９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図４０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図４１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図４２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図４３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板の効果を説明する図である。

【図４４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装
置用基板の効果を説明する図である。

【図４５】本発明の第２の実施の形態の前提となる従来
の液晶表示装置の構成を示す断面図である。

【図４６】本発明の第２の実施の形態の前提となる従来
の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【図４７】本発明の第２の実施の形態の前提となる従来
の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図であ
る。

【図４８】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置の構成を示す断面図である。

【図４９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。

【図５０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図５１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。

【図５２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図５３】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図５４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。

【図５５】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図５６】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の変形例を示す図である。

【図５７】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１に
よる液晶表示装置用基板の変形例を示す図である。

【図５８】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。

【図５９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。

【図６０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図６１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。

【図６２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図６３】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。

【図６４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図６５】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図６６】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２に
よる液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図で
ある。

【図６７】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す図で
ある。

【図６８】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面
図である。

【図６９】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面
図である。

【図７０】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す
図である。

【図７１】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す
断面図である。

【図７２】従来の液晶表示装置用基板の製造工程を示す
断面図である。

【符号の説明】

２ ＴＦＴ基板 ４ ＣＦ基板 ６ ゲートバスライン ８ ドレインバスライン １０ ＴＦＴ １２ 画素電極 １４ 蓄積容量バスライン １６ ゲート駆動回路 １８ ドレイン駆動回路 ２０ 制御回路 ２２、２６ 偏光板 ２４ バックライトユニット ２８、２９ ガラス基板 ３０、５０ ＢＭ ３１ 低反射Ｃｒ膜 ３２ 突起 ３３、３６、４８ レジスト層 ３４、３５、７０ 柱状スペーサ ３４’ 柱状スペーサ形成領域 ３７ レジストパターン ３８ 露光用マスク ４０ 共通電極 ４２ 隙間部 ４４、５６ 樹脂ＢＭ ４６ 色重ねＢＭ ５２、５３ 開口部 ５４、５５ ネガレジスト層 ５８ 金属配線 ６０ 蓄積容量電極 ６２ ドレイン電極 ６４ ソース電極 ６６ ゲート絶縁膜 ６８ 平坦化膜 ７２ 内壁面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐口 琢哉 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 田野瀬 友則 鳥取県米子市石州府字大塚ノ弐650番地 株式会社米子富士通内 (72)発明者 澤崎 学 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 池田 政博 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H048 BA45 BA48 BB02 BB03 BB07 BB08 BB44 2H089 LA09 LA16 NA14 NA17 PA05 QA14 QA16 TA12 TA13 2H091 FA02Y FA34Y GA08 LA16

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】対向して配置される対向基板とともに液晶
   を挟持する基板と、 前記基板上にマトリクス状に配列された複数の画素領域
   と、 セルギャップを保持するために前記画素領域端部に配置
   された柱状スペーサと、 前記画素領域に形成されるとともに、少なくとも前記柱
   状スペーサの周囲で、隣接する前記画素領域間に隙間が
   生じないように形成された複数のカラーフィルタ樹脂層
   とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
2. 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置用基板におい
   て、 前記柱状スペーサは、前記カラーフィルタ樹脂層を複数
   積層して形成されていることを特徴とする液晶表示装置
   用基板。
3. 【請求項３】基板上の第１の画素領域及び柱状スペーサ
   形成領域に第１のカラーフィルタ樹脂層を形成し、 前記第１の画素領域に隣接する第２の画素領域及び前記
   柱状スペーサ形成領域に、少なくとも前記柱状スペーサ
   形成領域の周囲で前記第１のカラーフィルタ樹脂層との
   間に隙間が生じないように第２のカラーフィルタ樹脂層
   を形成することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造
   方法。
4. 【請求項４】請求項３記載の液晶表示装置用基板の製造
   方法において、 前記第２のカラーフィルタ樹脂層は、端辺が前記第１の
   カラーフィルタ樹脂層の端辺に接するように形成される
   ことを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
5. 【請求項５】請求項３又は４に記載の液晶表示装置用基
   板の製造方法において、 前記画素領域を画定するための遮光膜形成層を前記基板
   上に成膜し、 前記遮光膜形成層上にレジストを塗布し、 前記レジストをパターニングしてレジストパターンを形
   成し、 前記レジストパターンをエッチングマスクとして用いて
   前記遮光膜形成層をエッチングして遮光膜を形成し、 前記レジストパターン上に前記カラーフィルタ樹脂層を
   形成することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造方
   法。
6. 【請求項６】請求項３乃至５のいずれか１項に記載の液
   晶表示装置用基板の製造方法において、 前記カラーフィルタ樹脂層は減圧乾燥されることを特徴
   とする液晶表示装置用基板の製造方法。
7. 【請求項７】基板上にマトリクス状に配列された複数の
   画素領域と、 前記画素領域端部に形成され、所定の領域で開口された
   複数の開口部を有する遮光層と、 セルギャップを保持するために前記複数の開口部に配置
   され、光硬化性レジストで形成された複数の柱状スペー
   サとを有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
8. 【請求項８】一対の基板と、前記一対の基板間に封入さ
   れた液晶とを有する液晶表示装置であって、 前記基板の一方に、請求項１、２、又は７のいずれか１
   項に記載の液晶表示装置用基板を用いることを特徴とす
   る液晶表示装置。
9. 【請求項９】複数の開口部を有する遮光層を基板上に形
   成する工程と、 前記遮光層上に光硬化性レジストを塗布する工程と、 前記光硬化性レジストを前記基板の裏面から露光して、
   前記開口部上に柱状スペーサを自己整合的に形成する工
   程とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板の製
   造方法。
10. 【請求項１０】請求項９記載の液晶表示装置用基板の製
    造方法において、 複数の高さの前記柱状スペーサを同時に形成するため
    に、前記複数の開口部上において前記基板面からの高さ
    が異なる前記光硬化性レジスト表面を形成する工程をさ
    らに有することを特徴とする液晶表示装置用基板の製造
    方法。